TW465097B - Ferroelectric memory having electromagnetic wave shield structure - Google Patents

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4650 9 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) 本發明之背景 1. 本發明之界定 本發明係論及一種鐵電記憶體（FRAM)，以及詳言之 ，其係論及一種記憶體’其係具有一電磁激屏蔽結構，以 致在安裝進一 1C卡等内時，不會接收到外來電磁波之影嚮 〇 2. 相關技藝之說明 鐵電記憶體所利用之現象是，當一鐵電材料因一定 向電場之施加而極化時，其極化之狀態，即使在其電源關 閉下，依然能保存殘餘之極化強度。與一電性消除可程式 唯讀記憶體（EEPROM)等相較’此種鐵電材料可使用較小 量之能量’來加以極化，以及與EEPROM或閃式記憶體相 較’鐵電記憶體可以較短之時間，來寫入、消除、及讀取 資料。此外’由於鐵電記憶體，即使在電源已斷開後，依 然能保持所儲存之資料，其做為一下一代非揮發性記憶體 ’係頗為引人注意。舉例而言，鐵電記憶體正被研究用做 可寫入式程式ROM，以及做為傳統式動態隨機存取記憶 體（DRAM)之一替代品。 就鐵電記憶體之一有用應用例而言，已有之建議是 ’將鐵電記憶體安裝進一積體電路（1C)卡内，其可保留大 量之資料，以及可具有多種之功能。此種1(：卡，通常是在 一非接觸之狀態下，連接至一電腦，以及係供以電力，而 可透過電磁波之使用，來傳送及接收彼等通訊資料。基於 此一理由，查攀1C卡内部，係設有一可用以傳送及接收電 本紙張尺度適用中画國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------------'vi! (請先閱讀啃面之沒意事項再填寫本頁)

訂-------線I 4 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 〜^ ---------Β7____ 五、發明說明（2 ) 磁波’而與一鐵電記憶體晶片相連接之天線。， 然而，欲不做接觸而施以電力並傳送及接收資料， —安裝有鐵電記憶體之1C卡，將會曝露在極高能量之電磁 波下。此電磁波將會輻射在其内建之鐵電記憶體晶片上面 ，和上述1C卡内部之天線上面。一鐵電記憶體晶片之内部 ，係設有一字線、一板線'和一與彼等相垂直之位元線， 以及一具有鐵電電容器之記憶體晶格，係形成於彼等之交 會處。在此一情況下，由於該等字線和板線或位元線，係 配置在上述具有相當長距離之晶片内，於施加一依據一電 磁波之高頻電壓的當兒，彼等之電位可預期將會受到擾動 。由於此等線之電位的擾動所致，有時—與寫入時不同方 向之電場，將會施加至一與一板線相連接之鐵電電容器上 面，以及其所儲存殘餘極化強度之狀態，或將會被反轉或 被破壞。 本發明之概要 因此Λ本發明之一目地，旨在提供一種鐵電記憶體， 其在構造上可不致存在有一電磁波所致—儲存狀態的擾動 〇 本發明之另一目地，旨在提供一種鐵電記憶體，其在 構造上可使一電磁波不致輻射至一储存有資料之鐵電電容 器上面。 為實現以上諸目地，本發明為一鐵電記憶體晶片，其 具有一記憶體晶格區域，其中設有多數之記憶體晶格，彼 等各具·有一鐵電電容器，上述鐵電記憶體晶片之特性在於 本紙張尺度適用中画國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -------------裝--------訂--------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 50 9 ' A7 _____B7 -------- 五、發明說明（3 ) ，其中形成有一電磁波屏蔽層，其可對上述之記憶體晶格 區域，屏蔽棹外來之電磁波。該電磁波屏蔽層在構造上’ 舉例而言，.或為-導電層，或為一半導體層，其係設於上 述記憶體晶格區域之上方及/或下方，以及最好在連接上 能構成相同之電位。此種電磁波屏蔽層之設置，可消除電 磁波直接輻射至上述記憶體晶格内部之字線、板線、和位 元線，因而使其有可能避免掉一因難以預料之電場’施加 至一記憶體晶格内部之一鐵電電容器，所致一儲存狀態令 之改變。 為實現以上諸目地，本發明為一鐵電記憶體晶片，其 具有一 έ己憶體晶格區域，其中設有多數之記憶體晶格，彼 等各具有一鐵電電容器，上述鐵電記憶體晶片，係包含— 電磁波屏蔽層，其可對上述之記憶體晶格區域，屏蔽掉外 來之電磁波。依據本發明之較佳實施例，上述之電磁波屏 蔽層’係具有一線狀屏蔽線’其係位於彼等連接至各記憶 體晶格之多數字線、位元線、和板線中之至少一接線的上 方，以及係形成在上述之記憶體晶格區域内，而與該等線 對齊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .L--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) __線. 一鐵電電容器之鐵電材料，通常係一氧化物。所以， 在形成一鐵電電容器之後繼製造程序中，一般希望能儘可 能抑止還原氣體之產生.在此—情況下，藉著將上述之電 磁波屏蔽層*製作成如上文所述對齊一位元線或其他接線 之上方線狀屏蔽線，上述電磁波屏蔽層之表面區域，便可 使其儘可能地小。結果，一般認為在一電磁波屏蔽層之形 本紙張尺度適用中屆國家標準（CNS)A4規格（210 ?< 297公爱） 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7________ 五、發明說明（4 ) 成期間’氫或其他還原氣體之產生，將可被降低，以及將 可終止所產生之還原氣體停留在一鐵電電容器之附近。 就一安裝有上述鐵電記憶體晶片，且其中形成有一可 供應電力給該晶片，及來回於該晶片以傳送/接收資料而 言’依據一晶片内之電磁波屏蔽層，即使當遭受到外來電 磁波之輕射，其仍將能夠避免掉對記憶體晶格區域之影嚮 0 圖示之簡要說明 第1圖係一可顯示本發明一實施例之特徵中，一安裝 有鐵電έ己憶體之I c卡的構造圖； 第2圖係一鐵電記憶體之記憶體晶格區域的電路圖： 第3圖係一可顯示一鐵電電容器之鐵電材料内之磁滯 的特性圖； 第4Α-Β圖係一記憶體晶格之儲存狀態，因電磁波輻 射而變化之事實的解釋圖； 第5圖係一可顯示本發明一實施例之特徵中，一部份 鐵憶體結構之橫載面圖； 第6圖係一可顯示第5圖之電嵫波屏蔽層的斜視圖； 第7圖係可顯示本發明另一實施例之特徵中，一部 份記憶體結構之橫戴面圖； 第曝-可顯示第7圖之電磁波屏蔽層的斜視圖； 第9圖係-可顯示第7圖之電磁波屏蔽層的斜視圖； 第10圖係-可顯示第7圖之電磁波屏蔽層之一變更形 式範例·的斜視圖:而 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS〉A4站挤。207二2 ) -------------•裝--- <請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) .6J· -線 -7 - 465

五、發明說明（ 第U圓則係其一部份之平面圖。 較佳實施例之詳細說明 一下文將參照諸圖’解釋本發明—實施例之特徵。然而 此只把例之此等特徵，並非表示為本發明技術範圍之限制。 弟1圖係-可顯示一安裝有本發明鐵電記憶體之对 的結構圖°在i造塑㈣形成之1C卡_内側上面，安 裝有-鐵電記憶體晶片12，或一其中積體化有一鐵電記憶 體之微控制器晶片12。此外，在此一晶片_，形成有： 些連接端子13、14，以及-由銅结等導電材料所構成之天 線15，係以一線圈形式，形成在上述…卡⑺之内部。將此 1C卡10置於一連接至一電腦之輸入/輸出裝置的近鄰’一 出自上述輪入/輸出裝置之電磁波，將可經由上述之天線 15而被接收，以及上述之晶片12係供有電力，而可接該等 通訊資料。此外，上述之晶片12，可經由一出自上述天線 15之電磁波的輻射，而將該等通訊資料，傳送至上述之輸 入/輸出裝置。 第2圊係一鐵電記憶體之記憶體晶格區域的電路圓。 此一範例為一記憶體晶格MC，構成一對電晶體Qa、Qb， 和一對鐵電電容器Ca、Cb。在第2圖中，為簡單計，僅顯 示一記憶體晶格陣列之一列。一記憶體晶格，係設置在列 方向上延伸之一子線WL和一板線PL，與一對行方向上延 伸之一位元線BL、/BL的交會點處《該等電晶體Qa、Qb 之閘極’係連接至上述之字線WL，以及彼等源極或汲極 端子，·係連接至該對位元線BL、/BL。此外，該等鐵電電 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------'Li- (請先閱讀脅面之注意事項再填寫本頁) 幻： -線- 經濟部智慧財產局MK工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明1¾明（6 ) 谷器Ca Cb ’係連接至該對電晶體Qa、Qb，以及彼等對 立側上之電極，係連接至上述之板線PL。上述之字線WL ’係^:到一由一 CMOS反相器構成之字線驅動器2〇的驅動 ，以及上述之板線PL，係受到一同樣由一 CM〇s反相器構 成之板線驅動器22的驅動。該對位元線係連接至此圖中未 示出之一感測放大器。 在一與此相類似之鐵電記憶體中，其資料之儲存，在 執行上係藉著將上述之字線WL，驅動至η位準，而造成 該等電晶體Qa、Qb導通，以及將該等位元線BL、/Bl和 板線PL，驅動至一預定方向，並且施加一預定方向之電 場’至該等鐵電電容器Ca、Cb上面，而將上述之鐵電材 料’極化至一預定方向而成。在上述記憶體晶格具有第2 圖中所示之一對鐵電電容器的情況下，其資料之儲存，在 執行上係藉著將該對鐵電電容器，極化至彼等之相反方向 而成。 第3圖係一可顯示—鐵電電容器之鐵電材料内之磁滯 的特性圖。其水平軸線係表示電場，以及其垂直軸線係表 示極化電荷。上述之資料儲存和讀取值，在執行上係使用 其磁滯特性。舉例而言，當上述之電晶體Qa，因字線WL 被驅動至Η位準而導通時，有一位元線bl，會被設定至Η 位準’以及上述之板線PL，會被設定為L位準，一如此， 定向之電場’舉例而言，將會施加至上述之鐵電電容器Ca 。結果’上述之鐵電電容器Ca，會被極化至第3圖中之點 c的狀態。其後’即使上述之位元線bl，被設定至Η位準 本紙張尺度igffl中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------------n I ---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 五 發明說明（ A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ’上述之電晶體使為非導通，以及彼等鐵電電容器間之電 場被移除，上述之鐵電電容器Ca，仍將保留第3圖中之點 d的狀態。相形之下，在第3圖中之點£的狀態中，施加— 與上述相反方向之電場，至上述之鐵電電容器€1)，其後 ，即使上述之位元線被設定至]L位準，以及上述之電晶體 使為非導通，上述之鐵電電容器Cb，仍將會保留第3圖中 之點b的狀態。 其次，為讀取計，在上對位元線兩者均已預充電至〇 電位後，上述之字線WL，將會被驅動至H位準，而使上 述之電晶體Qa、Qb兩者均呈導電性，以及上述之板線pL ’將會自L位準被驅動至η位準。結果，上述之電容器匸3 ’將會自第3圖中之點d，移動至點c之狀態，以及其/ Qa 電荷’將會流出至位元線BL。相形之下，上述之電容器cb ’將會自該圖中之點b，移動至點c之狀態，以及其」Qb 電荷，將會流出至位元線/BL。依據該等外流至位元線之 電荷z3 Qa ' Z Qb的差異，在該對位元線間，將會產生些 許之電位差。此些許之電位差，可受到一圖中未示出而與 該等位元線相連接之感測放大器的放大。其後接著依據上 述感測放大器所放大之位元線的電位差，而對上述記憶體 晶格之鐵電電容器執行重寫》 誠如前文所述，在一鐵電記憶趙中，其極化方向，可 因一預定方向之電場，施加至一鐵電電容器而改變，以及 資料之儲存，在執行上係依據其之極化方向。然而，該等 字線、·板線、和位元線’在該晶片内部之記憶體晶格區域 {請先閱讀't面之注意事項再填苒本I) ΙΛ. II----—訂i t· n I 線」 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公S ) A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 中，係延伸經過相當長之距離。由於此等線係由一類似鋁 、或聚石夕化物等導電性材料所形成，彼等.大體上係具有一 如同天線之相同功能。所以，當外來輻射一高能量之電磁 波時，其之字線、板線、和位元線，將如同上述1(：卡1〇内 部之天線15，會曝露在該電磁波中d在電力之〇FF狀態中 ，該等線係處於一浮接狀態中，舉例而言，因而有些情況 會使該等線，因上述輻射之電磁波，而被驅動至一難以預 料之電位。 第4A圖係一用以解釋上述電磁波之輻射所致，一記 憶體晶格之儲存狀態中之變化的簡圖。第4A圖係顯示儲 存資料1之狀態的擊穿，以及第4B圖係顯示儲存資料〇之 狀態的擊穿。兩者情形係假定一種情況，其中，當一對位 元線BL、/BL，固定在其L位準，以及該等字線WL和板線 PL，係處於浮接狀態時，因—電磁波之輻射，而有一高 頻電壓，施加至該等字線WL·和板線PL ’致使彼等上昇至 一正電位。 誠如第4A圖中所示，在資料1儲存之狀態中，上述之 鐵電電容器Ca ’係向上極化，而相形之下，上述之鐵電 電容器Cb，則係向下極化。因此，當該等字線wl和板線 PL’因上述之一電磁波的輻射，而被驅動至一正電位時 ’該等電晶體Qa、Qb ’兩者均會呈導電性，以及將會有 一向下之電場’施加至上兩電容器Ca、cb。結果，有些 情況是上述電容器Ca之極化方向，將會與第4A圖中所示 者相反。當上兩電容器Ca、Cb，均被極化成相同之方向 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） ------- —-----· tr---—II ^--------- ί請先閱讀货面之注意事項再填寫本頁) 11 4650 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（9 ) 時，其將不可能執行如第3圖中所示之讀取動作。 誠如第4B圖中所示，在資料〇儲存之狀態中，上兩電 容器係極化成彼等與資料1之狀態相反之方向。當上述之 電磁波輻射，在此一狀態中執行時，將會有一向下之電場 ，施加至上兩電容器Ca、Cb，以及彼等係一起被極化成 相同之向下方向。當此一狀態實現時，其讀取動作亦將變 為不可能。 其亦有之一種情況是’一鐵電記憶體晶格，係由—電 晶體和一鐵電電容器所構成。在此一情況下，在其位元線 之相對側上面’係設有一參考晶格，其具有一可供參考用 之鐵電電容器。所以，其係如同上述之兩電晶體、兩電容 器型5己憶體晶格’其中’或者任一記憶體晶格之儲存狀態 被反相’以及其讀取動作將因一電磁波之輻射而變為不可 能，或者會發生資料之反相。 第5圖係一可顯示此實施例中，一鐵電記憶體結構之 橫截面圖。在一P-型矽半導體基質30之表面上，有一p•型 井區32’形成在彼等場氧化物層38所界定之一區域内，以 及其中亦形成有一記憶體晶格電晶體之N_型源極和汲極 區域33、34。一構成鐵電電容器之鐵電器44的一侧電極， 係連接至上述之N-型區域34，以及該電容器之另一側電 極，係構成一板線PL。此板線PL係形成於上述基質3〇上 面所形成之一絕緣層40上面。此外，另一侧之n_型區域33 ’係連接至一位元線BL。此位元線BL舉例而言，係由一 第一鈒層所形成。上述記憶體晶格電晶體之閘極，

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： -線‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（10) 多晶矽層所形成之字線WL所構成。42係另一絕緣層。 在一記憶體晶格區域，形成有一電磁波屏蔽層46，其 中形成有該等記憶體晶格。在此一範例中，此電磁波屏蔽 層46 ’係由一形成於上述基質30上方之第二鋁層所形成， 係形成在上述基質上面所形成之字線WL '板線PL、和位 元線BL的上方，以及可屏蔽掉外來輕射之高頻電磁波。 上述之電磁波屏蔽層46，亦經由一P-型區域36，形成上述 之P-型基質30’而與該基質具有相同之電位。所以，上述 之P_型半導體基質30在功能上’亦可做為一電磁波屏蔽層 ’以及具有可屏蔽掉一來自該基質背侧之電磁波的功能。 亦即’一電磁波屏蔽結構48在形成上，係依據該等基質3〇 和最上鋁層46。該等介於彼等電磁波屏蔽結構間之字線WL 、板線PL、和位元線BL，將不會曝露在一外來電磁波中 ’以及一如第4圖中所解釋之電磁波所致儲存狀態之改變 *將可得到避免。 第6圖係一可顯示第5圖之電磁波屏蔽層的斜視圖。彼 等相同之參考數字，係指定給彼等與第5圖中者相同之部 分。在第6圖中，所示係一由一鋁層所形成之電磁波屏蔽 層46 ’和一位元線BL。一記憶體晶格之電晶體結構，係 顯示在上述基質30之左側上面，以及所示有一構成其間極 之字線WL。其鐵電電容器結構業已省略，但有一板線（未 示出）形成於上述基質30之左側上面。在第6圖之範例中， 上述之電磁波屏蔽層46，係一無開口之平板結構a然而， 上述之電磁波屏蔽層46，並非僅限於此平板結構t而更 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ϋ I I» IK I · n n 1· tt K— I (請先閱讀嘴面之;i意事項再填寫本頁) 13 46 50 A7 B7 五、發明說明（„) 切地說’可如下文所解釋，為一類你格欄結構、梳齒結構 、等等可屏蔽掉電磁波之導電性材料所製之任何結構。 誠如第6圖中所顯示，—記憶體晶格區域之字線WL、 板線PL、和位元線BL，係安插在上述基質3〇上方所形成 之電磁波屏蔽層46,與上述屏蔽層46所形成之P-型半導體 基質30的中間。所以’ 一外來之電磁波’將不會輻射至該 等導電線WL、PL、BL上面。 第7圖係一可顯示此實施例之另一特徵中，一部份記 憶體結構之橫截面圖。在第7圖中，彼等相同之參考數字 ’係指定給彼等與第5和6圖中者相同之部分。在此一範例 中’一電磁波屏蔽結構係包含：一在一石夕半導體基質3〇上 方、由一 % _銘層所形成之電磁波屏蔽層46，和一形成於 上述基質30上面之場氧化物層38上面所形成之多晶矽層5〇 。誠如蝻文所述’由於其基質表面上面之此一多晶石夕層， 亦被利用做一 s己憶體晶格電晶想之閘極（字線wl)，上述 構成電磁波屏蔽結構之多晶矽層50，係形成於一未形成上 述記憶體晶格電晶體之區域内。 一特別與一鋁層之電磁波屏蔽層46相連接之多晶矽層 50，可形成於一板線PL之下方，其係構成一鐵電電容器 之電極。在各記憶體晶格内，一鐵電電容器係與一電晶體 結構一起形成。所以，在一形成有多數記憶體晶格之記憶 體晶格區域内’其中存在有一可形成鐵電電容器之區域， 以及此一區域内係形成有一場氧化物層3 8。所以，藉著在 此場氧化物層38上面，形成可做電磁波屏蔽用途之多晶矽 本紙張尺度適用中®國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閲讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線' 經濟部智慧財產局MK工消費合作社印製 14 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12 > 層50，以及使此多晶矽層5〇連接至一構成上鋁層之電磁波 屏蔽層46,其將可能形成一電磁波屏蔽結構48，其至少在

該等上下屏蔽層46、50間，安插有一板線PL和一位元線BL 。此外，該字線WL係藉上述之上屏蔽層46，而屏蔽掉該 等電磁波。 第8圖係一可顯示第7圖之電磁波屏蔽層的斜視圖。彼 等相同之參考數字，係指定給彼等與第7圊中者相同之部 分。誠如第8圖中所示，一使用第二鋁層所形成之電磁波 屏蔽層46，係經由一第一鋁層47，形成至上述場氧化物層 3 8上面所形成之多晶矽層5〇。所以，在第8圖之範例中， 藉著在以上述第一鋁層所形成之位元線BL的兩側上面， 設置一紹層47，而與上述之電磁波屏蔽層46相連接，其將 可能上下左右夾置上述之位元線BL。所以，一電磁波屏 蔽結構’可依上述位元線BL之全尺度做設置。此外，一 鐵電電容器之結構，在第8圖中係加以省略，但其係形成 在該圖之左側上面。 第9圖係一可顯示第7圖之電磁波屏蔽層的斜視圖。在 此一範例中，一電磁波屏蔽層46，亦係連接至一場氧化物 層3 8上面之多晶矽層5 0。此刻，在第9圖之範例中，上述 之電磁波屏蔽層46，係製造成一格欄形。即使在一格欄形 狀中，上述之電磁波屏蔽層46，可充份屏蔽掉該等電磁波 。此一電磁波屏蔽層46，亦可被製造成一梳齒形。亦即， 藉著移去第9圖中所示電磁波屏蔽層46之格欄形之—方向 上之棒，其便可能製成一梳齒形狀。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I I I I I III — ! — — — - I I I I I — — — I------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 6 50 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（13) 或者，一屏蔽層46可由一成矩形之第二鋁層，形成於 一垂直於第8圖中所示位元線方向之第一鋁層〇的方向上 。在此一情況下，該等第一鋁層47和第二鋁層46，係形成 一格爛形。或者’藉著使上述第二銘層，與其上之一第三 鋁層相連接，而使彼等彼此沿一垂直方向延伸，而形成一 矩形，以使一屏蔽層形成一格欄形。 第10圖係一可顯示第7圖之電磁波屏蔽層之一變更形 式範例的斜視圖。而第11圖則係其一部份之平面圖。在第 10和11圖之範例中，一第二鋁層係製成一線樣式之電磁波 屏蔽線46 A，其係與多數平行設置之位元線BL相對齊。接 著’ 一與該等多數電磁波屏蔽線46 A相連接之接地線46B ，係設定至接地電位，以及在設置上係與上述之電磁波屏 蔽線46A交會。此一接地線46B，係與另一電磁波屏蔽層50 ’一起形成至一接地電源》 誠如第11圖之平面圖中所示’上述電磁波屏蔽線46A 之樣式’實際上’係與上述位元線BL之樣式相同。在第11 圖中，基於便利之理由’上述屏蔽線46A之寬度，係使較 上述位元線BL·之寬度為寬’但其絕非必要使上述之屏蔽 線46A寬不可。 第10和11圖之範例，係屬其電磁波屏蔽層之表面區域 可被縮小，以及其位元線BL可有效地屏蔽掉外來之電磁 波者。如此方式縮小上述電磁波屏蔽線46A之表面區域的 優點’可表明如下。上述構成一鐵電電容器之鐵電材料， 通常係某種氧化物，使其成為在一製造程序期間，而要曝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀喈面之注意事項再填寫本頁)

16 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 A7 B7 五、發明說明（I4 露在一還原氣體下的一種不利材料。在形成一電磁波屏蔽 線46A之特別程序中，有些情況是會有氩和其他還原氣體 產生。在此一情況下，一般相信使上述電磁波屏蔽線46八 之表面區域較小，將可降低自其產生出還原氣體之量，以 及該等還原氣體亦可經由該等電磁波屏蔽線間之空間而釋 出，使得其能夠降低上述鐵電材料，曝露在該等氣體之機 會。 設置該等線形電磁波屏蔽線，使與該等字線和板線和 上述之位元線對齊，可以預期將具有相同之效果。 上述實例中所述之電磁波屏蔽層46，並非僅限於彼 等之形狀。任何形狀均可，只要其為一能夠適當屏蔽掉電 磁波即可。 依據上述之本發明，由於一電磁波屏蔽層結構，係形 成於一鐵電記憶體之記憶體晶格區域内，其記憶體晶格區 域内之字線、板線、和位元線’將不會曝露在高頻電磁波 中’以及依其亦可能避免一記憶體晶格之儲存狀態中之改 變。所以’即使此種晶片或一配備其之微控制器，係安置 在一經由電磁波而以非接觸方式形成至一輸入//輸出裝置 之1C卡内，其因電磁波而致儲存有資料之記憶體的破壞， 將可得以避免。 此外，一與此類似之電磁波屏蔽結構，可預期被證實 能有效防止彼等即使是未經授權之進出，在此，其係使用 一利用一電子束之測試器，而企圖讀取鐵電記憶體所儲存 資料，和一 1C卡内部之信號。 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 1 i I --------訂·-----11 (請先閱讀啃面之泫意事項再填寫本頁) 17

Claims (1)

1. 46 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 _ ( _..... | ί冬 ί ( j 第mo2435號申請案申請專利範圍修正本！90:8.;νϋ 1, 一種鐵電記憶...幾，其包含： ° 一記憶體晶格區域，其中設有多數之記憶體晶格， 彼等各具有一鐵電電容器； 一形成於該記憶體晶格區域上之第一電磁波屏蔽 層； 形成於該第一電磁波屏蔽層下方之位元線； 形成於該等位元線下方之字線； 形成於該等位元線下方當成該等鐵電電容器的電 極之板線：以及 一形成於上述板線下方且位於一場氧化層上之第 二電磁波屏蔽層； 其中該第一電磁波屏蔽層從上方遮蓋該等位元 線、字線及板線〜該第二電磁波屏蔽層從下方遮蓋該等 板線，並且該第一電磁波屏蔽層及該第二電磁波屏蔽層 係為電氣連接。 2·如申請專利範圍第1項所述之鐵電記憶體，其中該電磁 波屏蔽層是一導電層。 3. 如申請專利範圍第2項所述之鐵電記憶體，其中該導電 層是一金屬層或是一多晶矽層。 4. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之鐵電記憶體，其 t該電磁波屏蔽層具有一格欄形、一梳齒形、或一預定 之電磁波屏蔽體形。 5. 如申請專利範圍第1項所述之鐵電記憶體’其中該電磁 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS ) ( 210X297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 18