TW495738B - Magneto-optical recording medium - Google Patents

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TW495738B
TW495738B TW089102012A TW89102012A TW495738B TW 495738 B TW495738 B TW 495738B TW 089102012 A TW089102012 A TW 089102012A TW 89102012 A TW89102012 A TW 89102012A TW 495738 B TW495738 B TW 495738B
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Etsuro Ikeda
Hiroshi Miura
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Sony Corp
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495738 A7 _______B7 _ 五、發明說明(1 ) 發明背景 發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明有關磁光記錄媒體,所具信號記錄層結構爲稀 土元素與過渡金屬之合金薄膜,以磁場調變方法對信號記 錄層進行磁光記錄,亦有關以上之製造方法。 相關技術說明 磁光記錄媒體可常用爲高記錄密度之可除式記錄媒體 。磁光記錄媒體之信號記錄層結構爲稀土元素與具垂直磁 非等向性過渡金屬合金之薄膜。磁光記錄所需信號。 磁光記錄以雷射照射信號記錄層,令信號記錄層各小 區溫度上升。約2 0 0 土 1 0 0〇e記錄磁場加於因雷射 受熱區附近之區。因雷射加熱之信號記錄層區磁場方向改 爲對應須記錄信號之方向,故信號記錄爲記錄磁化方向。 磁光記錄方法包含高密度調變法及磁場調變法。高密 度調變法係調變照射信號記錄層之雷射強度,調變回應須 記錄之信號。磁場調變法係調變施加信號記錄層記錄磁場 之強度,調變回應須記錄之信號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 磁場調變法爲磁光記錄法’須回應記錄柄號’尚速切 換記錄磁場極性。如此不能輕易施加大磁場。當使用磁場 調變法,即使弱磁場約1 〇 〇 〇 e ’高速切換記錄磁場極 性,仍能進行足夠記錄。 故使用磁場調變法時,磁光記錄媒體在磁場範圍 10 0〇e至3 0 〇〇e ,須具相同記錄特性’適用磁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) - 4 - 495738 A7 ___B7 五、發明說明(2 ) 場調變法之磁光記錄媒體須具穩定記錄性,即使記錄磁場 強度略變。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此有一機構將信號記錄層形成層疊結構,以改進信 號記錄層特性。但如此製程太複雜。 另一方法將信號記錄層氧化,改進信號記錄層之特性 ,但如此信號記錄層形成二層結構,乃改進信號記錄層特 性。即信號記錄層氧化可得層疊信號記錄層,不須使用多 種磁性材料形成信號記錄層,即可改進信號記錄層特性。 但信號記錄層氧化未必均能改進特性,有時因氧化條 件而劣化。尤其過度氧化信號記錄層,使所製磁記錄媒體 之記錄特性劣化。 發明槪述 本發明目的提供一種磁光記錄媒體,適合磁場調變法 進行磁光記錄,可結合信號記錄層,即使記錄磁場強度略 變,氧化信號記錄層可穩定記錄。亦提供其製造方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明一主題,提供磁光記錄媒體包含:一碟基 ,其上依序形成第一介電層,稀土元素與過渡金屬合金薄 膜構成之信號記錄層,氧化信號記錄層表面所成氧化層, 第二介電層,反光層及保護層,以磁場調變法完成信號記 錄層之磁光記錄,其中信號記錄層爲T b F e C ◦製成, 信號記錄層之T b含量爲2 3 · 5 ± 1 a t %。 本發明磁光記錄媒體之結構依上述決定信號記錄層組 成。並使用具氧化面之信號記錄層。記錄磁場在1 0〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ~ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495738 Α7 Β7 五、發明說明(3 ) 〇e至3 0 0〇e之間得實質相同之記錄特性。 本發明另一主題提供磁光記錄媒體之製造方法,磁光 記錄媒體之信號記錄層爲T b F e C 〇 C r ’以磁場調變 法對信號記錄層磁光記錄,磁光記錄媒體之製法含以下步 驟:形成信號記錄層,使其T b及C r總含量爲2 4 ± 1 a t % ;曝露所成信號記錄層於3 Ο X 1 0 _ 6至 l〇O〇〇xl〇—6托耳.秒之蒸氣或10XX10 6至 5〇X 1 0 6托耳·秒之氧,使信號記錄層表面氧化。 本發明fe光記錄媒體製法依上述決定信號記錄層組成 。信號記錄層在前述條件下氧化◦磁光記錄媒體在磁場範 圍1 0 0〇e至3 0 0〇e之間具實質相同記錄特性。 本發明另一特性提供磁光記錄媒體製法,磁光記錄媒 體具T b F e C 〇信號記錄層,以磁場調變法完成信號記 錄層之磁光記錄,磁光記錄媒體製法含步驟爲:形成信號 記錄層’其中Tb含量爲23 . 5±1%;曝露所成信號 記錄層於3 Ο X 1〇6至1 〇 〇 〇 〇 X 1 〇 - 6托耳·秒之 蒸氣或1 Ο X 1 0 — 6至5 Ο X 1 0 — 6托耳·秒之氧,使信 號記錄層表面氧化。 本發明磁光記錄媒體之製法以上述決定信號記錄層組 成。並使用具氧化表面之信號記錄層。在1QQ 〇6至 3 0 0〇e記錄磁場範圍可得實質相同記錄特性。 參考附圖’由以下貫施例說明’可了解本發明其他目 的、特性及優點。 ^紙張尺度用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297^釐)------- —------------—------訂—-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495738 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(4 ) 圖式簡要說明 _ 1爲本發明磁光記錄媒體構成膜結構例。 Ϊ要元件對照表 1 碟基 2 介電層 3 信號記錄層 4 •氧化層 5 介電層 6 反光層 7 保護層 較佳實施例說明 參考圖式說明本發明實施例。 本發明磁光記錄媒體例如圖1。此例磁光記錄媒體適 用磁場調變法進行磁光記錄。磁光記錄媒體包含一碟基1 ,其上疊層依序形成第一介電層2,信號記錄層3,氧化 信號記錄層3表面所成氧化層4,第二介電層5及反光層 6。以上疊層膜上形成保護膜7。 以塑膠材料如聚碳酸酯射出成形爲碟形之碟基1。碟 基1有凹凸圖案對應伺服信號及位址信號,及凹凸圖案如 稜及槽沿記錄軌形成。當形成稜及槽,可令其迂迴以提供 位址資訊至稜及槽。 第一及第二介電層2及5可爲S i N。如此以濺鍍形 成S 1 N膜,以S i靶處於含氮氣氛濺鍍。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495738 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(5 ) 稀土元素與具垂直磁非等向性過渡金屬之合金薄膜構 成5虎錄層3。須錄在磁光記錄媒體之信號記錄成爲 信號記錄層3之磁化方向。 濺鍍T b F e C 〇或T b F e C 〇 C r形成信號記錄 層3。若信號記錄層3爲丁 b F e C ο,信號記錄層3對 Tb含量爲2 3 · 5±1 a t%。信號記錄層3組成表示 爲 T'bx (FeCo) 100 — x,Tb 含量即 22 · 5 a t % ^ χ ^ 2 4 · 5 a t %。如上決定信號記錄層3組 成。由以上實驗了解,記錄磁場範圍在1 〇 〇〇e至 3〇〇 〇 e得到實質相同之磁光記錄媒體記錄特性。 若信號記錄層3爲T b F e C 〇 C r ,信號記錄層3 中T b及C r總含量爲2 4 ± 1 a t %。當信號記錄層3 組成表示爲T b X ( F e C 〇 ) i。。— x — y c r y,總量爲 2 3 a t % $ x + y S 2 5 a t %。如上決定信號記錄層 3組成。故記錄磁場在1 0 0 〇e至3 〇 〇 〇e之間得 實質相同磁光記錄媒體之記錄特性,以下實驗結果可知。 曝露所成is號s3錄層3表面至含氣或蒸氣氣氛,對信 號記錄層3表面氧化,形成氧化層4。 信號記錄層3表面曝露於含氧氣氛之動作稱爲露氧。 露氧時氧分壓與露氧時間之乘積稱爲露氧量。而露蒸氣之 蒸氣分壓與露蒸氣時間之乘積稱爲露蒸氣量。 當信號記錄層3露氧而氧化形成氧化層4,露氧量爲 1〇X 1 0 — 6至5 0 X 1 0 — 6托耳·秒。如上決定形成氧 化層4之露氧量,記錄磁場在1〇〇〇e至300 〇 e 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------—------.—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495738 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(6 ) 之間可實質得石之磁光記錄媒體記錄特性。 若進行露蒸氣而使信號記錄層3氧化形成氧化層4, 露蒸氣量爲3〇xl〇—6至looooxio- 6托耳·秒 。如此,記錄磁場在1 0 0 〇e至3 0 0 〇e之間得實 質相同之磁光記錄媒體記錄特性。 反光層6對信號記錄或再生時照射之雷射反射,並快 速擴散入射雷射引起加熱區之熱量。反光層6可爲A 1或 A 1合金,以濺鍍法或蒸氣法形成。 保護層7保護碟基1上層疊膜,保護層7例如爲紫外 線硬化樹脂。 玆說明磁光記錄媒體之製法例。 製造磁光記錄媒體時’以聚碳酸醋塑膠射出成形,而 製成碟基1。對碟基1提供對應伺服信號及位址信號之凹 凸圖案及稜及槽凹凸圖案沿記錄軌形成。形成稜及槽時, 可迂迴而提供位址資訊至稜及槽。 將碟基1引入真空濺鍍裝置,以濺鍍法形成第一介電 層2在碟基1上。尤其將S i靶濺鍍於含氮氣氛,s i N 第一介電層2形成在碟基1上。 完成濺鍍,使信號記錄層3形成在第一介電層2上。 TbF e Co或TbF e Co C r合金靶在氬氣氛濺鍍, 故TbF e C 〇或TbF e Co C r信號記錄層3形成在 第一介電層2上。 當使用TbFeCo合金靶,其Tb含量爲23·5 ±la t%。所成信號記錄層3之Tb含量爲2 3 . 5 土 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9- ------------裝---------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495738 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(7 ) a t %。若表示信號記錄層3組成爲T b X ( F e C 〇 ) 1。〇 - X ,前述量爲 22 · 5a t%$x$24 · 5a t%。 信號記錄層3表面曝露於含氧或含蒸氣氣氛,在信號 記錄層3上形成氧化層4。 若曝露於氧而氧化信號記錄層3形成氧化層4,露氧 量爲1 Ο X 1 0 6至5 Ο X 1 0 — 6托耳·秒。如上述決定 形成氧化層之露氧量,在記錄磁場介於1 0 0 〇e至 3 0 0〇e之間,磁光記錄媒體之記錄特性實質相同。 若曝露於蒸氣氧化信號記錄層3而成氧化層4,露蒸 氣量爲3〇X X 1〇—6至1〇〇0 0 X 1 0 — 6托耳·秒, 如上述決定形成氧化層4之露蒸氣量,記錄磁場介於 10 0 〇e至3 0 0 0 e之間,磁光記錄媒體之記錄特 性實質相同。 進行濺鍍,在氧化層4上形成第二介電層5。S 1靶 在含氮氣氛中濺鍍,在氧化層4上形成S 1 N第二介電層 5。 使用濺鍍法或蒸氣法形成A 1或A 1合金反光層6。 在反光層6上形成紫外線硬化樹脂之保護層7。使用 旋轉塗覆法,在反光層6表面塗覆紫外線硬化樹脂,再以 紫外線照射,使其硬化。形成紫外線硬化樹脂保護層7。 完成以上步驟後,製成磁光記錄媒體,如圖1,其碟 基1上形成第一介電層2,信號記錄層3,氧化層4,第 二介電層5,反光層6及保護層。 製成多數上述磁光記錄媒體樣本,改變信號記錄層3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10- — II----------#裝---------訂----------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495738 A7 B7 五、發明說明(8 ) 組成之氧化層4形成時露氧或露氧或露蒸氣量’如T評估 樣本之記錄特性。 以聚碳酸酯樹脂射出成形而成碟基1 ’直徑6 5 m m ,厚 1 · 2 m m。 第一介電層2爲S i N。S i靶濺鍍於含氮氣氛。此 時,形成S 1 N膜條件爲濺鍍電功率3 k w ’濺鍍氣體壓 力爲、5 m T 〇 r r。濺鍍氣體爲A r與N 2以3 · 2比率?比 成。 信號記錄層3爲TbFeCo或TbFeCoCr ° T b F e C 〇或T b F e C ◦ C r合金靶在氬氣氛濺鍍’ 形成信號記錄層3。此時形成信號記錄層3條件爲濺鍍電 功率0 . 8kw,濺鍍氣體壓力爲4mT 〇 r r ° 變化各樣本之信號記錄層3組成。執行露氧或露蒸氣 而氧化信號記錄層3形成氧化層4時’對樣本變化露蒸氣 或露氧量之條件。 第二介電層5爲S i N,S i靶濺鍍於含氮氣氛’使 形成第二介電層5。此時,形成S 1 N膜條件爲濺鍍電功 率3 k w,濺鍍氣體壓力爲5 m T 〇 r r。濺鍍氣體爲 A r與N 2混合,比例爲A r對N 2爲3 : 2。 反光層6爲A 1及A 1合金。對A 1及A 1合金靶濺 鍍於氬氣氛而形成反光層6。形成條件爲濺鍍電功率2 kw,濺鍍氣體壓力爲4mTo r r。 如上,各樣本變化其信號記錄層3組成及信號記錄層 3表面氧化之條件。其他條件相同以進行比較記錄特性。 ------^-------------丨訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 495738 A7 B7 五、發明說明(9 ) 以激電質量分析法分析T b F e C 〇或 Tb F e C 〇 C r構成之合金靶組成。使用前述合金靶在 S ^基上形成5 0 0 n m厚薄膜。以電子微測分析法( Ε Ρ Μ A )分析薄膜組成。結果,發現合金靶組成與使用 合金靶形成之薄膜幾乎相同。就信號記錄層3組成,用以 形成信號記錄層3之合金靶之組成分析乃作爲信號記錄層 3組成。 露氧形成氧化層4,以可變閥調整,〇2流量須經由氣 筒引入。以四件式質量分析儀測量氧分壓。並測量信號記 錄層3曝露氧氣氛之時間。計算所得値乘積以取得露氧量 〇 當露蒸氣形成氧化層4,以可變閥調整,Η 2 0流量必 須經氣筒引入。以四件式質量分析儀測量蒸氣分壓,並測 量信號記錄層3曝露水蒸氣時間,計算所得値乘積,得到 露蒸氣量。 當測量樣本之記錄特性,以磁場調變法記錄信號以執 行磁光記錄。此時,線性速度爲等速1 · 2 m / s e c。 在部分區以記錄磁場3 0 0〇e記錄頻率7 2 0 k Η z之 單頻信號。再者,以記錄磁場1 0 0 0 e在各其他區記錄 信號。再生記錄信號以測量C / N。 再生以記錄磁場3 0 0 0 e記錄之信號而測C / N與 再生以記錄磁場1 0 0 0 e所記錄信號測得C / N之間差 異△ C / N取得後,若△ C / N不大於1 d B,判決樣本 適合磁場調變法之磁光記錄。若大於1 d B,則不適合。 ---------I---· I------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12- 495738 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(10) 口 各樣本記錄特性評估結果如表1至6。顯示所測信號 記錄層3中T b量、c r量及T b及C r總量,當信號§己 錄層3接受氧化時露氧量及露蒸氣量。 表1爲多數樣本之記錄特性評估,變化信號記錄層3 之組成。表1所有樣本結合信號記錄層,在露氧4 〇 x 1〇—6托耳·秒之同一條件氧化。 如表1,當信號㈢己錄層爲T b F e C 〇 C r ’若 T b與C r總量爲2 3 a t %或更大,不論τ b及C r組 成,AC/N不大於ldB。 若信號記錄層3爲T b F e C 〇 C r ’較佳信號5己錄 層3所含T b及C r總量爲2 3 a t %以上,不論T b及 C r組成。換言之,減低c r含量,較佳T b含量對應擴 大,故T b及C r總量爲2 3 a t %以上。 若信號記錄層3爲TbFeCoCr ,過多Tb及 C r引起C / N不佳。理由如下。以信號記錄層3所含過 渡金屬之次晶格磁化保持磁光記錄媒體上記錄之信號。故 稀土金屬增加,致信號品質劣化。 當信號記錄層3所含T b量增加1 a t %,C / N劣 化約0 · 4 d B。較佳在△ C / N小時增加T b及C r量 ,故T b及C r總量宜接近2 3 a t %。 製造靶合金時,組成略離散。故不易經常維持信號記 錄層3所含Tb及C r量爲2 3 a t%。較佳實際製造時 ,信號記錄層3之T b及C r含量約2 4 ± 1 %,考慮製 造合金粑之過程餘度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 13- " ' '^ — I — II————丨丨·^衣—II—— --訂---------線^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495738 A7 B7 五、發明說明(11 ) 若信號記錄層爲TbF e C〇 (即c r = 〇 a t%) ,如表1ZXC/N爲1 d B以下’信號記錄層3 丁·^含量 爲22 · 6a t%以上。
如信號記錄層3爲T b F e C 〇 ,丁 b過多致c / N 劣化,類似T b F e C ◦ C r之信號記錄層3。△ c / N 小時較佳T b含量大幅增加,故信號記錄層3 τ b含量宜 接近2 · 6 a t %。 製造合金靶時,組成略離散。故不易保持信號記錄層 3之T b含量爲2 2 · 6 a t % °較佳實際製造時信號記 錄層3Tb含量約23·5土1%’考慮合金靶製造過度 之餘度。 表2至6顯示多數製成樣本之記錄特性評估結果’變 化信號記錄層3氧化之條件。注意表2至6各樣本之信號 記錄層3組合,可得表1所示相當滿意之結果° 如表2至6,當露蒸氣氧化信號記錄層3而形成氧化 層4,Z\C/N爲ldB以下,而露蒸氣量由3〇X 1 0 — 6至1 0 0 0 0 X 1 0 — 6托耳.秒。若露氧而氧化仏 號記錄層3形成氧化層,AC/N爲1 dB以下’露氧星 範圍爲1 0 X 1 0 一 6托耳·秒至5 0 X 1〇—6托耳·秒。 總之,當信號記錄層3爲T b F e C 〇 C r ’信號記 錄層3之T b及C r總含量宜爲2 4 土 1 a t %。若氧化 信號記錄層3表面形成氧化層4,露蒸氣量宜爲3 0 X 1 0 6托耳·秒至1 0 0 0 0 X 1〇—6托耳·秒’或露氧 量爲10X10 6至50x10— 6托耳·秒。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14- ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495738 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(12 ) 當信號記錄層3爲T b F e C 〇,較佳信號記錄層3 之Tb含量爲23 · 5±la t%。當氧化信號記錄層3 表面形成氧化層,露蒸氣量宜3 Ο X 1 0 — 6至1 〇 〇 〇 〇 XI〇—6托耳·秒,或露氧量10x10 一 6至5〇x 1〇6托耳·秒。 迄今以磁場調變法執行磁光記錄時,需要信號記錄層 之低垂直磁非等向性。T b F e C 〇 C r之信號記錄層包 含C r ,爲另一降低垂直磁非等向性之主要功能。提高記 錄密度,需要提高信號記錄層之垂直磁非等向性,以改進 記錄特性。故提高記錄密度,需要含少量C r之信號記錄 層及不含C r之信號記錄層。 若信號記錄層僅爲T b F e C 〇,無C r,信號記錄 層之垂直磁非等向性可再提升,以提升記錄密度,若信號 記錄層爲T b F e C 〇而無C r ,本發明信號記錄層之 Tb含量爲2 3 · 5 土 a t%,令信號記錄層表面氧化形 成氧化層,即使記錄磁場強度略變,仍提供穩定記錄特性 〇 如上述’根據本發明,提供磁光記錄媒體可用磁場調 變法進行磁光記錄,即使記錄磁場強度略變,可提供穩定 記錄特性。 以上爲本發明較佳例說明,可知其揭示可有各式變化 ’並不脫離申5靑專利範圍所述精神及範圍。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- ------------^*裝--------tr---------$· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495738 A7
B 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(13 ) 表1 樣本號 Tb Cr Tb + Cr (at%) (at%) (at%) 1 14.7 7.8 22.5 、2 15.2 8.0 23.2 3 16.5 8.1 24.6 4 16.6 6.1 22.7 5 17.1 5.9 23.0 6 18.5 6.2 24.7 7 19.8 2.9 22.7 8 20.3 2.8 23.1 9 21.2 3.1 24.3 10 21.3 1.5 22.8 11 21.7 1.3 23.0 12 22.5 1.5 24.0 13 22.1 0 22.1 14 22.6 0 22.6 15 23.5 0 23.5 -------I-----裝--------訂·"--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) - 16- 495738
7 7 A B 五、發明說明(14 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 樣本號 露氧量 (托耳·秒) Δ C/N (dB) 評估 1 40X10—6 1.4 X 2 40 X 10— 6 0.6 〇 、3 40 X 10" 6 0.8 〇 4 40X10—6 1.5 X 5 40 X 10 6 0.9 〇 6 40 X 10 6 0.8 〇 7 40 X 10 — 6 1.8 X 8 40 X 10 6 0.9 〇 9 40 X 10 — 6 0.8 〇 10 40 X 10 — 6 1.9 X 11 40 X 10 6 1.0 〇 12 40 X 10 — 6 0.9 〇 13 40 X 10一 6 2.1 X 14 40 X 10 — 6 1.0 〇 15 40 X 10 6 0.8 〇 ------------裝-------—訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- 495738
7 7 A B 五、發明說明(15 ) 表2 樣本號 Tb Cr Tb + Cr (at%) (at%) (at%) 16 15.2 8.0 23.2 17 15.2 8.0 23.2 18 15.2 8.0 23.2 19 15.2 8.0 23.2 20 15.2 8.0 23.2 21 15.2 8.0 23.2 22 15.2 8.0 2 3.2 23 15.2 8.0 23.2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 樣本號 露蒸氣量 露氧量 △ C/N 評估 (托耳·秒) (托耳 •秒) (dB) 16 27 X 10 6 1.6 X 17 1 1 000 X 10 — 6 1.4 X 18 8 X 10 6 1.4 X 19 60 X 10—6 1.5 X 20 30 X 10 6 0.9 〇 21 1 0000 X 10— 6 0.9 〇 22 1 1 X 10- 6 0.7 〇 23 細 50 X 10 — 6 0.8 〇 II----------裝--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18- 495738 A7B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(16 ) 表3 樣本號 Tb Cr Tb + Cr (at%) (at%) (at%) 24 17.1 5.9 23.0 25 17.1 5.9 23.0 '26 17.1 5.9 23.0 27 17.1 5.9 23.0 28 17.1 5.9 23.0 29 17.1 5.9 23.0 30 17.1 5.9 23.0 31 17.1 5.9 23.0 樣本號 露蒸氣量 (托耳·秒) 露氧量 (托耳·秒) Δ C/N (dB) 評估 24 26 X 10— 6 _ 1.7 X 25 1 1 000 X 1 (Γ 6 1.6 X 26 7 X 10 6 1.7 X 27 57 X 10— 6 1.8 X 28 3 1 X 1 0 — 6 _ 0.8 〇 29 1 0000 χ 10 6 - 0.9 〇 30 10 X 10 — 6 0.9 〇 31 师 49 X 10 6 1.0 〇 ------------裝-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) _ 19 _ 495738
7 7 A B 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(17 ) 表4 樣本號 Tb Cr Tb + Cr (at%) (at%) (at%) 32 20.3 2.8 23.1 33 20.3 2.8 23.1 ' 34 20.3 2.8 23.1 35 20.3 2.8 23.1 36 20.3 2.8 23.1 37 20.3 2.8 23.1 38 20.3 2.8 23.1 39 20.3 2.8 23.1 樣本號 露蒸氣量 (托耳·秒) 与 路氧里 (托耳·秒) △ C/N (dB) 評估 32 25 X 10— 6 1.6 X 33 1 1 000 X 1 0 6 1.9 X 34 _ 7 X 10— 6 1.7 X 35 57 X 10— 6 2.0 X 36 31X10—6 0.9 〇 37 10 000 X 10 — 6 1.0 〇 38 10 X 10" 6 0.9 〇 39 49 X 10 6 1.0 〇 II---I------#裝---------訂----------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) · 20 - 495738
7 7 A B 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(18 ) 表5 樣本號 Tb Cr Tb + Cr (at%) (at%) (at%) 40 21.7 1.3 23.0 41 21.7 1.3 23.0 42 21.7 1.3 23.0 43 21.7 1.3 23.0 44 21.7 1.3 23.0 45 21.7 1.3 23.0 46 21.7 1.3 23.0 47 21.7 1.3 23.0 樣本號 露蒸氣量 (托耳·秒) 露氧量 (托耳·秒) △ C/N (dB) 評估 40 26 X 10— 6 1.6 X 41 1 1000 X 10 — 6 2.0 X 42 7X10 6 1.7 X 43 5 4 X 1 0 6 1.9 X 44 3 1 X 10 6 _ 1.0 〇 45 1 0000 X 1 0 6 1.0 〇 46 10X10—6 0.9 〇 47 — 4 9 X 1 〇 6 1.0 〇 --------------^^裳--------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) _ 21 - 495738
7 7 A B 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(19 ) 表6 樣本號 Tb Cr Tb + Cr (at%) (at%) (at%) 48 22.6 0 22.6 49 22.6 0 22.6 ' 50 22.6 0 22.6 51 22.6 〇 22.6 52 22.6 〇 22.6 53 22.6 0 22.6 54 22.6 0 22.6 55 22.6 0 22.6 樣本號 露蒸氣量 (托耳·秒) 露氧量 (托耳·秒) △ C/N (dB) 評估 48 27 X 10 6 2.0 X 49 1 1000 X 10— 6 2.6 X 50 8 X 10— 6 1.9 X 51 53 X 10— 6 2.2 X 52 3 〇 X 1 0一 6 1.0 〇 53 1 0000 X 1 0 " 6 1.0 〇 54 1 1 X 10 6 0.9 〇 55 一 47 X 10" 6 1.0 〇 -------—----裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) _ 22 -

Claims (1)

  1. 495738 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 1 . 一種磁光記錄媒體,包含: 一碟基,其上依序形成第一介電層,由稀土元素與過 渡金屬合金薄膜構成之信號記錄層’對信號記錄層表面氧 化形成之氧化層’反光層及保護層’以磁場調變法進行信 號記錄層之磁光記錄’其中. 信號記錄層由τ b F e C 〇構成,信號記錄層之T b 含量爲 23 · 5±la t%。 2 .如申請專利範圍第1項之磁光記錄媒體,其中在 碟基上依序形成第一介電層,由稀土元素與過渡金屬合金 薄膜構成之信號記錄層,對信號記錄層表面氧化形成之氧 化層,反光層及保護層’以磁場調變法進行信號記錄層之 磁光記錄’及 以記錄磁場滿足1 0 0 〇e至3 0 0 〇e之範圍強 度進行記錄。 3 .如申請專利範圍第1項之磁光記錄媒體,其中 在碟基上依序形成第一介電層,由稀土兀素與過渡金 屬合金薄膜構成之信號記錄層,對信號記錄層表面氧化形 成之氧化層,反光層及保護層,以磁場調變法進行信號記 錄層之磁光記錄,及 對碟基提供對應伺服信號及位址信號之凹凸圖案’及 對應沿記錄軌形成稜及槽或迂迴棱及槽之凹凸圖案。 4 . 一種磁光記錄媒體之製造方法,磁光記錄媒體具: 有T b F e C 〇 C r信號記錄層,以磁場調變法對信號記 錄層進行磁光記錄,磁光記錄媒體之製造方法包含步驟: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23- 495738 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 形成信號記錄層,其T b及C r總含量爲2 4 土丄 a t % ;及 對所形成信號記錄層曝露蒸氣3 〇 X 1 〇 - 6托耳·秒 至1〇〇〇〇X 1〇6托耳.秒’或1 Ο X 1 0 -6托耳·秒 至5 Ο X 1 0 6托耳·秒之氧,使信號記錄層表面氧化。 5 · —種光gS錄媒體之製造方法,磁光記錄媒體具 有T b F e C 〇信號記錄層,以磁場調變法對信號記錄層 磁光記錄,磁光記錄媒體之製造方法包含步驟: 形成信號記錄層,其Tb含量爲23.5±1 a t % ;及 曝露所形成信號記錄層至蒸氣3 Ο X 1 0 6托耳·秒 至1〇〇〇0 X 1〇—6托耳·秒,或1 〇 X 1 0 — 6托耳. 秒至5 Ο X 1 〇 - 6托耳·秒之氧,使信號記錄層表面氧化 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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