TW483790B - Method and equipment to drill laminates by means of laser - Google Patents
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Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ^---------B7_ 五、發明說明(/ ) 由EP-A-O 1 645 64中已知可在一種具有金屬/介電質 /金屬層序列之薄板中藉助於準分子(Excimer)雷射來產 生一些袋孔。此薄板之最上方之金屬層在此處是用作孔 遮罩’其孔像藉助於微影術而傳送且藉由隨後之蝕刻而 形成。此種遮罩之孔區域中所裸露之介電質然後藉由準 分子雷射之作用而被剝飩直到最下方之金屬層爲止且結 束此剝飩過程。利用這些習知之方法,特別是在製造多 層式電路板時以袋孔之形式製成所需之穿孔(through-hole) ° 由 DE-Z’’Feinwerktechnik & Messtechnik 91 (1983) 2, page 5 6-5 8 ”中已知一種類似之方法用來形成多層式電路 板’其中這些作爲穿孔用之袋孔藉助於C02雷射而產生。 此處最上層之銅箔作爲孔遮罩用,其中在雷射光產生各 孔時之所有這些位置都須被蝕刻而去除。 由DE-A-197 19700中已知一些裝置是用來在薄板上進 行雷射鑽孔,其中爲了對金屬層進行鑽孔而使用一種波 長在266nm至1064η m之第一雷射且爲了對介電質層進行 鑽孔而使用波長在l〇64nm至1 0600nm之第二雷射。 由US-A- 5 5 93 6 06中已知一種在薄板上進行雷射鑽孔 之方法,其中使用唯一之UV雷射來對各金屬層和介電質 層進行鑽孔,此雷射之波長小於400 nm且其脈波寬度小 於100 ns。在不使用準分子雷射之前提下以相同之UV雷 射來對金屬及有機材料進行鑽孔。 由DE-A-19824225中已知另一種在薄板上進行雷射鑽 孔之方法,其中例如使用一種 S H G ( S e c 0 n d h a r m 0 n i c ^紙張尺度中關家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項#<填寫本頁) 3· -裝 訂·· 483790 A7 B7 五、發明說明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 generation)-YAG 雷射(其波長爲 532nm)或一種 THG(3rd harmonic generation)-YAG 雷射(其波長爲 3 5 5 nm)來對 金屬層或介電質層進行鑽孔。 基本上可確定的是:以U V雷射(即,波長小於4 0 0 n m ) 來對有機材料進行鑽孔時可使有機材料發生一種光化學 分解作用。此處因此不會造成燃燒現象且由於特別低之 熱負載而不會在薄板中造成分層(delamination)現象。反 之,以C02雷射來對有機材料進行雷射鑽孔時會使這些 有機材料發生一種熱分解現象,即,其會造成燃燒現象 且在薄板中會發生〃分層〃之危險。但相對於UV雷射而 言,利用C02雷射來對各有機材料進行鑽孔時可使加工 時間減少很多。 申請專利範圍第1和第1 3項中所示之本發明所要解決 之問題是:在具有至少一層金屬層及至少一層介電質層 (其由有機材料所構成)之薄板中進行雷射鑽孔時可快 速地形成袋孔或穿孔而不會傷害此薄板。 本發明之方式是:以雙倍頻率之Nd-釩(V)鹽-雷射(其 波長是5 3 2nm )在脈波寬度小於40 ns之情況下對各金屬 層及介電質層有效地進行加工。於是選取脈波頻率g 4 0 KHz來對金屬層進行雷射鑽孔,對該介電質層進行雷射 鑽孔時所選取之脈波頻率是g 2 0 KHz。藉由選取較高之 脈波頻率來對各有機材料進行加工,在對有機材料進行 雷射加工,則可對二種材料形式進行特別有效之雷射加 工。在對有機材進行雷射加工時,可形成一種光化學分 解和熱分解之組合,·其加工時較UV雷射者還短且相對於 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 填 1 寫裝 本衣 頁 訂 、r 483790 A7 _B7__ 五、發明說明(A ) C02雷射而言可防止太高之熱負載。 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項^ 本發明中此薄板鑽孔時所選取之雙倍頻率之ND-釩鹽-雷射可達成很高之脈波頻率,其在脈波寬度小於40 ns 時可大於1 〇 〇 KHz。高的脈波頻率可對薄板達成一種快速 且有效之加工,而較小之脈波寬度可確保一種很小之熱 負載。利用其它雷射(其以類似或相同之波長來操作), 則上述之高脈波頻率及短的脈波寬度之組合即無法達 成。例如在DE-A-198 24 225中已爲人所知之SHG-YAG 雷射中在較大之脈波頻率時所可達成之脈波寬度是至 8 0 n s ° 本發明之方法之有利之方式描述在申請專利範圍第2 至1 2項中。 訂 申請專利範圍第2項之方式可藉由脈波寬度小於3 0 n s 之脈波寬度達成一種較小之熱負載。 依據申請專利範圍第3項使用一種聚焦式之雷射束(其 光點直徑介於1 0 // m和1 00 // m之間)可對金屬和有機材 料進行一種有效之雷射加工。在依據申請專利範圍第4 項而使用此種介於2 0 // m和5 0 // m之間的光點直徑時, 仍可有效地對有機材料進行雷射加工。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據申請專利範圍第5項之方式可藉由有機材料中對 雷射束較大之吸收性而使加工速率大大地增大。所添加 之物質對此種波長是5 3 2 n m之雷射束所具有之吸收性應 該純有機材料者大很多。 申請專利範圍第6項之形式可特別簡易地使有機材料 之吸收性有效地提高。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 哪790 A7 B7 五、發明說明(4 ) 申請專利範圍第7項之形式可藉由紅色添加物之選擇 而使吸收性最佳化,這是因爲波長5 3 2 n m之綠光可藉由 互補色紅光而特別良好地被吸收。 申請專利範圍第8項之形式對各色素混合成添加物時 指出一種混合區,其可特別良好地保持著以便提高此吸 收性而不會損害其它之特性。申請專利範圍第9項之較 狹窄之混合區因此可視爲已最佳化。 右依據申請專利範圍第1 〇項藉由添加物之混合而使有 機材料之吸收性提升到至少 5 0 %,則可使有機材料中之 加工速率明顯地提升。依據申請專利範圍第1 1項使吸收 性材料提升到至少60%或依據第12項提升到至少80% 時,則有機材料之雷射鑽孔所需之加工時間可進一步減 少〇 在以下所描述之實施例中使用以下之雷射型式: 雷射I : 位於 California,US 之 Spectra Physics,Mountain View 公司之二極體泵(pump)抽之頻率加倍之Nd-釩(V)鹽-雷 射0 (請先閱讀背面之注意事_填寫本頁) 1 -裝 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 名 稱 YHP 40 波 長 532 η m 功 率 大約 8.5 W 操 作 模 式: 單模式TEMoo 脈 波 寬 度: 在脈波頻率 10 KHz 時是 20 ns 脈 波 頻 率: 至 200 KHz 爲止 陣 列 大 小: 1 0 0x 1 00 m it i2 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 483790 A7 B7____ 五、發明說明(r ) 雷射Π : 位於德國之公司之二極體泵(pump)抽之頻率加倍之 Nd-釩(V)鹽·雷射。 名稱:無,原型 波長:532 nm 功率:大約4.0 W 操作模式:單模式TEMoo 脈波寬度:在脈波頻率10 KHz時是25 ns 脈波頻率:至200 KHz爲止 陣列大小:1 〇 0 X 1 0 0 m m2 材料I : 一種 RCC 材料(RCC = Resin Coated Copper Foil)膠合在 一種兩側以銅箔塗佈之玻璃纖維強化之FR4材料(FR4 = 位準(level )4之防火用之環氧樹脂玻璃成份)上。這樣會 形成一種層序列,其含有:1 2 // m厚之銅范,6 0 // m厚之 由未強化之環氧樹脂材料所構成之層,1 6 // m厚之銅箔, 1 // m厚之由玻璃纖維強化之環氧樹脂材料所構成之層, 1 6 // m厚之銅箱。 材料Π : 在6 0 a m厚之FR4材料上在二側分別膠合1 2 // m厚之 銅箱。 爲了修正前述之材料I和Π,須使用以下之添加物: 添加物I : 中中國大陸河北省S h e n z h o u市X i j i n g m i n g公司之名稱 爲 ”1501 Fast Red"(C.I. Pigment Red 48:1)之有機紅色染 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項d填寫本頁) -裝 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483790 A7 B7___ 五、發明說明(^ ) 料,其是一種以鋇鹽爲主之偶氮染料。 添加物Π _· 德國 Bayer AG 之名稱爲 ”BayferroxTM”(C.I· Pigment
Rot 101)之無機紅色染料,其是一種氧化紅色染料。 添加物ΙΠ : CIBA-GEIGY AG,CH 公司之名稱爲 ”0racetTM Gelb G H S π ( C . I. Solvent Gelb 163)之可溶解聚合物之 A ii t r a c h i η ο η -染料作爲添加物。 添加物IV : 紅寶石玻璃之纖維,其是藉由添加2 G ew· % (重量百分 比)之硒(Se),1 Gew.%之硫化鎘’ 1 Gew.%之三氧化砷 和 0.5 Gew.%之碳(C)至成份是 NA20-ZnO-4SiO2之原 (ground)玻璃而製成。 例子1 : 利用雷射I使直徑1 2 5 // m之袋孔形成在1 2 // m厚之上 部銅箔中及形成在60/zm厚之介電質層(由材料I之未 強化之環氧樹脂材料所構成)中。45 KHz之脈波頻率用 來對此銅層進行鑽孔而25 KHz者用來對介電質層進行鑽 孔。脈波長度是30 ns。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在使用二個電流計鏡面使雷射束偏向X方向及y方向 時對一種1 0 c m X 1 0 c m之面積進行處理。利用此種聚焦式 雷射束光點直徑大約2 5 # m使外孔區域中之銅鑽孔用之 雷射束偏移至數個同心之圓中’此時銅箔之內部區會自 動地露出。外部同心圓之直徑因此是1 1 〇 // m。此雷射束 之線速率是900 mm/s。爲了對此環氧樹脂材料進行鑽 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 483790 A7 __B7___五、發明說明(7 ) 孔’則雷射束須定位在焦點外部1 . 6 m m處,但此處亦須 描述同心圓。在環氧樹脂材料已穿孔之後,位於下方之 銅箔只微不足道地受到侵蝕。 銅箔之鑽孔是以每秒2 8 9孔之速率來進行,而環氧樹 脂材料之鑽孔是以每秒2 2 0孔之速率來進行。在薄板中 形成袋孔是以每秒1 20孔之速率來進行。 例2 : 與例1不同的是:使用此種具有相同雷射參數之雷射 Π。銅箔之鑽孔此處是以每秒1 4 5孔之速率來進行,而 環氧樹脂材料之鑽孔是以每秒1 22孔之速率來進行。在 薄板中形成袋孔因此是以每秒6 5孔之速率來進行。 例3 : 袋孔形成於材料Π中 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 與例1不同的是 相互比較。 例4 : 與例2不同的是 相互比較。 例5 : 各種結果可 袋孔形成於材料Π中。各種結果可 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與例1不同的是:形成一些直徑1 〇 0 # m之袋孔。銅范 之鑽孔以每秒3 9 8孔之速率來進行,而環氧樹脂材料之 鑽孔以每秒3 8 2孔之速率來進行。在薄板中形成袋孔因 此是以每秒1 83孔之速率來進行。 例6 : 與例2不同的是:形成一些直徑1 〇 〇 # m之袋孔。銅范 之鑽孔以每秒1 99孔之速率來進行,而環氧樹脂材料之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 483790 A7 B7 五、發明說明(彳) 鑽孔以每秒2 1 2孔之速率來進行。在薄板中形成袋孔因 此是以每秒99孔之速率來進行。 例7 : (請先閱讀背面之注咅?事項翔填寫本頁) 與例1不同的是:形成一些直徑75 # m之袋孔。銅箔 之鑽孔以每秒7 5 0孔之速率來進行’而環氧樹脂材料之 鑽孔以每秒8 0 0孔之速率來進行。在薄板中形成袋孔因 此是以每秒3 00孔之速率來進行。 例8 : 與例2不同的是:形成一些直徑7 5 # m之袋孔。銅箔 之鑽孔以每秒3 7 0孔之速率來進行,而環氧樹脂材料之 鑽孔以每秒400孔之速率來進行。在薄板中形成袋孔因 此是以每秒1 5 0孔之速率來進行。 例9 : 與例1不同的是:使用一種改質之材料I ,大約1.5 Gew.%之添加物I混合至未強化之環氧樹脂材料中。對此 環氧樹脂材料之鑽孔速率可藉由雷射束已改良之吸收性 而提筒至每秒550孔。在薄板中形成袋孔之速率可提局 5 0 %至1 8 0孔/秒。 例10 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與例9不同的是:1 .5 Gew·%之添加物Π混合至未強化 之環氧樹脂材料中。各種結果可互相比較。 例1 1 : 與例9不同的是:1 . 5 G ew. %之添加物m混合至未強化 之環氧樹脂材料中。環氧樹脂材料之鑽孔速率之上升値 此時較小。 •10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 483790 A7 _B7__ 五、發明說明(9 ) 例12 : 與例9不同的是:使用此種具有相同雷射參數之雷射 Π。環氧樹脂材料之鑽孔速率可提高至每秒3 0 6孔。 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 例13 : 與例9不同的是:形成一些直徑1 〇 〇 # m之袋孔。環氧 樹脂材料之鑽孔速率是每秒95 6孔。 例14 : 與例12不同的是:形成一些直徑100# m之袋孔。環 氧樹脂材料之鑽孔速率是每秒53 1孔。 例15 : 與例3不同的是:使用一種改質之材料π,其中形成 FR4材料作爲環氧樹脂材料,其是以添加物iv之50 G e w. %之纖維來強化而不使用一般之玻璃纖維來強化。環 氧樹脂材料之鑽孔速率可提高2至2.5倍。 若不形成例1至1 5中所述之袋孔,則當然亦可形成一 些穿孔。在此種情況下,下部銅箔之鑽孔是在與上部銅 箔相同條件及相同時間耗費之情況下進行的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 481790 ______ηp〇_>r曰 S 六、申請專利範圍 第89 120228號「在薄板上進行雷射鑽孔所用之方法和裝置」 專利案 (90年12月修正) 六申請專利範圍 1· 一種在薄板上進行雷射鑽孔所用之方法,此薄板具有至 少一種金屬層及至少一層介電質層(其由有機材料所構 成)’其特徵是使用一種頻率加倍之Nd-釩(V)鹽-雷射, 此種雷射具有以下之參數: —脈波寬度< 40 ns —脈波頻率^40 KHz 用於金屬層時 ^20 KHz 用於介電質層時 —波長=532nm。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中使用一種小於30 ns 之脈波寬度。 3. 如申請專利範圍第1或第2項之方法,其中使用一種聚 焦式雷射束,其光點直徑介於ΙΟ/zm和100em之間。 4. 如申請專利範圍第3項之方法,其中使用一種聚焦式雷 射束,其光點直徑介於20//m和40//m之間。 5. 如申請專利範圍第1 1之方法,其中該有機材料中混合 一種添加物,此種添加物可良好地吸收波長532nm之雷 射束。 6. 如申請專利範圍第5項之方法,其中使用至少一種無機 染料及/或有機染料及/或至少一種可溶解聚合物之染 料及/或至少一種纖維形式之塡料作爲添加物。 7·如申請專利範圍第6項之方法,其中使用至少一種無機 483790 六、申請專利範圍 之紅色染料及/或一種有機之紅色染料及/或一種可溶 解聚合物之紅色染料作爲添加物。 8.如申請專利範圍第6或第7項之方法,其中該有機材料 中混合0.1 Gew·%至5.0 Gew·%之染料。 9·如申請專利範圍第6或第7項之方法,其中該有機材料 中混合1 Gew·%至2 Gew.%之染料。 10·如申請專利範圍第5至7項中任一項之方法,其中該有 機材料藉由添加物之混合而使得對波長532nm之雷射束 具有至少50%之吸收率。 11·如申請專利範圍第8項之方_法,其中該有機材料藉 加物之混合而使得對波長532nm之雷射束具有至少5〇弘 之吸收率。 12·如电麗專利範圍第.9項之方_法,其中該有機材料藉由添 加物之混合而使得對波長532nm之雷射束具有至少50% 之吸收率。 13«如申請專利範圍第5至7項中任一*項之方法,其中該有 機材料藉由添加物之混合而使得對波長532nm之雷射束 具有至少60%之吸收率。 14·如申請專利範圍第8 .項之方_甚,其中該有機材料藉由添 加物之混合而使得對波長53Jjim之雷射束具有至少60% 之吸收率。 15·如申請專利範圍第 9項之友_法,其中該有機材料藉 加物之混合而使得對波長53_Xnm之雷射束具有至少 之吸收率。 483790 六、申請專利範圍 16.如申請專利範圍第5 至7項中任一項之方法,其中該有 機材料藉由添加物之混合而使得對波長5 32nm之雷射束 具有至少80%之吸收率。 17.如申請專利範圍第8 項之方法,其中該有機材料藉由添 加物之混合而使得對波長532nm之雷射束具有至少80% 之吸收率。 1&如申請專利範園第9 項之方法,其中該有機材料藉由i 加i之混合而使得對波長532nm之雷射束具有至少80% 之吸收率。 19.種薄板上進行雷射鑽孔所用之裝置,此薄板具有至少一 層金屬層和至少一層介電質層(其由有機材料所構成), 其特徵爲具有一種頻率雙倍之Nd-釩(V)鹽-雷射,此種雷 射具有以下之參數: 一脈波寬度< 40 ns —脈波頻率240 KHz 用於金屬層時 ^20 KHz 用於介電質層時 —波長=532nm。 -3 -
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
TWI725638B (zh) * | 2019-09-18 | 2021-04-21 | 大陸商深圳市安元達電子有限公司 | 形成cof細密電路的方法及系統、cof及加工方法,刻製電路的系統及方法、加工電路板的方法及電路板 |
Families Citing this family (24)
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ATE242589T1 (de) * | 1999-09-30 | 2003-06-15 | Siemens Ag | Verfahren und einrichtung zum laserbohren von organischen materialien |
DE10307309B4 (de) * | 2003-02-20 | 2007-06-14 | Hitachi Via Mechanics, Ltd., Ebina | Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von elektrischen Schaltungssubstraten mittels Laser |
US7393920B2 (en) * | 2003-06-23 | 2008-07-01 | Cem Corporation | Microwave-assisted peptide synthesis |
CN100490607C (zh) * | 2004-10-09 | 2009-05-20 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 软性印刷电路板的激光钻孔系统及方法 |
TWI382795B (zh) * | 2005-03-04 | 2013-01-11 | Hitachi Via Mechanics Ltd | A method of opening a printed circuit board and an opening device for a printed circuit board |
US7605343B2 (en) * | 2006-05-24 | 2009-10-20 | Electro Scientific Industries, Inc. | Micromachining with short-pulsed, solid-state UV laser |
US7886437B2 (en) * | 2007-05-25 | 2011-02-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Process for forming an isolated electrically conductive contact through a metal package |
US8288682B2 (en) * | 2007-09-28 | 2012-10-16 | Intel Corporation | Forming micro-vias using a two stage laser drilling process |
US8663770B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-03-04 | Zin Technologies, Inc. | Bonded and stitched composite structure |
US11342256B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-05-24 | Applied Materials, Inc. | Method of fine redistribution interconnect formation for advanced packaging applications |
IT201900006736A1 (it) | 2019-05-10 | 2020-11-10 | Applied Materials Inc | Procedimenti di fabbricazione di package |
IT201900006740A1 (it) | 2019-05-10 | 2020-11-10 | Applied Materials Inc | Procedimenti di strutturazione di substrati |
US11931855B2 (en) | 2019-06-17 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Planarization methods for packaging substrates |
CN110695514A (zh) * | 2019-09-18 | 2020-01-17 | 广东工业大学 | 一种多激光复合加工层状复合材料的方法 |
US11862546B2 (en) | 2019-11-27 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Package core assembly and fabrication methods |
US11257790B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | High connectivity device stacking |
US11454884B2 (en) | 2020-04-15 | 2022-09-27 | Applied Materials, Inc. | Fluoropolymer stamp fabrication method |
US11400545B2 (en) | 2020-05-11 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | Laser ablation for package fabrication |
US11232951B1 (en) | 2020-07-14 | 2022-01-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for laser drilling blind vias |
US11676832B2 (en) | 2020-07-24 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Laser ablation system for package fabrication |
US11521937B2 (en) | 2020-11-16 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Package structures with built-in EMI shielding |
US11404318B2 (en) | 2020-11-20 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming through-silicon vias in substrates for advanced packaging |
US11705365B2 (en) | 2021-05-18 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods of micro-via formation for advanced packaging |
CN114126229A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-01 | 深圳市大族数控科技股份有限公司 | 激光钻孔方法及加工设备 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0164564A1 (de) | 1984-05-18 | 1985-12-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zur Sacklocherzeugung in einem laminierten Aufbau |
US4839497A (en) | 1987-09-03 | 1989-06-13 | Digital Equipment Corporation | Drilling apparatus and method |
JPH05237686A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-17 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | レーザー切断装置 |
JP2776211B2 (ja) * | 1993-08-26 | 1998-07-16 | 三菱自動車工業株式会社 | レーザ吸収剤塗布装置 |
US5841099A (en) * | 1994-07-18 | 1998-11-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets |
US5593606A (en) | 1994-07-18 | 1997-01-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets |
JP3343812B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2002-11-11 | 住友重機械工業株式会社 | バイアホール形成方法及びレーザ加工装置 |
JP3549646B2 (ja) * | 1995-09-30 | 2004-08-04 | トッパン・フォームズ株式会社 | 感熱接着シート及び装置 |
US6922419B1 (en) | 1996-04-10 | 2005-07-26 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Long pulse vanadate laser |
US5868950A (en) | 1996-11-08 | 1999-02-09 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Method to correct astigmatism of fourth yag to enable formation of sub 25 micron micro-vias using masking techniques |
DE19719700A1 (de) * | 1997-05-09 | 1998-11-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Sacklöchern in einer Leiterplatte |
FR2766654B1 (fr) | 1997-07-28 | 2005-05-20 | Matsushita Electric Works Ltd | Procede de fabrication d'une carte de circuit imprime |
GB2338201A (en) | 1998-06-13 | 1999-12-15 | Exitech Ltd | Laser drilling of holes in materials |
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2000
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI725638B (zh) * | 2019-09-18 | 2021-04-21 | 大陸商深圳市安元達電子有限公司 | 形成cof細密電路的方法及系統、cof及加工方法,刻製電路的系統及方法、加工電路板的方法及電路板 |
Also Published As
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CN1183811C (zh) | 2005-01-05 |
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