TW496963B - Non-contact test method and apparatus - Google Patents

Description

五 ^—*—____ 、發明說明（1) 發明範疇 π -η ^ ^ 本發明有關於測試電路的電氣整合的設備及方法，而且 尤其有關於印刷電路板（PCB )，晶片載體及具有導體的各 種配置的類似電路之非接觸電氣測試的設備及方法。 ^ 發明背景 ^，路如PCB及晶片載體，通常是在製造後才測試，以判 =電路中的所有導體及其他電的傳導元件是否都在其指定 二，，以確保其未被無意的割傷，短路或是有不期望的連 ' :點等。通常連接電路的導體以定義電路網。 網的實：：= '置作電氣測試電路時通常使用某種含電路 1 ^ Ϊ 在移動的探針裝置中，由機構將 由將‘針：體f :而且與各種電路網的端子分離，因為藉 所以在帝=私、〃網移到另一電路網而循序測試電路網， 方法。兒m複雜的電路中，#動探針的測試是較慢的 方法是使用所謂指床測試器，指床 接嘲：夂電路網的末端接腳電氣接…建立= 探針相是循序測“，雖然與使心 钽是指床測試★:衰：測，上可以很快的測試電路， 具。結果，敕二1 θ各電路配置而設計製造的專屬器 法。正收而言指床測試是耗時且成本很高的解決； 乳測試方法是依賴與要測試電路的實體接觸，如上述

第6頁 五、發明說明（2) 第 所 的移動探針及指床方法’至少有兩個額外的基 -，因為電路上導體末端的塾大小 以逐漸很難得到足夠的電氣接觸。第：，導；ii::所 接腳間的實體接觸會破壞塾。 1^針或 為了克服這些困#，已提議用數個非接觸的電 法，一非接觸印刷電路板測試方法可參考授予s〇ifK^n = f!5,218’294號。該專利敘述以仏信號經由電源 f \使用近％動作天線以非接觸方式激勵 測试中的PCB，產生之激勵合姦斗 ^ 沾杖以 & 勘曰產生一電磁場，此為PCB測試 的特性。接近測試PCB的雷磁语β 、，L ， … D幻电磁场疋以非接觸方式測量，且 ^ 口 "、、釭電路板的電磁場比較，以判定測試PCB是否 不良。 予s〇lferman的美國專利5,5l7，u〇號敘述藉由相鄰 側PCB上的一對激勵器而非接觸激勵PCB，使用位於 5 一側上激勵器之間的感測器陣列以檢測產生之電磁 % 〇 a ^予§〇1 f Μ’0的美國專利5, 4 24, 633號敘述PCB電氣測 ^ t Ϊ用的螺旋迴路天線以及—電氣測試，其中將一電 每 接觸激勵器施加在測試PCB的第一側，而且操作 B^PR側上的一列非接觸感測器以測量電磁場，其為激 勵時P C B的牲从 uL ^ Q Γ 。此糸統能電氣測試電路網（其則PCB相對 ，、有端點）及較薄的P C B (其不具有内部金屬層）。 發明總結 本I明想提供改良式方法及裝置以非接觸電氣測試如

O:\60\60155.PTD 496963 五、發明說明（3) PCB的電路，為了敘述以下說明書及申請專利範圍，將測 試電路稱為測試板或BUT。 本發明較佳實施例之一概念提供BUT如PCB的非接觸電氣 測試，其具有電路網且在同一側開始及中止，而且具有其 他電路網在其相對側開始及中止。 ' 本發明較佳實施例之另一概念提供BUT如PCB的非接觸電 乳測試’其具有内部金屬層及導體其跨過或是在金屬層之 間。 根據本發明的較佳實施例，大致是同時執行βυτ如pcB 非接觸電氣測言式，其具有電路網且在同一側開始及中止 以及具有其他電路網在其相對側開始及中止。在第— 以根據電場激勵BUT的一側，而扁笼一相安L ^ 成午 勵BUT的另一側。根㈣率而^弟一頻率以根據電場激 “广 測量及分離MT的導體上不同

頻牛激勵所感應的電位。 丄个U 可了解在BUT兩側作激勵會產生分離 BUT —侧或另—側的激勵所 ：加在 類型中的電氣連續。 』寸列忒BUT上不同導體 ,^ 又~概念，分析BUT上的雷彳☆祥台匕 知-缺陷的電路樣態特性比較。“位樣悲’且與已 因此根據本發 裝置，該電略而提供一種電路之電氣測試 裝置包括：至+ — 弟—側表面，且包括複數導體， 侧表面相鄰，極且與電路之至少-第、及第二 至少-感測電極且：★路=接觸式施加-激勵電磁場， 且與，路之至少一第一及第二側表面相

$ 8頁 496963 :五、發明說明（4) :鄰，且可操作以感測一產生之電磁場，其以非接觸式藉由 在上面之各位置施加激勵電磁場而產生，其中至少一激勵 ;電極及至少一感測電極之至少一者包括至少兩個電極，其 i 中至少一者與電路之至少一第一及第二側表面相鄰。 又根據本發明的較佳實施例，至少一激勵電極包括至少 丨第一及第二激勵電極與電路之第一及第二侧表面之每一者 丨 丨相鄰。

又根據本發明的較佳實施例，至少一感測電極包括至少 :第一及第二感測電極，與電路之第一及第二侧表面之每一 I 者相鄰。 · 又根據本發明的較佳實施例，而設置至少一激勵信號產 生器，提供至少一激勵信號給至少一激勵電極。 又根據本發明的較佳實施例，至少一激勵信號產生器提 供激勵信號給複數激勵電極，依此，每一激勵電極在電路 丨 中感應之信號可互相區分，且最好也包括至少一分離檢測 丨

器，用以接收來自至少一感測電極之信號，其由每一激勵 I 電極在電路中感應出，且可以將信號互相區分。 i 此外電路之電氣測試裝置也包括：一信號分析器，操作 | 時可分析接收自至少一感測電極之至少一信號，一比較 4 器，接收從產生電磁場導出之至少一信號，且可操作以比 丨 較至少一信號與一參考。 丨

I

較佳的，電路之電氣測試裝置也包括一缺陷報告產生 I 器，根據比較器之輸出而提供關於電路之缺陷報告。 ! 此外，根據本發明的較佳實施例，至少一激勵電極包括

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;五、發明說明（5) I . > ;第一及第二激勵電極，排列成沿著電路之第一側，及一第 丨三激勵電極，排列成沿著電路之第二側。較佳的，至少一 丨感測電極包括感測電極之線性陣列。 | 又根據本發明的較佳實施例，線性陣列位於第一與第二 激勵電極中間。 I 額外或是或者，至少一激勵電極包括激勵電極之線性陣 !列。 I ' 較佳的，至少一感測電極包括第一及第二感測電極，排 i !列成沿著電路之第一側，及一第三感測電極，排列成沿著 電路之第二侧。 _1 ; 又根據本發明的較佳實施例，至少一感測電極包括第一 !及第二感測電極，排列成沿著電路之第一側。 又根據本發明的較佳實施例，線性陣列位於第一與第二 i激勵電極中間。 ! 又根據本發明的較佳實施例，至少一信號產生器提供具 丨不同頻率之信號給不同的激勵電極，而至少一信號產生器 提供多工信號給不同的激勵電極。 較佳的，至少一激勵電極包括複數個別可控制部分。 根據本發明的較佳實施例也提供一種電路之電氣測試方 法，該電路具有第一及第二側表面，且包括複數導體，該 :方法包括以下步驟：以非接觸式施加一電磁場至電路之至 少一第一及第二側表面，以非接觸式沿著電路之至少第一 及第二側表面之各位置感測一產生之電磁場，其中至少一 | :施加及感測步驟使用沿著電路之第一及第二側表面配置之 i

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五、發明說明（6) I 非接觸電極。 | 又根據本發明的較佳實施例，施加步驟包括使用至少第 一及第二激勵電極，與電路之第一及第二側表面之每一者 i 相鄰，以施加至少一電磁場。 較佳的，感測步驟使用至少第一及第二感測電極，與電 路之第一及第二側表面之每一者相鄰，以感測產生之電磁 場。 ! 又根據本發明的較佳實施例，產生至少一激勵信號且提| 供給至少一激勵電極。 又根據本發明的較佳實施例，產生步驟包括提供激勵信_ 號給複數激勵電極，依此，每一激勵電極在電路中感應之 信號可互相區分。額外或是或者，該方法也包括接收每一 激勵電極是電路中感應之信號，且將該等信號互相區分。 較佳的，電路之電氣測試方法也包括分析電路中感應之 至少一信號。 此外根據一較佳實施例，本發明也包括接收自產生電磁 場導出之至少一信號，且比較至少一信號與一參考。較佳

I 的，該步驟也包括根據比較步驟而提供與電路相關之缺陷| 報告： _

又根據本發明的較佳實施例，施加步驟使用沿著電路之 I 第一側配置之第一及第二激勵電極，及一第三激勵電極， 丨 沿著電路之第二侧配置。 ： 又根據本發明的較佳實施例，感測步驟使用感測電極之 i | 線性陣列。線性陣列也位於第一與第二激勵電極中間。

496963 丨五、發明說明（7) ； i i 又根據本發明的較佳實施例，施加步驟使用激勵電極之I 線性陣列，此外線性陣列也位於第一與第二激勵電極中 較佳的，感測步驟使用沿著電路之第一侧配置之第一及 ；第二感測電極，與沿著電路之第二側配置之第三感測電 !極。額外或是或者，感測步驟使用沿著電路之第一側配置 丨之第一及第二感測電極。 較佳的，電路之電氣測試方法包括一產生步驟，其中提

； I 丨供具不同頻率之信號給不同的激勵電極。額外或是或者， :產生步驟包括提供多工信號給不同的激勵電極。 1 ! 又根據本發明的較佳實施例，施加步驟使用至少一激勵 | _ ί !電極包括複數個別可控制部分。 ! ! 又根據本發明的較佳實施例，也包括將電路中之中間金 丨屬層接地之步驟。 I 又根據本發明的較佳實施例，感測步驟包括感測電路一 側上之電位，及感測電路之相對側上之電位。 根據本發明的又一較佳實施例也提供一種多層電路之電 氣測試方法，電路包括第一及第二侧表面且包括複數導 體，該方法包括以下步驟：將電路中之中間金屬層接地，^ 將電位感應在電路之至少部分導體中，及以非接觸式在沿 ! 著其至少第一側表面之各位置感測一產生電磁場，以得到 電路之電磁場貧料特性。 又根據本發明的較佳實施例，也包括在沿著其至少第二 側表面之各位置感測一產生電磁場，以得到電路之電磁場

第12頁 496963 五、發明說明（8) ； 資料特性。 又根據本發明的較佳實施例，電磁場資料係指包括電路 之導體電位。此外感應步驟包括測電路之第一及第二側感 應電位。 又根據本發明的較佳實施例，感應步驟包括在電路第一 側上感應電位，其可以與電路第二側上感應之電位區分。 又根據本發明的較佳實施例，感應步驟包括可以用頻率 區分之感應電位。 又根據一較佳實施例，本發明提供一種多層電路之電氣 測試方法，其中感應步驟包括多工之感應電位。 β 又根據本發明的較佳實施例，感測步驟包括在電路一側 上感測電磁場資料。較佳的，感測步驟又包括將電路第一 側之感應電位所產生之電磁場，與電路第二側之感應電位 所產生之電磁場區分。 又根據本發明的較佳實施例，感應步驟包括在電路第一 側上感應電位。 | 額外或是或者，感應步驟使用複數激勵器，而各激勵器 可感應用頻率區分之電位。較佳的，感應步驟使用複數激 勵器，而各激勵器感應可多工之電位。 ^ 又根據本發明的較佳實施例，感測步驟使用沿著電路第1 i 一側排列之至少一第一感測器及一第二感測器。較佳的， 感測步驟又使用一第三感測器，位於沿著電路之第二侧。 | 又根據本發明的較佳實施例也包括將感測器感測之電磁 場資料與激勵器相關連。額外或是或者本發明的較佳實施

第13頁 496963 五、發明說明⑼ 一'' 例也包括藉由比較電磁場資料與期望電路 料特性，而判定至少部分導體之電氣連續*考電磁場資 又根據本發明的較佳實施例，感應 以 行。 非接觸式執 =本=的較佳實施例又提供一種多 方法包括以下步:激側表面且包括複數導：氣夠 著望一如主部·激勵电路以感應接近〜泰^體，該 ΐ面之各位置以非接觸式擷取電越：場’在沿 面之各位置以非接觸式擷取電4:貪料，在沿 】：r料而：定導體之心連續=第二側表： 驟& $: ^較佳貫施例的電氣測試方法中，較# 資料，其具有習用結構之電路特Ϊ的分折步 至少—中間層，盆實質完全」堪二路仏夕層電路其和红 -實質完全金屬層接地。屬化’而該方法包括將；； 法根ΐ::!的較佳實施例又提供-種電路之電-施力二傳導元件’該方法包括心；方 应苴第如 ％至電路’而至少-激勵器位於：步驟： 第二二匕之物件接觸’大致與第-電磁場同；近惟未 件接觸，及分離地檢測第-及第二ΐί與其第 上 弟-及第二電磁場而感應在物件之電氣傳；，其分

496963 五、發明說明（ίο) 又根據本發明的較佳實施例，施加一電磁場之第一及第 二步驟包括分別產生第一及第二頻率之電磁信號之步驟。 又根據本發明的較佳實施例，分離地檢測步驟包括感測 電位步驟，而至少一感測器位於接近物件第一側。較佳 的，該方法又包括藉由至少一感測器而掃描之步驟。 又根據本發明的較佳實施例，掃描步驟包括在一第一掃 描方向掃描之步驟，以及接著在一第二掃描方向掃描之步 驟，第二掃描方向實質垂直於第一掃描方向。額外或是或 者掃描步驟包括在一第一位置掃描物件之步驟，以及接著 在一第二位置掃描物件之步驟，第二位置與第一位置相 反。 較佳的，該方法又包括將物件之内部金屬層接地之步 驟。 又根據本發明的較佳實施例而提供一種電氣測試物件之 裝置，該物件具有一電路其中形成複數導體，其中該裝置 包括（η —第一電磁場產生器，施加一第一電磁場至物 件，其中第一場產生器包括至少一激勵器，位於接近惟未 與物件之第一側接觸，及(2 ) —第二電磁場產生器，施加 一第二電磁場至物件，其中第二場產生器包括至少一激勵Λ 器，位於接近惟未與物件之第一侧接觸，其中第二側與第1 一側相對，及（3 ) —感測器，可操作以分離地檢測第一及 第二電位，分別藉由第一及第二電磁場而感應在導體上。 i

I 又根據本發明的較佳實施例，感測器包括一感測器陣列 與第一場產生器之至少一激勵器相鄰。較佳的，第一場產

第15頁 496963 五、發明說明（11) 生器以一第一頻率產生一電 i二頻率產生一電礤場。額外 I置中，第一場產生器包括一 丨可操作以產生電礤場。 丨 又根據本發明的較佳實施 各產生一場，其互相之相位 丨由複數條狀元件製造。 ! 又根據本發明的較佳實施 列而傾斜地延伸。 | 額外或是或者，至少一激 丨造。 ! 根據本發明的較佳實施例 i法，該物件其中具有複數導 !將物件之第一侧置於一電磁 |與物件之第一侧接觸，在至 !之側邊，惟未與感測器接觸 :感應在導體上，及分析電位 又根據本發明的較佳實施 驟··將物件之第二側置於一 近惟未與第二側接觸，在至 之側邊，惟未與感測器接觸 第二電磁場而感應在元件上 位以判定元件中是否存在缺 : 又根據本發明的較佳實施 磁場，而第二場產生器以一第 或是或者在電氣測試物件之裝 第一激勵器及一第二激勵器， 例，第一激勵器及第二激勵器 差1 8 0度。較佳的，激勵器係 例，條狀元件相對於感測器陣 勵器係由複數點狀激勵器製 又提供一種電氣測試物件之方 體，其較佳的包括以下步驟·· 場，而至少一激勵器接近惟未 少兩個部分正交方向掃描物件 ，感測電位，其藉由電磁場而 以判定元件中是否存在缺陷。 例，該方法也包括以下額外步 第二電磁場，而第二激勵器接 少兩個部分正交方向掃描物件 ’及感測電位之感應，其藉由 ’及义析第一電磁場感應之電 陷。 例，大致同時將物件置於第一

第16頁 496963 丨五、發明說明（12) 及第二電磁場。較佳的，電磁場以不同頻率傳播。額外或 是或者，物件包括一金屬層，而金屬層是接地。 又根據本發明的較佳實施例，物件一個接著一個地置於 |第一及第二電磁場。 根據本發明的較佳實施例又提供一種電氣測試物件之方 !法，該物件具有複數電氣傳導元件及内部傳導層，該方法 |包括以下步驟：將物件置於一電磁場，而至少一激勵器接 近惟未與物件之至少一侧接觸，將物件之内部傳導層接 ：地，掃描物件之至少一側，且未與感測器接觸，及感測電 丨位之感應，其藉由電磁場而在元件上感應，及分析電位以❶ 丨判定元件中是否存在缺陷。 圖式簡單說明 本發明的這些及其他特點與優點可配合附圖及以下較佳 丨實施例的詳細說明而更加明白，其中 丨 圖1是非接觸電氣測試裝置的簡圖，其根據本發明的較 I佳實施例而建構及操作； ' 圖2的是根據本發明第一較佳實施例的簡化BUT以及激勵 器與咸測器的剖視圖’且沿者圖1的線I I - I I看去。 圖3是典型電路的示意電路圖，可當成分離檢測器的一 ^ 部分來使用以形成圖1硬體的一部分； 圖4 A及圖4B是未破裂及破裂導體的簡圖，其整個沿著 B U T的第一表面延伸，而且與其上感測的電位圖作空間接 丨 地： 圖5 A及圖5 B是未破裂及破裂導體的簡圖，其整個沿著

第17頁 496963 1五、發明說明（13) ； BUT的第二表面延伸，而且與其上感測的電位圖作空間接 j 地； 丨 圖6A-6D是未破裂及破裂導體的簡圖，導體具有：一部 分沿著B U T的第一表面延伸，一部分延伸通過其中間部 ：分，及一部分沿著其第二表面外部，且與其上感測的電位 |圖作空間接地； 圖7A-7D是圖6A-6D中未破裂及破裂導體的簡圖，但是測 ；試方向上下相反，而且與其上感測的電位圖作空間接地； 1 圖8A-8C是未破裂及破裂導體的簡圖，導體具有：一部 ：分沿著BUT的第一表面延伸，一部分延伸通過其中間部 _1 !分，及一部分沿著其第一表面外部，且與其上感測的電位 丨圖作空間接地； 圖9A-9C是圖8A-8C中未破裂及破裂導體的簡圖，但是測 !試方向上下相反，而且與其上感測的電位圖作空間接地； ! ! 丨 圖10A及圖10B是兩個非短路及短路導體的簡圖，且與其 丨上感測的電位圖作空間接地； 圖11A及圖11B是圖10A及圖10B中兩個非短路及短路導體 . i 的簡圖，但是測試方向上下相反，且與其上感測的電位圖 | 作空間接地； ^ 圖1 2及圖1 3是兩個替代激勵器配置的示意圖； | 圖1 4是非接觸電氣測試裝置的簡圖，其根據本發明的第 | 二較佳實施例而建構及操作；以及 | 圖1 5是典型電路的示意電路圖，可當成分離檢測器的一 i 部分來使用以形成圖4硬體的一部分。

第18頁 496963 五、發明說明（15) 那一激勵器在BUT 12之上或之下並 較佳的，第一產生器18及第二產斗σ I生器20分別提供的AC信 號是不同的，例如第一產生器1 8向笛 Λ ^ , ρ丄日 J弟一側激勵器1 4，1 6提 供的A C信號是在第一頻率F 1 ，而第— $〜產生器2 2向第二側激 勵器20提供的AC信號是在第二頻率F9 a ,, , ^ _ 卞^。較佳的，第一信號

產生器1 8向各第一侧激勵器1 4，1 β起 L Ό &供的信號其振幅相同 而相位相差1 8 0度。 可了解除了AC信號的頻率不同之外，第一產生哭18及第 二產生器2 2提供的信號其頻率相同 J 但是可以用適當的習 用信號分離技術而互相區分。 當AC電氣激勵信號動作時，第〜及苐二第一側激勵器 U，16及第二側激勵器20即產生電磁場，其激勵關川而 且在BUT12的導體13上感應可測量的電位。陣列24中的各 感測裔2 5可感測導體中感應的電位，較佳的，感測器2 5是 以電容耦合的方式感測電位’或者使用任何其他適當的感 測技術。 較佳的，AC電氣激勵信號具有1 0ΚΗΖ到20MHZ的頻率範 圍，更佳的是在約1 MHZ。第一侧激勵器1 4，1 6最好與 B11T12相同大小，但是通常以0· 2inm-2mm的空氣間隙來分 離，較佳的因為機械限制而儘可能的薄，或是其他適當的 絕緣層。 在本發明的較佳實施例中，BuT 1 2及第二側激勵器2 0最 好大到可置於所有的BUT1 2之下’且線性移動通過感測器 , σ η , Λ <滅丸能將BUT12及激勵器20 陣列24及激勵器1 4，1 6。可了解也月b

496963 五、發明說明（16) 丨 !固定，然而感測器24及激勵器14，16是移動的。其他合併 丨 |也適於用感測器陣列24來掃描BUT1 2。 | 可了解導體13中感應的電位可互相區分，以便可以將感

I !應這些電位的激勵器加以區分，例如以頻率或是多工。 藉由使用指示BUT12上各位置的電位（由感測器25感 測），信號分析器28即在ΜΤ12上的導體13中產生電位的準 丨確表示特性，其指示如導體連續性等，而且包括關於導體 中短路及破裂（產生缺陷）的資訊。 I 信號分析器28向比較器及報告產生器30提供的表示，可 丨提供缺陷報告34以指示BUT 12的導體13中的缺陷的電氣連 ❶ 丨續性（圖1)，如在期望出現連續處失去連續性（導體中的開 口及切傷），以及在不期望出現連續處有過多的連續性（導 1體間的短路）。最好藉由將信號分析器28提供的表示與參 考3 2相比而產生定義報告，以表示含相同設計的非定義印 i刷電路板。 ! i 現在參考圖2，其係簡化BUT12的導體13的典型配置以及丨 激勵器1 4，1 6，2 0與感測器2 5的示意剖視圖，在圖中的例 子，BUT12具有第一表面40及第二表面42(與第一表面40相 |

I 對），且包括數個電氣導體13，包括： ^ ⑴導體5 0，完全沿著第-表面4 0 ; | (2) 導體52，完全沿著第二表面42 ; (3) 第一金屬面54，位於第一表面40與第二表面42之 間，最好在測試時接地； 丨

I (4) 第二金屬面56，位於第一金屬面54與第二表面42之

第21頁 496963 :五、發明說明（17) 間，最好在測試時接地； | (5)導體58，包括第一部分60沿著第二表面42延伸，且 丨 丨經由電鍍通孔62而連接到第二部分64(位於第一金屬面54 I 與第二金屬面5 6之間），其又經由電鍍通孔6 6而連接到第 | 三部分68，其沿著第一表面40延伸； | ! (6)導體，包括第一部分72沿著第一表面40延伸，且 經由電鍍通孔74而連接到第二部分76(位於第一金屬面54 :與第二金屬面56之間），其又經由電鍍通孔78而連接到第 1三部分80，其沿著第一表面40延伸。 可了％可以只有早一金屬面或是多個金屬面’例如在 · BUT中的接地面，電源面或是包覆。通常金屬層不接地， | :所以當激勵BUT時，即產生不接地金屬層及導體的重疊電 i 位的複雜樣態。惟若分離BUT的第一與第二表面的金屬層 j '是接地的’與不會在金屬層中感應電位。此外金屬層通常i 是以非接觸方式’在導體的這些部分上將感測器與導體中 的測量電位隔開，而這些部分位於與感測器相隔的接地金 屬層上。 詳如參考以下圖4A至圖1 1 B所述，第一側激勵器丨4，1 6 激勵導體，其具有在第一金屬面5 4上以及沿著相鄰第一表I 面40延伸的部分，如圖2的導體50，58，70。類似的，第 1 二側激勵器20激勵導體，其具有在第一金屬面56下以及沿丨 著第二表面42延伸的部分，如圖2的導體52，58。在本發 明k诖實施例的一特徵中，藉由在別？的兩側邊上激勵，丨 所有的導體具有至少一部分（不在兩個内部金屬層之間）是

第22頁 496963 五、發明說明（18) |

激勵的，而且在上面感測出電位。 I 可了解感測器2 5也能在導體部分上感測電位，其沿著第 一表面4 0延伸或是向下延伸到與第一金屬面5 4接地。感測 為2 5不能在其他導體部分感測電位，通常在包括多層β ^ 丁 的各層中執行電氣測試時，BUT最好接地。因此通常在圖2 所示方向中作BUT測試之後，會將BUT上下顛倒然後再以第 二表面42相鄰的感測器25作測試。當BUT12在此方向時， 感測器2 5能在導體部分上感測電位，該部分沿著第二表面 延伸’或是延伸到第二金屬面56之下。可了解導體部分 (位於第二金屬面56與第一金屬面54之間））上的電位，通 _ 常當第二金屬面及第一金屬面54接地時，是不能以非接 觸方式感測的。 | ί 也可了解在導體上的電位，其整個以垂直於圖2掃描方 | 向的方向延伸，並不足以感測。因此，在圖2方向中作BUT | 測試後，通常會將B U T旋轉9 0度以便再測試，以使所有的 導體都相對於掃描而旋轉9 0度。因此可了解β UT 1 2的完全 測試最好會使用圖1的裝置4次。 現在參考圖3，其係是分離檢測器2 6 (圖ί )中分離電路 1 2 /較诖實施例的示意電路圖。感測器2 5的輸出送入放大 器12 8，其輸出到第一及第二混波器丨3 〇及丨3 2，其分別從 信號產生器18及22接收各頻率輸入以及以（圖ί)。混波器 13〇及丨32的輸出則分別送入各低通濾波器（LPF)l 34及 136。混波器130及132的輸出是!^電壓，與感測器25的輸 比，而且得到不期望的ac

11111 J

第23胃 496963 !五、發明說明（19) | =頻帶信號，這是頻率分量^與以的混波結果。Lpn34及 丨J將不期望的AC信號部分去♦，且最好經由A/D轉換器 未不）而提供產生之DC電壓（其中之一與頻率η信號相關 :=另一者與頻率F2信號相關）給信號分析器28。較佳的， j ，陣列24的各感測器25中設置分離電路127，然而可了解 i也夠將感測器25的信號多工成較少數目的分離電路Μ?。 ； 第一側激勵器14及16最好產生相同頻率F1的信赛，伯曰 ί其互相可以相差180度。感測器25在任何特殊取樣1置 i蜊的頻率F1信號分量是激勵器14及16在導體13中感應的恭

|仇總和。彳§號分量的大小及相位是依導體相對於第—側. ：勵器及16位置的位置’或者可以用互相同相的方彳 1 \ Hjs 7八屋生 第一側激勵器14，16。 ί 現在參考圖4Α，其顯示是電位（被位於BUT1 2的第—+ :上的感測器25(圖2)所感測）是在典型導體中感應的^面 |圖2的導體50，其沿著第一表面40延伸，這是藉由圖$配令 ;中第一側激勵器1 4，1 6及第二側激勵器2 0產生的電场ρ置 丨在圖4Α中，至少一接地金屬層90如接地面或電源面，= ’ BUT12的第一表面40及第二表面42之間延伸。

圖4Α包括導體50的表示 ...... 一 …- ^1〇( 的空間表示，該電位由激勵器1 4，1 6所感應且由感測$ Γ 感測，這是沿著圖2掃描方向，激勵器1 4與1 6之間中點"' 導體5 0的位置函數，以及激勵器2 0在導體5 0上感應電位# 第二圖丨0 2，這是沿著圖2掃描方向，感測器2 5的導體5 〇 仇置函數。

第24頁 496963

:五、發明說明（20) ~ I 在圖1 0 0中可看出導體5 0是在掃描方向被激勵器1 4，1 6 |以相位相差180度的操作模式來掃描，而激勵器14，16在 |導體50上所感應的電位會快速的從〇上升到值+ ;，且接著 丨減為負值-J，然後快速的旧剡〇。可了解在此圖以及以下 丨各圖中’若激勵器的相位關係相反，與得到的正與負值順 |序也會相反。 | 在圖1 〇2中也可看出，當導體50被位於第一表面40上的 i ，測器25在掃描方向掃描時，激勵器20在導體50上感應的 兒位因為激勵器20未將導體50激勵仍會維持〇，因為它僅 ：在第一表面40延伸，其與第二表面相鄰的激勵器20是以至‘ 接地金屬層90而分離的。 在圖4A中可發現導體5〇是連續的而且沒有破裂。 現在參考圖4B，其與圖4A相同只是與導體150(除了它在 |位置1有破裂外，都與導體50相同）有關。圖4B顯示導體 | 150上感應的電位，沿著圖2環境中的BUT 12的第一表面40 丨延伸’而且是由圖2配置中的第一側激勵器14，16及第二 側教勵器2 0產生的電磁場所感應。在圖4 B中，至少一接地 金屬層190如接地面或電源面，在BUTi2的第一表面40與第 二表面4 2之間延伸。 i 圖4B el括導體150的表示，排列成其上電位的第一圖1〇4 t 的空間表示’該電位由激勵器14，16所感應且由感測器25 j 感測’這是沿著圖2掃描方向，激勵器14與16之間中點的 | I導體150的位置函數，以及激勵器2〇在導體15〇上感應電位 ;的第二圖1 0 6，這是沿著圖2掃描方向，感測器2 5的導體

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^yvyOJ 五、發明說明（21) __ 1 5 0的位置函數。 可看出導體150是在掃 · 差1 80度的操作模式來播二向破激勵器1 4，1 6以相位相 所感應的電位會快速的從::而激勵器14，16在導體15。上 值-】，然後快速的回以二到值:J，且接著減少為負 去，而激勵器1 4，1 6在導乂’ °攸位置1的掃描方向看 從◦上升到值+ J，且接著=上所感應的電位又快速的 減為負值—j，然後在導體〗$ η史诚 快速的回到0。與連續導體^ 、 也5〇相比，可了解破裂導體150中 產生的電位樣態中有明顯且可測量的差。 在圖1 0 6中也可看出’當導體J 5 ◦被感測器2 5在掃描方向 掃描時，激勵器20在導體150上感應的電位因為激勵器2〇 未將導體1 5 0激勵仍會維持0，因為它僅在第一表面4 〇延 伸，其與第二表面42是以至少一接地金屬層19〇而分離 的。因此因為導體150不包括在接地金屬面以下延伸的任 何部分，激勵器2 0會對於檢測導體丨5 〇中的任何破裂產生 作用。 現在參考圖5Α ’其顯示被位於第一表面4〇上的感測器 2 5 (圖2 )所感測的電位，且要在如圖2導體52的典型導體所 感應，其沿著B UT1 2的的第二表面4 2延伸，而且是由圖2配^ 置中的第一側激勵器14，16及第二側激勵器2〇產生的電磁1 場所感應。 | 在圖5Α的實施例中，至少一接地金屬層2〇〇如接地面或 電源面，在BUT1 2的第一表面4〇與第二表面42之間延伸。 圖5Α包括導體52的表示，排列成其上電位的第一圖21〇

第26頁 496963 i五、發明說明（22) :的空間表示’該電位由激勵器1 4，1 6所感應，這是沿著圖 :2掃描方向，激勵器14與16之間中點的導體52的位置函 丨數，以及激勵器20在導體52上感應電位的第二圖212，這 :是沿著圖2掃描方向，感測器25的導體52的位置函數。 | 叮看出$體5 2是在掃描方向被激勵态1 4，1 6以相位相差 180度的操作模式來掃描，而激勵器14，16在導體52上所 ：感應的電位是〇，因為導體52未被激勵器14，16激勵，因 丨為匕僅里邏輯2表面4 2延伸，其與激勵器1 4，1 6是以至少 一接地金屬層200而分離的。

也可看出導體52是在掃描方向被第一表面4〇上的感測器 I 25掃描’而且因為導體5 2不具有任何部分在接地金屬層 2 0 0上延伸’感測器25在導體52上感測的電位都是〇。 ； 可了解為了使圖2的系統能測試導體如導體5 2的連續 :性’ BUT1 2必須上下顛倒再作測試，在此情況下它的特性 I與圖4人中的導體50特性相同。

1 現在茶考圖5B，其與圖量相同只是與導體252(除了它在 位置j有破裂外，都與導體52相同）有關。圖5B圖2環境中 的導體2 5 2感應的電位，沿著BUT12的第一表面42延伸，這 疋由圓2配置中的第一側激勵器14，16及第二側激勵器2〇 產生的電磁場所感應。在圖5B中，至少一接地金屬層3〇〇 如接地面或電源面，在BUT 12的第一表面40與第二表面42 之間延伸。 圖⑼包括導體2 5 2的表示，排列成其上電位的第一圖3 1 4 的空間表示，該電位由第一表面4 0上的感測器2 5所感測，

第27頁 496963 :五、發明說明（23) !由激勵器14, 16所感應，這是沿著圖2掃描方向，激勵器 ;1 4與1 6之間中點的導體2 5 2的位置函數，以及激勵器2 〇在 丨導體252上感應電位的第二圖316，這是沿著圖2掃描方 !向，感測器25的導體252的位置函數。 在圖3 1 4中可看出導體2 5 2是在掃描方向被激勵器1 4，1 6 i以相位相差180度的操作模式來掃描，而激勵器14，16在 導體1 50上所感應的電位是〇，因為導體252未被激勵器 | 14，16激勵，因為它僅量邏輯2表面42延伸，其與第一表 面40是以至少一接地金屬層3〇〇而分離的。 !在316中也可看出導體252是在掃描方向被第一表面4〇上 1的感測器25掃描，而且因為導體252不具有任何部分在接 丨地金屬層30 0上延伸，感測器25在導體352上感測的電位 :是0。 可了解為了使圖2的系統能測試導體如導體2 5 2的連續 丨性，B U T1 2必須上下顛倒再作測試，在此情況下它的特性 ''與圖4B中的導體52特性相同。 因此可了解圖2實施例的系統不提供關於導體破裂的任 何資訊，而導體完全位於第二表面42，或是完全在接地金 屬層3 0 0之下，除非將B U T上下顛倒且再作測試。 、 現在參考圖6A，其顯示典型導體如導體58中感應的電 位，導體58包括第一部分6〇(沿著第二表面42延伸，第' ;部分64(位於接地金屬層4〇〇與第一表面40中間），圖2 丨中的第一側激勵器14，16及第二側激勵器20會產生電磁p 以感應電位，而且第一表面40上的感測器25也能感測該=

496963 五、發明說明（24) 位。 圖6八包括導體58的表示，其中無任何破裂，排列成與激 勵器1 4，1 6感應電位的第一圖42 0作空間結合，這是沿著 中點導體5 8位置的功能，該中點在沿著圖2掃描方向的激 勸器14與16之間，以及排列成與激勵器2〇在導體58上感應 電位的第二圖作空間結合，這是沿著圖2掃描方向及沿著 感測器2 5的導體5 8位置的功能。 、在圖420中可看出導體58是在掃描方向被激勵器14，ι6 Ϊ ^位相差1 8 〇度的操作模式來掃描’而激勵器1 4 ’ 1 6在 導體58上所感應的電位於開始時因為導體58在接地金屬層 4J)0^下延伸都會維持〇。當圖2配置中的感測器25到達第二 刀(其在接地金屬層400之上但是在第一表面40之下延 L = \感_測的電位會快速的從〇上升到第一正值，且接著 τ 弟一 σ卩分6 4的末端時即減為第二正值（其小於第一

Tf t達f三部分68時，感測電位即快速增加到第三 正信的斧-於第一正值），然後回到負值（其振幅大於第一 的中外/ ^ ，然後又快速回到〇。可了解在激勵器1 4，1 6 當激勵器“，16的中測電位的極大強度即小於 ,^ ^ ^ ll “、、占在弟二部分6 8之上時感測電位的極 大強度;因此在相對振幅中產生差。 位圖422 ’可看出因為導體58包括第-部分6〇(其 1勵：'广。「 器2°相鄰的第二側42之上’參考圖2)， 位。由圖422可看出 著導體58的整個長度在導體58中感應一電 ’因為當感測器2 5與這些部分（在接地

496963 五、發明說明（25) 金屬層40 0之上）相鄰時，感測器25僅測量導體“上感應的 電位：而且當感測器25在第一部分6〇之上時不會感測到電 位。當感測器25在第二部分64及第三部分68之上時，可感 測到電位，然而因為第二部分64位於與感測器25相距較^ 的位置所以感’則黾位的振幅小於感測器2 5位於第三部分 6 8之上時感測到的振幅。 、一

現在芩考圖6B ’其與圖6“目同只是與導體‘58(除了它在 位置1，有破衣外，都與導體5 8相同）有關。圖β b顯示圖2環 境中導體458感應的電位。導體458包括··第一部分46〇 (其 沿著第二表面42延伸），第二部分4 64(位於接地金屬層5〇/〇 與苐一表面40中間），及第三部分4 68 (其沿著第一表面4〇 I伸且在圖中的位置i具有一破裂）。圖2配置中的第一側 激勵器14，16及第二側激勵器20會產生電磁場，而且由位 於第一表面40上的感測器25(圖2)感測導體458上的電位。

圖6B包括‘體458的表示，排列成其上電位的第一圖53〇 =空間表示，該電位由激勵器14，16感應，這是沿著圖2 掃描方向，激勵器14與16之間卡點的導體458的位置函 數，以及激勵器20在導體4 5 8上感應電位的第二圖5 32，這 是沿著圖2掃描方向，感測器25的導體458的位置函數。 在圖5 3 0中可看出導體45 8是在掃描方向被激勵器“，16 ^相位相差1 80度的操作模式來掃描，而激勵器1 4，1 6在 ‘肢458上所感應的電位因為導體458在接地金屬層5〇〇下 延伸都會維持〇。當圖2配置中的感測器2 5到達第二部分 464 (其在接地金屬層5〇〇之上延伸）時，感測的電位會快速

第30頁 496963 丨五、發明說明（26) | ；的從0上升到第一正值，且接著於到達第二部分64末端時 | ：即減為第二正值（其小於第一正值）。到達第三部分468 | 丨時，感測電位即快速增加到第三正值（其大於第二正值）， 然後回到負值接著又快速回到位置i的0。由位置i在掃描 方向中，激勵器14，16在導體458上感應的電位會快速的 !從0上升到正值，接著又快速減為負值，然後在導體458末 i端又快速回到0。 可了解與連續導體58中產生的相比，破裂導體4 58中產 丨生的電位樣態中有明顯且可測量的差。 現在參考圖5 32，可看出導體458包括第一部分46 0 (其位0 於與第二側激勵器20相鄰的第二側42之上，參考圖2的配

I !置），導體458沿著其長度感應一電位直到位置k的破裂。 丨由圖532可看出，因為當感測器25與這些部分（在接地金屬 :層500之上）相鄰時，感測器25僅測量導體458上感應的電 :位，而且當感測器2 5在第一部分6 0之上時不會感測到電 位。當感測器25在第二部分464及第三部分468之上時，可 :感測到電位直到位置k。因為位置k的破裂而導致的電氣不 連續，所以第三部分4 6 8的一部分是在掃描方向的破裂之 | 後（其與接地金屬層500之下延伸的導體458的任何部分都 g 不連接），因而不能感應電位。 ！ 現在參考圖6C，其與圖6A相同只是與導體558(除了它在 | 位置1有破裂外，都與導體5 8相同）有關。圖6 C顯示圖2環 丨

I 境中導體5 5 8感應的電位。導體5 5 8包括：第一部分5 6 0 (其 沿著第二表面42延伸），第二部分564(位於接地金屬層600

第31頁 496963 I五、發明說明（27) \ 與第一表面4 0中間），及第三部分5 6 8 (其沿著第一表面4 〇 延伸）。第一部分560在圖中具有一破裂。圖2 g己置中的第 I 一側激勵器14, 16及第二側激勵器20會產生電磁場，而且 丨由位於第一表面40上的感測器25(圖2)感測導體558上的電 丨位。 圖6C包括導體5 5 8的表示，排列成其上電位的第一圖630 !的空間表示，該電位由激勵器14, 16感應，這是沿著圖2 I掃描方向，激勵器14與16之間中點的導體558的位置函 I數’以及激勵器20在導體558上感應電位的第二圖632，這 ；是沿著圖2掃描方向，感測器2 5的導體5 5 8的位置函數。 钃丨 ! 在圖630中可看出導體558是在掃描方向被激勵器14，16 以相位相差180度的操作模式來掃描’而激勵器14，16在 丨導體558上所感應的電位因為導體558在接地金屬層6〇〇下 I延伸都會維持0。當圖2配置中的感測器25到達第二部分 | 564(其在接地金屬層600之上但是在第一表面4〇之下延伸） 1時，感測的電位會快速的從0上升到第一正值，且接著於 到達第_部分5 6 4末端時即減為第二正值（其小於第一正 值）。到達第三部分5 6 8時，感測電位即快速增加到第三正 值且接著到達負值（負值的振幅大於第三正值的振幅），然 :後回到〇。可了解因為位置丄的破裂是在第一部分56〇(其在| 接地金屬層600之下），、關於第一部分56〇中出現破裂的唯 | 一資訊是由第二部分564及第三部分568感測的電位振幅所| i提供。 ；

I ! 現在參考圖632，可看出導體558包括第一部分56〇(其位

496963 I五、發明說明（28) !於與第二側激勵器相鄰的第二側42之上，參考圖2的配 ；置）’雖然位置1中有破裂，仍然在導體558沿著其長度感 應某一電位直到導體的末端。由圖632可看出，因為當感 測為25與這些部分（在接地金屬層6〇〇之上）相鄰時，感測 為2 5僅測量導體5 8上感應的電位，而且當感測器2 5在第一 部分5 6 0之上時不會感測到電位。當感測器2 5在第二部分 5 6 4及第三部分5 6 8之上時，可感測到電位，然而因為位置 i的破裂而減少激勵器2 〇激勵到第一部分5 6 0的有效大小， 與對應的完整導體5 8中感應的電位相比，導體5 6 8中感應 的電位較小。可了解該差異很小且難以測量。 現在參考圖6D，其與圖6A相同只是與導體658(除了它在 位置in有破裂外，都與導體5 8相同）有關。圖6 D顯示圖2環 境中導體658感應的電位。導體658包括：第一部分660(其 |沿著接地金屬層7 0 0下面的第二表面42延伸），第二部分 | 664(位於接地金屬層700與第一表面40中間），及第三部分 I 6 6 8 (其沿著第一表面4 0延伸）。第二部分6 6 4在圖的位置m I處具有一破裂。圖2配置中的第一側激勵器14，16及第二 丨側激勵器20會產生電磁場，而且由位於第一表面4〇上的感 測器25(圖2)感測導體658上的電位。 圖6 1)包括導體6 5 8的表示，排列成其上電位的第一圖7 3 0 丨的空間表示，該電位由激勵器14，16感應，這是沿著圖2 !掃描方向’激勵器14與16之間中點的導體658的位置函 丨數，以及激勵器20在導體658上感應電位的第二圖732，這 \是沿著圖2掃描方向，感測器25的導體658的位置函數。

第33頁 496963 I五、發明說明（29) — 一'〜 在圖730中可看出導體658是在掃描方向被激勵器14，16 丨以相位相差180度的操作模式來掃描，而激勵器14，16在 丨導體658上所感應的電位因為導體658的第一部分66〇在接 :地至屬層700下延伸都會維持〇。當圖2配置中的感測器25 |到達第二部分6 64 (其在接地金屬層7 0 0之上延伸）時，感測 |的弘位會快速的從0上升到較小的第一正值，又減為較小 丨=負值，而其振幅大致與第一正值相同，接著在位置瓜的 |衣處快遠的減為〇。從掃描方向的位置m，感測電位快速 丨诘減，第二較小的第三正值，接著在第二部分6 64的末端 丨带為第二正值。從掃描方向的第三部分668開始處，感測 丨:仇快速增加為第4正值，又減為負值（其振幅大於第4正 I )’接著在導體658末端快速的減為0。 :與連續導體5 8中產生的電位樣態相比，可了解破裂導體 58中產生的電位樣態中有明顯且可測量的差。 現在參考圖732 ’可看出導體658包括第一部分660(其位 ：於與第二側激勵器20相鄰的第二側42之上，參考圖2的配 置）’導體6 5 8在沿著其長度中感應一感應直到位置ιη。由 圖7 3 2可看出，因為當感測器2 5與這些部分（在接地金屬層 7 0 0之上）相鄰時，感測器2 5僅測量導體6 5 8上感應的電 位’而且當感測器2 5在第一部分6 6 0之上時不會感測到電 位。當感測為' 2 5在第一部分6 6 4之上直到位置m時，可感測 到電位。因為位置m的破裂而產生的電氣不連續，且由於 :圖2環境中第二部分6 64的第二部分是在掃描方向位置出的 ;破裂之後’以及第三部分668，其在接地金屬層700之下都 496963 五、發明說明（30) 不會有任何延伸的部分，也不會感應到電位。 與連續導體5 8中產生的電位樣態相比，可了解破裂導體 6 5 8中產生的電位樣態中有明顯且可測量的差。 現在參考圖7A，其包括圖6A中導體58的表示，其中為了 作額外測試而將B U T 1 2上下顛倒。圖2配置中的感測器2 5現 在位於BUT12的第二表面42之上。 圖7A顯示導體58中感應的電位（可參考上述圖6A)，其包 括：第一部分6 0 (其沿著第二表面4 2延伸），第二部分 64(位於接地金屬層400與第一表面40中間），及第三部分 6 8 (其沿著第一表面4 0延伸）。電磁場可感應電位，而該電φ 磁場是由第一侧激勵器1 4，1 6 (現在位於第二表面4 2上面） 及第二側激勵器2 0 (現在位於第一表面4 0下面）所產生，而 且由位於第一表面4 0上的感測器2 5感測。 圖7A包括導體58的表示，排列成其上電位的第一圖740 的空間表示，該電位由激勵器1 4，1 6感應，這是沿著圖2 掃描方向，激勵器1 4與1 6之間中點的導體5 8的位置函數， 以及激勵器2 0在導體5 8上感應電位的第二圖7 4 2，這是沿 著圖2掃描方向，感測器2 5的導體5 8的位置函數。 在圖74 0中可看出導體58是在掃描方向被激勵器14，16 \ 以相位相差1 8 0度的操作模式來掃描，而激勵器1 4，1 6在 導體5 8上感應的電位會快速的從0值變成正值，接著又在 第一部分6 0的末端減為負值（與正值的振幅相同），又快速 I 的回到0 :因為第二部分6 4與第三部分6 8都是在接地金屬 層4 0 0之下，電位仍會雉持0。

第35頁 496963 五、發明說明（31) 因為導體58包括第三部分64(位於與第一側4〇之上），現 在與第二側激勵器20相鄰如圖2的配置所示，激勵器2〇在 | 沿著導體58的整個長度於導體58中可感應到電位。由圖 丨 740可看出，因為當感測器25與這些部分（在接地金屬層 | 400之上）相鄰時，感測器25僅測量導體58上感應的電位， 而且在第一部分60上會感測到電位。當感測器25在第二部丨 分6 4及第三部分6 8之上時，可感測到電位。 現在參考圖7B ’其包括圖6B中導體458的表示，除了因 | 為要作額外測試而上下顛倒以外，以便圖2配置中的感測 丨 器25現在能位於第二表面42之上。 _ 圖7 B顯示導體4 5 8中感應的電位，除了它在位置k包括破I 裂以外，與圖7A中的導體58相同，導體458包括：第一部 i 分460 (其沿著第二表面42延伸），第二部分464(位於接地 j 金屬層500與第一表面40中間），及第三部分468 (其沿著 I BUT12的第一表面40延伸）。位置k的破裂位於第三部分468 | 之中。電磁場可感應電位，而該電磁場是由第一側激勵器| 14，16(現在位於第二表面42上面）及第二側激勵器2〇 (現| 在位於第一表面40下面）所產生，而且由位於第二表面42 丨 上的感測器2 5感測。 _ 圖7β包括導體4 5 8的表示，排列成其上電位的第一圖744 ； 的空間表示，該電位由激勵器14，16感應，這是沿著圖2 掃描方向’激勵器1 4與1 6之間中點的導體4 5 8的位置函 數，以及激勵器20在導體458上電位的第二圖746，這是沿 | 著圖2掃描方向，感測器25的導體458的位置函數。 |

第36頁 496963 五、發明說明（32) 在圖744中可看出導體45 8是在掃描方向被激勵器14，1 6 以相位相差180度的操作模式來掃描，而激勵器14，16在 I 導體4 5 8上感應的電位會快速的從0值變成正值，接著又減 | 為負值（與正值的振幅相同），又在第一部分4 6 0 的末端快 丨 速的回到0。因為第二部分464與第三部分468 都是在接地 | 金屬層5 0 0 之下，感測器2 5感測這些部分的電位仍會維持 0 〇 丨 現在參考圖746，可看出因為導體458包括第二部分 4 6 4 (位於與金屬面6 0 0之下），而第三部分4 6 8 (位於第一側 4 0之下），現在與第二側激勵器2 0相鄰如圖2的配置所示，· 激勵器20在沿著導體45 8的整個長度於導體58中可感應到 i 電位。然而因為位置k的破裂，電位會稍微減少相對於完 |

I 全的第三部分6 8感應的電位（圖7 A )。 i 由圖74 6可看出，因為當感測器與接地金屬層5 0 0上方的 i 那些部分相鄰時，感測器2 5僅測量導體4 5 8上感應的電 i

位，所以在第一部分460上可感測到稍微減少的電位，然 I 而當感測器25在第二部分4 64及第三部分4 68之上時，不會. 感測到電位。可了解分別在圖7A及圖7B配置中被激勵器2 0 ! 感應的電位，之間的差很小，因此很難將這些差異作區 _ — 可了解在圖7A及圖7B的上下顛倒方向中測試時，破裂導 丨 體4 58中產生的電位樣態差異（與連續導體58中感應的電位 i 樣態相比）（即激勵器2 0感應的電位振幅），是很難測量。 丨 現在參考圖7C，其包括圖6C中導體558的表示，除了上 |

第37頁 496963 五、發明說明（33) ^一~^ — 一~----: :顛倒以外，以便圖2配置中的感測器2 5現在能位於MT丨2 第二表面42之上。 圖7C顯示導體5 58中感應的電位，除了它在位置1包括破丨 裂以外，與圖7A中的導體58相同。如上述圖7A所示，導體丨 558包括：第一部分56〇(其沿著第二表面42延伸），第二部| 义564(位於接地金屬層與第一表面4〇中間），及第三部 么5 6 8 (其沿著第一表面4 〇延伸）。位置k的破裂位於第一部 分560之中。電磁場可感應電位，而該電磁場是由第一側 i 激勵器14，16(現在位於第二表面42上面）及第二側激勵器I 20(現在位於第一表面4〇下面）所產生，而且由位於第二表_ j 面4 2上的感測器2 5感測。 丨 圖7C包括導體5 5 8的表示，排列成其上電位的第一圖748 ；

的空間表示，該電位由激勵器14，16感應，這是沿著圖2 I 掃描方向，激勵器14與16之間中點的導體558的位置函 I 數，以及激勵器20在導體558上電位的第二圖750，這是沿 丨 著圖2掃描方向，感測器25的導體558的位置函數。 i 在圖74 8中可看出導體558是在掃描方向被激勵器14，16 | 以相位相差180度的操作模式來掃描，而激勵器14，16在 \ 導體5 5 8上感應的電位會快速的從0值變成第一正值，接著^ 又減為負值（與第一正值的振幅相同），然後在位置1快速 的回到0。從位置1在圖2所示掃描方向中，激勵器14，16 ' 在導體5 5 8上感應的電位又快速的從0上升到第一正值，接 著又減為負值，然後在第一部分5 6 0的末端快速的回到〇。 j 因為第二部分564與第三部分568都是在接地金屬層600之 丨

第38頁 496963 五、發明說明（34) ----： 下，其中測量的電位仍會維持〇。 ，在參考圖750，可看出因為導體5 5 8包括豸二部分5"卜 及弟=部分5 68 (都在接地金屬層6〇〇之下），現在與第二側丨 激勵器20相鄰如圖2的配置所示，激勵器20在導體558中會I· 感應到電位。然而如圖75〇所示，因為位置1的破裂，在圖i 2掃描方向從第一部分56〇的開始直到位置1的破裂，底部 激勵器20都不會感應電位。因為當感測器25與這些部分 丨 (在接地金屬層600之上）相鄰時，感測器25僅測量導體558 | 上感應的電位。在圖2掃描方向從位置1的破裂開始直到第 | 一部分5 6 0的末端，僅在第一部分5 6 0上感測到電位。當感· 測器25在第二部分564及第三部分568(其在接地金屬層600 |

I 下面）之上時，不會感測到電位。 與連續導體58中產生的電位樣態相比’可了解根據感測 丨 器25的感測，破裂導體558中產生的電位樣態中有明顯且 ！ 可測量的差。 現在參考圖7D，其包括圖61)中導體658的表示’除了上 \ 下顛倒以外，以便圖2配置中的感測器2 5現在位於B U T 12 \ 的苐二表面42之上。 ： 圖7D顯示導體6 5 8中感應的電位’其與圖的導體58相 _ 同除了它包括位置m的破裂之外。如上述圖7A所示，導體 6 5 8包秸：第一部分6 6 0 (其沿著第二表面4 2延伸），第二部 分6 6 4 (位於接地金屬層6 0 0與第一表面4 0中間）’及第三部 分668(其沿著第一表面40延伸）。第二部分664的位置m顯 i 示有破裂，電磁場可感應電位，而該電磁場是由圖2配置

496963 五、發明說明（35) 中的第一侧激勵器14，16及第二側激勵器20產生，而且由丨 位於第一表面40上的感測器25(圖2)感測導體658上的電 丨. :位。 丨

I 圖7D包括導體6 5 8的表示，排列成其上電位的第一圖75 2 ! ;的空間表示，該電位由激勵器14, 16感應，這是沿著圖2 | 丨掃描方向，激勵器14與16之間中點的導體658的位置函 丨數’以及激勵器20在導體658上感應電位的第二圖754，這

; I :是沿著圖2掃描方向，感測器25的導體658的位置函數。 在圖7 5 2中可看出導體6 5 8是在掃描方向被激勵器1 4，1 6 | :以相位相差180度的操作模式來掃描，而激勵器14，16在鱗 \導體658上感應的電位會快速的從0值變成第一正值，接著 ：又減為負值（與第一正值的振幅相同），然後在第一部分 丨660末端快速的回到〇。因為第二部分664與第三部分668都 • ! 是在接地金屬層600之下，測量的電位仍會維持〇。 | 參考圖754，可看出導體658包括第二部分664(位於與金| !屬面600之下）及第三部分664 (位於第一表面40之上），現i 在與第二側激勵器20相鄰如圖2的配置所示。第二部分664 | 的位置πι顯示有破裂。在圖2掃描方向沿著第二部分664的 | 第一部分中，激勵器20在導體658感應到較小的電位，而 ^ 且與第一部分6 6 0相鄰時，感測器2 5會感測到此較小電 — 位。在圖2掃描方向的第二部分664的第二部分中也會感應 丨 到電位，而且在第三部分668(然而當感測器25在這些部分 ；

之上而且在接地金屬層600之下）中不會感測到電位。 I 可了解當圖6 D的導體6 5 8在圖7 D的上下顛倒方向中测試 |

第40頁 496963 五、發明說明（36) 時’破裂導體6 5 8中產生的電位樣態差異（與圖7A方向中連 續導體5 8產生的電位樣態相比）（即激勵器2 0感應的電位振 幅）’是很難測量。 現在參考圖8A，其顯示典型導體如導體770中感應的電 位’其包括：第一部分772 (其沿著第一表面40延伸），第 二部分7 7 6 (位於接地金屬層8 0 0與第二表面4 2中間），及第 二部分780(其沿著BUT12的第一表面40延伸）。電磁場可减 應電位，而該電磁場是由圖2配置中的第一侧激勵器1 4， 1 6及第二側激勵器2 〇產生，而且由位於第一表面4 〇上的感 測器2 5感測。 圖8A包括導體7 70的表示（其不具有任何破裂），排列成 ，、上兒位的第一圖8 3 0的空間表示，該電位由激勵器1 4， 1 6感應，這是沿著圖2掃描方向，激勵器丨4與丨6之間中點 的導體m的位置函數，以及激勵器2〇在導體77〇上感應電 ^的弟一圖8 3 2 ’這是沿著圖2.掃描方向，感測器25的導體 广7 0的位置函數。 ，圖83Ή看出導體77Q是在掃描方向被激勵⑽，16 w H相差1 8 0 &的操作模4來掃4苗’而激勵器1 4，1 6在 :k f _' 〇上感應的電位會快速在第一部分7 7 2開始處變成正 接著在第—部分772末端減為G。ϋ為第二部分776在 二地五/¾層8 0 0之下’雖然感測器2 5在第二部分7 7 6上面仍 个會咴測到電位，而電位值仍維持〇 3 八、、㊣％在圖2所不的掃描方向中，當感測器2 5到達第三部 刀7 8 0 d宁，電位即減為負值然後在第三部分7 8 〇的末端變成

第41頁 496963 丨五、發明說明（37) 0 0 \ _ | 參考圖832，可看出因為導體770包括的第二部分776(其 丨 :位於與第二側激勵器2 0相鄰的接地金屬層8 0 0之下，如圖2 | 的配置所示），所以由激勵器2 〇在沿著導體7 7 〇的整個長度 丨 在導體77 0中感應—較小電位。如圖8 3 2所示，因為當感測 ；為25與這些部分（在接地金屬層8〇〇之上）相鄰時，感測器 丨 i :25僅測量導體770上感應的電位，而且當感測器25在第一 I部分口2及第三部分780之上時會感測較小電位。因為第二 丨部分776在接地金屬層8〇〇之下，當感測器25在ΒΙΠΊ2的第 二部分7 7 6之上時不會感測到電位。 _ 丨 現在參考圖8B，其與圖8A相同只是與導體870(除了它在 1位置n有破裂外，都與導體70相同）有關。圖8B顯示圖2環 丨境中導體870感應的電位。導體870包括：第一部分870(其丨 沿著第一表面40延伸且在圖中有破裂），第二部分876(位 ： ! ；於接地金屬層900與第二表面42中間），及第三部分880 (其 | 丨沿著第一表面40延伸）。電磁場可感應電位，而該電磁場 i 是由圖2配置中的第一側激勵器14，16及第二側激勵器20 \ \ :產生，而且由位於第一表面40上的感測器25感測。 i 圖8B包括導體870的表示，排列成其上電位的第一圖930 ! 的空間表示，該電位由激勵器1 4，1 6感應，這是沿著圖2 ® :掃描方向，激勵器14與16之間中點的導體870的位置函 ！ 數，以及激勵器20在導體870上感應電位的第二圖932，這 | 是沿著圖2掃描方向，感測器25的導體870的位置函數。 | 在圖930中可看出導體870是在掃描方向被激勵器14, 16丨

第42頁 496963 五、發明說明（38) —---------— 以相位相差1 8 0度的操作模式來掃描，而激勵器丨4 導體8 7 0上感應的電位會快速的變成第一正值，接著在 為負值，然後在位置η的破裂回到〇。在圖2掃描方向=減 置η，導體8 7 0上的電位快速的變成第二正值，又減為^位! 正值，而且在第一部分8 72的末端快速的變成〇。因為==| 部分876在接地金屬層900之下，雖然感測器25在第二部^

7 7 6之上仍不會感測到電位，而且電位仍維持〇。在圖2掃7 | 描方向的第三部分880開始處，電位快速的變成第三正V 值，接著減為負值，且在第三部分8 8 0的末端快速的增加 I 成為0。 j 參考圖932，可看出因為導體870包括的第二部分876(其丨 位於與第二側激勵器20相鄰的接地金屬層90〇之下，如圖2 的配置所示），所以由激勵器20在沿著導體870，從位置η ； 的破裂直到第三部分8 8 0的末端，在導體8 7 0中感應一較小 電位。如圖832所示，因為位置η的破裂而導致的電氣不連 \ 續，所以在第一部分872沿著掃描方向一直到位置η的破 裂，都不會感應到電位。當導體870與接地金屬層900上的 丨 那些部分相鄰.時，感測器2 5可測量導體8 7 0上感應的電 ' 位，當感測器2 5在第一部分8 7 2 (在掃描方向的位置η之後）_ 及第三部分8 8 0之上時，會感測一較小電位。因為第二部 分8 76在接地金屬層900之下，當感測器25在BUT 12的第二 部分8 了 6之上時，不會感測到電位。 現在參考圖8C，其與圖8A相同只是與導體970(除了它在 位置◦有破裂外，都與導體7 7 0相同）有關。圖8 C顯示圖2環

496963 丨五、發明說明（39) j 境中導體970感應的電位。導體970包括：第一部分972(其 | 沿著第一表面40延伸），第二部分976(位於接地金屬層 ί 丨1 0 0 0與第二表面4 2中間，且在圖中的位置◦有破裂，及第 三部分980(其沿著第一表面40延伸）。電磁場可感應電 | 丨位，而該電磁場是由圖2配置中的第一側激勵器14，16及 i ：第二側激勵器20產生，而且由位於第一表面40上的感測器 i 2 5感測。 丨

： . I 圖8C包括導體970的表示，排列成其上電位的第一圖 丨1030的空間表示，該電位由激勵器14，16感應，這是沿著 i ί圖2掃描方向，激勵器14與16之間中點的導體970的位置函❿ 丨數，以及激勵器20在導體970上感應電位的第二圖1032， | 這是沿著圖2掃描方向，感測器25的導體970的位置函數。i 在圖1030中可看出導體970是在掃描方向被激勵器14， ； 1 6以相位相差1 8 0度的操作模式來掃描，而激勵器1 4，1 6 ! :在導體9 7 0上感應的電位會在第一部分9 72的開始快速的變 丨 丨成正值，接著又減為負值，然後在第一部分972的末端回 丨 到0。因為第二部分976在接地金屬層1000之下，雖然感測 器25在第二部分976之上仍不會感測到電位，而且電位仍 維持0。仍在圖2所示的掃描方向中，當感測器2 5到達第三_ 部分9 8 0時，在第三部分9 8 0開始處電位快速的變成負值，： 接著在第三部分9 8 0的末端快速的回到0。 丨 參考圖1032，可看出因為導體970包括的第二部分976 ； (其位於與第二側激勵器20相鄰的接地金屬層1000之下， |

I 如圖2的配置所示），所以由激勵器20在位置〇破裂的任一

第44頁 496963 :五、發明說明（40) :側沿著導體都在導體9 7 0中感應一較小電位。如圖1〇32所 !示，因為當感測器與破裂1000上的那些部分相鄰時，感測 I器25僅測量導體970上感應的電位，當感測器25在第一部 丨 !分972及第三部分980之上時，會感測一較小電位。因為第 丨二部分976在接地金屬層1000之下，當感測器25在BUT 12的 I第二部分9 7 6之上時，不會感測到電位。 丨 | j I 現在參考圖9A，其包括圖8A中導體770的表示，其中為 i 了作額外測試而將BUT12上下顛倒。圖2配置中的感測器25 現在位於BUT12的第二表面42之上。 圖9A顯示導體770中感應的電位（可參考上述圖8A)，其 · |包括·第一部分了72(其沿著第一表面4〇延伸），第二部分 | 776(位於接地金屬層800與第二表面42中間），及第三部分 780(其沿著BUT12的第一表面40延伸）。電磁場可感應電 位’而滅電磁場是由第一側激勵器1 4 ,；[ 6 (現在位於第二 1表面42上面）及第二侧激勵器20(現在位於第一表面4〇下 |面）所產生，而且由位於第二表面42上的感測器25感測。 圖9 A包括導體7 7 0的表示（其無任何破裂），排列成其上 電位的第一圖1 0 4 0的空間表示，該電位由激勵器丨4，丨6感| 應，這是沿著圖2掃描方向，激勵器丨4與丨6之間中點的導 | 體7 70的位置函數，以及激勵器2〇在導體77〇上感應電位的$ 第二圖1 0 4 2 ’這是沿著圖2掃描方向，感測器25的導體77〇 ： 的位置函數。 丨 在圖1040中可看出導體了7〇是在掃描方向被激勵器丨4， ! 16以相位相差180度的操作模式來掃描，因為第一部分772

第45頁 496963 五、發明說明（41) ;在接地金屬層800之下，當它在第一部分772之上時，感測 丨器25在導體770上感測的電位是〇。當感測器25到達第二部| ;分776時’感測的電位值即快速的變成正值，接著減為負 i |值’又在第二部分7了6的末端快速的回到0。可了解當感測| 為在第二部分776之上時，導體770中感應及感測到的電位 丨會衰減，因為第二部分776在第二表面42之下而非之上。 j j i因為第三部分780在接地金屬層800之下，從第三部分780 的開始電位的感測值都是〇。 j I 參考圖1042，可看出因為導體770包括在第一側40之上 I的第一部分772及第三部分78 0 (其現在與第二侧激勵器2〇 0 相鄰，如圖2的配置所示），所以激勵器2 〇沿著其整個長度 在導體770中感應到電位。如圖1〇42所示，因為當感測器 2 5與破裂8 0 0上的那些部分相鄰時，感測器2 5僅測量導體 | 770上感應的電位，而且僅在第二部分776上感測到電位， |然而因為第一部分776在第二表面42之下而非之上，所以 !此電位較小。當感測器25在第二部分772及第三部分780之| 上時’因為這些部分在接地金屬層800之下，所以不會感 | 測到電位。 | 現在參考圖9B，其包括圖8B中導體870的表示，除了上 ▲ :下顛倒以外，以便圖2配置中的感測器2 5現在位於BUT 1 2的1 丨第二表面42之上。 i 圖9B顯示導體870中感應的電位，其與圖9A的導體770相| 同除了它在位置η包括一破裂以外。如上述圖9 A所示，導 ；體870包括：第一部分872(其沿著第一表面40延伸且在圖

第46頁 496963 五、發明說明（42) —-- ； 中的位置η有破裂，第二部分8 76 (位於接地金屬層8〇〇與第 二表面42中間），及第三部分880 (其沿著第一表面4〇延 伸）屯磁场可感應電位，而該電磁場是由第一側激勵器 1 4 1 6 (現在位於第二表面4 2上面）及第二側激勵器2 0 (現 在位於第一表面40下面）所產生，而且由位於第二表面42 上的感測器2 5感測。 圖9Β包括導體8 7 0的表示，排列成其上電位的第一圖 1 0 4\的空間表不，該電位由激勵器丨4，1 6感應，這是沿著 圖2知柢方向，激勵器丨4與丨6之間中點的導體υ 〇的位置函 ί θ以，激勵為2 〇在導體8 7 〇上感應電位的第二圖1 0 4 6， Ψ 达疋/口著圖2掃描方向，感測器25的導體87〇的位置函數。1 在圖1G44中可看出導體87G是在掃描方向被激勵器14， :相位相差1 8 0度的操作模式來掃描，目為第一部分8 7 2 金屬層800之下’當它在第—部分8 72之上時，感測 :在導體870上感測的電位是〇。當感測器⑵到達第二部 =8 76時感測的電位值即快速的變成正值，接著減為負 2在第一部分8 76的末端快速的回到〇。彳了解當感測i A苐一邛刀8 7 6之上時，導體8 7 0中感應及感測到的電位| ΰ农，丄因為第二部分876在第二表面42之下而非之上。』 :為弟三部分在接地金屬層之下，從第三部分88〇的開始φ 电位的感測值都是〇。 丨 ，考圖1046，可看出因為導體8 70包括在第一側4〇之上| #分872及第三部分88ΰ(其現在與第：侧激勵器20 | 目郴，如圖2的配置所示），所以激勵器2〇在導體87〇中感|

第47頁 496963 五、發明說明（43) 應到笔位。如圖1 0 4 6所示，因為當感測器2 5與破裂⑽〇上| 的那些部分相鄰時，感測器2 5僅測量導體8 7 〇上感應的電 位’而且僅在第二部分8 7 6上感測到電位，然而因為第二 部分8 7 6在第二表面4 2之下而非之上，所以此電位較小， 而且因為位置η的破裂而使可在導體87〇上增加電位的第一 部分872長度減少，所以衰減更多。當感測器25在第二部 分8 72及第三部分88〇之上時，因為這些部分在接地金屬層 8 0 0之下，所以不會感測到電位。 現在參考圖9C，其包括圖8C中導體97〇的表示，除了上 下顛倒以外，以便圖2配置中的感測器25現在位於训71 2的_ 第二表面42之上。 i

I 一圖9C顯示導體9 70中感應的電位，其與圖^的導體77〇相 同除了匕在位置〇包括一破裂以外。如上述圖9A所示，導 體9 70包# :第一部分9 72 (其沿著第—表面4()延伸且在圖 中的位置η有破裂，第二部分9 76 (位於接地金屬層1〇〇〇與 苐二表面42中間且在圖中的位置◦有破裂）， ，，沿著第一表面4◦延伸）。電磁場可感應電弟位一二刀該 電磁％是由第一側激勵器14，16(現在位於第二表面42上 面）及第二側激勵器20 (現在位於第一表面4〇下面）所產 生’而且由位於第二表面4 2上的感測器2 5感測。 · 圖9 C包括導體9 7 0的表示，排列成其上電位的第一圖 丨 1 0 4 8的空間表示，該電位由激勵器1 4，1 6感應，這是沿著| 圖2掃描方向，激勵器14與16之間中點的導體970的位置函！ 數’以及激勵器2 0在導體9 7 0上感應電位的第二圖1 〇 5 0，

第48頁 496963 五、發明說明（44) ^ 一'-- 这疋沿著圖2掃描方向，感測器2 5的導體9 7 〇的位置函數。 在圖1048中可看出導體97〇是在掃描方向被激勵器14， 6 =相位相差】80度的操作模式來掃描，因為第一部 在接地金屬層1000之下，告— ”、 2 、、即口口、 田匕在弟一部分972之上時，减 ’态2 5在導體9 7 0上感測的带 j n 心 口「）分9 7 6時，感測的電位值g 币— i 值即陕速的受成正值，接著減為 貝值，又在位置〇的破裂椒、志 仿罢^ ^ ^ a 决速的回到0。從圖2掃描方向的 位置〇的破裂處開始，减測沾命 也 、、士、* ^ ，則的電位快速的變成正值，接著 减為負值，又在第二部分9 7 者 ’6的末知快速的回到0。從第二 4分9 8 0的開始，因為第：邱八Q s 〇产以 ~ ~示—邛分980在接地金屬層1000之 下，所以電位的感測值是〇。 參^圖1G50，可看出因為導體97〇包括位於第一側4〇上 =的弟一部分9 72及第三部分98〇 (現在與與第二側激勵器 ，相鄰如圖2的配置所不），所以由激勵器2 〇沿著位置◦破 衣的任一側在導體9 7 0中感應到電位。如圖丨〇 5 〇所示，因 為當感測器與破裂1 0 0 0上的那些部分相鄰時，感測器2 5僅 /貝J里導體9 7 0上感應的電位，僅在第二部分9 了 6上感測到電 位，然而因為第二部分9 76在第二表面42之下而非之上， 所以此電位較小。從圖2方向的第二部分9 76的開始處，感 測的電位快速的變成第一正值，接著在位置〇的破裂處快 速的減少，又快速的增加為正值，接著在第二部分976的 末端快速的回到0。可了解在位置〇的破裂的任一侧上的電 位樣態，是可以互相區分的，而這是破裂大小的函數。因 為感測器25在第一部分9 72及第三部分98〇之上，且因為這

第49頁 496963 ;五、發明說明（45) 些部义在接地金屬層1 〇 〇 〇之下，所以不會感測到電位。 現在參考圖10A，圖10B，圖11A及圖11B，其說明圖丄裝 '置的操作以檢測圖2環境中BUT 1052上導體之間的短路。 現在參考圖10A，其顯示典型導體如圖2的導體58，7〇中 感應的電位，導體1058包括：第一部分1〇6〇(其沿著

;BUT1052的第二表面1〇42延伸），通孔1〇62(接在第一部分 丨1 0 6 0及第二部分1〇64之間，且位於接地金屬層1 0 54與1〇56 |中間），第三部分1 0 6 8 (其沿著BUT 1 0 5 2的第一表面1 040延 I伸）。導體1 0 70包括：第一部分1 0 7 2 (其沿著第一表面1〇4〇 :延伸），第二部分1076(在接地金屬層1〇54與1056中間）， :通孔1 0 78 (接在第二部分1 0 76及第三部分1〇80之間，其沿 著第一表面1040延伸）。電磁場可感應電位，而該電磁場 :是由第一側激勵器1 4，1 6及第二侧激勵器2 〇所產生，而且 由位於第一表面1 〇 4 0上的感測器2 5感測。 圖10A包括導體1058，1070的表示（其無任何破裂），而 且其並非互相短路而是排列成導體1〇58，1〇7〇上電位的第 一圖1030的空間表示，該電位由激勵器14，μ感應，這是 沿著圖2掃描方向，激勵器1 4與1 6之間中點的導體1 q 5 8，

1 0 7 0的位置函數，以及激勵器2 〇在導體1 〇 5 8，！ 〇 7 〇上感應 電位的第二圖1132，這是沿著圖2掃描方向，感測器25的& 導體的位置函數。 在圖1130中可看出導體1 0 5 8，1 0 7 0是在掃描方向被激勵 為1 4 ’ 1 6以相位相差1 8 0度的操作模式來掃描，而激勵器 1 4 ’ 1 6在導體1 0 7 0上感應的電位會快速在第一部分1 〇 了 2開

第50頁 496963 五、發明說明（46) 始，變成第-正值，接著在第一部分1〇72末端減為〇。因 為第邛77 1 0 7 6在接地金屬層1 〇 5 4之下，雖然感測器2 5在 第二，+分1 0 76上面仍不會感測到電位，而電位值仍維持在 0遽’在圖2所不的掃描方向巾，當感測器2 5到達第三 刀1 08 0恰，弘位即從〇減為負值然後在第三部分^ 〇8〇的末 鳊义成0。接著在圖2掃描方向中繼續，因為導體丨〇 5 8的第 二部分1 0 64在接地金屬層1〇54之下，會維持〇值直到感 器25到達導體1058的第三部分1〇6δ，在此點它快速的增加 到正值，接者減為負值，又在導體丨〇68的末端快速的增加 到0。 麥考,1 1 3 2，可看出因為只有導體丨〇 5 8的第一部分丨〇 6 〇 而不是導體1 0 7 0部分在接地金屬層1〇54，1〇56之下，激勵 為2 0僅在導體1 〇 5 8上感應到電位如圖丨1 3 2所示。 現在^參考圖10Β ’其與圖ι〇Α相同除了導體1158，117〇在 位置s是互相短路以外。圖丨〇 β顯示圖2環境中導體1 1 5 8中 感應的電位。如上所述，導體丨丨58包括：第一部分 1 1 60(其沿著第二表面1〇42延伸），通孔丨162(接在第一部 分1 1 6 0與第二部分1 1 6 4之間，且位於接地金屬層丨丨5 4與 1 156中間）’及第三部分丨168(其沿著第一表面1〇4〇延 伸）。導體U70包括：第一部分1172(其沿著第一表面1〇4〇 延伸），第一部分1176(在接地金屬層ίο”與1056中間）， 迺孔1 1丨8 (接在第二部分1 1 7 6與第三部分1 1 8 〇之間，其沿 著第一表面1040延伸）。導體Π58，1170在導體1158的通 孔1 1 6 2與導體1 1 7 0的通孔1 1 7 8之間的位置s處短路。

III

496963 五、發明說明（47) ' ~~~一~ 電，場可感應電位，而該電磁場是由第一側激勵器14 , 16及第二側激勵器2〇所產生，而且由位於第一表面1〇4〇上 的感測器2 5感測。 圖包括^體1 158，1170的表示，其排列成導體上電 丨位的=一圖Lfc〇的空間表示，該電位由激勵器14 ,16感 應，這是沿著圖2掃描方向，激勵器14與16之間中點的導 丨體的位置函數，以及激勵器2〇在導體1158，117〇上感應電 ：位的第二圖1 23 6，這是沿著圖2掃描方向，感測器25的導 I體的位置函數。 I 現在參考圖，其包括圖10A中導體1058，1070的包 丨括’而其中為了額外測試而將BUT1 2上下顛倒。圖2配置中 丨的感測器25現在位於BUT 1 0 5 2的第二表面1 042上面。 ' 圖11A顯示導體1058，1070中感應的電位，如參考上述 圖1 〇 A所示，導體1 〇 5 8包括：第一部分1 〇 6 〇 (其沿著第二表 丨面1042延伸），通孔1〇62(接在第一部分1160與第二部分 丨1 1 6 4之間，且位於接地金屬層1 〇 5 4與1 0 5 6中間），及第三 部分1 0 6 8 (其沿著第一表面1 〇 4 0延伸）。導體1 0 7 0包括：第 一部分1 0 72 (其沿著第一表面1 04 0延伸），第二部分 1 0 7 6 (在接地金屬層1 〇 5 4與1 〇 5 6中間），及通孔1 0 7 8 (接在 第二部分1 0 7 6與第三部分1 〇 8 0之間，其沿著第一表面1 〇 4 〇 延伸）。電磁場可感應電位，而該電磁場是由第一側激勵 丨器1 4 ’ 1 6及第二側激勵器2 0所產生，而且由位於第二表面 1 0 4 2上的感測器2 5感測。 圖Η A包括完整導體1 〇 5 8及非短路導體1 0 7 0的表示，排

第52頁 496963 i五、發明說明（48) | 列成^體1058 ,1070上電位的第一圖1238的空間表示，該| :電位/激勵1§14，16所感應且由感測器25感測，這是沿著丨 圖2掃彳田方向，激勵器14與16之間中點導體的位置函數， |以及激勵器20,導體1 0 5 8，1 0 70上感應電位的第二圖 I 1 2 4 0 ’這是沿著圖2掃描方向，感測器2 5的導體的位置函 丨數。

在圖1 2 3 8中可看出導體1 〇 5 8，1 〇 7 〇是在掃描方向被激勵 器14，16以相位相差18〇度的操作模式來掃描，而激勵器 | 14, 16在導體1070上感應且被感測器25測量的電位會快速 |的在第一部分1 〇 6 0的開始處變成正值，且掊荖请為$值， 丨以及在第一部分mo的末端快速的增力：。=負二 丨導體1058的第二部分1064及第三部分1〇68是在接地金屬層 丨1054之下’所以當感測器在第二部分1〇64及第三部分1〇68 丨之上4，相對於激勵姦14，16感應的電位不會感測到電 |位。也可看出因為導體1070完全在接地金屬層1〇54之下， |當BUT 1 0 52以上下顛倒方向測試時，激勵器14，u不會激 1勵它。 現在參考圖1 240，可感測入因為導體1〇58包括在接地金 :屬層1056下面的第三部分1068，所以激勵器2〇會激勵導體 丨1058。在掃描方向掃描BUT1052時，當感測器25在第一部 分1 0 6 0之上時，激勵器2 0感應的電位會被感測器2 5感測。 因為導體1 0 5 8的第二部分1 0 64及第三部分1 0 6 8在接地金屬 層1054之下’當在這些部分之上時，感測器25不會感測到| 電位。因為所有的導體1070都在接地金屬層1 054之下，所i

第53頁 496963 :五、發明說明（49) 以導體1 0 7 0感應到的電位不會被感測器2 5感測。 現在參考圖1 1 B ’其與圖1 〇 B相同但是與以上下顛倒方向 :作測試的BUT 1 0 52測試有關，如圖11A所示。圖11B短路以 外。圖10B顯示導體1158，1170中感應的電位其在位置t互 相短路。參考上述圖1 〇 B，導體丨丨5 8包括··第一部分 :1 160(其沿著第二表面丨042延伸），通孔11 62(接在第一部 刀1160與弟一部分1164之間’且位於接地金屬層1154與 ;11 56中間），及第三部分丨丨68(其沿著βυτι 〇52的第一表面 :1040延伸）。導體1170包括：第一部分1172(其沿著第一表 面1040延伸），第二部分ιΐ76(在接地金屬層1〇54與1056中參 間）’通孔1 1 78(接在第二部分1 1 76與第三部分1 180之間，| 丨其沿著第一表面1040延伸）。導體1158的通孔1162與導體 | 1170的通孔1178之間的位置t處短路。電磁場可感應電 | 位’而遠電磁場是由第一側激勵器1 4，1 6及第二側激勵器 丨 20所產生，而且由位於第二表面1〇42上的感測器25感測。丨 圖包括導體1158，1170的表示，其排列成導體上電 丨 位的第一圖1242的空間表示，該電位由激勵器14，16感 i 應’ a疋沿著圖2掃描方向，激勵器14與16之間中點的導 丨 體的位置函數，以及激勵器2〇在導體1158，1170上感應電▲ 位的第二圖1 244 ’這是沿著圖2掃描方向，感測器2 5的導t 體的位置函數。 在圖1242中可看出導體1158，1170是在掃描方向被激勵| 為14 ’16以相位相差180度的操作模式來掃描，而激勵器 丨 14 1 6在導體1 1 5 8上感應且被感測器2 5測量的電位會快速|

I

第54頁 496963 五、發明說明（50) 的在第一部分11 6 0的開始處變成正值，接著減為負值，以 及在苐一部分1 1 6 0的末端快速的增加到〇。可看出因為導 體11 58的第二部分11 64及第三部分11 68是在接地金屬層 1 1 5 6之下，所以當感測器在第二部分丨丨64及第三部分丨丨6 8 之上日^ ’相對於激勵器1 4 ’ 1 6感應的電位不會感測到電 位。也可看出因為導體1170完全在接地金屬層之下， 當BUT 1 0 5 2以上下顛倒方向測試時，激勵器丨4，丨6不會激 勵它。 現在參考圖1 244，可感測入因為導體1158包括在接地金 屬層1 1 5 4下面的第三部分π 6 8，所以激勵器2 〇會激勵導體 1 1 5 8。者％描方向掃描β u T1 0 5 2時，當感測器2 5在第一 邰7刀1 0 6 0之上時，激勵器2 〇感應的電位會被感測。因為導 體1 1 5 8的第二部分1 1 6 4及第三部分1 1 6 8在接地金屬層1 1 5 6 之下，當它在這些部分之上時，感測器25不會感測到電 位。因為所有的導體1170都在接地金屬層1154之下，所以 導體1 1 7 0感應到的電位不會被感測器2 5感測。 示，感測到短路的導體1 1 5 8 可了解以上下顛倒方向測試Βϋτ1〇54時，短路導體 1 1 5 8，1 1 7 0產生的電位樣態大致與非短路導體1 〇 5 8，1 π 〇 產生的電位樣態相同。因此為了在BUT 1 0 54中識別短路， 必須以右側向上的方向執行電氣測試，#中如圖ι〇β所 ’ 1 1 7 0與圖1 0 Α的非短路導體 1058，1 0 70相比，會有明顯且不同的電位樣態。 大致可了解上述各種MT配置的測試結果的範例並不咅 欲包括所有可測試的BUT配置及㈣，反 I五、發明說明（51) 〜----~~_ 5式可能, •範例。因此為了達成穿令右六非 試，如電氣令丨U 战凡王有力的非接觸電氣測 丨陷，BUT最好曰能測試MT中内部金屬層之間及上面的缺 1試，如作激ιΓ使用上述裝置及方法來作非接觸電氣測 :側作激勵'，以ί感測，包括從至少一感測器向術的同-丨的相對側作^應導 電位；從至少—感測器向而 1序向W的可感應導體中的電位；以及同時或循 丨激勵（較佳）lf激勵及/或測試。*同時向謝的兩側作 丨接近m時Ρ的激勵即可感應電位，當感測到電# ：(BUT. ^ ,即能在（βυτ第一側相鄰激勵器感應的電f (βυ弟二側相鄰激勵器感應的電位）之間作區分w位）輿 11可以是but相對側上作激勵，同時在i — Λ Λ測，測到βυτ。謝相對側上的激勵是可^同'日， 或循序發生。BUT兩側上的激勵可以 τ及 二使用相同或不同的激勵序列以互相上下顚 而且可以在循序正交方向循序測試關T。 、4 發明人已發現本發明藉由較佳的提供非 可以大幅增加BUT中缺陷的檢測力及減少不實逖_丁），而且 一=:明的特別優點是事實上藉由使用多電“二。 了同時檢測多重分離的電磁激勵器感應的恭 〜嘹 的電位樣態是自動以空間表示，因此大致不匕產生 間表不。結果，就BUT同一側上提供的激勵而士 /的空 電位分布樣態所感測的電位可容易的與謝 ^的 的激勵而言，收到的電位分布樣態所感測的 丨上提供 496963 五、發明說明（52) 現在參考圖1 2，1 3，其係第一側激勵器1 4，1 6及第二側 激勵器2 0的兩個替代較佳實施例的示意圖。圖1 2，1 3中的 配置，其設計目的是減少困難’如導體在金屬層（如第一 金屬層54及第二金屬層56)上面時所導致的電容干擾（圖 2) ° 參考1 2 ’可看出激勵器1 3 1 0分成（較佳）複數互相對齊的 線性激勵帶1312，其方向與沿著掃描βυτ(圖2的如βυτ!2) 的掃描方向垂直。 現在參考圖1 3，激勵器1 3 2 0分成許多個別激勵器塊 1 3 2 2，各塊是分離可個別控制的天線。可了解圖丨2中激勵 為1 3 1 〇的帶丨3丨2及圖丨3中激勵器丨3 2 〇的激勵塊1 3 2 2最好設 置有不同頻率或多工輸入的AC激勵信號，以便能將個別帶 1 3 1 2或塊1 3 2 2感應的電位分別分離。 見在參考圖1 4 ’其係根據本發明較佳實施例而建構及操 作^非接觸電氣測試裝置的替代配置，圖丨4的·裝置與圖/、 的I置類似，不同處在於激勵器及感測器的配置。 接3 中設置測試裝置1410，其操作時可執行電路的非 丄3。=氣測試，如BUT1 2上所示的，具有多個電氣導體 列llll側感測器電極以下稱為感測器1418，1 42 0排列在陣 的相對側以便與BUT1 2的第一側相鄰。第二側感測

第57頁 別栌2試裝置1410包括激勵器電極陣列1414，包括多個個 相鄰的激勵為、1 4 1 6 ’其線性的配置成與B U T 1 2的第一側 I ^ ^彳。號產生為1417提供電氣激勵信號給各激勵器 第一知佳的，激勵信號是在不同頻率或是多工。 4^()963 丨五、發明說明（53) 為電極以下稱為感測器1422排列在與第一側感測器1418, 丨142〇相對的那一側上面的BUT12之下。各感測器1418， :142〇，1 422最好至少與BUT相同大小。 分離檢測器1 4 2 6分別接收各感測器1 4 1 8，1 4 2 0，1 4 2 2的 :輪出’且提供輸出到信號分析器1428，其輸出到比較器及 :報告產生器1 43 0。 如上所述，由信號產生器1417提供給激勵器陣列1414中 各激勵為1 4 1 6的A C信號最好是不同的，藉由提供不同頻率 丨的信號，或是藉由多工或是其他習用信號區分法，即可達 成此目的。 當AC電氣激勵信號動作時，激勵器1 4 1 6即產生區域電磁 丨場，其激勵BUT12上的各導體。可了解各激勵器包括特性 上不同的可測量電位。感測器1 4 1 8 ，1 4 2 0，1 4 2 2感測不同 的電位且最好輸出到分離檢測器1 4 2 6，其操作時可以將各 電位分離。 在本發明的較佳實施例中，BUT1 2及第二側感測器1422 線性移動通過激勵器陣列1 4 1 4及感測器1 4 1 8，1 4 2 0。可了 解或者也能將BUT12及感測器1 422加以固定，同時移動激 勵器陣列1 4 1 4及感測器1 4 1 8，1 4 2 0。其他合併也適用用激 勵器陣列1 4 1 4來掃描BUT 1 2。 在圖1所示裝置中，使用資訊以指示BUT12上各位置被感 測器1 4 1 8，1 4 2 0，1 4 2 2感測到的電位，信號分析器1 4 2 8即 在BUT丨2上的導體1 3中產生電位特性的準確表示，其指示 如導體連續性，及包括關於導體短路，破裂等缺陷的資

第58頁 496963 五、發明說明（54) 訊。 信號分析器1 4 2 8向比較器及報告產生器1 4 3 0提供的表示 能使缺陷報告1431的提供指示BUT1 2的導體1 3中的缺陷電 氣連續性。 現在參考圖1 5 ’其係用以分離檢測器1 4 2 6 (圖1 4 )的分離 電路1 4 4 0的較佳實施例的示意電路圖，各上侧感測器 1418，1 420的輸出種源提供給第一及第二放大器1 442， 1 444，其輸入到差分放大器1 446。 差分放大器1 446的輸出送入混波器1 448，其也從信號產 生器1 4 1 7接收信號及輸出到低通濾波器（LPF ) 1 4 5 0，操作 時可去除不良的AC外帶信號部分。LPF 1 45 0的輸出是感測 器1418或1 420在預設頻率於BUT12上感測到電位的DC電壓 表示’其分別與從感測器1 4 1 8，1 4 2 0輸入的信號輸入分量 的相對振幅成正比，各頻率與一已知激勵器1 4 1 6相關，以 提供空間資訊。 底側感測器1 4 2 2的輸出送入放大器1 4 5 2其輸出到混波器 1 4 5 4 ’其也從信號產生器1 4 1 7接收信號輸入。混波器1 4 5 4 的輸出送入低通濾波器（LPF ) 1 4 5 6，操作時可去除不良的 AC外帶信號部分。LPF 1 4 5 6的輸出是感測器1 422在預設頻 率於B U T 1 2上感測到電位的信號輸入振幅的D C電壓表示。 可了解激勵器1416激勵BUT12的各頻率中都可設置分離 電路，或是使用較少數目的電路，其中需要信號至感測器 1 4 1 6的事件多工。 熟於此技術者可了解本發明不限於上述特定說明，反

第59頁 496963 五、發明說明（55) 之，本發明的範圍包括上述各特殊的合併及子合併，以及 它的修正及變化，這些都是熟於此技術者於閱讀上述說明 書時可了解且明白這些並非習用者。

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Claims (1)

1. 496963 案號 88115228 六、申請專利範圍 1 · 種電路電氣測 複數導 激勵電 表面相鄰，且可操作 感測電 可操作 表面，且包括 至少一 至少 t I— ίf/^ 5ΐ."4·ί 修正 表面 式藉 者 第 2. 至少 之第 3. 中至 路之 相鄰 由在 其 包括 及第 如申 一激 一及 如申 少一 第一 括至少 一激 5. 至少 此，6. 括至 勵電 如申 一激 每一 如申 少一 ，且 上面 中該 至少 二側 請專 勵電 第二 請專 感測 及第 請專 激勵 極。 請專 勵信 ;玄激 請專 分離 之各位 至少一 兩個電 表面相 利範圍 極包括 側表面 利範圍 電極包 二側表 利範圍 信號產 利範圍 號產生 勵電極 利範圍 檢測器 試之裝置，該電路具有第一及第二側 體’該裝置包括： 極，與該電路之至少一第一及第二側 俾以非接觸式施加一激勵電磁場； 極，與該電路之至少一第一及第二側 以感測一產生之電磁場，其以非接觸 置施加該激勵電磁場而產生； 激勵電極及該至少一感測電極之至少 極，其中至少一者與該電路之至少一 鄰。 第1項之電路電氣測試之裝置，其中 至少第一及第二激勵電極，與該電路 之每一者相鄰。 第1或2項之電路電氣測試之裝置，其 括至少第一及第二感測電極，與該電 面之每一者相鄰。 第1項之電路電氣測試之裝置，也包 生器，提供至少一激勵信號給該至少 第4項之電路電氣測試之裝置，其中 器提供激勵信號給複數激勵電極，依 在該電路中感應之信號可互相區分。 第5項之電路電氣測試之裝置，也包 ，用以接收來自該至少一感測電極之

   O:\60\60155.ptc 第65頁 496963 _案號88115228 ; f/年’月心日 修正_ 六、申請專利範圍 ._::::::丨二 信號，其由每一該激勵電極在該電路中感應，且可以將該-等信號互相區分。 7 .如申請專利範圍第1項之電路電氣測試之裝置，也包 ~ 括一信號分析器，可操作以分析接收自該至少一感測電極 -之至少一信號。 8 .如申請專利範圍第1項之電路電氣測試之裝置，也包 括一比較器，接收從該產生電磁場導出之至少一信號，且 可將該至少一信號與一參考比較。 9 .如申請專利範圍第8項之電路電氣測試之裝置，也包 括一缺陷報告產生器，根據該比較器之輸出而提供關於該_ 電路之缺陷報告。 _ 10. 如申請專利範圍第1項之電路電氣測試之裝置，其 中該至少一激勵電極包括第一及第二激勵電極，排列成沿 著該電路之第一側，及一第三激勵電極，排列成沿著該電 路之第二側。 11. 如申請專利範圍第1項之電路電氣測試之裝置，其 中該至少一感測電極包括感測電極之線性陣列。 12. 如申請專利範圍第1 0項之電路電氣測試之裝置，其 中該線性陣列位於該第一與第二激勵電極中間。 13. 如申請專利範圍第1項之電路電氣測試之裝置，其 中該至少一激勵電極包括激勵電極之線性陣列。 0 14. 如申請專利範圍第1項之電路電氣測試之裝置，其 中該至少一感測電極包括第一及第二感測電極，排列成沿 著該電路之第一側，及一第三感測電極，排列成沿著該電

   O:\60\60155.ptc 第66頁 496963 _案號88115228_7厂年3月6日 修正_ 六、申請專利範圍 路之第二側。 15. 如申請專利範圍第1項之電路電氣測試之裝置，其 中該至少一感測電極包括第一及第二感測電極，排列成沿 著該電路之第一側。 16. 如申請專利範圍第1 3項之電路電氣測試之裝置，其 中該線性陣列位於該第一與第二激勵電極中間。 17. 如申請專利範圍第5項之電路電氣測試之裝置，其 中該至少一信號產生器提供具不同頻率之信號給該激勵電 極之不同者。 18. 如申請專利範圍第5項之電路電氣測試之裝置，其 中該至少一信號產生器提供多工信號給該激勵電極之不同 者。 19. 如申請專利範圍第1項之電路電氣測試之裝置，其 中該至少一激勵電極包括複數個別可控制部分。 2 0. —種電路電氣測試之方法，該電路具有第一及第二 側表面，且包括複數導體，該方法包括以下步驟： 以非接觸式施加一電磁場至該電路之至少一第一及 第二側表面；以及 以非接觸式沿著該電路之至少第一及第二側表面之 各位置感測一產生之電磁場，其中至少一該施加及感測步 驟使用沿著該電路之第一及第二側表面排列之非接觸電 極。 2 1. 如申請專利範圍第2 0項之電路電氣測試之方法，其 中該施加步驟包括使用至少第一及第二激勵電極，與該電

   O:\60\60155.ptc 第67頁 496963 案號 88115228 六、申請專利範圍 $4jh MM 修正 二丨 铺兄.1 路之 場。 22 法， 電路 電磁 23 包括 24 中該 每一 25 包括 信號 26 包括 27 包括 28 包括 29 中該 勵電 第一及第二側表面之每一者相鄰，以施加至少一電磁 .如申請專利範圍第2 0或2 1項之電 其中該感測步驟使用至少第一及第 之第一及第二側表面之每一者相鄰 場。 .如申 產生至 ，如申 產生步 該激勵 .如申 接收每 互相區 • 如申 分析該 • 如申 接收自 信號與 • 如申 根據比 • 如申 施加步 極，及 請專利範圍 少一激勵信 範圍 提供 該電 請專利範圍 一激勵電極 分。 請專利 電路中 請專利 該產生 一參考 請專利 較步驟 請專利 驟使用 沿著該 請專利 驟包括 電極在 範圍 感應 範圍 電磁 〇 範圍 而提 範圍 沿著 電路 第20項 號及將 第23項 激勵信 路中感 第24項 在該電 第20項 之至少 第2 0項 場導出 之電路電 其提供給 之電路電 號給複數 應之信號 之電路電 路中感應 路電氣測試之方 二感測電極，與該 ，以感測該產生之 氣測試之方法’也 至少一激勵電極。 氣測試之方法，其 激勵電極，依此， 可互相區分。 氣測試之方法，也 之信號，且將該等 之電路電氣測試之方法，也 一信號 ° 之電路電氣測試之方法，也 之至少一信號，及比較該至 第2 7項 供與該 第20項之電路電 該電路第一側排列之第一及 第二側排列之第三激勵電極 之電路電 電路相關 氣測試之方法 之缺陷報告。 氣測試之方法 也 其 激

   O:\60\60155.ptc 第68頁 496963 案號88115228 f/年3； i名旧 修正 —一 —""""— " " —— "—— ' :、·—:、—， " — " — ~| 鱗 六、申請專利範圍 3 0. 如申請專利範圍第2 0項之電路電氣測試之方法，其· 中該感測步驟使用感測電極之線性陣列。 3 1. 如申請專利範圍第2 9項之電路電氣測試之方法，其 — 中該線性陣列也位於第一與第二激勵電極中間。 α 3 2. 如申請專利範圍第2 0項之電路電氣測試之方法，其 中該施加步驟使用激勵電極之線性陣列。 33. 如申請專利範圍第2 0項之電路電氣測試之方法，其 中該感測步驟使用沿著該電路第一側排列之第一及第二感 測電極，及沿著該電路第二側排列之第三感測電極。 3 4. 如申請專利範圍第2 0項之電路電氣測試之方法，其_ 中該感測步驟使用沿著該電路第一側排列之第一及第二感_ 測電極。 35. 如申請專利範圍第3 2項之電路電氣測試之方法，其 中該線性陣列也位於第一與第二激勵電極中間。 36. 如申請專利範圍第2 4項之電路電氣測試之方法，其 中該產生步驟提供具不同頻率之信號給該激勵電極之不同 者。 3 7. 如申請專利範圍第2 4項之電路電氣測試之方法，其 中該產生步驟提供多工信號給激勵電極之不同者。 38. 如申請專利範圍第2 0項之電路電氣測試之方法，其 中該施加步驟使用至少一激勵電極包括複數個別可控制部丨· 分。 3 9. 如申請專利範圍第2 0項之方法，也包括將該電路中 之中間金屬層接地之步驟。

   O:\60\60155.ptc 第69頁 496963 修正 案號 88115228 六、申請專利範圍 4 0. 如申請專利範圍第2 0項之方法，其中該感測步驟包 括感測電路一側上之電位，及感測電路相對侧上之電位。 4 1. 一種多層電路電氣測試之方法，該電路具有第一及 第二側表面且包括複數導體，該方法包括以下步驟： 將電路中之中間金屬層接地； 將電位感應在該電路之至少部分導體中； 以非接觸式在沿著其至少該第一側表面之各位置感 測一產生之電磁場，以得到電路之電磁場資料特性。 42. 如申請專利範圍第4 1項之多層電路電氣測試之方 法，也包括在沿著其至少該第二側表面之各位置感測一產 生之電磁場，以得到電路之電磁場資料特性。 43. 如申請專利範圍第4 1或4 2項之多層電路電氣測試之 方法，其中電磁場資料係指包括電路之導體電位。 44. 如申請專利範圍第4 1項之多層電路電氣測試之方 法，其中該感應步驟包括在電路之第一及第二側上感應電 位。 45. 如申請專利範圍第44項之多層電路電氣測試之方 法，其中感應步驟包括在電路第一側上感應電位，其可以 與電路第二側上感應之電位區分。 46. 如申請專利範圍第4 5項之多層電路電氣測試之方 法，其中感應步驟包括感應電位，其可藉由頻率區分。 47. 如申請專利範圍第4 5項之多層電路電氣測試之方 法，其中感應步驟包括感應電位，其係多工。 48. 如申請專利範圍第44項之多層電路電氣測試之方

   O:\60\60155.ptc 第70頁 496963 修正 案號 88115228 六、申請專利範圍 法，其中感測步驟包括在電路一側上感測電磁場資料。 49. 如申請專利範圍第4 8項之多層電路電氣測試之方 法，其中感測步驟更包括將電路第一側上之感應電位產生 之電磁場’與電路第二側上之感應電位產生之電磁場區 分。 5 0. 如申請專利範圍第4 1項之多層電路電氣測試之方 法，其中該感應步驟包括在電路第一側上感應電位。 5 1. 如申請專利範圍第4 5項之多層電路電氣測試之方 法，其中感應步驟使用複數激勵器，而各激勵器感應可藉 由頻率區分之電位。 5 2. 如申請專利範圍第4 5項之多層電路電氣測試之方 法，其中感應步驟使用複數激勵器，而各激勵器感應多工 之電位。 53. 如申請專利範圍第5 0項之多層電路電氣測試之方 法，其中感測步驟使用沿著電路第一側排列之至少一第一 感測器及一第二感測器。 54. 如申請專利範圍第5 3項之多層電路電氣測試之方 法，其中感測步驟又使用位於沿著電路之第二側之第三感 測器。 55. 如申請專利範圍第5 3項之多層電路電氣測試之方 法，也包括將感測器感測之電磁場資料與一激勵器相關 連。 56. 如申請專利範圍第4 1項之多層電路電氣測試之方 法，也包括藉由比較電磁場資料與一期望電路之參考電磁

   O:\60\60155.ptc 第71頁 496963 案號 88115228 六、申請專利範圍 場資料特性，而判定至 5 7.如申請專利範圍 法，其中該感應步驟以 58. —種多層電路電 第二側表面且包括複數 激勵電路以感應 在沿著第一側表 資料； 在沿著第二側表 資料； 藉由分析第一側 側表面之電磁場貢料^ 59. 如申請專利範圍 法，其中分析步驟使用 料。 6 0. 如申請專利範圍 方法，其中電路係一多 質完全金屬化，而該方 地。 6 1. —種電路電氣測 元件，該方法包括以下 施加一第一電磁 近惟未與其第一側上之 大致與該第一電

   修正 ± M-分-該」拳之電氣連續性。 第4 1項之多層電路電氣測試之方 非接觸式實施。 氣測試之方法，該電路具有第一及 導體，該方法包括以下步驟： 接近一電磁場； 面之各位置以非接觸式擷取電磁場 面之各位置以非接觸式擷取電磁場 表面之電磁場貢料及精由分析弟·一 而判定該導體之電氣連續特性。 第5 8項之多層電路電氣測試之方 具有習用結構之電路特性之參考資 第5 8或5 9項之多層電路電氣測試之 層電路其包括至少一中間層，其實 法包括較或者一實質完全金屬層接 試之方法，電路具有複數電氣傳導 步驟： 場至電路，而至少一激勵器位於接 該物件接觸； 磁場同時施加一第二電磁場至該物

   O:\60\60155.ptc 第72頁 496963 ——I —.〜---------- .\ _案號88115228_年3月餘白‘ Μ 修正_ 六、申請專利範圍 ：：： 件，而至少一激勵器位於接近丨隹未與其第二側上之該物件· 接觸； 分離地檢測第一及第二電位，其分別藉由該第一及 第二電磁場而感應在物件之該電氣傳導元件上。 62. 如申請專利範圍第6 1項之方法，其中施加一電磁場 之第一及第二步驟包括分別產生第一及第二頻率之電磁信 號之步驟。 6 3. 如申請專利範圍第6 1項之方法，其中該分離檢測步 驟包括感測該電位之步驟，而至少一感測器位於接近該物 件第一側。 | 64. 如申請專利範圍第6 1項之方法，更包括藉由至少一 1 該感測器而掃描之步驟。 65. 如申請專利範圍第6 4項之方法，其中該掃描步驟包 括在一第一掃描方向掃描之步驟，以及接著在一第二掃描 方向掃描之步驟，第二掃描方向實質垂直於該第一掃描方 向。 6 6. 如申請專利範圍第6 4項之方法，其中該掃描步驟包 括在一第一位置掃描物件之步驟，以及接著在一第二位置 掃描物件之步驟，第二位置與第一位置相反。 6 7. 如申請專利範圍第6 0項之方法，更包括將該物件之 内部金屬層接地之步驟。 <| 6 8. —種電氣測試物件之裝置，該物件具有一電路其中 形成複數導體，其中該裝置包括： 一第一電磁場產生器，施加一第一電磁場至該物

   O:\60\60155.ptc 第73頁 496963 _案號88115228 f/年3月6日 修正_ 六、申請專利範圍 件，其中該第一場產生器包括至少一激勵器，位於接近惟 未與物件之第一側接觸； 一第二電磁場產生器，施加一第二電磁場至該物件 ，其中該第二場產生器包括至少一激勵器，位於接近惟未 與物件之第一側接觸，其中該第二側與第一側相對；以及 一感測器，可操作以分離地檢測第一及第二電位， 其分別藉由該第一及第二電磁場而感應在導體上。 6 9. 如申請專利範圍第6 8項之電氣測試物件之裝置，其 中該感測器包括一感測器陣列與該第一場產生器之至少一 激勵器相鄰。 70. 如申請專利範圍第6 8項之電氣測試物件之裝置，其 中該第一場產生器以一第一頻率產生一電磁場，而該第二 場產生器以一第二頻率產生一電磁場。 7 1. 如申請專利範圍第6 8項之電氣測試物件之裝置，其 中該第一場產生器包括一第一激勵器及一第二激勵器，可 操作以產生電磁場。 7 2. 如申請專利範圍第7 1項之電氣測試物件之裝置，其 中該第一激勵器及第二激勵器各產生一場，其互相之相位 差180度。 73. 如申請專利範圍第6 8項之電氣測試物件之裝置，其 中至少一該激勵器係由複數條狀元件製造。 74. 如申請專利範圍第7 3項之電氣測試物件之裝置，其 中該條狀元件相對於該感測器陣列而傾斜地延伸。 75. 如申請專利範圍第6 8項之電氣測試物件之裝置，其

   O:\60\60155.ptc 第74頁 496963 _案號88115228 f/年3月厶日 修正_ 六、申請專利範圍 中至少一該激勵器係由複數點狀激勵器製造。 - 76. 一種電氣測試物件之方法，該物件其中具有複數導 體，該方法包括以下步驟： ' 將物件之第一側置於一電磁場，而至少一激勵器接 ， 近惟未與物件之第一側接觸； 在至少兩個部分正交方向掃描物件之該測邊，未與 感測器接觸； 感測電位’其精由電磁場而感應在導體上， 分析電位以判定元件中存在之缺陷。 77. 如申請專利範圍第7 6項之方法，包括以下額外步 _ 驟： ’ 將物件之第二側置於一第二電磁場，而第二激勵器 接近惟未與第二側接觸； 在至少兩個部分正交方向掃描物件之該側邊，未與 感測器接觸，及感測電位之感應，其藉由第二電磁場而感 應在元件上； 分析第二電磁場感應之電位以判定元件中存在之缺 陷。 78. 如申請專利範圍第7 7項之方法，其中大致同時將該 物件置於該第一及第二電磁場。 79. 如申請專利範圍第7 8項之方法，其中電磁場以不同 頻率傳播。 80. 如申請專利範圍第7 7項之方法，其中物件包括一金 屬層，而金屬層係接地。

   O:\60\60155.ptc 第75頁 496963 修正 案號 88115228 六、申請專利範圍 8 1. 如申請專利範圍第7 7項之方法，其中物件一個接著 一個地置於第一及第二電磁場。 8 2. —種電氣測試物件之方法，該物件具有複數電氣傳 導元件及内部傳導層，該方法包括以下步驟： 將物件置於一電磁場，而至少一激勵器接近惟未與 物件之至少一側接觸配置； 將該物件之内部傳導層接地； 掃描物件之該至少一側，其未與感測器接觸，及感 測電位之感應，其藉由電磁場而感應在元件上； 分析電位以判定元件中存在之缺陷。

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