TW490731B - Optical device, exposure system, and laser beam source, and gas feed method, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents

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490731 A7 B7 五、發明説明（/ ) 【技術領域】 本發明係關於內部收容有各種光學元件的光學裝置， 更詳細地，係關於例如製造半導體元件、液晶顯示元件、 .攝像兀件、薄膜磁頭等微元件之時，於微影製程使用之曝 光裝置、使用該曝光裝置的雷射光源、氣體供給方法、曝 光方法，以及元件製造方法。 【習知技術】 曝光裝置係具備有：分別被收容於1個或複數個的殼 體內、能射出具有既定波長之曝光用光的光源，將該曝光 用光照射於光罩上之照明光學系統，根據該照明光學系統 之照明、將形成於光罩上之電路圖案投影於基板上之投影 光學系統。於光源、照明光學系統及投影光學系統之各鏡 筒內，分別收容保持著複數之透鏡、反射鏡、濾光器等光 學元件。 曝光裝置爲使曝光時之環境條件維持一定，係被放置 於能保持既定溫度、濕度之空調環境下。於曝光裝置之使 用環境的微元件工廠之無塵室內空氣中，含有微量之有機 矽化合物、銨鹽等污染物質。這些物質若入侵曝光裝置之 鏡筒內，其物質附著於光學元件表面，將使光學元件產生 模糊不淸的情況。爲防止此模糊不淸的發生，乃提出一種 曝光裝置，其具備之淨化機構係使用能將鏡筒內之污染物 質去除的空氣等氣體。 但，伴隨近年之半導體裝置的高度集積化，對曝光裝 置之高解像度化的要求越來越強烈。爲了應付如此之要求

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490731 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ ，曝光光例如從習知被廣泛使用之g線（λ= 436nm)，轉 而使用例如i線（λ = 365nm)、KrF準分子雷射（λ二 248nm)，進而ArF準分子雷射（193nm)、F2準分子 .雷射（157nm)，而有短波長化之趨勢。就以KrF準分 子雷射做爲曝光光使用之曝光裝置而言，因鏡筒內之水分 有時會導致光學元件模糊不淸的情況，乃將水分已抑制於 既定量以下之空氣等於鏡筒內進行淨化。 又，若爲具有ArF準分子雷射以下波長之曝光光，則 曝光光之能量分布與空氣中氧氣之吸收光譜間的重疊部分 將變大。在此情況，若有氧氣通過時曝光光之能量將被氧 氣吸收，造成其能量大幅衰減，同時因光化學反應將產生 臭氧。因此，若使用具有極短波長之曝光光時，必須確保 於基板上有安定的曝光能量，同時必須抑制光學元件之模 糊不淸的情況，故鏡筒內係例如用氮氣來淨化。此外，鏡 筒係與微元件工廠之排氣管道連接著，做爲該鏡筒內空氣 使用之氮氣被排出於工廠外。 但，光罩、晶圓交換或是光學元件交換等維修保養之 時，必須將設置於曝光裝置之殻體（收容曝光裝置本體之 本體室，收容雷射光源之雷射室等）之門打開。此處，以 氮氣進行鏡筒內氣體淨化之時，若鏡筒內之氣密性降低， 氮氣有可能從鏡筒內漏出，而流至殻體（室），甚至流到 無塵室內。 又，例如於排氣管道發生問題，造成其排氣能力降低 之時，原來必須排放至工廠外之氮氣將逆流至曝光裝置之 ----·—丨^----—-------訂----------I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 490731 A7 B7 五、發明説明（今） 殻體內，甚至有可能漏出於無塵室內。如此之事態有讓無 塵室內之作業環境惡化之問題。 另一方面，因停電或長期停止運轉，而對曝光裝置及 .排氣管道之電力供給被切斷時，淨化氣體供給機構也將停 止。此時，將無法阻止存在於無塵室內空氣中之污染物質 入侵鏡筒內，有於光學元件產生模糊不淸現象之問題。 本發明之第1的目的係提供一種光學裝置及曝光裝置 以及雷射光源，其於曝光裝置之維修保養時及運搬時，若 曝光裝置及排氣裝置發生異常等情況，亦能妥善地維持該 作業環境。 本發明之第2的目的係提供一種光學裝置及曝光裝置 以及雷射光源，其能抑制由於曝光裝置及排氣裝置之停止 運轉造成光學元件模糊不淸現象的發生。 【發明之揭示】 於本發明之第1形態，係提供一種具備收容光學元件 之氣密室的光學裝置，該光學裝置具有對氣密室內供給第 1氣體之第1淨化機構，對氣密室內供給與第1氣體不同 組成之第2氣體的第2淨化機構，檢測光學裝置運作狀態 之運作狀態的檢測機構，以及根據運作狀態檢測機構之檢 測結果、將氣密室與第1淨化機構或第2淨化機構選擇性 地連接之控制裝置。因此，根據運作狀態檢測機構之檢測 結果，適合於運作狀態之淨化氣體乃選擇性地供給至氣密 室內。 又’光學裝置係進一步具備射出照明光之光源。再者 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用宁國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公襲） 490731 A7 五、發明説明（ψ ) ，該光源也可爲射出準分子雷射光之準分子雷射光源。此 時，對於能量高、容易使光學元件發生模糊不淸現象，且 使用之淨化氣體的條件爲嚴格之準分子雷射光而言，藉由 本發明將能有效地使用該雷射光。 又，光學裝置可具有複數之光學元件，且進一步具備 將照明光照射於光罩上之照明光學系統，而照明光學系統 之複數的光學元件之至少一部分係收容於氣密室內。此時 ，可抑制來自照明光學系統之照射於光罩上之照明光的強 度之因歷經長時間而發生變化，而更加精確地複製光罩圖 案。 又，光學裝置亦可進一步具備將形成於光罩上之圖案 的至少一部分投影於基板上之投影光學系統。此時，可抑 制於圖案之像的光強度因歷經長時間而發生變化，而更加 精確地複製光罩圖案。 又，第1氣體採用惰性氣體，而第2氣體含有濃度至 少與大氣相同之氧或含有氧之混合氣體乃所希望的。於此 種情況，藉由於一般曝光時將惰性氣體供給於氣密室內， 氣密室內之污染物質及氧得以被排除，而可抑制光學元件 之模糊不淸現象的發生。另一方面，就光學裝置在維修保 養時或發生異常情況時而言，藉由將含有氧之淨化氣體供 給於氣密室內，即使該氣密室之氣密性減低，也能妥善地 維持作業環境。 又，光學裝置也可於第1氣體及第2氣體之流路上具 備用以去除該等氣體中之不純物的潔淨裝置。藉由潔淨裝 1---- - η 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —. 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 B7 五、發明説明（f) 置，供給於氣密室內之淨化氣體可常保潔淨，而抑制於光 學元件之模糊不淸現象的發生。 又，光學裝置係具備收容氣密室之殼體，而運作狀態 檢測機構係具備檢測於殻體內部或外部之既定氣體濃度的 環境監視機構，控制裝置根據該環境監視機構之檢測結果 ，若既定氣體濃度較既定値爲低時，可將連接於氣密室之 淨化機構由第1淨化機構切換至第2淨化機構。此時，做 爲環境監視手段，例如藉由使用檢測氧濃度之氧偵測器， 可對殻體內或設有該光學裝置之無塵室內的氧濃度進行管 理。藉此，能妥善地維持作業環境。 又，光學裝置具備連接於氣密室之排氣裝置，而運作 狀態檢測機構係具備檢測排氣裝置之排氣能力的排氣監視 裝置，控制裝置根據該排氣監視裝置之檢測結果，若排氣 量較既定値爲低時，可將連接於氣密室之淨化機構由第1 淨化機構切換至第2淨化機構。此時，若檢測出排氣裝置 有異常情況，由於第丨氣體的使用被中止，乃可妥善地維 持作業環境。 若運作狀態檢測機構及控制裝置之至少一方呈停止的 狀態’可將連接於氣密室之淨化機構由第1淨化機構切換 至第2淨化機構。此時，於光學裝置之停止狀態，由於第 1氣體的使用被中止，乃可妥善地維持作業環境。 又’控制裝置於光學裝置運轉時，將第1淨化機構連 接於氣密室，而於未滿足第1氣體之使用條件時，可於氣 密室連接第2淨化機構。就此情況而言，於一般之運轉時 ί - ·Βιϋ n^i ml ^ϋ— —ϋ n ml ^ϋϋ ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、^1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

五 、發明説明（ A7 B7 ’係對氣密室內供給第1氣體，而於光學裝置之維修保養 時或發生裹常時，至則對氣密室內供給第2氣體。 ..—ΙΊ 丨|d! f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 又’若收容有氣密室之殼體的一部分呈開放狀態，或 光學裝置之電源呈切斷狀態，或光學裝置正於運搬、組裝 、調整中，則可將第2淨化機構連接於氣密室。就此情況 而言’於光學裝置之維修保養時，光罩、基板等之交換時 ’停止時，運搬時，組裝時，或是調整時，由於氣密室內 供給有第2氣體，乃可妥善地維持作業環境。 -訂 又’光學裝置可進一步具備儲存保持第2氣體之保持 裝置。就此情況而言，例如光學裝置之運搬時或組裝時等 ’即使自工廠之公用設施工廠無法將第2氣體供給至光學 裝置’亦可對氣密室內以第2氣體進行淨化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明之第2的形態，提供將光罩圖案複製於基板 上之曝光裝置。該曝光裝置具備有：射出照明光之光源， 收容於光源與基板間所配置的複數光學元件中至少一部分 之光學元件的氣密室，對氣密室內供給第1氣體之第1淨 化機構，對氣密室內供給與第1氣體不同組成之第2氣體 之第2淨化機構，檢測曝光裝置之運作狀態的運作狀態檢 測機構，以及根據運作狀態檢測機構之檢測結果、將氣密 室與第1淨化機構或與第2淨化機構選擇性地連接之控制 裝置。因收容曝光裝置光學元件之氣密室內的污染物質被 第1或第2氣體排除，乃抑制於光學元件之模糊不淸現象 的發生。此結果，避免了光罩圖案至基板上的複製動作之 精度及效率的降低。又，於光罩及基板之交換時或維修保 --------- -9__________ 本紙張尺度適用中國國家檩準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 490731 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 養時等得以妥善地維持著作業環境。 又，氣密室也可包含：收容光源內之光學元件的第1 氣密室，將配置於光源與光罩間之至少1個的光學元件予 以收容之第2氣密室，以及將配置於光罩與基板間之至少 1個的光學元件予以收容之第3氣密室。此時，可抑制配 置於光源內、光源與光罩之間，以及光罩與基板間的各光 學元件之模糊不淸現象的發生。 曝光裝置亦可進一步具備收容氣密室之殼體及經由第 1、第2及第3氣密室之至少一方來回收第1氣體之回收裝 置。此時，供給至氣密室之第1氣體以回收裝置來回收。 藉由將回收之第1氣體再利用，能降低曝光裝置之運轉成 本。 第2氣體也可爲在化學性上潔淨的乾燥空氣。此時， 於氣密室內未通過照明光之狀態下，氣密室係以在化學性 上潔淨的乾燥空氣來淨化。藉此，可阻止污染物質附著或 堆積至氣密室內之各光學元件表面。 又，曝光裝置亦可進一步具備檢測於氣密室內之第1 氣體及氧其中任一濃度之偵測器，以及根據偵測器之輸出 來控制光源之發光控制裝置。此時，可對應於氣密室內之 第1氣體或氧之濃度，來控制例如照明光之射出等光源之 狀態。 又，可使偵測器用以檢測氧濃度，而使發光控制裝置 對氧濃度在未達到既定値以下之前，禁止從光源射出照明 光。此時，例如氣密室內在藉由第1氣體充分地淨化之前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A#规格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 490731 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（t) ，禁止從光源射出照明光。 氣密室也可包含於照明光光路徑中所配置之複數的氣 密室，而複數之氣密室內則分別裝設複數之偵測器；發光 控制裝置亦可根據複數之偵測器的輸出來控制光源。此時 .，可對應於各氣密室內之例如氧濃度，來控制照明光之射 出等光源之狀態。 曝光裝置亦可進一步具備：將照明光照射於光罩之照 明光學系統，將照明光照設之光罩圖案的至少一部分、投 影於基板上之投影光學系統，以及配置於光源與照明光學 系統之間的傳送系統。又，複數之氣密室也可包含：設置 於光源內之第1氣密室，將構成照明光學系統之至少一部 分的光學元件予以收容之第2氣密室，將構成投影光學系 統之至少一部分的光學元件予以收容之第3氣密室，以及 將構成傳送系統之至少一部分的光學元件予以收容之第4 氣密室的其中一室。此時，乃可將光源內之光學元件、照 明光學系統之至少一部分的光學元件、投影光學系統之至 少一部分的光學元件、以及傳送系統之至少一部分的光學 元件予以單體化。 又，曝光裝置也可具備將照明光照射於光罩之照明光 學系統，而氣密室則包含將照明光學系統之光學元件予以 收容之至少2個的氣密室，又至少2個的氣密室則分別設 置偵測器。此時，可將例如包含線網遮蔽等之可動部分的 照明光學系統，於其可動部分之前後分離爲至少2個的氣 密室。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本育) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 490731 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 又’控制裝置也可在來自光源之照明光的射出中斷或 停止時，爲對氣密室內供給第2氣體，而將第2淨化機構 與氣密室連接。此時，可防止例如於停電、長期停止或維 修保養等’因來自光源之照明光的射出中斷或停止，而從 氣拾室排放桌1氣體。又，由於氣密室以第2氣體淨化之 故，污染物質不會堆積於光學元件上。 又’曝光裝置亦可進一步具備收容氣密室之殼體，以 及連接於殼體’於第2氣體供給時運轉之排氣裝置。就此 情況而言’例如爲了維修保養等，氣密室內之淨化氣體被 切換爲第2氣體時，則將排氣裝置開放，以使殘存於氣密 室內及殻體內之第1氣體藉由淨化裝置排出至外部。 又’曝光裝置亦可進一步具備檢測殼體內環境之環境 偵測器，而根據環境偵測器之輸出來控制排氣裝置。此時 ’可按照例如殻體內之氧濃度等的環境狀態來控制照明光 之射出等光源狀態。 又，殼體也可包含收容光源之第1室及收容曝光裝置 本體之第2室之其中任一室。此時，光源之氣密室係以第 1室覆蓋，而曝光裝置之氣密室係以第2室覆蓋。藉此， 各氣體室內之淨化氣體不會直接地排放於室之外部的無塵 室等的設置環境中。 於本發明之第3形態，係提供將光罩圖案複製於基板 上之曝光裝置所使用的雷射光源。雷射光源係具備與於曝 光裝置運作中所供給之第1氣體具有不同組成之保存第2 氣體的儲槽，以及自曝光裝置分離時，將第2氣體導入雷 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇 X 297公釐） 490731 A7 B7 五、發明説明（〖〇) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 射光源內部之配管。就此情況而言，於雷射光源之運搬時 、或曝光裝置與雷射光源分離時，雷射光源之內部係充滿 第2氣體。藉此，乃可避免污染物質堆積至裝設於雷射光 源內之光學元件上。 於本發明之第4的形態，係提供一種氣體之供給方法 ，其對於設置於光學裝置之收容光學元件的氣密室，乃供 給既定之氣體。於該方法中，係檢測光學裝置之運作狀態 ，而根據其檢測結果，將做爲既定之氣體的第1氣體或是 與第1氣體具有不同組成之第2氣體選擇性地供給至氣密 室。 第1氣體可爲惰性氣體，而第2氣體可爲含有濃度至 少與大氣相同之氧或含有氧之混合氣體。 光學裝置具備收容氣密室之殻體，而檢測殼體內部或 外部的氣體濃度，根據其檢測結果，若氣體濃度在既定値 以上，可將第1氣體供給於氣密室；若氣體濃度較既定値 爲低，則將第2氣體供給於氣密室。 光學裝置係具備連接於氣密室之排氣裝置，而檢測排 氣裝置之排氣量，若排氣量在既定値以上’可將第1氣體 供給於氣密室；若氣體濃度較前述既定値爲低，則將第2 氣體供給於氣密室。 於光學裝置動作時，也可將第1氣體供給於氣密室。 氣密室或收容該氣密室之殻體的一部分開放時，或光 學裝置之電源呈切斷狀態時，也可將第2氣體供給於氣密 室0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（训'〆297公釐） 490731 Α7 明說明（α) ：ΐ - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光學裝置可爲具備：將來自光源之照明光照射於光罩 之照明光學系統，將藉由照明光學系統照射之光罩圖案的 至少一部分投影於感光基板上之投影光學系統，以及配置 於光源與照明光學系統之間的傳送系統；而氣密室可設置 於照明光學系統、投影光學系統及傳送系統之其中至少1 個之上。 於本發明之第5形態，係提供一種曝光方法，其利用 上述第4的形態之氣體的供給方法，將光罩圖案投影於基 板上。 於本發明之第6形態，係提供一種將形成於光罩之圖 案投影於基板之曝光方法。於此方法中，在將圖案投影至 基板前，係使用上述第4形態之氣體的供給方法，以對氣 密室供給第1氣體。 於本發明之第7形態，係提供一種元件製造方法，其 包含將形成於光罩之圖案投影於基板之製程。於此方法中 ，在將圖案投影至基板前，係使用上述第4形態之氣體的 供給方法，以對氣密室供給第1氣體。 【圖式之簡單說明】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1係本發明之第1實施形態的曝光裝置及雷射裝置 之槪略構成圖。 圖2係本發明之第2實施形態的曝光裝置及雷射裝置 之槪略構成圖。 圖.3係本發明之第3實施形態的曝光裝置及雷射裝置 之槪略構成圖。 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490731 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明（/L) 圖4係本發明之第4實施形態及其變更例的曝光裝置 及雷射裝置之槪略構成圖。 【爲實施發明之最佳形態】 (第1實施形態） 以下，遵照圖1來說明於本發明之第1實施形態的半 導體裝置等微細元件之製造過程所使用之做爲光學裝置的 曝光裝置本體11，以及就雷射光源而言做爲光學裝置使用 之雷射裝置12的構成。 圖1係曝光裝置本體11及雷射裝置12之槪略構成圖 。首先，關於雷射裝置12說明之。雷射裝置12具有做爲 殻體之室15，於其室15內做爲第1氣密室之光源室16被 區劃形成著。於光源室16內，係收容有做爲振盪照明光之 ArF準分子雷射光（以下，只稱爲「雷射光」）光源的雷 射激發部17。於光源室16之一端形成著開口 18。又，於 室15之一側面亦形成有開口 19，其具有對應於開口 18之 形狀。於這些之開口 18、19間嵌合有做爲光學元件之圓板 狀的間隔板20。間隔板20由可允許從雷射激發部17產生 振盪之雷射光透過之透明物質（石英或螢石等）所形成。 又，於第1實施形態，室15係連接於未圖示之空調裝置或 配置於其內部，而該內部保持著既定之溫度及濕度。然而 ，空調裝置不一定須預先連接於室15 (或預先設置於室15 內）。 雷射激發部17具有做爲光學元件之雷射氣體放電管 23、配置於雷射氣體放電管23兩側之一對的做爲光學元件 本紙^度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X2^公釐） ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —.

、1T 490731 A7 _______ Β7_____ 五、發明説明（1)) 之前反射鏡21及後反射鏡22。於後反射鏡22與雷射氣體 放電管23之間，配置著由稜鏡、光柵等構成之做爲光學元 件的波長狹帶化元件24。又，於雷射氣體放電管23內之 一對電極25間藉由放電而發出之光，在達到雷射振盪狀態 前，乃往返於一對反射鏡21、22間使其增幅。此時，該光 藉由通過波長狹帶化元件24,其光之波長將被狹帶化爲既 定之波長頻帶。 光源室16與供給淨化氣體至其內部之淨化氣體供給系 統28連接著。於連接光源室16及淨化氣體供給系統28之 供氣配管29的經路當中配置著做爲潔淨裝置之過濾器30 及溫調乾燥器31。過濾器30係去除由淨化氣體供給系統 28供給之淨化氣體中的污染物質，例如有機矽化合物、銨 鹽等之不純物質。溫調乾燥器31係將淨化氣體之溫度維持 於既定之溫度，同時將包含於淨化氣體中之水分抑制於例 如5%以下。 淨化氣體供給系統28具備由配置於微細元件工廠之公 用設施工廠內的第1儲槽32供給第1氣體之惰性氣體以做 爲第1淨化機構之惰性氣體供給系統33，及由配置於同工 廠內之第2儲槽34供給第2氣體之乾燥空氣以做爲第2淨 化機構之乾燥空氣供給系統35。惰性氣體係包含由氮、氦 、氖、氬、氪、氙、氡、氫等當中選擇之單體氣體或是其 混合氣體。又，惰性氣體係將氧、有機矽化合物、銨鹽等 不純物充分地去除，在化學性上爲潔淨且水分含量爲5%以 下之乾燥物。乾燥空氣係將有機矽化合物、銨鹽等之不純 -_________________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 ___B7 ____ 五、發明説明（4) 物充分地去除，在化學性上爲潔淨且水分含量爲5%以下之 乾燥物。又，這些之惰性氣體及乾燥空氣以過濾器30及溫 調乾燥器31再度將不純物去除並施加乾燥處理。 惰性氣體供給系統33具備以外部裝置供給之驅動力來 開啓的普通交叉型第1控制閥36。乾燥空氣供給系統35 具備以外部裝置供給之驅動力來關閉的普通開放型第2控 制閥37。第1及第2控制閥36、37係連接於做爲控制裝置 之光源控制系統38，而藉由該光源控制系統38供給之驅 動力來開關。又，惰性氣體供給系統33及乾燥空氣供給系 統35係於第1及第2控制閥36、37之下游會合，而連接 於供氣配管29。 光源室16經排氣配管39連接著做爲微細元件工廠之 排氣裝置的排氣管道40。又，室15之出口 15a也連接著排 氣管道40。藉此，供給於光源室16內之惰性氣體及乾燥 空氣，經排氣管道40排出於工廠外部。又，於室15之出 口 15a附近，設置著檢測排氣管道40之排氣量的做爲排氣 監視裝置或運作狀態檢測機構的排氣量監視器41。排氣量 監視器41之檢測信號係供給至光源控制系統38。 又，於室15係設置著檢測其內部氧濃度之做爲環境監 視機構或運作狀態檢測機構的氧偵測器42。氧偵測器42 之檢測信號係供給至光源控制系統38。 其次，就曝光裝置本體11說明之。於做爲曝光裝置本 體11之殻體的室45內，配置著做爲第2氣密室之第丨鏡 筒46、線網平台47、以及做爲第3氣密室之第2鏡筒48 — ___JJ_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 49^m A7 ______B7 五、發明説明（（Γ) 及晶圓平台49。線網平台47係將做爲形成有既定圖案之 光罩的線網R以與雷射光光軸垂直地的方式被支持著。又 ’晶圓平台49係將塗布有對雷射光具有感光性之光阻的做 .爲基板的晶圓W，使其可於與雷射光光軸垂直的面內移動 著’且可以沿著該光軸微動的方式被保持。 於第1鏡筒46內，收容有對線網R進行照明之照明 光學系統50。照明光學系統50包含複數之反射鏡51、光 學積分儀（例如，複眼透鏡或桿積分儀）52、中繼光學系 53、以及聚光鏡54。於中繼光學系53後方，配置著爲調 整雷射光形狀的線網遮蔽（視野光圈）55。又，於第1鏡 筒46兩端形成有開口部56a、56b，於兩開口部56a、56b 中分別嵌合著做爲光學元件之呈圓板狀的前方間隔板57及 後方間隔板58。於前方間隔板57與雷射裝置12之光源室 16的間隔板20之間嵌合著做爲第4氣密室之連接筒59。 然後，經連接筒59，由雷射裝置12入射至第1鏡筒46內 之雷射光，係按照第1鏡筒46之形狀以反射鏡51來折彎 ，於複眼透鏡52後方面，被變換爲可對線網R以均一之照 度分布方式照明的複數之二次光源。 於連接筒59內，爲了引導由雷射裝置12射出之雷射 光至照明光學系統50，乃配置著構成傳送系統之至少一部 分的光束微調單體（BMU) 67。BMU67係調整由雷射裝置 12射出之雷射光與照明光學系統50之光軸間的位置關係 。即，BMU67含有複數之光學元件，例如驅動至少1個光 學元件（反射鏡等）讓雷射光偏移。又’於第1實施形態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 49〇m A7 B7 五、發明説明（（Μ ，連接筒59亦具有1個氣密室的功能，而其相當於第4氣 密室。 又，於第1實施形態，雷射裝置12被配置於與曝光裝 置本體11相同之層上，但，也可於例如其層下之公用設施 層配置雷射裝置12上。此時，可於雷射裝置12與曝光裝 置本體11 (照明光學系統50)之間，配置具有傳送系統之 連接筒59，而對其全光路徑充入惰性氣體。 於第2鏡筒48內收容有投影光學系統60，其用以將 藉由照明光學系統50照明之線網R圖案的像投影於晶圓 W上。投影光學系統60包含做爲複數之光學元件的透鏡 61。於第2鏡筒48兩端之開口部62，係嵌合著做爲光學元 件之圓板狀的間隔板63。 又’於投影光學系統60兩端，設置著校正像差（例如 變形、球面像差、慧形像差等），特別是校正非旋轉對稱 成分之未圖示的像差校正板（由石英、或螢石構成，例如 於表面形成有微小凹凸之平行平面板）。也可不使用間隔 板63而改用像差校正板。又，若於投影光學系統60之晶 圓側設置可交換之污染防止板（平行平面板等）之時，也 可不使用間隔板而改用該污染防止板。污染防止板係防止 因雷射光之照射而自光阻產生之飛散粒子附著於晶圓W中 最接近之投影光學系統60的光學元件上。 於晶圓平台49附近，配置著用以交換載置於晶圓平台 49上之晶圓W的晶圓裝載器64。室45之壁面在接近晶圓 裝載器64之處，設置有可自由開關的晶圓交換門65。藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 五、發明説明（（"j) 開關該晶圓交換門65來交換載置於晶圓平台49上之晶圓 W。例如，曝光裝置本體Η與塗佈顯影機串連連接之時’ 經交換門65而以晶圓裝載器64於兩裝置間進行晶圓W之 搬運，收容複數個晶圓之盒子被配置於室45內之既定位置 。此時，藉由晶圓裝載器64使得晶圓平台49與盒子之間 進行晶圓W之搬運，同時經交換門65，以操作者或具有盒 子之移載機構的搬運車來進行其盒子之交換。 又，於室45之壁面接近線網平台47之處，設置著可 自由開關的線網交換門66。藉由開關該線網交換門66來 交換載置於線網平台47上之線網R。圖中雖未予以表示， 但於線網平台47與收容線網R之盒子（正確的是裝載著複 數個盒子之線網庫）之間，配置著線網裝載器’而該線網 裝載器係經交換門65來進行盒子之卸除或交換° 又，於第1實施形態，在室45內配置著晶圓裝載器 64及線網裝載器。但，也可將晶圓裝載器64及線網裝載 器配置於與室45不同之別的殻體內。此時’在設定上由於 室45內之壓力比殻體內之壓力還高，故室45內之惰性氣 體（淨化氣體）能流入殼體內。因此，較佳者係於殼體內 預先設置排氣管道，或亦可進一步設置檢測其殻體內之惰 性氣體或氧之濃度的偵測器。又，較佳者係於室45及裝載 器用殻體之連接部之處預先設置交換門65、66 ° 於連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48 ’連接著與 淨化氣體供給系統28同樣構成之淨化氣體供給系統69。 即，淨化氣體供給系統69也具備由第1儲槽32供給惰性 L------ —_20------ - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 L—;· 490731 A7 _______ B7 五、發明説明（〖(f) 氣體之惰性氣體供給系統33，以及由第2儲槽34供給乾 燥空氣之乾燥空氣供給系統35。於惰性氣體供給系統33 設置有第1控制閥36，而於乾燥空氣供給系統35設置著 .第2控制閥37。第1及第2控制閥36、37係與做爲控制裝 置或光源控制裝置之曝光裝置控制系統73連接著。 此處’淨化氣體供給系統69於過濾器30及溫調乾燥 器31之下游，經供氣配管70與連接筒59連接，經供氣配 管71與第1鏡筒46連接，經供氣配管72與第2鏡筒48 連接著。 連接筒59經排氣配管74連接於設置在室45之出口 45a的排氣管道40，第1鏡筒46經排氣配管75連接於排 氣管道40，而第2鏡筒48則經排氣配管76連接於排氣管 道40。藉此，供給於連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒 48內之惰性氣體及乾燥空氣，將經排氣管道40排出於工 廠外部。自室45內漏出之惰性氣體及乾燥空氣的一部分也 經排氣管道40排出於工廠外部。於室45之出口 45a附近 ，設置著檢測排氣管道40之排氣能力的做爲排氣監視裝置 之排氣量監視器77。排氣量監視器77之檢測信號係供給 至曝光裝置控制系統73。 又，於室45內部，設置著做爲運作狀態檢測機構、環 境監視機構、環境偵測器之內部氧偵測器78。內部氧偵測 器78係配置於晶圓交換門65的附近及線網交換門.66的附 近及照明光學系統50之維修區域附近，用以檢測氧濃度。 內部氧偵測器78之檢測信號係供給至曝光裝置控制系統 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 B7 五、發明説明（q) 73。又，曝光控制系統73與做爲檢測出曝光裝置本體n 所處環境（即無塵室內之氧濃度）的環境監視機構或運作 狀態檢測機構的外部氧偵測器79連接著。 其次，關於淨化氣體供給系統28、69之淨化氣體的切 換動作及曝光裝置本體11之動作說明之。 於通往雷射裝置12及曝光裝置本體11之電力停止之 狀態，於光源控制系統38及曝光裝置控制系統73無電力 供給，而第1及第2控制閥36、37也未被供給驅動力。因 此，呈第1控制閥36關閉，而第2控制閥37開啓的狀態 。此時，光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒 48係經供氣配管29、70〜72與乾燥空氣供給系統35連接 著。藉此，於光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及第2 鏡筒48內，供給有乾燥空氣。 其次，若將雷射裝置12及曝光裝置本體11通電，使 得光源控制系統38及曝光裝置控制系統73被供給電力時 ，則第1控制閥36將被供給有既定之驅動力（例如電力、 空氣壓、油壓等），控制閥36便得以開放。又，於第2控 制閥37也被供給既定之驅動力，使得控制閥37關閉。藉 此，光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48經 供氣配管29、70〜72而與惰性氣體供給系統33連接。藉 此，於光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48 內係供給惰性氣體。 於此狀態，從雷射裝置射出之雷射光，經照明光學系 統50照射於線網R上，線網R圖案之像則經投影光學系 ___9?___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（21〇><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 ___B7 五、發明説明（/) 統60被複製於晶圓W上之既定的鏡頭區域。然後，接著 的鏡頭區域係對應於曝光區域而移動晶圓W，直到晶圓W 上全部之鏡頭區域的曝光結束之前，曝光動作會步進地重 複著。 如此，若既定數量之晶圓W的曝光結束時，則打開晶 圓父換門65，以晶圓裝載器64來交換新的晶圓W。此時 ，藉由晶圓交換門65附近之內部氧偵測器78來檢測其周 圍氣體中之氧濃度。若檢測出之氧濃度爲大氣氧濃度（例 如18%)以上，則光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及 第2鏡筒48之惰性氣體將持續地供給。然後，進行對新的 晶圓W上之線網R圖案的複製。 另一方面，若檢測出之氧濃度於未達大氣氧濃度，馬 上停止對光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒 48之惰性氣體的供給，而由惰性氣體切換爲供給乾燥氣體 。亦即，由光源控制系統38及曝光裝置控制系統73對第 1控制閥36及第2控制閥37之驅動力的供給將分別停止 。藉此，於第1控制閥36關閉的同時，第2控制閥37則 開啓，而於光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡 筒48中則共應有在化學性上潔淨的乾燥空氣。然後，對雷 射激發部17內之電極25的電力施加將被停止，從而使雷 射光之振還停止。 又，爲了交換線網R，於線網交換門66開啓之時，藉 由線網交換門66附近之內部氧偵測器78，其周圍氣體中 之氧濃度將被檢測出。然後，根據檢測之氧濃度，乃選擇 度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210、乂：^公釐） - 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 B7 五、發明説明（Μ) 性地進行淨化氣體之切換及雷射光之振盪的停止。 由惰性氣體至乾燥空氣之切換及雷射光振盪的停止係 根據氧偵測器42、內部氧偵測器78及外部氧偵測器79之 任一的檢測結果，於氧濃度例如未達18%之時而實行之。 又，切換動作於進行曝光裝置本體11及雷射裝置12之光 學元件（例如，雷射輸出用之窗等）等交換時爲維修保養 起見，乃於室15、45之一部分被開放時亦實行著。又，根 據排氣量監視器41、77之結果，於排氣管道40之排氣量 比既定値爲低時，爲了事先防止惰性氣體逆流至室15、45 內，亦進行切換動作。 因此，依第1實施形態，能得到如以下之效果。 (1)於曝光裝置本體11之室45內的各處，爲了檢測 氧濃度而配置有複數個內部氧偵測器78。又，爲了檢測雷 射裝置12之室15內的氧濃度而配置有氧偵測器42。再者 ，爲了檢測出設置於曝光裝置本體11及雷射裝置12之無 塵室內的氧濃度乃配置有外部氧偵測器79。於是，藉由氧 偵測器42、78、79所檢測出周圍氣體中之氧濃度若係大氣 氧濃度以上，則供給惰性氣體至光源室16、連接筒59、第 1鏡筒46及第2鏡筒48來進行氣體之淨化。 因此，將可阻止對光源室16、連接筒59、第1鏡筒 46及第2鏡筒48內之有機矽化合物、銨鹽等污染物質的 入侵。從而能抑制由於在光源室16、連接筒59、第1鏡筒 46及第2鏡筒48內之各光學元件表面堆積有污染物質而 產生模糊不淸現象。此結果，能避免或大幅地減低於線網 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 B7 ___

五、發明説明卜I R上及晶圓W上之雷射光強度因歷經長時間而降低、照明 光學系統50及投影光學系統60之光學特性（例如透過率 、像差、倍率等）的變動，以及於線網R及晶圓W上之雷 .射光照射區域內照度分布的變化。因此，能長期精確地複 製線網R圖案至晶圓W上，也能維持高的曝光裝置生產率 。且，由於雷射光之氧的吸收也被減低，乃可防止於線網 R上及晶圓W上之雷射光強度的大幅衰減。因此，可將線 網R圖案精確且有效率地複製至晶圓W上。 (2) 以氧偵測器42、78、79檢測出之周圍空氣中的 氧濃度，若未達大氣氧濃度時，則供給至光源室16、連接 筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48內之淨化氣體將由惰性 氣體切換爲乾燥空氣。因此，例如即使光源室16、連接筒 59、第1鏡筒46及第2鏡筒48之氣密性降低，惰性氣體 也不會漏出至室15、45，甚至到無塵室內。從而可妥善地 維持無塵室內之作業環境。又，於此狀態下，由於在光源 室16、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48內供給有乾 燥空氣，乃可阻止污染物質的入侵，而可抑制於各光學元 件發生模糊不淸現象。特別是就淨化氣體而言若使用比氮 還輕之氦將更爲有效。 (3) 於排氣管道40內設置著用以檢測排出於工廠外 之惰性氣體排氣量的排氣量監視器41、77。此時，若藉由 排氣量監視器41、77檢測出之排氣量未達既定値之時，供 給於光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48內 之淨化氣體將由惰性氣體切換爲乾燥空氣。因此，即使由 .~-----；_25 _— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

490731 A7 B7 五、發明説明（/)) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於某些原因造成排氣管道40排氣能力的降低，惰性氣體也 不會逆流至室15、45，甚至到無塵室內。從而，得以妥善 地維持無塵室內之作業環境。 (4) 若由於停電或長期停止等理由造成曝光裝置控制 系統73及光源控制系統38之電力被停止時，於光源室16 、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48內將自動地供給 乾燥空氣。因此，特別是對長期停止等情況，於光源室16 、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48之各光學元件表 面上不會發生污染物質的附著或堆積現象。因此，可長時 間抑制於各光學元件之模糊不淸現象的發生，而維持良好 的作業環境。 (5) 於晶圓交換門65及線網交換門66附近，甚至於 照明光學系統50等維修區域附近，係配置著內部氧偵測器 78。因此，於室45內經常有作業者接近的場所附近之氣體 中的氧濃度可保持於既定値以上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (6) 所使用之惰性氣體及乾燥空氣在化學性上係經由 相當程度的潔淨化且被乾燥之故，乃能確實地抑制於各光 學元件之模糊不淸現象的發生。 (7) 於淨化氣體供給系統28、69中，設置著過濾器 30及溫調乾燥機31。因此，供給至光源室16、連接筒59 、第1鏡筒46及第2鏡筒48之淨化氣體更加被潔淨化且 乾燥之。從而，能更加確實地抑制於各光學元件之模糊不 淸現象的發生。 (8) 於第1鏡筒46之兩開口部56a、56b，分別嵌合 --—__—— -^_ . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（<) 有前方間隔板57及後方間隔板58，而於第2鏡筒48之兩 開口部62則嵌合有間隔板63。又，於光源室16之開口 18 嵌合有間隔板20。因此，即使將曝光裝置本體11及雷射 裝置12分離，收容於光源室16、第1鏡筒46及第2鏡筒 48內之各光學元件亦不會直接接觸到外界氣體。從而，能 防止各光學元件表面之污染的發生。 (9)光源室16被收容於室15內，而第1鏡筒46及 第2鏡筒48被收容於室45內。因此，存在於光源室16、 第1鏡筒46及第2鏡筒48內之惰性氣體不會直接漏出至 無塵室內。又，無塵室內之外界氣體也不會直接接觸到光 源室16、第1鏡筒46及第2鏡筒48。從而，能更加確實 地抑制於光學元件上之污染物質的堆積。 (第2實施形態） 其次，針對本發明之第2實施形態的曝光裝置本體11 及雷射裝置12，以與第1實施形態不同部分爲中心，按照 圖2來說明之。於第2實施形態，如圖2所示，乾燥空氣 供給系統91之構成係與第1實施形態不同。亦即，乾燥空 氣供給系統91具備著用以儲存保持乾燥空氣之保持裝置的 乾燥空氣儲槽92。乾燥空氣儲槽92係於室15及室45上以 可卸除的方式被配置著。於是，於光源室16、連接筒59、 第1鏡筒46及第2鏡筒48內若須要乾燥空氣的供給時， 則從乾燥空氣儲槽92經供氣配管29、70〜72來供給乾燥 空氣。 因此，依第2實施形態，除了具有第1實施形態之（1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 49675i^ A7 B7 五 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 、發明説明（y<) )〜（9)的效果外，尙可得到以下之效果。 (10)於曝光裝置本體n及雷射裝置12內配置著乾 燥空氣儲槽92。因此，即使將曝光裝置本體η及雷射裝 置12從微細元件工廠之公用設施工廠分離，也能對光源室 16、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48內以乾燥空氣 來進行淨化。從而，於曝光裝置本體11及雷射裝置12在 運搬、組裝時，也能保持光源室16、連接筒59、第1鏡筒 46及第2鏡筒48內部的潔淨，而能抑制各光學元件之模 糊不淸現象的發生。 (1〇於室45及室15分別獨立地配置著乾燥空氣儲 槽92。因此，即使將曝光裝置本體η及雷射裝置12分離 ’也能對光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒 48內以乾燥空氣來進行淨化。從而，便利於曝光裝置本體 11及雷射裝置12的運搬。 (第3實施形態） 其次，針對本發明之第3實施形態的曝光裝置本體u 及雷射裝置12，以與第1實施形態不同部分爲中心，按照 圖3來說明之。於第3實施形態’如圖3所不，配置於曝 光裝置本體η內之淨化氣體供給系統69,不僅連接於連 接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48，對雷射裝置12內之 光源室16也經由供氣配管101來連接著。從而，於雷射裝 置12內並沒有設置淨化氣體供給系統。此時，氧偵測器 42及排氣量監視器41之檢測信號係供給至曝光裝置控制 系統73〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

本^格(210X292WT 490731 A7 五、發明説明（d) 又，於室45內係配置著將線網平台47包圍的線網平 台室102。線網平台室102經由供氣配管29所分支出來的 供氣配管103而與淨化氣體供給系統連接著，同時經排 氣配管104而與排氣管道40連接著。於線網平台室ι〇2與 線網父換門66之間係區劃形成有前室1〇5，又線網平台室 102及前室105係藉由開關門1〇6以區劃出來。內部氧偵測 器78係配置於前室105內。又，於前室1〇5內係配置著未 圖示之線網庫。也可將線網裝載器配置於前室105內。 於室45內配置著將晶圓平台49包圍的晶圓平台室 107。晶圓平台室107經由給器配管29所分支出來的供氣 配管108而與淨化氣體供給系統69連接著，同時經排氣配 管109而與排氣管道40連接著。於晶圓平台室1〇7與晶圓 交換門65之間係被區劃形成有前室no，又晶圓平台室 107與前室110係藉由開關門111以區劃出來。內部氧偵測 器78係配置於前室11〇內。又，晶圓裝載器64通常位於 前室110內，而依晶圓交換等需要被移動至晶圓平台室 107內或室45之外部。 又，於用以將排氣管道40內之氣體予以強制排氣之鼓 風機114的排氣口，連接著做爲回收裝置之淨化氣體回收 系統115。而於淨化氣體回收系統115之回收配管116，自 上流側順序地配置著用以將已回收之淨化氣體中的不純物 去除之過濾器30,以及用以乾燥已回收之淨化氣體之做爲 潔淨裝置的乾燥器117。 回收配管116於乾燥器117之下游側被分爲2條。、第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 kv.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 五、發明説明（7)) 1回收配管118經第1控制閥36連接於第1儲槽32 °第1 控制閥36係依據來自曝光裝置控制系統73之驅動力的供 給而開啓，而經第1回收配管118將惰性氣體回收至第1 儲槽32。第2回收配管119經第2控制閥37連接於第2儲 槽34。第2控制閥37係依據來自曝光裝置控制系統73之 驅動力的供給而關閉，而經第2回收配管119將乾燥空氣 回收至第2儲槽34。 於第3實施形態係將惰性氣體與乾燥空氣分離而分別 回收，但亦可僅回收惰性氣體。又，做爲惰性氣體（淨化 氣體）使用氦氣之時，也可於比乾燥器117更上流側（但 ，必須在過濾器30的下游側）配置冷凍裝置。冷凍裝置係 例如將回收之混合氣體以絕熱壓縮冷卻的方式冷卻至液態 氮溫度，而將空氣成分液化使液化空氣與淨化氣體（氯氣 )彼此分離。接著，將存在於冷凍裝置內仍爲氣體之氦氣 經第1回收配管118而回收至第2儲槽34以進行再利用。 液化空氣於未圖示之回收高壓儲氣瓶內被氣化，於通過第 2回收配管119後被回收於第2儲槽34。 又，於第3實施形態，係將惰性氣體與乾燥空氣分別 回收於第1儲槽32及第2儲槽34，但，也可將第1回收配 管118不僅連接於第1儲槽32，亦可連接於與第1儲槽32 不同之回收儲槽，而將氦氣暫時保存於第1儲槽32及回收 儲槽。再者，也可於回收儲槽及第1儲槽32連接供給配管 35，將來自兩儲槽的氦氣以既定比率混合，再將混合之氦 氣供給於曝光裝置本體11及雷射裝置12。此時，藉由對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（2!0'乂297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 B7 五、發明説明（4 ) 來自兩儲槽之氦氣的供給量使用開關閥等獨立地調整，能 將氦濃度長期維持於一定値以上。此種供給量的調整亦可 針對乾燥空氣之回收來進行。 從而，依據第3實施形態，除了第1實施形態之（1) 〜（9)的效果以外，尙可得到以下之效果。 (12) 曝光裝置本體11及雷射裝置12係共同具有淨 化氣體供給系統69。因此，可將雷射裝置12之淨化氣體 供給系統28省略之，而大幅地縮減構成物的數量。 (13) 線網平台47係收容於線網平台室1〇2內，同時 晶圓平台49係收容於晶圓平台室107內。從而，能對線網 平台室102內及晶圓平台室107內例如以惰性氣體進行淨 化。因此，能抑制於各平台室102、107之雷射光的衰減。 從而，能將線網R上之圖案的像精確且有效率地複製於晶 圓W上。 (14) 設置著將由排氣管道40排出之淨化氣體分爲惰 性氣體及乾燥空氣來回收之淨化氣體回收系統115。因此 ，將回收之淨化氣體再利用，能縮減曝光裝置本體11及雷 射裝置12之運轉成本。 (第4實施形態） 其次，將本發明之第4實施形態的曝光裝置本體11及 雷射裝置12，以與第3實施形態不同部分爲中心，按照圖 4來說明之。 於第4實施形態，如圖4所示，於乾燥空氣供給系統 35連接有做爲乾燥空氣之供給源的外界氣體取入裝置131 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、? 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ B7 五、發明説明（7) 。外界氣體取入裝置131係將無塵室內之空氣取入’具有 自空氣去除不純物（有機物、錢鹽等）之化學過濾益及 HEPA過濾器，以及藉由這些過濾器得到在化學性上潔淨 化、且濕度減低至5%左右以下之空氣的乾燥器。如此’外 界氣體取入裝置131乃製造出在化學性上淸潔的乾燥空氣 ，並將該乾燥空氣供給至乾燥空氣供給系統35。 又，於惰性氣體供給系統33，係連接著做爲惰性氣體 (此時係氮）之供給源的氮產生裝置132。氮產生裝置132 係將無塵室內之空氣取入，具有自空氣去除不純物（有機 物、銨鹽等）之化學過濾器及HEPA過濾器，以及藉由這 些過濾器自化學性上潔淨化之空氣中抽出氮的抽出器。如 此，氮產生裝置132乃產生在化學性上淸潔的且高純度的 氮，然後將氮供給於惰性氣體供給系統33。又，也可於氮 產生裝置132中設置乾燥器，以調整氮之濕度。 又’弟4實施形態也能適用於第1實施形態及第2實 施形態。此時，於圖1及圖2所示之乾燥空氣供給系統％ 、91連接著外界氣體取入裝置131，而由外界氣體取入裝 置131供給乾燥空氣。接著，於惰性氣體供給系統33連= 有氮產生裝置132，而由氮產生裝置132供給所需之氡。 此處，於第2實施形態，亦可於乾燥空氣供給系統％ ^置 選擇閥，將送至供氣配管29之乾燥空氣由乾燥空氣 92及外界氣體取入裝置131選擇性地供給。 ° (變更例） 又’本發明也可如以下地變更之。 t ® ( CNs ) A4H^ ( 210 X 297^¾ ) -----一 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

49dm--- A7 B7 五、發明説明 (1) 如圖4所示，也可於光源室16、連接筒59、第 1鏡筒46、第2鏡筒48內設置氣密室內氧偵測器136。氧 偵測器136也能適用於第1〜第3實施形態。氧偵測器136 .係檢測由以乾燥空氣（第2氣體）之淨化切換爲以惰性氣 體（第1氣體）之淨化時，殘存於光源室16、連接筒59、 第1鏡筒46、第2鏡筒48內之氧濃度。氧偵測器136係將 表示殘存氧濃度之信號，供給於做爲發光控制裝置之曝光 裝置控制系統73。曝光裝置控制系統73係在光源室16、 連接筒59、第1鏡筒46及第2鏡筒48內之全部的殘存氧 濃度到達既定値（例如1%)以下之前，針對雷射裝置12 進行控制以禁止照射光之射出。 藉如此之控制，於光源室16、連接筒59、第1鏡筒 46、第2鏡筒48內，可避免以惰性氣體充分地進行淨化前 ，自雷射裝置12射出照明光。因此，只有在殘存氧濃度爲 既定値以下時，照明光才照射，故能確實地抑制照明光能 量之衰減及臭氧之發生。從而，能確保照明光具有安定的 曝光能量。又，於第1及第2實施形態，也可將表示殘存 氧濃度之信號供給於雷射裝置控制系統38，來實行同樣的 控制。 (2) 以惰性氣體自淨化開始至預先量測之既定時間經 過爲止之間，也可針對雷射裝置12以禁止照射光射出的方 式進行控制。既定時間係自惰性氣體之淨化開始後至殘存 氧濃度到達既定値以下爲止之時間。 (3) 自光源室16、第1鏡筒46、第2鏡筒48、連接 --- --— .;____33 _'— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 B7 五、發明説明hi) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 筒59、室15、45至排氣管道40之排氣動作也可選擇地進 行。例如，若依據氧偵測器136而殘存氧濃度爲既定値以 下之時，則停止以排氣管道40之惰性氣體的排氣，爲了由 作業者維修保養乃用手動從惰性氣體切換至乾燥空氣時進 行排氣。於切換爲以乾燥空氣來排氣時，在光源室16、第 1鏡筒46、第2鏡筒48及連接筒59以及室15、45內部之 惰性氣體將毫不保留地被排出至工廠外。從而，例如可維 持於維修保養時良好的作業環境。 (4) 也可將與大氣幾乎同等或含有更高氧濃度的氣體 (例如純氧、氧與惰性氣體之混合氣體），做爲乾燥空氣來 使用。 (5) 也可不使用排氣量監視器41、77來檢測排氣管 道40之排氣量，而改以將排氣管道40內之氣體的流速以 流速計的量測來進行檢測。 (6) 於第1實施形態及第2實施形態當中，也可在曝 光裝置本體11及雷射裝置12之連接組裝完成之後，將間 隔板20、57取下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (7) 於第3實施形態及第4實施形態當中，也可在曝 光裝置本體11及雷射裝置12之連接組裝完了後，將間隔 板 20、57、58、63 取下。 (8) 於第1實施形態及第2實施形態當中，也可以曝 光裝置本體11之淨化氣體供給系統69及雷射裝置.12之淨 化氣體供給系統28，進行不同之惰性氣體及乾燥空氣之切 換控制。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 __B7_ 五、發明説明 (9) 也可將光源室16、第1鏡筒46、第2鏡筒48及 連接筒59之至少1個，以分割爲複數之氣密室的方式來形 成。特別於第1鏡筒46中，可在線網遮蔽55之前後處形 .成複數個氣密室。此時，能將於第1鏡筒46之各氣密室做 爲單體來使用，而於組裝時可提昇維修保養之作業性。 (10) 也可將光源室16、第1鏡筒46、第2鏡筒48 及連接筒59之至少1個，以複數之氣密室來構成。依據此 種多重的氣密室構成，能相當地防止光源室16、第1鏡筒 46 '第2鏡筒48及連接筒59內之惰性氣體直接漏出至室 15、45內。又，亦可相當地防止無塵室內之外界氣體直接 接觸光源室16、第1鏡筒46、第2鏡筒48及連接筒59。 從而，能妥善地維持作業環境，更確實地抑制對光學元件 之污染物質的堆積。 (11) 可於各實施形態中省略BMU 67。 (12) 可置換掉ArF準分子雷射光源，而使用例如 KrF準分子雷射光源、F2準分子雷射光源、輸出YAG雷射 之高次諧波或金屬蒸氣雷射之高次諧波的光源。 (13) 具體化之本發明係表現在將線網R圖案之像以 步進及重複方式，複製於晶圓W上之一次曝光型的曝光裝 置上。另一方面，具體化之本發明亦可表現在使線網R與 晶圓W同時移動，而將圖案之像以步進及掃描方式，複製 於晶圓W上之掃描曝光型的曝光裝置上。又本發明也可適 用於鏡面投影方式或鄰近方式之曝光裝置。又，投影光學 系統可爲折射系統、反射系統、及反射折射系統之任何一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇父29%^釐） "~~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

490731 A7 B7 五、發明説明h 3) 種，又可爲縮小系統、等倍系統、及放大系統之任何一種 。又，即使對未使用投影光學系統之曝光裝置而言，對於 雷射光源及照明光學系統也能採用本發明。 (14)於第2鏡筒48內雖收容了折射型投影光學系統 60，但亦可用複數之鏡筒構成第2鏡筒48，而於各鏡筒內 部收容反射折射系統之投影光學系統。 此處，做爲反射折射型之投影光學系統，例如於特開 平8-171054號公報（及對應於此之美國專利第5,668,672號 )以及特開平10-20195號公報（及對應於此之美國專利第 5,835,275號）等當中，揭示著具有做爲反射光學元件之光 束分離器及凹面鏡的反射折射系統；於特開平8-334695號 公報（及對應於此之美國專利第5,689,377號），以及特開 平10-3039號公報（及對應於此之美國專利申請第873,605 號（提出申請日：1997年6月12日））等當中，揭示著不 使用做爲反射光學元件之光束分離器，也可使用具有凹面 鏡等之反射折射系統。 其他，也可使用如於特開平10-104513號公報（及美 國專利第5,488,229號）所揭示的，將複數之折射光學元件 及2面反射鏡（爲凹面鏡之主鏡及於與折射元件或平行平 面板之入射面相反側的反射面所形成之做爲內面鏡的副鏡 )配置於同一軸上，以該複數之折射光學元件形成之線網 圖案的中間像，藉由主鏡及副鏡於晶圓上再成像之反射折 射系。於此反射折射系，係於複數之折射光學元件後再配 置主鏡及副鏡，照明光通過主鏡之一部分後，依副鏡、主 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ΐ〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4Λ» 丁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A7 B7 五、發明説明（飞$) 鏡之順序被反射，再通過副鏡之一部分後到達晶圓上。 又’做爲反射折射型之投影光學系統也可使用例如具 有圓形像場，且物體面側及像面側同爲遠心的，同時其投 影倍率爲1/4倍或1/5倍之縮小系。又，若具備此種反射折 射型之投影光學系統的掃描型曝光裝置時，則照明光之照 射區域係於投影光學系統之視野內以光軸爲大致的中心， 且沿著與線網或晶圓之掃描方向接近垂直的方向延伸之定 爲矩形縫隙狀之形狀。依據具有該反射折射型的投影光學 系統之掃描型曝光裝置，則即使例如將波長157nm之F2雷 射光做爲曝光用照明光使用，也能將100 nmL/S圖案大小 之微細圖案，高精度地複製於晶圓上。 (15) 具體化之本發明係表現於半導體元件製造用之 曝光裝置本體11上，但此具體化亦可表現於例如液晶顯示 元件、攝像元件、薄膜磁頭等製造用之曝光裝置。 (16) 本發明也可適用於爲製造線網或光罩而於玻璃 基板或矽晶圓等當中複製電路圖案之曝光裝置。此處，於 採用DUV (遠紫外線）光及VUV (真空紫外線）光等之曝 光裝置，一般係使用透過型線網。做爲線網基板能使用石 英玻璃、添加氟之石英玻璃、螢石、氟化鎂，或是水晶等 。又，於EUV曝光裝置使用反射型光罩。於鄰近方式之X 光曝光裝置或電子束曝光裝置則是使用透過型光罩（模板 光罩、薄膜光罩），而做爲該光罩基板則可使用矽晶圓。 (17) 若不使用ArF準分子雷射及F2雷射，也可將例 如來自DFB半導體雷射或光纖雷射振盪之紅外線區或可見 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —_ 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明hi) 光區之單一波長雷射，例如藉由添加有餌（或餌及鏡兩者 )之光纖增幅器來增幅，藉由非線形光學結晶使其變換爲 紫外光波長而使用得到之高次諧波。具體而言，若單一波 長雷射之振盪波長在1.51〜1.59//m之範圍內，能得到生成 波長爲189〜199 nm範圍內之8倍高次諧波，或生成波長 爲151〜159 nm範圍內之10倍高次諧波。特別是若將振盪 波長設定於1.544〜1.553 //m範圍內，能得到193〜194 nm 範圍內之8倍高次諧波，此相當於具有與ArF準分子雷射 幾乎相同波長之紫外光，若將振盪波長設定於1.57〜1.58 //m範圍內，能得到157〜158 nm範圍內之10倍高次諧波 ，此相當於具有與F2雷射幾乎相同波長之紫外光。又，若 將振盪波長設定於1.03〜範圍內，能得到生成波長 爲147〜160 nm範圍內之7倍高次諧波。特別是若將振盪 波長設定於1.099〜1.106//m範圍內，能得到生成波長爲 157〜158 nm範圍內之7倍高次諧波，此相當於具有與ρ2 雷射幾乎相同波長之紫外光。又，做爲單一波長振盪雷射 能使用鏡添加光纖雷射。 (18)相較於將乾燥空氣及惰性氣體（淨化氣體）之 濕度設定於5%左右以下，也可將惰性氣體之濕度設定爲超 過5%之値。亦即，與乾燥空氣相比，惰性氣體之濕度管理 可以較爲寬鬆。從而，不一定需要調整惰性氣體濕度的濕 度調整器。 於曝光裝置之製造過程，係將各個具有複數之光學元 件的照明光學系統及投影光學系統組裝入曝光裝置本體來 本紙張尺度通用宁國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

490731 A7 B7 五、發明説明（丨[j 進行光學調整，而將各個由複數之機械零件構成之線網平 台及晶圓平台組裝於曝光裝置本體後，將配線及配管連接 於各平台。又，將光源室16、連接筒59、第1鏡筒46及 .第2鏡筒48分別與淨化氣體供給系統28、69連接，而於 室15、45連接排氣管道40，再藉由進行總體調整（電氣 調整、動作確認等）乃可製造上述各實施型態之曝光裝置 。又，曝光裝置的製造最好是在溫度及淸潔度被管理之無 塵室來進行。 半導體元件的製造係經由進行元件之機能•性能設計 步驟、根據此設計步驟之線網製作步驟、採用矽材料之晶 圓製作步驟、使用前述之各實施形態的曝光裝置將線網之 圖案曝光於晶圓之步驟、元件組裝步驟（包含切割製程、 打線製程、封裝製程）、檢查步驟等。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 kv.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐）

Claims (1)

1. 490731 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 ·一種光學裝置，係具備收容光學元件之氣密室， 其特徵在於，具有： 對前述氣密室內供給第1氣體之第丨淨化機構； 對前述氣密室內供給與前述第丨氣體具有不同組成之 弟2氣體的弟2淨化機構； 檢測前述光學裝置的運作狀態之運作狀態檢測機構； 以及 根據該運作狀態檢測機構之檢測結果，將前述氣密室 與前述第1淨化機構或前述第2淨化機構選擇性地連接之 控制裝置。 2 ·如申請專利範圍第1項之光學裝置，係進一步具 備射出照明光之光源。 3 ·如申請專利範圍第2項之光學裝置，其中，前述 光源係由射出準分子雷射光之準分子雷射光源所形成。 4 ·如申請專利範圍第1項之光學裝置，係進一步具 備將照明光照射至光罩上的照明光學系統，該系統具有複 數之光學元件，前述照明光學系統之複數的光學元件之至 少一部分係收容於前述氣密室內。 5 ·如申請專利範圍第4項之光學裝置，係進一步具 備將形成於前述光罩上之圖案的至少一部分投影於基板上 之投影光學系統。 6 ·如申請專利範圍第1項之光學裝置，其中，前述 第1氣體係惰性氣體，前述第2氣體係含有濃度至少與大 氣相同之氧或含有氧之混合氣體。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\-口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490/31 8 88 8 ABCD 申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第6項之光學裝置，其中，於前 述第i氣體及第2氣體之流路上，設置能去除存在於該等 氣體中之不純物的潔淨裝置。 8. 如申請專卿_1項之光學裝置，其中，前述 光學裝置係具備收容前述氣密室之殼體，而前述運作狀態 檢測機構係具備檢測2前述殼體內部或外部之既定氣體濃 度的環境監視=構，前述控制裝置根據該環境監視機構之 檢測結果’若前述既定氣體濃度較既定値爲低，則將連接 於前述氣密室之淨化麵由第i淨化機構切換至第2淨化 機構。 9 ·如申請專利範圍第i項之光學裝置，其中，前述 光學I置係具備連接於則述氣密室之排氣裝置，而前述運 作狀態檢測機構係具備檢測出前述排氣裝置之排氣量的排 氣監視機構’前述控制裝置根據該排氣監視機構之檢測結 果，若前述排氣量較既定値爲低，則將連接於前述氣密室 之淨化機構由第1淨化機構切換至第2淨化彳幾_。 & 1 0 ·如申請專利範圍第1項之光學裝置，其中，若 前述運作狀態檢測機構及前述控制裝置之至少^_方呈{亭± 的狀態，則將連接於前述氣密室之淨化機構由第1淨化機 構切換至第2淨化機構。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之光學裝置，其中，前 述控制裝置係於前述光學裝置運轉時將前述第1淨化機構 連接於前述氣密室，而於未滿足前述第1氣體之使用條件 時，則於前述氣密室連接前述第2淨化機構。 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（nox292?公釐1 " --- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 1 2 ·如申請專利範圍第η項之光學裝置，其中，若 收容有前述氣密室之殻體的一部分呈開放狀態，或前述光 學裝置之電源呈切斷狀態，或前述光學裝置正處於運搬、 組裝、或調整中，則將前述第2淨化機構連接於氣密室。 1 3 ·如申g靑專利範圍第1〜12項中任一^項之光學裝 置，係進一步具備儲存保持前述第2氣體之保持機構。 1 4 ·一種曝光裝置，係用以將光罩之圖案複製於基 板上，其特徵在於，具有： 射出照明光之光源； 收容前述光源與前述基板間所配置之複數的光學元件 中至少一部分之光學元件的氣密室； 對前述氣密室內供給第1氣體之第1淨化機構； 對前述氣密室內供給與前述第1氣體具有不同組成之 第2氣體的第2淨化機構； 檢測前述曝光裝置之運作狀態的運作狀態檢測機構； 以及 根據該運作狀態檢測機構之檢測結果，將前述氣密室 與前述第1淨化機構或前述第2淨化機構選擇性地連接之 控制裝置。 1 5 ·如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，前 述氣密室係包含有收容前述光源內之光學元件的第1氣密 室、將配置於前述光源與前述光罩間之至少1個光學元件 予以收容之第2氣密室、以及，將配置於前述光罩與前述 基板間之至少1個的光學元件予以收容之第3氣密室。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21(^29¾公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 6 ·如申請專利範圍第14項之曝光裝置，係進一步 具備一回收裝置，其經由收容前述氣密室之殻體及前述氣 密室中之至少一室來回收前述第1氣體。 1 7 ·如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中，前 述第2氣體係在化學性上潔淨的乾燥空氣。 1 8 ·如申請專利範圍第μ項之曝光裝置，係進一步 具備檢測前述氣密室內之前述第1氣體及氧中任一之濃度 的偵測器，以及拫據前述偵測器之輸出來控制前述光源之 發光控制裝置。 1 9 ·如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，前 述偵測器係檢測前述氧濃度；前述發光控制裝置在前述氧 濃度達到既定値以下之前，將禁止自前述光源射出前述照 明光。 2 0 ·如申請專利範圍第19項之曝光裝置，其中，前 述氣密室係包含於前述照明光之光路徑中所配置之複數的 氣密室，而前述複數的氣密室內分別設有複數的偵測器； 前述發光控制裝置係根據前述複數的偵測器之輸出來控制 前述光源。 2 1 ·如申請專利範圍第20項之曝光裝置，係進一步 具備將前述照明光照射於前述光罩之照明光學系統、將前 述照明光所照射之前述光罩的圖案之至少一部分，投影於 前述基板上之投影光學系統、以及，配置於前述光源與前 述照明光學系統間之傳送系統； 前述複數的氣密室，係包含設置於前述光源內之第1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731 A8 B8 C8 ___ _ D8 六、申請專利範圍 氣密室、將構成前述照明光學系統之至少〜部分的光學元 件予以收容之第2氣密室、將構成前述投影光學系統之至 少一部分的光學元件予以收容之第3氣密室、以及，將構 成則述傳送系統之至少一部分的光學兀件予以收容之第4 氣密室等中之至少一室。 2 2 ·如申請專利範圍第20項之曝光裝置，係具備將: 前述照明光照射於前述光罩之照明光學系統，前述氣密室 係包含將照明光學系統之光學元件予以收容之至少2個氣 密室’而前述至少2個氣密室係分別設有偵測器。 2 3 ·如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，前 述控制裝置係在來自前述光源之前述照明光的射出中斷或 停止時，爲對前述氣密室內供給前述第2氣體，而將前述 第2淨化機構與前述氣密室連接。 2 4 ·如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中，前 述曝光裝置係進一步具備收容前述氣密室之殻體、以及， 連接於前述殻體，在前述第2氣體供給時運轉之排氣裝置 〇 2 5 ·如申請專利範圍第24項之曝光裝置，係進一步 具備檢測前述殼體內環境之環境偵測器，而根據前述環境 偵測器之輸出以控制前述排氣裝置。 2 6 ·如申請專利範圍第24或25項之曝光裝置，其 中，前述殻體係包含收容前述光源之第1室及收容曝光裝 置本體之第2室中之任一室。 2 7 ·—種雷射光源，係使用在將光罩之圖案複製於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐] " ' (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁} 4口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490731

   基板上之曝光裝置中，其特徵在於，具備： -----丨-丨r----#丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 儲槽，用以保存與於前述曝光裝置運作中所供給之第 1氣體具有不同組成之2氣體；以及 配管，自前述曝光裝置分離時，用以將前述第2氣 導入雷射光源內部。 & 2 8 · —種氣體之供給方法，係對設置於光學裝置之 用以收容光學元件的氣密室供給既定之氣體，其特徵在於 ’檢測前述光學裝置之運作狀態，而根據其檢測結果，將 做爲前述既定之氣體之第1氣體或與前述第1氣體具有不 同組成之第2氣體選擇性地供給於前述氣密室。 2 9 ·如申請專利範圍第28項之氣體之供給方法，其 中’前述第1氣體係惰性氣體；前述第2氣體係含有濃度 至少與大氣相同之氧或含有氧之混合氣體。 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 0 ·如申請專利範圍第29項之氣體之供給方法，其; 中’前述光學裝置係具備收容前述氣密室之殼體，檢測前 述殼體內部或外部之氣體濃度，根據其檢測結果，若前述 氣體濃度在既定値以上，則將前述第1氣體供給於前述氣 密室；若前述氣體濃度在前述既定値以下，則將前述第2 氣體供給於氣密室。 3 1 ·如申請專利範圍第29項之氣體之供給方法，其 中，前述光學裝置係具備連接於前述氣密室之排氣裝置， 而檢測前述排氣裝置之排氣量，若前述排氣量在既定値以 上，則將前述第1氣體供給於前述氣密室；若前述排氣量 在前述既定値以下，則將前述第2氣體供給於前述氣密室 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A8 B8 C8 D8 修正 補充 六、申請專利範圍 〇 3 2 .如申請專利範圍第29項之氣體之供給方法，係 於前述光學裝置運轉時，將前述第1氣體供給於前述氣密 室。 3 3 .如申請專利範圍第32項之氣體之供給方法，係 於前述氣密室或收容該氣密室之殼體的一部分開放時，或 是於前述光學裝置之電源切斷時，將前述第2氣體供給於 前述氣密室。 3 4 .如申請專利範圍第29項之氣體之供給方法，其 中.，前述光學裝置係具備將來自光源之照明光照射於光罩 之照明光學系統，將在前述照明光學系統照射之前述光罩 的圖案之至少一部分投影於感光基板上之投影光學系統， 以及，配置於前述光源與前述照明光學系統之間的傳送系 統； 前述氣密室係設置於前述照明光學系統、前述投影光 學系統以及前述傳送系統中之至少一個之上。 3 5 . —種曝光方法，係使用具備氣密室（用以收容光 學元件）之曝光裝置，而將光罩之圖案複製於基板上，其特 徵在於， 檢測前述曝光裝置之運作狀態，根據其檢測結果，將 第1氣體或與前述第1氣體具有不同組成之第2氣體選擇 性地供給於前述氣密室， 當對前述氣密室供給前述第1氣體時，將前述光罩之 圖案複製於前述基板上。 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .---I--I I -----· I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 49〇|731 棒 六、申請專利範圍 3 6 . —種曝光方法，係使用具備氣密室(用以收容光 學元件)之曝光裝置，而將光罩之圖案複製於基板上，其特 徵在於， 將第1氣體或與前述第1氣體具有不同組成之第2氣 體選擇性地供給於前述氣密室， 在前述基板投影前述圖案之前，對前述氣密室供給前 述第1氣體， 在前述氣密室中被供給了前述第1氣體的狀態下，將 前述光罩之圖案投影於前述基板上。 3 7 . —種元件製造方法，係包含：使用具備氣密室( 用以收容光學元件)之曝光裝置，而將光罩上之圖案投影於 基板上之製程，其特徵在於， 將惰性氣體所構成之第1氣體、含有濃度至少與大氣 相同之氧或含有氧之混合氣體所構成之第2氣體選擇性地 供給於前述氣密室， 對前述基板投影前述圖案之前，對前述氣密室供給前 述第1氣體， 在前述氣密室中被供給了前述第1氣體的狀態下，將 前述光罩之圖案複製於前述基板上，來製造元件。 3 8.如申請專利範圍第35項之曝光方法，其中，係 具備收容前述氣密室之殻體，檢測前述殼體內部或外部之 氣體濃度，根據其檢測結果，若前述氣體濃度在既定値以 上，則將前述第1氣體供給於前述氣密室；若前述氣體濃 度在前述既定値以下，則將前述第2氣體供給於氣密室。 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----- 訂---------線赢 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 49〇m f α月乂曰&手 補无 六、申請專利範圍 3 9 .如申請專利範圍第35項之曝光方法，其中，檢 測前述排氣量，若前述排氣量在既定値以上，則將前述第 1氣體供給於前述氣密室；若前述排氣量在前述既定値以 下，則將前述第2氣體供給於前述氣密室。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）