TW480514B - Method of manufacturing a glass substrate for displays and a glass substrate for displays manufactured by same - Google Patents

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480514 第891 19841號專利申請案 中文說明書修正頁(90年12月） 五、發明説明（1 )

發明領域 本發明係有關於一種製造顯示用玻璃基板的方法，及該 方法所製得之顯示用玻璃基板。 先前技藝

用於電漿顯示板（PDPs)，電子束激發顯示（包括場放射顯 示（FEDs)及表面傳導電子射極裝置（SEDs))或類似物之顯= 用玻璃基板皆係由浮式法所製備的平板玻璃製成。根據浮 式法，平板玻璃係藉將熔融玻璃漂浮於例如熔融錫浴上而 製成；該方法能可靠又廉宜地大量·製造大面積平板玻璃。 因此，浮式法適合於製造如PDPs&FEDs顯示用之玻璃基 裝 板’其需要40吋的大顯示面積（例如在pDPs時），.並大量生 產。 訂

利用浮式法製造平板玻璃時，底表面（平板玻璃之下表面） 與熔融錫在浮式浴中相接觸，而頂表面（平板玻璃之上表面） 則曝露於熔融錫之蒸汽中。結果，金屬成份以離子穿入底 表面與頂表面兩者的表面層中，形成還原不均質層。 -另方面’電漿顯示（PDPs)傳統上係藉以下方法製造： 首先’將用於前板之玻璃基板與用於背板之玻璃基板以相 互相對關係安置’然後將銀（Ag)或類似物之金屬膏及絕緣 霄施塗於這兩玻璃基板之内表面，繼之將内表面燒烤，藉 以形成銀或類似物之金屬電極_ ,介電層，間壁及螢光元件 等等。接著，將用於前板之玻璃基板與用於背板之玻璃基 板用具有低熔點之黏合玻璃密封在一起，然後將氙與氖之 -4 - 480514 第891 19841號專利申請案 中文說明書修正頁(90年12月）

五、發明説明（2 主放電氣體之混合氣體充入所得§ m 义八所仵顯不中，繼之以氣密方式 將頭TF治、封。 一般而$，金屬電極，例如銀# ^ Λ ^ 艮包極，係精成膜方法如低 / ^瑪基板《内表面以電極膜形成。然 而，在精此万法形成電極時，銀 T 銀兒極又銀組份會與存在於 玻瑀基板表面上的還原不均質屏中 1貝曰中的錫反應，而形成膠態 -屬。結果’不僅會在電極上也會在其相鄰元件上發生著 色’而破壞了電漿顯示以透明度，色平衡等等而言 性能。 因此’傳統上為了防丨k 万止在銀电極膜形成時發生著色，即 在還原不均質層上以濺鍍法，Γνη七知/丄 反古LVD或類似法形成Si〇2障蔽 以抑制銀之效應，或者倍闹1古杜 • x有便用具有特殊玻璃組成，在以浮式 法造平板玻璃時不會形成；晋盾丁 a # β 、τ 4曰Α成返原不均質層之玻璃基板。然 而’障敝層之形成有若干卩EJ韻·亡 右丁問叇·匕不但需用諸如濺鍍裝置 及CVD裝置之設備，造成製挣忐太；始a也

Ik成本及維修費用都高漲，而 且障蔽層亦非可靠到可完+阶士 I & 4 j π王防止耆色。此外，障蔽層對銀 電極之黏附力有時也不足。置冬 ^ 、 乜小足再者，當使用例如具有低鹼含 I又玻璃基板作m具有特殊組成纟玻璃基板時，尚須 進-步研⑼獲得適當低i组合物，㈣浮式t爐之玻璃 基質也必須隨著更改，導致製造成本增高。 — 因此，為防止著色，诵堂一吉4丨田 巴逋吊直利用一種精研磨將欲形成 銀電極由浮式法所製得祐途其^ >本 农讦圾埸悬Γ板又表面上所形成之還原不 均質層除去之方S，即利用研磨機磨除約10至100微米（例 如，日本公開特許公告案10-255669)。 -5-

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第891 19841號專利申請案 中文說明書修正頁(9〇年12月） 五、發明説明（3 ) 、此外，日本公開特許公告1〇_1442〇8揭示一種化學研磨方 法作為上述機械研磨方法之替代方法，其係利用過氧化氯 與氟化1-氫-2。銨之混合含水溶液浸蝕而除去玻璃表面的還 原不均質層（含锡層）。 然而，若玻璃基板之表面被上述研磨機使用氧化鈽為磨 料磨蝕時，須化至少3 〇分鐘始能磨除丨〇微米，此頗為費 時。再者，當使用奥斯卡（〇scar)研磨機時，須使用較欲磨 二板尺寸大一倍或更多倍的研磨表面板。此種大表面板 的平整度很難維持，而且再者，玻璃基板之中心部份將很 難研磨，而其周邊部份卻很容易研磨，如此將很難平均地 研磨整個基板。 同時’上述化學研磨方法也有缺點，即玻璃被浸蝕研磨 足速度太慢，亦即，約〇·5微米/分，以致需要相當長的時間 才能除去還原不均質層，因此很不經濟。再者，係使用在 反應時會變成很有活性的過氧化氫作為浸蝕劑，故浸蝕劑 並不穩定。此外，係使用氟化1-氫-2-銨之混合含水溶液作 為替代浸I虫劑，因此會在玻璃表面上輕易形成氟化物化合 物， 發明概沭 因此本發明之一目的為提供一種製造顯示用玻璃基束之 方法’其可有效又廉宜地除去至少在玻璃基板上表面所形 成的還原不均質層：及該方法嘶製得之顯示用玻璃基板。 為達到以上目的，本發明提供一種製造顯示用玻璃基板 之万法’其包含以下步驟：藉浮式法製備具有包括上表面 480514 第891 19841號專利申請案 中文說明書修正頁(90年12月）

及：表面兩表面之玻璃基板’及利用主要由氫氟酸 之次蝕劑浸蝕以自玻璃基板兩表面所形成之還原厗 除去至少玻璃基板上表面所形成之還原不均質層。=㈢ ，叙而5，在玻璃基板以浮式法形成時，會在底表f 璃基板之下表面）形成具厚度至少_微米之還原不声 及在頂表面（玻璃基板之上表面）形成具厚度至少5微米之二 原不均質層。然後將玻璃基板切成預定的大小藉以製= 示用玻璃基板。由於顯示用基板之底表面具有較大還原 均質層厚a ’且進-步’會有更多刮傷及異物黏附，故使 用具有較小還原不均質層厚度之頂表面作為形成顯示用金 屬電極之表面。 ，根據本發明《方法，不使用研磨機即可有效地自至少玻 璃基板之頂表面除去還原不均質層，且還原不均質層之除 ^僅須使用較研磨機更簡單的設備。而且，可輕易地改變 還原不均質層除去的深度。 返原不均質層較佳除去5至丨4微米之深度。 运原不均質層更佳除去6至丨丨微米之深度。 -結果，可以可靠地完全除去還原不均質層，且進一步， 正面地防止玻璃基板之表面變成粗糙。 在本發明之較佳型態中，蝕刻包含將玻璃基板浸入浸蝕 劑中。 果還原不均貝層藉由簡單的設備即可有效地自 整個玻璃基板除去。 — 雀虫刻劑之溫度較佳介於丨〇至3 〇艽之間。

五、發明說明（5 結果 可防止不均勻浸蝕而同時維持浸蝕速度於適當之 诂谅：月〈幸又佳型悲中’蝕刻包含將浸蝕劑至少喷灑在 玻瑀基板之上表面。 使用簡單的設備即可有效地自至少玻璃基板之上 表面除去還原不均質層。 一在本發明〈較佳型態中，製造顯示用玻璃基板之方法進 一步包括以黏著劑膜塗覆玻璃基板下表面以僅除去玻璃基 板上表面所形成的還原不均質層的步驟。 、口果艮P可防止因|虫刻而在底表面發生顯微刮傷，且進 步可防止玻璃基板之機械強度降低。 反蝕劑較佳包含具氫氟酸濃度1至2 5 %之氫氟酸溶液。 結果，可防止劇烈的反應而同時維持浸蝕速度於適當之 値。此外，可防止設備操作之環境惡化。 在本發明之另一較佳型態中，玻璃基板之組成，以重量 % 計，具 50 至 75% Si02，1〇 至 27% R0，1 至15% Α12〇3及 2 至 15% Na20 結果’當玻璃基板於浮式浴浸蝕時，其可具有平整平表 面’且可除去還原不均質層而同時保持玻璃基板之平滑.表 面。 此外’本發明提供一種顯示用玻璃基板，其製造係藉製 備具有包括上表面及下表面兩表面之玻璃基板，及利用主 要由氫氟酸所組成之浸蝕劑浸蝕以自玻璃基板兩表面上形 成之還原不均質層中除去至少玻璃基板上表面上所形成之 8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) tr--------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480514 A7 五、發明說明（ 還原不均質層。 結果’可以低成本提供一種具有 m ^ ^ ^十滑及平整表面之顯示 用玻瑀基板。 · 車父佳爲僅除去玻璃基板上表面所形 _ I〜战的返原不均質層。 結果，可提供一種僅除去頂表面所 么w 形成的還原不均質層 的顯示用玻璃基板。 g 較佳爲玻璃基板之組成，以重晋。/ /()计，具 50至75% Si02， 10至27% R〇，1 至i5% 八12〇3及2至15% Ν^〇。 結果，當玻璃基板於浮式浴浸蝕時，其可具有平整平表 面’且可除去還原不均質層而同時保持玻璃基板之平滑表 面0 此外’藉以上方法製造之根據本發明之顯示用玻璃基板 可用於電漿顯示板。 結果，可提供一種適用於電漿顯示板之玻璃基板。 本各月之以上及其他目的，特點及優點從以下配合隨附 圖式之詳細説明中，將更爲明白。 一 - 、附圖之簡要説曰& ΪΜ爲根據本發明一具體例之顯示用玻璃基板之剖面圖； 圖2Α及23爲概略圖，係用於解說浮式法製得之玻璃基 板，根據本發明方法之一具體例，如何浸入浸蝕劑中以除 去還原不均質層，其中： 圖2 Α爲顯示浸蝕劑侵入裝置之構型之軸向剖面圖；及； 圖2 B爲顯示相同裝置之構型之橫向剖面圖； 圖3 A及3 B爲概略圖，係用於解説浮式法製得之玻璃基 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽χ 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------·•線_ 經濟部智慧財員工消費合作社印製

第891 19841號專利申請案 中文說明書修正頁(9〇年12月） 五、發明説明（7 ) 板，根據本發明方法之另—具鱗 除去還原不均質層，其中·· 一把，，如何以浸蝕劑噴灑以 圖3 A係顯示'玻璃基板懸掛 圖；及 又蚀^貧躧裝置之支撐槔之 圖3 B係顯示玻璃基板及噴嘴之圖· 圖4為概略圖，係用於解說 本發明方法之又一具體例，如：::，璃秦板，根據 不均質層；及 又刈噴灑以除去還原 圖5為一曲線圖，顯示利用 量玻璃基板B頂表面附近存在之^子/罐儀（SIMS)方法剛 ^長<錫（以）之濃度之結果。 明本發明現將參照顯示其較佳具體例之附圖加以詳細說 為入達到以上目的，本發明人等進行過廣泛研究並得到— :二，若利用主要由氫氟酸所構成之浸触劑浸蚀可自 /于式法“《玻璃基板上所形成的還原pm巾 至少玻璃基板頂表面上所形成的還原不均f層日f，即可= :研磨機而有效地自玻璃基板頂表面除去至少該還原不均 貝層且除去堪原不均質層所用的設備較研磨機更簡單。而 且，據發現，可輕易改變還原不均質層除去之深度。— 本發明係根據於以上發現。 現將參照附圖詳細說明根據—本發明一具體例之顯示用 璃基板之製造方法。 圖1為根據本發明一具體例之顯示用玻璃基板之剖面圖。 -10-

本紙張尺度適财@ @家標準(CNS) A4規格(21G x 297公爱) 第89119841號專利申請案 中文說明書修正頁(90年12月)

在圖1中，數字2G代表具有頂表面，其上形成金屬電極 2 1之玻璃基板。 用於根據本發明-具體例之製造方法製造顯示用玻璃基 板之玻璃基板係藉浮式法製得。根據浮式法，平板玻璃係 由溶融玻璃漂浮於少容融锡浴上而製成。纟平板玻璃以此浮 式法形成時，玻璃基板足下表面（底表面）即與熔融錫浴接 觸，而玻璃基板足上表面（頂表面）則曝露於含有錫蒸氣之 還原氛圍中。結果，具有厚度至少1〇〇微米之還原不均質層 (含錫）即在底表面形成，而具有厚度至少5微米之還原不均 質層（含錫）則在頂表面形成。將如上製得之平板玻璃切成 預定大小即得顯示用玻璃基板。 由於以上顯不用基板之底表面因此具有較大還原不均質 層厚度，且此外，會有更多刮傷及異物黏附，故發現具有 較小還原不均質層厚度之頂表面係形成顯示用金屬電極之 適當表面。 另一方面，如前所述，電漿顯示（PDPs)傳統上係藉以下 方法製造·首先’將用於前板之玻璃基板與用於背板之玻 璃_基板以相互相對關係配置，然後將銀（Ag)或類似物之金 屬霄及絕緣霄施加至這些玻璃基板之内表面，繼之將内表 面燃燒’藉以形成銀或類似物之金屬電極，介電層，間 壁，及螢光元件等等。接著，將用於前板之玻璃基板及用 於背板之玻璃基板用具有低溶—點之黏合玻璃密封在一起， 然後將氙與氖主要放電氣體之混合氣體充入所得顯示中， 繼之將顯示以氣密方式密封。 -11 - 480514 第891 19841號專利申請案 中文說明書修正頁(9〇年12月）

發明説明（9 ) 也如前所述，一般而言，金屬電極 成膜方法如低廉之篩網印刷法以電·： = :、，係藉 面形成。然而'，在以此方法形成電極時，=板… 會被玻璃基板表面之還原不均質層（ 2之銀组份 學反應式所表示，而形成膠態金屬。; 如以下化 電極也會在彼等之相鄰組件發生： 色不僅曰在 2Ag++ Sn2+-> Ag (膠體）+ Sn4+ 此將破壞電漿顯示以透明度，色平 、 能。 等等而5 <顯示性 因此，根據本發明，為防止在鈒兩 ^ ^ m . ’’兒極膜形成時著色，以 裝 子備欲在其上形成銀電極之破璃基板之表面所形成 足达原不均質層必須在下述條件下浸蝕除去。 圖2 A及2B為概略圖，係用於解說浮式法製得之玻璃基 訂 板：根據本發明方法之一具體例’如何浸入浸蝕劑中以除 去還原不均質層。 在圖2A及2B中’編號1代表裝滿主要由氫氟酸溶液所组 成之浸蚀劑2之浴。眾多以浮式法製得之玻璃基板3以直立 式浸入浸I虫劑2中。 ,較佳藉由蝕刻除去玻璃基板3之還原不均質層5至丨4微 米，更佳6至1 1微米之深度。若深度為5微米或更少，則整 個還原不均質層將幾乎不完全除去。另一方面，既使還原 不均貝層被除去1 4微米以上t著色之抑制效果也不會進一 步增強，反而是玻璃基板3之表面會變成粗糙，此非所欲。 /文姓劑2之較佳溫度為介於1 〇它與3 〇 t之間。浸蚀劑之 -12- 480514 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（10 ) 溫度較佳宜高，由於浸蝕速度會提高，故不均質層可很快 除去所欲之量。然而，若溫度超過3 〇。〇，則由於玻璃基板 3之表面在玻璃基板3自浸|虫劑2取出之後會乾燥之故，很 可能在玻璃基板3之表面發生浸蝕不均。 浸触劑2較佳係由具有氫氟酸濃度1至2 5 %之氫氟酸溶液 所組成。同時’較佳氫氟酸浸蝕劑應含有硫酸溶液，硝酸 溶液或醋酸溶液之至少一種。 再者，玻璃基板3之組成，以重量％計，較佳爲5〇至75% Si02, 10 至 27〇/〇R〇, 1 至15%Al2〇3 及2至15〇/〇心2〇。 以上玻璃基板3之組成之限制，理由如下（以下％皆爲重 量％):

Si〇2係當作爲玻璃之骨架形成體，其較佳含量爲5〇至 7 5 %。若Si02含量少於5 0 %，玻璃之歪力點（strain p〇int)會 降低，導致在電漿顯示製造過程中之熱處理時，玻璃基板 之熱收縮會增加，而不利地引起玻璃基板3表面形成之圖案 對不準。另一方面，若Si〇2含量多於75〇/〇，則玻璃基板之 熱膨脹係&會降低’致容易發生翹曲，因爲基板之熱膨脹 係數與顯示所用之絕緣貧及密封玻璃料等等之熱膨脹係數 不同。 R〇（MgO，CaO，SrO，BaO)可保進破璃之熔解，同時具 有調節玻璃熱膨脹係數的作用。其較佳含量爲丨〇至2 7 %。 若R〇（Mg〇，CaO，SrO，BaO)含量少於1〇%，玻璃之歪力 點會降低，致在電漿顯示製造過程時破璃基板會變成很容 易變形。另一方面，若RO含量多於27%，則玻璃將變成很 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------.·線· -13-

480514 第891 19841號專利申請案 中文說明書修正頁(9〇年12月） 五、發明説明（彳彳)~ 客易失透，並變得很難用浮式法形成。

Al2〇3可用以提鬲破璃之歪力點，且其較佳含量為1石 1 5 %。若Al2〇3含量少於i %，歪力點將變得太低，而若 Al2〇3含量多於1 5 %，則熱膨脹係數將變得太小。

NhO可用以調節熱膨脹係數。若其含量少於2% ,則熱膨 脹係數將變得太小，而若NkO含量多於丨5 %，歪力點將變 得太低。 除以上組份外，玻璃可進一步含有其量不致破壞坡璃性 質炙其他兀素：明確言之，Zr〇2以改良化學耐久性，u〇2及 K2〇以調節熱膨脹係數，及C1，s〇3, Sn〇2或類似物作為脫泡 劑。 在上述具體例中，玻璃基板3表面上的還原不均質層係藉 將玻璃浸入浸蝕劑2中而除去。然而，如圖3所示，浸蝕劑 可藉嘴嘴13噴灑於以掛環11懸掛於固定支撐桿1〇之玻璃基 板1 2之一面。既使此一替代具體例也可獲得與上述具體例 相同的效果。 再者’如圖4所示，浸蝕劑可藉滾筒3 〇上方提供之浸蝕劑 賣-灑集管3 2 1灑於以滾筒3 〇輸送之玻璃基板3 1之頂表面。 此一替代具體例也可獲得與上述具體例相同的效果。 實例 接著，將說明本發明之實例。 表1顯示根據本發明實例之—玻璃基板A及B之組成及性 質0 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格

裝 訂

480514 A7 --_____B7 五、發明說明（12 ) 表1

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 玻璃基板A具有高歪力點575。(：，與具歪力點5〇(rc之玻璃 基板B比較，玻璃基板a在經熱處理時顯示較小熱收縮。玻 璃基板A及B都不易失透，因爲兩種玻璃都具有低於 之液相溫度。玻璃基板A&B都顯示熱膨脹係數在85至86>< 10 7/Ci範圍内，其與絕緣膏及密封玻璃料者相當，而使得 基板適用於電漿顯示板。 表1歪力點之値係根據ASTM C336-7 1測量玻璃基板A&B 之歪力點而得。玻璃液相溫度之値係在具顆粒大小爲297至 5 00微米之玻璃粉末置於白金船中並於溫度梯度爐内保持48 -15- 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21Q χ 297公髮） π裝--------訂--------·-線〕 480514 A7 ____B7_____ 五、發明說明（13 ) 小時後，觀察失透之存在而得。再者，熱膨脹係數之値係 利用膨脹計於溫度30至380°C之間測量玻璃之熱膨脹係數之 平均値而得。 接著，將表1之玻璃基板A及B各浸入圖2所示浸蝕裝置内 之浸蝕劑2中，藉以除去玻璃基板A及B底表面及頂表面上 的還原不均質層。 在本發明之實例中，如表2所示，浸蝕劑2之氫氟酸之濃 度（HF濃度），在處理溫度爲15°C時，係設定於50%，25%， 10%，2%及0.5%，而在處理溫度3 0 °C時，則設定於25%， 10% 及 2%〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表2 HF之濃度（％) 處理溫度(°C) 浸蚀速度 (μιη/min) 浸蝕處理結果 50 15 72 強型反應 25 15 13 佳 一 10 15 2.2 佳 2 15 0.6 佳 0.5 ~ 15 0.05 長處理時間 25 30 200 佳 10 30 30 佳 2 30 1.0 1Γ /冗I虫處理之結果係以浸触速度（.微米/分）評估而得評估結 果如表2所不。從表2可看出，當氫氟酸濃度爲5〇% (處理溫 度：15°C)時，發生很強烈的反應，而在濃度爲〇 5%時（處 理溫度=15。〇，則處理所費時間太多。因此，氫氟酸之濃 度較佳在1至2 5 %，更佳在2至2 5 %之範圍内。 -16- 本紙張尺度適用中_家標準（CN^規格（ χ挪 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480514 A7 B7_;__ 五、發明說明（14 ) 以浸姓劑2而言，硫酸溶液可加至氫敦酸溶液中。表3顯 示浸蝕處理之結果，其中硫酸濃度50%，20%及10%之硫酸 溶液係加至氫氟酸濃度0·5%至2 5 %之氫氟酸溶液中。 表3 濃度(％) 處理溫度（°c) 浸姓速度 浸蝕處理結果 (μηι/min) HF h2so4 25 50 15 11 佳 10 50 15 2 佳 2 50 15 0.8 佳 0.5 50 15 0.1 佳 25 20 15 10 佳 —10 20 15 2 佳 2 20 15 0.9 佳 0.5 20 15 0.1 佳 25 10 15 10 佳 10 10 15 2 佳 2 10 15 0.3 佳 0.5 10 15 0.1 佳 在每一情形中，都可實質除去錫而仍維持平滑之表面。 再者，以浸蝕劑2而言，硝酸溶液可加至氫氟酸溶液中。 表4顯示浸蝕處理之結果，其中硝酸濃度2 0 %及1 0 %之硝酸 溶液係加至氫氟酸濃度0.5%至2 5 %之氫氟酸溶液 -17- 未紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------\------裝-丨------訂--------·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480514

第891 19841號專利申請案 中文說明書修正頁(90年12月） PJ 一 _ B7 五、發明説明（15 ) 浸蝕速度 (μπι/min) 浸蝕處理結果

在每一情形中，都可實質除去錫而仍維持平滑之表面 圖5顯示，利用二次離子質譜儀（SIMS)方法，測量玻璃基 板B頂表面附近存在之錫（Sn)之濃度之結果。根據方 、、且成之刀析係在玻璃基板之表面以氬氣錢射切割之同 時計數N a離子之數目而進行。 ，。圖5可看出，錫在玻璃基板；6表面中之含量為〇 〇4至〇 〇5 重量％，而在距表面6微米之深度時，鍚含量為0.005重量％ (被視為背景基準”之值，其係指分析裝置之檢測極限）且 可㈣為幾乎無錫存在。錫滲透及擴散進人玻璃基板6之程 度係藉以下因素測纟’如玻璃置於利用浮式法之平板 製造裝置之溶融錫浴時之黏度，玻璃之組成及錫之量/ 在蝕刻頂表面足前，每_基_板都在其底表面塗覆由聚乙 缔、，，聚或類似物所製成之黏著劑膜。然後，使玻璃基 板進仃/又蝕。底表面通常有無數眼睛看不到的顯微刮傷， -18- 第891 19841號專利申請案 中文說明書修正頁(90年12月） A7 B7 五、發明説明（16 ) 因為底表面在自浮式法之平板製造裝置之熔融鍚浴取出 後，在通過冷卻步驟或改切步驟時係藉滾筒輸送之故。然 而，以黏著劑膜塗覆底表面時，即可防止顯微刮傷在以氫 氟酸浸蝕時在寬度及長度上都加大。 浸蝕之後，將基板洗滌以剝除黏著劑膜。 接著，利用氫氟酸濃度5 %之氫氟酸浸蝕劑，將玻璃基板 A及B之表面浸蝕至各種深度。然後，在浸蝕之表面上以絹 網印刷方法印刷間隔為約1毫米，具寬度為約1毫米之銀 膏，繼之在550°C下熱處理1小時以形成銀電極膜。觀察所 得玻璃基板之著色狀況。 每一基板藉浸蝕除去之表面之深度與銀電極之著色之間 的關係顯示於表5。 … 表5 距表面深度（μιη) 玻璃基板A 玻璃基板B 2 赤褐色著色X 赤褐色著色X 5 無著色〇 淡褐色著色△ 6 無著色〇 無著色〇 11 無著色〇 無著色〇 14 無著色〇 無著色〇 17 無著色〇 無著色〇 著色之程度係由未形成銀電極之一面透過玻璃基板觀看 以觀察銀電極之著色狀況而評估。觀察之結果以三級表 示，〇（無著色），△(稍微著及X (著色），其中等級〇及 △係指玻璃基板實際可用於PDPs之等級。 根據表5，得知當玻璃基板A及B浸蝕而除去6微米或更多 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 480514 480514 17 五、發明說明（ 之木度時K可-基板都未顯示著色；纟璃基板A在除去5 微米之深度時未顯示著色，然而，玻璃基板b在除去相同深 度時則顯π稍微著色，而當表面除去2微米之深度時則兩種 玻璃基板Α及Β皆顯示明顯著色。 從這些數據可推斷玻璃基板上所形成的還原不均質層具 有平均厚度介於5微米與6微米之間。 再者’頂表面除去6微米深度之表i中玻璃基板…然後 以頂表面向内之相互相對關係、配置。接著，在這些玻璃基 板之内表面施塗銀膏及絕緣膏，繼之將内表面燃燒以形成 銀電極，彳電層，間壁及螢光元件等等。然後，以具有低 熔點之黏合玻璃將玻璃基板密封在—起，並將氙血氙主放 電氣體之混合氣體充入所得顯示以製備作爲放電測試装置 之電漿顯示。 然後，操作如此製得之測試裝置以獲得具有優異透明度 及色平衡之圖像。 ' -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 ΐ· 一種製造顯示用玻璃基板之方法，包含以下步驟： 以浮式法製備具有包括上表面及下表面兩表I之玻璃 基板；及 利用主要由氫氟酸所構成之浸蝕劑浸蝕，以自該玻璃 基板兩表面所形成之還原不均質層中，除去至少該玻璃 基板上表面所形成之還原不均質層。 '2.如申請專利範圍第丨項之方法，其中該還原不均質層係 除去5至14微米之深度。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該還原不均質層係 除去6至1 1微米之深度。 4. 如申請專利範圍第丨至3項中任何一項之方法，其中該浸 蚀包含將該玻璃基板侵入該浸餘劑中。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該浸蝕劑之溫度爲 介於10至3 0°C之間。 6·如申請專利範圍第丨至3項中任何一項之方法，其中該浸 蚀包含將該浸蝕劑喷灑於至少該玻璃基板之上表面。 7·如申請專利範圍第1至3項中任何一項之方法，進一步包 括以黏著劑膜塗覆该玻璃基^下表面以僅除去該玻璃基 板上表面所形成之還原不均質層之步驟。 8.如申請專利範圍第1至3項中任何一項之方法，其中該浸 蚀劑包含具有氫氟酸濃度爲1至2 5 %之氫氟酸溶液。 9·如申凊專利範圍第1至3項中任何一項之方法，其中該玻 璃之組成，以重量％計，具5〇至75% Si〇2，1〇至27% RO，1 至15% Al2〇3及2至15% Na2〇。 21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480514 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ίο· —種顯示用玻璃基板，其係藉由以下製造：以浮式法製 備具有包括上表面及下表面兩表面之玻璃基板；及利用 主要由氫氟酸所構成之浸蝕劑浸蝕，以自該玻璃基板兩 表面上所形成之還原不均質層中，除去至少該玻璃基板 上表面所形成之還原不均質層。 11·如申請專利範圍第1 〇項之顯示用玻璃基板，其中僅該玻 璃基板上表面所形成之還原不均質層經除去。 、12.如申請專利範圍第丨〇或丨丨項之顯示用皮璃綦板，其中 該玻璃之組成，以重量％_·，具5〇至75% si〇2, 1〇至27% RO，1 至15% Al2〇3及2至 15% Na20。 13.如申請專利範圍第10項之顯示用破璃基板，其係用於電 漿顯示板。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----- .線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）