TW486730B - Insulated channel field effect transistor with an electric field terminal region - Google Patents

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Description

6730 A7 -—--—2Z--- 五、發明說明（1 ) 發明背景 主明之j支術領域:本發明有關電晶體，並且更特別地 是有關一具有電場終端區域的場效電晶體。 支氣.:參考圖1，一先前技術之大多數金氧半導體 場效電晶體（MOSFET) 10包括一源極（s)，汲極（D)以及閘極 (G)。忒閘極包括一導電多矽晶（p〇ly)層透過一層薄的氧化 矽絕緣體（閘氧化物）層與一通道分隔。金氧半導體場效電 晶體（MOSFET)IO爲一 n型通道金氧半導體場效電晶體 (nMOSFET)。一般而言，在該源極和汲極之間的通道以Ν 型材料摻雜。該源極，汲極和已摻雜通道形成於一 ρ型井 内，而該ρ型井依次形成於一 ρ型基體内，或直接形成於該 Ρ型基體内。 參考圖2，一先前技術之絕緣體上矽晶（s〇I)n型通道金氧 半導體場效電晶體（n MOSFET)20(SOI電晶體2 0 )包括一源 極（S) ’没極（D)和閘極（G)。該閘極包括一碎晶層，以一閘 氧化物層與該已摻雜通道分隔。一 ρ型井以一氧化物絕緣 體2 2與一 ρ型基體分隔。s〇I電晶體2 0因爲氧化物絕緣體 2 2離該源極和没極相當遠而被視爲一部份空虛的（PD) SOI 電晶體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考圖3，一先前技術之SOIn型通道MOSFET30包括一 源極（S)，汲極（D)，閘極（G)(具有一矽晶層），一閘氧化物 層和一已摻雜通道。不同於SOI電晶體2 0的是，一氧化物 絕緣體層3 2位於接近SOI電晶體3 0的表面處。絕緣體層3 2 鄰接（例如，非常接近於或實際上已接觸到）該源極和汲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） »6730 A7 B7 五、發明說明（2 ) 極。因爲氧化物絕緣體2 2鄰接該源極和汲極並且接近該通 道，SOI電晶體2 0被視爲一完全空虛的（FD) SOI電晶體。 透過將絕緣體氧化物層2 2放置在接近該源極和汲極處來減 少該源極和汲極的該接面電容（Cj)，以便只有一點或完全 沒有ρ η接面。
Delta-摻雜的MOSFETs包括一位於該通道之下且接近該 通道的摻雜區域，如在1996年10月號電子裝置之國際電機 及電子工程師期刊（IEEE Transactions)第43册第10號第 1742到1753頁，由C. Wann及其他所著之π改良金氧半導體 場效電晶體（M0SFET)觀念的比較研究π中所示。如C. Wann及其他在第1743頁中所示，該摻雜區域是接觸到該源 極和汲極的。該通道可能因來自該摻雜區域的摻雜而變成 被污染的。 每一個這些電晶體易受到短暫通道效果（SCE)的影響。 造成在電晶體1 0，2 0和3 0内SCE的成因之一爲在該源極 和該基體之間以及在該汲極和該基體之間的電場線是分散 在大部份的通道，降低了該通道的有效電磁長度（Leff)。 圖3圖示在該源極和基體之間電場線E的範例。造成在 Delta-摻雜的電晶體内SCE的成因之一爲通道内的載體 (Dopant)。據此，需要一具有改良SCE之電晶體。 簡要説明 在一具體實例中，本發明包括一具有一基體，一源極和 一汲極的場效電晶體。一電場終端區域位於該基體内。一 本體位於該源極和汲極之間的該電場終端區域之上。在該 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------- 丨一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 >6730 五、發明說明（3 ) 電場終端區域和該本體間有一障礙。 在另一具體實例中，本發明包括一場效電晶體，具有一 絕緣層以及一位於源極和汲極之間該絕緣層之上的本體。 一基體位於該絕緣層之下。一閘極位於該源極和汲極之間 的S本體之上。一電場終端區域包括於該基體内。 附圖之簡要敘述 從以下之詳細敘述及本發明具體實例之附圖將能更完整 了解本發明，然而，這些敘述及附圖不應用於將本發明限 制爲所述之特定具體實例，而是僅供説明和了解之用。 圖1爲先前技術大多數MOSFET電晶體橫斷面之概要圖。 圖2爲先前技術s〇i電晶體橫斷面之概要圖。 圖3爲先前技術s〇i電晶體橫斷面之概要圖。 、圖4爲如本發明具體實例之具有電場終端區域的絕緣通 遒場效電晶體橫斷面之概要圖。 圖5爲圖4該電晶體之平面圖。 圖6爲圖4該電晶體之側視圖。 圖7爲圖4該電晶體之側視圖，圖示該電場終端區域中電 場終端可能集中的部份。 圖8爲如本發明具體實例之具有電場終端區域的絕緣通 道場效電晶體橫斷面之概要圖。 圖9爲如本發明具體實例之具有終端區域的絕緣通道場 效電晶體橫斷面之概要圖。 圖10爲如本發明具體實例之電晶體平面圖。 圖1 1爲圖1 〇該電晶體橫斷面之概要側視圖在橫斷線1 ^ -6- 本紙張尺度適家標準(？Ns)a4規格⑽χ挪公釐) C請先間讀背面之法意寧讀存填寫本
i6730 A7 B7 五、發明說明（ 4 11 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 圖1 2爲圖1 0該電晶體橫斷面之概要側視圖在橫斷線12-^ 〇 圖1 3爲圖1 〇該電晶體橫斷面之概要側視圖在橫斷線 ί ° 圖1 4爲圖1 0該電晶體橫斷面之概要側視圖在橫斷線12-12 ° 圖1 5爲如本發明具體實例之具有電場終端區域的兩個絕 緣通道場效電晶體橫斷面之概要圖。 圖1 6爲如本發明具體實例之電晶體平面圖。 詳細敘述 本發明包括一電晶體，具有一位於一基體内的電場終端 區域’將電場從該源極和没極集中至該電晶體通道的邊 緣。在η型通道場效電晶體（nFET)裝置的情況下，該電場 終^區域可爲一大量掺雜的p型材料。在p型通道場效電晶 體（pFET)裝置的情況下，該電場終端區域可爲一大量摻雜 的η型材料。該術語”終端”意味著一尾端並且可爲電場線 的任何一端。在本發明的某些具體實例中，該電場終端區 域用來做爲一鄰接一相當平坦絕緣體層的平面，並且被稱 做一終端平面或接地平面。本發明可和各種類型的絕緣閘 極場效裝置（被視爲nFET，pFET，或FET裝置）一起使用， 而Μ 0 S F E T僅爲範例之一。 參考圖4 ’本發明之具體實例包括一 nFET 50，爲一具有 一位於基體54(可爲一 p型基體，未摻雜的，或n型已摻雜） 12 11 (請先閲讀背面之注意事頊再填寫本Κ)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（5 ) 内P++電場終端區域5 2的絕緣通道FET。NFET 5〇被視爲一 絕緣通道FET,因爲它包括_將通道62與終端區域52隔絕 的絕緣層58。絕緣體層58可爲一薄的電介質層，例如氧 化矽，氮化矽（siliC0nnitride)，一高分子（poly)，或絕 、彖to的組e，例如氧氮化物（oxynitride)或任何其它的絕緣 體。爲了不污染該通道區域，絕緣體層58爲位於p++終端 區域5 2内的該載體（dopants)提供一擴散障礙。據此，該通 迢可維持未摻雜的或實際狀況。FET 5〇包括一源極（si)， 汲極（D1)，閘極（G1)(包括一導電材料66，可爲多晶矽）， 和一閘絕緣體層6 8 (可能是氧化矽（稱爲閘氧化物。雖然 並非必要，所示的導電材料6 6和閘絕緣體層6 8長度稍微 超過孩源極/本體界限和汲極本體界限。可能使用逆電流 器（Space)絕緣體，但未圖示。絕緣體層5 8鄰接源極s i和 汲極D 1，以便大大地減少接面電容。（在本發明另一具體 實例中，在该基體内的絕緣層並非鄰接該源極和汲極並且 /或孩電場終端區域並非鄰接位於該基體内的絕緣層）。 FET 50包括一通道62和本體M。該術語基體和本體通常 可父互使用。然而，在本發明中，該術語，，本體，，代表在絕 緣體層5 8和一通道62間的材料。該本體的厚度可隨該通 道厚度的變化而改變。該術語，，基體，，代表在絕緣體層5 8 和基體5 4底部5 6之間的材料（有時稱爲該裝置的背部）。 視包括孩源極和汲極的深度以及所施加的電壓等因素而 定，通道62可爲大於或小於圖4中所示的。本體64(和通 道6 2)可爲未摻雜的，稍微摻雜的，或大量摻雜的。然 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 ： ^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 486730 A7 ---------- 五、發明說明（6 ) 而，本發明優點之一爲該本體和通道可爲未摻雜的。一般 採用摻雜以控制該起始電壓（vt)。然而，在FET 5〇，可透 過扠制該通道厚度（Tsi)來控制該起始電壓。控制該通道厚 度的方法之一是經由絕緣體層5 8和閘絕緣體層6 8之間的 空間。如本發明之電晶體可爲增強或消耗模式裝置。 圖5和6提供FET 50的平面和側視圖。 如在此處所使用的，該術語”在··之上”和類似的術語， 以及’’在…之下”和類似的術語是有關於一方位，其中閘極 G 1位在絕緣體層5 8之上，並且終端區域5 2位在絕緣體層 5 8之下’而不考慮重力方位。該術語，，在…之間，，意味著 一標的的某些實質部份是位在其它兩個標的之間。例如， 問導電材料6 6和終端區域5 2皆位在源極s 1和汲極〇 1之 當與一般大多數MOSFET做比較時，一未摻雜的本體， 絕緣體層5 8和終端區域5 2的組合可能使FET 50接近一理 想的超陡峭的井/通道摻雜輪廓，後者改良了 SC]E。在傳統 的FET裝置結構内無法達到該理想的通道摻雜輪廓，因爲 載體會從該基體擴散至該通道。終端區域52位在該通道和 閘極區域之下。終端區域並會不伸展至遠低於該源極和没 極接面之下以最小化接面電容（Cj)。然而，如圖4所示之 具體實例中，延伸在源極S 1和汲極D 1之下的終端區域5 2 僅足以終止來自源極S 1和汲極d 1的該電場線。若接面電 容並非主要考量，在該源極和汲極之下的終端區域5 2可延 伸得更長。絕緣體層5 8消除或大大地減少在該源極和基體 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --------tr---------f #---------------------- 486730 第881ΠΟ〇6號專利申請案 气ΐ) 4 ’] 中文說明書修正頁(90年8月） Α7 Β7
之間的接面淺漏。 咸信終端區域52因以下理由而改良了 m 5〇的短暫通運 效果(SCE)。終端區域52透過允許一較高的縱橫比而有助 於改艮SCE。_高比是該側面的裝置尺寸(有效通道長 對垂直尺寸(以相同權數的氧化物厚度，接面深度和：道 消耗寬度的組合）的比率。更特別地，—fet的闊高 由以下方程式（1)所定義： 闊高比= Leff/Deff
=Leff/(Tox D Xj)1/3 ⑴， 裝 其中Leff為源極和沒極間的有效通道長纟，τ〇χ為該閑極 和石夕晶之間該閘氧化物的厚度，D為該通道消耗區域的深 度，並且xj為該源極和汲極的接面深度。sce代表該閑極 無法完全控制該通道區域的情況。當該闊高比增加時，若 出現SCE ’ SCE減少（並且該閘極對該通道有較多控制）。
終端區域5 2有助於增加Leff，透過將該電場線集中於接 近該源極和汲極處，遠離大部份的該通道。在m〇sfet % 中，在該源極S1和基體54之間的電場線朝向p++綠端 區域52接近源極51的區域。在圖4中，一電場線e顯示出 較圖3之先前技術還接近該源極/本體界限。類似地，在該 汲極D i和基體54之間的電場線直接朝向p++終端區= 52接近汲極D1的區域。參考圖7，區域72為大部份來自 源極S1的該電場線將會撞擊到的區域的範例。區域以為 大部份來自該汲極（D 1)的該電場線將會撞擊到的區域的範 -10- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱） --------- 486730 第88117006號專利申請案 中文說明書修正頁(90年8月）
A7 B7 五、發明説明（8 ) 例。區域7 2和7 4以虛線表示因為他們不必包括與終端區 域5 2剩餘部份不同的材料。區域7 2和7 4的精確位置視各 種因素包括;該源極和沒極的深度，該源極和沒極間的寬 度，終端區域5 2的摻雜水準而定。事實上，終端區域5 2 將該電場線集中於終端區域5 2接近該源極和沒極的區域 内，大大地減少涵蓋通道6 2的電場線的量。此導致一較 無終端區域5 2所可能產生的Leff還大的Leff。請注意某些 電場線可能經由終端區域5 2。 參考圖8，在一替代具體實例中，nFET 76包括兩個終端 區域52A和52B而非單一終端區域52。 ^ 終端區域5 2也有助於改良闊高比，透過拒絕該消耗區 域來減少Deff。在降低Deff方面，NFET 76可能效率較 nFET 50為低。 一未摻雜的通道改善Vt下降（roll-off)，因而改善SCE。 終端區域5 2也有助於改良V t下降（roll-off)。汲極感應障 礙降低（DIBL)也改善了，因而也改善了 SCE。 有了改善的SCE，本發明之電晶體在例如，Vt，電源供 應電壓（Vdd)，和/或尺寸方面較能夠衡量。 以下敘述一種方法，以此法可製造nFET 50。首先，將 絕緣體層5 8植入該基體内。（在植入絕緣體層5 8之前， nFET 50尚未在基體和本體之間分割）。其次，終端區域 5 2植入至該基體緊接絕緣體層5 8處。其次，產生該源極 和汲極區域。可在終端區域5 2植入後植入絕緣體層5 8， 但若已如此做，摻雜形式的終端區域5 2在絕緣體層5 8植入前 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 486730 A7 _______ B7 五、發明說明（9) 可擴散至該本體區域内。也可使用如本發明之其它製造 FETs之方法。若未使用一絕緣體層，該本體位於該電場終 端區域之上，並且該基體位於該電場終端區域之下。在無 絕緣體層之處，視各種因素而定，仍可能有一障礙，其中 該電場終端區域藉由明顯地低於該源極和汲極關於該閘而 明顯地遠離該源極和没極和通道（例如，該電場終端區域 可定位於明顯低於一延伸於該源極的底部和該汲極的底部 之間的假想線）。 如可看到的，在圖4中，一部份的終端區域5 2稍微延伸 至該源極和汲極之下。該終端區域可延伸至一較大程度 (元整包括）在該源極和没極之下。然而，如此做將意圖增 加該源極和汲極的接面電容（Cj)。據此，在偏好將該接面 電容保持在較低的情況下，該製程可能涉及該終端區域不 要延伸得太低於該源極和汲極之下。例如，圖9，在11]?£1[ 7 8中’終締區域52延伸至直接低於該源極/本體和没極/本 體界限。若能選擇，讓該終端區域界限延伸至稍低於該源 極或没極，較讓它不要延伸得低於該源極/本體界限或没 極/本體界限可能會更好。因爲在該終端區域的應用中可 能有意外的變動，最好目標是稍稍位於該源極或汲極（如 圖5中）之下而非讓目標正好位於該源極/本體和汲極/本體 界限之下。如此終端區域5 2仍將延伸在該源極/本體和汲 極/本體界限之下，即使終端區域52的界限稍短於該目標 點。換句括説，不需一完美的自我對準處理。 本體64，終端區域52，和基體54的電位可能是浮動 - 12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ 一『· ϋ H ϋ ϋ I ϋ n I n 1 ϋ n _1 _ϋ I I n n ϋ n ϋ n ϋ n n 486730 A7 ______ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1〇) 的。或者，一個以上的本體64，終端區域52，和基體54 可能偏壓（biased)至一特定電位。例如，在圖4，基體54可 能是浮動的。在圖9，基體54偏壓（biased)至Vss(或 Vgnd)。在PFET的情況下，基體54可能是偏壓（biased)至 Vdd。在圖9中，該偏壓是如圖示般應用至背面56，但可 經由一中間接點（tap)或其它類似圖示於圖ι〇_14中的接觸 來使用。 參考圖10，一晶粒80包括nFE 丁 50,中間接點84和86以 及絕緣體材料8 8。在圖4中，終端區域5 2的電位和本體6 4 是浮動的。在圖1 〇中，終端區域5 2和本體6 4分別耦合至 中間接點（tap) 84和8 6 ’並且偏壓至這些中間接點所提供 的電位。在一 nFET中，該終端區域可能在接地。在一 pFET中’該終端區域可能在vdd。應用至該本體的偏壓 (bias)可能使該FET順向偏壓（forward biased)，反向偏壓 (reverse biased)，或零偏壓。圖i i和i 2圖示分別沿線j ^ 11和12-12所截取的橫斷面nFET 50。或者，只有終端區域 5 2或只有本體6 4可能耦合至該中間接點。在圖1 〇的具體 貫例中’基體5 4可能是浮動或偏壓的。圖1 3和1 4類似於 圖11和12，除了該終端區域52和本體64是由一個以上的 電晶體共用（例如圖1 6的電晶體T 1和T 3 )。 如本發明之一電晶體可爲一 pFET。參考圖1 5，一晶片 100包括nFET裝置50和一 pFET裝置104。絕緣體層5 8延伸 在電晶體5 0和1 〇4之下（或者，可能有分別的絕緣層）。— n++電場終端區域112形成於基體54内（但可形成於一井 -13- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) Φ 訂-------- .線丨· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 486730
五、發明說明（11) 内）。終场區域112和一本體114可爲浮動的或偏壓的。若 終端區域112形成於一井内，該井可能是偏壓的或浮動 的。PFET 104可包括兩個終端區域（類似於圖8中所示）， 而非如圖15中所示的僅只有一個（終端區域112)。 圖1 6圖不一晶粒12〇，包括電晶體丁丨，T2，丁3和丁4以及 各種其它未顯示的電晶體和元件。電晶體τ丨和τ 3可能共 子一本體和/或一終端區域。電晶體丁丨和丁3可能共享一終 端區域，但接面電容可能增加至一無法接受的水準。電晶 體Τ2和Τ4可能共享一本體和/或一終端區域。可能使用中 間接點124和126於偏壓的一基體，本體，或終端區域。可 能使用一個以上的中間接點（如圖1 〇所示）。 1外資訊和具體眚例 各種圖示在性質上爲概要的。例如，該各種元件的大小 並非相關的比例或意圖精確圖示實際形狀。 雖然該元件可能有各種其它較小或較大的尺寸，可使用 以下供做爲範例之用的尺寸。終端區域5 2可能有一 p++摻 雜，亦即大於10’ cm_3。絕緣體層5 8較閘絕緣體層64爲 薄。該背部氧化物有效厚度（Tbox)可能約爲2到2.5毫米 (nm)。一未掺雜的實際通道區域的通道厚度（Tsi)約爲 20nm。如目前所了解，該絕緣通道M0SFET在室溫下有約 6 0微伏特每十度的接近該理想的次門檻振盪斜率。（該了 解可能隨著進一步的研究改變）。這主要是因爲其未摻雜 的和完全空虛通道。然而，這些數據僅爲範例，並且如本 發明之電晶體的數値可能較這些參數大或小。 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -••丨丨 n n n n ϋ 一：WJI -ϋ ϋ n n ·ϋ i-i βϋ I 線ι·------- 486730 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12) 该源極和没極可爲大量摻雜的或有一較低摻雜水準（如 普過使用的）。可能使用一薄的閘氧化物層以便有良好的 驅動和最小的SCE。不論是使用一p4n型基體，該裝置可 形成於p和/或η型井内。 —如所提及的，該起始電壓可能由該通道（Tsi)的厚度來設 疋而非由通道捧雜或該厚度和通道摻雜的組合來設定。若 $源極和汲極接面由於絕緣體層58設定在較接近閘絕緣 to 6 8 (產生一較小的Tsi)而變得較淺，則可能會增加外部 阻抗（Rext)和串聯阻抗。可使用一機動增強技巧例如驗 源極/汲極和/或提高源極/汲極結構或其它技巧以降低該 串聯阻抗。 系巴緣體層5 8可能有助於軟錯誤雜質。 將絕緣體層58保持非常薄可有助於自我加熱。 一完全空虛的S0IM0SFET花費極冑。目前的電晶體 構不需要一 SOI晶圓供應和SOJ型處理。 若該説明書陳述“可以，，’“可能”，或“應可，，包括一 件，特色，結構，或特徵，則並 a ;杜^ ^ 』卫不要衣一疋要包括該特別 疋件’特色，結構，或特徵。在説明書中對於“―丑触 :，，或:‘-種具體實例，，的參考意味著所述與該實= 關的特別特色’結構’或特徵包括在至少某些具= 中，但不一定在本發明的所有具體實例中。“一 、 或“ 一種具體實例，，的各種表示並不_ 〜髖貫例” 例。 疋*扎孩同一具體實 那些熟於先前技術受益於本揭露的人將了解到：可在本 -15 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) έ 結 元 實有 例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2__10 X 297公爱]---------- -n ϋ n n n ·ϋ 一： 口、 ϋ n I n n 線— _----------------------- 486730 A7 _B7_ 五、發明說明（13) 發明範_内從該先前敘述和附圖中做出許多其它的變化。 據此’由以下專利申請範圍，包括任何修正，來定義本發 明之範_。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ---------手罈----------------- 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 486730 abI P ^ C8 D8 第88117006號專利申請案 中文申諸春利銳圊倐正太(90年8 W 、.申請專利乾圍 1. 一場效電晶體，包括： 一基體； 一源極和一沒極； 一電場終端區域，位於該基體内以將自該源極和汲極 之電場集中朝向該電晶體之迹道邊緣’該電場終端區域 係自在該源極之一小部分之下延伸至在該汲極之一小部 分之下，但除此外並不延伸於源極和汲極之下；及 一本體，位於該源極和汲極間該電場終端區域之上， 其中在該電場終端區域和該本體之間有一障礙。 2. 如申請專利範圍第1項之電晶體’其中該障礙為一位於 該本體和該電場終端區域之間的絕緣層。 3. 如申請專利範圍第1項之電晶體，其中該本體為未摻雜 的。 4. 一場效電晶體’包括· 一絕緣體層； 一本體，位於源極和汲極之間的該絕緣層之上； 一基體，位於該絕緣層之下； 一閘極，位於該源極和汲極之間的該本體之上，該閘 極具有一長度；及 一電場終端區域，位於該基體内，以將自該源極和汲 極之電場集中朝向該電晶體之通道邊緣，該電場終端區 域係延仲於該通道至少一實質部分以下。 5. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中該本體為未摻雜 的。 17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I — -^---^--------IT------·1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 486730 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中該本體為稍微捧 雜的。 7. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中當施加某些電壓 於該源極，閘極和沒極時，該通道形成於該源極和沒極 之間的該本體内，並且該通道為未摻雜的。 8. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中該起始電壓是由 該絕緣體層和閘絕緣體之間的距離來設定。 9. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中該本體為浮動 的。 10. 如申請專利範圍第4項之電晶體’其中該本體被偏壓 的。 11. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中該電場終端區域 為浮動的。 12. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中該電場終端區域 被偏壓的。 13. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中該基體為浮動 的。 14. 如申請專利範圍第4項之電晶體’其中該基體被偏壓' 的。 15. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中延伸在該閘極之 下的該電場終端區域足以涵蓋該閘的整個長度。 16. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中該電晶體為一 pMOSFET。 17. 如申請專利範圍第4項之電晶體，其中該電晶體為一 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------------訂------®— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 486730 A8 B8 C8 D8 六V申請專利範圍 nMOSFET。 18. —種晶粒，包括： 第'一和第二場效電晶體’每一個包括： (a) —基體； (b) —源極和一沒極； (c) 一電場終端區域，位於該基體内，以將自該源極和 汲極之電場集中朝向該電晶體之通道邊緣，該電場終端 區域係延伸於該通道至少一實質部分以下； (d) —本體，位於該源極和汲極之間的電場終端區域之 上。 19. 如申請專利範圍第1 8項之晶粒，尚包括一位於該基體 和本體之間的絕緣體層。 20. 如申請專利範圍第1 8項之晶粒，其中該該絕緣體層由 弟一和第二場效電晶體所共用。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事.項再填寫本頁) -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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