TW478082B

TW478082B - Contactor having LSI-circuit-side contact piece and test-board-side contact piece for testing semiconductor device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TW478082B
Application number: TW089127408A
Authority: TW
Inventors: Shigeyuki Maruyama; Hirohisa Matsuki
Original assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2000-03-22
Filing date: 2000-12-20
Publication date: 2002-03-01
Also published as: DE60035667T2; JP4323055B2; EP1136827A2; KR100691680B1; KR20010092660A; US20010024890A1; DE60035667D1; CN1314703A; US7240432B2; JP2001266983A; US20050225342A1; US6939142B2; EP1136827B1; EP1136827A3; CN1204612C

Description

478082 ^___I__ 經濟部智慧則產局P'工消费合作社印製 A7 B7 發明說明（1 ) 本發明之背景資斜 1·本發明之技術領域本發明大致上係有關於一種用以測試半導體元件之接觸器’並且更特別係有關於一種用以測試含有精細端子 (fine terminals)或以精細間距（fine pitch)排列的端子的大型積體電路（LSI circuit)的接觸器，以及其製造方法。在半導體元件（例如大型積體電路）製造程序中測試該半導體元件時’是使用接觸器電性接觸該大型積體電路的知子。在測试具有連接插槽（c〇nnecti〇n s〇cket)的習知半導體元件時，該插槽可被當成接觸器。但是，以尚未封裝的赤裸晶片或CSP(晶片尺寸封裝，Chip Size Package)形式被測試的大型積體電路（例如所謂的良裸晶KGD，Known Good Die)並沒有插槽。因此需要為這類大型積體電路準備測試用的接觸器。近來已發展晶圓級封裝（wafer-level packaging)技術，並允許封裝晶圓形式之半導體晶片。這使得晶圓形式的多數半導體元件的測試是需要的。因此本發明欲開發低成本、容易製造，以及方便於測試的測試接觸器。 2·相關技術之說明使用接觸器的測試有預燒測試（burn-in test)，和如高速測試（high-speed test)的終端測試（finai test)。由於預燒測試過程需要一段長時間，因此在晶園級測試時，晶圓上所有的大型積體電路必須同時測試。為了達成此目的，晶圓上所有的大型積體電路的端子必須和探針本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发） ---------------------^---------^ 1^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 478082 A； B7 五、發明說明（㈣be)接觸’而與探針連接的導線需伸出測試板（預燒板）之外。這類的預燒板有數萬個端子。 ^--- 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於在預燒測試時大型積體電路會置於高溫中（範圍由攝氏125度至15G度），因此測試接觸器需有高抗熱性。依循慣例很難製造符合這些需求的接觸器，而且即使可製造出此接觸器，其代價可能非常高且壽命不長。為了執行晶圓形式的高速測試為終端測試，接觸器的探針必須短小。也就是說，由於探針的長度和接觸器的阻抗（impedance)大致上成正比，因此高速測試不能用具有長探針的接觸器來執行。所以高速測試使用的接觸器的探針需愈小愈好。由於為了在預燒測試時同時測試多數半導體元件，許多的探針需被緊密排列。依循慣例很難製造出符合這些需求的接觸器，而且即使可製造出此接觸器，其代價可能非常南。 --線經;§部智.^財產局8-工消^-、合作社印製第1圖為使用異方性導電彈性體（anisotropic conductive elastomer)的習知接觸器之橫截面圖。在第】圖中所不的接觸器使用異方性導電橡膠2為異方性導電彈性體。疏異方性導電橡膠2是沉積在被測試的大型積體電路6 和測5式版8之間。該測試版§含有電極，並將會電性連接至大型積體電路6的端子6a。薄膜（membrane)4是被沉積在異方性導電橡膠2和大型積體電路6之間，以確保異方性導電橡膠2接觸大型積體電路6的端子6a。因此，若可確定彼此有接觸，該薄膜則不是本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公釐）經濟部智-u?財產局員工消費合作社印製 478082 A7 ----B7 五、發明說明（3 ) 必要的。另外，雖然第！圖顯示大型積體電路6的端子仏形成在凹陷部份，但不必然如此，端子6a也可形成在平面表面上。異方性導電橡膠2中含有多個導電部份2b和其餘的絕緣部份2b。大型積體電路6的每個端子6a電性接觸所對應的電極8a。在此結構中，異方性導電橡膠2的彈性可確保大型積體電路6的每個端子6a和所對應的測試版8的電極8a之間的接觸壓力。以上所提及使用異方性導電橡膠的接觸器的結構簡單，並且常被用在習知的晶圓級測試中。異方性導電橡膠的好處是有小的電感值（inductance)。而且，當異方性導電橡膠退化和損壞時可單獨替換，而並不需要替換測試板。除了以上所提及使用異方性導電物質的接觸器外，還有另一種使用彈性型態接觸針（spring-type contact pin)的接觸器。第2圖是使用彈性針的習知接觸器部份的側視圖。第2圖中所示的接觸器含有於測試板12上作為探針（接觸針）的彎曲導線1〇。辉線（bonding wire)(如金線）被用作為導線10。導線10是用銲線機（wire bonder)形成。具體地說，在導線10—端銲接至測試版12的電極12a後，導線10被切斷並且彎曲如第2圖所示。彎曲的部份使得導線1〇可在垂直測試板12平面的方向彈性變形（deform elastically)。將導線1〇的另一端壓至大型積體電路6的端子6a，並利用導線1〇的彈性變形（elastic deformation)將導線10確定接觸端子6a。在以上所提及使用彈性針的接觸器中，導線1〇(探針）本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） 6 -I I I I I I I « — — — — — — I— I 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) € 478082 A7 B7 五、發明說明（4 ) 經濟智產局消費- 社印製的見範圍彈性變形（由100仁111至300 em)可給予有足夠的接觸壓力。另外，即使許多導線10的高度有某些差異，每個導線10也可確定接觸所對應的端子6a。並且，導線1〇的耐久性比異方性導電橡膠好，並可重複使用大約十萬次。又，若將導線10放置在如預燒測試中的高溫狀態，導線1〇並不會因此退化。另一種習知接觸器的例子是懸臂式探針卡（cantilever probing card)。懸臂式探針卡含有如鎢（tungsten)的物質組成的探針。該探針傾斜於測試板表面上。該探針比以上提及的彎曲導線來得大，並是為了提供探針本身柔韌性。也就疋說，傾斜排列方式和此探針的柔韌性可給予足夠的彈性，以確定有接觸壓力。以上所提及使用異方性導電物質的接觸器有以下問題待解決：（1)彈性變形範圍狹小；以及（2)耐用性不高。 (1)彈性變形範圍狹小的問題厚度為200 m的異方性導電橡膠的彈性變形範圍狹小，大約由25/z m至1〇〇以m。因此，若大型積體電路含端子表面不夠平坦，彈性變形的狹小範圍並不能確保接觸。因此，大型積體電路必須要使用具有很平坦的表面但昂貴的基座，例如陶瓷基座（ceramic substrate)或玻璃基座 substrate)。另外，若這類的大型積體電路是使用大銲錫珠 (solder ball)的晶圓級CSP，由於在晶圓上的銲錫珠高度彼此相異大約100//m，而使得異方性導電橡膠不能確保接觸0 --------------裝--- (請先閱讀背面之i意事項再填寫本頁) 線·

經濟部智慧財產局8工消費合作社印剔私 478082 A7 B7 --—----- 五、發明說明（5 ) (2)耐用性不高的問題在高溫狀態中，異方性導電橡膠非常容易退化，並且不能承受重複的接觸。特別是在如預燒測試的高溫狀態中 (由攝氏125度至150度），基礎橡膠會經歷塑形變形 deformation)而使得不能重複被使用。為此情况時，退化的異方性導電橡膠可單獨替換，且不需替換測試版。但是，一塊為晶圓尺寸的異方性導電橡膠價值數萬曰幣，因而提高了晶圓測試成本。以上所提及使用彈性針的接觸器有以下的問題待解決：（1)特別高的製造成本；以及（2)無法替換的接觸針。 (1) 特別高的製造成本的問題如第2圖中所示的彎曲接觸針是用焊接器一個接一個形成的。所以，形成的探針數量越多，接觸器的製造成本會越南。晶圓級大型積體電路有時會有50,000端子。在此狀況下，接觸器也相對地需要有50,000個探針。另外，接觸器的壽命目前縮短至大約1 80天，必然也因此限制了在冗長的預燒測試中重複使用接觸器的次數。例如，若預燒測試每晶圓需要24小時（一天），接觸器只可被使用大約18〇次左右。所以，用於晶圓的接觸器的折舊費用會非常地高。因此，這類的接觸器不可能實際被使用。 (2) 無法替換的接觸針的問題即使只有一支接觸針（探針）損壞而不能使用，整個接觸器也會變得不能使用。事實上，在大型積體電路測試中，很難避免接觸針在預燒測試中被閉鎖（latch-up)(電流過量）本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------.%------- 丨訂---------線—^1^· (請先閱讀背νέ之注意事項再填寫本頁) 478082 J—i 經濟部智^^7產局^'工消費合作社印製 A7 B：五、發明說明（6 ) 燒毀或被機械性震盪損壞。但是，由於接觸針直接焊接至測試板的電極，很難只將損壞的針由其他針之中取下，重新形成新的針。因此，即使只損失一支針也可能導致破壞整個接觸器，而造成巨大的財務損失。 1 同樣地，懸臂式探針卡有一個問題待解決：高阻抗。懸’式操針卡的探針通常被形成長度2〇mm至30mm，以獲得一些彈性變形。一般而言，長度2〇至3〇mni的針會有 20至3〇1111(1^11〇1^111^5，奈亨利）的阻抗，也因此使得整個抵針卡會有高阻抗。使用具有高阻抗的探針卡無法執行高速測試。例如，設計用以執行大約2〇至30MHz運算的元件可用長度20至30mm的針測試，並且不會有問題。但是，設計用在高於200MHz運算的高速元件不能在高速中測試，因為懸臂探針卡有高阻抗。本發明之概要說明本發明大致的目的就是提供經改良並有實際用途之用以測試半導體的接觸器，並解決以上提及的接觸器的問題。本發明特定的目標是提供用以測試半導體的接觸器，當該接觸器用在晶圓級預燒測試時：（1)是低成本並且可含有許多探針；（2)探針損壞時可單獨被替換，不需替換其他接觸器；以及（3)有高抗熱性和有使用數百次的機械壽命，當該接觸器用在終端測試時··（1)可承受高速測試，由於其探針短小；（2)探針損壞時可單獨被替換，不需替換其他接觸器，本發明並提供該接觸器之製造方法。為了達成以上提及的目標，依據本發明其中一方面，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^--------^--------- (請先閱讀背面之;i音？事項再填寫本頁) 9 478082 五、發明說明（7 提供介於半導體元件和測試板之間，並將該半導體元件電性連接至測試板的接觸器，其包含有：一個絕緣基座；和一個用絕緣層上的導電層所形成的接觸電極，該接觸電極包含有接觸半導體元件的端子的第一接觸片（first contact piece)、接觸測試板的電極的第二接觸片（sec〇ncl contact piece)以及電性連接該第一和第二接觸片的連接部份(connecting portion) 〇 ▲ 依據本發明，該接觸片是用絕緣層上事先準備好的導電層所形成的，並接觸半導體元件和測試板。因此，使用傳統製造半導體元件的技術，可同時在絕緣基座上形成許夕接觸電極。並且由於導電層的彈性提供了每個接觸片接觸壓力，所以可形成一種具有簡單結構的低成本接觸電極。另外，該接觸片並沒有焊接至測試板，而只是在測試時接觸測試板的電極。所以，當接觸電極損壞時，只有接觸益需要破替換。又，該用導電層形成的接觸器有寬範圍的彈f生隻形，所以接觸電極的長度可更短。這使得半導體元件在測試時可在高速執行。濟部智慧財產局員工消 t 合作社印製另外，在本發明中，接觸器也可包含在位於絕緣基座形成接觸電極的位置上的開σ,經由此_,第一和第二接觸片自絕緣基座的一表面延伸至另一表面。依據本發明，因為第一和第二接觸片經由此開口自絕 j基座的-表面延伸至另_表面，而使得該接觸器結構簡單並可使接觸片延伸至絕緣層二個表面。 1本纸張尺度3財_家標準（cns)A4^^χ视公^ 478082 經濟部智-n,?財產局P/工消f-合作社印製

7; A7 發明說明（8 ) 另外，依據本發明的接觸器中，第一接觸片和第二接觸片可彼此分開放置，並且連接部份可電性連接該第一接觸片和該第二接觸片，形成具有預定形狀的相互連接圖案 (interconnection pattern)。依據本發明，由於第-接觸片和第二接觸片形成相互連接圖案，該第二接觸片可形成在任何位置。這使得排列第二接觸片時有更大的自由空間，也因此使得排列第二接觸片所接觸的測試板電極時有更大的空間。另外’在依據本發明的接觸器中，第一接觸片和第二接觸片都可被放置使其縱向方向（longitudinal directi〇n)與絕緣基座中心的半徑方向（radiai direeti〇n)對齊。依據本發明，第一接觸片和第二接觸片都可被放置使其縱向方向（longitudinal direction)與絕緣基座中心的半徑方向（radial direction)對齊。這使得該接觸器、半導體元件和測試板在經熱膨脹時，可避免接觸片的尖端由半導體元件的端子脫離，或由測試板的電極脫離。為了達成以上提及的目的，提供了依據本發明另一方面的接觸器製造方法，其中接觸器被放置在半導體元件和測試板之間並電性連接該半導體元件至該測試板，此方法之步驟包含有：在絕緣基座上形成導電層；將導電層加以處理成為接觸電極，並包含有接觸半導體元件端子的第一接觸器、接觸測試板電極的第二接觸器和電性連接該第一接觸片和第二接觸片的連接部份；以及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公爱） ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 478082 五、發明說明（9 濟部智 4. 財產局消 t 合作社印製將第一接觸片朝絕緣基座第一表面的方向弯曲預定的角度，以及將第二接觸片朝與絕緣基座第一表面相反的第二表面方向彎曲預定的角度。依據本發明，接觸器是用絕緣層上事先預備的導電層所形成的，並接觸半導體元件和測試板。所以，使用傳統製造半導體元件的技術，可同時在絕緣層上形成許多接觸電極。另外，反方向彎曲的兩個接觸片和導電層的彈性提供了接觸片接觸壓力。因此可形成具有簡單結構的低成本接觸器。另外，該接觸片並不焊接至測試板而只在測試時接觸測試板電極。因此，當接觸電極損壞時，只有接觸器需被替換。該用導電層形成的接觸片尚可提供寬範圍的彈性變形，並因此使得接觸電極可更為短小。這使得半導體元件在測試中可在高速執行。另外’在依據本發明的方法中，形成導電層的步驟可包括將導電物質構成的薄膜物質形成在絕緣基座表面之上的步驟；和處理步驟包括將形成在絕緣層上的該導電層部份移除，以形成第一接觸片、第二接觸片和連接部份。依據本發明，該導電層是用如銅片（copper plate)或銅箔（copper foil)的薄膜物質形成在絕緣基座上所形成的。該導電層可輕易地被處理並用如蝕刻（etching)的方法形成接觸電極。另外’在根據本發明的方法中，形成導電層的步驟可包括將導電物質沈積在絕緣基座的表面上以形成導電層的本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）

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绥濟部智丛財產局^:工消費合作社印製

外/_2 五、發明說明（10 ) 步驟；和處理步驟可包括將沈積在絕緣基座上的導電層部份移除以形成第一接觸片、第二接觸片和連接部份的步驟。根據本發明’該導電層是用如錢錢（sputtering)或沈積的方法沈積導電物質於絕緣基座上所形成的。該導電層可輕易地被處理，並用如蝕刻的方法形成接觸電極。另外’依據本發明的方法尚可包含形成開口的步驟，其中該開口形成在絕緣基座上形成第一接觸片和第二接觸片位置的地方。依據本發明，由於該開口形成在絕緣基座上形成第一接觸片和第二接觸片位置的地方，第一接觸片或第二接觸片可被彎曲穿過開口至反面。另外，可使用彎曲模板 (bending template)將接觸片彎曲並穿過開口。由此可輕易形成接觸電極。為了達成以上提及的目的，提供依據本發明的接觸器製造方法，其中該接觸器被放置於半導體元件和測試板之間’並電性連接該半導體元件至該測試板；此製造方法步驟包含有：處理絕緣基座的部份成為接觸半導體元件端子的第一接觸片’和成為接觸測試板電極的第二接觸片；在第一接觸片和第二接觸片上形成導電層，並將該導電層部份形成電性連接第一接觸片和第二接觸片的連接部份；將第一接觸片朝絕緣基座第一表面方向彎曲預定的角本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ^-------I -------· ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 478082 A： B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（11 度，並且將第二接觸片朝與絕緣基座第一表面相反的第二表面方向彎曲預定的角度。依據本發明，在絕緣基座上形成接觸片後，將導電層形成在接觸片上以形成接觸電極。因此，使用傳統製造半導體元件的技術，可在絕緣基座上同時形成許多接觸電極。另外，反方向彎曲的兩個接觸片和導電層的彈性提供了接觸片接觸壓力。因此可形成具有簡單結構的低成本接觸器。另外，該接觸片並不焊接至測試板而只在測試時接觸測試板電極。因此，當接觸電極損壞時，只有接觸器需被替換。該用導電層形成的接觸片尚可提供寬範圍的彈性變形，並因此使得接觸電極更為短小。這使得半導艘元件在測試中可在高速執行。另外，在依據本發明的方法中，處理步驟可包括在絕緣基座上形成開口的步驟，以形成第一接觸片和第二接觸片° 依據本發明，由於第一接觸片和第二接觸片的形狀是以在絕緣基座上形成開口所形成的，因此可輕易地形成該接觸片。另外’在依據本發明的方法中，第一接觸片或第二接觸片可為一屈曲面（curved Plane)或彎曲面（bent plane),並且該方法尚可包含彎曲第一接觸片或第二接觸片的步驟，其中彎曲位置在連接部份和第一接觸片或第二接觸片會合的地點，並朝絕緣基座反方向彎曲預定的角度。依據本發明，由於接觸片含有屈曲面或彎曲面，該屈 . — — — — — — — — — — * I------^ ·1111111· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) > I MMMm n ϋ <

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五、發明說明（l2 Ο 經慧財產局工合作社印製曲面或彎曲面達成了寬範圍的彈性變形。另外’依據本發明的方法尚可包含在導電層上形成至少一表面層以改變接觸電極特質的步驟。依據本發明，在導電層上形成表面層可改變接觸電極的特質，例如彈性和電性特質。另外，依據本發明的方法尚可包含在連接部份和第— 接觸片會合的位置以及在連接部份和第二接觸片會合的位置上形成一補強物質。依據本發明，該補強物質可形成在連接部份和第一接觸片連接的位置以及在連接部份和第二接觸片連接的位置。也就是只有接觸片承受最大壓力的部份有被補強。這可避免接觸片永久變形或被損毀。由以下的詳細說明和附帶圖式，本發明的其餘目的、特點和優點將顯而易見。置式之簡要說明第1圖為使用異方性導電彈性體的傳統接觸器一部份之橫截面圖；第2圖為使用彈性針的傳統半導體一部份之側視圖；第3圖為如本發明第一實施例的接觸器一部份之橫載面圖；式；第4圖為第3圖中所示的接觸電極之平面圖；第5圖為第3圖中所示的接觸電極之橫截面圖；第6圖為說明第5圖中所不的接觸電極的形成步驟之圖本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）裝請先閲讀背面之;i意事項再填寫本頁) --線· 15 經濟部智身財產局員工消費合作社印製 478082 A7 B7 五、發明說明（I3 ) 第7圖為用於接觸器彎曲程序中的彎曲模板之橫載面圖；第8圖為有最上層的接觸電極之橫截面圖；第9A圖為有補強物質的接觸電極之平面圖；第9B圖為有補強物質的接觸電極之橫截面圖；第10圖為第3圖中所示的接觸電極的變化之平面圖；第11圖為第3圖中所示的接觸電極的另一種變化之平面圖；第12圖為含有形成在測試板側面的接觸電極的結構之橫截面圖；第13圖為形成在如本發明第二實施例的接觸器之上的接觸電極之橫載面圖；第14圖為形成在如本發明第三實施例的接觸器之上的接觸電極之平面圖；第15圖為第14圖中所示的接觸電極之橫載面圖；第16圖為第14圖中所示的接觸電極被放置在大型積體電路和測試板之間時之橫戴面圖；第17圖為第14圖中所示的接觸電極的變化之橫載面圖；第18圖為形成在如本發明第四實施例的接觸器之上的接觸電極之平面圖；帛19圖為說明第18圖中所示的接觸電極形成步驟之圖式；第20圖為形成在絕緣基座上的開口之平面圖； , I I I I ·1111111 « — — — — — — II — — — — —---I----_ ΙΓ I I I I . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

16 經濟部^祛时產局^工消費合作社印製 478082 A7 五、發明說明（14 ) 第21圖為說明第18圖中所示的接觸電極形成步驟之圖式，第22圖為說明如本發明第五實施例的接觸器之圖式。 _ 第23圖為第22圖中所示的接觸器的變化之圖式。 • 第24圖為第22圖中所示的接觸器的另一種變化之圖。第25圖為如本發明第六實施例的接觸器一部份之橫截面圖； &第26圖為第25圖中所示的接觸器之平面圖；第27圖為第25圖中所示的接觸器之橫截面圖；第28圖為形成在如本發明第七實施例的接觸器之上的接觸電極之平面圖；第29圖為第28圖中所示的接觸電極之側視圖；第30圖為第28圖中所示的接觸電極之延伸部份的形狀範例之平面圖；第31圖為未彎曲前的接觸電極之平面圖，該接觸丨電極是形成於如本發明第八實施例的接觸器之上；第32圖為形成於如本發明第八實施例的接觸器之上的接觸電極之正視圖；第33圖為第32圖中所示的接觸電極之側視圖；第34圖為第32圖中所示的接觸電極的變化之正視圖；第35圖為第32圖中所示的接觸電極的變化之正視圖；第36圖為大型積體電路側接觸片由延伸部份變曲小於 9〇度的預定角度（但並非直角）的範例之圖式；第3 7圖為形成在如本發明第九實施例的接觸器之上的本纸張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 經濟部智慧則產局員工消費合作社印製 478082 A7 ___________B7 五、發明說明（I5 ) 接觸電極之平面圖；第38圖為第37圖中所示的接觸電極之側視圖；第39圖為說明如本發明第十實施例的接觸器之圖式；第40圖為形成在如本發明第十一實施例的接觸器上接觸電極排列方式之圖式；第41圖為說明第4〇圖中接觸電極排列方式的效應之圖式；第42圖為如本發明第十二實施例的接觸器的部份之橫截面圖；較佳實施例之詳細說明現說明並以圖式解說本發明第一至第十二較佳實施例0 第3圖為依據本發明第一實施例的接觸器一部份之橫截面圖。第4圖為第3圖中所示的接觸電極之平面圖。如本發明第一實施例的接觸器20形成為板狀或片狀型態的基座，並包含多數接觸電極22,如第3圖和第4圖所示。如圖3所示，在測試大型積體電路6時，接觸器20被放置在大型積體電路6和測試版8之間並電性連接大型積體電路6和測試版8 ^大型積體電路6含有紹塾（aluminum pad)形式的多數端子6a。該測試板含有多數電極8a，並沈積在所對應的大型積體電路6的端子6a的位置。電極8a是平墊（flat pads)形式，並且每個電極8a都有金層（gold layer)在其表面上。每個接觸電極22被放置在所對應的大型積體電路6的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------1---^-------1 1^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 18 478082 Λ7 B7 <1 Ο 經濟智 U 產局 r X 消費- 合社印製五、發明說明（I6 端子6a和所對應的測試板8的電極8a之間。該接觸電極22 接觸及電性連接端子6a和電極6a。在本實施例中，接觸電極22是在絕緣基座24上用銅片或銅箔（Cu)所形成的。第4圖中所示的接觸電極22含有一環狀部份（annuiar P〇rti〇n)22a、一大型積體電路側接觸片22bl和一測試板側接觸片22b2。絕緣基座24含有一圓形開口 24a，其直徑大體上與環狀部份22a的内直徑相等。大型積體電路側接觸片22bl由環狀部份22a的内圓周延伸至環狀部份22a的中心，並在大型積體電路側接觸片 22b 1和環狀部份22a連接點附近，被朝上彎曲預定的角度。測試板側接觸片22b2由環狀部份22a的内圓周延伸至環狀部份22a的中心，並在測試板側接觸片22b2和環狀部份22a 連接點附近，被朝下彎曲預定的角度。也就是，測試板側接觸片22b2穿過形成在絕緣基座24上的開口，朝大型積體電路側接觸片22bl的反方向彎曲。大型積體電路側接觸片22b 1和測試板側接觸片22b2可用銅片或銅箔形成，並不需改造。但是，若其表面是用銅所形成，該表面則可能被氧化並導致連接不良。並且，一個單純的銅片或銅箔可能無法提供所需的接觸壓力（大約每斜10克）。因此，較佳方式是在接觸電極22表面上形成導電薄膜層（conductive thin film layer)22cl(如第 5圖所示），如此可避免該表面被氧化，也可增加接觸電極22的承受力，並可改良其彈性。該薄膜層22cl可用電鍍（plating)形成。在此情況下，本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 經脅部智慧吋產局_工消費合作社印製 478082 A7 ______B7__ 五、發明說明（l7 ) 可使用金屬物質形成該薄膜層22c 1的物質，如鎳（nickei， Ni)、鈷（cobalt，Co)和鐵（iron，Fe)是較佳的，其中鎳（Ni) 是特別適合的。含有鎳（Ni)、鈷（Co)、鐵（Fe)或銅（cu)的合金也可用來形成該薄膜層22cl。另外，金（g〇ld，Au)、銀 (silver，Ag)、铑（rhodium，Rh)、鈀（paiiadium，pd)、鉑 (platinum，Pt)和其合金也可被作為物質。還有，鎢 (tungsten ’ W)、鉬（molybdenum，Mo)和其合金也可被使用。還有，鈹（berylllium，Be)和銅（Cu)的合金也可用來形成該薄膜層22cl。現在，說明接觸電極22的形成方法，並參照第6圖。第6圖為形成接觸電極22的步驟之圖式。首先，一銅片或銅箱形成在含有開口 24a的絕緣基座24上，並用如蝕刻的方法形成如第6-(A)圖中所示的接觸電極22的原型。該開口可用雷射加工（laser machining)、加壓加工（press w〇rking) 或蝕刻形成。另外，在銅片或銅箔形成在絕緣基座24上後，也可使用蝕刻來形成開口 24a。並且，與其使用銅片或銅箱’接觸電極22的原型也可用如銅層電鍍或銅層沉積的方式形成。接著’如第6-(A)圖中所示的接觸電極的原型被電鑛並形成一薄膜層22cl，如第6-(B)圖中所示。該薄膜層22cl的厚度可能由一些因素決定，例如接觸器2〇所需的耐久性、運作溫度以及形成大型積體電路6的端子仏的物質。在電鍍程序完成後，接著執行接觸片22b 1和22b2的彎曲‘序，如第6-(C)圖中所示。使用如第7圖中所示包含上中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------------I--^ 1^ (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 20 478082 A7 B7 經濟部智慧削產局ΡΓ工消#-合作社印製五、發明說明（I8 模板26A和下模板26B的彎曲模板，接觸片22bl*22b2可同時朝反方向彎曲。接觸片22b 1和22b2的彎曲角度可先確定，而使得該接觸片22bl和22b2個別的尖端處於所相對的大型積體電路6的端子6a和所相對的測試板8的電極8a的預定的位置（大致上是在中間），並將如彈回（spring back)的因素加入考量。若製造晶圓級大型積體電路所用的測試接觸器，將所有接觸電極同時執行彎曲程序是較佳的。但是，由於彎曲程序只需很短的時間，可將晶圓上大型積體電路可分成一組一組執行彎曲程序。在薄膜層22c 1形成在接觸片上後，有時會很難彆曲太大的角度。若如此，可在彎曲程序之後執行薄膜層22c〗的電鍍程序。在電鍍程序中，接觸片的彎曲角度和形狀的改化可能會有影響。若如此，彎曲程序可在電鍍一些薄膜層 22c 1後執行，之後再繼續電鍍程序。另外，也可在彎曲程序之刚執行鎳（Ni)電鍍，以增加該接觸片的機械強度 Onechanica! strength)，並在彎曲程序之後，可執行不易氧化的金（Au)或鉑（Pd)的電鍍。即使為測試晶圓級大型積體電路而需要形成許多接觸電極（接觸針），製造以上提及的接觸器2〇也只需大致上相同的製造程序和製造成本。因此，有越多接觸針，就會使接觸針的單位價越低，如此可製造低成本的接觸器。另外，如第8圖所示，另一薄膜層22c2可形成在薄膜層 22cl表面上而成為最上層（uppermost layer)。該薄膜層22c2 本纸張尺度適用中國國家規格⑵〇 x 297公爱）-—-- • 21 - ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧討產局員工消費合作社印制衣 478082 A7 B：五、發明說明（19) 可用電鍍形成，並且是為了減少整個接觸電極的電阻性。若用電鍛形成該薄膜層，則使用如金（Au)和始（Pd)的白金金屬（platinum metal)是較佳的。將接觸電極的最上層表面某程度粗链化，即是在將最上層表面成不規則狀，以使得電性接觸較易。也就是說，當大型積體電路側接觸片22bl和測試板側接觸片22b2各自壓在所對應的端子6a和所對應的電極8a時，最上層表面的不規則狀會使端子6a和電極8a上的氧化膜破裂，而有益於電性接觸。電鍍時將電流波動可使得最上層表面粗糙。例如，使用如正弦波般的電壓為電鍍電壓可改變電鍍狀況，並因此在電鍍層表面上產生不規則狀。另外’當接觸電極與銲錫端子（solder terminal)接觸時，最好是使用用铑（Rh)所形成的接觸電極最上層，因為其較不容易被銲錫（solder)黏著，並且最好是使用用纪（pd) 或鉑（Pt)所形成的接觸電極最上層，因為其較不容易含有銲錫合金（solder alloy)。例如，具有如第8圖中所示結構的接觸電極22含有形成在絕緣基座24上厚度為18//m的銅箔；形成在該銅箔上厚度為25//m的鎳（Ni)鍍層；以及厚度為1至3em的金（An)或纪（Pd)鍍層的最上層，具有此結構的接觸電極22在高溫攝氏125度中，以每針10克的接觸壓力，可被使用超過lQ，〇〇〇次接觸。以上提及的接觸電極22也可在彎曲程序前，用厚度大約12 // m的鎳（Ni)鍍層形成；在彎曲程序後，再形成另一厚度大約為12#m的鎳（Ni)鍍層；並且之後形成厚度為j 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -n ϋ ·ϋ ϋ MW— I n I ϋ n n · ϋ tmmt ϋ I 1 n ϋ 一· n ϋ ϋ ϋ n n i-i I ·1 ‘ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 22 478082 A7 B7 ♦ 經濟部智丛財產局|-工消#-合作社印製五、發明說明（2〇至3#m的金（Au)或鈀（Pd)鍍層。如以上說明，改變鍍層、電鍍物質、電鍍程序和電鍍程序之時間控制可達成預定機械和電性特質。另外，在形成以上提及的接觸電極22之後，可在每個大型積體電路側接觸片22bl和測試板側接觸片22b2的根部加上補強物質，如第9A圖和第9B圖所示。該補強物質28 可輕易地形成，例如用封填方式（potting)塗抹環氧樹脂 (epoxy resin)之後準備（CUring)該環氧樹脂❶在每個接觸片根部形成補強物質28可防止接觸片被損壞並使接觸器有更長的壽命。在以上提及的接觸電極22中，大型積體電路側接觸片 22b 1和測試板側接觸片22b2在相同直徑上延伸。但是，接觸片22b 1和22b2可如第10圖所示左右錯開。若如此，接觸片22bl和22b2可加長而使得接觸片22bl和22b2有更寬範圍的彈性變形。同樣地’接觸片22b 1和22b2的長度並不一定需要相等。如第11圖所示，接觸片22b2可以比接觸片22bl長。這是因為接觸片22b2(如第3圖中所示）需要穿過絕緣基座24 的開口 24a至反面。如以上所述，接觸片的長度可被調整，以實現可提供必須接觸的結構。注意到該接觸電極22可形成在朝測試板8 的絕緣基座24側面之上，如第12圖所示。另外’選擇熱膨脹係數（coefficients 〇f thermal expansion)與大型積體電路6的熱膨脹係數大致上相等的絕本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 23 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^/8082 A7 B7__ i、發明說明（21 ) 緣基座24的物質，可防止接觸片22bl因溫度變化而由大型積體電路6的端子6a脫離。並且，擇熱膨脹係數與大型積體電路6的熱膨脹係數大致上相等的絕緣基座24的物質，可防止接觸片22b2因溫度變化由測試板8的電極8a脫離。該絕緣基座24可用絕緣膠帶基座（insuiating tape substrate)形成，例如表面有絕緣氧化膜的聚醯亞胺（p〇lyimide)、陶瓷基座 (ceramics substrate)、玻璃基座（glass substrate)或矽（Si)基座（silicon substrate)。陶瓷基座、玻璃基座和矽（Si)基座比絕緣膠帶基座（例如聚酿亞胺）較少彈性，但卻有卓越的平坦度。於是’大型積體電路側接觸片22bl和測試板側接觸片22b2的彈性變形可使接觸片在高度變化下仍各自穩當接觸大型積體電路6和測試板8。接著說明依據本發明的第二實施例，並參照第13圖。第13圖為如本發明第二實施例的接觸器上的接觸電極 32之橫截面圖。該接觸器的整個結構與以上提及如本發明第一實施例的接觸器20結構相同，因此其說明將在此省略。第13圖中所示的接觸電極32是在銅片或銅箔形成在絕緣基座24二個表面上後形成的。該接觸電極32，如同接觸電極22 ’含有環狀部份32a和大型積體電路側接觸片32b 1。該環狀部份32a和大型積體電路側接觸片32bl是用形成在絕緣基座24 —側面（朝大型積體電路6的面）上的銅片或銅 %所形成的。於是，該環狀部份32&和大型積體電路側接觸片32bl形成在絕緣基座24—側面（朝大型積體電路6的面）。但是’不像以上提及的接觸電極22，測試板側接觸片本纸張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（2】0 297公釐） • n ϋ n ϋ ϋ n I n I n n ϋ I · ϋ n ϋ ϋ —9 i^i ^ J 9 l_i n ϋ n I n I t— e 言矣一 (請先閱¾背面之注意事項再填寫本頁) 24 經濟部智祛財產局8-工消#-合作社印製 478082 A7 B7_ 五、發明說明（22 ) 32b2是用形成在測試板8 —側面上的銅片或銅箱所形成的。所以，測試板側電極片32b2可不經開口 24a而延伸至朝測試板8的側面。（譯註：原文說明與圖式不符合，應為：但是，不如以上提及的接觸電極22，測試板側接觸片32b2 是用形成在絕緣基座24另一側面上的銅片或銅箱所形成的。所以’測試板側電極片32b2可不經開口 24a而延伸至朝測試板8的側面）測試板側電極片32b2經由盲孔（via hole)34電性連接至在絕緣基座24另一面上的環狀部份32a。於是，測試板側電極片32b2經由盲孔34和環狀部份32a電性連接至型積體電路側接觸片32bl。如具有本實施例的接觸電極32的接觸器，將相等長度的接觸片32bl和32b2形成，並將該接觸片32bl和32b2臀曲相等角度，可在朝大型積體電路的側面上和朝測試板的側面上形成相同結構的接觸片。接著說明依據本發明的第三實施例，並參照第丨4圖至第17圖。第14圖為如本發明第三實施例的接觸器上的接觸電極42之平面圖。第15圖為第14圖中所示的接觸電極42之橫戴面圖。第14圖中所示如本發明第三實施例的接觸電極42，是為了因應當大型積體電路6的端子是突出電極6b(例如銲球’如第16圖所示）時使用的接觸電極。為了避免大型積體電路側接觸片42bl因為與銲球6b的接觸壓力而成為永久變形’該二個大型積體電路側接觸片42bl被排列在銲球❿中本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)a4規格（210 X 297公釐）裝--------訂·-----11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 25 478082 A7 B7 五、發明說明（23 ) 線的兩側，以避開銲球6b的中心點。在第15圖中，大型積體電路側接觸片42b 1是水平的，並沒有朝大型積體電路6 方向彎曲。第16圖為被放置在大型積體電路6和測試板8之間的接觸電極42之橫截面圖。被銲球6b施壓的大型積體電路側接觸片4 2 b 1朝測试板8的方向彈性變形，並變曲至開口 24a。此彈性變形使得大型積體電路側接觸片42bl和銲球6b之間的有穩當接觸（sure contact) 〇必須注意到大型積鱧電路側接觸片42bl不一定為水平，並可事先朝測試板8的方性小幅彎曲，這使得大型積體電路側接觸片42bl在其彈性變形範圍之内變形。另外，如第17圖所示，事先將大型積體電路側接觸片42bl依銲球6b 的形狀屈曲，可使得大型積體電路側接觸片42bl和銲球6b 之間的有更穩當的接觸。接著說明依據本發明的第四實施例，並參照第1 8圖至第21圖。第1 8圖為如本發明第四實施例接觸器上的接觸電極之平面圖。如同如本發明第一實施例的接觸電極22，第18圖中所示的接觸電極52含有環狀部份52a、大型積體電路側接觸片 52bl以及測試板側接觸片52b2。但是，依據本實施例的接觸電極52是如以下方式形成：預先在絕緣基座24上形成一個具有和接觸電極54相同形狀的開口 24b;用電鍍或濺鍍方式在開口 24b的周邊上形成導電膜。也就是說，接觸電極本身就是用電鍍或濺鍍方式所形成的。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 χ 297公釐） (請先閱讀背面之i意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -^aJI n ^ |_1 n n n n I ϋ I ϋ ϋ ϋ I ϋ I H ϋ I mmb n H 1*11 1· I I ϋ a 26 478082 A7 B7 經濟部智慧財產局P-、工消f-合作社印製五、發明說明（24 第19圖為接觸電極52形成步驟之圖式❶首先，如第 19·(Α)圖所示，將具有和接觸電極54相同形狀的開口 24b 形成在絕緣基座24上。由於絕緣基座24是由如聚醯亞胺樹月曰薄片（polyimide resin sheet)的樹脂薄片（resin sheet)所形成的’開口24b可使用如加壓加工或蝕刻方式輕易地形成。第20圖為形成在絕緣基座上的開口 24b之平面圖。之後’在絕緣基座24所有的表面上形成導電膜54，如第19-(B)圖中所示。導電膜54是用如鉻（Cr)濺鍍或鎳（Ni)電鍍的方式所形成的。接著，如第29-(C)圖所示，用如蝕刻的方式將部份的導電膜54移除，而使得剩餘在絕緣基座24 上的部份成為接觸電極5 2。之後，如同第一實施例的接觸電極22 ’使用彎曲模版彎曲大型積體電路側接觸片52b 1和測試板側接觸片52b2。如此即形成接觸電極52。第21圖為接觸電極52形成步驟之另一圖式。如同第19 圖中的步驟，在第21圖中所示的步驟中，首先將具有和接觸電極54相同形狀的開口 24b形成在絕緣基座24上，如第 21-(A)圖所示。接著，如第21·(β)圖所示，將遮罩56放置在絕緣基座24上，並裸露接觸電極52的形狀。接著，將導電膜54形成在絕緣基座24上。之後，如第 21-(C)圖所示，將遮罩56和形成在其之上的部份導電膜54 移除。之後，如第21 -(D)圖所示，使用彎曲模版彎曲大型積體電路側接觸片52bl和測試板側接觸片52b2。在如本實施例的接觸器的接觸電極52中，大型積體電路側接觸片52bl,和測試板側接觸片52b2可具有相等的長 ------------I -------—訂 — — — — —--I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

27 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478082 A7 B7 五、發明說明（25 ) 度。接著說明依據本發明的第五實施例，並參照第22圖至第24圖。如本實施例的接觸器包含表面具有鍍層的接觸電極，該鍍層是用電鍍形成的。第22圖至第24圖顯示以第5圖中的接觸電極22為例的接觸電極。在本實施例中，預先形成用在電鍍程序的電流供應圖案（electric supply pattern)60，並將其用來在尚未被電鍍的接觸電極22上形成導電膜圖案（conductive film pattern)。也就是，在接觸電極22尚未鍍有薄膜層22cl的狀態時（如第 6-(A)圖中的狀態），形成之後將用在電鍍程序的電流供應圖案60，如第22圖至第24圖所示。電流供應圖案60被連接至每個接觸電極22，並提供電鍍電流（plating current)至接觸電極22，用電鍍形成薄膜層22cl。電流供應圖案60可使用形成在絕緣基座24上的銅片或銅箔，在接觸電極22原型形成時同時形成。在電鍍程序中提供電鍍電流之後，電流供應圖案60的預定部份會被如雷射切割（laser cutting)或雷射穿孔（laser punching)的方式分割。如第23圖所示，將電流供應圖案60 橫越形成在接觸電極22附近的開口 62，電流供應圖案60會在開口 62處輕易地被穿孔方式分割。並且，如第24圖所示，將多數電流供應圖案60移至某處，之後在該處形成開口 64，多數電流供應圖案60會輕易地被穿孔方式分割。如以上所述，依據本實施例的接觸器製造方法，電鍍

本、’氏度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ilill蠢 (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁)

訂---------線J 28 經濟部智^財產局8-'工消«-合作社印：^ 478082 A7 B7 五、發明說明（26) 層可輕易地在接觸電極的表面形成，並使得接觸器的製造成本降低。接著說明依據本發明的第六實施例，並參照第25圖至第27圖。如同以上提及的第五實施例，依據本實施例的接觸器含有電鍍程序中使用的電流供應圖案70。但是，該電流供應圖案70形成在形成接觸電極22表面的反面，如第25圖所 •示。也就是說，在本實施例中，在銅片或銅羯形成在絕緣基座24二個表面上之後，用形成在其中一面上的銅片或銅形成接觸電極22 ’並且在另一方面，用形成在反面上的銅片或銅箔形成電流供應圖案70。接觸電極22和電流供應圖案70經由盲孔72電性連接。接觸電極22含有一個突出片 (protruding piece)74，並在其之上形成盲孔72。在本實施例中，在完成電鍍程序之後，可用蝕刻移除丨電流供應圖案70或用脫離法（pelling method)(如第27圖所示）一次性移除電流供應圖案70。因此，被使用後的電流供應圖案70可輕易地被移除。接著說明依據本發明的第七實施例，並參照第28圖至第30圖。第28圖為形成在如本發明第七實施例的接觸器之上的接觸電極之平面圖。第29圖為第28圖中所示的接觸電極之側視圖。如第28圖所示，依據本實施例的接觸電極82包含有延本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Ai規格（2】〇χ297公釐） -------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 29 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^ 478082 A7 B7__ 五、發明說明（27 ) 伸部份（extending portion)82a、大型積體電路側接觸片82bl 和測試板側接觸片82b2。在以上提及如第一實施例的接觸電極22，大型積體電路側接觸片22bl和測試板側接觸片 22b2是經由環狀部份22a連接的。但是，在本實施例中，大型積體電路側接觸片82bl和測試板側接觸片82b2是經由延伸部份82a連接。雖然第28圖中的延伸部份82a為直線狀，但延伸部份82a也可有其他形狀，如彎曲狀（bent shape)或屈曲狀（curved shape)。在延伸部份82a的一端形成大型積體電路側接觸片 82bl。隨著，在絕緣基座24對應延伸部份82a這一端的位置上形成開口 24c 1。大型積體電路側接觸片82b 1可經由開口 24cl輕易地朝大型積體電路6方向彎曲。在延伸部份82a的另一端形成測試板側接觸片82b2。隨著，在絕緣基座24對應延伸部份82a這一端的位置上形成開口 24c2。測試板側接觸片82b2可經由開口 24c2朝測試板8 方向彎曲。第30圖為延伸部份82a的形狀範例之平面圖。在第3〇圖中’延伸部份82a由大型積體電路側接觸片82bl延伸至測試板8的電極8a，並充分地延長了端子6a之間的間距 (pitch)P1。也就是說，若間距P1太窄，電極8a之間的間距 P2可被延長。另外，將延伸部份82a往預定的方向延伸，可谷許’則5式板的電極8 a自由排列。例如，若大型積體電路6的外圍排列了二列端子6a，利用延伸部份82a可容許測試板8的電極8a如矩陣狀排列在對本紙尺度適用中國國家標準（CNS)A:1規格（210 X 297公釐） — — — — — — 1— « — — — — — — I— I — — — — — — — — — — — — —ΓΙΙΓ — — — — I (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 30 &濟^:智^,〕財產局員工消費合作社印Φ衣

478082 A7 ______ B7 五、發明說明（28 ) 應整個大型積體電路6的區域上。如上所述，如本實施例的接觸器可提供很大自由排列測試板的電極8a。接著說明依據本發明的第八實施例，並參照第3 1圖至第36圖。第31圖為未彎曲前的接觸電極92之平面圖，該接觸電極92是形成於如本發明第八實施例的接觸器上。第32圖該接觸電極92之正視圖。第33圖為該接觸電極92之側試圖。如以上提及第七實施例的接觸電極82，依據本實施例的接觸電極92包含有延伸部份92a和連接該延伸部份92a — 端的測試板側接觸片92b2。但是，大型積體電路側接觸片 92bl被形成為彎曲或屈曲平面，如第31圖的平面圖所示。在使用時，大型積體電路側接觸片92b 1會被彎曲並與延伸部份92a呈直角，如第32圖的正視圖。第31圖至第33圖中所示的大型積體電路側接觸片92b 1 有個大致上為U形部份。因此，利用此部份的彈性變形的優點（如第33圖中雙虛線所示），可輕易地形成具有很大彈性變形的接觸電極。第34圖和第35圖為如第31圖至第33圖中所示的接觸電極92的各種變化之正視圖。第34圖中的接觸電極92A包含具有大致上為水平S形部份的大型積體電路側接觸片 92Abl，此部份提供了寬範圍的彈性變形。該大型積體電路側接觸片92Ab 1呈站立狀，並朝延伸部份92a延伸的方向垂直彎曲。第34圖中的接觸電極92B包含具有大致上為垂直S形部份的大型積體電路側接觸片92Bbl，並取代如第34 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A‘l規格（210x 297公釐） --— — — — —— ^ «— — — — — I — (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 31 478082 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7____ 五、發明說明（29 ) 圖所示的在接觸電極92 A中具有大致上為水平S形部份的大型積體電路側接觸片92Abl。將接觸片形成如上提及的S形，可使得在彈性變形時’水平方向接觸片尖端的位移（displacement)較垂直方向接觸片尖端的位移小。這可避免當接觸片接觸大型積體電路的端子時，損壞大型積體電路的端子。第36圖為大型積體電路側接觸片92bi對延伸部份92a 彎曲小於90度的預定角度α (但並非直角）的範例之圖式。由於接觸片的彎曲，此結構達成了彈性變形；並同時由於接觸片的斜坡，此結構達成了彈性變形。如以上所提及，由於接觸片有寬範圍彈性變形，如本實施例的接觸器的接觸電極在接觸片彈性變形時可減少壓力。因此，可承受多次變形的接觸片可輕易地形成。另外，由於接觸片有寬範圍彈性變形，當大型積趙電路的端子高度有差異時，接觸片的變形可因應如此的高度差。例如，在測試晶圓級大型積體電路時，大型積體電路的端子高度相差大約100 y m。如本實施例的接觸片可輕易地調整至不同高度。在本實施例中的大型積體電路側接觸片形成為大致為 U形或大致為S形。但是，大型積體電路側接觸片並不侷限於這些形狀，並也可使用其它屈曲形狀的變化。另外，在本實施例中的大型積體電路側接觸片形成為屈曲狀。但是，測試板側接觸面也可形成為屈曲狀。又，如同第一實施例，本實施例中的薄膜層可用電鍍法形成在接觸電極的本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） , --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 32 478082 A7 B7 濟部智慧財產局消費· 合社印製五、發明說明（3〇 ) 表面上，並改良了接觸片的機械和電性特性。接著說明依據本發明的第九實施例，並參照第37圖至第38圖。第37圖為形成在如本發明第九實施例的接觸器上的接觸電極102之平面圖。第38圖為第37圖中所示的接觸電極102之側視圖。接觸電極102與如第28圖和第29圖中第七實施例的接觸電極82有相同的基本結構。但是，如本實施例的接觸電極102的大型積體電路側接觸片1〇2bl是和絕緣基座24 一同被彎曲，如第38圖所示。雖然在第37圖和第38圖中的大型積體電路側接觸片1 〇2b 1和絕緣基座24 —同被彎曲，但也可被取代成將測試板側接觸片1 〇2b2和絕緣基座24 —同被變曲。依據本實施例，利用絕緣基座的彈性可實現接觸電極的接觸片的彈性變形。接著說明依據本發明的第十實施例，並參照第39圖。如本貫施例的接觸器含有如以上提及的實施例的接觸器的接觸電極，以及形成在絕緣基座24上的配線圖案 (wiring pattern)110。該配線圖案11〇將以上提及的多個接觸電極中預定的某些接觸電極連接起來。第39圖中所示的配線圖案no連接多個接觸電極，其中每個接觸電極都會接觸至每個晶圓級大型積體電路上的特定端子。隨後，將配線圖案110的尾端連接至電源後，電壓可經由接觸器到達晶圓級大型積體電路上的特定端子。另外’晶圓級大型積體電路上的特定端子可同時經由接觸器本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 33 478082 A7 B7 五、發明說明（31 ) 接地。又’可同時經由接觸器偵測到大型積體電路上的特定端子的電性狀況（electrieal c〇nditi〇n) 〇接著說明依據本發明的第十一實施例，並參照第4〇圖至第41圖。第40圖為形成在如本發明第十一實施例的接觸器上的接觸電極排列方式之圖式。第41圖為說明形成在如本發明第十一實施例的接觸器上的接觸電極排列方式的效應之圖式。如本實施例的接觸器使用了如以上提及的實施例的接觸器的接觸電極。但是，每個接觸電極被排在預定的位置。第40圖和第41圖顯示以上提及如第一實施例中的接觸電極 22的範例。具體地說’如第40圖所示，排列每個接觸電極22而使得接觸片22b 1和22b2依半徑方向朝接觸器中心〇對齊。此種排列可應付大型積體電路的端子和測試板的電極的移動 (shifting)，此移動是因為大型積體電路（晶圓）、接觸器的絕緣基座和測試板的熱膨脹係數相異所造成的。也就是說’大型積體電路（晶圓）、接觸器的絕緣基座和測試板的熱膨脹係數相異造成大型積體電路的端子或測試板的電極的對接觸電極的接觸片移動。由於接觸片以預定的壓力壓在端子或電極上，若該端子或電極移動並透成接觸片彎曲的角度增加，該接觸片的尖端可能刺入端子或電極，而造成該端子或電極變形或損壞。在本實施例中’如第41圖所示，每個接觸電極22被排列成：當大型積體電路的端子或測試板的電極對接觸片移本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

^ ·1111111· I — — — — — — — — — — —— —-— — If — —III 34

♦ 經濟部智慧財產局昏工消篦合作社印製時，該端子或電極移動的方向會使的>f曲角度減少。這使侍接觸片的尖端在端子或電極上順暢地移動，並可避免該接觸片刺進端子或電極内。另外，依據以上提及的接觸電極排列法，當溫度升高時’接觸電極的接觸片熱膨脹後伸長的方向和大型積體電路的端子或測試板電極因熱膨脹移動的方向相同。這使得接觸片#尖端熱膨脹後的㈣方向和端子或電極的移動方向相同，而避免接觸片的尖端從端子或電極脫離。接著說明依據本發明的第十二實施例，並參照第42圖。第42圖為如本發明第十二實施例的接觸器12〇一部份之橫截面圖。依據本實施例的接觸器使用如以上提及的實轭例的接觸電極。第42圖顯示如第一實施例的接觸電極22 範例。依據本實施例的接觸器120含有位朝在測試板8的側面上的間隔（spacer)122。該間隔122的厚度是預定的，使得接觸器120壓向測試板8時，接觸器12〇和測試板8之間的距離可維持（在間距120的厚度）。當接觸器12〇被過量施壓時，這可避免接觸電極22的接觸片被過度壓擠而受到永久變形或損壞。本發明並不侷限於在此特別揭露的實施例，而且可在本發明範圍之内做變化和更改。本申請是根據2000年3月22曰的曰本優先權適用 (Japanese priority application)第 2000-080974號，該完整内容在此一並編入以供參考。 --------------^—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 35 478082

經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农五、發明說明（33 ) 元件標號對照 2.·.異方性導電橡膠觸片 4...薄膜 52b2 ···測試板側接觸片 6···大型積體電路 52…接觸電極 6a"·端子 52a…含有環狀部份 6b…鲜球 54···接觸電極 8...測試版 56···遮罩 8a…電極 6 0…電流供應圓案 10…導線 70…電流供應圖案 20.··接觸器 72.··盲孔 22.··接觸電極 82a…延伸部份 22bl···大型積體電路側接 82bl ···大型積趙電路側接觸片觸片 22b2··.測試板側接觸片 82b2…測試板側接觸片 22cl…薄膜層 92···接觸電極 2 2 c 2…薄膜層 92a…延伸部份 2 4…絕緣基座 92Abl··.大型積體電路側 24a···圓形開口接觸片 26A.··上模板 92Bbl···大型積體電路側 26B···下模板接觸片 32···接觸電極 102···接觸電極 42···接觸電極 l〇2bl···大型積體電路側 42bl···大型積體電路側接接觸片觸片 102b2···測試板側接觸片 52bl·.·大型積體電路側接 no··.配線圖案 -------------— »ϋ —-i i-i 1 n 一-0，t ϋ ϋ n ϋ ϋ ϋ I ϋ I ϋ ^1 ^1 ·ϋ ^1 i^i n H ϋ n ϋ ϋ H ϋ ϋ ^1 ϋ ^1 ϋ · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 36

Claims

六、申請專利範圍 1 · 一種放置在半導體元件和測試板之間的接觸器，並以電性連接該半導體元件和測試板，該接觸器包含：一絕緣基座；和一由導電層所形成的接觸電極，其係設置在該絕緣層上’該接觸電極包含一個接觸該半導體元件的端子的第一接觸片、一個接觸該測試板的電極的第二接觸片以及一個電性連接該第一接觸片和該第二接觸片的連接部份。 2·如申請專利範圍第1項之接觸器，其進一步包含一個位置在該絕緣基座形成該接觸電極的地點的開口，該第一接觸片或該第二接觸片經由該開口自該絕緣基座的一表面延伸至其另一表面。 3·如申請專利範圍第丨項之接觸器，其中該第一接觸片和該第二接觸片是分開放置，並且該連接部份以具有預定形狀的相互連接圖案電性連接該第一接觸片和該第二接觸片。 4·如申請專利範圍第1項之接觸器，其中每個該第一接觸經濟部智慧財產局員工消費合作社印製片和該第二接觸片被放置得使該縱向方向朝該絕緣基座中心的半徑方向對齊。 5· —種製造接觸器的方法，該接觸器被放置在半導體元件和測試板之間並以電性連接該半導體元件和該測試板，該方法包含下述步驟：在絕緣基座上形成導電層；處理該$電層形成接觸電極，並包含有一個接觸該 AS B8 C8 D8 經濟部智慧財產局I-工消氰合作社印製六、申請專利範圍半導體元件的端子的第一接觸片、一個接觸該測試板的電極的第二接觸片以及一個電性連接該第一接觸片和該第一接觸片的連接部份；將該第一接觸片朝該絕緣基座的第一表面方向彎曲預定的角度，並將該第二接觸片朝與該第一表面相反的該絕緣基座第二表面方向彎曲預定的角度。 6·如申請專利範圍第5項之方法，其中形成導電層的步驟包括在該絕緣基座上形成導電物質構成的膜物質的步驟；和處理步驟，其包括將形成在絕緣基座上導電層部份移除，而形成該第一接觸片、該第二接觸片和該連接部份的步驟。 7.如申請專利範圍第5項之方法，其中形成導電層的步驟包括將導電物質沉積在該絕緣基座上，而形成該導電層的步驟；和處理步驟，其包括將沉積在絕緣基座上導電層部份移除，而形成該第一接觸片、該第二接觸片和該連接部份的步驟。 8·如申印專利範圍第5項之方法，進一步包含在絕緣基座形成该第一接觸電極和該第二接觸電極的位置形成一個開口的步驟。 9· 一種製造接觸器之方法，該接觸器被放置在半導體元件和測試板之間並以電性連接該半導體元件和測試板，該方法包含下述的步驟： — — — — — — — — — — — — — ·1111111 ·1111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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ASBSC8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

處理絕緣基座的部份形成一個接觸該半導體元件的端子的第一接觸片和一個接觸該測試板的電極的第二接觸片； -在該第一接觸片和該第二接觸片上形成導電層，並將該導電層的部份形成一個電性連接該第一接觸片和該第二接觸片的連接部份；和將該第一接觸片朝該絕緣基座的第一表面方向彎曲預定的角度’並將該第二接觸片朝與該第一表面相反的該絕緣基座第二表面方向彎曲預定的角度。〇·如申叫專利範圍第9項之方法，其中該處理步驟包括在該絕緣基座上形成開口，因而形成該第一接觸片和該第一接觸片的步驟。 Π·如申請專利範圍第5項之方法，其中該第一接觸片或該第二接觸片中至少一者是屈曲面或彎曲面；和該方法進一步包含下述步驟：將該第一接觸片或該第二接觸片在該連接部份和該第一接觸片或該第二接觸片接和的地點，朝該絕緣基座反方向彎曲預定的角度。 12 ·如申叫專利範圍第5項之方法，進一步包含下述步驟：在該導電層的表面上形成至少一層表面層』因而改變該接觸電極的特性。 13.如申請專利範圍第5項之方法，進一步包含下述步驟：在該連接部份和每個第一接觸片和該第二接觸片接合位置的地方形成一補強物質。

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