JP2006286709A - 露光装置及び露光装置を用いたフォトレジストパターン形成方法 - Google Patents

露光装置及び露光装置を用いたフォトレジストパターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006286709A
JP2006286709A JP2005101237A JP2005101237A JP2006286709A JP 2006286709 A JP2006286709 A JP 2006286709A JP 2005101237 A JP2005101237 A JP 2005101237A JP 2005101237 A JP2005101237 A JP 2005101237A JP 2006286709 A JP2006286709 A JP 2006286709A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
air
exposure
exposure apparatus
sealed chamber
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005101237A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuru Suzuki
充 鈴木
Masahiro Araki
雅弘 荒木
Junji Usuki
順二 臼杵
Tetsutsugu Seko
哲嗣 世古
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2005101237A priority Critical patent/JP2006286709A/ja
Publication of JP2006286709A publication Critical patent/JP2006286709A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】パターン露光におけるフォトマスク表面への異物付着の誘発を防止することにより、露光装置によるパターン露光工程にて発生する各基板間のパターン線幅の不均一や各基板毎の面内でのパターン線幅の不均一の発生を防止し、同一パターン欠陥不良や経時変化パターン欠陥不良が発生する原因を解消することにある。
【解決手段】露光マスクを用いた投影露光方式による露光装置本体を収容する密閉チャンバーAと密閉チャンバーA内にクリーンルームエアーaを給気する給気管部Bと該密閉チャンバーA内を循環した循環エアーaを密閉チャンバーAの外側に排気する排気管部Cとを備え、クリーンルームエアーaを給気する前記給気管部Bの前段にクリーンルームエアーaを圧縮エアーに変換する高圧コンプレッサ1とエアーを乾燥させるドライヤ2と減圧用バルブ3とを配設し、密閉チャンバーA内に高圧ドライエアーaP を循環供給する。
【選択図】図1

Description

本発明は、微細着色パターンを有するカラーフィルタなどをフォトリソグラフィ法により製造する際に、特にパターニング特性向上を実現するために使用する露光装置及びその装置を用いたフォトレジストパターン形成方法に関する。
一般的にフォトリソグラフィ法により、カラーフィルタなどの微細着色パターンを製造する際に使用するパターン露光装置は、ガラス基板等の透明基板上にコーティング形成したブルー(B)、グリーン(G)、レッド(R)等の着色フォトレジスト層を、微細パターン形成用のマスクパターンを用いてパターン露光するためのものであり、露光装置としては、露光マスクを用いたプロキシミティー露光方式(露光マスクを用いた投影拡大露光方式)による露光装置が主として使用されている。
このようなパターン露光装置が設置されている従来の設置環境においては、その換気方式として、クリーンルーム内に循環使用しているエアを直接取り込んでいるため、露光装置内の温度や湿度が、クリーンルーム内の温度や湿度に依存している。
図6は、従来の露光装置、及びその露光装置の設置環境との関連を示す概要図であり、露光装置本体を内部に設置した密閉チャンバーAと、該密閉チャンバーAに設置した給気管部Bと、排気管部Cとを備え、給気管部Bは、クリーンルーム内の循環エアーaを密閉チャンバーA内に給気しており、排気管部Cは、給気管部Bにて給気されて密閉チャンバーA内を循環した循環エアーaを該密閉チャンバーAの外側に排出するものである。
例えば、カラーフィルタ用の微細着色パターンの製造工程において、従来の換気方式の露光装置を用いると、密閉チャンバーA内に設置した露光装置の温度や湿度の環境状態がクリーンルーム内の環境状態に依存されるため、例えば、カラーフィルタ基板上にコーティングされた微細着色パターン形成用の着色フォトレジストコーティング層をパターン露光するために使用するマスクパターンが形成されたフォトマスク(露光マスク)の表面にクリーンルームから給気されるエアーによる異物の付着が誘発され易くなる。
パターン露光においてフォトマスクの表面に異物の付着が誘発され易くなると、異物の付着が発生し易くなり、また異物の付着量や付着個所が経時的に変化し易く、各基板間のパターン線幅の不均一や各基板毎の面内でのパターン線幅の不均一の発生を招いたり、同一パターン欠陥不良や経時変化パターン欠陥不良が発生する原因となる。
以下に、本発明に関連する公知の特許文献を記載する。
WO00/74118 特開2002−64044
本発明は、カラーフィルタなどの微細パターン形成体に微細パターンをパターン露光するために使用する露光装置、及びその露光装置を用いたフォトレジストパターン形成方法であり、パターン露光におけるフォトマスク表面への異物付着の誘発を防止することにより、露光装置によるパターン露光工程にて発生する各基板間のパターン線幅の不均一や各
基板毎の面内でのパターン線幅の不均一の発生を防止し、同一パターン欠陥不良や経時変化パターン欠陥不良が発生する原因を解消することにある。
本発明の請求項1に係る発明は、露光マスクを用いた投影拡大露光方式による露光装置本体を収容する密閉チャンバーAと、密閉チャンバーA内にクリーンルームエアーaを給気する給気管部Bと、該密閉チャンバーA内を循環した循環エアーaを密閉チャンバーAの外側に排気する排気管部Cとを備え、クリーンルームエアーaを給気する前記給気管部Bの前段に、クリーンルームエアーaを圧縮エアーに変換する高圧コンプレッサ1と、エアーを乾燥させるドライヤ2と、減圧用バルブ3とを配設し、密閉チャンバーA内に高圧のドライエアーaP を循環供給することを特徴とする露光装置である。
本発明の請求項2に係る発明は、上記請求項1に係る露光装置において、前記前記密閉チャンバーA内に循環供給する高圧のドライエアーaP の絶対湿度(水分重量/容積)が、前記ドライヤ2により1.0g/m3 〜10.0g/m3 の範囲にて制御されることを特徴とする露光装置である。
本発明の請求項3に係る発明は、密閉チャンバーA内に内装する露光マスクを用いた投影拡大露光方式による露光装置本体の露光用基台13上に、フォトレジスト膜12をコーティングしたパターン形成用基板11を載置固定した後、クリーンルームエアーaを高圧コンプレッサ1と、エアーを乾燥させるドライヤ2とに導入して、高圧ドライエアーaP を作製し、作製した該高圧ドライエアーaP を、前記露光装置本体を収容する密閉チャンバーA内に減圧用バルブ3を介して給気管部Bより給気するとともに排気管部Cより排気して循環供給しながら、前記基板11のフォトレジスト膜12に露光マスクを透してパターン光像Lを投影露光してフォトレジストパターンを露光形成することを特徴とするフォトレジストパターン露光形成方法である。
本発明の請求項4に係る発明は、上記請求項3に係るフォトレジストパターン露光形成方法において、前記密閉チャンバーA内に循環供給する高圧のドライエアーaP の絶対湿度(水分重量/容積)が、前記ドライヤ2により1.0g/m3 〜10.0g/m3 の範囲にて制御されることを特徴とするフォトレジストパターン露光形成方法である。
本発明の露光装置は、露光マスクを用いた投影拡大露光方式による露光装置本体を収容する密閉チャンバーA内に高圧のドライエアーaP を循環供給しながら、基板上のフォトレジスト膜に対してパターン光像Lを投影露光してフォトレジストパターンを露光形成するために露光装置の設置された密閉チャンバーA内の環境における絶対湿度は低減化し、また、ドライエアーaP の給気においては、ドライヤ2の選定によるドライエアーaP の湿度の調整、減圧用バルブ3の調整によるドライエアーaP の気圧の調整により、露光装置本体の設置された密閉チャンバーA内にて循環するドライエアーaP の絶対湿度(水分重量/容積)を、ドライヤ2及び減圧用バルブ3によって所定の範囲内にて安定した湿度に制御でき、ドライエアーaP の絶対湿度を1.0g/m3 〜10.0g/m3 の範囲にて制御することが可能となる。
また、露光装置本体を設置した密閉チャンバーA内の絶対湿度を1.0g/m3 〜10.0g/m3 の範囲にて制御することにより、密閉チャンバーA内の湿度が、上記湿度の範囲内にて安定し、そのために、その湿度の範囲内、即ち、絶対湿度が1.0g/m3 〜10.0g/m3 の範囲内にて、露光装置本体のパターン露光による露光マスク(又はフォトマスク)の表面への異物の付着の発生が抑えられるものである。
そのために、露光装置本体を設置した密閉チャンバーA内の環境が浄化して、パターン露光用の露光マスクに対する異物の付着が回避でき、異物の付着による各基板間の不均一なパターン線幅の発生や、各基板毎の面内での不均一なパターン線幅の発生を招いたり、同一パターン欠陥不良や、経時変化パターン欠陥不良が発生するのを防止できる効果がある。
また、カラーフィルタの着色パターンの形成においては、例えば、1500mm×1800mmのカラーフィルタ用ガラス基板において、各基板間、及び各基板面内に形成されたパターン線幅のバラツキを、±2.0μm〜±1.5μmまで抑制することが可能になるなどの効果がある。
本発明の露光装置の実施の形態を図面に基づいて以下に詳細に説明すれば、図1(a)の装置概要図に示すように、露光装置本体を設置した密閉チャンバーAと、該密閉チャンバーA内にクリーンルームエアーaを給気する給気管部Bと、該密閉チャンバーA内を循環した循環エアーaを密閉チャンバーAの外側に排出する排気管部Cとを備えている。
前記クリーンルームエアーaを給気する給気管部Bの前段(給気管部Bとクリーンルームの間)には、クリーンルームエアーaを高圧エアーに変換する高圧コンプレッサ1と、エアーを乾燥させるドライヤ2と、減圧用バルブ3とを配設している。
そして、露光装置本体を設置した密閉チャンバーA内には、クリーンルームエアーaを高圧コンプレッサ1によって高圧に圧縮し、ドライヤ2によって1.0g/m3 〜10.0g/m3 の範囲の絶対湿度に制御した高圧のドライエアーaP が循環供給されるものである。
本発明において密閉チャンバーA内に設置される露光装置本体の構造、形状としては、露光マスクを用いたプロキシミティー露光方式(露光マスクを用いた投影拡大露光方式)による露光装置であれば、特に限定されるものではない。
図1(b)は、上記密閉チャンバーA内に設置した露光マスクを用いた投影拡大露光方式による露光装置の一例を説明する概要側面図であり、カラーフィルタ用のガラス基板等のパターン形成用基板11と、該基板11上面にコーティングされたカラーフィルタのブルー(BLu)、グリーン(G)、レッド(R)等、又はシアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)等の着色パターンを形成するための着色されたフォトレジスト等のフォトレジスト膜12と、該基板11を載置する基台部13と、該基板11を基台部13上に装着固定するためのチャック手段13aとから構成される基板載置手段を備えている。
前記基板載置手段の基台部13の上方には、ハロゲンランプ等の光源部21と、集光レンズ部22(凸レンズ)と、所望のパターンを形成するための光学パターン(光透過部と不透過部からなるパターン)が形成された露光マスク23と、光源部21から照射されて露光マスク23を透過した露光光線をパターン光像Lとして基板11のフォトレジスト膜12に投影する投影レンズ24(凸レンズ)とから構成されるパターン投影露光手段が配置されている。
本発明の露光装置を用いたフォトレジストパターン露光形成方法の実施の形態を、図面に基づいて以下に詳細に説明すれば、図1(a)に示す密閉チャンバーAの開閉ドア20を開放して、該密閉チャンバーA内に設置された図1(b)に示す露光マスクを用いた投影拡大露光方式による露光装置本体の露光用基台13上に、フォトレジスト膜12(光重合硬化性フォトレジスト膜、又は光分解性フォトレジスト膜)をコーティングしたパター
ン形成用基板11を載置固定する。
次に、図1(a)に示す密閉チャンバーAの開閉ドア20を閉鎖して、密閉チャンバーAを密閉状態にした後、クリーンルームから供給されるクリーンルームエアーaを、高圧コンプレッサ1と、エアーを乾燥させるドライヤ2とに導入して、高圧ドライエアーaP を作製する。
続いて、作製した該高圧ドライエアーaP を、給気管部Bより密閉チャンバーA内に減圧用バルブ3を介して給気するとともに、排気管部Cより排気して、該高圧ドライエアーaP を密閉チャンバーA内に循環供給する。
なお、前記密閉チャンバーA内に循環供給する高圧ドライエアーaP の絶対湿度(水分重量/容積)は、前記ドライヤ2により、1.0g/m3 〜10.0g/m3 の範囲にて制御されることが適当である。
そして、前記高圧ドライエアーaP を密閉チャンバーA内に循環供給しながら、図1(b)に示すように、前記基板11のフォトレジスト膜12面に露光マスク23を透してパターン光像L(紫外線)を所定時間投影露光して、パターン露光された部分のフォトレジスト膜12を、光重合硬化(有機溶剤不溶性)、若しくは光分解(アルカリ性水溶液可溶性)する。
その後、パターン露光した前記基板11を有機溶剤又はアルカリ性水溶液を用いて現像して、基板11上に所定のフォトレジストパターンを形成するものである。
例えば、ガラス基板11上にカラーフィルタのブルー(BLu)、グリーン(G)、レッド(R)等、又はシアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)等の各色の着色パターンを形成する場合には、上記露光操作、現像操作を繰り返すことによりパターン形成することができる。
本発明の露光装置におけるコンプレッサ1、ドライヤ2、減圧用バルブ3を使用しない従来の露光装置(図8参照)と同一条件による密閉チャンバーA内の環境(本発明実施前)と、本発明の露光装置におけるコンプレッサ1、ドライヤ2、減圧用バルブ3を使用した密閉チャンバーA内の環境(本発明実施後)とを測定したので、その比較結果を以下に説明する。
図2は、横軸を時刻、縦軸を絶対湿度(g/m3 )として、実施前と実施後における絶対湿度を測定したところ、実施前では約9.5g/m3 (平均値)であったが、実施後では約4.5g/m3 (平均値)となった。
図3は、横軸を時刻、縦軸を相対湿度(%)として、実施前と実施後における相対湿度を測定したところ、実施前では約45%(平均値)であったが、実施後では約22%(平均値)となった。
図4は、横軸を時刻、縦軸を露点温度(℃)として、実施前と実施後における露点温度を測定したところ、実施前では約10.5℃(平均値)であったが、実施後では約0℃(平均値)となった。
図5は、横軸を時刻、縦軸を密閉チャンバーA内の温度(℃)として、実施前と実施後における温度を測定したところ、実施前と実施後で大きな差異はなく、約23.5℃(平均値)であった。
(a)は本発明の露光装置の概要図、(b)はその露光装置の構造の一例を説明する側面図。 横軸を時刻、縦軸を絶対湿度(g/m3 )とする実施前と実施後における絶対湿度の推移を示すグラフ。 横軸を時刻、縦軸を相対湿度(%)とする実施前と実施後における相対湿度の推移。 横軸を時刻、縦軸を露点温度(℃)とする実施前と実施後における露点温度の推移。 横軸を時刻、縦軸を密閉チャンバーA内の温度(℃)とする実施前と実施後における温度の推移。 従来の露光装置の概要図。
符号の説明
A…密閉チャンバー
B…給気管部
C…排気管部
a…クリーンルームエアー
1 …排気エアー
P …高圧ドライエアー
1…高圧コンプレッサー
2…ドライヤ
3…減圧バルブ
11…基板
12…フォトレジスト膜
13…基台部
21…光源部
22…集光レンズ
23…露光マスク
24…投影レンズ

Claims (4)

  1. 露光マスクを用いた投影拡大露光方式による露光装置本体を収容する密閉チャンバーAと、密閉チャンバーA内にクリーンルームエアーaを給気する給気管部Bと、該密閉チャンバーA内を循環した循環エアーaを密閉チャンバーAの外側に排気する排気管部Cとを備え、クリーンルームエアーaを給気する前記給気管部Bの前段に、クリーンルームエアーaを圧縮エアーに変換する高圧コンプレッサ1と、エアーを乾燥させるドライヤ2と、減圧用バルブ3とを配設し、密閉チャンバーA内に高圧のドライエアーaP を循環供給することを特徴とする露光装置。
  2. 請求項1記載の露光装置において、前記密閉チャンバーA内に循環供給する高圧のドライエアーaP の絶対湿度(水分重量/容積)が、前記ドライヤ2により1.0g/m3 〜10.0g/m3 の範囲にて制御されることを特徴とする露光装置。
  3. 密閉チャンバーA内に内装する露光マスクを用いた投影拡大露光方式による露光装置本体の露光用基台13上に、フォトレジスト膜12をコーティングしたパターン形成用基板11を載置固定した後、クリーンルームエアーaを高圧コンプレッサ1と、エアーを乾燥させるドライヤ2とに導入して高圧ドライエアーaP を作製し、作製した該高圧ドライエアーaP を前記露光装置本体を収容する密閉チャンバーA内に減圧用バルブ3を介して給気管部Bより給気するとともに排気管部Cより排気して循環供給しながら、前記基板11のフォトレジスト膜12に露光マスクを透してパターン光像Lを投影露光してフォトレジストパターンを露光形成することを特徴とするフォトレジストパターン露光形成方法。
  4. 請求項3記載のフォトレジストパターン露光形成方法において、前記露光装置本体A内に循環供給する高圧のドライエアーaP の絶対湿度(水分重量/容積)が、前記ドライヤ2により1.0g/m3 〜10.0g/m3 の範囲にて制御されることを特徴とするフォトレジストパターン露光形成方法。
JP2005101237A 2005-03-31 2005-03-31 露光装置及び露光装置を用いたフォトレジストパターン形成方法 Pending JP2006286709A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005101237A JP2006286709A (ja) 2005-03-31 2005-03-31 露光装置及び露光装置を用いたフォトレジストパターン形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005101237A JP2006286709A (ja) 2005-03-31 2005-03-31 露光装置及び露光装置を用いたフォトレジストパターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006286709A true JP2006286709A (ja) 2006-10-19

Family

ID=37408323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005101237A Pending JP2006286709A (ja) 2005-03-31 2005-03-31 露光装置及び露光装置を用いたフォトレジストパターン形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006286709A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170002548U (ko) * 2015-12-11 2017-07-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 포토리소그래피 프로세스를 위한 시스템들의 환경 제어

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08248750A (ja) * 1995-03-06 1996-09-27 Minolta Co Ltd 画像形成装置
JPH1030568A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Hitachi Ltd 圧縮空気の除湿装置における冷凍式ドライヤー
JPH1119461A (ja) * 1997-06-27 1999-01-26 Orion Mach Co Ltd 水冷凝縮装置およびエアードライヤー
JPH11195585A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Nikon Corp 露光装置および露光方法
WO2000031780A1 (fr) * 1998-11-19 2000-06-02 Nikon Corporation Dispositif optique, systeme d'exposition et source de faisceau laser, procede d'alimentation en gaz, procede d'exposition et procede de fabrication de dispositif
WO2000074118A1 (fr) * 1999-05-27 2000-12-07 Nikon Corporation Systeme d'exposition, procede de dispositif de fabrication, et procede de traitement ecologique du systeme d'exposition
WO2001020650A1 (fr) * 1999-09-14 2001-03-22 Nikon Corporation Systeme d'exposition, dispositif d'exposition, dispositif d'application, dispositif de developpement, et procede de regulation de l'environnement de traitement de plaquette dans le systeme d'exposition
JP2002064044A (ja) * 2000-08-17 2002-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP2002260996A (ja) * 2001-03-06 2002-09-13 Canon Inc 露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法
WO2004108252A1 (ja) * 2003-06-03 2004-12-16 Nikon Corporation フィルタ装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08248750A (ja) * 1995-03-06 1996-09-27 Minolta Co Ltd 画像形成装置
JPH1030568A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Hitachi Ltd 圧縮空気の除湿装置における冷凍式ドライヤー
JPH1119461A (ja) * 1997-06-27 1999-01-26 Orion Mach Co Ltd 水冷凝縮装置およびエアードライヤー
JPH11195585A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Nikon Corp 露光装置および露光方法
WO2000031780A1 (fr) * 1998-11-19 2000-06-02 Nikon Corporation Dispositif optique, systeme d'exposition et source de faisceau laser, procede d'alimentation en gaz, procede d'exposition et procede de fabrication de dispositif
WO2000074118A1 (fr) * 1999-05-27 2000-12-07 Nikon Corporation Systeme d'exposition, procede de dispositif de fabrication, et procede de traitement ecologique du systeme d'exposition
WO2001020650A1 (fr) * 1999-09-14 2001-03-22 Nikon Corporation Systeme d'exposition, dispositif d'exposition, dispositif d'application, dispositif de developpement, et procede de regulation de l'environnement de traitement de plaquette dans le systeme d'exposition
JP2002064044A (ja) * 2000-08-17 2002-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP2002260996A (ja) * 2001-03-06 2002-09-13 Canon Inc 露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法
WO2004108252A1 (ja) * 2003-06-03 2004-12-16 Nikon Corporation フィルタ装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170002548U (ko) * 2015-12-11 2017-07-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 포토리소그래피 프로세스를 위한 시스템들의 환경 제어
KR200494687Y1 (ko) * 2015-12-11 2021-12-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 포토리소그래피 프로세스를 위한 시스템들의 환경 제어

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4749299B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
TW200620410A (en) Measurement method, exposure method, and device manufacturing method
JP2005156930A5 (ja)
US20090091719A1 (en) Exposure system and pattern formation method
JP2019517026A5 (ja)
JP2001092105A5 (ja)
JP2008210877A (ja) 露光装置、露光方法およびリソグラフィシステム
JP2006286709A (ja) 露光装置及び露光装置を用いたフォトレジストパターン形成方法
US20060134559A1 (en) Method for forming patterns on a semiconductor device
KR20130041627A (ko) 듀얼 현상 공정을 포함한 포토리소그래피 방법
KR100549953B1 (ko) 스피너설비의 베이크장치
JP2007094066A (ja) 近接露光装置、及び近接露光方法。
JPH11238669A (ja) 露光装置
US20070264599A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device using immersion lithography process with filtered air
CN1971428B (zh) 使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法
KR100741578B1 (ko) 반도체 제조를 위한 감광제 도포용 트랙장비의 핫 플레이트및 cd조절 방법
KR20000061436A (ko) 반도체 에지 노광 장치
US6040119A (en) Elimination of proximity effect in photoresist
JP2804068B2 (ja) シャドウマスクのパターン焼付け版及びその製造方法
KR100644069B1 (ko) 포토레지스트 패턴 형성 방법
KR20040061442A (ko) 기판의 에지 비드 제거장치 및 방법
KR980011696A (ko) 포토레지스트 프로파일을 개선할 수 있는 사진공정
KR20100022276A (ko) 반도체 제조 설비의 베이킹 장치
KR20060040403A (ko) 반도체 노광장치
JP2006032294A (ja) 蛍光面の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100702

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100907

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110301

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110428

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110906