JPH0566661B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0566661B2 JPH0566661B2 JP58148038A JP14803883A JPH0566661B2 JP H0566661 B2 JPH0566661 B2 JP H0566661B2 JP 58148038 A JP58148038 A JP 58148038A JP 14803883 A JP14803883 A JP 14803883A JP H0566661 B2 JPH0566661 B2 JP H0566661B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- perpendicularly magnetized
- magnetized film
- magneto
- reflective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 18
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 15
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910020647 Co-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020704 Co—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
最近、高密度記録の可能な新しい磁気記録方式
として、光磁気記録方式が注目され研究されてい
る。 これに用いられる媒体は、MnBi薄膜や希土類
−Fe,Co非晶質薄膜であるが、次の2つの特性
が要求される。その1つは、膜厚方向に強い磁気
異方性をもついわゆる垂直磁化膜であること、他
の1つは、偏光回転角が大きいことである。しか
し、実際に、光磁気記録媒体として、前記の薄膜
を用いると、カー回転角が充分大きくないため、
実用上の障害となつている。その特性を改善する
ものとして、第1図に示すように、透明基板A面
に形成した50〜200ÅのMnBi,TbFe等から成る
垂直磁化膜Bの裏面にAl,Cu等の反射膜Cを設
けたものが提案されている。このものは、垂直磁
化膜Bの表面でレーザー光線を反射する際に偏光
面が回転するカー回転と該垂直磁化膜中を透過し
て反射膜で反射しまた垂直磁化膜中を透過して表
面から放出される過程で偏光面が回転するフアラ
デー回転の2つが合成されるので、偏光回転角が
増大する。この場合、垂直磁化膜中を透過する際
に偏光面が回転するフアラデー回転は、透過する
距離、即ち膜厚の2倍に比例するので、用いる垂
直磁化膜の膜厚は大きいほど偏光回転角が大きく
なる。しかし乍ら、従来の垂直磁化膜は、MnBi
やTbFeのような金属薄膜から成るため、光の吸
収や反射が大きく充分厚い膜厚にできなかつた。
一方、フアラデー回転角やカー回転角は、ほゞ磁
性体の飽和磁化の大きさに比例するので、上記の
反射膜をもつ構造では、透過率が大きくしかも飽
和磁化の大きい垂直磁化膜が望ましい。 発明者は、上記の観点から、偏光回転角の更に
増大した光磁気記録体を提供するもので、透明基
板面上に強磁性金属Meと該金属の酸化物誘電体
との混合物から成る半透明の垂直磁化膜を設け、
更に該垂直磁化膜面上に磁性材から成る反射層を
設けて成る。 茲で「半透明」の語は、強磁性金属Meのみか
ら成る垂直磁化膜と異なり透光性を有する意味で
使用する。該半透明垂直磁化膜は、真空蒸着法や
イオンプレーテイング法、スパツタ法などによる
Fe,Co,Niなどの強磁性金属又はこれらの合金
から成る強磁性金属Meの柱状粒子とその金属酸
化物の誘電体粒子との混合から成るCo−O系、
Fe−O系(CoNi)−O系、(Fe,Co)−O系など
の垂直磁化膜である。該反射層は、パーマロイ、
鉄、コバルト等の軟質磁性材もしくはCo−Cr,
Tb−Fe等の金属垂直磁化膜の蒸着膜やスパツタ
膜等から成る。 第2図は、本発明実施の1例を示し、1は、ガ
ラス基板、アクリル樹脂板等の任意形状の透明基
材、2は膜厚100Å〜10000Åの、好ましくは200
Å〜5000ÅのFe,Co,Ni又はこれらの合金等の
蒸発原子とその1部を酸素で酸化し酸化物の誘電
体とした2相混合から成る光の透過率が好ましく
は10%以上の半透明の垂直磁化膜を示し、3はそ
の垂直磁化膜面に蒸着した厚さ1000Å以上の充分
厚い磁性金属の金属蒸着膜から成る反射層を示
す。 第3図は、変形例を示し、透明基板1と半透明
垂直磁化膜2との間にSiO2等の透明絶縁体層4
を介在させたもので、これによれば、熱磁気記録
を行なう際に、熱伝導による損失を減少させるに
役立つ。 なお、前記の反射層3として、Fe,Co、パー
マロイ等のような比較的軟質磁性材を使用すると
きは、非磁性金属材を使用したときに比べて、次
に述べる2つの作用により偏光回転角を、更に増
大できる。即ち、その1つは、垂直磁化膜2から
の磁界により軟質磁性反射膜3は磁化されて、界
面近傍では垂直に近い磁化ベクトルをもつてお
り、その面により光が反射されるのでカー回転が
おこる。他の1つは、裏面から洩れ出している磁
束をシールドして、馬蹄形に磁路を形成している
ので、垂直磁化膜2にかかる反磁界が小さくな
り、その結果、垂直磁化膜の磁化ベクトルがより
垂直に近くなり、フアラデー回転もカー回転も大
きくなる。これは両者とも磁化ベクトルが垂直に
なつた時、最も大きくなるからである。 又、反射層3として、Co−Cr,Tb−Fe、のよ
うな垂直磁化膜を用いると、反射界面での磁化ベ
クトルはさらに垂直であるので、偏光回転角を更
に大きくできる。この反射層をもつ本発明光磁気
記録体を熱磁気記録に使用する際には、前記の半
透明垂直磁化膜2と該反射層3の垂直磁化膜との
両方をレーザーで加熱して記録する。 前記の半透明垂直磁化膜2の形成方法は、発明
者が先に提案した真空容器内に酸素を導入し乍
ら、強磁性金属Meを蒸発原子やスパツタ原子の
1部を酸化させ乍ら透明基板に付着させる方法が
とられる。 上記のように、透明基板面に半透明垂直磁化膜
2と前記各種の材料で夫々構成した反射層3とを
もつ本発明の光磁気記録体は、その半透明垂直磁
化膜の膜厚を変え、再生に用いられるレーザー光
で反射させた時の偏光回転角との関係を調べたと
ころ、その反射率が極小になる膜厚にすると、偏
光回転角が更に大幅に増加することを見出した。
これは、本発明の半透明垂直磁化膜2自体の干渉
効果によりフアラデー回転をエンハンスする効果
をもたらすからである。 本発明の光磁気記録体は、透明基板1を用い、
この基板1側からレーザー光を照射して記録再生
を行なう方式が一般的である。従つて、この場合
には、再生レーザー光が半透明垂直磁化膜により
干渉して反射率が極小になるためには、半透明垂
直磁化膜2の屈折率が該基板1の屈折率より大き
いことが必要である。透明基板1がガラス基板、
アクリル樹脂基板の場合、屈折率は約1.5である
から、該半透明垂直磁化膜2に含まれる誘電体と
しては、屈折率1.5以上のものを用いる。反射率
が極小になる膜厚は、基板や半透明垂直磁化膜の
屈折率に依存し、夫々の組合せについて求める。 次に実施例につき説明する。 透明基板としてガラス板を用い、この上に真空
容器内で酸素を導入し乍ら、下記表1の強磁性金
属Meを真空蒸着させ、夫々の膜厚の半透明垂直
磁化膜を形成し、その各生成磁化膜の表面に、表
1に示す各種の反射層を形成し、試料No.1〜No.12
を作成し、これら試料の偏光回転角を求めるた
め、各試料につき、電磁石の中に設置し、磁界を
印加し、磁化過程における偏光回転角の変化を測
定し、飽和した偏光回転角の値を求めた。測定は
全て、ガラス基板側から行なつた。レーザー光は
He−Neレーザーの6328Åの波長を使用した。
として、光磁気記録方式が注目され研究されてい
る。 これに用いられる媒体は、MnBi薄膜や希土類
−Fe,Co非晶質薄膜であるが、次の2つの特性
が要求される。その1つは、膜厚方向に強い磁気
異方性をもついわゆる垂直磁化膜であること、他
の1つは、偏光回転角が大きいことである。しか
し、実際に、光磁気記録媒体として、前記の薄膜
を用いると、カー回転角が充分大きくないため、
実用上の障害となつている。その特性を改善する
ものとして、第1図に示すように、透明基板A面
に形成した50〜200ÅのMnBi,TbFe等から成る
垂直磁化膜Bの裏面にAl,Cu等の反射膜Cを設
けたものが提案されている。このものは、垂直磁
化膜Bの表面でレーザー光線を反射する際に偏光
面が回転するカー回転と該垂直磁化膜中を透過し
て反射膜で反射しまた垂直磁化膜中を透過して表
面から放出される過程で偏光面が回転するフアラ
デー回転の2つが合成されるので、偏光回転角が
増大する。この場合、垂直磁化膜中を透過する際
に偏光面が回転するフアラデー回転は、透過する
距離、即ち膜厚の2倍に比例するので、用いる垂
直磁化膜の膜厚は大きいほど偏光回転角が大きく
なる。しかし乍ら、従来の垂直磁化膜は、MnBi
やTbFeのような金属薄膜から成るため、光の吸
収や反射が大きく充分厚い膜厚にできなかつた。
一方、フアラデー回転角やカー回転角は、ほゞ磁
性体の飽和磁化の大きさに比例するので、上記の
反射膜をもつ構造では、透過率が大きくしかも飽
和磁化の大きい垂直磁化膜が望ましい。 発明者は、上記の観点から、偏光回転角の更に
増大した光磁気記録体を提供するもので、透明基
板面上に強磁性金属Meと該金属の酸化物誘電体
との混合物から成る半透明の垂直磁化膜を設け、
更に該垂直磁化膜面上に磁性材から成る反射層を
設けて成る。 茲で「半透明」の語は、強磁性金属Meのみか
ら成る垂直磁化膜と異なり透光性を有する意味で
使用する。該半透明垂直磁化膜は、真空蒸着法や
イオンプレーテイング法、スパツタ法などによる
Fe,Co,Niなどの強磁性金属又はこれらの合金
から成る強磁性金属Meの柱状粒子とその金属酸
化物の誘電体粒子との混合から成るCo−O系、
Fe−O系(CoNi)−O系、(Fe,Co)−O系など
の垂直磁化膜である。該反射層は、パーマロイ、
鉄、コバルト等の軟質磁性材もしくはCo−Cr,
Tb−Fe等の金属垂直磁化膜の蒸着膜やスパツタ
膜等から成る。 第2図は、本発明実施の1例を示し、1は、ガ
ラス基板、アクリル樹脂板等の任意形状の透明基
材、2は膜厚100Å〜10000Åの、好ましくは200
Å〜5000ÅのFe,Co,Ni又はこれらの合金等の
蒸発原子とその1部を酸素で酸化し酸化物の誘電
体とした2相混合から成る光の透過率が好ましく
は10%以上の半透明の垂直磁化膜を示し、3はそ
の垂直磁化膜面に蒸着した厚さ1000Å以上の充分
厚い磁性金属の金属蒸着膜から成る反射層を示
す。 第3図は、変形例を示し、透明基板1と半透明
垂直磁化膜2との間にSiO2等の透明絶縁体層4
を介在させたもので、これによれば、熱磁気記録
を行なう際に、熱伝導による損失を減少させるに
役立つ。 なお、前記の反射層3として、Fe,Co、パー
マロイ等のような比較的軟質磁性材を使用すると
きは、非磁性金属材を使用したときに比べて、次
に述べる2つの作用により偏光回転角を、更に増
大できる。即ち、その1つは、垂直磁化膜2から
の磁界により軟質磁性反射膜3は磁化されて、界
面近傍では垂直に近い磁化ベクトルをもつてお
り、その面により光が反射されるのでカー回転が
おこる。他の1つは、裏面から洩れ出している磁
束をシールドして、馬蹄形に磁路を形成している
ので、垂直磁化膜2にかかる反磁界が小さくな
り、その結果、垂直磁化膜の磁化ベクトルがより
垂直に近くなり、フアラデー回転もカー回転も大
きくなる。これは両者とも磁化ベクトルが垂直に
なつた時、最も大きくなるからである。 又、反射層3として、Co−Cr,Tb−Fe、のよ
うな垂直磁化膜を用いると、反射界面での磁化ベ
クトルはさらに垂直であるので、偏光回転角を更
に大きくできる。この反射層をもつ本発明光磁気
記録体を熱磁気記録に使用する際には、前記の半
透明垂直磁化膜2と該反射層3の垂直磁化膜との
両方をレーザーで加熱して記録する。 前記の半透明垂直磁化膜2の形成方法は、発明
者が先に提案した真空容器内に酸素を導入し乍
ら、強磁性金属Meを蒸発原子やスパツタ原子の
1部を酸化させ乍ら透明基板に付着させる方法が
とられる。 上記のように、透明基板面に半透明垂直磁化膜
2と前記各種の材料で夫々構成した反射層3とを
もつ本発明の光磁気記録体は、その半透明垂直磁
化膜の膜厚を変え、再生に用いられるレーザー光
で反射させた時の偏光回転角との関係を調べたと
ころ、その反射率が極小になる膜厚にすると、偏
光回転角が更に大幅に増加することを見出した。
これは、本発明の半透明垂直磁化膜2自体の干渉
効果によりフアラデー回転をエンハンスする効果
をもたらすからである。 本発明の光磁気記録体は、透明基板1を用い、
この基板1側からレーザー光を照射して記録再生
を行なう方式が一般的である。従つて、この場合
には、再生レーザー光が半透明垂直磁化膜により
干渉して反射率が極小になるためには、半透明垂
直磁化膜2の屈折率が該基板1の屈折率より大き
いことが必要である。透明基板1がガラス基板、
アクリル樹脂基板の場合、屈折率は約1.5である
から、該半透明垂直磁化膜2に含まれる誘電体と
しては、屈折率1.5以上のものを用いる。反射率
が極小になる膜厚は、基板や半透明垂直磁化膜の
屈折率に依存し、夫々の組合せについて求める。 次に実施例につき説明する。 透明基板としてガラス板を用い、この上に真空
容器内で酸素を導入し乍ら、下記表1の強磁性金
属Meを真空蒸着させ、夫々の膜厚の半透明垂直
磁化膜を形成し、その各生成磁化膜の表面に、表
1に示す各種の反射層を形成し、試料No.1〜No.12
を作成し、これら試料の偏光回転角を求めるた
め、各試料につき、電磁石の中に設置し、磁界を
印加し、磁化過程における偏光回転角の変化を測
定し、飽和した偏光回転角の値を求めた。測定は
全て、ガラス基板側から行なつた。レーザー光は
He−Neレーザーの6328Åの波長を使用した。
【表】
上記表1から明らかなように、半透明垂直磁化
膜面に反射層のない場合は、試料No.1〜No.4のよ
うに、回転角が極めて小さい。また、反射層が非
磁性材である試料No.5〜No.7はNo.1〜No.4に比し
又従来のFe−Tb垂直磁化膜を使用した場合に比
し著しく大きくなる。これに対し本発明の反射層
が軟質金属磁性材である試料No.8〜No.10および、
Co−Cr,Fe−Tbの金属垂直磁化膜である試料No.
11、No.12の順に回転角の増大効果が更に大きくな
ることが分る。 なお、反射層がAl、半透明垂直磁化膜がCo0.60
−O0.40から成り、その膜厚を変えたものを試料
とし、夫々の偏光回転角の変化を測定した。その
結果を第4図に示す。 上記から膜厚の変化により回転角が変化し、
600〜800Åの膜厚において反射率は最小となりそ
の偏光回転角は最大となる。この場合、反射層は
Alであるが、反射層の材料を磁性材とすると表
1に見られるように偏光回転角が更に増大する効
果が得られる。 このように、本発明によるときは、透明基板
に、今日磁性金属Meとその金属の酸化物誘電体
とから成る半透明垂直磁化膜と磁性材から成る反
射層を設けたので、従来に比し偏光回転角を増大
し得られる効果を有する。
膜面に反射層のない場合は、試料No.1〜No.4のよ
うに、回転角が極めて小さい。また、反射層が非
磁性材である試料No.5〜No.7はNo.1〜No.4に比し
又従来のFe−Tb垂直磁化膜を使用した場合に比
し著しく大きくなる。これに対し本発明の反射層
が軟質金属磁性材である試料No.8〜No.10および、
Co−Cr,Fe−Tbの金属垂直磁化膜である試料No.
11、No.12の順に回転角の増大効果が更に大きくな
ることが分る。 なお、反射層がAl、半透明垂直磁化膜がCo0.60
−O0.40から成り、その膜厚を変えたものを試料
とし、夫々の偏光回転角の変化を測定した。その
結果を第4図に示す。 上記から膜厚の変化により回転角が変化し、
600〜800Åの膜厚において反射率は最小となりそ
の偏光回転角は最大となる。この場合、反射層は
Alであるが、反射層の材料を磁性材とすると表
1に見られるように偏光回転角が更に増大する効
果が得られる。 このように、本発明によるときは、透明基板
に、今日磁性金属Meとその金属の酸化物誘電体
とから成る半透明垂直磁化膜と磁性材から成る反
射層を設けたので、従来に比し偏光回転角を増大
し得られる効果を有する。
第1図は従来の光裡磁気記録体の1部の断面
図、第2図は本発明実施の1例の1部の断面図、
第3図は変形例の1部の断面図、第4図は半透明
垂直磁化膜の厚さ、反射率、偏光回転角との関係
を示すグラフである。 1……透明基板、2……半透明垂直磁化膜、3
……反射層、4……透明絶縁体層。
図、第2図は本発明実施の1例の1部の断面図、
第3図は変形例の1部の断面図、第4図は半透明
垂直磁化膜の厚さ、反射率、偏光回転角との関係
を示すグラフである。 1……透明基板、2……半透明垂直磁化膜、3
……反射層、4……透明絶縁体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 透明基板面上に強磁性金属Meと該金属の酸
化物誘導体との混合物から成る半透明の垂直磁化
膜を設け、更に該垂直磁化膜面上に磁性材から成
る反射層を設けて成る光磁気記録体。 2 該反射層は、パーマロイ、鉄、コバルト等の
軟質磁性材から成る特許請求の範囲1に記載の光
磁気記録体。 3 該反射層は、Co−Cr、Tb−Fe等の金属垂直
磁化膜から成る特許請求の範囲1に記載の光磁気
記録体。 4 該半透明垂直磁化膜の膜厚は、再生レーザー
波長での反射率がほぼ極小になる膜厚とすること
を特徴とする特許請求の範囲1に記載の光磁気記
録体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58148038A JPS6040543A (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 光磁気記録体 |
DE8484305192T DE3469973D1 (en) | 1983-08-15 | 1984-07-31 | An optical magnetic recording member |
EP84305192A EP0135322B2 (en) | 1983-08-15 | 1984-07-31 | An optical magnetic recording member |
US06/641,119 US4683176A (en) | 1983-08-15 | 1984-08-15 | Optical magnetic recording member |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58148038A JPS6040543A (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 光磁気記録体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6040543A JPS6040543A (ja) | 1985-03-02 |
JPH0566661B2 true JPH0566661B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=15443729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58148038A Granted JPS6040543A (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 光磁気記録体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4683176A (ja) |
EP (1) | EP0135322B2 (ja) |
JP (1) | JPS6040543A (ja) |
DE (1) | DE3469973D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4999260A (en) * | 1984-05-31 | 1991-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium comprising a rare-earth-transition metal dispersed in a dielectric |
JPH0775085B2 (ja) * | 1985-07-10 | 1995-08-09 | 三菱化学株式会社 | 光磁気媒体 |
JPS62219348A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
JPS6371961A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体 |
US5400307A (en) * | 1987-08-26 | 1995-03-21 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium with stacked layer structure |
US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
JPH01211253A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 光学的情報信号記録媒体 |
KR900008471A (ko) * | 1988-11-07 | 1990-06-04 | 미다 가쓰시게 | 광자기 디스크 |
US5914198A (en) * | 1989-06-05 | 1999-06-22 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording medium having dielectric layers with different indices of refraction |
US5091253A (en) * | 1990-05-18 | 1992-02-25 | Allied-Signal Inc. | Magnetic cores utilizing metallic glass ribbons and mica paper interlaminar insulation |
DE69130441T2 (de) * | 1990-08-07 | 1999-04-08 | Hitachi Maxell | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger |
JPH05146350A (ja) * | 1991-10-19 | 1993-06-15 | Negi Sangyo Kk | カツトパイルタフテツドカーペツト |
US5612131A (en) * | 1993-04-26 | 1997-03-18 | International Business Machines Corporation | Composite magneto-optic memory and media |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59177749A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3639167A (en) * | 1969-11-13 | 1972-02-01 | Ibm | TRANSITION METAL DOPED EuO FILMS |
US3928870A (en) * | 1973-12-14 | 1975-12-23 | Eastman Kodak Co | Magneto-optical processes and elements using tetrahedrally coordinated divalent cobalt-containing magnetic material |
DE2558937C3 (de) * | 1974-12-25 | 1978-03-30 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corp., Tokio | Magneto-optischer Dünnfilmspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung |
SU589627A1 (ru) * | 1976-06-22 | 1978-01-25 | Институт Физики Им.Л.В.Киренского Со Ан Ссср | Сплав дл магнитных пленок на основе железа |
US4277809A (en) * | 1979-09-26 | 1981-07-07 | Memorex Corporation | Apparatus for recording magnetic impulses perpendicular to the surface of a recording medium |
JPS6032331B2 (ja) * | 1980-03-12 | 1985-07-27 | ケイディディ株式会社 | 磁気光学記録媒体 |
US4414650A (en) * | 1980-06-23 | 1983-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory element |
CA1185013A (en) * | 1981-01-14 | 1985-04-02 | Kenji Ohta | Magneto-optic memory medium |
US4405677A (en) * | 1981-09-28 | 1983-09-20 | Xerox Corporation | Post treatment of perpendicular magnetic recording media |
DE3382791T2 (de) * | 1982-12-15 | 1995-12-07 | Sharp Kk | Magneto-optischer Speicher. |
JPS60745A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの製造装置 |
-
1983
- 1983-08-15 JP JP58148038A patent/JPS6040543A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-31 EP EP84305192A patent/EP0135322B2/en not_active Expired
- 1984-07-31 DE DE8484305192T patent/DE3469973D1/de not_active Expired
- 1984-08-15 US US06/641,119 patent/US4683176A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59177749A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6040543A (ja) | 1985-03-02 |
US4683176A (en) | 1987-07-28 |
DE3469973D1 (en) | 1988-04-21 |
EP0135322B1 (en) | 1988-03-16 |
EP0135322B2 (en) | 1992-08-19 |
EP0135322A1 (en) | 1985-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0307554B1 (en) | Amorphous magneto optical recording medium | |
JPS61117747A (ja) | 2層膜光磁気記録媒体 | |
JPS6066349A (ja) | 光熱磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0566661B2 (ja) | ||
US5772856A (en) | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same | |
US5666346A (en) | Super-resolution magnetooptical recording medium using magnetic phase transition material, and method for reproducing information from the medium | |
JPH0519213B2 (ja) | ||
JPS60119648A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS59201247A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0550400B2 (ja) | ||
JPS595450A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS6131532B2 (ja) | ||
JPH01319144A (ja) | 磁気光学効果記憶媒質 | |
JPS6029996A (ja) | 光磁気記録担体 | |
EP0305666A1 (en) | Amorphous magneto optical recording medium | |
JPH0432209A (ja) | 磁性膜 | |
JPS62172547A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0660452A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS61188762A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH06309711A (ja) | 光磁気記録媒体、および、その製造方法 | |
JPS6394449A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH02156609A (ja) | 磁性膜 | |
JPS61113153A (ja) | 磁気記録光再生方法及びそのための記録媒体 | |
JPS61168217A (ja) | 磁気光学再生ヘツドのFe−B非晶質磁性薄膜およびその製造方法 | |
JPS61280054A (ja) | 光磁気記録媒体 |