JPS6040543A

JPS6040543A - 光磁気記録体

Info

Publication number: JPS6040543A
Application number: JP58148038A
Authority: JP
Inventors: Kyuzo Nakamura; 久三中村; Yoshifumi Oota; 太田　賀文; Tsutomu Azumi; 安積　努
Original assignee: Ulvac Inc; Nihon Shinku Gijutsu KK
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1983-08-15
Filing date: 1983-08-15
Publication date: 1985-03-02
Also published as: EP0135322B1; EP0135322A1; DE3469973D1; US4683176A; EP0135322B2; JPH0566661B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】最近、高密度記録の可能な新しい磁気記録方式として、
光磁気記録方式が注目され研究されている。

これに用いられる媒体は、ＭｎＥｉ薄膜や希土類−７θ
、Ｏｏ非晶質薄膜であるが、次′の２つの特性が要求さ
れる。その１つは、膜厚方向に強い磁気異方性をもつい
わゆる垂直磁化膜であること、他の１つは、偏光回転角
が大きいことである。

しかし、実際に、光磁気記録媒体として、前記の薄膜を
用いると、カー回転角が充分大きくないため、実用上の
障害となっている。その特性を改善するものとして、第
１図に示すように、透明基板Ａ面に形成した５０〜２０
０ＡのＭｎＢ１゜Ｔｂ７ｅ　等から成る垂直磁化膜Ｂの
裏面にＡｌ、　Ｏｕ等の反射ｌ１ＩＯを設けたものが提
案されている。

このものは、垂直磁化膜Ｂの表面でレーザー光線を反射
する際に偏光面が回転するカー回転と該垂直磁化膜中を
透過して反射膜で反射しまた垂直磁化膜中を透過して表
面から放出される過程で偏光面が回転するファラデー回
転の２つが合成されるので、偏光回転角が増大する。こ
の場合、垂直磁化膜生金透過する際に偏光面が回転する
７アラデ一回転は、透過する距離、即ち膜厚の２倍に比
例するので、用いる垂直磁化膜の膜厚は大きいほど偏光
回転角が大きくなる。

しかし乍ら、従来の垂直磁化膜は、ＭｎＢ１やＴｂＦｅ
のような金属薄膜から成るため、光の吸収や反射が大き
く充分厚い膜厚にできなかった。１方、ファラデー回転
角やカー回転角は、はソ磁性体の飽和磁化の大きさに比
例するので、上記の反射膜をもつ構造では、透過率が大
きくしかも飽和磁化の大きい垂直磁化膜が望ましい。

発明者は、上記の観点から、偏光回転角の更に増大した
光磁気記録体を提供するもので、反射層上面に強磁性金
ＭＭ、と誘導体の混合物から成る半透明垂直磁化膜を設
けて成る。

該半透明垂直磁化膜は、真空蒸着法やイオンブレーティ
ング法、スパッタ法などによる７ｅ。

Ｏｏ、Ｎｉな　どの強磁性金属又はこれらの合金から成
る強磁性金属Ｍｅ　の柱状粒子とその金属酸化物の誘電
体粒子との混合から成る００−０系、Ｆｅ−０系、（Ｏ
ｏＮｉ）　Ｏ系、（Ｆｅ、　Ｏｏ、　Ｎｉ）　０系など
の垂直磁化膜やこれらの強磁性金ＭＭ６と８１０１　、
　Ａ　１１０１・、　ＯｒｌＯ＠　、　Ｔ　ｉ　Ｏ＠、
　ＺＶＯｌ、ＭｇＦｔ等の誘電体粒子との混合から成る
垂直磁化膜である。

該反射層は、Ａｌ、　Ｏｕ、　Ａｇ、　Ａｕ、　Ｐｔ等
の蒸着膜やスパッタ膜等から成る。第２図は、本発明実
施の１例を示し、（１）は、ガラス基板、アクリル樹脂
板等の任意形状の透明基材、（２）は膜厚１００Ａ〜１
０００Ａの、好ましくは２００Ａ〜５０００ＡのＦｅ、
　Ｏｏ、　Ｎｉ又はこれらの合金等の蒸発原子とその１
部ｔ＃Ｉ素で酸化し酸化物の誘電体とし７’（２相混合
から成る光の透：Ｍ率が好ましくは１０％以上の半透明
の垂直磁化膜を示し、（３）はその裏面に蒸着した厚さ
１０００Å以上の充分厚いＡｌ、　Ｏｕ等の非磁性金属
の金属蒸着膜から成る反射層を示す。

第３図は、変形例を示し、６明基板（１）と半透明垂直
磁化膜（２）との間に８１０８等の透明絶縁体層（４）
を介在させたもので、これによれば、熱磁気記録を行な
う際に、熱伝導による損失を減少させるに役立つ。

又、前記の反射層（３）として、非磁性金属材から成る
ものに代え、Ｆｅ、Ｏｏ、パーマロイ等のような比較的
軟質磁性材を使用するときは、次に述べる２つの作用に
より偏光回転角を、更に増大できる。即ち、その１つは
、垂直磁化膜（２）からの磁界により軟質磁性反射膜（
３）は磁化されて、界面近傍では垂直に近い磁化ベクト
ルをもっており、その面により光が反射されるのでカー
回転がおこる。他の１つは、裏面から洩れ出している磁
束をシールドして、馬蹄形に磁路を形成しているので、
垂直磁化膜（２）にかかる反磁界が小さくなり、その結
果、垂直磁化膜の磁化ベクトルがより垂直に近くなり、
ファラデー回転もカー回転も大きくなる・これは両者と
も磁化ベクトルが垂直になった時、最も大きくなるから
である。

又１反射層（３）として、０ｏ−Ｏｒ、　Ｔｂ−Ｐａ、
のような垂直磁化膜を用いると、反射界面での磁化ベク
トルはさらに垂直であるので、偏光回転角を更に大きく
できる。この反射層をもつ本発明光磁気記録体を熱磁気
記録に使用する際には、前記の半透明垂直磁化膜（２）
と該反射層（３）の垂直磁化膜との両方をレーザーで加
熱して記録する。

前記の半透明垂直磁化膜（２）の形成方法は、発明者が
先に提案した真空容器内に酸素を導入し乍ら、強磁性金
属Ｍ＠を蒸発原子やスパッタ原子の１部１に酸化させ乍
ら透明基板に付着させる方法、或は、上記強磁性金属Ｍ
ｅ　と８１０２等の誘電体物質とを同時にスパッタしこ
れらを同時に基材面に付着させる等の方法など任意の手
段がとられる。

上記のように半透明垂直磁化膜（２）と前記各種の材料
で夫々構成した反射層（３）とをもつ本発明の光磁気記
録体は、その半透明垂直磁化膜の膜厚を変え、再生に用
いられるレーザー光で反射させ友時の偏光回転角との関
係を調べた所、その反射率が極小になる膜厚にすると、
偏光回転角が更に大幅に増加することを見出した。これ
は、本発明の半透明垂直磁化膜（２）自体の干渉効果に
よりファラデー回転をエンハンスする効果をもたらすか
らである。

本発明の光磁気記録体は、透明基板（１）を用いこの基
板（１）側からレーザー光を照射して記録再生を行なう
方式が一般的である。従って、この場合には、再生レー
ザー光が半透明垂直磁化膜により干渉して反射率が極小
になるためには、半透明垂直磁化膜（２）の屈折率が該
基板（１）の屈折率より大きいことが必要である。透明
基板（１）がガラス基板、アクリル樹脂基板の場合、屈
折率は約１．５であるから、該半透明垂直磁化膜（２）
に含まれる誌電体としては、屈折率１．５以上のものを
月１いる。反射率が極小になる膜厚は、基板や半透明垂
直磁化膜の屈折率に依存し、夫々の組合せについてめる
。

次に実験例につき説明する。

透明基板としてガラス板を用い、この上に真空容器内で
酸素ｆ導入し乍ら、下記表１の強磁性金属Ｍ・を真空蒸
着させ、夫々の膜厚の半透明垂直磁化膜を形成し、その
各生成磁化膜の表面に、表１に示す各種の反射層を形成
し、試料黒１〜Ａ１２を作成し、これら試料の偏光回転
角をめるため、各試料につき、電磁石の中に設置し、磁
界を印加し、磁化過程における偏光回転角の変化を測定
し、飽和した偏光回転角の値をめた。測定は全て、ガラ
ス基板側から行なった。レーザー光はＨｅ−Ｍｅレーザ
ーの６３２８人の波長を使用した。

上記表１から明らかなように、半透明垂直磁化膜裏面に
反射層のない場合は、試料＆１〜屋４のように、回転角
が極めて小さい。之に対し本発明試料＆５〜Ａ１３はＡ
１−Ａ４に比し又従来のＦｅ−Ｔｂ　垂直磁化膜を使用
した場合に比し著しく大きくなる。この場合、その反射
層が非磁性材である試料Ａ５、Ａ６、Ａ１１、軟質金属
磁性材である試料Ａ　７　％　Ａ　８　、Ａ　１２．０
〇−Ｏｒ、　Ｐｅ−Ｔｂ　の金属垂直磁化膜である試料
＆９、Ａ１０の順に回転率の増大効果が大きくなること
が分る。

別に、反射層がム１、半透明垂直磁化膜が０１４゜う、
４゜から成り、その膜厚を変えたものを試料とし、夫々
の偏光回転角の変化を測定した。その結果を第４図に示
す〇上記から膜厚の変化により回転角が変化し、６００〜ａ
ｏｏＸの膜厚において反射率は最小となりその偏光回転
角は最大となる。反射層の材料を変えても上記と同様の
効果が得られる。

このように、本発明によるときは、反射層に、強磁性金
属Ｍθ　と誘電体とから成る半透明垂直磁化膜を設けた
ので、従来に比し偏光回転角を増大し得られる効果を有
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の光磁気記録体の１部の断面図、第２図は
本発明実施の１例の１部の断面図、第３図は変形例の１
部の断面図、第４図は半透明垂直磁化膜の厚さ、反射率
、偏光回転角との関係を示すグラフである。（１）・・・透明基材、　（２）・・・半透明垂直磁化
膜、（３）・・・反射層、（４）・・・透明絶縁体層。他２名０ん（１８ＺＣ９＝Ｙ）吉ｎ　１（。）−丁◆回手続補正書昭和　！５）、９．７．ル１　日特許庁長官殿１、事件の表示昭和５８年特許願第１４８０３８号２、発明の名称光磁気記録体３、補正をする者事件との関係　特許出願人５、補正命令　の日付（自発）昭和　年　月　日６、補正の対象　明細書の発明の詳細な説明の欄７、補
正の内容　明細書第１頁第１１行「〜１００ＯＡＪを［
〜１００００ＡＪに補正する。手続補正書昭和　５１・９・７・２７　日特許庁長官殿 ■、事件の表示昭和５８年特許願第１４８０３８号２、発明の名称光磁気記録体３補正をする者事件との関係　特許出願人日本真空技術株式会社４、代　理　人東京都１２１区新橋２丁１１１６番に−１−新稿ビルア
０３５、補正命令　の日月（自発）昭和　年　月　口６、補正の対象明細書の特許請求の範囲の欄並に発明の詳細な説明の欄７、　補正の内容（１）　明細書第１頁の特許請求の範囲の欄の記載を添
付別紙の通り訂正する。（２）　仝門弟２頁第１１行及び第１８行、第３頁第１
１行及び第５頁第１１行及び第５亘第１１行の「カー」
ヲ「カー」と訂正する。（３）仝書第５頁下から４行目の「・・・・・・成る。」の次に下記を加入する。「鼓で「半透明」のＨｔｊは、強磁性金属Ｍθのみから
成る垂直磁化膜と異なり透光性を有する意味で使用する
。」（４）　仝書第４頁第６行の［（ＯＯＮｉ）　Ｏ、ｌｌ
ｊ、（Ｆｅ。Ｏｏ、Ｎ１）ＯｉＪを１（ＯｏＮｉ）−０系、（Ｆｅ、
Ｏｏ。Ｎ１）−０糸」と訂正する。（５）仝書仝頁第５行の「ＺｖＯｔ　Ｊをｌ”　ＺｒＯ
ｘ　Ｊと訂正する。（６）第９頁の表１中、試料應３及び試料屋１１の各組
成の表示ｒ（Ｆｅ−０Ｑｌ、Ｉ　”０ｎＩ）ｏ、６０　
００．４０Ｊ’１ｒ（ｙｅｏ。ｓ　Ｏｏ（、、、ｎｉｏ
、、　）ｏ、ｎｏ　００，４０　Ｊ　と訂正する。（７）仝頁の表１中、反射層の欄の「組成（ａｔ％月２
、特許請求の範囲１．　反射層面に強磁性金属Ｍｅと誘電体との混合物か
ら成る半透明垂直磁化膜を設けて成る光磁気記録体。Ｚ　該反射層は、Ａ１、Ｏｕ等の非磁性金属材から成る
特許請求の範囲１に記載の光磁気記録体。五　該反射層は、パーマロイ、鉄、コバルト等の軟質磁
性材から成る特許請求の範囲１に記載の光磁気記録体。４、　該反射層は、ｏｏ　０１”ｓＴｂ　Ｆ６等の金属
垂直磁化膜から成る特＃’Ｆ＠＃求の範囲１に記載の光
磁気記録体。５、　該半透明垂直磁化膜の膜厚は、再生レーザー波長
での反射率がほぼ極小になる膜厚とすることを特徴とす
る特許請求の範囲１に記載の光磁気記録体。

Claims

【特許請求の範囲】１　反射層上面に強磁性金属Ｍｅと誘導体の混合物から
成る半透明垂直磁化膜を設けて成る光磁気記録体。２　該反射層は、Ａ１−％Ｏｕ等の非磁性金属材から成
る特許請求の範囲１に記載の光磁気記録体。３　該反射層は、パーマロイ、鉄、コバルト等の軟質磁
性材から成る特許請求の範囲１に記載の光磁気記録体。４　該反射層は、Ｃｏ−Ｃｒ５　Ｔ’ｏ−Ｉｒｅ等の金
属垂直磁化膜から成る特許請求の範囲１に記載の光磁気
記録体。５　該半透明垂直磁化膜の膜厚は、再生レーザー波長で
の反射率がほぼ極小になる膜厚とすることを特徴とする
特許請求の範囲１に記載の光磁気記録体。