TW494590B - Component with encapsuled organic light emitting diodes and its method of manufacturing - Google Patents
Component with encapsuled organic light emitting diodes and its method of manufacturing Download PDFInfo
- Publication number
- TW494590B TW494590B TW089118424A TW89118424A TW494590B TW 494590 B TW494590 B TW 494590B TW 089118424 A TW089118424 A TW 089118424A TW 89118424 A TW89118424 A TW 89118424A TW 494590 B TW494590 B TW 494590B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- glass
- component
- organic light
- glass substrate
- light emitting
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001669 calcium Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009760 functional impairment Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003701 mechanical milling Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- -1 polyethylene dioxetyl phenanthrene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000012976 tarts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 230000003813 thin hair Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Description
494590 A7 B7 1 五、發明說明() 本發明是有關於一種組件,以及一種方法以製造此種 元件。 一種具有光電功能元件之組件,其通常是配置於基板 上,尤其是玻璃基板上。此光電功能元件可以是一發光 二極體(L E D ),尤其是有機發光二極體(0 L E D )。 發光二極體(L E D )或是有機發光二極體(0 L E D )是由多 個功能層所構成,並且具有例如以下的結構(對此請參 閲:"Philips Journal of Research ,Vol. 51(1938), P · 4 6 7〜p 4 7 7 ):將一薄的I T 0層(I T 0 =絪錫氧化物)作為 透明電極,導電聚合物層,電子發光層,即,一由發光 材料所構成的層,尤其是由發光聚合物所構成的層,以 及由具有小的功率函數之金屬所構成之電極。 因為此形成L E D或0 L E D結構所使用材料其部份是對於 水與氧非常敏戲,所以它必須對環境之影響而封裝 (e n c a p s II 1 e ),即,它被配置於一殼體中。這可以例如 以此方式進行,此被配置於玻璃基板上的L E D或0 L E D以一 玻璃基板覆蓋,並且此玻璃板與一玻璃基板粘合(請參 閲’’Applied Physics Letters",Vol, 65(1994),P2922 〜P . 2 9 2 4 )。此粘合例如以環氧樹脂實施。對此自然須 要一相當厚的粘合接縫,因此在此粘合層之上,濕氣會 侵入介於玻璃板與玻璃基板之間的中空空間中。 這還有一種已經為所熟知的電子發光配置,在其中此 殼體,其中包括具有一電子發光有機層的電子發光元件 ,包含一由低熔點金屬或相對應合金所構成的層,其借 助於一粘合層而與一承載此電子發光元件的基板相連接 -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明(2 ) (參閱:W 0 9 7 / 4 6 0 5 2 )。Μ這種方式可Μ達成高密度之 電子發光配置,然而此必須使用大量的費用與高的成本 。一個另外的缺點是在於,經由此相當高的溫度,其用 於加工此熔化的金屬或合金所須,會損害到電子發光元 件。 此在原則上遷適合於在一方法中,其中此有機功能元 件,尤其是0LED,是使用玻璃焊料而封裝(encapsule) (德國專利案號A k t . Z . 1 9 8 4 5 0 7 5 . 3 )。此用於製程目 前可使用的玻璃焊料所必須的溫度導致在0 L E D中有機材 料功能的損壞。此外,因此在介於殼體的蓋子與玻璃基 板之間配置一附加的框架,· K避免對0 L E D機械性的損害 。然而這意指附加額外的作業步驟與粘合接縫,而有造 成無法密封之虞。 由EP-0S 0 776 147是一熟知之有機電子發光配置, 其中此發光二極體是配置於一個對於空氣密封的容器中 ,Μ便將外部的大氣遮蔽。此外在容器中存在一個與二 極體分離的物質,Μ化學的方法吸收内部空間中的濕氣 。此容器是由一密封殻體,一透明基板(其將此殼體覆 蓋),Μ及一密封劑(其將此基板粘合於殻體上)所構成 。殻體與基板可以由玻璃所構成。 玻璃殻體通常是經由鑄造或重新成型,即,壓製元件 構件而製成。此因此而獲得之容器是有少許的精確性並 --------—· 且其表面是光滑平坦。此外,其表面不是足夠的平坦。 當密封0 L E D時其粘合表面必須平坦(具有幾個微米(u πι ) -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
. I I 線丨# 494590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明(3 ) 的公差)。因此在此種容器中須要將粘合表面作昂貴的 加工。 本發明的目的是將包含光電功能元件之組件如此的配 置,而一方面使得此功能元件被密封封裝,即,經由如 水與空氣環境的影響不會損壞,並且也不會受到機械性 的損壞;而另一方面此種封裝可Μ相當簡單的方式實現。 這是根據本發明藉由組件而達成,其具有Μ下之元件: -一玻璃基板; -一配置於此基板上的有機發光二極體, -一配置於此有機發光二極體上並且在邊緣與玻璃基板 粘合之玻璃罩,其由一玻璃板藉由三度空間的材料去 除,借肋一種照射方法而製成。 在此根據本發明的組件中,此玻璃罩與玻璃基板共同 形成穩定的中空空間,在其中配置〇 L E D ,因此而排除機 械性的損壞。還有不會產生經由環境影響的損壞,因為 此組件是被密封封裝,即,緊密地封閉,因此僅須要一 個非常狹窄的粘合接鏠。 此使用玻璃罩(而不使用由金屬構成的塗層)與玻璃基 板連接具有其優點,可Κ使用具有適合熱膨脹係數之玻 璃。因此可Κ使得在粘合接縫上的機械性的應力(它例 如是由於組件之熱負載,經由溫度循環而產生)最小化° 此玻璃罩,其同時是覆蓋與框架,是由一玻璃板所製 成,並且經由三度空間之材料去除並且借肋於照射方法 。因此Κ高度的準確性而形成凹陷,其具有特定的幾何 ~ 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ ϋ n ϋ· ϋ n —ϋ J I ·ϋ i^i n ϋ ϋ 1 ϋ— I ^1 I I n I ·1_— I ·ϋ ϋ_· 1^— ϋ ϋ ^^1 ϋ I ^^1 «ϋ I n ϋ I n ϋ I 口 矣 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494590 A7 _B7_ 五、發明說明() 形狀與深度。一値此種以上所提到的方式在原則上為熟 知,並且是在設置墨水壓力頭之覆蓋玻璃中設置墨水盆 與突破缺口(對此請參閲D E - P S 4 0 1 8 1 3 2 )。 -此玻璃罩可以經由砂之射束而製成,即借助於石英砂 。作為射束介質,可以還使用例如是鋁氧化物,矽氧化 物或磺化硼。 較佳是此玻璃板的材料去除藉由碎屑射束。此製造方 法以及因此所使用的射束介質是引用D I N 8 2 Q 0。其去除 率或是可得到凹陷的深度是取決於介於工件與射束噴嘴 之間之相對運動,射束介質,其中間直徑,射束壓力, 以及噴嘴至基板之間的距離。 此根據本發明之玻璃罩因此可以簡單的方式製成,並 且它不需要昂貴的加工,如同它在以通常的方式所製成 之玻璃殼體之情形。此外,此玻璃殼體各別地産生,並 且因此當它在粘合時必須個別的定位與處理。然而,此 種個別處理是昂貴,並且不適合如同其通常在顯示器技 術中作大量生産。 與此相反,此根據本發明的玻璃罩可以非常簡單地還 在大的利潤中製造。在目前之顯示器技術之使用尺寸是 1 6英吋X丨6英时並且通常更大。此用於所須之玻璃罩必 須在相同的使用尺寸中可以大量製造。這使得它非常簡 單的方式實現,此相對應的玻璃板藉由微影術製程而結 構化,並且經由一射束方法例如在玻璃板中産生一直到 1 5 0個具有所欲形狀與深度之凹陷。然後其分隔可以根 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494590 A7 B7 五、發明說明( 生於 產應 而對 程相 製 , 合於 接在 據例 根化 先變 首的 常 佳 通較 且別 並特 ,1 _ 之 實明 法發 方本 的 知此 熟因 據 。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 多 中 用 使 璃 玻 在 之 器 示 顯 造 製 中 程 過 作 操 的 有 僅 1 唯 在 是 局 布 e _ ( 之 裝定 封確 待先 由預 經陷 個凹 一 個 8 C Π 於成 在形 點造 優製 之而 加術 附影 一 微 。 的 陁單 實簡 而由 裝藉 rsj ρην ±,±狀 據形 3.Χ 勺 1Τ ^ 先欲 首所 隔個 分 一 其每 且乎 並幾 中 罩 璃 玻 的 造 製 而 法 方 束 射 由 經 此 在 是 點 優 的 。 外 構此 结 外料 額材 用機 使無 若得 , 使 即此 。 因 糙 。 粗合 側 化 內氧 之或 罩氣 此濕 得與 使 便 ,Μ 即 , ,料 面材 表氣 内吸 其的 還定 。 穩 積期 澱時 的長 定 , 穩中 Rn —T 時材 長 合 而粘 發之 蒸機 由有 藉於 上散 面分 表 K 的可 糙枓 粗材 在氣 身吸 本有 在 板 基 璃 玻 與 罩 璃 玻 即 Ο 1 合份 粘部 側璃 内破 之之 罩 合 的接 糙此 粗彼 與此 地 在要 這此 〇 因 面 , 表題 的問 坦的 平著 滑粘 光此 當 因 相且 一 並 有潤 具濕 是至 常導 平會 置能 位可 的時 同貼 共帖 其當 與此 其 , 即 成 ,達 上此 緣因 邊這 其 。 在性 罩糙 。 璃粗 合玻種 接此某 合 ,有 粘有具 之設置 度佳位 密較的 低明合 降發粘 有本板 具此基 成因璃 造 玻 表製 之同 緣如 邊地 之利 罩有 璃式 玻方 即 的 ;應 化對 糙相 粗 K 此此 〇 因 糙 , 粗正 得修 使面 被表 面或 表理 置處 位面 而 除 去 料 材 之 法 方 束 射 於 肋 數 借參 由法 經方 ,些間 即某時 ,循束 身遵射 本由與 罩藉離 璃 ◦ 距 玻施束 造實射 , 量 力少 壓常 束非 射有 , 只 質施 介實 束能 射 可 此 因 它 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) # 訂------- 494590 A7 B7 五、發明說明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 面潤的璃到璃潤 板 料由面.,產罩散光害化在 表濕大玻礙玻之 基 材,方 造時將擴發損硬於 致之擴rr在善。璃 合點一 製料而束得之可由 導料一附 t 消改制玻 钻優另 而材,射使料光是 此材在吸其取此限與 為有且 法合擇線而材線此 ,合是有且此於生料 作而並 ‘方粘選光。的外因 性黏此所並因由產材 料裝, 束之的取低上紫這。 糙中因理 ,。 ,會合 材封速 射化件能降板以,別 祖程性處生除外不钻 合的快 於硬條可上基於點差 之製糙面產去此時機。粘ED上 肋可束儘體、,璃肋優的 璃合粗表所面。料有脂化OL濟。借線射得大玻借是微 破接的此造表驟材種樹硬於經料其外由使量在罩其细 成在面由製璃步合一氧可用是材,紫藉,能其璃尤要 達致表經璃玻潔粘於環線是面護點M即置之 ,玻此須 K 導璃 ,玻由清擇肋用外用方保優種 Μ 配束即當 ,再 可此玻外由則的選借使紫使 一 Μ 的一可的射 ,在時不 理因此此如 ,貴當罩是種的化可別生中此線害’這合中 處且。。例度昂得璃佳一料硬時特產法如光損。粘域 。 之並善整其密前使玻較用材之施一時方性此線免而區 除面 ,改調 ,的之而此此使合料實的用束撻因光避料的 去表大之可染合合 ,是對是粘材中罩使射粗。的全材感 料由擴著中污接接現佳。別種合溫璃當在之射體完合敏 材經的黏域的合件表較合特此粘低玻在。側反極Μ粘束 的積與區上粘部濕 粘 。於在 是生內之二 可之射 --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 494590 五、發明說明(7) 在根據本發明的元件中進行製造有機發光二極體,其應根 據熟知的方法藉由玻璃罩而封裝。這是例如當以聚合物溶液 加工製作時,是用旋塗(Spin-coating)法,或當以單體物加工 製作時,是用蒸鍍法。作爲基板是使用銦錫氧化物(IT0 = Iii din m Tin Oxide)塗層玻璃,其中還可將IT〇結構化。IT〇是透明並 且由於其電性特性而使用作爲陽極。萬一須要則使用輔助層, 如電子與電洞傳導層。作爲陰極則蒸鍍如鈣之金屬。此待連 接的部份是由一玻璃基板所構成,在其上是有機發光二極體, 以及一玻璃罩。此待接合的部份是在一惰性,即,尤其是無 氧與無水的氛圍中彼此定位,並且例如以一種有機粘貼劑而 彼此粘合。 本發明根據實施例與圖式應可做更進一步的說明。 圖式之簡單說明 第1圖顯示根據本發明之組件結構之圖示說明。 第1圖以未按比例的方式顯示,一根據本發明經由組件 10之橫截面之槪要圖式說明。此外在玻璃基板11上配置 一有機發光二極體(〇LED)12。此0LED12是藉由玻璃罩13 覆蓋,其在邊緣14與玻璃基板11粘合。此0LED12具有 以下之要素成份:一透明電極15例如是由IT0構成,一 有機電洞輸送材料 16例如是由一導電聚合物構成,一有 機電子發光材料17例如是由一種發光聚合物所構成,以 及一金屬電極1 8 ,其例如是由鈣1 9與銀2 0所組成。此有 機發光材料 17,即,發光體(Chromophor),因此同時作 爲電子傳輸材料。然而此兩種功能還可以分離,其中此電 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494590 A7 __B7_ 五、發明說明(8 ) 子傳輸材料配置介於金屬電極與發光體之間。 第一例 有機發光二極體之製造 為了製造Μ聚合物為基礎之發光二極體,是在一 I T 0 塗層之玻璃基板(邊緣長度:4公分X 4公分,厚度:1 . 1 毫米)上,借肋於微影術而產生兩個互相平行之2毫米 寛之ΙΤ0條狀物,其間之距離為1公分。曝光的位置是 在鹼性的介質中未揭下分開,因而此IΤ 0被保護。裸露 的I Τ 0是Μ濃縮的Η Β「溶解脫落。在此I Τ 0结構化之玻璃 基板上是借肋於旋塗(S P i η - c 〇 a t i n g )稀薄的溶液而塗佈 一層7 0奈米(η )厚的商業上慣用之聚乙烯二嗣基喀吩 (P E D 0 T )。此層是經由一迴火製程而乾燥。然後在此之 上同樣是經由旋塗而由混合二甲苯(X y 1 〇丨:)構成發光層, 其由一種商業上常用的聚氟衍生物構成,而 >」、1 0 0奈米 (n m )的厚度塗佈。此層是在1 (Γ6毫巴(m b a r> )的壓力中乾 燥。在相同的壓力中藉由一影子遮罩蒸鍍兩個各2毫米 (m m )寬相距1公分(c m )之鈣條狀物作為陰極。此等金屬 條狀物是垂直於在玻璃基板上的I T 0结構而配置。此等 本身交叉的陽極軌與陰極軌的表面(此等聚合物位於其 間),是代表發光二極體之活性表面。在此鈣條狀物上 同樣是藉由一影子遮罩,蒸鍍厚度為1 5 0奈米(n m )之銀 條狀物。在此待粘合的位置上自然沒有蒸鍍金鼷,在此 位置上更確切地說是將有機層以手工操作的方式取出。 為了測試的目的而將4個以此方式製成的二極體以一 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------訂---------線 ^§1^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494590 ‘ A7 ___B7_ 五、發明說明(9 ) 玻璃罩封裝。此罩之外部尺寸計2 4毫米(m m ) X 2 4毫米 (m m )(厚度:1 . 1毫米),其粘合邊緣是1毫米(m m ),並 且此凹陷的深度是5 0 0微米(/i m 。此待接合的部份是在 無氧與無水的氛圍(A t m 〇 s p h e r e )中彼此定位並且彼此以 一種有機粘合材料粘合。若在此等玻璃基板邊緣上之 I T 0或C a / A g輸出線路上的此組件中施加例如是5伏特(V ) 的電壓,因此此封裝之二極體發出綠光。 第二例 製造具有光滑平坦粘合邊緣之玻璃罩 為了製造玻璃罩而使用1 . 1毫米U m )厚度平坦平行玻 璃板。此玻璃板在超音池中以丙_清洗10分鐘,並且然 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 構 i 光罩使並例位於fi性 ^ 脂 结 ί 將遮 ,的 ,的應碎撓 樹 子米 — 地光擇碎的光對束由 酸 光微 δ 代曝選易性曝相射藉 5 0 Γ 之 7 替 C 的而鹼未置中上 面度彡以一此脆在此位其緣 表厚rw可由如是是此此 ,邊 璃m)力遷藉是膜展因。裡其 玻(??.3)後間薄發 ◦下那在 if0 施膜 Θ .丨隨時的的行..揭在 , 實薄 Μ 膜。光化中進被是即 後之"Ψ 薄佈曝硬例中屑時 , 然ibff用塗此全此液碎此除 。構 Μ 不而 ,完在溶束板去 鐘结 f 若印光。◦的射璃料 度 分子 § 而網曝軟壞 3 陁玻材. 5 光^; 然絲而柔損 C 實此生 。 中可ΌΘ。 或光持中 2 該。產護 漿個0°(疊塗V)保程Na應陷有保 電 一10相旋(U然製1¾上凹沒而 氧此在上於線仍束有其的該罩 於對如底肋外料射具在生應遮 置。例基借紫材在是 ,產程料 後化 ,的阻 Μ 得且如置待製塑 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494590 A7 _B7_ — ; 五、發明說明() 在射束碎屑中作為射束介質較佳是使用商業上通用的 稀有剛石(氧化鉛),其具有3 0徹米(a m )之中等顆粒大 小。在較佳是5巴(b a r )的射束壓力中,一注射器射束噴 嘴(作為射束噴嘴),一 8 Q毫米(m m )之噴嘴/工件間的距 離,以及一介於工件與射束噴嘴之間所調整之相對運動 ,可以在1 〇分鐘的射束時間之中獲得5 ϋ G奈米(n m )深的 凹陷。在産生凹陷之後,此保護玻璃罩邊緣之光阻薄膜 或光阻被去除。這是以一種鹼性介質例如是以稀薄之 N a 2 C 0 3溶液實施。因此萬一需要,此玻璃罩的分隔是 例如藉由鈮與折疊而實施。 第三例 製造具有粗糙粘合邊緣之玻璃罩 當製造具有粗糙粘合邊緣的玻璃罩,首先相對應於 第2例而預先確定。其決定性的不同存在於此,在産生 凹陷後,此保護玻璃罩邊緣的光阻層在一種鹼性介質中 溶解。然後此罩之裸露邊緣經歴承受一射束碎屑方法。 此實施經由平面照射而具有少許的壓力,較佳是3巴 (b a r)。使用作為射束介質的是具有中等顆粒大小9微 米(A hi )之剛石(氣化鋁)。在照射時間3 0秒中製成具有 大約3 Q r πι s之粗糙度之玻璃罩邊緣。此所欲之粗糙度可 以藉由顆粒大小與照射時間,在放寛的限制中調整。 還有萬一需要而在最後的步驟中根據熟知的方法如鋸 或祈疊而實施玻璃罩的分隔。 第4例 -1 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線«· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 494590 A7 ____B7 _ 五、發明說明(U ) 組件之製造 此在組件的製造中待接合的部份即,此具有在其上之 有機發光二極體之玻璃基板與坡璃罩,是在一特別的沒 有氧與沒有水的氛圍中彼此定位與彼此粘合。此粘合是 Μ —種有機粘合材料較佳是Μ —種以紫外線光可硬化之 環氧樹脂而實陁。此粘合材料之應用是藉由毛细琨象之 澆濤,或自動地借肋一分配器,其在適當的波長範圍中 Μ紫外線光硬化。Μ此種方式可Μ不但在玻璃罩中具有 預先確定之光滑平坦之粘合邊緣,而且在玻璃罩中還可 Μ具有預先確定之粗糙之钻合邊緣。 第5例 具有封裝之有機發光二極體之組件之測試 相對應於第4例所製成之組件,是置放在一模擬氣候 室中在8 5 °C的溫度,Μ及相對溫度8 5 %中。在相對應的 條件中置於此組件,其中此二極體以一破璃罩封裝,其 經由機械式的銑切而製成。而當此二極體組件已經在4 8 小時後改善,在根據本發明之組件中,二極體的壽命可 Μ經由1 6 0小時而改善,並且在玻璃罩中不但具有光滑 平坦的粘合邊緣,而且遷具有粗糙的粘合邊緣。 參考符號說明 10 .....組件 11 .....玻璃基板 12 .....有機發光二極體 13 .....玻璃罩 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 494590 A7 B7 五、發明說明( 12 4 5 11 11
7 8 11 1J 料料 緣材材 邊輸光 丨 傳發 y 極洞子極 罩 置 s s S 1^Νίζ\Ν^ΤΙΓ^Ν 明機機 .ί 邊有有 屬 金鈣銀 1^1 a^i· ala— 1 ϋ ^1Β1 eMmMm I— an I— n I ϋ ^ ^^1 aai_— ϋ 1§ 11 §_ ϋ I 滅 口 意 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 494590六、申請專利範圍 第89 1 1 8424號「具有經封裝之有機發光二極體之組件及其製 造方法」專利案 (91年3月修正) A申請專利範圍 1. 一種具有經封裝之有機發光二極體之組件,其特徵爲其具 有: -一玻璃基板(11), -一配置於玻璃基板(11)上之有機發光二極體(12), 以及 -一配置於有機發光二極體(12)之上,並且在邊緣(14)上 與玻璃基板(11)粘合之玻璃罩(13),其由一個玻璃板經 由三度空間的材料去除借助於一照射方法而製成。 2. 如申請專利範圍第1項之組件,其中此玻璃罩的邊緣被 使得表面粗糙。 ? 3. 如申請專利範圍第1或2項之組件,其中此玻璃罩借助 於有機粘合材料與玻璃基板粘合。 4. 如申請專利範圍第3項之組件,其中此粘合材料可以用 紫外光線(UV)使其變硬。 5. 如申請專利範圍第3項之組件,其中此粘合材料是環氧 樹脂。 6. 如申請專利範圍第4項之組件,其中此粘合材料是環氧 樹脂。 7. —種製造如申請專利範圍第1至6項中任一項之組件之 方法,其特徵爲: 借助於照射方法藉由三度空間之材料去除一玻璃基板 494590 六、申請專利範圍 中產生多個凹口,在使用此玻璃板下將相對應數目的相 對應配置在一基板上的有機發光二極體封裝,並且隨後 將因而獲得之組件至少以部份的方式分開。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19943148 | 1999-09-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW494590B true TW494590B (en) | 2002-07-11 |
Family
ID=7921382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089118424A TW494590B (en) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | Component with encapsuled organic light emitting diodes and its method of manufacturing |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6798133B1 (zh) |
EP (1) | EP1210739A2 (zh) |
JP (1) | JP2003509814A (zh) |
TW (1) | TW494590B (zh) |
WO (1) | WO2001018886A2 (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10044841B4 (de) * | 2000-09-11 | 2006-11-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Plasmaverkapselung für elektronische und mikroelektronische Bauelemente wie OLEDs sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10045204A1 (de) * | 2000-09-13 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Träger für eine OLED und Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine OLED |
US6724150B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
ATE377257T1 (de) | 2001-03-22 | 2007-11-15 | Lumimove Inc | Beleuchtetes anzeigesystem und prozess |
DE10130992B4 (de) * | 2001-06-27 | 2006-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer hermetisch dichten Verbindung zwischen einem Substrat und einer Dioden-Schutzkappe |
JP2003086355A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Kiko Kenji Kagi Kofun Yugenkoshi | 有機el素子の封止構造並びに封止方法及び封止装置 |
DE10219951A1 (de) * | 2002-05-03 | 2003-11-13 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zur Verkapselung eines Bauelements auf Basis organischer Halbleiter |
DE10236855B4 (de) * | 2002-08-07 | 2006-03-16 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Gehäuseeinheit zur Verkapselung von Bauelementen und Verfahren zu deren Herstellung |
GB0219223D0 (en) * | 2002-08-17 | 2002-09-25 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic optoelectronic device encapsulation package |
US7224116B2 (en) | 2002-09-11 | 2007-05-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of active electronic devices |
US7193364B2 (en) | 2002-09-12 | 2007-03-20 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Encapsulation for organic devices |
DE10314161A1 (de) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Siemens Ag | Feldeffektelektroden für organische optoelektronische Bauelemente |
US7365442B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of thin-film electronic devices |
JP2005302605A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Canon Inc | 半導体装置 |
FR2871651A1 (fr) * | 2004-06-09 | 2005-12-16 | Thomson Licensing Sa | Capot en verre et boitier d'encapsulation de composants electroniques dote d'un tel capot |
US7220040B2 (en) * | 2004-11-12 | 2007-05-22 | Harris Corporation | LED light engine for backlighting a liquid crystal display |
JP2007035536A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Rohm Co Ltd | フラットパネルディスプレイ |
DE602007013092D1 (de) * | 2006-12-12 | 2011-04-21 | Philips Intellectual Property | Spannungsbetriebene schichtanordnung |
TW201002126A (en) * | 2007-12-21 | 2010-01-01 | Du Pont | Encapsulation assembly for electronic devices |
US8404095B2 (en) * | 2009-06-02 | 2013-03-26 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Preparing electrodes for electroplating |
DE102011003969B4 (de) * | 2011-02-11 | 2023-03-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
KR101574686B1 (ko) * | 2011-06-08 | 2015-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광장치와 이의 제조방법 |
JP6182909B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-08-23 | 株式会社リコー | 有機el発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1366678A (en) * | 1971-11-05 | 1974-09-11 | Gen Electric Co Ltd | Electroluminescent devices and their manufacture |
WO1996008122A1 (fr) | 1994-09-08 | 1996-03-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Procede d'enrobage d'un element electroluminescent organique et d'un autre element electroluminescent organique |
JPH09148066A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Pioneer Electron Corp | 有機el素子 |
JPH11121167A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP3278611B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2002-04-30 | 日本電気株式会社 | 有機el素子の封止方法 |
JP2000003783A (ja) | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Tdk Corp | 有機el表示装置 |
US6383664B2 (en) * | 1999-05-11 | 2002-05-07 | The Dow Chemical Company | Electroluminescent or photocell device having protective packaging |
US7008658B2 (en) | 2002-05-29 | 2006-03-07 | The Boc Group, Inc. | Apparatus and method for providing treatment to a continuous supply of food product by impingement |
-
2000
- 2000-09-07 EP EP00974302A patent/EP1210739A2/de not_active Withdrawn
- 2000-09-07 WO PCT/DE2000/003108 patent/WO2001018886A2/de not_active Application Discontinuation
- 2000-09-07 JP JP2001522608A patent/JP2003509814A/ja not_active Withdrawn
- 2000-09-07 US US10/070,604 patent/US6798133B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-08 TW TW089118424A patent/TW494590B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6798133B1 (en) | 2004-09-28 |
JP2003509814A (ja) | 2003-03-11 |
WO2001018886A3 (de) | 2001-07-26 |
EP1210739A2 (de) | 2002-06-05 |
WO2001018886A2 (de) | 2001-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW494590B (en) | Component with encapsuled organic light emitting diodes and its method of manufacturing | |
US7026758B2 (en) | Reinforcement of glass substrates in flexible devices | |
US6803245B2 (en) | Procedure for encapsulation of electronic devices | |
US6571466B1 (en) | Flip chip image sensor package fabrication method | |
US6503780B1 (en) | Wafer scale image sensor package fabrication method | |
CN106601629B (zh) | 保护片服贴于芯片感应面的芯片封装构造 | |
US6512219B1 (en) | Fabrication method for integrally connected image sensor packages having a window support in contact with the window and active area | |
US20050136625A1 (en) | Ultra-thin glass devices | |
KR100924138B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
CN101647317A (zh) | 有机el面板及其制造方法 | |
CN103053023B (zh) | 光电子装置以及用于制造所述光电子装置的方法 | |
WO2004094331A2 (en) | Hermetically sealed glass package and method of fabrication | |
CN1835195A (zh) | 具有层合晶穴的半导体封装构造的制造方法 | |
JP2009135353A (ja) | 半導体装置及びその製造に使用する樹脂接着材 | |
TW201128721A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2018050031A (ja) | パターニングされた層状複合材 | |
CN109301079A (zh) | 封装结构及其制作方法、发光二极管显示面板 | |
US7829993B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
CN111106225A (zh) | 一种紫外led封装结构 | |
US10476030B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
KR20100064870A (ko) | 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
TW201507540A (zh) | 金屬密封部件之製造方法 | |
JP2002050471A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
US20160276621A1 (en) | Electrical connection of an oled device | |
CN112310309B (zh) | Oled显示面板的封装盖板及oled显示面板的封装方法 |