TW466737B - Fully planarized dual damascene metallization using copper line interconnect and selective CVD aluminum plug - Google Patents

Description

466737 A 7 B7 經濟部中央標準局&貝工消費合作社印製 五、發明説明（ 發明背景 發明領域 本發明係關於一種製造半導體裝置所用的金屬化法。 更詳έ之’本發明係關於一種使用銅線内連通及選擇性 CVD鋁經由插塞的完全平面化雙層達馬新金屬法。 相關技藝背景 半次微米多層金屬化法是新一代超大型積體電路 (VLSI)的關鍵技術。為此技術核心的多層内連通需使形成 於回寬長比之徑孔内的内連通特性，包括觸點、通道、或 是其它特性平面化、這些内連通特性是否可靠地形成對於 VLSI的成功，及繼續增加電路密度及在各別基板和沖模 上的品質而言是非常重要的。 當電路密度增加時，通道的寬度，觸點及其它特性， 也和介於其間的介電材料一樣，必須降低。因此，要花費 越來越多的努力於形成越來越小的無孔隙特性。此等方法 包括當材料在基板表面時其只存在於外露之成核表面的選 擇性化學蒸氣沉積法（CVD)。選擇性CVD包含當導電性基 板與化學条氣組份接觸時薄膜層即沉積的方法。該基板 在此等基板上成核，該基板上得到—另進行沉積程序的金 屬表面。 選擇性CVD金屬沉積法係根據下列事實：金屬 前驅物氣體的分解通常需要來自導電性成核薄膜的電子來 源。根據傳統的選擇性CVD金屬沉積方法，該金屬係形 成於孔底’其令來自導電性底層的金屬薄膜或是經播雜的 本紙張尺度it财關家標準（CNS ) A4規格 (諝先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -衣： --訂----- -4- 46 673 7 ::A7 … _ B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（2 ) 矽或是金屬矽化物已先行露出，該金屬應該不是形成於例 如介電埸及孔壁等介電質表面上，不像介電埸和孔壁—樣 ，金屬薄膜底層或是經摻雜的^夕係具有導電導電性，而且 提供金屬氣體分解所需的電子，因而使金屬沉積。選擇性 沉積所得的結果係為CVD金屬在經由或接觸開口而能填 充非常小尺寸（<0.25微米）、高寬長比（>5:1)的徑孔中由下 往上地外延生長。 」§_·ϋ(Α1)及其合金一直是傳統上用來形成導電性程 序裡所用之導線和插塞的金屬，因為鋁的阻抗低，對二氡 化矽的附著力優良，易於成型和高純度。此外，有利於上 述選擇性CVD方法的鋁前驅氣體容易獲得。無論如何， 鋁具有較高的阻抗和電移的問題。電移係為一種運作電路 時在金屬電路裡所產生的現象，相對地是一種在製造期間 内發生的故障現象。電移係因金屬在電路裡所建立的電埸 中擴散而產生。.金屬在操作數個小.時後.從一段.傳送到另一 如並且最後元全分離.，造成電路中產生一開口。該問題有 時係藉由摻雜Cu及改良texture來克服。不論如何，電移 係為一個隨積體層數增加時而變得更糟的問題。 另一方面二ϋ和其合金的阻抗比起鋁甚至更低，而其 抗電移性明顯更高。這些特性對於以高積體層數得到高電 流密度和增加裝置速度而言是重要的。然而，關於將銅金 屬積合至多層金屬化系統裡的主要問題是（1)使用蝕刻技 術將金屬圖樣化的困難度，和（2)使用pVd而不用CVD程 序填充微小的通道。對於次微米最小特徵尺寸的裝置而言 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r裝·

、1T • i i —Γ I— - -.^n -I— · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 4 6 673 7 *. · A7 ~~ '~~ ----- Π7. 五、發明説明（3 ) 一 ：一' -~~一-_ 力將銅圖樣化的濕钱刻技術已不被接受，因為液體表面張 力、等向祕料性，在過㈣控制的困難度，及無' 靠利用乾蝕刻程序。 、已經有人提出—些用來製造經圖樣化之銅内連通的方 法’包括選擇性無電性製版，選擇性化學蒸氣沉積法，高 温反應性離子蝕刻法和發射⑽。ff)處理。無電性製版； 要内連通層來做為導電性層。然後可將導電性層導入溶液 或浸液中。 ，典型的選擇性化學蒸氣沉積法包含金屬前驅物氣體層 在導電性表面上分解。…然而，並不容易獲得選擇性 銅線可靠方法。 高溫反應性離子蝕刻技術（RIE)，或是飛濺蝕刻技術 ，也已經用於銅層的製造。再者，RIE可用於有關發射⑴行 off)處理方面’其中發射過量的金屬係藉由釋放層發射穿 過構造以離開留下其内形成銅特徵的平面。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 銅金屬配線的另一技術包括薄層絕緣材料，如二氧化 石夕（Si〇2)内將凹槽及/或觸點圖樣化和蝕刻。其後，可將薄 層載體材料，如Ti ’ TiW或是TiN置於絕緣層頂端和凹槽 及/或觸點裡以當做擴散載體，以預防接著欲沉積進入石夕 内的金屬内擴散繼而滲入矽中，及置於該金屬和氧化物之 間。在載體金屬沉積之後，將銅層完全地沉積以填入凹溝 中。 雖然有這些技術可用，但是仍需要一種高整合度地製 造内連通所用的銅金屬化方法。此等高整合的内連通必須 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 466737

五、發明説明（4 經濟部中先標準局員工消費合作社印製 碑有無孔隙通道，特別是高寬長比的通道，次四方之一微 j寬的彳工孔以形成觸點和通道^此外，需要—種提供具有 门電導和經改善之抗電移性的電路的方法。想要的是具有 一種需要心1在通道裡形成插塞及在凹溝裡形成佈線之 v鄉的間單方法。更進―步想要的是，該方法可以不用使 用金屬蝕刻技術就達成這些所有目的。 發明概沭 •本發㈣、提供-種在具有雙層達馬新通道和定義佈線 (wlre definition)之介電層中形成雙層達馬新内連通的方法 ’其中通道具有-層使沉積強化材料露出之地面。該方法 包括將導電性材料（較佳為則以選擇性化學蒸氣體沉積法 沉積在通道的沉積強化材料上，以在通道内形成插塞。然 後將阻樣層沉積在插塞和定義佈線之外露的表©上。然後 將定義佈線藉由沉積導電牲金屬（較佳為銅）的方式填在阻 擋層上。最後，將導電性金屬，載體和介電層藉由化學機 器拋光法平面化，以定義導線。 本發明之其他目的係提供一種在沉積強化材料上形成 雙層達馬新内連通模組的方法。該方法進一步地包括在沉 積強化材料上形成一介電層，然後將介電層蝕刻以形成雙 層達馬新通道和定義佈線的步驟，其中通道具有使沉積強 化材料露出的底部。在基板未具有一層沉積強化材料之時 ，可以在形成介電層前先設有該層。此外，根據本發明， 户層金屬内連通係藉由將另一沉積強化材料的阻擔層放在 平面化層上而得。接著形成一層介電層並不斷地重複上述 本纸狀度適用中國國家標準（⑽）Μ規格（2]〇χ297公幻 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝------訂 • I -II I! - “ I ff I - - · 46673 7

五、發明説明（ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 的步驟以將該介電層填入。 圖式之簡單說明 為了進一瞭解本發明之特徵及技術内容，請詳細參閱 以下有關本發明之詳細說明與實施例，然而下列實施例僅 供參考與說明用，並非用來對本發明做任何限制。 然而，必需注意的是所附的圖式僅用來舉例說明本發 明的典型具體實施例，因此並非用來限制其發明範圍，對 .於本發明而言可以涵蓋其他等效性的具體實施例。 第iAmE圖顯示—個雙層達馬新通道和定義佈線及 獲仔本發明第—具體實施例之金屬内連通的步驟。 入第2A⑽圖顯示—個雙層達馬新通道和定義佈線及 獲得本發明第二具體實關之金屬内連通的步輝。 第3圖是-個為本發明接續的金屬化法所配置的整合 處理系統。 本發明之詳細説$ 本發明係提供-種就地金屬化法，該方法在減低内連 ，阻抗和改善電移效能的高度整合結構中獲得—内連通。 定言之’本發㈣提供„種雙達馬新内連通，其將充滿通 道之選擇性化學蒸氣沉積法（CVD)金屬與形成在阻撞層上 并。本發明的優點如下：⑴輕具有比銘更低 峨(導電導電性較大)和更大的抗電移性，⑺在銅線和 ^圍的介電.材料之間有—氣層，（3)無孔隙、次半微米 選擇性⑽金屬通道趣，和⑷處理步驟次數降低。 本紙張尺度適财酬家蘇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I--------訂----；—--''、線----- 466737 Λ7 ' I-----________ B7 五、發明説明（6 ) ~ CVD A1方法和用來形成線路之pvD 方法作參考加以說 明如下。然而，其他的選擇性^^^^金屬方法和其他pVD金 屬方法，例如PVD A1/Cu，也可以用來達成本發明的優點 〇 本發明之另一目的係提供一種形成具有低阻抗和良好 抗電移性之雙層達馬新内連通的方法。該方法係利用雙層 達馬新通道和蝕刻進入介電層中的定義佈線。次半微来通 道藉蘋·毯。使定義佈線具有 層並使用材料蒸氣沉積法身來埴奋铜（Γιι)。 使構造平_面化的方式完成_。 本發明之其他目的裡，上述方法係進一步地包括將溫 pvd A1層沉積^VD A1插塞上及在形成阻擋層前沉積外 露之介電層的步驟。溫PVD A1層係在超過15〇 t以上並 且較佳在超過25(TC的溫度下沉積。溫PVD A1希望得到經 平面化的金屬薄膜，其中CVD A1#驟中的選擇性損粍在 介電表面上形成小塊（nodules)。將這些小塊併入在薄平面 化金屬層中’以確定後來沉積的阻擋層均勻地而沒有銅可 以滲透的孔或裂縫地沉積。 .為了形成本發㈣1C結構，介電層係藉由傳統技術沉 積在形成於基板上之沉積強化材料上。介電層可以如一并 單金屬化法層厚度一樣薄，因為雙層達馬新通道和定義佈 線將蝕刻經過其中。任何的介電材料，不論是否目前已去 或是未被發現，皆可以使用且皆在本發明的範疇中.。介^ 層可以沉積在任何合適的沉積強化材料上，但是較佳的、一 本紙痕尺賴用巾關家縣（CNS ) A4難·（ 210X297公楚)'~~ -------_________ -9- 4 6 6 73 7 Α7- Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 積強化材料包含導電性材料和經換雜的石夕。 請參考第1，顯示層狀結構_剖面圖包含 形成在沉積強化層Η上的介電層16，較佳導電性元件或是 導電性層。沉積強化層U可以是採用經摻雜石夕基板的形式 或可以疋第-層或疋其後在基板上所形成的導電性層。 介電㈣係根據此項技藝所知的程序形成在沉積強化層μ 上，以形成整個積體電路中的一個元件。 一旦沉積’將介電層_叫成雙達馬剌道或線路 ，其中通道具有—露出小部分沉積強化材料14的底層30。 可以利用包括電隸刻等任何介電㈣方法絲刻介電層 =。兹刻二氧.化朴有機物的特殊技術可以分別包含例如 氫氟酸緩衝液和丙嗣或EKC等化合物。不論如何，圖樣化 步驟可以使用該項技藝所所知的方法完成。 請參考第1A圖，該圖係顯示形成在介電層16内之一 雙層達馬新通道和定義佈線32的剖面圖。根據本發明所形 成之定義佈線32通常便於導電性摘通沉積錢導電性底 層元件電性連接。定義佈線32設有通道壁34和使至少一部 份沉積強化材料I4露出的底層3G。沉積強化材料u可以是 一層包括金屬、經摻雜之矽或是其他導電性材料的線路或 裝置。尤其，沉積強化材料可以是選自一群包括鋁，氧化 鋁，鈦，氮化鈦，钽，氮化鈕和經摻雜之矽等材料的阻擋 層。本發明之導電性通道底部係供金屬方孕· 填充通道或插塞。選擇性C VD方法是7呂 。舉例來說，CVD八！薄膜可以藉由二^基紹混成物 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐.）

10- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 466737 ， A 7 B7 五、發明説明（8) (“DMAH”）分解反應所形成。該特殊反應發生得比當反應 物與作為電子施體之沉積強化材料’例如導電性材料的表 面接觸時更快許多。因此’可以達成控制的特定量度或對 於CVD A1在何處沉積或如何藉由製備一些表面具導電導 電性而一些未具導電導電性之結構而沉積的選擇性。 情參考第1B圖，該圖係顯示形成在通道32内之無孔 插塞18的剖面圖。選擇性CVD A1係使卜 延生_長。雖然CVD A1的選擇性相當好，但是少量的CVD A1 也可以沉積在非導電導電性介電層16的表面上以形成小塊 -假如表面包含可以做為成核場（nucleation sites)的缺點。 CVD A1可以在不同的條件下沉積，典型的方法包含 介於120°C到280°C的基板溫度和介於20 A /秒到200 A /秒 的沉積速率，和300 A /秒到1 〇〇〇 A /秒的選擇性CVD。CVD A1沉積法可以在1托到80托，較佳在大約25托的室壓下進 行。CVD A1的較佳沉積反應包含下列反應式所示之二曱 基鋁混成物（“〇厘八11”)與氫氣的反應： 6(CH3)2A/-H+3H2..........^6A/+12CH4 (CH3)2A/-H.........— A/+2 TMA(trimethyl aluminum)+H2 通道32内形成金屬内連通的沉積是有選擇性的，因為 導電性底層14葯表面30已在通道32的底部處接觸CVD A1 。因此’ CVD A1係從底部30向上沉積以填充徑孔32而幾 乎沒有沉積CADA1在通道壁34上。 此外’通道32包含幾乎非導電導電性介電壁34和導電 性底部30。如上所討論’幾乎非導電導電性材料，例如徑 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---；—„----裝I..------訂-----3¼ ../vv. - / . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -II - 466737 A7 B7 五、發明説明（9 孔的介電壁34,不是良好的電子 工 」 μ ¥ + _’而且g此無法提供 良好的成核以供CVD金屬金屬前驅物分解。而且，cvd 金屬薄膜開始形成在通道底部30上，因為形成通扣底部 之已露出的導電性元件14核分解。在第—層㈣已沉積在 通道底部30上之後，接著的沉積步驟更容易進行，以致於 金屬從通道底部30向上或向外生長以填充通道& _雖然通道32之介電壁34上的缺點可能造成小塊散佈在 徑孔内’這些小料常不阻塞徑孔而在其中產生孔隙，因 為小塊形成得比選擇性生長更慢許多。在小塊具有生長跨 過通道及在其巾形纽隙，甚至像寬長比5:1—樣高的機 會之前，將通道從底部向上填充，因為導電性通道底部3〇 露出比典型缺點更多的表面積。選擇性沉積的端點係由沉 積速率和持續.時間決定: . 由第1C圖可看出，阻擋層20係沉積在銘插塞以及壁 和疋義佈線38之壁及底部。阻擔層較佳由鈦，氮化鈦，鈕 ’氮化鉅所形成》所用的方法可以是PVD或是CVC)。阶拷 層和增加了鋁插案:彳s 66可,啤〇較 佳的是’阻擋層的厚度大約為50至400 A，最好是大約200 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A。 由第1D圖可看出’銅22係以物理蒸氣沉積方式沉積 在阻擋層20上以填充定義佈線38(請參考第1C圖）。為了填 充定義佈線，通常結構的整個範圍將覆蓋PVD Cu。 從第1E圖可看出，然後將绪構10的頂端部份平面化 ，較佳藉由化學機器拋光法（CMP)平面化。在平面化過程 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) .Μ規格（210X297公釐） -12- 466737 A7 B7 五、發明説明（10 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 中將銅22 ’載體材料2〇和介電質^的部份從結構頂端移 除，留下具導線形成於其中的平面化表面。 根據本發明的第二部份，上述方法更包括在形成阻播 層之前物理蒸氣沉積紹薄層在外露的銘插塞和定義佈線上 PVD A卜薄層疋平滑覆蓋在定義佈線表面所形成的任何 小塊上，所以阻擋層將會均勻且連續。 第2A到2F圖係描述本發明第二部份所包含的步驟。 第2A到2B圖分別地與第lAf,jlB圖相同。第％圖顯示形成 第2B圖之結構4G上的PVD A1層42。PVD A丨係提供將在選 擇性C VD A1之先前步驟期間所形成之任 <可小塊合併的平 滑層。PVD A1層42的較佳厚度為大則叫到·入。然 後’第2D到2F圖以類似第⑴到化圖所述的方式詳述介電 層20的沉積，PVD 〇11層22的沉積，和結構4〇的平面化。 因此，本發明的第二部份與先前所描述的方法極相似，但 是另外包括在CVD A1插塞18和阻擋層2〇之間沉積PVD A1 層42的中間步驟。 本發明之另一目的係提供一種形成多層金屬内連通的_ 方法。首先，將沉積強化材料層放置在加工物件上。然後 在沉積強化材料的外曝層上形成一介電層，並且蝕刻形成 一雙層達馬新通道和定義佈線，其中通道具有一使沉積強 化材料露出的底層。進行鋁的選擇性化學蒸氣沉積法(CVD A1)，使鋁沉積在通道底部的沉積強化材料上以便在通道 内形成插塞。在該階段裡，内連通可以在插塞和定義佈線 的外露表面上視需要地接納PDVA1薄層。該視需要而置 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝一-- 訂 、踩-- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210x297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 46673 7 ' A7 _______B7 五、發明説明（11 ) 的薄，有助於使在介電表面上因選擇性損粍而產生之鋁小 塊平滑，如上所述。 其此，將第一層阻擋層沉積在鋁插塞和介電表面上， 或是二者擇其一地，沉積在視需要而置的PVD A1層上。 然後將PVD Cu沉積在介電層上以填充定義佈線。將銅層 、阻擋層、鋁層和包括結構的介電層平面化，較佳藉由 CMP平面化以定義導線。然後將也有如沉積強化材料功 能的第二層阻擋層沉積在平面化層上。依此，以阻擋層包 覆銅線以防止銅擴散，並且得到沉積強化層，所以方法可 以重覆無數次以形成多層模組。當最後阻擋層沉積在最後 銅線上之後’較佳將鈍化層放在頂端上。 本發明的方法較佳以設計用來處理基板的整合工具組 進行。圖3係也有如沉積強化材料功能顯示·"整合工具組60 的草圖整合工具組的完整描述及其操作概述皆揭示於共 同轉讓之美國專利申請案第術571鄭號，該案在此併二 本案以供參考。結構的正確排列及組合可因執行製造程序 之特殊步驟目的而改變。 根據本發明，工具組6〇較佳設有一微用來執行上述處 理方法的控器。為了開始本程序：—個基板必須經由―載 鎖置人。具有槳葉67的自動裝置料將基板從載鎖盒 62經由缓衝室68移到除氣晶®定位室70，然後到達預潔室 72。 、 然後將經蝕刻的基板以自動裝置放入選擇性CVD A1 室82做通道的無孔隙填充以形成插塞。因為某些小塊可能 本紙依尺度巾關 --------I----1- -!1- —1 I I 1Λ. .1 ..... H. _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 寐---I------------- -14- 466737 A7 B7 五、發明説明（12 ) 形成在定義佈線上，所以希望將基板移到溫鋁的沉積使小 塊平面化的溫PVD A1室84。 然後將基板移到小室86以使阻擋層沉積在插塞和定義 佈線上，其較佳利用物理蒸氣沉積法進行。然後利用物理 蒸氣沉積法將銅沉積以填充定義佈線。預斯基板可能在一 或數間小室内處理或冷卻數次以完成在所要之基板上製造 的結構。然後將基板經由傳遞室8 〇，冷卻室7 6，和缓衝室 68到載鎖盒62移回，如此基板就可以移開。為了完成配線 ’接著將基板送入化學機器拋光機器令平面化。 1993年2月16日公告名稱為，’分段真空晶圓處理系統與 方法，’之Tempman等人的美國專利第5，186,718號揭示一種 刀段真空晶圓處理糸統’其在此併入本案以供參考。 上述之具體實施例係用來詳細說明本發明之目的、特 徵及功效，對於熟悉該項技藝人士而言，可能根據上述說 :明而對該具體實施例作部分變更或修改，卻不脫離出本發 明之精神範疇，所以，本發明之專利範圍僅由附綠之申請 專利範圍加以說明之。 mi fm ^^^^1 B-I - --f ^ϋν —^m .^^ϋ— i^m n \ . V n^l in I mu l~ .)聱 i ./ ..(请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 I準 標 家 國 一國 一中 用 一適 一度 尺 張 紙 I本 |釐 公 466737 A7 B7 五、發明説明（13 ) 60.. .整合工具組 62.. .載鎖盒 64…自動裝置 67.. .漿葉 6.8.. .缓衝室. 70.. .除氣晶圓定位室 元件標號對照 72.. .預潔室 76.. .冷卻室 80.··傳遞室 82.. .選擇性CVD A1室 84·.·溫PVD A1 室 86.. .小室 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ^---- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16-

Claims (1)

1. 4 6673 7 經 濟 部 中 央 標 準 員 工 消 費 合 作 社 印 製 六、申請專利範圍 乂：:二有雙層達馬新通道和定義佈線之先!層中形 =達馬新内I通的絲，其t通道具有—使沉積 強化材料外露之農層，該方法包括以下步驟： a) 以麵農錢㈣^將第一層導電性材料沉 積在ϋ崖JSJE的沉積強化材料上以在通道内形 .挣蹇； b) 將ϋ量沉積在插塞和介電定義佈線的外露表面 C)將«料沉積在阻擋層上以复^定義佈 線；和 d)使第二導電性材料、介電層和阻擋層平面化，以 定義導線。 2. 根據申請專利範圍第丨項的方法，其中第二導電性材料.是銅。.._ ' ' 3. 根據申請專利範圍第w的方法，其中第二導電性材料 係選自一群包括銅，鋁，及其混合物。 4_根據申請專利範圍第(項的方法，其中第一導電性材料 是ί呂。 " [根據申請專利範圍第i項的方法，其十步驟⑷到（b)皆 在整合系統中執行。 6_根據申請專利範圍第丨項的.方法，其中平面化的步驟 由化學機械拋光法進行 7.根據申請專利範圍第丨項的方法，其中阻擋層包括— 選自一群包括 1，氮化鈦，鈕，氮化钽，經摻雜 訂 是 種 之矽 本紙^度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（ -17- Μ 66 73 7六、申請專利範圍 ABC D8 ，鋁和氧化鋁的材料。 8. Τ 一種在具有雙層達馬新通道和定義佈線之介電層中形 成雙層達馬新内連通的方法，其中通道具有—使沉積 強化材料外露之底該方法包括以下步驟： ^ a) b) c) d) 以錄去將立沉積在里產產^的 沉積強If料上以在通道内形成插塞； fvy 將努薄層沉積在插塞和介電定 義佈線的外露表面上； 將里禕層沉積在鋁層上； 將H生材料沉積在阻擒層上以填充以也線； 和 ’ ， . e).使導電性材料、截體、&人而β 竹戰體鋁和介電層平面化，以定 義導線。 9.根據申請專利範圍第8項的方 ^ 嗦旳万去，其t導電性材料是鋼 6 1〇·根據申請專利範圍第8項的 ^ .的方法’其中導電性材料係選 自一群包括銅，鋁及其混合物。 11. 根據申請專利範圍第8 1 π π万去，其中步驟（a)到（b)皆 在整合系統中執行。 12. 根據申請專利範圍第8的 ^ 旳方法，其中阻擋層選擇自一 群包括鈦，氮化鈦，鈕， ' 一— 长 虱化艇，經摻雜之石夕，鋁和 乳化紹的材料。 ㈣㈣料上形成雙層達馬新㈣通模組的 方法，其包括以下步驟： 466737 A 8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 a) 在強Jhit料上形成__^^層； b) 蝕刻介電層以形成雙層達馬新墀違和定義佈線， 其中通道具有一使沉積強化材料外露的底部； 以遷·逢積將導電性材料沉積在通 道底部的沉積強化材料上以在通道内形咩插塞. 將.奥.擔〜層沉積在插塞和定義佈線的表面上； 以物理瘵氣沉積法將鋼沉積在阻擋層上以填充^ 羲農線;和 使銅，阻擋層和介電層平一面化以定義電線。 14.根射請專利範圍第_的方法，其中沉積步驟係在 整合系統中執行。 15·根據申請專利範圍第13項的方法 係由化學機器拋光法來執行。 16.根據申請專利範圍第13項—的方法 -群包含鈦’氮化鈦，鈕，氮化鈕，經摻雜之矽 和氧化鋁的材料。 17=據申請專利範圍第13項的方法，其中導電性材料是 .18•根射請專㈣圍第13項的方法，其中沉積強化材料 “選自一群包括鈦’氮化欽’叙’氮化叙’經摻 之石夕，師氧化銘等材料做成的㈣層所形成。/ 丁 19.-種形成雙層達馬新内連通模組的方法，其包括以 C) f) 其中平面化_的步 其中阻播層選擇自 鋁 雜 步驟： a) 在強化材料上形成一介雪碍 下 ( cns ) (210x297^ 驟

   ,--ί丨~. —.~~CT 裝 —------II·----I--twiI-----^ — r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 -19- 4 8 6 73 T 申請專利範圍 b) 經濟部中央襟率局員工消費合作社印製 ^刻介電層㈣成雙層達馬新顧和定義龙線， …中通道具卜使沉積強化材料外露的底^7 :選嚴益將多^料沉積在通 道底部的沉積強化材料上以在通道内形成―插產； 以渔星^>毛禮_法將沉積在插塞和 線的外露表面上； 我佈 將m層沉積在鋁層上； 以袭莲將鋼.沉積在阻擋層上以填充定 義佈線；和 、 使結構的上表面平面也以定義電線。 1根據申料難圍第19項的方法，其巾沉積步驟係在 整合系統中執行.。. Μ·根據申請專利範圍第Β項的方法，其中阻播層係選自 -群包含鈦’氮化鈦’鈕’氮化鈕，經摻雜之矽，鋁 和氧化鋁的材料。 22·巧據申請專利範圍第19項的方法，其中沉積強化材枓 系由選自群包括敛，氮化欽，組，氮化叙，經換雜 之矽，鋁和氧化鋁等材料做成的阻擋層所形成。 123·—種形成羡漫金[I連ϋ的方法，其包括下列步驟： a) 將一層沉積強化材料加工物件上； V b) 在沉積強化材料的上形成一介電層； C) 刻介電層以形成羞^和定羞佈蛑， 其中通道具—使沉積強化材料外露的底部； 以選揼.焯化學蒸積—逢將鋁沉積在通道底部的 c) d) g) 頁 訂 d)

   本紙張尺歧财關家縣（0^_14職 -20- 466737 六、申請專利範圍 /儿積強化材料上以在通道内形成，插塞; X物理將義薄層沉積在插 線的外露表面上; 疋義倚 將第一&擋層沉積在鋁層上； ' Jvi> ..， 以物蓮兹呈將銅、沉積在阻擋層上以填充定 義佈線；和 h) 24. 使銅’阻推層，師介電層平反化以定義電線； ί)將笔沉積在平面化層上，其中第二 阻播層是沉積強化材料_. j) 4覆步驟(b)到（h)。 鈍化層放置在平面化層頂端上的步驟 ^申請專利範圍第23項的方法，其進一步地包括將 經 濟 部 中 央 準 員 工 消 費 合 作 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X·297公釐） -21 -