JP5373819B2 - 電気的不均衡を定量化するための装置及びそれを組み込む接触検出システム - Google Patents
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Description
本発明は、従って、特に、タッチパッドという一般的な用語で公知の装置、すなわち、接触又は物体の存在、特に、パッド、すなわち、表面の下に様々な規則的なパターン(線、アレイ、ダイヤモンド形の模様、蜂の巣、螺旋回転、迷路など)に配置された一連の導電接触部分を有する触知性インプリントのためのタブレット又は支持体から成る場合があり、又はタッチスクリーン、すなわち、指の又はペン又はより一般的に凝縮体のような物体の接近に感応する装置を含むスクリーンの関連フィールドに属するスクリーンから成る場合がある表面への触知性接近の検出のための装置の分野に関する。
一般的に、このような装置の検出原理は、プリント回路の両側への大きな接触部分又はトラックの移植に基づくものであり、この両側は、向かい合せの導電面、及び従って静電気の観点からは、プリント回路の支持体を構成する誘電体によって分離された平板コンデンサの2つの隣接平板を形成する。指がこの表面に接近した時に、それは、電界を摂動させ、この理由から多くの形態及び変形で存在する適切な電子回路によって検出することができる。
この装置の特定的な実施形態を添付の請求項2から請求項7に定めている。
本発明はまた、上述のように定めた検出及び定量化装置を含む表面の近くの触知性接近又は物体の存在を検出して位置を特定するためのシステムの様々な実施形態を提案する。これらの異なる実施形態は、請求項8から請求項24に定めている。
本発明の他の特性、目的、及び利点は、本明細書で以下に詳細に示す実施形態の説明において及び非限定的な例として示す添付図面を考慮すると明らかになるであろう。
この問題は、上述のように、電磁摂動の感受性を回避することにより、かつスクリーンの近くの指又はあらゆる感応物体の存在及び正確な位置を正しく及び確かに検出することにより、かつ可能であれば3次元で、すなわち、スクリーンの2次元により、かつ可能な場合には、3次元、すなわち、TFTスクリーン表面に垂直な方向の物体の距離によって解決すべきである。
第1の代替により、接触面上に移植された複数の導体から3つの導体を選択した後に、第1の導体に分極(刺激P)の役割、第2の導体に基準(R)の役割、及び第3の導体に検出(S)の役割を割り当てる。電気分極(すなわち、電位のジャンプ)を電位のレベル、より具体的には、供給電位(GND又はVDD)までの低インピーダンス接続により第1の分極導体Pに適用する。他の2つの導体R及びSは、ハイインピーダンスの状態になる。しかし、他の2つの経路(R及びS)は、静電又は容量不均衡を検出するために差動回路(比較器又は増幅器)の2つの入力部に接続される。更に、2つの経路R及びSは、これらの2つの経路RとSの間に容量不均衡を補償及び定量化するために、これらの経路RとSの各々と接地の間に並列に接続した切換可能なコンデンサの列に、又は可変キャパシタンスを有する別の回路に、より一般的には、可変移送キャパシタンスを有する別の回路に接続される。そうするために、分極P、基準R、及び検出Sの3つの経路によりこのようにして形成された3つの導電線のビームを形成すると、これらの3つの経路P、R、及びSは、スイッチ(すなわち、トランジスタ配線電子スイッチ)又はマルチプレクサの列によって形成されるアドレス指定及び選択手段をすることによって選択される3つの導体に結びつけられる。測定作業(すなわち、容量均衡又は不均衡の試験、検出又は定量化)は、較正及び検出又は定量化のいくつかの段階において行われる。各作業の後、アドレス指定手段は、上述の表面の全ての導体を精査し、かつ物体又は触知性接近の存在の位置を特定してその正確な位置を見つけるためにビームの3つの経路P、R、S(又は、恐らく3つの経路P、R、Sに接続したいくつかの導体の3つの群)に接続した接触支持体の3つの導体の選択を修正する。
更に、検出の第1のモードにおいては、入力経路R及びSの一方と又は入力経路R及びSの両方と平行である1組又は2組の切換可能なコンデンサを含む二重回路が稼動されるように見える。しかし、これらの2つの経路R及びSは、2つの入力経路間の静電均衡又は不均衡に応じて、コンデンサが対応する経路上に有する累積キャパシタンスを変えるために切換可能なコンデンサの列の入力部に新しいデジタル指令が印加されるかを指標Qの状態に従って判断される制御及び指令ユニットにループにより伝達される状態指標(ビットQ)を出力部で供給する比較器又は増幅器の2つの差動入力部(+及び−)上に印加される。このフィードバックループは、2つの経路間の静電均衡がもたらされるか又は静電均衡がほぼ具現化される点まで(定量化閾値まで)2進デジタル指令を増加又は低減することによって入力経路R又はSに印加されたキャパシタンスを修正するように作用する。この回路は、従って、一方又は2つの経路上に並列に取り付けられた切換可能なコンデンサの列と、差動比較回路と、他方の経路上のキャパシタンス値と比較した時に一方の経路のキャパシタンスの値を実質的に均等化(再均衡化)するために2つの経路間の回路の比較結果に応じて列コンデンサの切り換えに向けてデジタル指令を印加する制御ユニットとを含む。このような回路は、従って、入力経路により見られた上述のキャパシタンス値に対応するデジタル値の表示(二進法であることが好ましい)への一方の経路上に存在するキャパシタンス値の変換(一方の経路と安定した基準電位間)を提供する。このような回路は、アナログ/デジタル変換回路との類似を拡張する容量/デジタル変換器として先に見たデジタル/容量回路に対して二重的に考えることができる。
更に、スイッチとして図面に概略的に示すスイッチによる接続は、一般的に、あらゆる形式の技術のもの、すなわち、バイポーラ、電界効果(FET)、トンネル効果、絶縁酸化物(MOSFET)の金属ゲート、TFTなどとすることができるトランジスタのような電子スイッチによって具現化される。
本発明により、規則的なパターンに従って配置された一連の導体を含む表面は、導体への接触(そこからの近接性)を検出するための装置又は回路に関連付けられる。図1の略示する例においては、導体移植がある表面は、互いに等しく離間及び隔離された一連の平行な線形導電トラックから成る。導電トラックを含むこのような表面は、平面上に、すなわち、単一のレベルに移植された規則的なパターンであり、トラックは、並行式である。併進(スライダ)により保存されるこのような導電トラックパターンは、1次元と考えることができるが、2次元で固有の平面を占有する。
−3つの経路を形成する少なくとも3つの導電線P、R、Sのビーム:
・分極、励起、又は刺激の第1の経路P、
・基準の第2の経路R、及び
・検出の第3の経路S、
−以下の経路のいずれかに各導電トラック...、III、IV、V、VI、VII、...を個々にかつそれぞれ接続することを可能にする複数のスイッチング手段により又は複数のマルチプレクサ回路によって形成されたアドレス指定回路ICX:
・分極(刺激)の経路P、
・基準の経路R、
・検出の経路S、
・又は、恐らく、確立された電位、例えば、供給電位(VDD)、又は導体II、III、...、VII、...がアドレス指定SLCにより選択されなかった時には接地電位(GND)、
・又は、非切換状態においては、これらのスイッチングは、(高インピーダンス状態HI)と考えられるトラック...、III、...、VII、...を接続することができない、
・トラックは、あらゆる形式の技術、すなわち、バイポーラ、電界効果などとすることができる直接的な非抵抗接続により、特に、トランジスタのような抵抗が僅かな電子スイッチにより対応する経路と接続されることが好ましい。
−経路Pの分極(刺激)の第1の回路PUS、PDS、
−基準及び検出の2つの経路R及びSの放電の機能に役立つ別の分極回路RGS/SGS/EQS、
−重み付きキャパシタンスを追加して両方の経路R及びSの一方を均衡を取る(再均衡化する)ことを可能にする切換可能なコンデンサの列CPB又は可変移送キャパシタンスの回路、
−例えば、経路R及びSが印加され、かつ試験すべき基準及び検出のこれらの経路R、S間の容量又は静電均衡を可能にする増幅器又は比較器CMPを含む経路R及びSの均衡の比較の差動回路CC、及び
−例えば、マイクロプロセッサ回路、又は図1の例により、アドレス指定回路ICX分極回路PUS/PDS及びSGS/EQS/RGS、経路S及びR上に1つ又はいくつかの可変キャパシタンスを有する切換可能なコンデンサCPBの列、及び比較回路CCを制御するマイクロコントローラにより、構成された中央ユニットUC。
−スイッチのアドレス指定及び選択のコードSLC、
−分極スイッチ段階指令(表さず)、
−再均衡化するか又は経路R及びS間の不均衡を補償するように意図したデジタル2進コードBLC、
−比較回路CCの較正及びサンプリングのための指令(AZ:ゼロリセット、SPL:サンプリング)。
ビームの他の2つの導電線R及びSは、それぞれ、基準経路R及び検出経路Sを形成する。
本発明の第1の代替に沿って、この導電線の3つ組を形成する経路P、R、及びSの各々は、それぞれ、タブレットの対応する導電トラック...、V、VI、VII、...と接続することを計画している。
−ビームの分極経路Pは、導電トラックVに接続される。
−第2の導電トラックIVは、基準経路Rに接続される。
−第3の導電トラックVIは、検出経路Sに接続される。
最後の2つ、すなわち、検出経路S及び基準経路Rは、比較回路CMPの2つの差動入力部+及び−に接続され、各々の線S又はRと接地GND(固定基準の又はあらゆる他の確立された電位)との間に並列に接続した2組のコンデンサCS0、CS1、CS2、...及びCR0、CR1、CR2、...に接続される。
基準R及び検出Sの他の2つの経路は、例えば、図1の例における具現化に従ってSGS、EQS、RGSのような2つ又は3つのスイッチを含む分極又は脱分極(放電)の別の回路に接続されている。接地電位に設定する第1のスイッチRGSは、基準経路Rを接地のような安定した電位のレベルに接続される。接地電位に設定する別のスイッチSGSは、検出経路Sを安定した電位のレベル、ここでは、同じ接地電位に接続される。更に、基準R及び検出Sの2つの経路は、代替的に又は累積的に電位水平調節又は短絡のスイッチEQSにより直接的に相互接続することができ、従って、短絡により、浮動電位とし、かつ接地又はスイッチSGS及び/又はRGSの閉成により課さされると思われる他の安定した電位と異なるとすることができる同じ電位にすることができる。
各読取作動においては、少なくとも3つの導電トラック、すなわち、分極Pに1つ、基準Rにもう1つ、検出Sに更にもう1つが選択される。
各読取作動中に、図4に示すように、段階1、段階2、及び/又は段階3といういくつかの(2つ又は3つの)段階が区別される。
第1の段階(φ1)では、第1の経路Pは、第1の分極回路PUS−PDSにより、安定した基準電位VP1、好ましくは接地電位GNDになる。プルダウン電子スイッチPDSは、例えば、線Pの電位Uを接地GNDの電位0にするために閉成される。
同じ段階φ1中に、電位ΔVSRの既知の差が、第2の経路Rと第3の経路Sの間に、従って、ここでは導電トラックIVとVI(図1の例)の間に印加される(課せられる)。この電位又は電圧の差でΔVSR=Us−URはゼロであり、すなわち、2つの基準及び検出の経路R及びSの導電線は同じ電位になることが好ましい。図1の具現化の例に従って、以下によりこのような課せられた分極を取得することができる:
−ビームの導電線R及びSを短絡させ、従って、それぞれの電位が均等化されるように電子スイッチEQSを閉成することにより、又は
−これらの2つの基準及び検出R及びSの経路が同じ絶対電位0であるように、各制御線S又はRの電位を接地GNDの電位0にするために2つのプルダウンスイッチSGS及びRGSを閉成することにより、
−代替的に、プルダウン又はプルアップスイッチは、簡単な方法で非ゼロ電位差Δ=VS1−VS1≠0を確立するために1つの又は各々のS又はRを個々に非ゼロ電位VS1又はVS2に接続することができ、
−又は、これらの3つのスイッチSGS、EQS、RGSを閉成することによる。それによって明らかに2つの検出及び基準の経路S及びRの電位は、接地GNDの同じヌル電位0になる。
この段階中に、既知の電位又は電圧、好ましくはゼロ(0)は、比較器CMPの入力部±で課せられることになる。マイクロコントローラUCは、出力がゼロであるように均衡又は更に正確に言えば較正を強制するために、ゼロリセット指令AZを比較器CMPに印加することが計画されている(これは、特に、非ゼロ電位差ΔVSR≠0が比較器CMPの入力部+及び−で経路S及びR間に印加される代替において必要である)。任意的に、比較回路の測定又は定量化誤差は、この場合に測定又は確立することができる。任意的に、導電トラックII、III、及びVII、並びにトラックV及び分極経路Pなど非アクティブ導体は、接地に接続するか又は浮動のままにし、すなわち、非接続状態、すなわち、「高インピーダンス」のレベルのままにすることができる。
作動のこの第1の段階(φ1)の終わりに、電位R、S、及び/又はPを引き下げ、つまり無効にしたプルダウンスイッチPDS、SGS、RGS、及び/又はEQSは、電位R及びSが浮動か又は「高インピーダンス」状態であるように弛緩状態(開成のスイッチ)である。
より正確には、本発明の具現化の代替中に、基準経路Rと検出経路Sの間の静電不均衡を定量化することが計画されている。
より正確には、このような検出又は物理的測定段階は、2つの経路S及びR間の、すなわち、基準IV及び検出VIの導電トラック間の容量不均衡の可能性を定量化すること(図1の指示的例に従って)、又は他の場合には基準経路R及び検出経路Sが均衡状態(平衡状態)であること、すなわち、トラックIV及びVIが静電平衡状態にあることを確認することにある。
より正確には、触知性接触DGは、2つの隣接トラックV及びVIの間に存在する静電結合又は容量結合の値を修正すると考えられ、その値は、通常、これらの2つのトラック間の寄生容量又は漏れコンダクタンス(インピーダンスの逆)と考えられている。この現象は、些細なものである。
従って、例えば、指令BLC=Aがゼロの値を有する時、2進符号A1−A2−A3−A4−...−An=00000000は、全てのスイッチの開成をトリガすると共に、線上に存在する全体的なキャパシタンスが値CSb=0を取るように全てのコンデンサを回路から離す。
A0−A1−A2−A3−...−An…=01000000の2進符号に対応する2の値Aに対して、コンデンサの列への指令BLC=Aは、単一のスイッチKSlを閉成し、回路は、CS0の2倍(又は半分)であるキャパシタンスCSb=CS1を線S上に有する。
以下同様である。
Nの2進分解に対応するNの値A又は2進符号A0−A1−A2−A3−...−Anに対して、コンデンサの列への指令BLC=Aは、回路が事実上回路に入れられたコンデンサのキャパシタンスの累積に対応するキャパシタンスCs=CS0±CSl±CS2±CS3±...±CSnを線S上に有するように、対応するビットA0−A1−A2−A3−...−Anの状態0又は1によってスイッチKS0、KS1、KS2、...、KSnを閉成するか又は閉成せず、上述の累積は、実際には、NxCS0(又はNxCSn)の値CSbを有する。
驚くべきことに、スイッチがデジタル均衡コードBLCにより指令される切換可能なコンデンサの1つ又は2つの列CSB及びCRBから成る可変キャパシタンスの列CPBを含むこのような回路は、自動的かつ独創的なデジタル/アナログ変換器との類似により、デジタル/容量変換回路(CNC)を形成する。
キャパシタンスCの値をキャパシタンスCの値を示すデジタル定量化Aに変換しがちであるこのような回路は、1つ又は2つの入力経路S/Rと、スイッチがデジタルコードBLC(指令、制御、選択、又は均衡)により指令される切換可能なコンデンサCSB/CRBの1組又は2組で構成された可変キャパシタンスCPBの列と、比較回路CCと、回路に入れられるコンデンサCS0、CS1、CS2、...、CSn又はCR0、CR1、CR2、...、CRnの数及びランクを指令する指令BLCに印加されたデジタルコードを増加又は低減することができるフィードバックをもたらす判断回路UCとを含む。
ΔQ=ΔV1*C−ΔV2*C
可変キャパシタンスは、電荷と電位間の可変比例定数を意味する。この定数を修正する1つの方法は、コンデンサの相互接続配置を変えること、又はバリキャップとして使用されるダイオードのバイアス電位を変えることである。しかし、上述の公式が示すように、電位変動、例えば、ΔV1と電荷ΔQの変動間の比例を変える別の方法を図20B(単なるキャパシタンスを示す図20Aと比較されたい)に示している。可変利得(増幅又は減衰)係数kを有する増幅装置を加えると、電位変動ΔV1、及び従ってコンデンサの第1のリードで見られる実際の電位変動がkΔV1に修正される。利得係数kを変えると、電位変動ΔV1と電荷変動ΔQ間の比例定数を修正することができる。形式的には、コンデンサ要素のキャパシタンスは、利得kの修正により修正されるものではない。更に、図20Bに示す装置は、利得係数kを定めることができるように基準電位が必要であるために少なくとも3極装置である。しかし、電位の変動ΔV1を電荷の変動ΔQと結び付ける比例定数は、まだ存在しており、明らかに、利得係数kを有するための手段により修正及び制御することができる。このような比例定数は、一般的に「移送キャパシタンス」と呼び、又は一部の文献では「トランスキャパシタンス」と呼んでいる(例えば、Stephan A.Maas著「非線形マイクロ波及びRF回路」、「Artech House」発行、20003年、§2.2.7.2を参照されたい)。移送キャパシタンスは、キャパシタンスと同様に、Faradという単位で測定される。移送キャパシタンスの概念には、簡単な2極コンデンサにより具現化されたキャパシタンスの概念(図20Aに示す)が含まれる。しかし、単なるキャパシタンスと異なり、単なるキャパシタンス以外の移送キャパシタンスは、移送キャパシタンス回路のノードでの電位変動を上述の回路の別のノードでの電荷変動に変換することができる。
特に、それは、更に、表面に接近する物体の位置がどこであるか又は正確な輪郭がどのようであるかを正確に定め、かつ一部の場合には、スクリーン表面に対する距離を推定することを可能にすることができ、その理由は、物が遠く離れているほど、感応面の導体間の静電界線を摂動する量が小さいからである。
規則的なパターンに従って分散された複数の導体を含む表面に適用される本発明による接触検出の原理では、特定の感度プロフィールを示し、このプロフィールは、更に、有利な態様では、表面導体に割り当てられた経路R、P及びSの構成の関数として変化する。
図8Aの図は、次に、中央トラックVの中央軸に対する軸線方向の距離Xxの関数として得られた感度Ssの図を示している。感度プロフィールは、感度の最大値が周期的パターンのピッチに対応する約Xx=1の距離で、従って、トラックVIの上部に向う正弦サイクル(図面の残りは平坦)という面を有することが見出されている。プロフィールピークSsは、約1〜2つのピッチ、一般的にρ≒1.5ピッチという幅に対応する解像度(従来はmax/√2で測定され、かつ導体の周期的パターンの周期性ピッチの単位で表されるピーク幅)を有する。図8AのプロフィールSsは、基準経路Rと接続した導電トラックIVの上部に向けて約Xx=−1の距離で反対の感度最大値を示している。絶対値においては、この感度プロフィールSsでは、トラックIV、並びにトラックVIより上方の存在を検出する。
この時点で、有利な態様では、好ましくはマイクロコントローラ又はマイクロプロセッサである制御ユニットは、特に興味深くかつ予想外である新しい検出プロフィールを取得するためにこのような構成及び感度プロフィールを組み合わせることができることが見出される。
SD=SC−1.5xSA.
図9の感度プロフィールSDは、従って、図8Cの構成の感度プロフィールSCを結合してそこから1.5x図8Aの構成の感度プロフィールSAを差し引くことによってこの例示的な例に従って得られる。
本発明の教示内容、特に、動的な構成及びプロフィールに従って異なる有利な構成及び感度プロフィールを取得することができることに注意されたい。すなわち、時間的に互いに連続し、かつ1つ又はいくつかの移動点に中心がある異なる構成の連続は、1つ又はいくつかの物体の動き、特に、いくつかの指の移動、又は互いに対する動きを検出及び区別することを可能にする。例示的な例として、離れていく2つの指の動き又は回転運動を検出することができる。
第1の分極経路は、正の分極経路P+であり、第2の分極経路は、負の分極経路P−であり、これらの2つの分極経路は、好ましくは切換可能又は互換的である、正の電圧源PSB及び負の電圧源NSB(図11を参照されたい)に接続されていることが好ましい。分極P+及びP−の電圧は、反対の値、又は異なる絶対値、同じ符号の偶数の値を有することができるが、ただし、値が異なることを条件とする。
検出の作動は、前と同様に、選択されたトラックIX、X、及びXIの精査、アドレス指定、多重化、切換、及びビームの3つのそれぞれの経路、すなわち、検出S、正のP+、及び負のP−の分極の経路との接続により行われる。
各々の接触検出作動時に、2つの段階、すなわち、第1の段階α及び第2の段階βを区別する。
第2の段階βでは、正の電位ジャンプΔVPは、分極経路P+の導体XIに印加され、負の電位ジャンプΔVNは、他方の分極経路P−の伝達IXに印加される。
検出経路Sは、次に、高インピーダンスHIであると考えられる状態になり、スイッチCCSは、この第2の段階α中は開成である。
検出装置の回路は、表面が、各々が平面における2つの垂直方向に沿った基準経路Rに従って配置された2つの一連の導体...、V、VI、...及び...、X、XI...をここでは有する支持体MATに関連するものである。導電線...、V、VI、...及び...、X、XI...は、図1を参照して先に明らかにした原理に従ってビーム又は恐らく横列及び縦列の別々のアドレス指定のための2つの独立した垂直ビーム及び水平ビーム)の3つの経路P+、P−、及びSに各々の導体...、V、VI、...X、XI...を個別に接続することを可能にするアドレス指定SLC及び選択LCXの2つのシステムに接続されている。
ビームの検出経路Sは、他方の差動入力部(ここでは反転入力端)が電圧源に接続されている比較回路又は増幅回路CDの差動入力部(ここでは+)に適用される。2つの差動入力部+及び−は、スイッチCCS(電子抵抗器形式のスイッチ)により相互接続されている。
確立された基準電圧VPSに対する検出経路Sの比較の差動回路CDの出力Qは、制御回路、マイクロプロセッサ又は好ましくはマイクロコントローラUCによって形成することができる制御ユニットUCの入力部INに印加される。制御ユニットUCは、較正AZ(ゼロ設定)及びサンプリングSPLの指令を差動比較回路CDに印加する。
より正確には、図1、図5及び図6Aの切換可能なコンデンサCPBの列と異なり、可変キャパシタンス及び/又は切換可能なコンデンサの組を有する回路CPCは、分極P+又はP−の経路と検出経路Sとの間に並列に接続されていることが図11に示され、かつ図12Aで詳細に示されている。可変静電インピーダンス(好ましくは、デジタルスイッチングにより定量化されたキャパシタンス)を有するこの回路は、従って、負の電位P−と検出経路Sの間の第2の結合に対する正の電位P+と検出経路Sの間の第1の結合の容量性(再)均衡を確立する。
制御ユニットは、有利な態様では、検出経路Sと経路P+(及び/又は恐らくP−)の間に追加された容量性インピーダンスの変動を制御することができる。この趣旨で、上述のように、制御ユニットUCは、差動検出回路CDによる検出及び増幅される電位ジャンプの関数として切換可能なコンデンサの組の切り換えを制御する2進デジタル(再)均衡指令BCCを増加又は低減する。この趣旨で、回路CDの出力Qは、制御ユニットUCの入力INに印加される。
図12Cは、経路P+及びS間の可変キャパシタンス及び経路P−及びSの間の一定のキャパシタンスを有する回路の更に別の図を示している。経路P+及びS間の分岐部は、経路Sと、端板がそれぞれ接地GND及び経路P+と接続されている可変コンデンサC1+C2の中間端子の間に接続したコンデンサCpを含む。
図13に示す構成の例に従って、最初の3つの導体は、それぞれ、正の電位P+の経路、検出Sの経路、及び負の電位P−の経路に接続されている。他の3つの導体は、それぞれ、正の電位P+、基準Rの経路、及び負の電位P−の経路に接続されている。正及び負の分極P+及びP−の経路は、以前の代替と同様に、それぞれ、2つの電圧源PSB及びNSBにより分極化される。検出S及び基準Rの2つの経路は、検出経路S及びR間の静電均衡を試験して経路R/P+及びP−の結合に対する経路S/P+及びP−の結合の容量不均衡を検出するために、差動比較又は増幅回路に適用される。
図14は、このようなマトリックススクリーンのTFTアドレス指定回路のマトリックス構造を概略的に示している。
回路は、タイムコントローラTCと、接触なく2つのレベルで垂直方向及び水平方向に組み合わされた導電縦列...、IX、X、XI、XII、...及び横列...、IV、V、VI、...のアレイとを有する。これらの線の間には、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が相互接続されている。より正確には、縦列は、ソースのアドレス指定の導電横列を形成し、すなわち、トランジスタソースの選択を制御する透明導体材料から成る。水平導電横列は、ゲートアドレス指定線に細分化され、すなわち、それらは、通過中でレーン線に入るように、横列のトランジスタゲートの選択及び起動を制御する。トランジスタのドレーンは、電荷蓄積キャパシタンス(メモリポイント)を通じて対応する共通のドレーン線と個別に接続されている。
一連の導電線...、IV、V、VI、...も、ゲートドライバ(アドレス指定、選択、及び起動)を有する。
図15は、線に対して横であるその位置を示すことによって指、物体、又は物の接近を検出する(たとえ表示スクリーンの2D表面絶対にわたって起こったとしても1次元IDとして考慮される垂直座標の検出)触感表面システムを形成するために、このようなTFTスクリーンのゲート線GDRのアドレス指定のマトリックス回路との本発明による接触検出装置TDSの結合を示している。本発明による接触検出装置の経路は、スクリーンマトリックスグリッドのゲート線に適用される本発明の検出モードに従って予想される分極、基準及び検出P、R、S及び/又はP+、S、P−の機能を適用するために、トランジスタT39、T40、T41、...、T62のようなゲートの制御の線...、IV、V、VI、...と接続されている。図15の例においては、ビームFSCは、単に、比較回路CCの差動入力部+及び−と接続した基準及び検出R及びSの2つの経路を有することができ、一方、2つの電位レベルVP1及びVP2の間の分極の経路の切り換えでは、有利な態様では、(クロノグラフによる記録4B及び4Cにおける逆段階φ1及びφ2を参照されたい)、ゲートドライバGDR内に本来存在するインバータ回路...、INIV、INV、INVI、...を使用する。いくつかの経路S及び/又はR及び/又はP又はP+及びP−を有する他の構成(2つ、3つ、4つ、5つ、又は6つの経路を有するビーム)を想定することができる。本発明による装置TDSの3つの経路のためのアドレス指定回路又は多重化回路ICXの端子(感知PIN)...、SP4、SP5、SP6、...(図1、図5及び図11を参照されたい)は、ゲートドライバGDRの下流側で、ゲート線...、IV、V、VI、...を制御するインバータ及びフォロア構成...、INIV、INV、INVI、...と接続されている。ビームFSCの経路R及びSは、可変キャパシタンスCVの1つ又は2つの回路及び経路間の結合の容量不均衡の検出の差動回路CCの差動入力部+及び−と接続されている。制御ユニットUCLは、差動回路CCの出力Qを受信して、多重化回路LSXのアドレス指定SCL及びビームFSCの経路に接続した導電線...、IV、V、VI、...の選択を制御する。
この目的のために、マトリックススクリーンの一連のゲート線...、IV、V、VI、...は、線IV、V、VI(図16及び通常はスクリーンの垂線)に対して横であるその方向に少なくとも1つの次元、1D又は2Dで位置の検出及び発見をもたらすために、図15に関して本明細書で先に明らかにしたように、本発明による第1の検出装置TDSのアドレス指定/多重化回路のそれぞれの端子...、SP4、SP5、SP6、...と結合及び接続されている。第2の接触検出装置TDSは、TFTマトリックススクリーンのトランジスタのトランジスタソースの制御の縦列...、IX、X、XI、XII、...の線に結合及び接続されている。この第2の接触検出装置TDS2の機能は、トランジスタ...、T39、...、T40、T50、T60、...のソースの制御の縦列...、IX、X、XI、XII、...の線に対して横である1つ又は2つの方向(図16の平面、通常はスクリーンに対して従来の水平方向及び垂直方向)で、1つ又は2つの次元1D又は2Dでの指、物、より一般的にはあらゆる凝縮物体の検出及び位置発見をもたらすことにある。この第2の検出装置TDS2は、第1の検出装置TDSと分離されたか又は共通の制御ユニットUCCを有する。TFTトランジスタソースの制御の縦列の導電線...、IX、X、XI、XII、...は、本発明による接触検出装置のアドレス指定及び多重化回路CSXのそれぞれの端子...、SP9、SP10、SP11、SP12、....と接続されている。
−経路P−が永久的に接地と接続されており(スイッチPDS閉成、スイッチPUS2開成)、経路P+は、分極の固有の経路であり、容量性手段CC01及びCC02のスイッチが開成である第1のモード。この第1のモードでは、装置TDSは、図1に示す装置と同じ接触検出原理を用いる。各検出作動時に、接触面PADの3つの導体又は導体群は、それぞれ、経路P+、R、及びSに接続するアドレス指定回路ISXにより選択される。ここでは、分極手段PUS1、PDS1は、経路P+及び従って接続先である導体を第1の段階φ1中にゼロの電位に、及び第2の段階φ2中に分極VDDの電位に設定する役目をする。スイッチITR及びITSは、ここでは、経路R及びS及び従って接続先である導体を段階φ1中にゼロの電位、及び従って導体間のゼロ電位差に設定し、かつ第2の段階φ2(図3及び図4を参照されたい)中に経路R及びS及び従って対応する導体の電位を浮動のままにする役目をする。制御ユニットUCを有する比較回路CMP及び可変キャパシタンス回路CPDは、経路P+(段階φ2)の分極により、かつ接触面の導体の近くの指又は物の存在により引き起こされる経路R及びSの電位の間の不均衡を検出して定量化する。
−経路Rが永久的に接地と接続されており(スイッチITR閉成)、容量性手段CC01及びCC02のスイッチは開成である第2のモード。この第2のモードでは、装置TDSは、図11に示す装置と同じ接触検出原理を用いる。各検出作動時に、アドレス指定回路ISXは、それぞれ、経路P+、P−、及びSに接続することによって3つの導体又は導体群を選択する。分極手段PUS1、PDS1は、ここでは、第1の段階α中に経路P+及び従って接続先である導体をゼロの電位に、及び第2の段階β中に分極VDDの電位に設定する役目をする。分極の手段PUS2、PDS2は、ここでは、第1の段階α中に経路P−及び従って対応する導体を分極VDDの電位に、かつ第2の段階β中にゼロ電位にする役目をする。スイッチITSは、ここでは、第1の段階α中に経路S及び従って対応する導体をゼロの電位に、及び第2の段階β中に経路S及び対応する導体の電位を浮動のままにする役目をする。制御ユニットUCを有する比較回路CMP及び可変キャパシタンス回路CPDは、経路P+及びP−(段階β)の分極により、かつ接触面の導体の近くの指又は物の存在により引き起こされる経路Sの電位と経路Rのゼロ電位の間の不均衡を検出して定量化する。
−経路P−が永久的に接地と接続されており(スイッチPDS閉成、スイッチPUS2開成)、経路P+は、分極の固有の経路であり、容量性手段CC01及びCC02のスイッチが閉成である第3のモード。この第1のモードでは、装置TDSは、図17に示す装置と同じ接触検出原理を用いる。従って、接触面の2つの導体又は導体群のみが、それぞれ、経路R及びSに接続することによって各検出作動時に選択される。装置TDSの作動は、接触面の2つの導体又は導体群のみが選択され、かつ容量性手段CC01及びCC02のスイッチが閉成であることを除き、第1のモードと同じである。この第3のモードの変形においては、装置TDSは、図18に使用される装置と同じ接触検出原理を使用する。この場合、接触面の1つの導体又は導体群のみが、経路Sに接続することによって各検出作動時に選択される。接触面の1つの導体又は導体群のみが選択され、かつ容量性手段CC01及びCC02のスイッチが閉成であることは別として、第3のモードのこの変形における装置TDSの作動は、第1のモードと同じである。
装置TDSの第1及び第3の作動モードでは、スイッチIPi−は、コンデンサCTiの対応する端子が常に接地に接続されているように常に閉成であり、スイッチIPI+は常に開成である。スイッチISiを開成、及び1つ又はいくつかのスイッチIRiを閉成中のままにすることにより、スイッチIRiが閉成であるコンデンサCTiのそれぞれのキャパシタンスの合計に等しいキャパシタンスが経路Rと接地の間に追加される。スイッチIRiを開成のままにすることにより、かつ1つ又はいくつかのスイッチISiを閉成することにより、スイッチISiが閉成であるコンデンサCTiのそれぞれのキャパシタンスの合計に等しいキャパシタンスが経路Sと接地の間に追加される。従って、不均衡が経路R及びSの間に発現した時、経路Rと接地の間、又は経路Sと接地の間のキャパシタンスは、不均衡の補償まで比較器CMPによって生成された結果に応じて修正することができる。
本明細書で上述の全ての実施形態では、導体は、規則的なパターンに従って接触面上に配置されることが好ましい。しかし、これは、不可欠なものではない。
他の用途、利用、組合せ、変形、具現化モード、及び改良は、本発明のフレームを出ることなく当業者には明らかであることになり、その保護の範囲は、以下の特許請求の範囲に定められている。
CPB 可変移送キャパシタンス手段
R 第1の電気経路
S 第2の電気経路
UC 制御ユニット
Q 比較手段によって生成される結果
Claims (23)
- 少なくとも1つの平面に配置された少なくとも一連の導体(II、III、IV、V、VI、VII、及びVIII、IX、X、XI、XII)を含む表面(PAD、TCH)の近くの触知性接近又は物体の存在を検出して位置を特定するためのシステムであって、 そのような複数の導体を含む表面が、
分極経路(P)、基準経路(R)、及び検出経路(S)と、
前記複数の導体(...、IV、V、VI、...、IX、X、XI、...)の中から少なくとも1つの第1の導体(V)を前記分極経路(P)にそれを接続することにより、少なくとも1つの第2の導体(IV)を前記基準経路(R)にそれを接続することにより、かつ少なくとも1つの第3の導体(VI)を前記検出経路(S)にそれを接続することにより選択するためのアドレス指定手段(ICX)と、
前記分極経路(P)を分極するための手段(PUS、PDS)と、
前記触知性接近又は前記物体の存在を検出して位置を特定するために前記分極経路(P)の前記分極により、かつ該触知性接近又は該物体の存在により引き起こされる前記基準経路(R)と前記検出経路(S)の間の不均衡を検出して定量化するための装置と、
を含む接触検出装置(TDS)に関連付けられる、
ことを特徴とする、前記システムであり、
不均衡を検出して定量化するための前記装置が、
それぞれの入力で前記基準経路及び検出経路(R、S)を受信する比較手段(CC;CD)と、
前記基準経路及び検出経路の少なくとも一方に接続した可変移送キャパシタンス手段(CPB)と、
前記比較手段と前記可変移送キャパシタンス手段の間に接続され、かつ前記不均衡の補償まで該比較手段によって生成された結果(Q)に応じて該可変移送キャパシタンス手段の前記可変移送キャパシタンスを変えるようになった制御ユニット(UC)と、
を含むことを特徴とする、前記システム。 - 前記接触検出装置(TDS)は、
a)前記分極経路(P)を、確立された電位(GND)に、かつ前記基準及び検出経路(R、S)をそれらの間の確立された電位差、例えば、ゼロに設定し、
b)前記分極経路(P)に分極(VDD)を適用してその電位を変更し、
c)前記基準及び検出経路(R、S)の前記電位を比較して、該分極経路(P)の前記分極により、かつ前記触知性接近又は前記物体の存在により引き起こされたこれらの電位の前記電位差の変動を検出し、
d)前記比較の結果(Q)に応じて、前記基準及び検出経路(R、S)間の前記電位差の前記変動の補償まで前記可変移送キャパシタンス手段の前記可変移送キャパシタンスを変更する、
段階を実行するようになっている、
ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 少なくとも1つの平面に配置された少なくとも一連の導体(II、III、IV、V、VI、VII、及びVIII、IX、X、XI、XII)を含む表面(PAD、TCH)の近くの触知性接近又は物体の存在を検出して位置を特定するためのシステムであって、 そのような複数の導体を含む表面が、
第1分極経路(P+)、第2分極経路(P−)、及び検出経路(S)と、
前記複数の導体(...、IV、V、VI、...、IX、X、XI、...)の中から少なくとも1つの第1の導体(V)を前記第1の分極経路(P+)にそれを接続することにより、少なくとも1つの第2の導体(IV)を前記第2の分極経路(P-)にそれを接続することにより、かつ少なくとも1つの第3の導体(VI)を前記検出経路(S)にそれを接続することにより選択するためのアドレス指定手段(ICX)と、
前記分極経路(P+、P−)を分極するための手段(PUS、PDS)と、
前記触知性接近又は前記物体の存在を検出して位置を特定するために、前記分極経路(P+、P−)の前記分極により、かつ該触知性接近又は該物体の存在により引き起こされる前記検出経路(S)と基準電圧経路(VPS)の間の不均衡を検出して定量化するための装置と、
を含む接触検出装置(TDS)に関連付けられる、
ことを特徴とする、前記システムであって、
不均衡を検出して定量化するための前記装置が、
それぞれの入力で前記検出経路と基準電圧経路(S、VPS)を受信する比較手段(CC)と、
前記分極経路(P+、P−)の一方又各々と前記検出経路(S)との間に接続した可変移送キャパシタンス手段(CPC)と、
前記比較手段と前記可変移送キャパシタンス手段の間に接続され、かつ前記不均衡の補償まで該比較手段によって生成された結果(Q)に応じて該可変移送キャパシタンス手段の前記可変移送キャパシタンスを変えるようになった制御ユニット(UC)と、
を含むことを特徴とする、前記システム。 - 前記接触検出装置(TDS)は、
a)前記分極経路(P+、P−)をそれぞれの電位に、かつ前記検出経路(S)を前記基準電位(VPS)に設定し、
b)前記分極経路(P+、P−)をそれらに反対方向の電位変動を印加することによって分極し、
c)前記検出経路(S)の前記電位を前記基準電位(VP)と比較して、前記分極経路(P+、P−)の前記分極により、かつ前記触知性接近又は前記物体の存在により引き起こされる該検出経路(S)上の可能な電位ジャンプを検出し、
d)前記比較結果(Q)に基づいて、前記検出経路(S)上の前記電位ジャンプの補償まで前記可変移送キャパシタンス手段(CPC)の前記可変移送キャパシタンスを変更する、
段階を実行するようになっている、
ことを特徴とする請求項3に記載のシステム。 - 前記接触検出装置(TDS)は、各サイクルが前記段階a)からc)及び前記可変移送キャパシタンスの変動の段階を含むサイクルを実行するようになっており、これらのサイクルは、前記検出経路(S)上の前記電位ジャンプが補償されるまで実行されることを特徴とする請求項4に記載のシステム。
- 少なくとも1つの平面に配置された少なくとも一連の導体(II、III、IV、V、VI、VII、及びVIII、IX、X、XI、XII)を含む表面(PAD、TCH)の近くの触知性接近又は物体の存在を検出して位置を特定するためのシステムであって、 そのような複数の導体を含む表面が、
分極ノード(P)及び基準経路(R)が第1の容量手段(CA1)によって互いに接続され、かつ分極ノード(P)及び検出経路(S)が第2の容量手段(CA2)によって互いに接続された分極ノード(P)、基準経路(R)、及び検出経路(S)と、
前記複数の導体(...、IV、V、VI、...、IX、X、XI、...)の中から少なくとも1つの第1の導体を前記基準経路(R)にそれを接続することにより、かつ少なくとも1つの第2の導体を前記検出経路(S)にそれを接続することにより選択するためのアドレス指定手段(ICR)と、
前記分極ノード(P)を分極するための手段(PUS、PDS)と、
前記触知性接近又は前記物体の存在を検出して位置を特定するために前記分極ノード(P)の前記分極により、かつ該触知性接近又は該物体の存在により引き起こされる前記基準経路(R)及び前記検出経路(S)間の不均衡を検出して定量化するための装置と、
を含む接触検出装置(TDS)に関連付けられる、
ことを特徴とする、前記システムであって、
不均衡を検出して定量化するための前記装置が、
それぞれの入力で前記基準経路及び検出経路(R、S)を受信する比較手段(CC)と、
前記基準経路及び検出経路の少なくとも一方に接続した可変移送キャパシタンス手段(CPB)と、
前記比較手段と前記可変移送キャパシタンス手段の間に接続され、かつ前記不均衡の補償まで該比較手段によって生成された結果(Q)に応じて該可変移送キャパシタンス手段の前記可変移送キャパシタンスを変えるようになった制御ユニット(UC)と、
を含むことを特徴とする、前記システム。 - 少なくとも1つの平面に配置された少なくとも一連の導体(II、III、IV、V、VI、VII、及びVIII、IX、X、XI、XII)を含む表面(PAD、TCH)の近くの触知性接近又は物体の存在を検出して位置を特定するためのシステムであって、 そのような複数の導体を含む表面が、
分極ノード(P)及び基準経路(R)が第1の容量手段(CA1)によって互いに接続され、かつ分極ノード(P)及び検出経路(S)が第2の容量手段(CA2)によって互いに接続された分極ノード(P)、基準経路(R)、及び検出経路(S)と、
前記複数の導体(...、IV、V、VI、...、IX、X、XI、...)の中から少なくとも1つの導体を前記検出経路(S)にそれを接続することにより選択するためのアドレス指定手段(ICR)と、
前記分極ノード(P)を分極するための手段(PUS、PDS)と、
前記触知性接近又は前記物体の存在を検出して位置を特定するために前記分極ノード(P)の前記分極により、かつ該触知性接近又は該物体の存在により引き起こされる前記基準経路(R)及び前記検出経路(S)間の不均衡を検出して定量化するための装置と、
を含む接触検出装置(TDS)に関連付けられる、
ことを特徴とする、前記システムであって、
不均衡を検出して定量化するための前記装置が、
それぞれの入力で前記基準経路及び検出経路(R、S)を受信する比較手段(CC)と、
前記基準経路及び検出経路の少なくとも一方に接続した可変移送キャパシタンス手段(CPB)と、
前記比較手段と前記可変移送キャパシタンス手段の間に接続され、かつ前記不均衡の補償まで該比較手段によって生成された結果(Q)に応じて該可変移送キャパシタンス手段の前記可変移送キャパシタンスを変えるようになった制御ユニット(UC)と、
を含むことを特徴とする、前記システム。 - 前記接触検出装置(TDS)は、
a)前記分極ノード(P)を、確立された電位(GND)に、かつ前記基準及び検出経路(R、S)をそれらの間の確立された電位差、例えば、ゼロに設定し、
b)前記分極ノード(P)に分極(VDD)を適用してその電位を変更し、
c)前記基準及び検出経路(R、S)の前記電位を比較して、該分極ノード(P)の前記分極により、かつ前記触知性接近又は前記物体の存在により引き起こされたこれらの電位の前記電位差の変動を検出し、
d)前記比較結果(Q)に基づいて、前記基準及び検出経路(R、S)間の前記電位差の前記変動の補償まで前記可変移送キャパシタンス手段の前記可変移送キャパシタンスを変更する、
段階を実行するようになっている、
ことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載のシステム。 - 前記接触検出装置(TDS)は、各サイクルが前記段階a)からc)及び前記可変移送キャパシタンスの変動の段階を含むサイクル(A、B、C、D、E)を実行するようになっており、これらのサイクルは、前記基準経路及び検出経路(R、S)間の前記電位差の前記変動が補償されるまで実行されることを特徴とする請求項2又は請求項8に記載のシステム。
- 前記段階b)の前に前記比較手段に対してそれらを較正するためにゼロリセット指令(AZ)を適用するための手段(UC)を含むことを特徴とする請求項2、請求項4、又は請求項8に記載のシステム。
- 前記段階b)の前に前記比較手段に対して各サイクル中にそれらを較正するためにゼロリセット指令(AZ)を適用するための手段(UC)を含むことを特徴とする請求項5又は請求項9に記載のシステム。
- 前記制御ユニット(UC)は、前記表面の前記複数の導体の中から選択された導体のいくつかの構成に従っていくつかの接触検出を達成し、かつ合計、減算、重み付け、線形組合せ、又は他の算術演算によってそれらを組み合わせるために前記接触検出装置を制御するようになっていることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のシステム。
- 少なくとも1つの平面に配置された少なくとも一連の導体(II、III、IV、V、VI、VII、及びVIII、IX、X、XI、XII)を含む表面(PAD、TCH)の近くの触知性接近又は物体の存在を検出して位置を特定するためのシステムであって、 そのような複数の導体を含む表面が、
第1の分極経路(P+)、第2の経路(P−)、基準経路(R)、及び検出経路(S)と、
確立された電位(GND)に前記第2の分極経路(P)が接続された第1のモードに従って又は確立された電位(GND)に前記基準経路(R)が接続された第2のモードに従って前記接触検出装置を作動するための選択手段と、
前記複数の導体(...、IV、V、VI、...、IX、X、XI、...)の中から、前記第1のモードにおいては、少なくとも1つの第1の導体(V)を前記第1の分極経路(P+)にそれを接続することにより、少なくとも1つの第2の導体(IV)を前記基準経路(R)にそれを接続することにより、かつ少なくとも1つの第3の導体(VI)を前記検出経路(S)にそれを接続することにより、及び前記第2のモードにおいては、少なくとも1つの第1の導体を該第1の分極経路(P+)にそれを接続することにより、少なくとも1つの第2の導体を前記第2の分極経路(P−)にそれを接続することにより、かつ少なくとも1つの第3の導体を該検出経路(S)にそれを接続することにより選択するためのアドレス指定手段(ISX)と、
前記第1のモードにおいて前記第1の分極経路(P+)、及び前記第2のモードにおいて前記第1及び第2の分極経路(P+、P−)を分極するための手段(PUS1、PDS1、PUS2、PDS2)と、
前記触知性接近又は前記物体の存在を検出して位置を特定するために前記第1の分極経路(P+)の又は前記第1及び第2の分極経路(P+、P−)の前記分極により、かつ該触知性接近又は該物体の存在により引き起こされる前記基準経路(R)及び前記検出経路(S)間の不均衡を検出して定量化するための装置と、
を含む接触検出装置(TDS)に関連付けられる、
ことを特徴とする、前記システムであって、
不均衡を検出して定量化するための前記装置が、
それぞれの入力で前記基準経路と検出経路(R、S)を受信する比較手段(CMP)と、
第1モードにおいて、前記基準経路及び前記検出経路(R、S)の少なくとも一方に接続され、第2モードにおいて、前記分極経路(P+、P−)の一方又は何れかと前記検出経路(S)との間に接続される可変移送キャパシタンス手段(CPC)と、
前記比較手段と前記可変移送キャパシタンス手段の間に接続され、かつ前記不均衡の補償まで該比較手段によって生成された結果(Q)に応じて該可変移送キャパシタンス手段の前記可変移送キャパシタンスを変えるようになった制御ユニット(UC)と、
を含むことを特徴とする、前記システム。 - 前記検出及び定量化装置の可変移送キャパシタンス手段が、スイッチ(IR1、IR2、...、IS1、IS2、...、IP1+、IP2+、...、IP1−、IP2−、...)を通じて前記第1及び第2の分極経路(P+、P−)に、前記基準経路(R)に、かつ前記検出経路(S)に接続された少なくとも1組のコンデンサ(CTl、CT2、...)を含むことを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記接触検出装置は、前記第1の分極経路(P+)及び前記基準経路(R)間の第1の切換可能な容量手段(CCOl)と、該第1の分極経路(P+)及び前記検出経路(S)間の第2の切換可能な容量手段(CCO2)とを更に含み、
前記第1及び第2のモードにおいて、前記第1の容量手段(CCO1)は、前記第1の分極経路(P+)を前記基準経路(R)に接続せず、かつ前記第2の切換可能な容量手段(CCO2)は、該第1の分極経路(P+)を前記検出経路(S)に接続せず、
前記接触検出装置は、前記選択手段によって選択することができる第3のモードに従って作動させることができ、かつ
この第3のモードにおいて、前記第1の容量手段(CCO1)は、前記第1の分極経路(P+)を前記基準経路(R)に接続し、前記第2の切換可能な容量手段(CCO2)は、該第1の分極経路(P+)を前記検出経路(S)に接続し、かつ前記アドレス指定手段は、少なくとも1つの第1の導体を該検出経路(S)にそれを接続することによって選択する、
ことを特徴とする請求項13又は請求項14に記載のシステム。 - 前記第3のモードにおいて、前記アドレス指定手段は、少なくとも1つの第1の導体を前記検出経路(S)にそれを接続することにより、かつ少なくとも1つの第2の導体を前記基準経路(R)にそれを接続することにより選択することを特徴とする請求項15に記載のシステム。
- 前記導体は、規則的なパターンに従って配置されることを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記比較手段によって生成された前記結果(Q)は、ビットの形態であることを特徴とする請求項1から請求項17のいずれか1記載のシステム。
- 前記制御ユニットは、前記不均衡の中性化の点の境界までの連続的近似により前記可変移送キャパシタンスを変えるようになっていることを特徴とする請求項1から請求項18のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記可変移送キャパシタンス手段(CPB;CPC)は、前記制御ユニット(UC)によって生成されたデジタル指令(BLC;BCC)によって制御され、このデジタル指令(BLC)は、前記不均衡の補償まで前記比較手段(CMP)によって生成された前記結果に応じて該制御ユニット(UC)によって増加又は低減されることを特徴とする請求項1から請求項19のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記可変移送キャパシタンス手段は、可変キャパシタンスを有する容量回路(CPB)を含むことを特徴とする請求項1から請求項20のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記可変キャパシタンス回路(CPB)は、少なくとも1組(CRB、CSB)の平行な切換可能コンデンサ(CS0、CSl、CS2、CR0、CRl、CR2)を含むことを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記可変移送キャパシタンス手段(CPC)は、可変電圧利得回路(AMP、Z1、Z2)及びコンデンサ(Cr)を含むことを特徴とする請求項1から請求項20のいずれか1項に記載のシステム。
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