TW469338B - Substrate heating method and the continuous heat treatment furnace thereof - Google Patents

Description

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五、發明說明（1) 發明之技術領域 本發明係有關於代表含膜形成材料基板的電漿顯示面 板用玻璃基板的熱處理方法及使用該方法的連續式熱 爐。 … 習知技術 近幾年’用來作為壁掛電視及多媒體用顯示器的大畫 面平面顯示（以下稱「FPD」。）的實用化頗有進展。該等i 大畫面FPD以兼備下述兩項優點的電漿顯示面板（以下稱 「PDP」。）為最有潛力’即具有自發光型、廣視角、品質 表示良好的品質面的優點，以及製作過程簡單、容易大型 化的製造面的優點。 PDP之製造過程如圖5所示，利用厚膜法，在稱之為前 面玻璃、背面玻璃的大型玻璃基板表面，反覆數次印刷、 烘乾，燒成等工序，逐次形成電極、介電體、螢光體等種 種構件，最後再密封前面玻璃與背面玻璃。 類如該PDP用玻璃基板之含膜形成材料基板的熱處理 ’係使用備有在熱處理體搬送方向上所區劃的複數個加熱 室以及將熱處理體間歇地搬送給相鄰加熱室的搬送裝置的 連續式熱處理爐，一般的做法係藉由對各加熱室個別的溫 度控制’按期望之溫度曲線進行昇溫、保溫及降溫。 於所區劃之加熱室進行熱處理，係為了盡可能讓基板 表面的溫度相同的緣故。於基板表面溫度偏差大的狀態下 進行熱處理則基板或基板上所形成的構件（膜）會產生變形 ，更因此產生破裂、缺塊等缺陷。各加熱室，其大小通常

46 93 3 8 五、發明說明（2) 為包含一片用來載置基板的托盤的 ^ ^ ^ . 的大小’在熱處理·體搬送 方向（爐的縱長方向）及爐的橫寶太^ , 加熱裝置。 仏寬方向上設有若干分割成的 該等分割之加熱裝置，通常 各別地控制溫度，習知含膜形# Z由各自獨立的控制系統 制各加熱裝置之溫度使所區劃之久 徑 溫度）各為固定。 之各加熱室内的溫度（環境 發明所欲解決之課題 通常’各加熱室之間’為防止 設有區隔壁等，惟溫度错金押"”，、至们热於警而 号惟孤度3又疋不同之相鄰加熱室之間’要穿 全防止互相的熱影響是困難的。 要70 .^ u* ™ 因此，如前述’即使控制 加,.，、裝置的Ϊ皿度使各加熱室内的 内接受既定時間埶處理的其Μ、B Α 疋牙'邊加熟至 的轨㈣沾:y 基板的溫度’因相鄰其他加熱室 T tA ^ ^ T 隹廷方向上顯現不同的溫度，存在得 不到均勻熱處理品質的問題。 t ，㈣ΐ且2送熱處理艘給相鄰加熱室，不論使用滾輪輸 送裝置、鍵條輸送裝置、移動樑輪送裝置等任一種搬送裝 置均需數十秒乃至數分鐘時間，故搬送基板於設定溫度 不2之相鄰加熱室之間日寺，先送入目的加熱室的搬送方向 t則部（基板靠近爐出口側的部位）與後送入的後部（基板 靠近爐入口侧的部位），有不同的熱經歷，結果，產生基 板内溫度偏差的問題。 其—人’即使搬送一次所產生的溫度偏差極小，於控制 t内溫度於固定的習知加熱室，被送入加熱室内之基板的

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第5頁 46 93 3 8 五、發明說明（3) 回應速度慢，一旦產生的基板内溫度偏差常不易消除，隨 著加熱室之間的反覆搬送，溫度偏差及累積並增大起來。 特別是PDP用大型玻璃基板等之熱處理，由於該等搬送時 產生之基板内溫度偏差，會造成基板或基板上所形成的臈 的變形，更嚴重時造成基板的破裂。 本發明係有鑑於該等習知情事而發明者，目的在於提 供一種基板之熱處理方法，可於加熱室内進行含膜形成材 料基板之熱處理時’抑制因受到室内平均溫度不同之其他 相鄰加熱室的熱影響所產生的基板内溫度偏差，將基板全 體均勻地熱處理。並且，本發明的目的在於提供一種基板 之熱處理方法’可早期消除當搬送含膜形成材料基板於不 同設定溫度之相鄰加熱室之間時所產生的基板内溫度偏差 。甚且，本發明的目的在於提供一種連續式熱處理爐，可 較佳地使用該等熱處理方法。 課題之解決手段 本發明提供一種基板之熱處理方法（熱處理方法1)， 使用連續式熱處理爐，將含膜形成村料基板熱處理，其中 連續式熱處理爐，備有在熱處理體搬送方向上所區劃的複 數個加熱室’及將熱處理體搬送給相鄰加熱室的搬送裝置 ’各加熱室設有至少在熱處理體搬送方向上所分割成的若 干個可由各自獨立的控制系統個別地控制溫度的加熱裝置 ;其特徵在於：於前述複數個加熱室當中，與相鄰其他加 熱室之至少一方其室内平均溫度不同的加熱室，控制該加 熱室所設各加熱裝置的設定溫度使其在熱處理體搬送方向

7066-4043-PF ； ahddub.ptd 第6頁 469338 五、發明說明u) 上有不同的 加熱室内熱 響，將前述 並且， 法2 )，使用 ，其中連續 劃的複數個 送裝置，各 成的若干個 熱裝置；其 熱室之間時 化’以早期 甚且， ’備有在熱 將熱處理體 至少在熱處 立的控制系 具有溫度控 的設定溫度 甚且， 2) ’備有在 及將熱處理 有至少在熱 獨立的控制 溫度， 處理的 基板均 本發明 連續式 式熱處 加熱室 加熱室 可由各 特徵在 ，令各 解除該 本發明 處理體 搬送給 理體搬 統個別 制裝置 ’使其 本發明 熱處理 體搬送 處理體 系統個 藉由設 基板， 勻地熱 提供一 熱處理 理爐， ，及將 設有至 自獨立 於：搬 加熱室 搬送工 提供一 搬送方 相鄰加 送方向 地控制 ，可控 在熱處 更提供 體搬送 給相鄰 搬送方 別地控 定加熱室 抵銷所受 處理。 種基板之 爐，將含 備有在熱 熱處理體 少在熱處 的控制系 送基板於 之溫度設 序所產生 種連續式 向上所區 熱室的搬 上所分割 溫度的加 制前述加 理體搬送 一種連續 方向上所 加熱室的 向上所分 制溫度的 内的溫度的梯度，對該 相鄰其他加熱室的熱影 熱處理方法（熱處理方 臈形成.材料基板熱處理 處理體搬送方向上所區 搬送給相鄰加熱室的搬 理體搬送方向上所分割 統個別地控制溫度的加 不同設定溫度之相鄰加 定隨該基板之搬送而變 的基板内溫度偏差。 熱處理爐（熱處理爐1) 劃的複數個加熱室，及 送裝置’各加熱室設有 成的若干個可由各自獨 熱装置；其特徵在於： 熱室所設之各加熱裝置 方向上有不同溫度。 式熱處理爐（熱處理爐 區劃的複數個加熱室， 搬送裝置，各加熱室設 割成的若干個可由各自 加熱裝置；其特徵在於 -華>

7066-4043-PF; ahddub^ptd 第7頁 4 6 9 3 3 8 五、發明說明（5) ^具1溫度控制裝置，於搬送熱處理體於相鄰加熱室之間 日·々各加熱室之溫度設定隨該熱處理體之搬送而變化。 發明的實施例 使用本發明熱處理方法丨的連續式熱處理爐，備有在 ^理體搬送方向上所區劃的複數個加熱室，及將熱處理 ，搬送給相鄰加熱室的搬送裝置。各加熱室設有至 處理體搬送方向上所分割成的若干加熱裝置。肖等所分$ 之加熱裝置可由各自獨立的控制系統個別地控制溫度。 此外，則述搬送裝置以使用將熱處理體間歇地搬送仏 相鄰加熱室的間歇進給式搬送裝置為佳。其中，所謂「g 歇地搬送」係指反覆下述操作的搬送方法，即於爐入口^ 起第η個加熱室令熱處理體靜止並進行既定時間熱處理之 後，盡可能快速地將該熱處理體移動到相鄰的爐入口側起 第η + 1個加熱室，再令熱處理體靜止並進行既定時間熱處 理。只要能達成該等搬送方法，搬送裝置之種類並無特別 限制，例如可使用移動樑輸送裝置，或間歇驅動滾輪輸送 裝置、鏈條輸送裝置。 熱處理方法1，對如前述所區劃之複數個加熱室當中 與相鄰其他加熱室之至少一方（爐入口側方向的相鄰加熱 室及爐出口側方向的相鄰加熱室的任何一方或雙方）室内 平均溫度不同之加熱室’控制使得該加熱室所設各加熱裝 置之設定溫度在熱處理體搬送方向上各不相同，藉由設定 加熱室内的溫度的梯度’對該加熱室内熱處理的含膜形成 材料基板，抵銷所受相鄰其他加熱室的熱影響。

4693 3 8__—---- 五、發明說明（6) 亦即，如PDP用玻璃基板之含膜形成材料基板（以下， 單稱「基板」。），一般係依序移動於各加熱室’同時按 照期望之溫度曲線經歷昇溫、保溫、降溫（冷卻）等製程而 進行熱處理’惟例如於進行基板昇溫的昇溫域加熱室’由 於愈靠近爐出口側室内平均溫度設定得愈.高’被搬入昇溫 域加熱室内的基板，其靠近爐入口側的部位’受到室内平 均溫度較低的相鄰加熱室的熱影響’基板溫度易低於目標 值，相反地，靠近爐出口側的部位’受到室内平均溫度較 高的相鄰加熱室的熱影響，基板溫度易高於目標值。 因此，即使如習知之做法，控制加熱裝置之溫度使各 加熱室内的溫度各為固定值，但由於相鄰其他加熱室對基 板產生的熱影響，基板内產生搬送方向上的溫度偏差，是 造成基板及基板上所形成膜的變形、破裂、缺塊等缺陷的 原因。 因此，因相鄰其他加熱室的熱影響而基板溫度易低於 目標值之部位，熱處理方法1對於加熱該部位之加熱裝 置，控制設定溫度於較高值提高該部位周圍的環境溫度以 抵銷熱影響所造成的溫度下降，相反地，因相鄰其他加熱 室的熱影響而基板溫度易低於目標值之部位，對於加熱該 部位之加熱裝置’則控制設定溫度於較低值降低該部位周 圍的環境溫度以抵銷熱影響所造成的溫度上昇，亦即設定 加熱室内溫度的梯度使同一加熱室所設之各加熱裝置的設 定溫度在熱處理體搬送方向上有不同的溫度值。 例如’與相鄰加熱室室内平均溫度差為7〇它之昇溫域

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加熱室的上方（爐頂面），如圖1(a)設有A—!分割成九個可 由各自獨立的控制系統各別控制溫度的加熱裝置，於進行 加熱40吋PDP用玻璃基板的情況下，如圖丨（b)所分割之加 熱裝置A-I均同一設定溫度時（平坦設定），以及如圖丨 相對於中央部位加熱裝置D-F的設定溫度（337它），入口側 加熱裝置G I的叹定溫度較高（3 4 2 )，出口側加熱裝置 A-C的設定溫度較低（332。〇時（傾斜設定），測量經過加熱 既定時間後基板的溫度偏差，如圖i (d)①-⑨處設置溫度 計的玻璃基板上該各設置處所的溫度及其偏差如表1所示 ’比起平坦設定，傾斜設定時基板内的溫度偏差較小。 表1 \ 测定値ΓΟ " 偏 差 ① ② ③ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ 平坦設定 250 251 257 240 242 244 235 236 240 22 傾斜設定 224 222 225 224 222 228 227 226 230 8 熱處理方法1即如所述，於同一加熱室内，控制使得 分割成的各加熱裝置的設定溫度在熱處理體搬送方向上溫 度值不同，藉由設定加熱室内溫度的梯度，抵銷相鄰其他 加熱室對基板的熱影響’以均勻熱處理玻璃基板β且對於 進行基板降溫的降溫域加熱室’控制入口側加熱裝置的設 定溫度於較低值，控制出口側加熱裝置的設定溫度於較高 值，藉由設定與前述例子相反的溫度梯度，達成基板的均

7066-4043-PF 4. ahddub.ptd 第ίο頁 469338 五、發明說明（8) 熱化。 至於加熱室内溫度梯度的設定基準，以昇溫、保溫及 降溫（冷卻）等製程進行基板熱處理的情況下，以設定溫度 梯度使基板在保溫加熱室時，該基板的最高溫度部位與最 低溫度部位的溫度差A T為6。(：以下者為佳.。 、 此外，由於受到爐壁等的熱影響，在爐的橫寬方向也 產生基板溫度偏差的情況時’加熱裝置不僅是在熱處理體 搬送方向（爐的縱長方向），在爐的橫寬方向也加以分割， 並控制使得各加熱裝置之設定溫度在該橫寬方向上也有不 同的溫度值，藉由設定加熱室内溫度的梯度，可抵銷前述 熱影響，進行較均勻之熱處理。 其次說明本發明熱處理方法2。相對於前述熱處理方 法1的目的係基板全體處於同一加熱室内的狀態下加以均 熱化，熱處理方法2的目的則要消除基板移動於相鄰加熱 室之間時產生的溫度偏差。 熱處理方法2亦使用與前述熱處理方法1所使用的熱處 理爐有相同基本構造的熱處理爐’惟該方法裡，各加熱室 之溫度設定非始終固定，當基板搬送於設定溫度不同的相 鄰加熱室之間時，各加熱室之溫度設定隨該基板之搬送而 變化。 例如，如前述般，於昇溫域加熱室’由於愈靠近爐出 口側者室内平均溫度設定得愈高’搬送玻璃基板於昇溫域 的相鄰加熱室之間時，基板前部（基板靠近爐出口侧的部 位）先送入設定溫度較高的目的加熱室内。

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因此，先送入目的加熱室 部（基板靠近爐入口側的部位） 基板内的溫度偏差，僅考慮基 狀態的均熱化而固定加熱室的 時產生的溫度偏差，反而隨著 積增大。 的基板前部，與後送入的後 ’承受不同的熱經歷，造成 板全體處於同一加熱室内的 溫度設定，無法消除該搬送 反覆搬送於加熱室之間而累 此，例如如圖2，熱處理方法2讓各加熱室之溫度設 疋隨基板之搬送而變化。圖中3及5各為昇溫域的相鄰加熱 室’1為熱處理體基板。 首先’如圖2(a)所示在基板i的停止狀態下，各加熱 室3、5的溫度如前述熱處理方法丨所例示，控制入口側加 熱裝置的溫度於較高值，出口側加熱裝置的溫度於較低值 ’設定成有既定的溫度梯度的狀態。 其次’在前述溫度設定下經過既定時間的熱處理之後 ’開始搬送基板1，如圖2(b)所示，基板1前部約1/3進入 目的加熱室5時’各加熱室入口側設定溫度開始慢慢上昇 。甚且，如圖2(c)所示配合基板1的移動之進行，入口側 設定溫度不斷地繼續上昇，如圖2(d)所示當基板1完全進 入目的加熱室5時’各加熱室入口侧設定溫度達到最高溫 度。 如所述’隨著基板1從出發點加熱室3向設定溫度較高 的目的加熱室5移動，提高各加熱室的入口側設定溫度， 則愈是後進入目的加熱室的基板1的較後方部位，目的加 熱室的入口附近愈迅速昇溫，而能夠迅速趕上先前置於高

7066-4043-FF ： ahddub.ptd 第12頁 d6 93 3 8 五、發明說明（ίο) 溫下的較前方部位的溫度。 其次’如圖2(e)所示，基板1在既定位置停止後，各 加熱室入口侧設定溫度慢慢下降，如圖2 ( f )所示，回到既 定的溫度梯度時開始既定時間的熱處理，然後再開始往下 一個加熱室移動° 熱處理方法2如上述，在搬送基板於設定溫度不同的 相鄰加熱室之間時，令各加熱室之溫度設定隨該基板之搬 送而變化，以早期消除搬送工序所產生的基板内溫度偏差 。此外，搬送基板於降溫域相鄰加熱室之間時，與前述例 相反地，隨玻璃基板之移動慢慢降低加熱室入口側的設定 溫度，同樣能夠早期消除搬送時產生的溫度偏差。 並且’前述例係變更加熱室入口側的設定溫度，為視 需要亦可變更加熱室出口側的設定溫度，或變更加熱室内 全體的設定溫度。更可不同於前述例，不設置各加熱室内 設定溫度的梯度，在加熱室全體的設定溫度無差異的狀態 下變更溫度。 ' ' 其次說明適合使用本發明熱處理方法的連續式熱處理 爐。首先，實施熱處理方法1的適宜連續式熱處理爐（熱處 理爐1) ’其基本構成如前述’備有在熱處理體搬送方向上 所區劃的複數個加熱室，及將熱處理體搬送給相鄰加熱室 的搬送裝置。各加熱室設有至少在熱處理體搬送方向上所 分割成的若干加熱裝置，該等所分割之加熱裝置可由各自 獨立的控制系統個別地控制溫度。 並且’該連續式熱處理爐的特徵性構成為具有一溫度

469338 五、發明說明（11) 控制裝置’能夠控制加熱室所設各加熱裝置的設定溫度在 熱處理體搬送方向上有不同的溫度值，據此可簡單地實施 前述熱處理方法1。 實施熱處理方法2的適宜連續式熱處理爐（執處理墟N ，基本構成是相同❸，其特徵性構成為具有」； 置’當搬送熱處理體於相鄰加熱室之間時，能夠使各加熱 室之溫度設定隨該熱處理體之搬送而變化，據此可 ^ 施前述熱處理方法2。 前述任一熱處理爐，加熱裝置均以使用溫度控制簡單 熱裝置為佳，亦可部份或全部使用運轉成本面較 執，燃燒間接加熱式燃燒裝置（㈣管燃燒裝置）作為加 熱j置》此外，輻射管有直線型、單端型、^字型等，任 二藏：2:::。並且’氣體燃燒間接加熱式燃燒裝置以 η歟畜熱體的排熱回收型蓄熱燃燒裝置為佳。 圓3係表示蓄熱燃燒裝置構造之一 燃燒裝置及蜂房狀陶二 燒，可得；端所備有之峨置交互切換燃 端-：：行,m 一端的燃燒裝置燃燒時，μ射管另--端燃燒πυ將排熱回收於蓄熱體，等切換到該另 氣預熱=用蓄熱體所回收之排熱將燃燒空 ，進行短燃燒裝置加^需之燃料使用量。並且 勻加熱成為切換可使輪射管*面的溫度偏差變小，均

7066-4043-PF • ptd 第14頁 469338 五、發明說明（12) 加熱裝置與熱處理體移動範圍之間，以配置套筒為佳 ’該套筒之一部分或全部以高紅外線照射率材質所構成者 則更佳。理由是加熱裝置發出來的熱先由套筒吸收，再由 套筒照射出遠江外線或近紅外線，即可將熱處理體迅速加 熱。並且’藉由該套筒將加熱裝置與熱處理體移動範圍氣 密地加以隔離’也具有確保熱處理體移動範圍的清潔度的 致果。 構成套筒的高紅外線照射率材質，以含有s i C之燒结 體為佳，其中以含浸Si之SiC為最佳。含浸Si之SiC，係將 主成分為碳化矽及碳的成形體，在金屬矽化物存在的低壓 惰性氣體環境或真空中，讓金屬矽化物含浸同時燒結而得 ’例如與晶化玻璃相比較’如圖6所示有明顯較高的紅外 線照射率，且熱傳導率也非常高。 搬送裝置包括如前所述將熱處理體間歇搬送的間歇進 給方式者’以及熱處理體不靜止於各加熱室不停地移動連 續搬送的連續輸送方式者。本發明雖適用間歇進給式搬送 裝置’惟亦可於進行熱處理體昇溫的昇溫域加熱室之間及 進行熱處理體保溫的保溫域加熱室之間的搬送作業上使用 連續輸送式搬送裝置’於進行熱處理體降溫（冷卻）的降溫 域加熱室之間的搬送作業上使用間歇進給式搬送裝置，按 區域之不同使用不同的裝置。 不過’如前述在昇溫域加熱室之間及保溫域加熱室之 間的搬送作業上使用連續輸送式搬送裝置時，為了縮小在 熱處理體橫跨相鄰加熱室之間的狀態下移動時所產生的溫

7066-4043-PF ： ahddub.ptd 第15頁 )8 五、發明說明（13) " 度偏差’相對於熱處理體全體處於同一加熱室内的期間的 搬送速度’熱處理體橫跨相鄰加熱室之間的狀態下移動期 間的搬送速度必須十分快速。具體而言，相對於前者的期 間搬送速度’後者的期間搬送速度以2〇倍以上為佳，5〇倍 以上則更佳。可變更該等搬送速度的連續輸送式搬送裝^ ’可舉例如滾輪輸送裴置及鏈條輸送裝置。 變更搬送速度的具體時機’例如如圖4(a)所示，當熱 處理體基板1的前端，到達區劃出發點加熱室3與目的加熱 室5的區隔壁7的前側下方時，開始加速搬送速度，達到^ 高速度之後，如圖4(b)所示，在基板1橫跨加熱室3、5之 間的狀態的期間，維持該速度。然後，如圖4(c)所示當 基板1的後端，到達區隔壁7的内側下方時開始減速，基板 1全體處於加熱室内的期間則以既定之低速度搬送。 發明效果 如以上所作說明，根據本發明，可於加熱室内進行含 膜形成材料基板之熱處理時，抑制因受到室内平均溫度不 同之其他相鄰加熱室的熱影響所產生的基板内溫度偏 將基板全體均勻地熱處理。並且，根據本發明，可早期消 除當搬送含膜形成材料基板於不同設定溫度之相鄰加熱室 之間時所產生的基板内溫度偏差。 、'、 圖式簡單說明 Μ主 熱處理方法1相關實施例之—例的說明圖， (a)表示加熱裝置之構成概要，（b)表示平坦設 ;^ 置的設定溫度’⑻表示傾斜設定時加熱裝置 熱度絮

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沾（d)表示熱處理體破璃基板與該基板上所設置之溫度計 的位置。 圖2係表示熱處理方法2相關實施例之一例的說明圖’ (a)-(f)各表示在昇溫域相鄰加熱室之間的基板移動及該 移動時設定溫度的變化。 . 圖3係表示蓄熱燃燒裝置構造之一例的概要圖。. 圖4係表示使用連續輸送式搬送裝置時，變更搬送^、維 度的時機的說明囷，（a)表示開始加速的時機’（b)表v ’·’ 持最高速度的期間，（c)表示開始減速的時機。 圖5係表示PDP製造製程的製程圖。 圖6係表示含浸S i的S i C的紅外線照射率圖° 符號說明 基板； 3~加熱室； 5〜加熱室； 7〜區隔壁； 13〜輻射管； 15〜蓄熱體。

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Claims (1)

1. 469338 六'申請專利範圍 含膜形 熱處理 體搬送 處理體 系統個 其 於 一方其 加熱裝 溫度， 處理的 基板均 2. 搬送裝 給式搬 3. 溫、保 加熱室 板的最 4. 含膜形 熱處理 一種基板之 成材料基板 體搬送方向 給相鄰加熱 搬送方向上 別地控制溫 特徵在於： 前述複數個 室内平均溫 置的設定溫 藉由設定加 基板，抵銷 勾地熱處理 如申請專利 置係將熱處 送裝置。 如申請專利 溫及降溫等 内溫度的梯 高溫度部位 一種基板之 成材料基板 艘搬送方向 熱處理方法，使用連續式熱處理爐，將 熱處理’其中連續式熱處理爐，備有在 上所區劃的複數個加熱室，及將熱處理 室的搬送裝置，各加熱室設有至少在熱 所分割成的若干個可由各自獨立的控制 度的加熱簌置； 加熱室當中’與相鄰其他加熱室之至少 度不同的加熱室’控制該加熱室所設各 度使其在熱處理體搬送方向上有不同的 熱室内的溫度的梯度，對該加熱室内熱 所受相鄰其他加熱室的熱影響，將前述 〇 範圍第1項之熱處理方法，其中.，前述 理體間歇地搬送給相鄰加熱室的間歇進 範圍第1項之熱處理方法，其中，以昇 製程將前述基板熱處理的情況下，設定 度’使前述基板處於保溫加熱室時該基 與最低溫度部位的溫度差△ T為6 以下 熱處理方法，使用連續式熱處理爐’將 熱處理，其中連續式熱處理爐，備有在 上所區劃的複數個加熱室，及將熱處理

   7066-4043-PF ； ahddub.ptd 第18頁 469338 六、申請專利範圍 體搬送給相鄰加熱至的搬送裝置’各加熱室設有至少在熱 處理體搬送方向上所分割成的若干個可由各自獨立的控制 系統個別地控制溫度的加熱裝置； 其特徵在於： 搬送基板於不同設定溫度之相鄰加熱室之間時，令各 加熱室之溫度設定隨該基板之搬送而變化，以早期解除該 搬送工序所產生的基板内溫度偏差。 5. 如申請專利範圍第4項之熱處理方法，其中，前述 搬送裝置係將熱處理體間歇地搬送給相鄰加熱室的間歇進 給式搬送裝置。 6. —種連續式熱處理爐’備有在熱處理體搬送方向上 所區劃的複數個加熱室，及將熱處理體搬送給相鄰加熱室 的搬送裝置，各加熱室設有至少在熱處理體搬送方向上所 分割成的若干個可由各自獨立的控制系統個別地控制溫度 的加熱裝置； 其特徵在於： 具有溫度控制裝置，可控制前述加熱室所設之各加熱 裝置的設定溫度，使其在熱處理體搬送方向上有不同溫'‘' 度。 7. 如申請專利範固第6項之連續式熱處理爐，其中， 前述加熱裝置為電熱裴置。 ' 8. 如申請專利範圍第6項之連續式熱處理爐，其中， =加熱裝置之一部份或全部為氣體燃燒間接加熱式燃燒

   3 9 3 3 8 六、申請專利範圍 9. 如申請專利範圍第8項之連續式熱處理爐，其中， 前述氣體燃燒間接加熱式燃燒裝置為内藏蓄熱體的排熱回 收型蓄熱燃燒裝置。 10. 如申請專利範圍第6項之連續式熱處理爐，其中， 前述加熱裝置與熱處理體移動範圍之間，配置有套筒，且 該套筒之一部份或全部以高紅外線照射率之材質所構成。 11. 如申請專利範圍第7項之連續式熱處理爐，其中， 前述加熱裝置與熱處理體移動範圍之間，配置有套筒，且 該套筒之一部份或全部以高紅外線照射率之材質所構成。 12. 如申請專利範圍第8項之連續式熱處理爐，其中， 前述加熱裝置與熱處理體移動範圍之間，配置有套筒，且 該套筒之一部份或全部以高紅外線照射率之材質所構成。 、.1 3.如申請專利範圍第9項之連續式熱處理爐，其中， 前述加熱裝置與熱處理體移動範圍之間，配置有筒， 該套=之如一申部Λ或”以高紅外線照射率之材質所構成。 1 上如申凊專利範圍第1〇項之連續式熱處理爐 H高t紅射率之# f Μ # S1 : 15.如f請專利範圍第6、7、s、9、ι〇 或14項之連續式熱處理爐，其中， 理T:申搬二相鄰加熱室的間歇 1 6.如申请專利範圍第6、7、8、9 哀罝 或14項之連續式埶處理爐 | 、12、13 >皿域加熱室之間及進行熱處理體保”的昇 的搬送作業使用連續輸送式搬 ^域^熱室之間 发直而進行熱處理體降

   7066-4043-PF * ahddub.ptd 第20頁 ^6 9338 六、申請專利範圍 --— 溫的降溫域加熱室之間的搬送作業使用間歇進給式搬送裝 置。 1 7.如申請專利範圍第1 6項之連續式熱處理爐，其中 ’前述連續輸送式搬送裝置可變更速度，相對於熱處理體 全體處於同一加熱室内的期間的搬送速度，熱處理體橫跨 相鄰加熱室之間的狀態下的移動期間的搬送速度可達2〇倍 以上。 ° 18. —種連續式熱處理爐’備有在熱處理體搬送方向 上所區劃的複數個加熱室’及將熱處理體搬送給相鄰加熱 室的搬送裝置’各加熱室設有至少在熱處理體搬送方向^ 所分割成的若干個可由各自獨立的控制系統個別地控制溫 度的加熱裝置； 其特徵在於： 具有溫度控制裝置，於搬送熱處理體於相鄰加熱室之 間時’令各加熱室之溫度設定隨該熱處理體之搬送而變化 〇 19. 如申請專利範圍第18項之連續式熱處理爐，其中 ’前述加熱裝置為電熱裝置。 20. 如申請專利範圍第丨8項之連續式熱處理爐，其中 ’前述加熱裝置之一部份或全部為氣體燃燒間接加熱式燃 燒裝置。 21. 如申請專利範圍第2〇項之連續式熱處理爐’其中 ’前述氣體燃燒間接加熱式燃燒裝置為内藏蓄熱體的排熱 回收型蓄熱燃燒裝置。

   7066-4043-PFahddub.ptd 第21頁 469338 六、申請專利範圍 2 2.如申請專利範圍第18項之連續式熱處理爐，其中 ，前述加熱裝置與熱處理體移動範圍之間，配置有套筒， 1該套筒之一部份或全部以高紅外線照射率之材質所構成 2 3.如申請專利範圍第19項之連續式熱處理爐，其中 ’前述加熱裝置與熱處理體移動範圍之間，配置有套筒， 且該套筒之一部份或全部以高紅外線照射率之材質所構成 24.如申請專利範圍第20項之連續式熱處理爐，其中 ’前述加熱裝置與熱處理體移動範圍之間，配置有套筒， 且該套筒之一部份或全部以高紅外線照射率之材質所構成 25·如申請專利範圍第21項之連續式熱處理爐，其中 ’前述加熱裝置與熱處理體移動範圍之間，配置有套筒， 且該套筒之一部份或全部以高紅外線照射率之材質所構成 2 6.如申請專利範圍第22項之連續式熱處理爐，其中 ’前述商紅外線照射率之材質為含有SiC之燒結體。 27·如申請專利範圍第18、19、20、21、22、23、24 、25或26項之連續式熱處理爐中，前述搬送 熱處理體間歇地搬送給相鄰加熱室的間歇 ’、將 置。 項給式搬送裝 28.如申請專利範圍第18、19、20、21 、25或26項之連續式熱處理爐，其 '22、23、24 仃熱處理體昇溫

   7066-4043-R7 ： ahddub.ptd 第22頁

   489338 六 申請專利範® 的 -昇溫域加熱室之間及進行 之間的搬送作業使用連續於理體保溫的保溫域加 體降溫的降溫域加熱室沾土搬送裝置，而進行埶I至 送裝置' 之間的搬送作業使用間歇：；；： ，前I連如續VC以第28項之連續式熱處理爐t其_ 全體處於同-加===更迷度’相對於熱處其:體 相鄰加熱室之搬送速度，熱處理體橫ί 以上。 ^態下的移動期間的搬送速度可達20^