TW494430B - A color cathode ray tube having a convergence correction apparatus - Google Patents

Description

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“本專利申請案係根據在曰本所提出之申請案第 1 1-281322號，其内容係引介於本文作為參考，，。 本發明之背景 本發明之技術範圍 5 本發明有酿於使用在電視機、電腦顯示器及類似者中 之毛色陰極射線管，特別地有關於一種袭置用以改正彩色 陰極射線管（後文中以CRT稱之）内之斂聚，它利用磁鐵改 正一彩色陰極射線管内之斂聚。 相關技藝之說明 10 使用以校正彩色CRT内斂聚之方法之使用一線内電子 %者係一種自行斂聚方法。此一方法校正斂聚包含水平向 偏轉磁場之針墊失真和垂直向偏轉磁場之桶形失真。此一 自行斂聚方法能使裝置具有簡單結構和優良之成本效益比 者予以製造，並係因此而廣為使用。 15 在使用自行斂聚法之一傳統式彩色CRT中，例如，一 彩色CRT具有90。之偏轉角以及一較大屏幕曲率者，此垂直 偏轉磁場經歷桶形失真，因而造成垂直偏轉磁場之水平分 量（後文稱之為Bh’）變成較大靠近CR 丁之左和右方邊緣。第 1A圖係一對照CRT之一水平向軸線11之測繪圖Bh。如果沿 2〇著CR 丁之水平方向之中央點係取用如一原點〇時，直線旧 不Bh係圍繞此原點〇對稱，以及斜度且距〇點愈遠則向上 愈陡。 依照“夫來明”定則’應用於此電子束之垂直偏轉力量 於Bh變得較大時則增加。因此，在使用自行叙聚方法之一 五、發明說明（2 )

彩色CRT中，電子束靠近於垂直軸v傳送者將接受一較弱 之垂直偏轉，以及電子束遠離於垂直軸v傳送者將接受一 較強之垂直偏轉。當一線内電子搶係被使用時，相當於三 個顏色紅綠藍（RGB)係水平向地直線對準，因此，如果吾 5人不理目木在其串三個電子束之中央束與垂直軸乂重疊之情 況，在垂直軸線V之兩邊上應用於電子束之垂直轉偏力量 上將有某些變化。第1B圖顯示垂直偏轉力量Fr，Fg以及Fb 分別地由紅、綠和藍色電子束R，G和b所接收。由一線内 電子搶所放射之電子束通常係自左至右按藍、綠和紅之順 10序配置如屏幕之當面上所見者。在此一規格中，吾人假設 所有電子束係配置於此一順序中。當電子束G與垂直軸線V 重豐時’換言之，當它係如此定置，以便能相當於水平軸 線Η之原點〇時，垂直偏轉力量卜和抑係相等，以及垂直偏 轉力量Fg係較兩者垂直偏轉力量卜和^為小。不過，當電 15子束R係較電子束B距離原點〇愈遠時由電子束所接收之垂 直偏轉力量係如此，即Fb < Fg < Fr。相反地，當電子束B 係較電子束R距離原點〇愈遠時，所接收之垂直偏轉力量係 如此，即 Fb < Fg < Fr。 其結果，當水平向紫紅色線係顯示於屏幕之頂和底部 2〇邊緣時，顯示於第2圖内之此失聚即被造成。在此，一紅色 分量R(附圖中之實線）以及藍色分量B(附圖中之虛線）在一 顯不屏幕2上之每一紫紅色線内者垂直向地朝向屏幕之角 落發散。由於當垂直偏轉量到達其最高點時Bh係最大，故 此一失聚在屏幕之角落區域係特別地顯目。此一類型之失 494430 五、發明說明 聚在後文中稱為PQV針墊圖形失聚。 曰本公開公佈專利案第8_98193號揭露一種彩色 CRT，它以將垂直偏轉磁場之桶形失直變弱來校正pQV針 墊圖形失聚。第3 A圖係Bh之值之測繪圖，在垂直偏轉磁場 5之桶形失真業己變弱之前及之後，以對比水平向軸線H。 變弱此桶形失真之結果，在附圖中Bh内之變化自直線i改 麦至直線3。因此，如苐3B圖中所示，沿水平向之Bh内之 變化係減少，以及PQV針墊圖形失聚係被校正。 如果垂直偏轉磁場之桶形失真係已變弱，此將依序地 10使cRT使用自行斂聚方法來校正失聚之能力變弱。在此， 如果紫紅色線係垂直地向下正顯示屏幕2之中央顯示時，顯 不於第4圖内之失聚將產生。此一失聚後文中係稱為γΗ· 墊圖形失聚。經揭露於相關技藝中之彩色CRT使用四極線 圈來校正此類型失聚。第5圖係此類四極線圈圖自屏幕之正 15面所見者。在此，一四極線圈4包括線圈5和8，此U形鐵心 6和7。此U形鐵心6和7係相對地配置在靠近電子搶之偏轉 挺之邊上’俾使此電子束傳送於兩個鐵心6和7之間。當一 垂直偏轉電流係傳送通過此線圈5和8於其係由一二極體整 峨之後’力量係施加在自電子搶之左方及右方所放射之電 2〇子束R上，推動它們遠離垂直軸線V，並藉以校正YH針 墊圖形失聚。 近年來，彩色CRT具有一垂直向扁平屏幕以及一廣偏 轉角者業已變成老生常談。在此類CRT中，電子束行進以 到達屏幕於其係自電子搶放射之後之距離對在屏幕表面上 6 五、發明說明（4) 之每一點顯著地變化。此將造成增大之光域失真；在此一 光域失真中，在光域區之頂及底部邊緣被内弓形電子束掃 描時發生者，係稱為頂/底部針墊失真，並係傳統式地以 附著磁鐵至偏轉軛加以校正。第6圖係一偏轉軛圖，磁鐵業 5已附著其上者，自顯示屏幕之正面所見。磁鐵10和13係附 著於偏轉軛9之絕緣框架11之正表面於頂部及底部處，以及 水平向偏轉線圈12係裝置在絕緣框架11之内表面上。當 自顯示屏幕之當面中觀看時，此磁鐵1〇和13係經配置，俾 使磁鐵10之北極係在右邊以及南極在左邊，同時磁鐵13之 10南極係在右邊而北極在左透。第7圖說明由磁鐵1〇和13所產 生之磁通。如果此磁鐵1 〇和13係以此一形態配置時，力量 F係依照“夫來明”法則應用於電子束一如第7圖内所示，由 是而校正此頂/底部針墊失真。 不過，由磁鐵10和13所產生之磁場之水平分量Mh在更 15遠離此磁鐵之各點處更脆弱在生長。第8A圖係Mh對比水 平向軸線Η之測繪圖。如在水平向軸線η之中心處之一點係 採用作為一原點〇時，線14顯示分量Mh係繞著原點Ο對 稱’成長更小以及向下斜度更陡於其更速離原點〇移動 時。第8B圖顯示力量Fr，以和几由電子束R, 〇和b所接收。 20 當此電子束G與垂直軸線V重疊時，換言之，當它係如此定 置以便能相當於水平向軸線Η之原點〇時，垂直偏轉力量Fr 和Fb係相等，以及垂直偏轉力量Fg係較兩者垂直偏轉力量 Fr和Fb為大。不過，當此電子束r係較電子束b距離原點〇 更遠時’由電子束所接收之垂直偏轉力量係如此，即Fb > 494430 五、發明說明（5)

Fg>Fr。相反地，當電子束B係較電子束尺距離原點〇更遠 日守’所接收之垂直偏轉力量係如此，即Fb <; Fg < Fr。其名士 果，g —备、紅色線係水平向地顯示時，顯示於第9圖内之失 聚即被促成。在此一類型之失聚中，紫紅色線之紅色分量 5 R(實線）和藍色(虛線）相互背離地分散。此係俗稱之 為PQV桶圖形失聚。 雖然由磁鐵10和13所產生之磁場解除垂直偏轉磁場之 桶形失真，但此將依序地造成ΥΗ針墊失聚至最壞狀況。此 一失聚係如此嚴重，即如在相關技藝中使用一四極線圈來 10杈正它將增大PQH紅色右方圖形失聚。第1〇圖顯示pQH紅 色右方圖形失聚。在此一類型之失聚中，當兩個紫紅色線 係垂直向地顯示在顯示屏幕之左方和右方兩邊時，如附圖 中所示者，紫紅色線之此紅色分量R(實線）向右改向以及藍 色分量B(虛線）改向至左。分量R*B傾向於朝向屏幕之角 15落刀政。應予說明者即在附圖中，D1係紅色分量r和藍色 分係分離更遠，以及pQH紅色右方圖形失聚之精確度 可以用此一距離D1來表示。 本發明之概述 本發明之目的係在提供此型之彩色CRT，它已在近年 20來變成普遍者，具有一實際上扁平之屏幕以及一廣闊之偏 轉角，以及特別地在提供一彩色CRT具有優良之影像品 貝，它使用磁鐵在光域區之頂部和底部處藉校正針墊失真 以改正失聚。 、 本發明之彩色CRT有下列結構以便能達到上述目的。 494430

五、發明說明（6) 一彩色CRT使用自行斂聚方法，有磁鐵用以校正頂/底部 針墊失真’並包括下列各項。一垂直偏轉線圈產生一第一 校正磁場呈一桶之形狀被變形。一四極線圈係配置在靠近 -電子搶之偏轉1¾之邊上，並產生―第二校正磁場以改正 5 YH桶圖形之失玄。在此，第二校正磁場之強度依照應用於 由電子搶的放射之電子束之垂直偏轉量而變化。 如果上述結構係經使用時，由磁鐵所產生之pQv桶圖 形失聚即可以校正。丁Η針塾圖形失聚之未能在相關技藝中 被校正者，係“過校正，，而成為ΥΗ桶圖形失聚，以及此一失 1〇聚隨後可以由四極線圈校正。在同一時刻，PQH紅色右方 失聚之於垂直偏轉磁場在桶形中失真時所產生者亦可以改 正。 下列結構可以使用以便能變形一桶形中之垂直偏轉磁 場。此垂直偏轉線圈包括一第一線圈部分和第二線圈部分 15串聯地連接。此第一線圈部分有線圈截面具有一較第二線 圈部分内線圈截面之捲繞角度為大之捲繞角度。此第一和 第二線圈部分係分別地呈並聯地連接至第一和第二阻抗元 件，以及第一校正磁場可以藉使第二阻抗元件之阻抗較第 阻抗元件之阻抗更大而在一桶形中被變形。另一可供選 2〇擇方式為此第一校正磁場可以藉有一較第一線圈部分内更 大之區數在苐二線圈部分内而在此桶形中變形。 此外，此四極線圈應適當地有下列結構。三個水平向 直線對準之電子束係由電子搶所發射。在此，此第二校正 磁場可以藉四極線圈來產生以便能應用一朝向之水平力量 9 494430 五、發明說明（7) ίο 15 至二個水平向地呈直線對準之電子束之每一外部電子束。 應用於此電子束之第二校正磁場之強度當應用於電子束之 垂直偏轉之量係最大時係在最強處，以及當由電子束所經 歷之垂直偏轉量係零時係在最弱處。此外，此四極線圈可 >以經由一周邊f路而連接至垂直偏轉線圈。此周邊電路包 括一串聯電路在其中兩個電阻器係串聯地相連接，兩個二 極體各有一陰極分別地連接至串聯電路之任一端，以及兩 個可變電阻器各分別地連接至在一端之兩個二極體之一之 陽極，並連接至在另一終端處之四極線圈之一端。在此， 四極線圈之另一端可以連接至一陽極，在此陽極處串聯電 路中之兩個電阻器係相連接，以及此串聯電路可以串聯地 連接至垂直偏轉線圈。此外，此四極線圈可包括兩個呈串 聯連接之線圈。每一此兩個線圈係圉繞兩個U形鐵心之一 捲繞。此U形鐵心係以相當之終端相對立地配置，以及此 電子束傳送於此相對之u形鐵心之間。 此外，*此垂直偏轉磁場係已在桶形中變形時所產生 之VCR失聚可以藉使用下列結構來校正。此CR丁可包括一 尾跡权正線圈，經配置在靠近電子搶之偏轉軛之邊上，並 用來產生一第三校正磁場以改正垂直尾跡殘餘（vc幻失 聚。在此，第三校正磁場之強度可依照應用於電子束之垂 直偏轉里而交化。此外’由第三校正磁場所應用於電子束 之力量可以-如垂直偏轉之一同一方位中應用。應用於外 部電子束之力量可以是相等強度，同時應用於中央電子束 之強度係較應用於外部電子束之力量為大。應用於電子束 % 10 494430 五、發明說明（Ο 之第三校正磁場之強度當應用於電子束之垂直偏轉量係在 最大處時係最強，以及當由電子束所經歷之垂直偏轉量係 零時為最弱。此尾跡校正線圈可包括兩個線圈它們係呈串 聯地相連接，並呈串聯地連接至垂直偏轉線圈。每一此兩 個線圈係繞著葑個U形鐵心之一捲繞。此兩個υ形鐵心係相 對地配置’以及電子束傳送於此兩個相對之υ形鐵心之間。

此外’ 一結構諸如下列所述者可以使用。一彩色CRT 使用一自行斂聚方法者，有磁鐵用以校正頂/底部針墊失 真，並包括下列各項。一磁性物料，它係要就是正常抑或 ίο 極強之磁性者，可以配置在靠近一玻璃管之外部表面之垂 直偏轉線圈之邊上以變形一桶形中之垂直偏轉磁場。一四 極線圈可以配置在靠近電子搶之一偏轉軛之邊上，藉產生 一第二校正磁場以校正TH桶圖形失聚。第二校正磁場之強 度依照應用於由電子搶所放射之電子束之垂直偏轉量而變 15 化即7疋如果此一結構係被使用時，此垂直偏轉磁場仍 可以在-桶形中被變形’以及因此失聚可以如上述地被改 正，條件是此一結構須包括一四極線圈和一尾跡亦校正線 圈。 圖式之簡要說明 本發明之此等及其他目的、優點和特徵，自下列關聯 、圖斤進仃之本發明特殊實施例之說明，將變得益為清 晰，附圖中： 第1圖係一線圈，顯示一垂直偏轉磁場沿著一水平軸線 Η之水平向分量之強度上之變化’以及由水平分量施加在 494430

五、發明說明（9) 電子束上之力量； 第2圖顯PQV針塾圖形失聚； 第3圖係一曲線圖，顯示垂直偏轉磁場之桶形失真業被 解除之前及之後垂直偏轉之水平向分量上之變化，以及一 5旦垂直偏轉磁赛之桶形失真業經被解除，由此水平分量施 加於電子束上之力量； 第4圖說明YH針墊圖形失聚； 第5圖係日本公開公佈之專利案8-98193號中所揭露之 一四極線圈之視圖，自一顯示器屏幕之正面中所見者； 1〇 第6圖係一偏轉軛之視圖，磁鐵係已附著其上，自顯示 器屏幕之正面所見者； 第7圖顯示由磁鐵所產生之力量之磁力線，以及由力量 之磁力線施加在電子束上之力量； 第8圖係一曲線圖，顯示由磁鐵所產生磁場之水平向分 b量沿著此水平軸線η之強度上之變化，以及由水平而分量 施加於電子束上之力量； 第9圖顯示pqV桶圖形失聚； 第10圖顯示PQH紅色右方圖形失聚； ) 第11圖係本發明之實施例中一顯示器監視管之橫截面 2〇圖’在-水平向平面上它包括-管軸線Ζ ; 帛12圖係本發明之實施例中—顯示器監視管内偏轉輛 之垂直向橫截面圖，包括-管軸線Ζ; 第圖係本發明之一實施例中垂直偏轉線圈之視圖， 自顯不器屏幕之正面所見者； 12 494430 五、發明說明（ίο) 第14圖係本發明之實施例中一垂直偏轉軛之透視圖； 第15圖係一電路圖，顯示一垂直偏轉線圈以，一尾跡 校正線圈19以及一四極線圈1 $ ; 第16圖係自顯示器屏幕之正向中所見之尾跡校正線圈 5 19之視圖；一' 第17圖係自顯不器屏幕之正面中所見之四極線圈之視 圖； 第18圖顯不由水平軸線Η和垂直軸線ν所跨距之一平 面； ， 0 第19圖顯示為由具有較大捲繞角度之線圈剖面所產生 之一磁場之磁通； 第20圖顯示為由具有一小捲繞角度之線圈剖面所產生 之一磁場之磁通； 第21圖顯示ΥΗ桶圖形失聚： 5 第22圖顯示VCR失聚； 第23圖係使用一巨形鐵心之尾跡校正線圈線圈48之視 圖，自顯示器屏幕之正面所見者； 第24圖係本發明之一實施例中一顯示監視器内偏扼之 視圖，自顯示器屏幕之正面所見者； 1 第25圖係偏轉軛55之垂直向橫戴面，包括一管軸線 Ζ ;以及 第2 6圖係垂直於垂直偏轉線圈ζ管軸線之一平面之橫 截面中一第一象限之橫截面放大圖。 較佳實施例之說明 494430

五、發明說明（11 ) 本發明之實施例係在後文中以一丨9吋實際地為扁平之 屏幕之顯示監視器具有丨〇〇度之偏轉角以及4:3寬高比者為 基準來說明。此一裝置在後文中係稱作此“監視器，，。 第一實施例 5 下文係本發明之第一實施例中一監視器15以附圖為基 準之解釋。 監視器I5之結楫 第11圖係在此一實施例中監視器15之橫截面圖，在一 水平向平面上包括一管軸線z。在此圖中，此監視器15包 10括一玻璃管16、一偏轉軛17、以及一電子搶2〇，並有一四 極線圈18和一尾跡校正線圈19用以校正失聚者。應予說明 者即四極線圈18和尾跡校正線圈19共享同一鐵心，一如後 文中解釋者。 偏轉軛17 15 第12圖係一偏轉軛P之垂直向橫截面，包括一管軸線 Z。此偏轉軛17包括一水平向偏轉線圈2丨、磁鐵22、一絕 緣框架23、一垂直偏轉線圈24以及一鐵酸鹽磁體線圈25。 每一磁鐵22之尺对為40.0mmx l〇.〇mmx5.〇mm，並有一表面 磁通密度0.04T。此磁鐵22係用來校正頂/底部針墊失真 20 者。 ’、 垂直偏韓線圈24 第13圖係此垂直偏轉線圈24之一視圖，如自顯示器屏 幕之正面中所見到者。此垂直偏轉線圈24係被分為東和西 線圈E和W，配置在垂直軸線v之兩邊上，以及這此e#貿 14 494430

五、發明說明（12 ) 線圈係各另自内和外部線圈所形成。換言之，此e線圈係 自一外部E線圈26和一内部E線圈27所形成，同時w線圈係 自外部W線圈29和一内部W線圈28所形戍。第14圖係此E 線圈之透視圖。一如附圖中所見者，此内部和外部E線圈 5 26和27有引線邡和31，以及30和33在其各自之終端。電流 係經由這些引線30至33而供應。第15圖係垂直偏轉線圈24 尾跡校正線圈19和四極線圈18之電路圖。用於垂直偏轉線 圈24之每一 E和W線圈之總匝數是98，以及形成這些線圈之 内和外線圈26至29各有49匝。一阻尼電阻器係並聯地連接 10至每一這些内部和外部線圈26至29。此阻尼電阻器經並聯 地連接至内線圈27和28者各有100Ω之電阻’而阻尼電阻器 經並聯地連接至外線圈26和29者各有一 4Ω之電阻。在此， 垂直偏轉線圈24係串聯地連接至尾跡校正線圈19，並係經 由一周邊電路34而串聯地連接至四極線圈18。 15 尾跡校正媿H) 1 9 第16圖係一尾跡校正線圈19之視圖，如自顯示屏幕之. 正面所見到者。此尾跡校正線圈丨9係環繞看一對u形鐵心 4 1和4 2纏繞’此U形鐵心41和4 8係相對地配置在靠近電子 搶20之一邊上之偏轉軛17之頂部及底部處。此尾跡校正線 20 圈19係環繞每一 U形鐵心41和42纏繞93匝。此外，此尾跡 校正線圈係經連接，俾使每一 U形鐵心4 1和42之相當之終 端經常有同一極性。 四極線圈18 一如第15圖内所示，此四極線圈18係經由周邊電路34 15 494430 五、發明說明（l3) 而連接至垂直偏轉線圈24。此周邊電路34包括一串聯電路 有兩個電阻器35和36者，以及肖特基二極體叫口如係分別 地連接至串聯電路之任一終瑞。每一可變電阻器叫⑽之 一端係分別地連接至二極體37和4〇之陽極，而另一終端係 5經由此四極線酹18而連接至供電阻器35和36用之一中間連 接點。在此，電阻器3 5和3 6有相同之電阻值。 第Π圖係自顯示器屏幕之正面所見之一四極線圈18之 視圖。此四極線圈18,像尾跡校正線圈19一 U形鐵心—繞，在每一情況中之E數係7。= ίο常在同一方向中流動通過此四極線圈19,作為由二極體37 和40所實施之整流之結果。此將正常地促使此四極線㈣ 來產生-磁場係第17圖中所示之一種，由是而應用一水平 向力量至每-電子束Β#σΚ於相反方令習知技術中所說明 之四極線圈4之方向中（亦即朝内以取代向外之力量）。 15 由水平向軸線Η和垂直軸線ν所跨距之一指定平面係 被分成為四個象限。在水平向軸線和接合原點〇至平面之 第一象限中繞組（線圈）上之一點之直線之間所形成之角度 係稱為垂直偏轉線圈24之繞角。相當於一指定繞角之一區 20域係由第一象限中繞角所確定之一線圈剖面，以及在每一 第二：第四象限中之線圈剖面對第一象限中之線圈剖面對 稱。第18圖顯示-平面由此水平向轴線Η和垂直向轴線ν 所跨距者。在第18圖中，線圈剖面43至46之繞角係指定作 為一角度Θ，經形成於（1)接合第一象限中之線圈剖面43至 五、發明說明（l4) 原點〇之筆直線47,和⑺此水平向轴線H之間。在附圖中， 符號㊉業㈣線圈剖面43和44指定，指示該電流在電子 搶20之方向中自屏幕流動通過此等剖面，而同時一符號 “〇”業經對線圈剖面45和46指定，指示該電流在相反之方 5向中’亦即自電子搶2〇至屏幕，流動通過此等剖面。傳統 式地，電流在一個方向中流動通過一垂直偏轉線圈之第一 和第一象限中所定置之線圈，並在相反方向中通過第三和 第四象限中所定置之線圈。 第19圖顯示用於由具有一較大繞角（換言之，外部線圈 10 26和29中之線圈剖面）之線圈剖面所產生之一磁場之磁 通。一如附圖中所示，由具有一較大繞角之線圈剖面所產 生之磁場係呈一針墊形狀地變形。此際，第2〇圖顯示用於 由具有一較小繞角（換言之，内部線圈27和28中之線圈剖面） 之線圈剖面所產生之磁場之磁通。一如此圖中所示，由具 15 有一小繞角之線圈剖面所產生之磁場係呈一桶形地變形。 精確地來說，具有60度以上之繞角之線圈剖面產生一磁場 呈一針塾形地變形’以及由具有較此一繞角為小之線圈剖 面將產生一磁場呈一桶形地變形。 P_Q V桶圖形尖聚之校正 20 在本實施例之顯示監視器15中，阻尼電阻器呈並聯地 連接至各有100 Ω之電阻之内線圈27和28,以及阻尼電阻器 呈並聯地連接至各有4 Ω之電阻之外線圈26和29。其結果， 由内線圈27和28所產生之磁場係較由外線圈26和29所產生 之磁場更強。換言之，由具有小繞角之線圈剖面所產生之 五、發明說明（15) 磁場係較由具有大繞角之線圈剖面所產生之磁場更強。由 於由具有小繞角之線圈剖面所產生之磁場係呈桶形地變 形。此將最終地意指由垂直偏轉線圈24所產生之垂直偏轉 磁％之桶形失真係較強。其結果第1圖内所示係應用於電子 束之力量Fb、rg和Fr上之差異係增大，由是而校正pQV桶 圖形失聚。 不過，如果垂直偏轉磁場之桶形失真係以此一方式增 強時，YH針塾圖形失聚將過校正，而γΗ桶圖形失聚，pQH 紅色右方圖形失聚，以及VCR失聚將產生。γΗ桶圖形失聚 及PQH紅色右方圖形失聚係由四極線圈丨8所校正，以及 VCR失λΚ由尾跡校正線圈19校正。此一處理程序係說明如 下。 ΙΗ桶圖形失聚之枋rp 如果垂直偏轉磁場之桶形失真係如上文所述地增強 時，ΥΗ桶圖形失聚即產生。第21圖顯示γΗ桶圖形失聚。 當一紫紅色線係垂直向地顯示於水平軸線之中央時，垂直 偏轉磁場之桶形失真之影響促使紫紅色線之紅色分量尺和 監色分量Β來分散至左和右於其更遠離水平軸線Η移動並 靠近屏幕之頂和頂部時，在屏幕之最頂及底部處，此分量 R和Β係以一距離D2分開，此距離相等於大約〇.6卬卬。此一 失聚之位準可以由四極圈18校正。一如第17圖内所示，由 四極線圈1 8所產生之磁場應用一朝向之水平向力量至每一 電子束R和B，此一力量係與垂直偏轉同步。不過，不論D2 何此將在電子束(}上沒有影響。其結果，電子束民和^ 五、發明說明（l6) 一2之向内力量於垂直偏轉角係較大時。此即意指該紅 色刀里R和ϋ色分量B將被帶引在—起，由是而消除桶 圖形失聚。 PQH紅色右方圖形失聚之校正 由於垂直蔼轉磁場之一強烈桶形失真所產生之pQH紅 色右方圖形失聚係亦使用四極線圈18校正。在本實施例 中QH、’工色右方圖形失聚之大小於其由四極線圈丨8校正 之前係第10圖内所示距離D卜在此大約地為蔔在 本實施例之彩色CRT内之四極線圈18在顯示屏幕之左/右 兩邊處可以較在屏幕之中央處改正大約兩倍於多加YH失 聚（以水平向為準之紅色及藍色分量之發散）。其結果，此 距細係大約而細之大小’由是而能使γΗ桶圖形失聚 及PQH紅色右方圖形失聚在同—時間地由四極線圈18所校 正。 VCR失聚 VCR失聚係利用尾跡校正線圈丨9校正。第u圖顯示 VCR失聚。當白色線係沿著顯示屏幕之頂部和底部水平向 地顯示日守，此紅和藍色分量尺和Β匹配，但綠色分量G自其 他兩個分量分散。此一失聚，其中紅和藍色分量r*b係示 於綠色勺里G之外面者係稱之為VCR失聚。VCR失聚靠近 顯示屏幕之頂部和底部者變為更顯著，並係在屏幕之中央 部分内不可見。此尾跡校正線圈19產生一針墊失真磁場一 如第18圖内所示，藉以校正VCR失聚。換言之，由於由尾 跡校正線圈19所產生之磁場係呈一針墊形狀地變形，故此 五、發明說明（17) 電子束G，依據“夫來明，，法則，接收在與一垂直偏轉方向 平行之一方向中之最大之力I。電子束R和B亦接收平行於 垂直偏轉方向之相同力量，但此一力量係較施加在電子束 G上者為小。此外，由於尾跡校正線圈㈣收一垂直偏轉 電流以便能產笙一磁場，施加於電子束R和B上之力量及施 加在電子束G上之力量之間之差異當垂直偏轉角係較大時 為車乂大，相反地，當垂直偏轉角係較小時則較少。此尾跡 校正線圈19以此一方式改正VCR失聚。 藉調整甩於形成此垂直偏轉線圈之每一内和外線圈之 阻尼電阻器來增強垂直偏轉磁場之桶形變形，並進一步組 地組s此一效果與由四極線圈丨8和尾跡校正線圈19所產生 之效果’使_具有一廣闊偏轉角和一實質上扁平屏幕之彩 色CRT中所產生之失聚，以及特別是在如此一彩色〔尺丁内 由磁鐵所產生之失聚被校正。 一如前文所解釋者，由以磁鐵所產生之磁場所造成之 TH針墊圖形失聚係太嚴重而不能由四極線圈1 8來校正，如 果垂直偏轉磁場之桶形變形係增大，藉以改變此失聚為γΗ 桶圖开》失水時，則此失聚可以減小至可由四極線圈15來校 正之程度。此將思指，即最終地任何類型之失聚均將可以 由此一規格所說明之裝置來校正。 如果一具有巨形鐵心取代U形鐵心之尾跡校正線圈係 被使用時，對文所說明之那些之類似效果仍可以達成。第 23圖係一和用巨形鐵心之尾跡校正線圈之視圖。在此附圖 中’此尾跡校正線圈48包括一對巨形鐵心53和54，和線圈 494430 五、發明說明（l8 ) 44至52，它們係繞著巨形鐵心53和54纏繞。此尾跡校正線 圈48係配置在靠近電子搶20之偏轉軛17之邊上。此尾跡校 正線圈4 8產生一針墊形磁場類似於由尾跡校正線圈丨9所產 生者，藉以校正VCR失聚。 使用巨形鐵心之四極線圈可達成對上文所述者之類似 效果。此外，此四極線圈和尾跡校正線圈亦可分享同一巨 形鐵心。 1二實施例 ίο 在第一實施例中用於垂直偏轉線圈之每一内和外線圈 之阻尼電阻器之調整增強了垂直偏轉磁場之桶形失真。不 過，在此第二實施例中，垂直偏轉磁場之桶形失真係藉結 合一向導磁合金至偏轉轭來加強。 第二實施例中一監視器之結構係一如第一實施例中之 監視器者，除了垂直偏轉軛之結構和附加之高導磁合金以 外。在第-實施例中，此垂直偏轉耗係被區分成為外和内 線圈，但在第二實施例中，它尸、是自兩個線圈形成：一束 線圈E和兩線HW。此高導磁合金係5〇nimx25.〇mm之大 小，亚係在自基準線一邊之電子搶上15 〇mm*2〇力❿❿之 間之一位置處結合至偏轉軛之内表面。 第24圖係第_貝％例之監視器中一偏轉輕^之視圖， 自”、、員不叩屏幕之正面中所見者。此偏轉輛有磁鐵^結 合至一絕緣框架58之上部和下部邊緣，以及高導磁合金59 係結合至絕緣框架58之部分由形成於_水平向偏轉線_ 内之開口所暴路。第25圖係此偏轉輕55之垂直向橫截面 21 494430

五、發明說明（ι〇 圖，包括一管軸線Z。高導磁合金59係結合至絕緣框架58 之表面於自一基準線60之15.0mm和20.0mm)之間之一位置 處’在靠近此電子搶邊之基準線60之邊上。此基準線6〇係 垂直於管軸線Z，並係一筆直線包括一偏轉中心。垂直偏 5轉磁場之桶形夷真係由高導磁合金59所加強，能以對第一 實施例之類似方式使失聚予以改正。 應予說明者’即此高導磁合金5 9僅需要被定置以便能 車乂垂直偏轉線圈更靠近於玻璃管之外表面，以及可能，例 如’係配置在絕緣框架和垂直偏轉線圈之間。此外，一磁 10丨生物料除咼導磁合金以外者亦可使用以達成上述效果，只 要它是正常地或強烈之磁性。 本龟明業以上述貫施例為基準作說明，但不需受限於 其内所說明之結構。下列修正亦可以被引用。 修正— 15 垂直偏轉磁場之桶形失真可以藉調整垂直偏轉線圈之 繞組分布而增強。換言之，如果線圈剖面具有大繞角者較 線圈剖面具有一小繞角者有一較小數量之匝數，垂直偏轉 磁場之桶形失真可以增強。 第26圖係垂直於垂直偏轉線圈之管軸線z之一平面之 2〇橫截面中一第一象限之放大圖。垂直偏轉線圈之一剖面61 係在有一自原點〇之半徑24.〇mm之一弧和有一自一點〇,之 半徑19.0mm之一弧之間之一區域内，此點〇,藉沿著自原點 〇之垂直軸線v在正極方向中移動3mm可發現。剖面61之部 分具有30。或以下之繞角（附圖中陰影之區域）係特別地寬

五、發明說明（20) 廣。環繞此垂直偏轉線圈所纏繞之匝數總共98，以及這此 是呈對橫剖面61之寬度成比例地分布。垂直偏轉線圈之此 第二，第三和第四象限有一形狀對第一象限者對稱。 如果繞組分布係以此一方式實施，具有小繞角之區域 内之匝數係增笳，由是而增強垂直偏轉磁場之桶形失真。 其結果，如果一四極線圈和尾跡校正線圈具有上述特性者 係一起使用時，本發明之效果即可以獲得。 此外，本實施例係以一 19吋監視器具有1〇〇。之偏轉 角’以及實質上扁平屏幕具有一4: 3寬高比者為基準來說 明，但有一不同屏幕大小，偏轉角，寬高比，或屏幕之曲 線率均，不關用本發明之結構來校正，但條件是由此類 皿視為所經歷之失聚可以歸功於磁鐵。 雖然本發明業已藉參考附圖列舉實例之方式完全地說 明’但應予暸解者，即各種改變及修正對精於此技藝者仍 係顯明。因此，除非此類改變和修正已背離本發明之範圍， 否則它仍應建構如係被包括於本文内。 元件標號對照表 1…直線 2 · · ·顯示屏幕 3···直線 4···四極線圈 5、 8···線圈 6、 7···鐵心 9、 55…偏轉輕 10、 13···磁鐵 π…絕緣框架 14…線 15…監視器 16…玻璃管 494430 五、發明說明（2i) 17、55···偏轉軛 1 8.••四極線圈 19、4 8…尾跡校正線圈 20···電子搶 21…偏轉線圈― 22···磁鐵 23…絕緣框架 24···垂直偏轉線圈 25…鐵酸鹽磁體線圈 26···夕卜部巨線圈 2 7…内部巨線圈 2 8…内部W線圈 29···夕卜部λν線圈 30-33···弓| 線 34…周邊電路 35、36···電阻器 37、 40···肖特基二極體 38、 39···可變電阻器 41、4 2…鐵心 43-46…線圈剖面 47…筆直線 49-52···線圈 53、54···鐵心 5 6…磁鐵 58…絕緣框架 5 9…高導磁合金 6 0…基準線 61…剖面 24

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 1· 一種衫色陰極射線管（CRT)，其使用一自行斂聚方法， 並有磁鐵用以校正頂部/底部針墊失真，此CRT包含： 一垂直偏轉線圈，用以產生在一桶形中被變形之一 第一校正磁場，以及 四極一線圈，配置於靠近一電子搶之偏轉軛之邊 上，用以產生一第二校正磁場以改正YH桶圖形失聚， 第二校正磁場之強度依照應用於由電子槍所放射之電 子束之垂直偏轉量而變化。 2·如申請專利範園第1項之彩色陰極射線管，其中 此垂直偏轉線圈包括第一線圈部分和第二線圈部 刀呈串聯地連接，此第一線圈部分有線圈剖面具有一較 第一線圈部分中線圈剖面之繞角為大之繞角： 此第一及第二線圈部分係分別地並聯地連接至第 :和第二阻抗元件，以及此第一校正磁場係藉使第二阻 抗π件之阻抗較第一阻抗元件之阻抗為大而在此桶形 中被變形。 3·如申請專利範圍第！項之彩色陰極射線管，其中·· 此垂直偏轉線圈包括第一線圈部分和第二線圈部 分亊聯地連接，此第一線圈部分有線圈剖面具有較第二 線圈部分中線圈剖面之繞角為大之繞角，以及 此第一校正磁場，藉有較第一線圈部分内一更大匝 數在弟一線圈部分内而在此桶形中變形。 4.如申請專利範圍第丨項之彩色陰極射線管，其中： 三個水平向地呈直線對準之電子束係由電子搶所 494430 六、申請專利範圍 放射， 此第二校正磁場係由此四極線圈所產生，以便能應 用一向内之水平力量至三個水平向地呈直線對準之電 子束之每一外部電子束， 應用於1子束之第二校正磁場之力量當應用於電 子束之垂直偏轉量係在一最大處時係最強，以及當由此 電子束所經歷之垂直偏轉量係〇時係最弱。 5·如申請專利範圍第4項之彩色陰極射線管，其中： 此四極線圈係經由一周邊電路而連接至垂直偏轉 線圈，此周邊電路包括（1)一串聯電路，其中兩個電阻 器係串聯地連接，（2)兩個二極體各有一陰極分別地連 接至串聯電路之任一端，以及兩個可變電阻器，各 分別地連接至兩個二極體之一之陽極於一終端處，並連 接至四極線圈之一終端於另一終端處， 四極線圈之另一終端係連接至一節點，在該處串聯 電路中之兩個電阻器係相連接，以及 此串聯電路係呈串聯地連接至垂直偏轉線圈。 6·如申請專利範圍第5項之彩色陰極射線管，其中： 此四極線圈包括兩個呈串聯地相連接之線圈， 每一此兩個線圈係圍繞兩個U形鐵心之一而纏繞， 此U形鐵心係以相當之終端相對立地配置，以及 此電子光速傳送通過此相對u形鐵心之間。 7.如申請專利範圍第1項之彩色陰極射線管，另包含一尾 跡校正線圈，經配置在靠近電子搶之偏轉軛之邊上，用 494430 六 申δ青專利範圍 以產生第二校正磁場以改正垂直尾跡剩餘（VCR)失 聚， 其中第二校正磁場之強度依照應用於電子束之垂 直偏轉量而變化。 5 8·如申請專禾广範圍第7項之彩色陰極射線管，其中·· 由第三校正磁場應用於電子束之力量係以一如垂 直偏轉之同一方位中應用， 應用於外部電子束之力量係屬相等之強度，而應用 於中央電子束之力量係較應用於外部電子束之力量為 10 大，以及 應用於電子束之第三校正磁場之強度當應用於電 子束之垂直偏轉量係在最大處時係最強，以及當由電子 束所經歷之垂直偏轉量係0時係最弱。 9·如申請專利範圍第8項之彩色陰極射線管，其中此尾跡 校正線圈包括兩個線圈呈串聯地連接，並呈串聯地連接 至垂直偏轉線圈， 每一此兩個線圈係圍繞兩個U形鐵心之一而纏繞， 此兩個U形鐵心係呈相對立地配置，以及 此電子束傳送於此兩個相對之U形鐵心之間。 20 1〇· 一種彩色陰極射線管（CRT)，其使用自行斂聚方法，並 有磁鐵用以校正頂部/底部針塾失真，此CRT包含： 一磁性物料，係屬正常磁性物料和一強磁性物料一 者，它係配置在靠近一玻璃管之外部表面之垂直偏轉線 圈之邊上，以致使呈一桶形狀之垂直偏轉磁場變形；以

   六、申請專利範圍 及 + —四極線圈，配置在靠近電子搶之偏轉軛之邊上， 精產生一第二校正磁場用以校正YH桶圖形失聚，第二 校正磁場之強度依照應用於由電+搶所發射之電子束 之垂直偏轉*董而變化。 11·如申請專利範圍第H)項之彩色陰極射線f，其中三個水 平向地呈直線對準之電子束係由電子搶所放射， 此第二校正磁場係由四極線圈所產生，以便能應用 一向内之水平力量至三個水平向地呈直線對準之電子 束之母' 外部電子束， 應用於電子束之此第二校正磁場之強度當應用於 電子束之垂直偏轉量係最大時即最強，以及當由此電子 束所經歷之垂直偏轉量係0時即最弱。 a如申請專利範圍第_之彩色陰極射線管，其中此四極 線圈係、、’呈由周邊電路而連接至垂直偏轉線圈，此周邊 電路包括（1)一串聯電路，其中兩個電阻器係呈串聯地 連接（2)兩個一極體，各有一陰極分別地連接至串聯 電路之任一終端，以及（3)兩個可變電阻器，各分別地 連接至兩個二極體之一之陽極於一終端處，並連接至四 極線圈之一端於另一終端處， 四極線圈之另一終端係連接至一節點，在該處串聯 電路中之兩個電阻器係相連接，以及 此串聯電路係呈串聯地連接至垂直偏轉線圈。 13.如申請專利範圍第12項之彩色陰極射線管，其中此四

   六、申請專利範圍 線圈包拮兩個線圈串聯地相連接， 每一此兩個線圈係圍繞兩個u形鐵心之一而纏繞， 此U形鐵心係以相當之終端呈對立地配置，以及 此電子束傳送於相對之υ形鐵心之間。 5 I4·如申請專利·範圍第10項之彩色陰極射線管，另包含一尾 跡校正線圈，經配置在靠近電子搶之偏轉軛之邊上，用 以產生一第二校正磁場以改正垂直尾跡剩餘（VCR)失 聚， 其中此第三校正磁場之強度依照應用於電子束之 10 垂直偏轉量而變化。 15·如申請專利範圍第14項之彩色陰極射線管，其中由第三 才父正磁場應用於電子束之力量係以一如垂直偏轉之同 一方位中應用， 應用於外部電子束之力量係屬相等之強度，而應用 15 於中央電子束之力量係應用於外部電子束之力量為 大，以及 應用於電子束之第三校正磁場之強度當應用於電 子束之垂直偏轉量係最大時即最強，以及當由此電子束 所經歷之垂直偏轉量係零時即最弱。 20 16.如申請專利範圍第15項之彩色陰極射線管，其中此尾跡 校正線圈包括兩個線圈係呈串聯地連接，並呈串聯地連 接至垂直偏轉線圈， 每一此兩個線圈係圍繞兩個U形鐵心之一而纏繞， 此兩個ϋ形鐵心係相對立地配置，以及 29 494430 六、申請專利範圍 電子束傳送於此兩個對立之u形鐵心之間。 30