TW498157B - Inspection apparatus and sensor - Google Patents

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1 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域屬 本發明係闕於電路基板的導雷 裝置用的感測器。 Θ /、的檢查裝置及該檢查 【習知之技術】 在電路基板之製造中，在將導 對該導電圓案上是否有斷線與短：：案：：基板上後，有 習知，作為導電圖案的檢查方二私查的必要。 導電圖案的兩端接觸，苴中么知有藉由將接腳與 導電圖案，另-端側的接腳則心提供電性信號給 圖案，導通測試等的接觸式檢查方法。唬，來進行導電 仁是，近年來，由於因導電圖 ，置接腳使與各導電圖案接觸的充二並無同時 接收雷^亡％ «V 接腳且不與導電圖荦接網& 非接觸式檢查方法(日本專利特開平、 為檢查對：：i; s j m如圖15所示’係在將接腳與 於另-端布線的-端側接觸的同時， 將藉由提供於本、；；導電圖案非接觸狀地配置感測器導體， 哭導欢—、七接腳的導電圖案的電位變化，通過β、、ρι| 測藉r檢查導電圖案的斷線等。換 生的電流姑由ip ’如圖16所示，將在感測器導體側發 導體路放大後，由該電流的大小來檢知與 =的感測器導體對向的位置的斷線與 L韌明所欲解決之問題】 崎

U 90103887.ptd 第5頁 五、發明說明（2) 然而，如上所 係猎由對一般之 小的電極，接受 解析度地檢查5 〇 大的導電圖案， 本發明係為解 供一種可精細檢 【解決問題之手 為達成上述之 的導電圖案用， 電圖案所引起的 使用多個感測 變化的檢測機構 輸出用以選擇 上述感測器要 且包含有： 相對於上述導 動作，以檢測上 按照上述選擇 的檢測信號的電 其特徵為：上 上述被動元件與 擇信號輸入至閘 其特徵為：上 述，在上述習知之非接觸 印刷電路板上的多根圖宰法中， 來自導電圖案的電磁波：：覆蓋程度大 崎準的電路圖案，還有’不可崞南 但也無法檢知出該缺陷。 吏有比杈 ίΐϊΞ:問題而創作者，其目的在於提 段^體圖案的形狀的感測器及檢查裝置。 m t發明之裝置，係為檢查電路基板 雷你^萄方式檢測由提供檢查信號給該導 ，位交士的檢查裝置，其特徵為：具備 為要素藉以檢測上述導電圖案各部的電位 ，及 上述感測器要素的選擇信號的選 素，係構成於半導體單晶上、或=:， 電圖案作為靜電電容耦合的對向電極進行 述導電圖案的電位變化的被動元件，及 信號的輸入，輸出由上述被動元件所 晶體。 述電晶體係為電流讀出用的MOSFET，作為 源極的擴散層相互連續，並藉由將上述選 極’可獲得來自汲極的檢測信號。 述電晶體係為電流讀出用的薄膜電晶體

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五、發明說明（3) (TFT)，上 '才、、士 藉將上述選^握_*力元件與上述薄膜電晶體的源極連接，並 號。 、俾彳§號輸入至閘極，可獲得來自汲極的檢測信 其特徵為· M〇SFET，將·上述電晶體係為串聯配置的第1與第2 將上述選擇被動元件與上述第1m〇sfet的閘極連接， MOSFET的没;；與上述第2M〇SFET的閘極連接，由上述第2 述被動元件的Ϊ f按照施加於上述第1 M〇SFET的閉極的上 位，柞盔办 電位進行變化的上述第1M0SFET的源極電 自$原極的檢測信號予以輸出。 共符m為：μ、本、A L y 晶體，將上、t > 係為串聯配置的第1與第2薄膜電 接，將上述=破動元件與上述第1薄膜電晶體的閘極連 由上述第上述第2薄膜電晶體的問極連接， 電晶體的㈣亟的上曰曰^的番波極土接受按照施加於上述第1薄膜 薄膜電晶體的源極雷：力：：：電位進行變化的上述第1 出。 ’、電位’作為來自源極的檢測信號予以輸 t，徵為：上述電晶體係為 -件與射極連接，並藉由將上= 被動 獲得來自集極的檢測信號。、擇^虎輸入至基極，可 其特徵為：上述雷B卿总& & 上述被動元件與源極= = = 2電荷讀出用的mosfet ,作為 擇信號輸入至閘極，減’ ’並：由將述ι 的信號電荷作為檢測H雷極下的位障，將源極側 極側的電荷傳送元件^何傳迗至汲極側，由連接於汲 、疋件傳迗檢測信號。

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49815/ 五、發明說明（5)

使用多個感測器要素，Μ以认 、 的上述導電圖案各部的電二變：2檢查信號所供給 的檢測信號的檢測機構；化’並輸出按照該電位變化 輸出 以上 用的影 上述 相對 動作， 按照 檢測的 又， 導體的 還有 用，以 位變化 上述 相 行動作 按照 檢測的 【發明 用以選擇 述檢測信 像資料的 感測要素 於上述導 以檢測上 上述選擇 電位變化 其特徵為 光照射的 ’本發明 非接觸式 的具備多 感測要素 對於上述 ，以檢測 上述選擇 電位變化 之實施形 上述感測 ί虎為基準 影像資料 ，係構成 電圖案作 述導電圖 信號的輸 的檢測信 :具有用 遮光機構 之感測器 檢測由提 個感測器 ，係構成 導電圖案 上述導電 信號的輸 的檢測信 態】 π尔叼 ，生成 生成機 於半導 為靜電 案的電 入，輪 號的電 以防止 0 ，係為 供檢查 要素的 於半導 作為靜 圖案的 入，輸 號的電 選擇信號的選擇機構，及 4田晝上述導電圖案的形狀 構， 體早晶上’且包含有·· 電容耦合的對向電極進行 位變化的被動元件；及 出按照由上述被動元件所 晶體。 對於上述感測器要素的半 檢查電路基板的導電圖案 ^號給導電圖案引起的^ 感測器，其特徵為： 體早晶上’且包含有·· 電電容耦合的對向電極進 電位變化的被動元件；及 出按照由上述被動元件所 晶體。 以下’參照圖式以例示詳細地說明本發明之較佳實施妒 態。只是’在該實施形態中所記載的構成要素的相對配^

498157 五、發明說明（6) 置、數值等，除姓中 ^ 圍僅限定於此等之中。。己、以外，並不意味著本發明之範 (第1實施形態） 測置=形態’針對使用將M0SFET作為感 、， J年双笪裝置1進行說明。

例f :兔1:利用檢查裝置1的導電圖案的檢查系統的-例。圖2為利用檢杳奘 几W 檢查系統20係為一用以 圖案101的裝置、且右布於電路基板100上的導電 信號給導電圖荦101的：：；置1、電腦21、用以提供檢查 ^ ^ # - ,V4ff ^i+22 轉換器等構成。 遥擇益23比如可由多路轉換器、 6“?:2二探針選擇用的控制信號與給予導體圖案m t U、.、6選擇器23 ’並與供給選 期地提供使檢查裝置動作的同期信號給檢查裝置i。/门 有，電腦21受信來自檢查裝置J的檢測信號，生成影像資 料’並基於该影像資料，檢測導電圖案i 〇工的斷線、短 路二缺陷等。又，電腦21基於來自各感測器要素12a的檢 測信號，具有在顯示器21a上顯示為檢查對象的 的影像。 探針22的前端分別與電路基板丨〇〇上的導電圖案1〇1的一 端相接觸，並提供檢查信號給導電圖案丨。 選擇器23切換輸出檢查信號的探針22。藉由電腦所提供 的控制信號來進行控制，使對於電路基板丨〇〇上的多個獨

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498157 五、發明說明（7) 立的導電圖案101，可逐一提供檢查信號。 二查非接觸式地配置於與電路基板100的導電圖 二置，#由探針22所提供的檢查信號檢測 =二=的電位變化，並作為檢測信號輸出 至電細21。檢杳裝置1鱼導雷鬧安1Λ1 ^ 4 , 一衣罝丄”等冤圖案1〇1的間隔雖以0. 05mm以 下為权理想，但只要為〇. 5mm以下的話即可。 又\在圖j之電路基板100中，雖係假定為將導電圖案 1 0 1僅设於早面側的情況，但對於將導電圖案丨〇 i設於雙面 電路基板也可進行檢查’在該情況，可使用2個檢查 裝置1，並將電路基板呈三明治狀地介於其間配置及檢 查。 圖3為顯示檢查裝置！的電性結構的方塊圖。 檢查裝置1係將具有圖3所示的電性結構的感測器晶片， 安裝於未圖示之構裝的構成。 檢查f置1具有備控制部11 ;由多個感測器要素12a構成 的感測裔要素群1 2 ;《測器要素！ 2 a的列的選擇用的縱選 擇。卩1 4，感測器要素1 2 a的行的選擇及信號的取出用的橫 選擇部1 3 ;發生選擇各感測器要素〗2a用的選擇信號的時 間生成部1 5，處理來自橫選擇部丨3的信號的信號處理部 ^，將來t信號處理部丨6的信號進行A/D變換用的A/D換流 裔1 7 ’及提供用以驅動檢查裝置1用的電力的電源電路部 18。 控制部1 1係依照來自電腦2 1的控制信號，藉以控制檢查 裝置1的動作用者。

五、發明說明（8) 感測為要素1 2 a係被配罢# 以非接觸方式檢測盥由$矩陣狀（縱480 x橫640個）， 號對應的導体圖宰101上:、十供給導体圖案101的檢查信 YQ系丄u 1上的電位變化。 時間生成部15提供來自 u τ m u 与寬月包21的垂直同期信號 (y )、水平同期信號（HsyncO及基準俨，# 將選擇感測器要素12a用二二：基f k唬(Dclk)，並 橫選擇部13。 用的日守間h虎’供給縱選擇部14及 縱選擇部1 4依照來自時 擇感測器要素和中至少之=ά的時間信E ’順序選 列的感測器要素！ 2a，—·7輸"7U Λ選擇 所選擇的 擇部Π。橫選擇部13在將===二並輸入至橫選 号卢放夫接，你甘门止 4 0個而子輸出的模擬檢測信 =ί:其同步’並藉由多路轉換器等的選擇電路， 部i 6。 才门乜就的順序輸出至信號處理 信號處理部16將來自橫選擇部13的信號 理，並送至A/D換流器1 7。 丁杈擬仏唬處 A/D換流器17將來自信號處理部16的以模擬信號形 :的各感測器要素12a的檢查信號，變換為比如 數位信號，並將此輸出。 ”、、位凡的 占=，在此，檢查裝置！雖内藏有A/D換流器 :處理部將被模擬處理的模擬信號就此輸出至電 其次，針對感測器要素12a的動作予以說明 測器要素12a的結構的說明圖。 口 i局 a

90103887.ptd 第12頁 498157 五、發明說明（9) 感測為要素1 2a係為MOS型半導體元件（m〇sfet) 散層一侧的表面積生成為要比另一側的表面積大。’表、擴 大的擴散層構成被動元件，其與導體圖案丨〇 i相對向 ' 貝 被動元件與MOSFET的源極連續。閘極與縱選擇部14 Λ 汲極與橫選擇部1 3連接。 立遂有，在被動το件的擴散層設有用以吐出多餘電荷的 障。 於是，由時間生成部15經由縱選擇部14，當選擇出 益要素12a時，由縱選擇部14送出信號給閘極，感測器“要 素1 2a成為ON (檢測信號輸出可能狀態）。 此k i當由棟針2 2輸出檢查信號時，導體圖案丨〇 1的電 發t變:匕：伴隨著此，電流由源極流向汲極。此即構成 二測“號亚經由橫選擇部丨3，輸出至信號處理部丨6。又， 與感測裔要素1 2a相對向的位置不存在導體圖案丨〇】的情 的電二因…要解析出具有作為檢測信號 * 、感測裔要素1 2 a的位置，即可知道在電路基 ^ 〇的那位置’有從與探針2 2接觸的電極連續的導體 圖案1 0 1的存在。 ^在此，針對電流由源極流向汲極的原理，作更為詳細的 舌兒明。圖4、圖» 4 , Q 3马谷易理解地說明該原理用的範例圖，圖 爲，、示在導體圖案的電路布線未施加有電壓的狀態’圖5 ^ 示施力有電壓的狀態。此等之顯示選擇信號被 輸：間極’使閑極構成為ON之狀態。 圖4所示 *電路布線未施加有電壓時，擴散層的多

W326\2d-\9〇.〇5\9〇l〇3887.ptd 第13頁 五、發明說明（10) 餘電荷，由比為0FF中的間極 —~^ 吐出位障溢出。此時，源極 的位障的電位還要低的 其次，如圖5所示，當電路4位由吐出電位所確定。 線帶有正（+ )電（為電位V)。在此線施加有電壓V時，電路布 擴散層僅間隔有微小的間距，j由於電路布線與源極側 電路布線的電位變化的影變，雷對向之源極侧擴散層受到 言之，電路布線與源極i二散；為V，電荷流人。換 動作，源極側擴散層的電位降4壬砰電電容耦合狀地進行 源極流向；:及極。 -電子流入，而使電流由 當再次地使電路布線接地時， 原’剩餘的電子則漸漸地由吐出位:章：：散層的電位還 圖6為顯示使用圖1所示的M0SFE = ° 間的時間圖。 、丨月况的輸入、輸出時 力如斤示’當電路布線施加有電壓時，可獲得輸電 抓。，、疋，電流與電壓的施加同時顯示峰值，由於豆後是 =指數函數進行減少，在橫選擇部13中，配合電壓施加的 時點進行檢測並予以同期化。 如上述之構成，感測器要素係構成於半導體的單晶上， 相對於‘電圖案作為靜電電容輕合的對向電極進行動作， 由於具備檢測導電圖案的電位變化的被動元件，及與該被 動元件連接、且在選擇信號的閘極輸入時、輸出為由該被 動元件輪出的檢測信號的輸出電流的MOS形電晶體，因 而 可及微細地製造感測器要素。 總之，由於就此使用現以確立之電晶體的製造技術，可

\\326\2d-\9〇.〇5\9〇i〇3887.ptd 第14頁 498157 五、發明說明（11) 製造感測器 微細化。藉 電圖案的形 造感測器要 性顯著提升 又’在檢 平面地配置 各感測器 為較理想。 對導電圖案 受信。 還有，各 方向分別等 話’可減低 的數量的不 位置關係， 易化。但是 列亦可。 在檢查裝 行的配列， 上’例如也 素。若有設 可實現更為 小、間隔為 要素群，感測器要素本身也可使其間隔成 此，可高解析度地表現印刷於電路基板上的^ 狀，也可確切地檢知其之缺陷等。還有，為掣 素群，由於不需特殊之製造裝置，可獲得生2 的效果。 又、 查裝置1中，對應於電路基板1〇〇的形狀，雖係 各感測器要素12a，但予以立體之配置亦可。 要素1 2a的形狀’如圖3所示以統一所有的形狀 此是因為由各感測器要素12a可無不勻地進行 的檢查信號的供給及出現於導電圖案的信號的 感測器要素12a，如圖3所示，以在列方向及行 間隔地配列成矩陣狀的構成為較理想。如此的 面對導電圖案的各單位面積的感測器要素丨 勻的同時，可明確各感測器要素12a間的相對 可使藉由檢測仏说的導電圖案的形狀的特定容 ，按照檢查之導電圖案的形狀等，僅單配置一 置1中，感測器要素12a雖有配列成48〇列χ 64〇 但此為本實施形態中之最便宜的設定，實際 可在5至5 // m角配置2 0萬至2 〇 〇萬個感測器要 疋如此之感測器要素1 2 a的大小、間隔等，應 正確的檢查，而以按照導電圖案的線寬設定大 較理想。

五、發明說明（12) 4::細通綱FET道作為感測器要素，但本發 限於此，也可使用P通道MOSFET。 限ίΓ，中心，Λ使擴散層，但本發明不只 導體。 較尚ν電率的材料，也可使用非晶質半 導ϊ二°圖7所示，在為被動元件的源極側擴散層上，使 歐：接觸亦可，若如此的話，被動元件表面的電 ΐ“:於可提高信號電荷密度，因此可更強地進行= $電板7 1可為金屬薄膜也可為多結晶半導體。 C第2實施形態） 的^裝J照圖8至圖12，說明作為本發明之第2實施形態 為ίΐΪ施形態的⑯查裝Μ ’關於使用以半導體擴散層 作έ^電路布線的信號受信元件的電荷電壓變換電路，二 :::測器要素之點，與上述之第，實施形態不同 乂 盆;:：的點’由於與第】實施形態相同’因此’在此省略 OKj 、，圖中以相同的元件編號標注相同的構成要素。 ，t為本實施形態的感測器要素12a的結構的說明圖。 洌i j: i开;態广门感測：要素12 a也與上述第1實施形態的感 ^ :要素12\相同，作為被動元件80具備表面積較大的擴 =g :被動兀件80與M0SFET81的閘極及M0SFET82的源極連 妾。遏有，由電源電路部18施加電壓VDD給^31?]£1[81的汲 498157 五、發明說明（13) 極，M0SFET81的源極與M0SFET83的汲極連接。來自縱、考 部14的重置信號被輸入M0SFET82的閘極，將來自電源=擇 部1 8的電壓VDD施加至M0SFET82的汲極。將來自縱選擇电路 14的造擇k 5虎輸入M0SFET83的閘極，來自M〇SFET83的 的輸出被輸入至橫選擇部1 3。 ’、極 在此，針對被動元件80檢測的導體圖案1〇1的電位 化，變換為由MOSFET83的源極的輸出電壓的原理， 詳細的說明。圖9、圖1 〇為容县% 更為 口1 u马夺易理角午地說明該原理用的笳 y，=顯示在導體圖案的電路布線未施加有電壓 狀悲，圖5為喊不施加有電壓的狀態。此等之 ;擇信號被輸入M〇SFET83的開極，使間極構成為ON之狀 如圖9所示，當電路右綠| > t-f > ^5 被施力“⑽“。):因:位：f鎖，此時mosfet81的間極 ^ ^，·) > «M0SFET „ ", ^ k !' ； ! ft ^ ^ ^M〇SFET81 ^ 其次，如圖i。所示：：電出比閘極低的電位。 的被動元件80接受電路線施加有電壓V時，對向 雖欲集合電子，但因的電位變化的影響，在其表面 在表面附近密#，使：：：電：流入’原本存在之電子則 於M0SFET81的閘極與被^ 早下降。總之電位上升。由 電壓，源極跟隨器動作：？〇的表面連接’而被施加高

的臨限值電壓輸出比T81的源極側，雖僅M〇SFET 線未施加有電壓的情、、=的電纟’但是，要比在電路布 J f月况則輪出更高的電壓。

五、發明說明（14) 當再次地使電路布 分散，M0SFET81的R二土牯，被動元件80内的電子再次 如此，僅對電敗：極電位還原為低電位（L〇)。 上，被動元件8〇内=3, f進行0N/0FF的切換，理論 動元件80的周圍會；不變化。但是’實際上由被 電路布線未施加右I ^ ^入，只要將此放置的話，在 電位下降。她之有！壓的狀況的被動元件的位障上升，則 偏離電：與音電子發生的雜音電位，作為 示，輸入ϋΓ 進行經時變化。在此，如圖10所 8〇導通，使至M〇Sm82的間極，使電源與被動元件 電：:破動元件8°内的多餘的電子逃出，從而確保 圖8所示魏FET電路的情況的輸入、 如圖12所示，在選擇信號〇N 牲 “ON狀態，可抑制被動元件80的電位的經日 :電^二^閘極電位上升，來自M0SFEm的波極的輸 I也稍诞增大。一般，稱此為重置信號的耦合雜訊。 “重置信號為OFF後，此次則施加電壓v至電路布線。當在 電路布線施加了電壓v時，來自M〇SFET83的汲極的輸出電 壓成為高電位（Hi)，則可知在與該感測器要素12a對向的 位置存在有電路布線。 /、疋’需注意不要誤將I馬合雜訊當作輸出電壓予以檢 查’來調整輸出電壓的檢測時間，或通過高通濾波器。 如上述之構成，由於感測器要素使用如圖8所示的電荷

498157 五、發明說明（15) 電壓變換電 於可明確地 的檢查。 又，重置 時間，在其 還有，在 發明不只限 金屬薄膜、 (第3實施形 其次，參 查裝置。 本實施形 為感測器要 其他的點， 說明，圖中 圖1 3為本 檢測導體 成，該電阻 縱選擇部1 4 測信號的輸 1 6 〇 路，可以放大之電壓的波形取出檢測 識別檢測信號，而可進彳t t g L Q炕，由 更為正確的電路基板 信號1輸入時間，並不只限定於如圖 他之時間亦可。 厅不的 圖8中’雖有使被動元件型擴散 要是比較高導電率的材料，：可使Ϊ 夕、晶半導體、非晶質半導體。 態） 照圖13’說明作為本發明之第3實施形態的檢 態的檢查裝置中，關於使用雙 素之點，與上述之第i實施形又態載不子同電晶體以f 由於與第1實施形態相@，因=而關灰 實施形態的感測器要素的結 ’、。 圖案的電位變化的被動元件，係=明圖。 元件與雙載子電晶體的射極連接！ ：70: f 出電流，經由橫選擇部13 =擇器輸出的檢 J輸入至信號處理部 該感測器要素丨2a的動作 MOSFET的動作大致相同。者在Α Ξ 、圖5中說明的 載子電晶體的射極的心層；為選信號時尾為雙 勺^擇裔的Ν+擴散層導

五、發明說明（16) 通’藉由電路布線的雷 p擴散層，由選擇哭於屮干升且電子被集中於電阻元件的 在時間生成部15生°。成1 ,流，經横選擇部13放大後，與 ；[6。 成勺日守間信號一起輸入至信號處理部 藉此’若使用雙載子雷s 士 速地且正確地進行檢測；；：：：測器要素㈣，則可高 (第4實施形態） 杳ί i。芩妝圖14 ’說明作為本發明之第4實施形態的檢 態的檢查裝置中，關於使用m等的薄膜電晶 f 要素之點，與上述之第1實施形態不同。 而關方;其他的點’由於與第1實施形態相同，因此，在此 ^略其s兄明’目中以相同的元件編號標注相同的構成要 素。 圖1 4為本實施形態的感測器要素的結構的說明圖。 檢測導體圖案的電位變化的被動元件8〇，係為鉻 的電極，該電極與薄膜電晶體的源極連接。還有，°(來自縱 選擇部14的選擇信號被輪入，作為由没極輸出的檢測信號 的輸出電流，經由橫選擇部丨3輸入至信號處理部丨6。 ^ 極與汲極的下層，存在有非晶質矽或多結晶矽等 = 導體層。 千 該感測器要素1 2 a的動作，與如圖4、圖5中說明的 ΨΛ \\326\2d-\90-05\90103887.ptd 第20頁 »11

«I 五、發明說明（17) — — —

$ Μ ΐ的動作大致相同。當在閘極施加選擇信號時，在閘 才蛋 '"fT JSL ^ 6產生通道，薄膜電晶體的源極與汲極導通。於是， OJh 身 电路布線的電位上升且電子被集中於被動元件8 0的電 成音田 >及極輪出電流，經橫選擇部1 3放大後，與在時間生 ^ 1 5生成的時間信號一起輸入至信號處理部1 6。 感藉此’若使用薄膜電晶體於感測器要素的話，則可提高 心測器要素的生產性，還有，可更大地增加感測器陣列的 面積。 X ’在上述第2實施形態所示的電荷電壓變換電路中， 口「 1 :斤有的M0SFET置換成該薄膜電晶體，並且可獲得相同 刁夕文果。 (其他實施形態） 要#上述第1、第3或第4實施形態所示的感測器要素，只 /之具有保持流入之電子的功能即可。 繼電子的構造，則由重置 口。行▼ ^之電子至被電源吸上為止。因此，、时 ?素’在開始施加作為檢查信號：擇感測 2間…置該感測器要素為止，只要；=布線的最 二輪f電流即可。換言之，如圖6所說明之，'4檢測，號 1加與輸出電流的檢測的時間合為一起的^有要電1 ’將感測器要素順序送至相鄰的感測。 何傳迭兀件亦可。對 要素地使用電 此時，使用電荷可列舉出CCD。 件與作為源極的擴散層 y電晶體’連續被動元 K增精由將選擇信號輪入$ ^ U326\2d-\90-05\90103887.ptd 498157 五、發明說明（18) 降低形成於閘極下層的位障，將源極側的信號電荷作為檢 測信號電荷傳送至汲極侧，只要由連接汲極側的電荷傳送 元件傳送檢測信號即可。 又，提供電荷給對應於導體圖案的電位變化的被動元 件，且在導體圖案的電位變化結束前，只要使形成不會讓 供給之電荷發生逆流的位障的電荷供給MOSFET的汲極，與 被動元件的擴散層連續且予以形成的話，即可進行穩定的 電荷傳送。 又，若使用電荷傳送元件，在橫選擇部就沒有必要再使 用多路轉換器等的開關電路。 又，在上述實施形態中，皆以施加直流電壓至導體圖案 的電路布線予以表現，但是，本發明並不僅限於此，亦可 施加交流電壓至電路布線。 還有，上述實施形態的感測器要素，由於皆為半導體感 測器，因此，由光之照射會引起光電變換，而有產生電子 的情況發生。由於此會成為誤動作的原因，以遮蔽感測器 要素周圍的光照射為較理想。 【發明之效果】 根據本發明，可提供一種可精細檢查導體圖案的形狀的 感測器及檢查裝置。 【元件編號之說明】 1 檢查裝置 11 控制部 12 感測器要素群

\\326\2d-\90-05\90103887.ptd 第22頁 498157 五、發明說明 (19) 12a 感測器要素 13 橫選擇部 14 縱選擇部 15 時間生成部 16 信號處理部 17 A/D換流器 18 電源電路部 20 檢查系統 21 電腦 21a 顯示器 22 探針 23 選擇器 71 導電板. 80 被動元件 81 MOSFET 82 MOSFET 83 MOSFET 100 電路基板 101 導電圖案

\\326\2d-\90-05\90103887.ptd 第23頁 498157 圖式簡單說明 圖1為本發明之第1實施形態的感測器要素的結構的說明 圖。 圖2為利用本發明之第1實施形態的檢查裝置的檢查系統 的概略圖。 圖3為顯示本發明之第1實施形態的檢查裝置的電性結構 的方塊圖。 圖4為本發明之第1實施形態的感測器要素中，用以說明 按照導體圖案的電位變化產生電流的原理的範例圖。 圖5為本發明之第1實施形態的感測器要素中，用以說明 按照導體圖案的電位變化產生電流的原理的範例圖。 圖6為顯示本發明之第1實施形態的感測器要素的輸入、 輸出時間的時間圖。 圖7為本發明之第1實施形態的感測器要素的變形例的示 意圖。 圖8為本發明之第2實施形態的感測器要素的結構的說明 圖。 圖9為本發明之第2實施形態的感測器要素中，用以說明 按照導體圖案的電位變化產生電流的原理的範例圖。 圖1 0為本發明之第2實施形態的感測器要素中，用以說 明按照導體圖案的電位變化產生電流的原理的範例圖。 圖1 1為本發明之第2實施形態的感測器要素中，用以說 明重置信號輸入時的動作的範例圖。 圖1 2為顯示本發明之第2實施形態的感測器要素的輸 入、輸出時間的時間圖。

90103887.ptd 第24頁 498157 圖式簡單說明 圖1 3為本發明之第3實施形態的感測器要素的結構的說 明圖。 圖1 4為本發明之第4實施形態的感測器要素的結構的說 明圖。 圖1 5為習知電路基板檢查裝置的說明圖。 圖1 6為習知電路基板檢查裝置的說明圖。

90103887.ptd 第25頁

Claims (1)

1. 1. 一種檢查裝置 並以非接觸方式檢 的電位變化者，其 檢測機構，使肖 各部的電位變化； ，其係用以檢杳電 測由提供檢查信號 特徵為具備有： 多個感測器要素藉 及 路基板的導電圖案， 給該導電圖案所引起 以檢測上述導電圖案 選擇機構，輪出 上述感測器要f 且包含有： 用以選擇上述感測器要素的選擇信號 ’係構成於半導體單晶上、或平板上 被動兀^ ’相對於上述導電圖案作為靜電電容耦合的對 向電，進灯動作，以檢測上述導電圖案的電位變化，及 電曰曰體按知上述選擇信號的輸入，輸出由上述被動元 件所輸出的檢測信號。 2.如申睛專利範圍第1項之檢查裝置，其中上述電晶體 係為電流讀出用的M0SFET，與上述被動元件改作為源極的 擴散層相互連續，並藉由將上述選擇信號輸入至閘極，可 獲得來自沒極的檢測信號。 / 3 ·如=，專利範圍第1項之檢查裝置，其中上述電晶體 係為f流讀出用的薄膜電晶體，與上述被動元件及上述薄 膜電晶體的源極連接，並藉將上述選擇信號輸入至閘極， 可獲得來自；及極的檢測信號。 乂 4.如申請專利範圍第1項之檢查裝置，其中上述電晶體 係為串聯配置的第J與第2M0SFET，將上述被動元件與上 第1M0SFET的閘極連接，將上述選擇信號與上述第2 MOSFET的閘極相互連接，由上述第2M〇SFET的汲極接受按

   六、申請專利範圍 Θ3 +Λ-, g = t於上述第1M0SFET之閘極的上述被動元件的電位進 測；ΐ的上述第1M0SFET的源極電位，作為來自源極的檢 1s唬予以輸出。 I#，，申凊專利範圍第1項之檢查裝置，其中上述電晶 件蛊ί為ί聯配置的第1與第2薄膜電晶體，將上述被動元 上^ #述▲第1薄膜電晶體的閘極連接，將上述選擇信號與 :¾ 膜電晶體的閑極連•，由上述S2薄膜電晶體的 動元株=按照施加於上述第1薄膜電晶體之閘極之上述被 位m位進行變化的上述第1薄膜電晶體的源極電 乍為來自源極的檢測信號予以輸出。 •如申凊專利範圍第1項之檢查柴， :為雙載子電晶體，將上述被動一元、件血射、中上述電晶體 將上述選擇信號輸入至基極，可獲得；身，，並藉由 號。 又行木自集極的檢測信 7·如申請專利範圍第1項之檢查裝置，盆 =為電荷讀出用的MOSFET，上述被動元件盥义電晶體 :巧相互連續’並藉由將上述選擇信號輸：至：：極：： 電荷：閘Ϊ下的位障1源極側的信號電荷作為檢測;”虎 檢測^ 側’由連接於沒極侧的電荷傳送元件傳送 8·如申請專利範圍第7項之檢查裝置，其中料广 、 =導體圖案的電位變化提供電荷給上述被動元件“且上述 二的電位變化結束前，以提供之上述電荷不备逆汽的 方式形成位障的電荷供給M0SFET的汲極，與上述；動元件

   \\326\2d-\90-05\90103887.ptd 第27頁 六、申請專利範圍 的擴散層連續並予以形成。 要9素如1?專利範圍第1項之檢查裝置，#中上述感測器 1 η / 士壬矩陣狀地配置於感測器晶片上。 構中β π、、'專利範圍第1項之檢查裝置，其中上述檢測機 的導體1測杰要素，更含有與上述被動元件的表面相接觸 者，豆μ種查裝置，其係用以檢查電路基板的導電圖案 者，其特徵為具備有： 號；機構，對上述導電圖案，提供按時間變化的檢查信 :使用多個感測器要素，# 按照上述檢 選ίίΐ導電圖案各部的電位變化；及 上述感測哭Ϊ:用：J:上述感測器要素的選擇信號， 被動元件：相對於於半導體單晶上，且包含有： 向電極進行動竹、、』私V電圖案作為靜電電容耦合的對 電晶ίϊΓ 測上述導電圖案的電位變化；及 件所輸出的檢測信號。D旒的輸入，輸出由上述被動元 1 2 · —種檢杳裝置，i 者;t其特徵為一具備有Γ、係用以檢查電路基板的導電圖案 號供給機構，對上述導電圖帛’提供按時間變化的檢查信 才双測機構，使用多個感 信號所供給之上述導電圖宰藉以檢測由上述檢查 莱各4的電位變化，並輸出按照

   901〇3887.Ptd 第28頁 498157 六、申請專利範圍 該電位變化之檢測信號； 輸出用以選擇上述感測要素之選擇信號的選擇機構；以 及 影像資料生成機構，以上述檢測信號為基準，生成描晝 上述導電圖案之形狀用的影像資料， 上述感測要素，係構成於半導體單晶上，且包含有： 被動元件，相對於上述導電圖案作為靜電電容耦合的對 向電極進行動作，以檢測上述導電圖案的電位變化；及 電晶體，按照上述選擇信號的輸入，輸出按照由上述被 動元件所檢測之電位變化的檢測信號。 1 3.如申請專利範圍第1至1 2項中任一項之檢查裝置，其 中更具有用以防止光對上述感測器要素之半導體照射的遮 光機構。 1 4. 一種感測器，其係具備有多個感測器要素，用以檢 查電路基板之導電圖案，並以非接觸方式檢測由提供檢查 信號給導電圖案引起之電位變化的多個感測器要素者，其 特徵為： 上述感測器要素，係構成於半導體單晶上，且包含有： 被動元件，相對於上述導電圖案作為靜電電容耦合的對 向電極進行動作，以檢測上述導電圖案的電位變化；及 電晶體，按照上述選擇信號的輸入，輸出按照由上述被 動元件所檢測之電位變化的檢測信號。

   \\326\2d-\90-05\90103887.ptd 第29頁