KR102335506B1 - 쓰루 실리콘 비아 금속화 - Google Patents
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Abstract
앞서 말한 것을 달성하기 위해, 그리고 본 발명의 목적에 부합되게, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 방법이 제공된다. 유전체 층 (dielectric layer) 은 쓰루 실리콘 비아들 위에 형성된다. 텅스텐을 포함하는 배리어 층 (barrier layer) 은 유전체 층 위에 CVD 또는 ALD에 의해 증착된다. 쓰루 실리콘 비아들은 전도성 재료로 충진된다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 상에 반도체 디바이스들을 형성하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 쓰루 비아 금속화의 형성에 관한 것이다.
쓰루 실리콘 (Si) 비아들을 함유하는 실리콘 반도체들은, 이미징 제품들과 메모리에서부터 고속 로직 그리고 고전압 디바이스 제품들에 이르기까지 다양한 기술들에 이용된다. 비아 (via) 가 형성된 쓰루 실리콘 반도체 웨이퍼들 (TSVs) 에 매우 의존하는 일 기술은 3차원 (3D) 집적 회로 (IC) 이다. 3D IC들은 얇게 된 반도체 웨이퍼 칩들을 적층하고 그들을 쓰루-실리콘 비아들 (TSVs) 로 상호접속 (interconnecting) 시킴으로써 제조된다.
앞서 말한 것을 달성하기 위해, 그리고 본 발명의 목적에 부합되게, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 방법이 제공된다. 유전체 층 (dielectric layer) 은 쓰루 실리콘 비아들 위에 형성된다. 텅스텐을 포함하는 배리어 층 (barrier layer) 은 유전체 층 위에 CVD 또는 ALD에 의해 증착된다. 쓰루 실리콘 비아들은 전도성 재료로 충진된다.
본 발명의 또다른 발현에 있어서, 방법에 의해 형성된 쓰루 실리콘 비아 내로 전도성 충진재들 (fillings) 을 가진 반도체 구조물이 제공된다. 유전체 층은 쓰루 실리콘 비아 위에 증착된다. CVD 또는 ALD 에 의해 텅스텐 함유 배리어 층이 유전체 층 위에 증착된다. 쓰루 실리콘 비아들은 전도성 재료로 충진된다.
본 발명의 또다른 발현에 있어서, 반도체 구조가 제공된다. 실리콘 기판은, 실리콘 기판 내로 에칭된 쓰루 실리콘 비아 피쳐들 (features) 과 함께 제공된다. 유전체 층은 쓰루 실리콘 비아 피쳐들 위에 있다. 텅스텐을 함유한 배리어 층은 유전체 층 위에 있다. 전도성 충진재는 비아 피쳐들 내에 있다.
본 발명의 이러한 것들 그리고 여타의 특징들이 본 발명의 명세서에서 하기의 도면들과 함께 이하에서 보다 자세하게 설명될 것이다.
본 발명은 한정의 형태가 아닌 예시의 형태로서 첨부하는 그림들의 도면들에 도시되고, 유사한 참조 번호들은 유사한 엘리먼트들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 흐름도이다.
도 2a-e는 독창적인 공정을 사용한 구조들의 형성의 개략도들이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태들을 도시한 흐름도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 흐름도이다.
도 2a-e는 독창적인 공정을 사용한 구조들의 형성의 개략도들이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태들을 도시한 흐름도이다.
본 발명은 이제, 첨부하는 도면들에 도시된 바와 같이 본 발명의 몇몇 바람직한 실시형태들에 관하여 자세하게 설명될 것이다. 이하의 명세서에서, 많은 구체적인 상세들은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 제시된다. 그러나, 당업자에게 본 발명은 이들 구체적인 상세들 중 일부 또는 전부 없이도 실행될 수도 있다는 점이 명백할 것이다. 다른 예시에서, 잘 알려진 공정 단계들 및/또는 구조들이 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 설명되지 않았다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 고레벨 흐름도이다. 쓰루 실리콘 비아들이 제공된다 (단계 104). 유전체 (가장 자주 실리콘 산화물 또는 실리콘 산화물계) 층이 쓰루 실리콘 비아들 위에 형성된다 (단계 108). 배리어 층이 유전체 층 위에 형성된다 (단계 112). 중간 접착 트랜지션 층 (intermediate adhesion transition layer) 이 배리어 층 위에 형성된다 (단계 114). 쓰루 실리콘 비아들이 충진된다 (단계 116).
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 기판에 쓰루 실리콘 비아들이 제공된다 (단계 104). 도 2a는 쓰루 실리콘 비아들 (208) 을 가지는 기판 (204) 을 가진 스택 (200) 의 개략적인 단면도이다. 쓰루 실리콘 비아들 (208) 은 실리콘 기판 (204) 을 완전히 통과할 수도 있고, 또는 실리콘 기판 (204) 을 부분적으로 통과할 수도 있다. 보통, 쓰루 실리콘 비아들이 실리콘 기판 (204) 을 완전히 통과하지 않는다면, 쓰루 실리콘 비아들 (208) 이 통과하지 않는 실리콘 기판의 부분들을 제거하도록 후속 프로세스가 제공되어, 쓰루 실리콘 비아들 (208) 이 잔여 기판을 통과한다. 바람직하게, 쓰루 실리콘 비아들은 15 ㎛ 미만의 폭을 가진다. 보다 바람직하게, 쓰루 실리콘 비아들은 8:1 보다 큰 종횡비 (aspect ratio) 를 가진다. 바람직하게, 쓰루 실리콘 비아들은 20 ㎛ 초과의 깊이를 가진다.
유전체 층은 쓰루 실리콘 비아들 위에 형성된다 (단계 108). 도 2b는 실리콘 산화물 층 (212) 이 쓰루 실리콘 비아들 (208) 위에 형성된 후의 스택 (200) 의 개략적인 단면도이다. 가장 일반적으로 사용되는 유전체인 실리콘 산화물은 CVD 또는 ALD에 의해 증착될 수 있고, 또는 산화 분위기 (oxidizing atmosphere) 에서 Si 로부터 열적으로 성장시킬 수 있다.
배리어 층은 실리콘 산화물 층 위에 형성된다 (단계 112). 도 2c는 배리어 층 (216) 이 실리콘 산화물 층 (212) 위에 형성된 후의 스택 (200) 의 개략적인 단면도이다. 바람직하게, 배리어 층은 텅스텐 질화물, TiN, TiW, TiSN, WSiN, 또는 RuTiN 중 적어도 하나를 포함한다. 보다 바람직하게, 배리어 층은 중량으로 (by weight) >10% 의 텅스텐을 포함한다. 배리어는, CVD 및 ALD 공정이 그들이 제공할 수 있는 층의 높은 컨포멀리티 (conformality) 때문에 선호되며, 이에 따라 CVD 및 ALD 는 매우 높은 종횡비 비아들 (>17:1) 에서조차 도금을 제공하지만, PVD, CVD 및 ALD 공정으로 또한 증착될 수 있다.
중간 접착 트랜지션 층은 배리어 층 위에 형성된다 (단계 114). 바람직하게, 중간 접착 트랜지션 층은 무전해 증착 (ELD; electroless deposition) , 원자층 증착 (ALD; atomic layer deposition) 또는 화학 기상 증착 (CVD; chemical vapor deposition) 공정에 의해 형성된다. 보다 바람직하게, 중간 접착 트랜지션 층은 니켈, 코발트, 팔라듐 또는 이들의 조합으로 구성되고, 또는 니켈, 코발트 또는 팔라듐의 합금이다. 이 예시에서, 중간 접착 트랜지션 층은 니켈 또는 니켈 합금이고, 여기서 50 Å 내지 5000 Å 보다 바람직하게는 100 Å 내지 500 Å의 두께를 가진다. ELD를 사용하여 중간 접착 트랜지션 층을 제공하기 위한 레시피 (recipe) 의 일 예시는 텅스텐 질화물 (WN, 여기서 텅스텐 질화물은 텅스텐 및 질소를 재료로 하고, 여기서 질소에 대한 텅스텐의 비율은 다양한 상이한 비율들 중 하나일 수 있다.) 표면의 세정 (필요한 경우), 표면의 탈이온수 (DI; deionized water) 린싱 (rinsing), 표면을 촉매적으로 (catalytically) 활성화시키기 위해 표면에 활성화 용액 (activation solution) 을 적용하는 것, 탈이온수 (DI water) 로 활성화된 표면을 린싱하는 것, (만약 활성화 이후에 비-DI 린스가 사용되었다면) 탈이온수로 표면을 추가적으로 린싱하는 것, 활성화된 표면 상에 Ni 또는 Ni 합금을 무전해 도금하는 것이다. 도 2d는 중간 접착 트랜지션 층 (220) 이 배리어 층 (216) 위에 형성된 후의 스택 (200) 의 개략적인 단면도이다. 다른 실시형태들에서는 중간 접착 트랜지션 층은 텅스텐 규화물 (WSix , 여기서 x=1 또는 2) 및 텅스텐 티타늄 (WTix) 일 수도 있다.
도 3은 쓰루 실리콘 비아들을 금속화하는 다른 방법의 챠트이다. 이 실시형태에서, 텅스텐 질화물 배리어가 형성된 이후에 (단계 304), 합금 시드층 (seed layer) 이 ELD 공정에 의해 증착된다 (단계 312). ELD 용액은 4.0 내지 12.5 의 pH를 가지며, 보다 바람직하게는 7.5 내지 10.5의 pH를 가진다. 증착은 상온 내지 95 ℃, 보다 바람직하게는 65 ℃ 내지 85 ℃의 온도에서 행해진다. 용액은 적어도 1 이상의 금속 화합물들 (제한되지는 않으나 예컨대 금속(들)의 염화물 또는 설페이트 염 (sulfate salt) 들), 착화제 (complexing agent) 로서 또한 기능할 수도 있는 pH 적정제 (pH adjustor) 들, 필요시 부가적인 착화제, 및 1 이상의 환원제 (reducing agent) 들을 함유한다. 무전해 도금 용액은, 계면활성제 (surfactants), 안정제 (stabilizers), 응력감소제 (stress reducers) 등과 같은 여타의 첨가물들을 또한 함유할 수 있다. 전기도금 구리 공정 (ECP; electroplating copper process) 은 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는데 사용된다 (단계 324). 충진을 위해 사용되는 전기도금 구리 또는 구리 합금 용액은 산성이고, 15℃ 내지 90℃의 온도, 더 바람직하게 20℃ 내지 45℃의 온도에서 운용된다. 용액은 적어도 1 이상의 금속 화합물들 (제한되지는 않으나 예컨대 금속(들)의 염화물 또는 설페이트 염들), pH 적정제(들) 및 보톰 업 충진 (bottom up fill) 을 제공하는 레벨러들 (levelers), 촉진제들 (accelerators) 및 억제제들 (suppressors) 의 군으로부터의 필요한 첨가제들을 함유한다. 도 2e는 쓰루 실리콘 비아들이 ECP 공정을 사용하여 구리 또는 구리 합금 (224) 으로 충진된 후의 스택의 (200) 의 개략적인 단면도이다. 이 실시형태에서, 쓰루 실리콘 비아들 (208) 외측의 구리 또는 구리 합금 (224) 은 200 Å 보다 작은 두께를 가진다. 평탄화 공정이, 쓰루 실리콘 비아 (208) 위의 구리 또는 구리 합금 (224), 시드 층 (220), 배리어 층 (216) 및 실리콘 산화물 층 (212) 을 제거하기 위해 스택 (200) 을 평탄화하는데 사용될 수도 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 텅스텐 질화물 배리어 층을 형성한 후에 (단계 304), 쓰루 실리콘 비아들을 금속화하기 위해 여타의 공정들이 사용될 수도 있다. 예를 들어, CVD 공정을 사용하여 텅스텐 시드 층이 형성될 수도 있고 (단계 308), ELD 금속 또는 금속 합금 층 중 어느 하나 (단계 316), 또는 전기도금 구리 또는 구리 합금 공정 (ECP) 시드 증착 (단계 320) 이 이어질 수도 있다. 금속 또는 금속 합금 층의 ELD (단계 316) 는 전기도금 구리 또는 구리 합금 시드 증착 (단계 328) 에 이어질 수도 있고, 전기도금 구리 또는 구리 합금 시드 증착은 전기도금 구리 또는 구리 합금 비아 충진 (단계 336) 에 이어질 수도 있다. 대안적으로, 금속 또는 금속 합금 층의 ELD (단계 316) 는 ELD 시드 층 증착 (단계 330) 에 이어질 수도 있고, ELD 시드 층 증착은 그렇다면 전기도금 구리 또는 구리 합금 비아 충진 (단계 336) 에 이어진다. ECP 시드 증착 (단계 320) 은 전기도금 구리 충진 (단계 332) 에 이어질 수도 있다. 다른 실시형태에서, Ni 합금의 ELD (단계 312) 는 전기도금 구리 또는 구리 합금 충진 (단계 332) 에 이어지는 구리 또는 구리 합금 시드의 ECP 시드 증착 (단계 320) 에 이어질 수도 있다.
텅스텐 질화물 배리어 층의 사용은 직접적인 금속 증착이 우수한 접착성으로 제공될 수도 있는 저비용 배리어 층을 제공한다. 이 예시에서, 순수한 니켈 또는 니켈 합금 시드 층이 WN 배리어 층에 직접적으로 증착될 수도 있다.
실리콘 및 실리콘 산화물은 각각 약 4 ppm/℃ 및 1 ppm/℃ 미만의 열팽창 계수를 가진다. 구리는 약 17 ppm/℃의 열팽창 계수를 가진다. 텅스텐 및 텅스텐 질화물은 각각 약 4.5 ppm/℃ 및 5.8 ppm/℃의 열팽창 계수를 가진다. 니켈 및 니켈 합금들은 10-13 ppm/℃의 열팽창 계수를 가진다. 열팽창 계수들 사이에 큰 차이를 가지는 물질들을 인접 층들에 제공하는 것은, 층들의 온도가 변화함에 따라 층들 간의 스트레스를 증가시킨다. 배리어 및 구리 충진 (224) 사이에 ELD Ni 또는 Ni 합금 시드 층 (220) 을 제공함으로써, 열팽창에 의해 발생되는 스트레스는 감소된다. 게다가, 니켈은 텅스텐, 텅스텐 질화물 및 구리에 우수한 접착성을 가진다.
다른 실시형태들에서, 배리어 층은 W, Ti, Ta, N, Si, O 또는 C 중 1 이상의 조합을 포함한다. 다른 실시형태들에서, 중간 접착 트랜지션 층은 W, Co, Ru, Ni, Pd 또는 환원가능한 산화물 (코발트, 루테늄 등), 촉매 활성 (코발트, 루테늄, 팔라듐 등) 또는 낮은 저항 (<20 micro Ohms cm) 을 가진 여타의 전이 금속/금속 합금들 중 1 이상의 조합을 포함한다.
본 발명의 실시형태들은 감소된 비용으로 쓰루 실리콘 비아들의 충진을 가능하게 한다. 보다 구체적으로, 본 발명의 일부 실시형태들은 기존의 TSV 금속화 공정들에 비해 50% 이상의 비용 절감을 제공할 수도 있다. 게다가, 다양한 실시형태들이 균일한 배리어 층을 제공할 수 있는데, 여기서 심지어 TSV의 종횡비들이 20:1 이상이다.
기존의 PVD 배리어/시드 금속화 공정들을 ALD 및/또는 CVD 및/또는 ELD 및 ECP 공정들로 대체함으로써, 보다 작은 직경들과 보다 큰 종횡비들의 쓰루 실리콘 비아들을 위한 공정들이 제공될 수 있음과 함께, 비용은 감소될 수도 있다. 이것은 CVD 및 ELD 공정들이 더 컨포말 (conformal) 하고, 종횡비에 대해 덜 민감하기 때문이다. 본 발명의 실시형태들은 또한 필드 두께 (field thickness) 들을 1 ㎛ 보다 작게 줄임으로써, 화학기계적 연마 (CMP; chemical mechanical polishing) 와 같은 평탄화 비용들을 낮춘다.
다른 실시형태에서, Ni, Co 또는 Pd의 제 1 중간 접착 트랜지션 층은 무전해 공정을 사용하여 형성된다. 이후 제 2 중간 접착 트랜지션 층은 무전해 공정을 사용하여 구리를 포함하도록 형성된다.
본 발명의 여타의 실시형태들은 부가적인 라이너 (liner), 배리어 또는 시드 층들을 제공할 수도 있다. 실시형태들은 Co 또는 Ni 합금의 ELD 배리어 층을 사용할 수도 있고, 여기서 바람직하게 합금하는 엘리먼트들은 Co, Ni, Fe, W, Mo, P, B, Re, Mn, Cr, Ge, Sn, In, Ga, 또는 Cu 를 포함한다. 본 발명의 실시형태들은 Co, Ni 또는 Cu 합금을 포함하는 시드 층 또는 무전해 라이너를 사용하고, 여기서 바람직하게 합금하는 엘리먼트들은 Co, Ni, Fe, W, Mo, P, B, Re, Mn, Cr, Ge, Sn, In, 또는 Ga 을 포함한다. 여타의 실시형태들에서, 전기도금 시드는 TSV 구조들을 충진하는데 사용되는 기존의 산성 전기도금 용액들에서 낮은 용해성 (solubility) 을 가지는 금속들 또는 금속 합금들일 수 있다. 예를 들어, 시드는 Cu 또는 Cu 합금일 수 있지만, CuNi, CuCo, CuMn, CuSn, 및 CuAg로 제한되지는 않고, 여타의 금속 합금 조합들, 예컨대 Ni, NiCo, Pd, Ru 등일 수도 있다. 이것은 전기도금된 층이 전기도금된 시드와 거의 동일해질 수 있게 한다.
본 발명이 몇몇 바람직한 실시형태들의 관점에서 설명되었으나, 본 발명의 범위 내에 부합하는 변형들, 치환들 및 다양한 대체적 동등물들이 존재한다. 또한, 본 발명의 방법들 및 장치들을 구현하는 대안적인 다양한 방법들이 존재한다는 점도 유의해야만 한다. 따라서, 본 발명의 진정한 정신 및 범위 내에 부합하는 한 이러한 변형들, 치환들 및 다양한 대체적 동등물들 모두들 포함하는 것으로 하기의 첨부된 특허청구범위들이 해석되도록 의도된다.
Claims (44)
- 쓰루 실리콘 비아들 (through silicon vias) 을 충진하기 위한 방법으로서,
상기 쓰루 실리콘 비아들 위에 유전체 층 (dielectric layer) 을 증착하는 단계;
상기 유전체 층 위에 CVD 또는 ALD에 의해 텅스텐 함유 배리어 층 (barrier layer) 을 증착하는 단계;
코발트, 팔라듐 또는 이들 원소들 중 1 이상을 함유하는 합금들의 CVD, ELD, ECP 또는 ALD에 의해, 상기 배리어 층 위에 중간 접착 트랜지션 (intermediate adhesion transition) 을 형성하는 단계; 및
전도성 재료 (conductive material) 로 상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계를 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는 무전해 증착 공정 (electroless deposition process) 을 사용하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 배리어 층은 텅스텐 질화물인, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 유전체 층은 실리콘 산화물계 재료인, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 전도성 재료는 구리 또는 구리 합금인, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 6 항에 있어서,
배리어 층, 시드 층 (seed layer) 및 상기 전도성 재료의 일부분들을 평탄화하는 단계를 더 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 배리어 층은 텅스텐 질화물이고,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는,
상기 텅스텐 질화물 배리어 층 위에 니켈 또는 니켈 합금 시드 층 (seed layer) 을 증착하도록 무전해 증착을 사용하는 단계; 및
구리 또는 구리 합금으로 상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하도록 전기도금을 사용하는 단계를 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 배리어 층은 텅스텐 질화물이고,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는,
상기 텅스텐 질화물 배리어 층 위에 니켈 또는 니켈 합금 층을 증착하도록 무전해 증착을 사용하는 단계;
상기 니켈 또는 니켈 합금 층 위에 시드 층을 증착하도록 전기도금을 사용하는 단계; 및
상기 쓰루 실리콘 비아들을 구리 또는 구리 합금으로 충진하도록 전기도금을 사용하는 단계를 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 배리어 층은 텅스텐 질화물이고,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는,
상기 텅스텐 질화물 배리어 층 위에, 텅스텐 층 또는, 텅스텐 규화물 또는 텅스텐 티타늄 층과 같은 여타의 텅스텐 함유 층을 증착하도록 CVD 또는 ALD를 사용하는 단계;
상기 텅스텐 층 위에 시드 층을 증착하도록 전기도금을 사용하는 단계; 및
상기 쓰루 실리콘 비아들을 전도성 재료로 충진하도록 전기도금을 사용하는 단계를 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 배리어 층은 텅스텐 질화물이고,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는,
상기 텅스텐 질화물 배리어 층 위에 텅스텐 층을 증착하도록 CVD 또는 ALD를 사용하는 단계;
상기 텅스텐 층 위에 합금 층을 증착하도록 ELD를 사용하는 단계;
상기 ELD 층 위에 시드 층을 증착하도록 전기도금을 사용하는 단계; 및
상기 쓰루 실리콘 비아들을 전도성 재료로 충진하도록 전기도금을 사용하는 단계를 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 구리 또는 구리 합금으로 충진하도록 전기도금을 사용하는 단계를 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는, 무전해 증착 공정을 사용하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 배리어 층은 텅스텐 질화물인, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 전도성 재료는 구리 또는 구리 합금인, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들은 적어도 20 ㎛의 깊이를 가지는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 유전체 층은 실리콘 산화물계 재료인, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
배리어 층, 시드 층 및 상기 전도성 재료의 일부분들을 평탄화하는 단계를 더 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
니켈 또는 니켈 합금의 CVD, ELD, ECP 또는 ALD를 수행하여, 상기 배리어 층 위의 중간 접착 트랜지션을 형성하는 단계를 더 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
니켈, 코발트, 팔라듐 또는 이러한 원소들 중 1 이상을 함유하는 합금들의 CVD, ELD, ECP 또는 ALD를 수행하여, 상기 배리어 층 위에 중간 접착 트랜지션을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는 전해 구리 도금 공정 (electrolytic copper plating process) 을 사용하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 쓰루 실리콘 비아들 (through silicon vias) 을 충진하기 위한 방법으로서,
상기 쓰루 실리콘 비아들 위에 유전체 층 (dielectric layer) 을 증착하는 단계;
상기 유전체 층 위에 CVD 또는 ALD에 의해 텅스텐 함유 배리어 층 (barrier layer) 을 증착하는 단계;
상기 배리어 층 위에 CVD, ELD 또는 ALD 에 의해 Ni, Co, 또는 Pd, 또는 이러한 원소들 중 1 이상을 함유하는 합금들의 제 1 중간 접착 트랜지션 층을 형성하는 단계;
상기 제 1 중간 접착 트랜지션 층 위에 CVD, ELD 또는 ALD에 의해 Cu 또는 Cu 합금들의 제 2 중간 접착 트랜지션 층을 형성하는 단계; 및
전도성 재료 (conductive material) 로 상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계를 포함하는, 쓰루 실리콘 비아들을 충진하기 위한 방법. - 쓰루 실리콘 비아들 내에 전도성 충진재들 (conductive fillings) 을 가진 반도체 구조물로서,
상기 쓰루 실리콘 비아들 위에 유전체 층을 증착하는 단계;
상기 유전체 층 위에 CVD 또는 ALD에 의해 텅스텐 함유 배리어 층을 증착하는 단계;
코발트, 팔라듐 또는 이들 원소들 중 1 이상을 함유하는 합금들의 CVD, ELD, ECP 또는 ALD에 의해, 상기 배리어 층 위에 중간 접착 트랜지션 (intermediate adhesion transition) 을 형성하는 단계; 및
전도성 재료로 상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성된, 반도체 구조물. - 삭제
- 제 22 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는 전해 구리 도금 공정을 사용하는, 반도체 구조물. - 삭제
- 제 22 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는 무전해 증착 공정을 사용하는, 반도체 구조물. - 제 26 항에 있어서,
상기 배리어 층은 텅스텐 질화물인, 반도체 구조물. - 제 27 항에 있어서,
상기 유전체 층은 실리콘 산화물계 재료인, 반도체 구조물. - 제 28 항에 있어서,
상기 전도성 재료는 구리 또는 구리 합금인, 반도체 구조물. - 제 29 항에 있어서,
상기 방법은 배리어 층, 시드 층 및 상기 전도성 재료의 일부분들을 평탄화하는 단계를 더 포함하는, 반도체 구조물. - 제 22 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는 상기 쓰루 실리콘 비아들을 구리 또는 구리 합금으로 충진하도록 전기도금을 사용하는 단계를 포함하는, 반도체 구조물. - 제 22 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들을 충진하는 단계는 무전해 증착 공정을 사용하는, 반도체 구조물. - 제 22 항에 있어서,
상기 배리어 층은 텅스텐 질화물인, 반도체 구조물. - 제 22 항에 있어서,
상기 전도성 재료는 구리 또는 구리 합금인, 반도체 구조물. - 제 22 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들은 적어도 20 ㎛의 깊이를 가지는, 반도체 구조물. - 제 22 항에 있어서,
상기 유전체 층은 실리콘 산화물계 재료인, 반도체 구조물. - 제 22 항에 있어서,
상기 방법은 배리어 층, 시드 층 및 상기 전도성 재료의 일부분들을 평탄화하는 단계를 더 포함하는, 반도체 구조물. - 반도체 구조물로서,
그 내에 에칭된 쓰루 실리콘 비아 피쳐들을 가지는 실리콘 기판;
상기 쓰루 실리콘 비아 피쳐들 위의 유전체 층;
상기 유전체 층 위의 텅스텐을 포함하는 배리어 층;
코발트, 팔라듐 또는 이들 원소들 중 1 이상을 함유하는 합금들로 형성된, 상기 배리어 층 위의 중간 접착 트랜지션 (intermediate adhesion transition); 및
상기 비아 피쳐들 내부의 전도성 충진재 (filling) 를 포함하는, 반도체 구조물. - 제 38 항에 있어서,
상기 배리어 층과 상기 전도성 충진재 사이에 니켈 또는 니켈 합금을 더 포함하는, 반도체 구조물. - 제 39 항에 있어서,
상기 배리어 층은 텅스텐 질화물인, 반도체 구조물. - 제 40 항에 있어서,
상기 유전체 층은 실리콘 산화물계인, 반도체 구조물. - 제 41 항에 있어서,
상기 전도성 충진재는 구리 또는 구리 합금인, 반도체 구조물. - 제 42 항에 있어서,
상기 쓰루 실리콘 비아들은 적어도 20 ㎛의 깊이를 가지는, 반도체 구조물. - 제 38 항에 있어서,
상기 배리어 층과 상기 전도성 충진재 사이에 니켈, 코발트, 팔라듐 또는 이들의 조합 또는 합금을 포함하는 중간 접착 트랜지션 층을 더 포함하는, 반도체 구조물.
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