JPH01273684A - 分解除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、レーザ光を利用した分解除去’Ａ　ｉｔｓ
：に関し、例えば電気、電子機器に便用される多層用プ
リント基板のバイアホール形成を高速かつ良好に行なう
ものに関する。

［従来の技術］ 現在、多層用プリント基板はメツキスルーホール法な用
いて形成されているが、高密度実装方式の済及により、
［１７１を妾続のバイアホール径は小径穴が多数使用さ
れている。また、内層間を部分的に接続するインタース
ティシャルバイアホール（Ｉ　Ｖ　Ｈ）を持つものも増
加している。電子技術。

１９８７−ｆｉｌｌ、別冊第５６頁〜第６３頁に掲載さ
れているように、従来、これらの穴あけにはドリル加工
が用いられてきたが、高アスペクト比の穴に対応するに
は高度な技術が要求されており、特に大型コンピュータ
用基板等の分野では必要性があるにもかかわらず、現実
にはそれを’ｎ’Ａ足する技術が１ｉｆｆｌ　３γされ
ていなかった。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の多層用プリン（・基板おけるバイアポール形成に
おいて、以上のように確立された技術がなかった。また
、最近の１支体ｉの進歩によって、メツキスルーボール
法以外の方法で多層用プリント基板が形成されることも
可能と考えられるようになった。この方法は、ビルドア
ップ方式と呼ばれ、セラミックを１ｎいた印刷法では既
に実用化されている（金属表面技術、第３８巻、第４号
、　＋９８７．第２頁〜第１０頁参照）、シかし、セラ
ミックなどの。

（イ料では穴あけなどの後加工はＩＴ実上不可能であり
、’Ｉｊ３号の高速化という点でも誘電率に問題があっ
た。また、コストの面でも現在のメツキスルーホール法
の多層板は汎用性があり、大■生産にも向いているので
非常に不利であった。

この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、メツキスルーホール法に比べ、穴あ（Ｊに必要な時
間を大幅に減らして容易に（Ｉは小（子のバイアホール
を作成することのできる分解除去装（６をｉ′Ｊること
を目的とする。

［１保題を解決するための手段］ この発明に係る分解除去装置は、基板に第１レーザ光を
照射して基板材料を分解除去する第１レーザ光振器、基
板に第ル−ザ光と波長の異なる第２レーザ光を照射する
第２レーザ発振器、基板での第２レーザ光の反射光を検
出する光検出器、この光検出器の出力により第１レーザ
発振器の出力なｊｌｔｌ制御するレーザ出力制御１器、
および基板のし一ザ光照Ｑ＝１位置を：＆ｌＩ　（卸す
る位置制御器を備えたものである。

ｃ作／７１コ この発明における第２レーザ光歴器及び光検出器は、第
２レーザ光を発頭し、第２レーザの基板での反Ｑ＝ｌ光
を検出する。検出された反射光の項に応じて、第１レー
ザの出力を最適ｍに制（卸し、さらに基板な固定する支
持台を位置制ｉ卸器により所定の位置に移動してレーザ
照ｑ＝ｔを行なえば、短時間に鴎小径のバイアホールを
多数形成することができる６ ［実施例］ この発明の一実施例を図に茫き説明する。図面はこの発
明の一実施例による、例えばエキシマレーザを用いてＭ
膜多層基板を作成する分解除去装置を示す？１ｖ１成図
である。図において、（１）は第１レーザｆＱｔＭ器で
、例えばλ＝■９３０ｍのＡｒＦエキシマレーザ発振器
、（２ａ）は第ル−ザ発原器（１）から発頭されたレー
ザ光、（３）は基板、（４ａ）は基板（３）を固定する
支持台（４ｂ）を移動して基板（３）の位１ａを；ｔｒ
ｌＩＩＪｉ＋する位置制ｉ卸器、（５）ハ第２レーザ発
ＪＪＡ　器で、例えばλ＝　６３２．８ａｍの１ｉｅ−
Ｎｅレーザ発脹器、（２ｂ）は第２レーザ光、（２ｃ）
は第２レーザ光（２ｂｌの基板（３）からの反Ｑ・ノ光
、（６ａｌは反射光（２Ｃ）を検出する光検出器、（５
ｂ）は光検出器（６ａ）の出力により第１レーザ光振器
［１１の出力をｉｌｉ’Ｊ　ｆＪｊするレーザ出力制御
器、（７ａ）　、　（７ｂ）は集光レンズ、（８）はｒ
ＪＦ気口（９）と窓（１（Ｉａ）　、　（Ｉ［ｌｂｌ　
、　（ｌ（ｌｃ）を（Ｉｉｏａえた分解除去室である。

支持台（４ｂ）に固定された基板（３）上に形成された
絶縁層に集光レンズ（７ａ）を通し・てエキシマレーザ
（１）からの第１レーザ光（２ａ）を照射すると、レー
ザ光子は基材分子の化学結合に比べて大きなエネルギー
をもっているので、固体中の分子はますＤｉｈ起され、
高密度の励起分子が生成する。この分子の）農度は１萌
めて高く、しかも大過剰の熱エネルギーをもっているの
で、分子は開裂し、分解されて飛散する。このように第
ル−ザ光（２ａ）のエネルギーは非常に大きく、また集
光レンズ（７ａ）によって微小領域にエネルギーが集め
られるため、瞬時に絶縁層が蒸発する。その際、蒸発し
た蒸気がＩ＋１びＪ、（仮（３）などに付着しない程度
に排気口（９）から排気する必要がある。蒸発するｆｆ
ｔが残り少なくなってきても第ル−ザ発振器（１）の出
力が変わらないままであれば、基板（３）の内層回路や
側壁にダメージを与えることになる。従ってエンドポイ
ントに近ずくと第１レーザ発振器（１）の出力を１ｔｉ
ｌＪ　１ｆｆｌｌして適正な頭にしなければならない、
そこで、分解除去終了に近ずくと基板（３）の内部の回
路が露出してくるので、モニター用として第２レーザ光
（２ｂ）をｌＩ！ｉ仮（３）に照射して、この第２レー
ザ光（２ｂ）の反射光（２ｃ）の変化を読み取れば、分
解除去のエンドポイントを読み取ることが可能である。

このため、光検出器（６ａ）により反射光（２ｃ）を検
出し、この光検出器（６ａ）からの出力（ＩＣ（により
、第ル−ザ発振器（１）の出力を制御する。すなわち、
基板（３）が銅ポリイミド基板の場合、基板（３）に内
層回路の例えば泪が現われてくると、光検出器（６ａ）
において検出される第２レーザ光の反射光（２ｃ）が増
加する６その（、ｆ　Ｆ３が出力制御１１　ＰＮ　（［
ｉｂｌ　ニフィードバックされて第１レーザ発（ｆＨＸ
ｇ（ＩＩの出力を絞り、基板（３）　における除去ｍを
最適にｉｔｉ’Ｊ　ｉ卸する１次に、／、Ｉｆ反（３）
を固定する支持台（４ｂ）を位１σ制１ＩＩＩＩ器（４
ａ）により、例えば２次元的に所定の（η置に移動して
河びレーザ照射を行なえば、短時間に（セル径のバイア
ホールを多数形１戊することができる。このように、非
常に容易に極小径にバイアポールを形成することができ
ると同時に、基板（３）の内層回路等に対しても同等ダ
メージを与えることなく良りτな穴あけができる。

また、（萌小を子穴や所定の形状にこの装置を適用する
場合には、レンズ（７ａ）で集光できる径に限界がある
のでマスクを用いることが望ましい。

［発明の効果］ 以−にのようにこの発明によれば、基１反に第１レーザ
光を照射して基板（イ料を分解除去する第１レーザ光振
器、基板に第１レーザ光と波長の異なる第２レーザ光を
照射する第２レーザ介１辰器、基板での第２レーザ光の
反射光を検出する光検出器、この光検出器の出力・によ
り第１レーザ発脹器の出力をｉｌｉ’ｌ　ｆＪ（ｌする
レーザ出力１１ｉ１＋　＋１器、および基（反のレーザ
光照射位；ｎを制御する位１ζＣ制ｉ、Ｉｎ器を］ｑえ
ることにより、基板の内層回路等に対しても河等ダメー
ジを与えることなく良質な穴あけができ、さらに、穴あ
けに必要な時間を大幅に減らして容易に極小径のバイア
ホールを作成することのできる分解除去装置がｉがられ
る効果がある。

４、図面の１ｉｉｉ　ｉｔな説明 図面はこの発明の一実施例による分解除去装置を示す揚
成図である。

（１）　　・・・第１レーザ元娠盟、（２ａ）・・・第
１レーザ光、（２ｂ　）・・・第２レーザ光、（２ｃ）
・・・第２レーザ光の反射光、（３）・・・基板、（４
ａ）・・・１立置：レリ御２ｇ、（５）・・・第２レー
ザ発嵌器、（ｌＪａ）・・・光検出器、（６ｂ）・・・
レーザ出力制御器。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板に第１レーザ光を照射して基板材料を分解除去する
   第１レーザ発振器、上記基板に第１レーザ光と波長の異
   なる第２レーザ光を照射する第２レーザ発振器、上記基
   板での第２レーザ光の反射光を検出する光検出器、この
   光検出器の出力により第１レーザ発振器の出力を制御す
   るレーザ出力制御器、および上記基板のレーザ光照射位
   置を制御する位置制御器を備えた分解除去装置。