CN103150076B - 一种实现触控芯片初始校准的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种实现触控芯片初始校准的方法，所述触控芯片的内部电路产生的电容包括内部砝码电容、内部补偿电容、引脚电容，其中所述触控芯片的部分引脚与触控屏的引脚相连接，剩余引脚处于悬空状态，当所述触控芯片的内部砝码电容与待测电容之间具有差值时，由所述触控芯片剩余引脚的电容进行补偿。通过上述方法，本发明充分利用触控芯片的剩余引脚实现对触控芯片的初始校准，增大了触控芯片的补偿电容范围，进而扩大了触控芯片的电容测量范围，节约了触控芯片的面积。
Description
技术领域
本发明涉及触控芯片初始校准的方法，特别是涉及一种利用触控芯片的引脚电容实现初始校准的方法。
背景技术
在电容触控装置中，设计者希望触控芯片的每个引脚电容都处于最佳测量范围内，实现触控芯片的初始校准，以利于推断感应量的变化完全来自于手指触碰到感应电极而导致，这样，可以容易地判断出该电极是否被手指触碰到。
但在实际情况中，由于FPC/ITO设计的缺陷或者由FPC/ITO材料、工艺引起的电气性能的改变，都会造成相同触摸屏上不同电极通道或不同触摸屏的阻抗及静态电容有差异，即使没有手指触摸触摸屏，在触控芯片的初始校准中，所述差异造成待测电容的初始状态非零。另外，芯片的设计或工艺也会导致触控芯片的内部砝码电容初始状态非零，通常方式是在触控芯片中增加内部感应量补偿电容的方式来补偿这部分差异电容，但由于受芯片体积的大小及芯片设计工艺的限制，内部感应量补偿电容的大小也受到限制，无法抵消以上两种非零初始值。针对该问题，专利CN102622142采用外部感应量补偿电容结合内部感应量补偿电容的方式来解决，但是增加外部感应量补偿电容也相应地提高了芯片的成本，工艺变得复杂。
为了避免触控芯片内部电容与待测电容之间较大的差值电容影响触控芯片的正常运作，需要提供一种利用触控芯片即可补偿这部分差值电容的方法，实现对触控芯片的初始校准。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种应用触控芯片剩余引脚实现触控芯片初始校准的方法，节约了芯片的面积。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种实现触控芯片初始校准的方法，所述触控芯片的内部电路产生的电容包括内部砝码电容、内部补偿电容、引脚电容，其中所述触控芯片的部分引脚与触控屏的引脚相连接，剩余引脚处于悬空状态，当所述触控芯片的内部砝码电容与待测电容之间的差值在所述触控芯片的容值可接受范围内时，由所述触控芯片中的内部补偿电容补偿；当所述触控芯片的内部砝码电容与待测电容之间的差值超过所述触控芯片的容值可接受范围时，由所述触控芯片剩余引脚的电容补偿。
本发明的有益效果是：本发明充分利用触控芯片的剩余引脚实现对触控芯片的初始校准，增大了触控芯片的补偿电容范围，进而扩大了触控芯片的电容测量范围，节约了触控芯片的面积。
附图说明
图1是本发明实现触控芯片初始校准的方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
一种实现触控芯片初始校准的方法，所述触控芯片的内部电路产生的电容包括内部砝码电容、内部补偿电容、引脚电容，其中所述触控芯片的部分引脚与触摸屏的引脚相连接，剩余引脚处于悬空或接地状态。所述剩余引脚电容包括内部尚未使用的引脚电容和外部悬空引脚电容。所述内部砝码电容为芯片内部已经使用的引脚电容，所述触控芯片的内部砝码电容量的大小决定了所述触控芯片能够测量的电容范围，而是所述触控芯片中的内部补偿电容量决定了所述触控芯片的容值可接受范围。
请参阅图1，在对触控芯片的初始校准中，需要对所述触控芯片的内部砝码电容与待测电容之间进行一个平衡校准，当两者之间具有差值，而所述差值在所述触控芯片的容值可接受范围内时，首先由所述触控芯片中的内部补偿电容进行补偿，使得所述内部砝码电容与待测电容在相同的电容容值范围内，进而测量待测电容量。而当所述差值超过所述触控芯片的容值可接受范围时，由所述触控芯片中的内部补偿电容和触控芯片的剩余的引脚电容进行补偿。当然，所述内部砝码电容与所述待测电容之间的差值超过所述触控芯片的容值可接受范围时，也可直接利用所述触控芯片剩余引脚电容来补偿。
假设内部砝码电容量记为R，待测电容量为S，正常校准情况下，所述触控芯片的内部砝码电容量R与待测电容量S处于相同的容值范围，所述触控芯片通过增加或减少内部砝码电容量R与待测电容量S进行比较，当两者近似相等时即测量出待测电容量S，所述触控芯片完成初始校准；若待测电容量S过大，超出了内部砝码电容量R的容值范围，即S远远大于R，且内部补偿电容无法补偿所述内部砝码电容量R与待测电容量S之间的差值时，则可通过所述触控芯片内部尚未使用引脚的电容或者芯片外部悬空引脚的电容来补偿待测电容S超出内部砝码电容量R的容值，使得所述触控芯片能够正常测量。因此，利用触控芯片的剩余引脚就可实现对差值电容量的补偿，完成对触控芯片的初始校准。另外，外部悬空引脚还可连接外部补偿电容，所述外部补偿电容为附加的ITO设计，其电容量可根据所需的补偿电容量来确定，因此也扩大了触控芯片的电容测量范围，节约了触控芯片的面积。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种实现触控芯片初始校准的方法，所述触控芯片的内部电路产生的电容包括内部砝码电容、内部补偿电容、引脚电容，其中所述触控芯片的部分引脚与触控屏的引脚相连接，剩余引脚处于悬空状态，当所述触控芯片的内部砝码电容与待测电容之间的差值在所述触控芯片的容值可接受范围内时，由所述触控芯片中的内部补偿电容补偿，其特征在于，当所述触控芯片的内部砝码电容与待测电容之间的差值超过所述触控芯片的容值可接受范围时，由所述触控芯片剩余引脚的电容补偿。
2.根据权利要求1所述的实现触控芯片初始校准的方法，其特征在于，当所述触控芯片的内部砝码电容与待测电容之间的差值超过所述触控芯片的容值可接受范围时，可由所述触控芯片中的内部补偿电容和剩余引脚的电容补偿。
3.根据权利要求1所述的实现触控芯片初始校准的方法，其特征在于，所述触控芯片的剩余引脚包括外部悬空引脚和芯片内部尚未使用的引脚。
4.根据权利要求1所述的实现触控芯片初始校准的方法，其特征在于，所述触控芯片的内部砝码电容为芯片内部已经使用的引脚电容。
5.根据权利要求1或4所述的实现触控芯片初始校准的方法，其特征在于，所述触控芯片能够测量的电容范围取决于所述触控芯片的内部砝码电容量的大小。
6.根据权利要求1或2所述的实现触控芯片初始校准的方法，其特征在于，所述触控芯片的容值可接受范围是由所述触控芯片中的内部补偿电容量决定的。
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