TW477014B - Electroless metal liner formation methods - Google Patents

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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 477014 A7 __ B7 五、發明說明(1 ) 發明領域 本發明一般係關於微電子組件製造,如互連積體電路之 高密度系統,以及更特別關於積體電路之金屬態樣之襯墊 、種子層以及障蔽層之建立。 發明背景 如裝置大小以及金屬化改變及縮小時,在既定位準線及 介質側壁及底部上之襯墊/種子層之階躍式覆蓋率因而變成 充滿複雜化。因爲現行趨勢朝向較高縱橫比以及較小整體 尺寸,所以現行沈積方法及材料可以製造具有小於所有必 要側壁表面上之冗整覆蓋率之槪整及種子層。覆蓋率不完 整時,充填該線及介質之金屬可能滲出至圍繞襯墊/介質之 介電質材料中,有效地”破壞”鄰近非連續性之介電質材料 以及電氣連接可能受連累。 物理汽相沈積(PVD)及化學汽相沈積(CVD)爲襯墊層沈積 之現行受歡迎方法。由於襯墊層意義爲該些層在蝕刻現行 位準線及介質將佔用之開口之後沈積在半導體材料上之圖 案化介電質材料上。由於該態樣意義爲一金屬充填開口。 使用者定義之設計將控制線及介質之定位。襯墊及種子層 通常因爲許多理由而需要。因爲未完整襯墊覆蓋率,所以 最終將充填蚀刻開口之金屬可能擴散至介電質材料中。此 情形最終可能衰減該裝置效能。亦且,該金屬可能不附著 至該介電質材料。在某些案例中,該襯墊可能包括多於一 種材料或是多於單一材料之一後相位。襯墊層可能需要以 確定完整金屬充填。種子層之需要與沈積方法有關。由於 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------裝--------訂-------—線 C請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁} 477014 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社机製 五、發明說明(2 襯墊/種子層意義爲單一沈積層適合於雙重目的。襯墊/種 子層爲防止金屬擴散至周圍介電質材料中,具有良好電導 率以及具有良好金屬附著性質之一層。 銅、铭及銅化鋁(AlCu)之共通襯墊材料包含妲、鎢、鈦 以及包含鈥鎢及妲之化合物如氮化鈒及氮化鈦。銅、鋁及 AlCu之其他襯墊材料包含使用之任何金屬之種子層沈積。 當沈積方法製造非均句結果以及沒有連續覆蓋率時則產生 困難。亦且,如尺寸縮小時,將所有層,甚至是襯墊及襯 墊/種子層之厚度最小化是有益的。盡可能簡化沈積處理越 多將亦有益。假使單一層沈積能夠取代2 _ 3階襯墊及種子層 處理時,將導致成本節省以及增加效率。因此,繼續存在 可以作用爲襯墊及襯墊/種子層之材料以及提供介於該金屬 及開口周圍介電質材料之間之連續介面之需要。 發明總結 所以本發明之一目的爲提供改良結構,該結構提供具有 介於該現行位準與其他金屬位準之間之襯墊完整性及電氣 連續性之單一層。 本發明之另一目的亦爲提供一結構,該結構具有以高縱 橫比及小尺寸提供連續性表面涵蓋範園之新穎襯墊材料。 :{[上列表及其他目的,本發明揭示以及宣稱微電子方 法,包括形成半導體態樣之方法,該方法包括: 以第一材料電鍍介電質材料之一開口,該材料包括c〇xy ’其中X係選自鎢及矽組成之群組以及¥係選自磷及硼組成 之群組。 -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) -5 477014
經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 亦如上述列表及其他目的,本發明揭示以及宣稱微電子 結構,該結構包括具有一開口之半導體介電材料; 第一材料襯墊該開口,第一材料包括Μχ γ,其中M係選 自鈷及鎳組成之群組,X係選自鎢及矽組成之群組以及¥係 選自嶙及硼組成之群組;以及 第二材料充填該襯塾之介電質材料。 本發明這些以及其他目的、態樣以及優點由參考附圖以 供完成此發明最佳模式之下列説明爲明顯。 圖式之簡單説明 圖1,不依據比例或是眞實比率繪圖,爲迫切發明方法之 中間步驟之碎屑狀橫截面圖式。 圖2 ’不依據比例或是眞實比率繪圖,爲迫切發明之一具 體實施例之碎屑狀橫截面圖式。 圖3不依據比例或是眞實比率纟會圖,爲迫切發明之另一具 體實施例之碎屑狀橫截面圖式。 圖式之詳細説明 有利於微電子組件,如具有銅金屬化之高密度積體電路 之製造以及參考圖1,此發明提供用於提供用於提供銅襯墊 及具有新穎襯墊之銅結構之改良方法。圖示之結構顯示 半導體介電質材料1,具有現行金屬位準線/介質態樣, 已經藉由先前技藝已知任何裝置加以蝕刻。該態樣以無電 %艘C 〇 - W _ P層1 5加以槪塾。 大體上,該改良方法預期具有〇 _ w _ p (鈷-鎢-磷)合金金 屬化態樣之無電電鍍形成具有在溫度較佳地在大約7 〇至大 本紙張尺度適用中關家標準(CNS)A4規格⑽x 297公爱) -----------11^裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 五、發明說明(4 約80°C範園内以及?11値在大約8至大約9範圍内之水電鍍 槽中以每分鐘大约40 A至每分鐘大約150 A範圍内之速率 沈積之厚度在大約50一5〇〇 A(埃)範圍内之一層。該水電鍍 槽包括低濃度鈷及鎢離子、次磷酸鹽、緩衝及複合劑以及 表面活性劑。該表面活性劑在每公升大約〇〇1克至每公升 大約〇·2克之範圍内,次磷酸鹽在每公升大約5克至每公升 大約1 5克範圍内,緩衝劑在每公升大約i 〇克至每公升大約 3〇克範圍内,複合劑在每公升大約15克至每公升大約5〇克 範圍内,鈷鹽在每公升大約5克至每公升大約丨5克範圍内 以及鎢鹽在每公升大約1克至每公升大約1 0克範園内呈現 。適當縮減劑包含次磷酸鹽及二甲氨基硼烷。適當緩衝劑 包含调酸。適當複合劑包含橫化全氟貌基钾。適當鎢鹽包 含鵪酸銨。適當錄鹽包含硫酸姑。 冨使用★亥改良方法時’等角襯蟄層及/或種子層可以沈積 。本發明之方法提供完整孔充填效能之有效率障壁層及連 續導電層。 在完成此發明之較佳模式中使用之水電鍍槽中,鈷鹽爲 每公升8克量之硫酸鈷以及鎢鹽爲每公升大約3克量之鎢酸 銨。作用爲轉換鈷爲其元素形式之縮減劑,次磷酸鹽爲每 公升大約10克量之次磷酸鈉。緩衝劑爲每公升大约丨5克量 之硼酸。複合劑爲每公升大約3 〇克量之檸檬酸鈉。重要的 是使用不會留下有毒害之副產品。如表面活性劑, FluoradTM FC-98(橫化全氟燒基处),爲每公升大約克量 是適當的’該活性劑商業上可由S t · Paul明尼蘇達市之明尼
-----------管-------- 丨訂---------線一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5 ) 蘇達礦業及製造公司工業化學產品部門取得。其 化劑可父替使用。該水電鍍槽具有大約7 2。 w 約値。 < 恤度以及大 ,當半導體介電質材料中呈現之㈣線/介質受到前述章節 説明之水電鍍槽之無電電鍍時,該c〇_W-p合金層15以每分 鐘大約50 A之速率沈積在介電質材料i上以達^大約5^ 至大約500 A(埃)範圍内之厚度。在該層15達到此厚度之 後,具有蝕刻態樣10上電鍍襯墊15之該介電質材料^ ^水 電鍍槽移開以及沖洗。 圖2顯示藉由上述顯示例子獲得之最終金屬充填結構。金 屬化悲樣2 0形成在前述沈積層5上,該層可或不可包本與 正處理之現行位準電氣接觸之金屬化態樣。該些態樣2〇沈 積在非金屬化或是半導電材料1上。襯墊層! 5沈積在介於 該金屬層20與介電質材料之間之金屬。在此具體實施例中 ,該無電電鍍C 〇 - W - P層作用爲該金屬化態樣之襯墊層。 在此具體實施例中,該金屬爲銅,該C 〇 - W - P層亦作用爲 種子層。在較佳具體實施例中,該Co-W-P層將爲大約 150-300 A厚。 圖3顯示使用迫切發明之另一結構。在圖3中,在該c〇_ W-P 15,無電電鍍之前,襯墊層25沈積。該襯墊層25可 以爲與該襯墊接觸之底材及金屬匹配之任何合成物。例如 ,下層5爲金屬以及現行位準20上之金屬二者爲銅,Ta及 TaN組合之襯墊層可以沈積。c〇=W-P之無電沈積之後將如 上述般進行。C 〇 · W - P可使用爲態樣縮小尺寸。以現行技 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 裝·-----—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 477014 A7 B7_ 五、發明說明(6 ) 術完全涵蓋一線/介質所有側壁爲逐漸增加更多困難,所以 無電電鍍Co-W-P提供形成連續種子層及襯墊之替代方案。 相同材料可使用於圖2及圖3顯示之任一結構。迫切發明 之襯墊/種子材料不限於Co-W-P。可使用爲襯墊/種子層 之較佳材料例子包含元素如鈷、鎳、鎢、矽、錫、磷及硼 之薄膜合金以及形成形式Co-X-Y合金之一般材料中X爲次 要成分如W、S η或是S i以及Y爲磷或硼,例如CoWB、 CoSiP、CoSnP、CoSnB以及CoSiB。具有類似結果之其他合 金包含NiWP、NiSiP、NiSiB、NiWB、NiSnP 以及NiSnB。 雖然本發明已經由此依據特定較佳具體實施例加以詳細 説明,但是許多修正及變化可以由那些熟知相關技藝之人 士實現。因此,意圖藉由附屬申請專利範圍涵蓋所有此種 修正及變化以落入本發明眞實精神及範疇内。 -----------·裝--------訂---------線Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 、申請專利範圍 一種形成半導體態樣之方法,包括: 以弟^一材料電艘介雷哲g ί ϊ 反J %貝材料之開口,該材料包括 CoX Y,其中X係選自鎢、 自磷及硼組成之群组 切组成之群组以及γ係選 2 二請專利範圍㈣之方法,其中該電鍍爲 電質材料。 、〈万去’其中第一材料爲鄰近介 尚包括在電鍍步驟之前 其中第二材料包括選自 如申請專利範圍第1項之方法 沈積第二材料之步驟。 如申請專利範圍第4項之方法 6. 鈕、鈇、鹤、氮化鎢、氮化赵及氮化鈇組成群組之成員。 如申請專利範圍第1項之方法,其中第-材料之ΐ:爲 大約50 Α至大約500 Α。 後m 如申請專利範園第6項之方法, 大約15〇A至大約300 Αβ其中弟m爲 8. 一種形成半導體態樣之方法,包括: 以第-材料電鍍介電質材料之開p,該材料包括 ΝιΧγ,其中x係選自鶴、錫及矽组成之群组以及Y係選 自磷及硼組成之群組。 9.如申請專利範圍第8項之方法,其中該電艘爲無電電鍵。 利範圍第8項之方法’其中第一材料爲鄭近介 η.如申請專利範圍第8項之方法―,尚包括在電鏡步驟之前 沈積第二材料之步驟。
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 "υΐ4 u如中請專利範園第叫之方法,其中第二材科包 η σ、鈇、鎢 '氮化鶴、氮化备及氮化聽成群蚊成員 3·如申請專利範園第8項之方法, _成貝。 大約5。Α至大約500 Α。 其中弟-材科之厚度肩 “·如申請專利範圍第13項之方法 材 大约15〇 Α至大約3〇〇 Α 十弟材科<厚度爲 1 5 . 一種半導體結構,包括·· 一半導體介電質材料,具有一開口; 襯塾該開口之第一材料,該第一材料包括Μχγ,复 ^係選自鉛及鎳組成之群组,㈣選自轉錫及# 成之群組以及Υ係選自磷及硼組成之群組;以及 、 一第二材料,充填該襯墊之介電質材料。 ^如申請專利範圍第15項之結構,其中第二材料爲金屬。 7·如申請專利範圍第16項之結構,其中第二材料 以·^申請專利範圍第15項之結構,其中第—材料爲鄰近介 電質材料以及第二材料爲爲鄰近第一材料。 19.如申請專利範園第15項之結構,尚包括第三材料,該第 二材料爲配置於介於介電質材料與第一材料之間。 2〇·如申請專利範圍第19項之結構’其中第三材料;鄰近介 電質材料,第-材料爲鄰近第三材料以及第二材料爲爲 鄰近第一材料。 21·如申請專利範圍第19項之結構,其中第三材料包括選自 妲、鈦、鎢、氮化鎢、氮化鈀亙氮化鈦組成群組之成員。
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)At規格(210 X 297公釐)
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3567377B2 (ja) * 2002-01-09 2004-09-22 独立行政法人 科学技術振興機構 半導体集積回路装置の製造方法
US6821324B2 (en) * 2002-06-19 2004-11-23 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Cobalt tungsten phosphorus electroless deposition process and materials
DE10241154A1 (de) 2002-09-05 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit Zwischenmaterialien und zugehörige Komponenten
CN100428453C (zh) * 2003-01-29 2008-10-22 国际商业机器公司 含有低k介电阻挡膜的互连结构及其制造方法
JP2005072139A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Sony Corp 磁気記憶装置及びその製造方法
US20060188659A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Enthone Inc. Cobalt self-initiated electroless via fill for stacked memory cells
KR100859259B1 (ko) * 2005-12-29 2008-09-18 주식회사 엘지화학 캡층 형성을 위한 코발트 계열 합금 무전해 도금 용액 및이를 이용하는 무전해 도금 방법
US20080003698A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Park Chang-Min Film having soft magnetic properties
US20090120584A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Applied Materials, Inc. Counter-balanced substrate support
GB2462589B (en) * 2008-08-04 2013-02-20 Sony Comp Entertainment Europe Apparatus and method of viewing electronic documents
US9285168B2 (en) 2010-10-05 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Module for ozone cure and post-cure moisture treatment
US8664127B2 (en) 2010-10-15 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
US20120180954A1 (en) 2011-01-18 2012-07-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8716154B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers
US9404178B2 (en) 2011-07-15 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Surface treatment and deposition for reduced outgassing
US8617989B2 (en) * 2011-09-26 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Liner property improvement
US8889566B2 (en) 2012-09-11 2014-11-18 Applied Materials, Inc. Low cost flowable dielectric films
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US9412581B2 (en) 2014-07-16 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Low-K dielectric gapfill by flowable deposition
SG11201610662QA (en) * 2014-07-25 2017-01-27 Intel Corp Tungsten alloys in semiconductor devices

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5583073A (en) * 1995-01-05 1996-12-10 National Science Council Method for producing electroless barrier layer and solder bump on chip
US5695810A (en) * 1996-11-20 1997-12-09 Cornell Research Foundation, Inc. Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization
US5942799A (en) * 1997-11-20 1999-08-24 Novellus Systems, Inc. Multilayer diffusion barriers
US6093628A (en) * 1998-10-01 2000-07-25 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd Ultra-low sheet resistance metal/poly-si gate for deep sub-micron CMOS application
US6342733B1 (en) * 1999-07-27 2002-01-29 International Business Machines Corporation Reduced electromigration and stressed induced migration of Cu wires by surface coating
US6355153B1 (en) * 1999-09-17 2002-03-12 Nutool, Inc. Chip interconnect and packaging deposition methods and structures

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Publication number Publication date
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US20020081842A1 (en) 2002-06-27

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