TW494708B - Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma - Google Patents

Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma Download PDF

Info

Publication number
TW494708B
TW494708B TW089113967A TW89113967A TW494708B TW 494708 B TW494708 B TW 494708B TW 089113967 A TW089113967 A TW 089113967A TW 89113967 A TW89113967 A TW 89113967A TW 494708 B TW494708 B TW 494708B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
power
coil
plasma
patent application
item
Prior art date
Application number
TW089113967A
Other languages
English (en)
Inventor
Wayne L Johnson
Leonard G West
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW494708B publication Critical patent/TW494708B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/445—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/533—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using discharge tubes only
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

A： 五、發明說明（ 發明之背景 本發明有關於在用以實施钱刻和丨殿積處理之裝置中^ 應麵合電聚之產生。 、…夕‘丨生之半‘體製造操作包括-處理室内所安裝之一 半導恤基肢上所貫施之澱積和蝕刻處理。此類處理典型扣 包括一低壓，高密度放電之使用，其中—電漿係以一可葡 子化乳體與-射頻電磁場之交互作用而產生。射頻功率之 麵合至電詩半導體處理室内可以被分類為要就是電^ 為主抑或感應性為主。每_種之甚多範例可以在早期技赶 中發現。 = —在電㈣合之情況中，射頻功率絲合至並聯板處理 室之底板及/或頂板。-般而言，此頂板亦作用為可離子 化氣體進給，此底板作用為晶圓握持卡盤，以及室之 部分係接地線。 ^ ' 感應性耦合一般地應用一平面幾何學，或者一圓筒形 幾何學’或者此兩種幾何學之綜合。此外，低射頻功率通 常係應用於一底板電極或卡盤以提供放電幾何體。 第1Α圖說明平面幾何學之一範例，其中一平面多轉 數線圈係放置於一處理管或處理室之頂部。第1Β圖顯示 圓筒形幾何學之-範例，其中-多轉圓筒形之線圈係圍繞 一處理管而纏繞，同時第1C圖顯示圓筒形幾何學之變更 版本，其中此圓筒形線圈係以一感應性遮蔽所環繞。顯示 於第1C圖中之結構係一螺旋形諧振器之範例。在每一所 說明之配置中’此線圈係經連接以接收一射頻電流，並因 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先：>/讀背面之注意事項再填寫本頁) --------tr---------線▲ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 494708 ‘ A7
此以歇應 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
时订於圓筒形幾何學 產生之射頻電磁場，它係線圈内射頻電流之^此― 包含幅射傳播之電磁波緊鄰於電装容積於以―:主要地 極化時（以移出方位傳播磁場）。此、、砰電遮蔽所 之小薄表面層交互作用。此—薄^厂傳播波與整體電黎 深度言及之。此一交互作用最二度通常係作為集膚 後續地氣體離子化，以及一電疑之=至賦能之電子’並 理管作用如-防護性障壁並自外部構造劃出—=裝= 至）在弟1師⑴圖中此處理管係以電介質物質f成Λ 它對自線圈所射入之電磁能量係透明者。可瞭解者即這此 圖係示意性。事實上實際裝備可採取多樣形態。 二 在半導體處理中射頻功率夕3 m λ 领力羊之搞合至電漿傳統上係在 MHz之驅動頻率’使用—則射頻功率發生器。此 一頻率係方便地位於為工業用途指定之一射頻帶内。不過 ’操作之頻率係不受限於早期技藝中之此一值，以及事實 上多種頻率係典型地被引用當使用多耦合電極時。^ 射頻功率典型地係由有至少一個活性構件之振盈器供 應至線圈，此活性構件可以是—固態，或半導體，構件， 或一真空管。 -如業界中所習知，能量可以通過一螺旋諧振器而感應 :地耦合入一處理室内，一如說明於Liebeman &⑽祕叫 第十二章中者（電漿放電和物質處理之原理，由協Wilq & Son出版公司於1944年發行）。以一螺旋譜振器，此線圈（或螺 線）有長度相等於射頻輸入1/4波長之一整數。此線圈圍繞 本紙張尺錢+關家標準（CNS)A4規格（21〇 297公釐） 4947U8 A7 五、發明說明（
此電水至並係裝入圓筒形容器内，此容器係接地線。第1C 圖顯不此一螺旋諧振器之基本構造，包括此線圈，-靜電 C蔽由此線圈所包圍以將射頻磁場與電漿之電容性輕合減 至取少’ 一電介質處理管，它係由此靜電遮蔽所包圍並自 電漿分開此螺旋線圈，一外導電體，或遮蔽，圍繞此線圈 ，以及一RF輸入線路連接著此線圈之頂部。一如第π圖 斤示此RF輸入係對其應用之線圈分接頭係自此線圈 之一站隔開，此線圈係接地線。線圈分接頭和接地線之間 之此線圈之部分有效地作用如匹配電路之部分。因此，此 分接頭之位置可以經選擇以達到一匹配狀況。在一指定一 組之狀況下，分接頭點位置之適當界定可提供用於此電路 之阻抗匹配。 不過，在一RF功率發生器上之負載阻抗係此線圈之 本質阻抗和由電漿所呈現之阻抗之功能，後者阻抗係電装 之性能之功能。因此，在處理狀況中之起伏波動可導引至 此阻抗上之波動一如由好功率發生器所見者。此外，其 中電漿係經建立之處理室之阻抗顯著地變化於電漿點引之 前之狀況和運作狀況之間。為了要保持gRF功率發生器 至此電漿之有效之能量轉移、電力供應輸出阻抗對負載阻 抗之適當匹配係屬須要。 使用於早期技藝中之一項技術係一可變頻率電力供廡 。此頻率係由一定相磁體探測器所測定，它測定耗合至線 圈之分接頭之固定匹配網路之輸入處之匹配狀況。不過， 此類之系統可以是非常昂貴，並因此一固定頻率之電力 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G x 297公爱- (請先^讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線| 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 消
應係通常地與此匹配網路相關聯地被引用 經由一阻抗匹配網路耦合至螺旋諧振器之線圈之一固 疋^員率RF振蓋态之一範例係顯示於第2圖内。此匹配網路 仏一 π -濾波器包含一串聯地連接之感應器L和兩個分路連 接之可’交比較為、C!和C2。此匹配網路為由線圈及電漿所代 表之可變負載阻抗和RF功率發生器之輸出阻抗之間之差 刀作補“。例如，一如第2圖内所示，當源阻抗&係相 於負載阻抗ZMni時，此一阻抗包括匹配網路，螺旋線圈 及包漿負載之阻抗，隨後此功率轉移可以是最大。在此 實際狀況中，至匹配網路一負載電路之輸入阻抗2_係源 阻抗zs和匹配網路Ζμπ。之輸出阻抗之複共軛，一如由此負 載所見者，係負載阻抗ZL之複共軛。在此一特殊狀況下， RF源和匹配網路及線圈所負載之電漿之結合兩者間之耦 合可以作為相等於一純電阻性電路來表示。因此，此匹配 網路係經設計以使自RF#率發生器傳輸至其負載之功 成為最大。 給予功率轉移狀態之反饋（使用特殊探測器電路之 射/傳輸之電力位準，其輸送接近此前向和反射信號間 位上及反射信號之量上之差異）、匹配網路業經開發以” 應於負載阻抗上之改變。特別地，在電I點引及運作狀況 中此可麦电谷态係經調整以調譜此負載電路，它包括 _配網路，此線圈和此電槳負載至一諧振狀況供此 定頻率電力供應用。當此電路阻抗係已匹配時，在匹配 路接面處對源所反射之功率係已變為最小，或甚至零 等 以 率 反 相 回 此 固 網 ^-----------------線 (碕乇^讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽x 297公髮
五、發明說明（5 ) 現匹配之精確度而定，因此減少對電力供應之損害，它必 須最終地吸收此一反射之功率。不過，眾所熟知者，即具 有一固定頻率之電力供應之匹配網路之使用為半導體裝備 之製造呈現若干問題。 特別地是，現在阻抗匹配網路本質上係不可靠，部分 地由於此事實，即次要以確保操作安全可靠性之維護係比 較複雜’而經常超越維修人員之能力。 此外，已知匹配網路有一不適當之回應時間，至少是 在某一操作情勢中。特別地是，如果供應至電漿源之功率 係要予依照一脈動圖案來變化時，那麼比最快速之匹配網 路不能調整以保持電力供應和電漿源之間之一最佳匹配。 此屬實情，因為用於最快匹配網路之時間刻度係數千毫秒 ，亦即，用於回應之上昇或下降時間係大約地若干百毫秒 。不過’要達到一 RF平方波脈動至1 %以内之精確度時， 此隶小脈動時間刻度用於這些匹配網路者可能是幾十秒或 25至30衫。因此，為了要精確地達到所說明之脈動，吾人 而要一匹配網路具有上昇及下降時間，或者一時間刻度之 在微秒之範圍者。因此，此早期技藝已是必需來接受功率 耦合狀況之係無效率者，同時它甚至是從此一脈動至另一 脈動或者自此一運作至另一運作均可變化者。 如果於基體處理中一阻抗之不匹配發生時，基體損害 將很可能產生。 可變頻率RF功率產生器之使用緩和了甚多當引用一 固定頻率RF功率產生器和一匹配網路時所遭遇之問題。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） " ---mr.---Aw--------訂---------線 (請先^讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ____________B7 _ 五、發明說明（ό ) — --------------Μ—— itfiHrv讀背面之:i音？事項再填寫本頁) 美國專利案第5,688,357號（Hanawa)透露一種使用可變頻 率RF功率產生器之方法，包含一固態振盪器與一控制系 統相接合，此系統包括感測此反射之及/或傳輸之功率之 .方法此控制系統調整RF功率源之頻率直到反射之功率 係最小及/或傳輸之功率係最大為止。本固態技術之缺點 係此事實，即有一固態構件之RF電力供應係可適用於處 理比較低之功率位準之5kw之範圍内者。不過，產生較高 功率位準之電力供應能力，例如高至15kW者，係必需來 處理晶圓之有300毫米之直徑者。另一可供選擇方式來使 用一固態振盪器者係在一振盪器電路内作為活性構件之一 真空官之使用，它包括此負載線圈和電漿負載。 真空管振盪器經引用於變換直流電成交流電已超過5〇 年真工言振盡益之設計之完整討論可以在下列文獻中發 現·“真空管振盪器”（電工程之原理，第χι章；應用電子 叢書，電子學中之第一課程，由MIT電工程部門人員合著 之電子管和相關電路，紐約1943年由John Wiley & Sons出 經濟部智慧財產局I工消費合作社印製 版社發行）。依照此文獻，真空管振盪器業經分類為兩級 亦P負電抗振蓋為和反饋振盪器；或者使用低壓電聚放 電之半導體之處理中特別使用者，反饋振盪器可包含一真 空管作為一放大器以及一耦合電路，其中此耦合電路包括 此負載線圈，它可以是一螺旋線圈，或者一電構件以電漿 轉合此RF功率者。典型反饋振盪器之範例係：哈特立振 盪器，柯匹子振盪器，調柵振盪器，以及調栅調屏振盪器 。用於習知哈特立及柯匹子振盪器之基本電路係分別顯示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 9 494708 五、發明說明（7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於弟3A及3B圖内，它們是可在“真空管振盪器”卿Q文 中發現。 反饋振盪器之操作背後之基本前題係該裝置作用如一 放大器’其中輸出功率之_部分係反饋作為對放大器之輸 入，因此，該振盪器可以被保持。因此，任何裝置具有能 力週期性地輸出以-輸出功率較須要以驅動此振i器之= 入功率為大者即可以自行激發稱之。更明確言，如果此輸 出功率之構件係反饋至，例如，以適當之量及相位至真 管之陰極，那麼此振蓋器可以持續。有時，觀察此反饋 接之真空管振盪器作為一負電抗元件係極有用。 第4A和4B圖分別地呈現相當於第3八圖内所示之哈特 立振盪器之一反饋振盪器之一簡化之示意圖和等值電^、 。第4Α和4Β圖係亦被發現在supra之真空管振盪器中。 第4A圖内，此電路係包含一真空管放大器和一耦合網 。如所顯示者，此真空管放大器有一輸出電壓&(屏極 陰極）’ 一輸入電壓Εε(栅極至陰極）以及一電壓增器 。此耦合網路見到一輸入電壓匕並有Etb之一輸出電壓， 此處/3 =Etb/Ep係耦合網路之電壓比。為了要產生自行激發 之振盪，此放大器K之電壓增益必須是至少等於反饋電 比/5之倒反，或K - 1 / /3。 第4B圖呈現如第4A圖之同一電路之等值電路圖。 過，吾人假定此電路為一線性A級電路。讓κ之值被取代 在第4Β圖之電路中，吾人可能顯示用於持續振盪之下 狀況共同地作為巴克豪生準則言及之， 空 連 圖 在 路 至./Ε0 壓 不 列 ---------.—J— --------訂---------線 (請土v/讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 發明說明（8 ) p㈣Ά刻 ⑴ 此處Z係負載電路之阻抗’以及"和gm分別為真空管之增 =相互導電率。很清楚地，Θ係複電壓比，由於此阻^ :包括反應性構件’其中真實和虛擬部分必須是 早獨地相寺以符合等式⑴。此等兩要點放置限制在量和 相位上，亚因此界定用於操作之必需條件。事實上士 =式⑴之真實部分為管^之相互導電率設定條件，以: 等式（1)之複式部分大致上設定操作之頻率。 一如第3A®中所示’此哈特立振Μ之負載電路盆 阻抗係Ζ者包含兩個感應器L々L2與一比較器^並聯， 其中兩個感應器之間之共有節點係直接地連接至真空管陰 極。 π 與分光言"電漿產生相關聯纟，歐洲專利案 EL’568920A1號（Gagne)透露在用以叙合rf功率至大氣電 水之-柯匹子㈣器電路内_三極真空管之使用。不過， 此振盡器電路係經透露如有—不良效率，接近鄉至 用以轉合功率至電浆。此外，當經設計作為—反饋振堡器 用：.禺合RF功率至一低屋時’高密度電黎，此柯匹子振 盈器係不能自一電聚點引狀況過渡至運作狀況而無相互電 路凋咕。為了要克服這些問題並改進振盪器電路之堅固性 ，一哈特立振盪器業經引用俾能自動地轉換於開始及運作 狀況之間。此外，此哈特立振^電路經發現為更有效率 ’接近7 8 %。 A7 B7 五 、發明說明（9 本發明之概述 本發明之目的係在提供—+ 電漿產生糸統具有一 RF功 革產生益者’它消除上述之缺點和瑕疵。 =之另—目的係在提供如此一系統，以一…力 小。/、b力‘作在此-功率位準之現用電力供應為 本發明m㈣在提供-RF高功率產生器，它 力使功率轉移至電_，而同時急速地調整以改 :: 犯圍之日⑽刻度，並繼續地在電聚源阻抗中之變化時保 符一匹配之阻抗耦合電路。 及運明之另""目的係在提供一rf產生器，它於開 ^運作狀況中操作穩定，並係具有在開始及運作狀況間 動轉換之能力而勿須有電路之相互調譜。 上述及其他目的’依照本發明，由-系統用以變換DC ^力成為-RF電磁場於—處理室中者來達成，此系統 讀 始 線 包 一線圈經圍繞此處理室而建造，用以耗合rf功率 為電漿；以及 ，力率產生器’包括有一 Dc電力供應和rf功率輸 出之自由振in，此功率輸出係連接至_貞載阻抗 ’它包括此線圈，RF功率產生器係可操作用以供應好 流至此線圈，以便能產生KRF功率，它係經耦合入電 成 電 漿 本紙張尺度顧巾關家鮮（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 494708 . A7
内考，具中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此自由運行振盪器包含：_ 介 m S有陰極，屏極和柵 極，一柵漏電路連接至此栅極；—反饋電路搞合至此直空 管；以及—直流供應電路料接心加熱此陰極；以及 至少部分線圈係經連接以形成反饋電路之—部分。 依照本發明之較佳具體例，此RF功率產生器 此處理室放置，同時此直流電力 电刀供應必須是在遠離處理室 和RF功率產生器兩者之—位置來配置。不過，此^電力 供應可以放置在任何位置’包括鄰近於此室。DC電力供 應之大小係RF功率位準所要求之魏，以及因此，當15]^ RF功率係要為晶圓處而產生時它可以變為十分大。 為了要達成此理想之RF功率輸出位準，亦即RF功 斜坡或脈動之RF功率，依照本發明之一RF功率產生器 以使用，一如其活性構件，一三極真空管有一控制柵極 其中此柵極偏壓電壓可以使用一波形產生器來變更。此 性構件亦可以是一四極管，五極管等有單一或多控制栅極 者之固態電晶體，場效應電晶體，或類似增益裝置。依照 本發明之較佳具體例，此真空管自由運作振盪器係一變 之哈特立振盪器。 吾人發現，該自由運行振盪器之使用消除了對任何— 配網路之需要，並容許此振盪器輸出成為直接地連接至感 應性線圈，並因此直接地耦合至電漿源。 當處理室内之狀況改變時，在電漿阻抗上將有一相對 之改變，以及因此一相對之改變在振盪器電路之負載阻抗 率 可 活 更 匹 ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
上。除了係此真空管參數之功能外，振盈器係持續於其上 之頻率係此負載阻抗之功能。因此，在穩定操作中，此自 由運行振盪器之RF頻率將自動地調整至此一改變。 依照本發明之一系統給予若干優點超越早期技蓺，包 括=良之安全可靠性，自此一單元至另一單元，對功率位 準又化之反應之速度，以及藉計量此振蘯器輸出頻率以監 控電漿狀況之能力等之性能之一貫性。 、 自由運作振盪器之能力以隨負載阻抗上之改變而急速 地又化其振盪頻率而不依賴機械性地可調整構件，導致一 j可Λ之RF功率產生器輸出阻抗對電漿源之阻抗之更可 靠之匹配，並因此提供對電聚釋出之功率之更精確控制。 此外，機械地可調整構件和相關控制電路之消除大大地改 進了系統之可靠性並減小系統之製造成本。 換σ之RF反饋振蓋為之回應係僅有賴於電黎阻抗 可改變之速度及各種電路元件之時間常數。例如在電裝阻 抗上與此類改變相關聯之時間刻度在運作狀況時可以是數 十微秒，以及在開動操作中長如丨毫秒。因此，自由運作 振盪器之使用提供功率之有效轉移至電漿源，即令分別地 當此RF功率係呈有3至5亳秒之持續期之脈動之形態供應 時，或者如果小於1%之精確度係被要求時，以及具有上 昇和下降時間短如30至50微秒時亦然。此RF功率產生器 可令人滿意地回應電力位準變化和有3至5毫秒之持續期之 脈動，並能令人滿意地操作甚至當111：功率係以一複式多 位準，週期或非周期之時間功能脈動於不同功率位準之間 ； 〆—--------tr---------1· (請先i背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國豕^示準（CNS)A4規格（210 X 297公f 494708
五、發明說明（12) 時亦然。 (請土,:、'讀背面之注意事項再填寫本頁)
此外，由於由此RF功率產生器所產生之尺？頻率隨電 漿源阻抗而變化，故此奸頻率可以被監控以提供電漿: 況上變化之指示。此時可以特別地有助於此範圍，即RF 頻率可以是對特定電漿源參數相關連。 雖然本發明給予若干優點，吾人為了要說明，即在目 前之技藝狀態中，高功率真空管灯振盪器須要由高度，丨 練人=施有規律之保養。此外，在某—定操作狀況下， 此振盛器輸出頻率可以在為卫業灯用途所指定之ism帶之 外面之頻率處作變更。不過，此一問題可以藉圍繞此電力 供應和處理室之適當RF遮蔽來緩和。此一 RF遮蔽，例如 ，可以是呈銅綱孔及/或銅板壁圍封此電漿室之形態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此一遮蔽係未特別地顯示於圖内。不過，依照此一技 蟄中早已習知之原理，所有RF構件，亦即，線圈，電纜 ，RF振盪器和振盪器電路元件可能習慣上地有適當之遮 敵，亦即，可能是被圍封於一金屬箱内，與電纜同軸等， 此處仍可能有某些RF洩漏，以及如果其量係充分地大時 ，那麼另外之遮蔽可能須要，可能呈銅板壁及/或銅網孔 壁之形悲、以遮蔽整個室。RF遮蔽係用於大多數處理室之 標準範例。 圖式之簡要說明 第ΙΑ ’ 1B和1C圖係三個早期技藝之電漿產生系統組 態之簡化之描繪圖。 第2圖係一早期技藝之固定頻率RF功率產生器之電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） ^4708 五λ發明說明（13 ) 圖 第3Α和3Β圖係兩個早期技蓺 圖 之真空管振盪器之電 路 第4A和4B圖分別地係顯示於第3A圖中 電路圖和一等值電路圖。 第5圖係依照本發明之系統耦合至一處 之振盪器之 理室之方塊圖 第6圖係第4圖内所示系統之自由運作振盈器之一較佳 具體例之電路圖。 第7A圖係連接至第6圖之電路之組件之一電漿產生 統之部分地為繪圖，部分地為電路之示意性說明^ 第7B圖係第7A圖内所示電構件之電路圖。 第8A和_係等值電路圖，說明依照本發明之一 功率產生器之操作原理。 第9圖係可與第6圖内振盈器使用之一構件之電路圖 第10A圖和10B圖分別地係一真空管構件之端視圖 一側視圖，它可以被引用於第6圖之自由運作之振盪器 糸
RF 和 中 —.—_—〆—--------訂---------線 (請先欠讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第11圖係一規畫之流程圖，說明依照本發明之一電漿 密度控制程序。 本發明之詳細說明 第5圖係依照本發明用以產生rf電磁場之系統之方塊 圖，與一處理室2—起，其中一電漿係藉此電磁場之裝置 予以產生。室2圍封一處理區域4，在此區中此電漿係經形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 494708 A7 B7 五、發明說明（Η --------------Μ—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成。在此區4内裝設有一基體支承6, 一基體8係安裝其上 。基體8可以是-半導體晶圓’-電漿協助已處理程序係 要在其上實施。區4係由一處理管1〇所包圍，此管又依序 地由一電磁場丨2所包圍。室2係經提供在區4之上部邊界處 ’具有-氣體翁組合14用α喷射可離子化之處理氣體^ 入區4内。此一處理氣體將由RF電磁場所離子化於區々内 ，以及產生之離子將在由區4内適當構件（圖中未顯示）所 產生之電場之影響下朝向基體8推進。此一構件係業界中 早已熟知者。 戴至此時所說明之所有元件，和所有其他系統及構件 經需要以實施一電毁協助之蝕刻和澱積操作，並不屬於本 發明貝獻者，可以由業界中眾所熟知之構件來構成。 --線- 所須要之電磁場係藉供應一 R F電流至圍繞區4和遮蔽 12纏繞並構成依照本發明之RF電磁場產生系統之一構件 之線圈16。為了要產生此_RF電磁場，線圈“係連接至 一 RF功率產生器20之輸出電導體，以及操作電力係自一 DC電力供應22輸送至此產生器2〇。 經濟部智慧財產局I工消費合作社印製 在所說明之具體例中，線圈16係一螺旋或螺管式線圈 。不過，應予瞭解者，即線圈16可以有任何適用以在一處 理室中產生一電漿之形態。 依A?、本發明之較佳具體例，rf功率產生器2〇係直接 地鄰接反應态2而安裝，同時dc電力供應22可以放置在遙 距功率發生器20之一位置處並藉電導體24而結合至功率產生 器20。不過，吾人勿必要放置DC電力供應22在此一遙距 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 17
發明說明（l5 ) 位置。事實上，它可以鄰接於反應器2之局部内放置。 、RF功率產生器2G係基本上由—自行運作振i器所損 成’它有’作為其活性構件，一三極功率真空管％。本文 中所說明之本發明之振盈器電路之一較佳具體例係顯示於 弟6圖内。它有一類似於本文中早期所說明之哈特立㈣ 為之構形··不過，它係不同，其中此電構件包含此負載電 路者’包括此電漿耦合元件’亦即螺旋式線圈“和此電漿 Ο 一第6圖内所示電路係顯示於第3A圖内哈特立振盘器之 一«版本。此哈特立振i器電路係較大級之反饋振盈器 之-範例。哈特立振盪器之一特徵係分岐感應(第3A圖内 Li和L2;第6圖内之17和18)’它係在一節點處被分岐，而 此節點係連接著三極真空管26之陰極。用於—反饋振盈器 之刼作之基礎偏壓係說明於文獻supra第十一章之“真空管 振盡器’’ 一文内。 第6圖中所呈現之電路包含若干構件各須要詳細說明 。這些構件係如后：⑴，-DC電力供應（第5圖内構㈣ ，但未顯示於第ό圖内）有一輸出連接於接頭28和接地線之 間，（π)，一低通濾波器包含一分路電容器32和一rf抗流 感應器30; (iii)，一三極真空管26; (iv)，一負載電路包 括一阻遇電容器34, -電路調諸電容器24，螺旋線圈關 合至電漿處理反應器2，以及自螺旋線圈丨6至三極真空管％ 之陰極之一反饋連接裝置；（v)，一栅極電容器4〇和一柵 漏屯路42，以及（vi)，一低DC電阻，高AC阻抗陰極加 Ί (請先 n n · I \ Aw 訂---------線泰 :«背面之、;1-意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 18 發明說明（Ιό ) 熱電路36。 在第6圖中 不範性一組構件值，以及輸入電壓和 電流值之用於此電路者係經指示為5kWRF功率。 此自由運作振蓋器有一單一活性構件，它係一三極功 率真空管26之有-屏極，一陰極和一控制拇極者。一如此 技藝中眾所熟知者，應用於此控制拇極之電位，當一適當 之操作電壓存在於陰極和屏極之間時，將影響流動於此陰 極和屏極之間之電流量。典型地，此類三極管之陰極將係 以鉦鎢合金製成。 一三極真空管可以用作管26者之一特殊範例係
Siemens RS3010C RF真空管。 管26之此輸出，或負載電路係由電容器“和以以及線 圈16之部分18所構成。特別地是電容器34和線圈部分⑽ 王亚如地連接於官26之屏極和陰極之間，電容器24係呈並 聯地連接於電容器34和接地線之間，以及線圈部分⑺心 係呈並聯地連接於電容器34和接地線之間。此外，電容器 24和線圈部分17兩者係連接至接地線，以及因此，有效地 形成一串聯之支線與最先提及之線圈部分16並聯。 被引用之連接裝置係有意來與哈特立振盪器構形之那 麼一致。對螺旋線圈之連接裝置之一點將測定自阻遏電容 器34之連接裝置和至陰極之連接裝置之間之有效感應，以 及此有效感應自此連接裝置至陰極至接地線。此一分裂感 應係繼承於哈特立振盪器，以及其值影響振盪器之性能。 阻遏電容器34係經應用於自負載電路解速之Dc電力 494708 五、發明說明（π ) 1 員 工消費 。可變電容器24,經在第6圖 ，係被引用以調整在等犬。由 _有-笔容量，，CX..者 為時，-操作振:二：在如此作 (亦即，RF功率，室條件 、、.之^稱狀況而調整 係被分成三個部分，亦即 H線圈16 容器一輸入分接頭和=:端部分19’連接著電 、反饋刀接頭連接裝置46之間之部分18,以及部分17自反饋分接頭連接裝置伸展至用方^ =源之外部導電壁或遮蔽處之地線。此線圈⑹系―螺旋: 圈，它係繞著此電漿室捲撓者。 、、、 第7A圖呈現-螺旋切振器之示意圖，其中 線圈16係繞著一靜電遮蔽和-處理管捲繞，後者係電/ 材料製成亚係以靜電遮蔽圍封。線圈⑹系由—室壁圍纺 並係連接至輸人分接頭位置以及自由運作㈣^反= 接裝置46。此室有—外壁以電導性材料製成，同時線圈 之部分17之終端係連接至該外壁。第7a圖之構件之一 路不意圖係顯示於第7B圖内。，線圈部分17和18代表共β 於哈特立振盪器之分裂感應，以及部分19係簡單地為螺旋 或言皆振器之張開終端。當然’在運作狀況中與電毀將係相 互感應。一如早期以第⑴圖為基準之所說明者，—螺旋 式諧振器係包含一遮蔽，或外部電導體，在此一狀況中它 係此可導電室壁，以及一線圈或内感應器，在此狀況中它 係線圈16由此遮蔽所圍封。線圈丨6之一端係直接地連接至 接地線或至此遮蔽。線圈16之相對端係張開終端，除非是 質 :連16電同 線 社印 製 微調電容器係被引用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 494708 五、發明說明（is 經濟部智慧財產局I工消費合作社印制衣 概括而言，H統行為類似於一四分之 線諧振器（參看··用於無線電卫 /、專輪 包％之基準貧料H〇Ward wSams & Company(1975年出版）第24章，28_3〇頁卜鱼以」 線圈之電容,_合有關聯之電容量，與此外面電導體= 圈之感應性，共同合作地形成_LC電路，其中諸振 變為 ω=(ΙΧ)·1/2。 、 為了要瞭解此負載電路和其與整個振盡器電路之輕合 ，並以測定持續之振i是否係可能，以及什麼振盈頻㈣ 可獲得，簡化之t路圖可以繪出α包括此電漿之效應 。例如，在第1C圖中所示感應性耦合之電漿源之情況^ ，此處外面電導體係一導電性室壁，呈現於第lc圖内之 貫際系統可以由第8 A圖内所示之已簡化之電路圖來代表（ 蒼看· Lieberman & Lichtenberg，“電漿放電之原理及物 貝處理，John Wiley & Sons，Inc.，1994年版393 頁第 1，， 圖）。此係共同地作為感應性放電之一變壓器耦合電路模 式而言及之。此感應性線圈係由感應器Lc來表示，它係 通過電漿感應而耦合至電漿。當然，此電漿係由電路元件 Lp和R所表示。此一電路進一步地被簡化於第8B圖内，其 中第8 A圖之電路係由一有效感應器和呈串聯之電阻器所 取代。使用電漿之一等值電路模式，吾人可以預估負載阻 抗如由此放大器電路所見者，以及後續地設計此總振盪器 電路以有持續之振盪用於一指定頻率在某些標稱之狀況設 定處。 操作電力係自一傳統式高電壓直流電力供應22供應至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 21 ^--------^---------線 ftt土.v'irt面之;is事項再填寫本頁) 494708 A7 五、發明說明（l9 ) 管26(未顯示於第6圖内），其電力供應之輸幻系連接於電 力輸入接頭28和接地線之間。接頭28係經由RF抗流線㈣ 而連接至官26之屏極，以及渡波器電容器32係連接於接頭 28和接地線之間。線圈3〇和電容32作用如一低通淚 ，、 它自振盡器之AC部分解速DC電源。一 AC路線在管^陰 極和地線之間者係由線圈16之部分17所提供一如所說明: 真空管功率三極之適當操作要求其陰極係被加熱， 便能作用如一有效之電子放射器。管26之陰極係由自一週 :之電壓源(圖中未顯示)、經由一電流輸送電路％供應π 電壓至陰極而加熱。電路36係包含一組感應器與電路％之 正極和負極輸入接頭之間之陰極形成一串聯之電路路線， 連同一串聯之分路連接之電容器。在效果上，電路％提供 一非常低之DC電阻於其輸入接頭和陰極之間，此陰極亦 有非常低之DC電阻，俾使一加熱電流有高量者可以由較 低㈣壓所產生。電路36基本上作用以提供ac解速於振 盪器之南頻率部分和Dc電壓源之間。 …第6圖之振盡器電路另包含栅極偏壓電容器4〇經連接 =管26之栅極和接地線之間’以及栅漏電路42亦經連接於 管2 6之栅極和地線之間。 消 以 適 訂 線 此簡單之分析已提供本文中早期有關於一線性a級放 大器。不過’普通-栅漏電路42和拇極電容器4〇係用來供 應-柵極偏壓電堡。因此，此一非線性電路之引進促使振 逢器電路之運轉來立刻地侵犯八級管之操作。此非線性發 i紙張尺度翻中關家標準（CWbM4祕（21G X 297公爱· 外4708 A7 電 田 、發明說明（2〇 生只是由於電流流入柵漏電路内之整流，一如將詳細討論 如后者。此非線性運轉添加兩種理想之效果至振盪器電路 知作。首先，它添加一穩定化效果：換言之，它限制持 績振盪之振幅。例如，如果此電路線性地運轉時，沒有元 件來約束電路之大部分不穩定頻率模式之振幅成長。其次 ，一柵極偏壓電壓之使用能使此管以更大效率予以操作， 如此即它有C級性能。對此效率之改進起源自此事實，即 用於持續振I之頻率變得接近於㈣電路线振頻率。 最後，管26之柵極係經連接至一輸入接頭44，此接頭 經提供用於對栅極電壓產生電路之連接裝置，此電路可能 建造以供應此柵極以一正常量之〇(：偏壓電壓，或者一電 壓有-選擇之波形，諸如一脈動之波形，一複式多位準： 形，一正弦波形等，一如將詳細討論如后者。 對-指定之屏極至陰極之操作電壓言，通過管W 流之位準當三極管栅極上之電位變成更正電時將增大。 柵極上之電位係以陰極電位為準之正常時，某些自曰三心 陰極之電流將充電電容㈣並流動通過漏電㈣。當三 管柵極上之電位係以陰極電位為準之負電時，那將沒有 子流入漏電路42内。因此，在_RF循環之時期中^ 柵極偏壓係以陰極電位為準之正電時，電容器4〇將充； 以接地線為準之負電位’以及電流將隨後在好循環之 -部分中通過漏電路42自電容器4〇慢慢地漏洩。 電容器4〇之電容量應該是大得足夠以在操作頻率處盘 柵-漏電阻量相比較時之微不足道之電阻量。此係等於來 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSM4規格（210 Μ--------t---------rM (請先av'tt背面之;£意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局I-工消費合作社印製 極 電 此 至 另 23 A7 五、發明說明（21 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ==電路之時間常數必須是充分地較--振 产.亦狀況下’在電容器4G上之某些電荷堆 二 '卩“失落至柵_漏電路之失落率純於RF週期之 二中自栅極接收之電荷為小。因此，當電容器40上之 IS增IT h負柵極偏壓電壓增大’因此減小此柵電流 漏+路取終地’―穩定狀態之狀況_達，其中失落至柵 二之：荷平衡了在一 RF週期中所接收之電荷。在 :::-穩定電流之分量作用通過此柵漏電路以及乂 用通独電容㈣。典型地，—電流計量㈣可 旦？：用以计1及監控通過此柵-漏電路之電流之穩定 里。接電流係此電路中㈣之相關振幅 用來導引振盪之出現。 為了要準備第6圖内所示振盪器供使用於 Ζ中’吾人僅必需來㈣電咖至—敎之標刪 批^匕1能是’例如，13·56_Ζ。當此—初始電路調 一疋成日寸’在電聚處理操作中沒有附加之調證係須要。 -如由上文等式⑴所示’負載阻抗中之變化直接地影 電壓比“。為了要持續振盈，此㈣之頻率必須 以為阻抗Ζ中之這些改變補償。當然，當頻率改變時 此阻抗也同時改變。 在操作之開始時’電路中之電子雜訊產生一始微 皮長係被放大。產生之振盈之持久耽視反 壓之增显是否係較個體為大。當電毁内之狀況變化時 於此反饋橫越電子管之電位也變化，以及後續地，此 此 交 分 以 響 改 擾， 饋電 ，由 電子 ^ --------訂---------線 (請先父讀背面之注咅'5事項再填寫本頁) 參紙張尺度適用中國國家標準 X 297公驁） 24 494708 A7 B7 經濟部智慧財產局艮Η消費合作社印製 五、發明說明（22 管自行調整此振盪頻率。 因此，由此自由運作振盪器所產生之頻率將自動地調 整以改變在電漿源之特性阻抗中，以便能在區4内保持最 佳，或接近於最佳之能量耦合於振盪器和電漿之間。 由依照本發明之RF功率產生器所提供之一優點係該 自由運作振盪器可調整以在DC驅動電力之量上改變，較 利用機械式地操作之阻抗匹配網路之振盪器要快速甚多。 特別地，依照本發明之一自由運作振盪器可調整以提供波 形界定在3至5毫秒之一時期内1%精確度以内。此即暗示 該一調整將在100步驟之進程上完成，每一步驟有一大約3〇 至50微秒之上昇時間。 依照本發明之一自由運作振盪器，當此調諧電容器業 已在開始％適當地調整時，可回應電漿阻抗改變於電漿區 中氬大氣中氣壓變化於01mT〇rr至5〇mT〇K之間時。第6圖 所說明之特殊電路具有電容量和電阻值說明於本文内者， 可回應於1和17 mT〇rr之間之壓力變化範圍。僅極小調整 而要對此電路進行以轉移此範圍向上抑或向下，以便能獲 得作特性在本文中初始地所說明之至少一部分壓力範圍 以内。 一如係業界眾所習知，一電漿之密度係有賴於若干操 作乡數包括電力輕合入電漿内之位準，處理室内之 氣£等。特別地是此電漿密度係直接地受所取收久電力量 pabs所影響。因此，如果吾人考量第一熱動力學定律，則 由振盪裔部分20所產生iRF功率ρα，以及係由此電漿 ^--------^---------線 (請先芡讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494708 五、發明說明（23) 所吸收者之間能量之平衡’那麼44。因此，監控某一 構件之服度可提供某些有關失落於加熱之功率量或變換為 熱之失落功率之至少一分量之某些資訊。不過，電聚處理 系、先之使用須要冷卻系統之一定區域之方法以保持溫度穩 定。例如，此RF振盪器部分2〇可經歷一顯著之溫度上昇 ，、中貝貝地加熱由三極真空管和柵電阻器内之電力擴散 而舍生。在電槳系統之操作中，此擴散功率係足夠以產生 RF振盪器部分20内構件之明顯之溫度昇高。此好振盪器 郤刀20基本上包含第6圖内所顯示之所有電路構件，但除 了用於DC電力供應螺旋線圈和電漿者以外。此外，此螺 旋線圈和處理室典型地須要冷卻。一般而言，此螺旋線圈 浸潰在冷卻劑流體循環浴中（例如，氟化物）。冷卻劑流體 之溫度係對電力擴散量有關。 理想地，為吾人所希望者是能直接地計量電漿密度。 不過，此將須要附加感測裝置之安裝在處理室上或其内， 諸如，例如，一 Langmuir探針，它可以被安裝以伸入電漿 空間内，並可要求通過此室壁之一電進給，或者一較少侵 入性之微波系統。不過，任何電漿密度計量裝置增加所造 成糸統之複雜性和成本。 在依照本發明之-系統中，此自由運作振蓋器電路之 振藍頻率係若干參數之作用；包括三極真空管之辦兴矛相 互電導，以及此電路之負載阻抗。此電路之負載阻抗耽視 各種電路元件而定，亦即此阻遏電容器，可變電容哭，螺 旋線圈，以及當然此電漿。確定地，«變化，^電聚 :一 --------IT--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 26 外 4/08 A7 五 、發明說明（24 ) 訂 密度上之改變影響電漿阻抗，並因此而負載阻抗。因此， 吾人可能來探測振盪頻率上之改變以及關聯它以電漿密度 上之改變。不過’一如早期所說明者，此輸入電力係最終 地呈熱之形態擴散，亦即，功率之分量係在外部電路内擴 展以及其餘之功率加熱此電漿。沒有真空管，栅電阻器和 螺旋線圈之充分冷卻，結構之溫度可以是可變化者。一般 而。’此處理至在运離熱平衡之狀況下操作。溫度上之變 化確定影響真空管之操作參數，並影響系統之元件，包含 電路之負載阻抗。這些變化，依序地，影響自此產生器之 RF輸出之振盪頻率和量。因此，至為重要者為保持這些 構件在一正常不變溫度，或者至少在有較小變化之一預先 選定溫度處，而它有一可不予理睬之影響在振盪頻率上。 線 如果此電漿密度可以精確地控制時，那將變得可能來 有意地變更此電漿密度或以一選定之值來穩定化此電漿密 度。在前一狀況中，吾人可能希望以釋出一信號呈電壓脈 衝，斜坡，或自DC電源之更複雜波形之形態，同時保持 其他參數正常不變來調整RF功率。因此，變化供應至電 襞之功率即變化此電漿密度以及此將變化振盈器頻率。依 照另一可能性，吾人可以希望來設定輸入參數之一，諸如 室壓或供應至RF功率產生器iDC電力位準，以便能簡單 地穩定此電漿密度於一選定之正常值。 另-可供選擇方式為此一信號可以藉拇電壓控制電路 而應用於管26之栅極，其非限制之範例係顯示於第9圖内 。此一電路包括一脈動波形產生器6〇經由—變壓器Μ，一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A： 五、發明說明（25 ) 7刀路連接之電阻器64和串聯連接之電容器66而結合至第6 圖之端子44。電阻器64和電容器66基本上構成—簡單之高 通濾波器。產±器60可以實現以輸送一可變電壓至管％之 栅極，該電壓依照任何圖案而週期性地變化，包括一平方 波圖案，-複式多位準波形其分段有任何所要期間，或者 -正弦圖案。此類產生器係在業界中早已為眾所熟知。 當振盪器和電漿產生系統之溫度係經保持正常不變時 ，輸入參數諸如室壓或RF功率可以更精確地控制。在第6 圖内所不電路中超過丨至〗7111丁〇1^之壓力範圍，此振盪器頻 率變化超過200KHZ之範圍。如果此振盪器頻率可以被控 制在2KHz之公差以内時，藉適當地變化室壓，那將變成 可能來控制此振盪器頻率至1%之精確度。在依照本發明 之一實際具體例之操作中，第6圖内所示振盪器之持續頻 率係經觀察，當超過用於冷卻劑自5至3〇t：之溫度範圍每】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C時’它以6·66ΚΗζ之速率隨冷卻劑溫度變化。此一溫度 範圍係於一偏壓遮蔽係出現時所計量。此一遮蔽係大致上 為一有槽之遮蔽類似於靜電遮蔽，不過，不像靜電遮蔽者 為它係未接地線但取代以通過一阻遏電容器和匹配網路而 連接至RF產生器。此外，偏壓遮蔽之槽較那些靜電遮蔽 者割切得更寬，並與靜電遮蔽之那些呈直線對準以提供由 此線圈所產生之FM能量之通道。此偏壓遮蔽可以被偏壓 ’非偏壓或接地線。一般而言，吾人利用以偏壓此壁以為 清潔之目的來吸引離子撞擊，以及其呈現只是變化結構之 電性能。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 ： 297公釐） 28
經濟部智慧財產局I.工消費合作社印
因此，如果吾人希望來控制振盈器頻率至1%以内， 同時保持電聚密度（或壓力、電力等）於相符限度以内時， 那可能必需保持冷卻系統之溫度正常至以内，此係 難滿；I之要求。不過，此—控制可以利用用於螺旋： 振器之冷卻技術來達成，諸如透露在—待審之美國臨時申 請案號60/095,036，標題為.‘ESRF室冷卻系統..中者，此案 由J〇hnS〇nS 1998年8月3日提出申請者。此一控制裝置能 ^振盈器頻率成為電装變化之—指示，亦即，那些與壓力 電力改變等相關聯者。如果溫度係保持在一定限制内之穩 疋日守，那將沒有依賴頻率變化之任何溫度。 心 此外，冷卻必須為RF振盪器部分2〇提供，以便能為 振盪器電路之其餘部分保持一穩定之溫度。保持一正常不 變之管溫度之方法可能要繞著此三極真空管捲繞一銅管， 亚通過銅管以高流速來提供冷卻流體之流動。一種流體可 以是冷卻之水保持在，例如，说之溫度者。此同一銅管 ，或冷卻線路，可繼續以傳送通過一銅塊件，柵極電阻器 41和43係女裝其上，一如第6圖内所示。此將可為真空管 和栅極阻H提供充分之冷卻。兩者構件可擴散輸入沉電 力之基本分置。例如，散逸於管内之功率可以是大如丨kw ，以及由栅極電阻器所散逸之功率可以是大如3〇〇w。第 10A圖係一端視圖，以及第1〇B圖係一側視圖，顯示對三 極真空官26和冷卻管90之一適當之組態。管26係藉一支承 板92而被支承於振盪器外殼内，以及管卯係繞著管％而捲 繞。管90之自由終端係藉板94所支承。所說明之配置可以 ^--------^---------線 (請先父讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 494708 A7 五、發明說明（27 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由一單元之由Siemens公司在模型標示RS-3〇 1〇_cj者推 所構成。 在冷卻劑溫度和RF振盪器2〇上之此一限制之概略滿 足丄此㈣㈣率可以被5丨料為_控制功能用以控制電 漿密度，以A此振i器頻率可以藉適當地調整室壓及,或 RF輸入功率而控制。操作依照本發明之一系統之前，— 貧料庫將為此指定裝置而開發，肖資料庫提供電裳密度和 振f頻率之各種組合，室壓和㈣人電力之間之 假定吾人意欲於此兩個值之間藉執行1〇〇步驟來自一初始 電裝密度值改變至終了電聚密度值，此將係了要達成一丨二 精密度者’每一電毁密度步驟係經界定並與頻率及壓力 驟相關聯。使用壓力步驟之值，—預定 控制與電裝室之内部交通之一高真空間之張開及二： 後’此高真空閥可以操作以調整在每—步料與精細調諸 八間之壓力。如果吾人希望來控制電聚密度作為好 力變化之作用時’-類似方法可以被引用。事實上，kr 功率之使用以調整«密度係操作之最佳模式，因為此控 ，系統將有最佳之迴應時間。詩此FR〇之迴應時間可以 是大約幾十微秒。 此-程序之-特殊範例係說明於第i i圖内。依照所說 之&序理釔之電漿岔度係設定在步驟7〇中，此後各步 驟和相關壓力改變之間之關係係設定於步驟72。隨後在步 驟74中一節流或閥係張開及閉合，緊接以於步驟％内— 電水區中之壓力和振盪器輸出頻率。隨後，一相調譜可 步 來 隨
電 RF 監控 以
Γ請，土《讀背面>^%事項再填寫本1、} •t 訂---------,ΜΦ. 494708 A7
訂 線 k 五、發明說明（29 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一項優點是該脈動電路之操作可以在低功率位準處受影響 。吾人業經發現，即此一方法能使動之產生具有0.001HZ 和：>00Ηζ之間之重覆率以上昇時間短如儿微秒以下降時間 短如5〇微秒。另一可供選擇方式為此類脈動可以由Dc電 源提供。乂些脈動有一較高功率内容，它可提供短脈動上 昇和下降時間，並因此高脈動重覆率。 此偏壓遮蔽和夾頭引進一不同之與電漿之電耦合，因 此，須要對等值電路之修正。當然，如第6圖内所示負載 電路可能被修正，以及用於若干構件之值，亦即，此阻遏 電容器，可變電容器等，可能改變。 雖然上文說明言及本發明之特殊具體例，但應予瞭解 者，即在不背離其精神時甚多修正仍有達成。附列之申請 專利耽圍係意欲來涵蓋此類修正，一如可能落入本發明之 其貫範圍和精神内者。 所透露之具體例因此係在所觀點上被視為說明性質 非限制性，本發明之範圍係由增列之專利申請所扑示而 是前述說明，以及所有改變進入專利申請之等義之〜圍 意義内者係因此意欲予以包含於本發明之範圍内。 而 不 和 .^ --------IT---------線 (請先¾讀背面之注t事項再填寫本頁) 32 494708 A7 B7 五、發明說明（30 ) 元件標號對照 2…處理室 4…處理區 6…基體支承 8…基體 10…處理管 12…電磁場 14…氣體噴射組合 16…線圈 1 8，1 7…線圈部分 19…線圈張開終端部分 20 — RF功率產生器 22…DC電力供應 24…電導體 26…三極真空管 28…接頭 30…RF抗流感應器 3 4…阻遏電容器 36…加熱電路 3 6…電流輸送電路 40···柵極電容器 41，43…柵極電阻器 42…柵-漏電路 44…輸入接頭 46…分接頭連接裝置 48…電流計量表 60…脈動波形產生器 6 2…變壓器 64···電阻器 66…電容器 90···冷卻管 92…支承板 94…板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局昊工消費合作社印製 3 2…分路電容器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 33

Claims (1)

  1. ABCD 六、申請專利範圍 1. 一種用以變換DC電力成為&!^電磁場以在處理室内保 持電漿之系統，此系統係包含·· 一線圈以圍繞此處理室而建造，用以耦合RF功率 成為此電漿，該線圈有兩終端；以及 一 RF功率產生器，包括一自由運作振盪器之有一 DC電力供應和一RF功率輸出者，該功率輸出係連接至 負載阻抗，它包括該線圈，該RF功率產生器係可操作 用以供應RF電流至該線圈，以便能產生kRF功率，它 係耦合入此電漿内者，其中·· 該自由運作振盪器包含：一真空管之有一陰極， 一屏極和一栅極；一柵-漏電路連接至該柵極；一反饋 電路結合至該真空管；以及—DC供應電路經連接用以 加熱該陰極；以及 至少一部分之該線圈係經連接以形成一部分之該 反饋電路。 2.依照申請專利範圍第旧之系統，其中該部分之線圈之 形成—部分之該反饋電路者係自至少該線圈之終端之 一分隔。 3·依照巾請專利範圍第2項之系統，其中該線圈之一端係 接地線，以及該線圈之另一端係張開之電路部分。 4·依照巾請專利範圍第2項之系統，其中該真空管係一三 極管。 5.依照申請專利範圍第2項之系统，其中該叩功率產生器 另包含耗合至該真空管以改變麵合入電㈣之^功率 Φ------1T------線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) / u〇 A8 B8 C8 D8 &濟部智A財> j工-消費合作社印製 申請專利範圍 的控制裝置。 6.依中明專利祀圍第5項之系統，其中該控制裝置包含 一控制信號源經連接用以供應-控制信號至真空管柵 極。 7_依照巾請專利範㈣6項之“，其中此控制信號係一 時間變化信號之有-重覆率較灯功率之頻率為低者。 8·依照申請專利範圍第7項之系統，其中此控制信號有一 連串之脈動或一正弦形態。 9.依照中請專利範圍第7項之“，其中此控制信號係呈 一連串之脈動之形態，各脈動有一多位準波形。 1 〇.依照申請專利範圍第2項之系、統，其中該D c電力供應產 生一時間變化之沉電壓，它變化此RF功率經耦合入此 電聚内者。 11.依照申請專利範圍第10項之系統，其中此〇匸電壓係一 時間變化之電壓之有一重覆率較RF功率之頻率為低者 •依照申請專利範圍第10項之系統，其中此〇<：電壓有一 連串脈動或一正弦之形態。 13. 依照申請專利範圍第1〇項之系統，其中此〇(：電壓係呈 一連串之脈動之形態，各脈動有一多位準波形。 14. 依照申請專利範圍第】項之系統，另包含溫度控制裝置 ，可操作地與該線圈和真空管相關聯，用以保持該線 圈和真空管在選定之溫度。 15. —種用以變換DC電力成為！^；電磁場以在處理室内保 ----------^------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範圍 持電漿之方法，此方法包含之步驟為·· 放置一線圈環繞此處理室，用以耦合RF#率入此 電漿内；以及 提供-RF功率產生器，包括一自由運作㈣器之 有一真空官構成RF功率產生器之一有效構件，一反饋 電路經結合至該真空管，一 Dc電力輸入和一 rf功率輸 出； 連接此RF功率輸出至-負載阻抗，它包括線圈用 以供應RF電流至此線圈，並連接至少一部分之線圏以 形成一部分之反饋電路；以及 引進可離子化氣體入此室内，並輸送〇(：電力至此 DC電力輸入以便能啟動此振盪器以產生此rf功率之 _合入此電漿内者。 16·依照申請專利範圍第15項之方法，另包含變化室内電 漿之密度之步驟。 17·依照申請專利範圍第16項之方法，其中變化室内電漿 之密度之步驟係藉變化耦合入此電漿内之RF#率之量 而實施。 18 ·依照申請專利範圍第17項之方法，其中變化耦合入此 電漿内之RF功率量之步驟係藉變化Dc電力至Dc電力 輸入之量來實施。 19. 依照申請專利範圍第16項之方法，其中變化室内電喂 密度之步驟係藉變化室内氣體之壓力來實施。 20. 依照申請專利範圍第16項之方法，其中此真空管有一 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 控制栅極，以及變化室内電漿密度之步驟係藉應用一 可變波幅控制信號至該柵極而實施，其中該111：功率產 生器另包含耦合至該真空管以改變耦合入電漿内iRF 功率的控制裝置。 21·依照中請專利範圍㈣項之方法，其中該控制信號係 一時間變化信號之有一重覆率較RF功率之頻率為低者 〇 22. 依照申請專利範圍第21項之方法，其中此控制信號有 一連串脈動或一正弦之形態。 23. 依照申請專利範圍第21項之方法，其中此控制信號係 呈一連串脈動之形態’各脈動有一多位準之波形。 n I n i -- In m 1-¾ II -- II— iii ...... - - I - - - i— ..... I I I I ! — ------ ! I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部 智 慧 財 > 3 費 合 作 社 印 製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
TW089113967A 1999-07-13 2000-10-03 Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma TW494708B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14354899P 1999-07-13 1999-07-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW494708B true TW494708B (en) 2002-07-11

Family

ID=22504547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089113967A TW494708B (en) 1999-07-13 2000-10-03 Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6740842B2 (zh)
EP (1) EP1203441A1 (zh)
JP (1) JP4672941B2 (zh)
CN (1) CN1241316C (zh)
TW (1) TW494708B (zh)
WO (1) WO2001005020A1 (zh)

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741944B1 (en) * 1999-07-20 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Electron density measurement and plasma process control system using a microwave oscillator locked to an open resonator containing the plasma
US6305316B1 (en) * 2000-07-20 2001-10-23 Axcelis Technologies, Inc. Integrated power oscillator RF source of plasma immersion ion implantation system
AU2002218653A1 (en) * 2000-10-13 2002-04-29 Tokyo Electron Limited Apparatus for measuring temperatures of a wafer using specular reflection spectroscopy
WO2002037521A2 (en) * 2000-11-03 2002-05-10 Tokyo Electron Limited Hall effect ion source at high current density
JP3670208B2 (ja) * 2000-11-08 2005-07-13 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置，プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，検査方法
DE10147998A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Unaxis Balzers Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas
DE10154229B4 (de) * 2001-11-07 2004-08-05 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung für die Regelung einer Plasmaimpedanz
JP2003323997A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Lam Research Kk プラズマ安定化方法およびプラズマ装置
WO2004031438A1 (de) * 2002-09-28 2004-04-15 Ludwig Hiss Innenbeschichtete hohlkörper, beschichtungsverfahren und vorrichtung
US7088046B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-08 Tokyo Electron Limited Integrated process tube and electrostatic shield, assembly thereof and manufacture thereof
KR100561848B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-16 삼성전자주식회사 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리 장치
US7190119B2 (en) * 2003-11-07 2007-03-13 Lam Research Corporation Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system
KR101001743B1 (ko) * 2003-11-17 2010-12-15 삼성전자주식회사 헬리컬 자기-공진 코일을 이용한 이온화 물리적 기상 증착장치
US20070066038A1 (en) 2004-04-30 2007-03-22 Lam Research Corporation Fast gas switching plasma processing apparatus
US20050258148A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Nordson Corporation Plasma system with isolated radio-frequency powered electrodes
JP4344886B2 (ja) * 2004-09-06 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE102004046814B3 (de) * 2004-09-27 2006-03-09 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Beeinflussung von Verbrennungsvorgängen, insbesondere zum Betrieb einer Gasturbine
US7851368B2 (en) * 2005-06-28 2010-12-14 Lam Research Corporation Methods and apparatus for igniting a low pressure plasma
DE502005006162D1 (de) * 2005-11-12 2009-01-15 Huettinger Elektronik Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Vakuumplasmaprozessanlage
FR2895169B1 (fr) * 2005-12-15 2008-08-01 Renault Sas Optimisation de la frequence d'excitation d'un resonateur
US7517437B2 (en) * 2006-03-29 2009-04-14 Applied Materials, Inc. RF powered target for increasing deposition uniformity in sputtering systems
US8932430B2 (en) * 2011-05-06 2015-01-13 Axcelis Technologies, Inc. RF coupled plasma abatement system comprising an integrated power oscillator
US9137884B2 (en) * 2006-11-29 2015-09-15 Lam Research Corporation Apparatus and method for plasma processing
CN101689450B (zh) * 2007-07-20 2012-07-18 应用材料公司 等离子体工艺设备中用于至射频驱动电极的气体传递的射频扼流器
US9288886B2 (en) 2008-05-30 2016-03-15 Colorado State University Research Foundation Plasma-based chemical source device and method of use thereof
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
WO2009146439A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Colorado State University Research Foundation System, method and apparatus for generating plasma
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
CN202671648U (zh) * 2010-01-26 2013-01-16 应用材料公司 平衡rf电桥组件
DE102010001395B4 (de) * 2010-01-29 2013-11-14 Forschungsverbund Berlin E.V. Miniaturisierbare Plasmaquelle
US9084298B2 (en) * 2010-02-26 2015-07-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus including shielding unit for suppressing leakage of magnetic field
JP2013529352A (ja) 2010-03-31 2013-07-18 コロラド ステート ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション 液体−気体界面プラズマデバイス
CA2794902A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US9174296B2 (en) * 2010-10-20 2015-11-03 Lam Research Corporation Plasma ignition and sustaining methods and apparatuses
US9479227B2 (en) * 2011-09-13 2016-10-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Wireless electromagnetic receiver and wireless power transfer system
US9509179B2 (en) * 2011-09-13 2016-11-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Wireless electromagnetic receiver and wireless power transfer system
US9812902B2 (en) * 2011-09-13 2017-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Wireless electromagnetic receiver and wireless power transfer system
KR101429806B1 (ko) * 2012-01-17 2014-08-12 (주)이큐베스텍 다중 모드 플라즈마 발생 장치
US9867238B2 (en) * 2012-04-26 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for treating an exhaust gas in a foreline
US9279722B2 (en) 2012-04-30 2016-03-08 Agilent Technologies, Inc. Optical emission system including dichroic beam combiner
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9250514B2 (en) 2013-03-11 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for fabricating a photomask substrate for EUV applications
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation
EP3061326B1 (en) * 2013-10-23 2021-08-11 PerkinElmer Health Sciences, Inc. Hybrid generators and methods of using them
ES2534808B2 (es) * 2013-10-25 2016-10-06 Universidad De Cordoba Reactor de plasma pulsado y su aplicación para la transformación de hidrocarburos en grafenos
CN103647457B (zh) * 2013-12-18 2016-01-27 浙江农林大学 一种射频固态变压器
DE102014205695B4 (de) * 2014-03-27 2016-01-28 Christof-Herbert Diener Niederdruckplasmaanlage mit sequentieller Steuerung
US10879041B2 (en) * 2015-09-04 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of achieving high input impedance without using ferrite materials for RF filter applications in plasma chambers
US10553465B2 (en) * 2016-07-25 2020-02-04 Lam Research Corporation Control of water bow in multiple stations
KR102423387B1 (ko) 2016-11-30 2022-07-20 코멧 아게 가변 전압 발생기 회로， 커패시터 및 방법
JP6807792B2 (ja) * 2017-03-27 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ生成方法及びこれを用いたプラズマ処理方法、並びにプラズマ処理装置
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
CN113169026B (zh) 2019-01-22 2024-04-26 应用材料公司 用于控制脉冲电压波形的反馈回路
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
CN111565505B (zh) * 2019-02-13 2023-04-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种icp设备及其线圈驱动电路、控制方法
EP3754187B1 (en) * 2019-06-18 2023-12-13 ThrustMe Radio-frequency generator for plasma source and method for adjusting the same
US11276601B2 (en) * 2020-04-10 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for manipulating power at an edge ring in a plasma processing device
KR102157469B1 (ko) * 2020-07-16 2020-09-17 김창호 전자파 흡수율 저감 시스템
US11462389B2 (en) 2020-07-31 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system
JP7489894B2 (ja) * 2020-10-20 2024-05-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US20220399185A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
CN114217121A (zh) * 2021-12-08 2022-03-22 通鼎互联信息股份有限公司 一种确定射频额定平均功率的电气实验方法
KR102654487B1 (ko) * 2021-12-29 2024-04-05 피에스케이 주식회사 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3467471A (en) * 1963-10-21 1969-09-16 Albright & Wilson Mfg Ltd Plasma light source for spectroscopic investigation
US3826993A (en) 1970-09-18 1974-07-30 Brafton Corp Method for rapidly exciting and sustaining oscillations in a resonant system
US3909664A (en) 1973-09-17 1975-09-30 Outboard Marine Corp Plasma spraying method and apparatus
US3921092A (en) 1974-05-22 1975-11-18 Applied Materials Inc Resonant load power supply with phase locked loop
US3958883A (en) 1974-07-10 1976-05-25 Baird-Atomic, Inc. Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples
FR2460589A1 (fr) 1979-07-04 1981-01-23 Instruments Sa Generateur de plasma
US4551690A (en) 1982-03-18 1985-11-05 Branson Ultrasonics Corporation Automatic tuning circuit for use in an ultrasonic apparatus
US4433916A (en) 1982-11-02 1984-02-28 Hall Mark N Acoustic resonator having transducer pairs excited with phase-displaced energy
US4629887A (en) 1983-03-08 1986-12-16 Allied Corporation Plasma excitation system
US4500408A (en) 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Apparatus for and method of controlling sputter coating
DE3331896A1 (de) 1983-09-03 1985-03-21 Gerhard Prof. Dr.-Ing. 8012 Ottobrunn Flachenecker Leistungsgenerator fuer einen ultraschallwandler
KR890004881B1 (ko) 1983-10-19 1989-11-30 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리 방법 및 그 장치
US4629940A (en) 1984-03-02 1986-12-16 The Perkin-Elmer Corporation Plasma emission source
DE8712331U1 (de) 1986-09-26 1988-01-28 Flowtec AG, Reinach, Basel Corioliskraft-Massendurchflussmesser
US4818916A (en) 1987-03-06 1989-04-04 The Perkin-Elmer Corporation Power system for inductively coupled plasma torch
US4766287A (en) 1987-03-06 1988-08-23 The Perkin-Elmer Corporation Inductively coupled plasma torch with adjustable sample injector
US5001649A (en) 1987-04-06 1991-03-19 Alcon Laboratories, Inc. Linear power control for ultrasonic probe with tuned reactance
US4866346A (en) 1987-06-22 1989-09-12 Applied Science & Technology, Inc. Microwave plasma generator
US4808948A (en) 1987-09-28 1989-02-28 Kulicke And Soffa Indusries, Inc. Automatic tuning system for ultrasonic generators
US5095890A (en) 1988-02-09 1992-03-17 Mettler Electronics Corp. Method for sampled data frequency control of an ultrasound power generating system
US5223457A (en) 1989-10-03 1993-06-29 Applied Materials, Inc. High-frequency semiconductor wafer processing method using a negative self-bias
US5155547A (en) 1990-02-26 1992-10-13 Leco Corporation Power control circuit for inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy
US5383019A (en) 1990-03-23 1995-01-17 Fisons Plc Inductively coupled plasma spectrometers and radio-frequency power supply therefor
NL9000809A (nl) 1990-04-06 1991-11-01 Philips Nv Plasmagenerator.
JP3167221B2 (ja) * 1992-05-07 2001-05-21 ザ・パーキン・エルマー・コーポレイション 誘導結合プラズマ発生器
JPH05335844A (ja) * 1992-06-04 1993-12-17 Aitel Corp 高周波増幅装置
CA2116821C (en) * 1993-03-05 2003-12-23 Stephen Esler Anderson Improvements in plasma mass spectrometry
US5432451A (en) 1994-03-22 1995-07-11 Northrop Grumman Corporation Magnetic resonance imaging reflectometer tuning unit
US5688357A (en) 1995-02-15 1997-11-18 Applied Materials, Inc. Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor
US6065425A (en) * 1996-03-25 2000-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Plasma process apparatus and plasma process method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1203441A1 (en) 2002-05-08
US6740842B2 (en) 2004-05-25
CN1241316C (zh) 2006-02-08
WO2001005020A1 (en) 2001-01-18
JP4672941B2 (ja) 2011-04-20
US20020125223A1 (en) 2002-09-12
CN1365534A (zh) 2002-08-21
JP2003509837A (ja) 2003-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW494708B (en) Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma
TW447226B (en) Antenna device for generating inductively coupled plasma
US7100532B2 (en) Plasma production device and method and RF driver circuit with adjustable duty cycle
TW550978B (en) Plasma processor method and apparatus
US11848176B2 (en) Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
KR101312695B1 (ko) 유도 플라즈마 소스
US7190119B2 (en) Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system
TW494711B (en) Integrated power oscillator RF source for plasma immersion ion implantation system
TW455922B (en) Plasma processing apparatus
JP4531138B2 (ja) プラズマ加工処理システム及びプラズマ加工処理方法
US7480571B2 (en) Apparatus and methods for improving the stability of RF power delivery to a plasma load
US8241457B2 (en) Plasma processing system, plasma measurement system, plasma measurement method, and plasma control system
JPS5845736A (ja) プラズマエツチング装置
JP2006524422A (ja) プラズマ発生装置、方法、および調整可能デューティサイクルを有するｒｆ駆動回路
JP2007524963A (ja) プラズマ生成装置及び方法並びに可変デューティサイクルの高周波駆動回路
TW200812226A (en) High AC current high RF power AC-RF decoupling filter for plasma reactor heated electrostatic chuck
JPWO2009005148A1 (ja) 表面処理装置
JP2012517663A (ja) 大面積プラズマ処理装置
KR102378573B1 (ko) 플라즈마 생성기
JP2005149887A (ja) プラズマ発生装置用アンテナの整合方法及びプラズマ発生装置
JP2003037101A (ja) プラズマ生成用の螺旋共振装置
TW578448B (en) Active control of electron temperature in an electrostatically shielded radio frequency plasma source
JP4127488B2 (ja) プラズマ処理装置
US12020902B2 (en) Plasma processing with broadband RF waveforms
US20240021410A1 (en) Plasma Processing with Broadband RF Waveforms

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees