經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 60 89 5 A7 ____B7 _ 五、發明說明(/ ) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於使用於電視機或是電腦顯示器等之彩 色顯像裝置,更詳細地說係有關於用以改善會聚的偏轉電 .路(deflection circuit)之構成。 【發明之背景】 近年來,彩色顯像管面板面的平面化不斷地進展。若 將以往之曲面面板之彩色顯像管用偏轉軛直接用於平面面 板之彩色顯像管,有上下以及左右之枕形(pincushion)失真 容易增大之問題,因此,乃著手於用以改善前述問題之構 成。 在前述之問題中,作爲補償前述上下枕形失真之手段 ,一般係在偏轉範(deflecting yoke)之蜜幕側上下處附加磁 .鐵。.此乃是利用磁鐵所產生之強烈枕形磁場將電子束向垂 直軸方向牽引之效果。結果,關於垂直軸上之發散(YH )方面,在自會聚系統之場合中,如圖1 0所示般,容易 產生枕形型之殘留發散。由於伴隨面板面平面化有上下枕 形失真增大之傾向,爲了補償此失真則磁鐵磁場的強度須 進一步增大,結果ΥΗ型之枕形型之殘留發散愈益增大。v 爲了解決前述問題,乃於偏轉軛之電子槍側附加用以 產生4極磁場的4極線圏與ΥΗ補償電路,讓垂直偏轉電 流流入來進行ΥΗ補償·>此¥Η補償的原理係電子束進入 偏轉軛所產生之主磁場之前,透過4極線圈所產生之4極 磁場,作用一讓副電子束之相互間之距離分開之力,藉此 3 張尺度適用夕國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) : 1 In ] n ft n n - . n - - ί I L ^ · t I E n I 1^1 一°J n I - n n 1 I 1 - -1 I 1 i HI n ! I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 0 8 9 5 A7 B7 五、發明說明(> ) ,可將進入主磁場後拉近副電子束相互間之距離之力的作 用效果加以抵銷。令其與垂直偏轉同步’產生與垂直偏轉 電流成比例之強度的4極磁場β不限於偏轉極性’爲了產 .生同一極性之4極磁場,乃附加二極體所提供之整流電路 〇 另一方面,針對左右枕形失真,係藉由顯示器組側之 枕形失真補償電路進行補償。 接著,爲了提高聚焦性能,乃考慮藉由減低水平偏轉 磁場之枕形磁場,來減低電子束點狀變形,或是減低3條 電子束間之點狀差》惟,就此方法而言,在同軸型彩色顯 像管之自會聚系統之場合中,如圖1 1所示般,有產生水 平軸上縱線發散(ΧΗ)之筒型(barrel type)殘留發散之問丨 題。 爲了解決前述問題,如圖1 2所示般*在特開昭6 3 - 9 4 5 4 2號公報中所記載之發明,係採用讓設置於偏 轉軛之電子槍側之4極.線圈5 1與飽和電抗器之4個線圈 ·--··〆..... 52、53、54、55成爲電橋般之配線電路。將水平 偏轉電流流過此電路,不論偏轉電流之極性爲何’以與水 平偏轉電流成比例之磁場強度產生同一極性之4極磁場來 補償電子束點。在前述方式中,由於XH亦同時可變’故 亦能夠實現XH補償。就此電路而言,透過飽和電抗器之V 作用,在正向半週期(左偏轉)時,圖1 2中之線圈、5 2 、5 5之電感會減少,在負向半週期(右偏轉)時,線圏 5 3、5 4之電感會減少。因此,在任一場合中,4極線 4 ^張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210: 297公釐) " ί ί ί I i 1 n n ·ϋ ·1· n 一&、 n u 1 t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 6 〇 8 9 5 Α7 _ Β7 五、發明說明(4) 圈5 1皆會通過由圖之上方朝下之水平偏轉電流,產生同 一極性之磁場。能以此種比較簡單之構成進行XΗ補償。」 惟,如前述般,若將由增強上下枕形失真補償之磁鐵 磁場所增大之Υ.Η補償量,藉由以往之Υ Η補償加以補償 之時,相較於垂直軸上,ΥΗ補償量係在角落部放大。因 • . 此,如圖1 3所示般,即使垂直軸上之Υ Η受到最佳補償 ’在角落部,仍存有產生縱線副電子束間發散(P Q Η) ·. _ 、 之紅色光束右圖案之問題。 所以,爲Ϋ不讓ΥΗ補償量放大,雖考慮降低枕形型 殘留發散,增強偏轉軛之垂直磁場之筒狀變形之方法,惟 ,在此方法中,由於會再度導致上下枕形失真的增加,所 以不得不調整與P Q Η紅色光束右圖案之妥協設定。 另一方面,針對伴隨面板面平面化所造成的枕形失真 的增加,僅有將顯示器組之枕形失真補償量加以放大之手 段,而無暇顧及伴隨補償量的放大之消耗籰增大,此~ 爲問題所在。 【發明之簡單說明】 本發明爲了解決前述問題,乃提供一種彩色顯像管裝 置,在同p型自會聚系統中,能夠一邊防止聚焦性能之惡 化,一邊補償PQΗ發散,更能夠減低顯示器組補償前之 左右枕形失真。 本發明係一種彩色顯像管裝置,其具備:複合補償電 路,係將由第1之電抗器線圏與第1之4極線圈所得之串 5 本纸張尺度適用中國國家標準(C1S^)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於 II I n n ft t— n κ (I f 1 n I 」 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工诮費合作社印製 6089 5 a7 _____ B7_____- 五、發明說明(斗) 聯體、以及相對於第1電抗器線圏呈反極性的第2之電抗 器線圈與第2之4極線圏所得之串聯體並聯;以及,垂直 控制線圏,係於第1以及第2之電抗線圈處,施加與垂直 偏轉電流同步變化之磁性偏壓;複合補償電路係串聯於水 平偏轉線圏。 由前述構成來看,令施加於電抗器之磁性偏壓與垂直 偏轉電壓同步變化,讓第1以及第2之電抗器線圏根據偏 轉之程度交互地飽和,能夠將動作中之4極線圏加以切換 。如此,能夠不增加上下枕形失真下,補償XΗ發散、補 償P Q Η發散,更能夠減低顯示器組補償前之左右枕形失 真。 在前述構成中,更佳爲具備在第1以及第2之電抗器 線圈處施加一定磁性偏壓之磁鐵,由第1以及第2之電抗 器線圏、垂直控制線圏、以及磁鐵來構成飽和電抗器。在 水平偏轉電流之正向半週期的期間,第1電抗器線圏會飽 和使得第1之4極線圏所產生之4極磁場具支配性,在水 平偏轉電流之負向半週期的期間,第2電抗器線圏會飽和 使得第2之4極線圈所產生之4極磁場具支配性。 本發明所述之彩色顯像管裝置爲以下之構成爲更佳。 亦即具備:複合補償電路,係將由第1之電抗器線圈與第 1之4極線圏所得之串聯體、以及相對於第1之電抗器線 圈呈反極性的第2之電抗器線圏與第2之4極線圏所得之 串聯體並聯;以及,垂直控制線圏,係於第1以及第2之 電抗線圏處,施加與垂直偏轉電流同步變化之磁性偏壓; 6 n* It n n 41* n t— rn Bt t _E n E f Iff ( Ϊ k— ϋ n _n EkT I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐^ " 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6089 5 A7 _______B7 ______ 五、發明說明(I ) 複合補償電路係串聯於水平偏轉線圈β此外,具備一於第 1以及第2之電抗器線圈處施加一定磁性偏壓之磁鐵’由 第1以及第2之電抗器線圈、垂直控制線圈、以及磁鐵來 .構成飽和電抗器。在水平偏轉電流之正向半週期的期間’ 第1電抗器線圏會飽和使得第1之4極線圈所產生之4極 磁場具支配性,在水平偏轉電流之負向半週期的期間’第 2電抗器線圏會飽和使得第2之4極線圈所產生之4極磁 場具支配性。藉此,令營幕水平軸上之縱線副電子束間發 散量變化,獲得所期望之聚焦。同時’讓整流爲正向電流 之垂直偏轉電流流經垂直控制線圈,令第1以及第2之4 極線圏所產生之4極磁場之強度與垂直偏轉電流同步變化 ,將螢幕角落部之縱線之副電子束間發散量變化’藉此’ 可獲得不受螢幕水平軸上縱線之副電子束間發散量之變化 量影饗之所期望之聚焦,同時’螢幕左右部之枕形失真亦 能加以補償。 又,飽和電抗器之磁鐵之磁力線密度大小產生結構性 的變化,能進行螢幕水平軸上縱線之副電子束間發散補償 量之微調爲佳。 【圖式之簡單說明】 圖1係本發明之實施形態中彩色顯像管裝置之重要部 位中水平偏轉軛與垂直偏轉軛之連線圖。 圖2係圖1中飽和電抗器之構造之槪略圖。 圖3係未進行X Η補償之時左右縱線R B發散圖案之 ; 7 紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Α4規格(210 X 297公琴^ -,w---------訂---------線 I·.、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 6〇 89 5 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(G ) 圖。 圖4係構成本發明之實施形態中彩色顯像管裝置之偏 轉軛之側視圖。 圖5係本發明之實施形態中4極線圏產生4極磁場之 說明圖。 圖6係當垂直偏轉電流爲0時,水平偏轉電流與構成 飽和電抗器之線圏的電感L 1、L 2之關係圖。 圖7係當垂直偏轉電流爲最大時,水平偏轉電流與構 成飽和電抗器之線圏的電感L1、L2之關係圖。 圖8係水平偏轉電流與飽和電抗器之集成電感 (integrated inductance)之關係圖·。 圖9係本發明之其他實施形態中磁鐵之立體圖。 圖10係YH枕形型殘留發散圖案之圖。 圖11係XΗ筒型殘留發散圖案之圖。 圖12係以往之ΧΗ補償電路之說明圖。 圖1 3係P QΗ之紅色電子束右圖案之圖。 [發明之詳細說明】 以下將根據圖式說明適用於4 6〔cm〕(19英吋 )- 1 0 0°偏轉之平面面板彩色顯像管裝置之本發明之 實施形態。 (第1實施形態) 圖1係依據本發明之第1實施形態中彩色顯像管裝置 所得之偏轉軛以及其周圍部分之電路圖。 8 本紙張尺度適用_國固家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^, n I n n J' n n n n n I» I 1 .、彳 言 矣 A7 B7 4 ^〇89 5 五、發明說明(〗) 水平偏轉軛3、4係以互相並聯之上下線圏加以表示 。電抗器線圏1與4極線圏2 1係串聯,又,電抗線圏2 與4極線圏2 2亦爲串聯。前述2組電抗線圏一 4極線圈 連接體係以互相並列的方式加以連接,形成複合補償電路 3 1。複合補償電路3 1係與水平偏轉軛3、4作串聯。 水平偏轉軛3'4與複合補償電路31之集成電感約爲9 0〔 〕。 關於水平偏轉軛3、4之磁場,爲了防止聚焦性能之 惡化,係將自聚焦用之枕形磁場稍微減弱。因此,如圖3 所示般,在無XH補償之狀態中,會產生〇 . 8〔 mm〕 之XΗ筒型之殘留發散。又,角落部之縱線R B發散係由 0.5〔 mm〕之P Q Η紅色電子束右圖案所重疊,而成爲 0.3〔 m m〕之紅色左圖案。 垂直偏轉軛5、6係以互相並聯之上下線圈加以表示 ,分別與阻尼電阻R ^、R 2以並聯。並與慧形像差補償線 圏7、伴隨前述YH補償用4極線圈8的YH補償電路9 以及伴隨垂直控制線圏10的垂直整流電路11係串聯著 。垂直控制線圏1 0係與電抗線圈1、2共同構成飽和電 抗器1 8。垂直偏轉軛5,6、慧形像差補償線圈7、YH 補償電路9以及垂直整流電路1 1之集成電感爲5〔mH ]° 圖 1 中,電阻 R 1 = R2 = 220〔Q〕,R3=5.6 〔Ω〕,各二極體爲肖特基(Schottky)二極體。 圖2係含有電抗線圈1、2之XH、P QH、左右失 9 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6089 5 A7 B7 五、發明說明u ) 真補償用之可飽和電抗器1 8之示意圖。電抗線圈i、2 皆爲在前端之直徑6〔mm〕之圓板狀之具有凸緣之長度 1 〇〔mm〕之細棒肥粒體鐵芯1 2、1 3上,將線直徑 Φ爲0 . 2〔 mm〕之3束銅線纒繞1 0次所成者。在兩 者互相橫向並排地配置下,產生反極性之磁場。鄰接於棒 狀肥粒體鐵芯1 2、1 3之凸緣的一方,用以施加磁性偏 壓之短直徑8〔mm〕X長直徑14〔mm〕X高度2 4 〔m m〕之大致長圓柱形狀之磁鐵1 4,其S極面係朝向 凸緣側所配置。垂直控制線圈1 0係配置成鄰接於肥粒體 鐵芯1 2、1 3之另一方凸緣側。垂直控制線_1 〇係在 兩端具有大致呈圓筒狀之大的凸緣之肥粒體鐵芯1 5,纏 繞上1 3 0圏之線直徑Φ 0 . 3 6 C mm〕之銅線》 圖4係依據本發明之偏轉軛之側視圖。偏轉軛係由水 平偏轉線圏(未圖示)、絕緣框1 7、垂直偏轉線圈5、 6以及肥粒體鐵芯1 6所構成。頸部側(電子槍側)之筒 狀部處,設置有2組由空心型線圏所組成4個1組之4極 線圏。其中1組爲如圖1所示之4極線圈2 1,另一組爲 4極線圈2 2。如圖5所示般,4極線圏2 1、2 2係在 管軸之周圍以大約等間隔地方式所配置。兩線圏2 1、2 2均爲同一形狀,分別爲將線徑Φ爲0 . 2〔 mm〕之3 束銅線以1 0次纒繞所得。4極線圏2 1、2 2互相以同 心狀加以纏繞之故,在圖式中僅將1組4個加以表示。又 ,4極線圏2 1、2 2,係藉由圖1中之電路上同一方向 之電流,產生相互反極性之磁場。 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -n i κ 1 n 11 n n I tt n l . .^1 n I n Jr··· n 1 n n n I ίΛ +ϋ /.vvn 言 矣 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ βο 89 5 Α7 Β7 五、發明說明(彳) 圖4中,設置於肥粒體鐵芯1 6之後端側之板部4 1 處,設置有將筒狀部由上下加以挾持之慧形像差補償線圏 7、8。跨接於絕緣框1 7與板部4 1間之印刷基板1 9 乃是偏轉軛之配線用終端基板。印刷基板1 9上設置有飽 和電抗器1 8。飽和電抗器1 8係圖2所示之物。 以下將透過含有本發明所述之飽和電抗器之前述構成/ ,針對X Η補償、P Q Η補償、左右枕形失真補償之原理 加以說明。 首先,針對本發明所述之XΗ補償之原理加以說明。 當垂直偏轉電流I ν = 〇之場合時,垂直整流電路1 1 之垂直控制線圏1 0不會作用。水平偏轉電流I η爲]^的 半週期時,也就是向左偏轉時之電抗線圏1會產生如圖2 所示之圖之上方(以下稱爲「+方向」)之磁力線ΦΕ 1 ,電抗線圏2會產生圖之下方(以下稱爲「一方向」)之 磁力線ΦΙ2。磁鐵1 4會供應+方向之磁力線①⑽^。 隨著水平偏轉電流I η增加的同時,電抗器線圏1之磁 力線Φ L 1會成爲飽和狀態,電抗線圏1之電感L 1會降 低,相反地電抗線圏2之電感L 2會增加。結果’具有較 高頻率成分之水平偏轉電流I η會流向並聯之電抗線圈1、 2中電感較低之電抗線圏1。因此,4極線圈2 1會開始 作用,使得4極線圈2 1所產生之4極磁場具支配性。4 極線圏2 1會產生圖5所示之4極磁場’將螢幕左側之χ ,Η筒型之殘留發散加以補償。 相反地,水平偏轉電流I η爲負向的半週期時’也就是 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-.---— 111 訂 1 丨 I I 線- 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 4 60 89 S A7 B7 五、發明說明() 向右偏轉時,電抗線圏2飽和後主要會使得4極線圈2 2 會產生作用,4極線圈2 2會產生與4極線圏2 1相同極 性之磁場,將螢幕右端之XΗ筒型之殘留發散加以補償。 圖6所示係當垂直偏轉電流I ν = 0時’水平偏轉電流 I η (橫軸)與電抗線圈1、2之電感L 1、L 2 (縱軸) 之關係。當水平偏轉電流Ιη=〇時,L1 = L2 ’但在正 向半週期時,隨著水平偏轉電流I η的增加L 1會降低’反 而造成L 2的增加。L 1與L 2之差(」
勝^^〇^補傳之4極磁場之強度/由於隨著水平偏轉電 流I η的增加,甩以補償XΗ之4極磁場之強度會增強’ X
I -W Η補償量會增加,螢幕左端之水平軸上縱線RB發激袁^舉' 得補償。相反地’在負向半週期時’螢幕右端之水平軸上 縱線RB發散會獲得補償。 其次,針對本發明所述之P Q Η補償之原理加以說明 4 0 當垂直偏轉電流I V在正向半週期中爲最大値時,也就 是依據水平偏轉來描繪螢幕上端部之橫線時’如圖2所示 般,於垂直控制線圈1 0處會產生與磁鐵1 4呈反極性之 —方向磁力線Φν。圖7所示係此時之水平偏轉電流1 Η ( 橫軸)與電抗線圏1、2之電感L1、L2(縱軸)之關 係。L 1、L 2兩數値均較當垂直偏轉電流Iv = 〇時(圖 6 )爲大。此乃由於垂直控制線圏1 〇之磁力線①'^會與磁 鐵1 4之磁力線OMG相抵銷,故磁力線不容易達到飽和 。因此,L 1與L 2之差(丨L 2— L 1 ί )會縮小,結果 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^-------- 訂 ---t----線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -i (I fl n - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^ ^089 5 五、發明說明(u ) 相較於水平軸上之X H補償’ 4極磁場較爲減弱。 如前述般,螢幕角落部之縱線R B發散係如圖3所示 般,於XH筒型殘留發散〇 ·8〔mm〕重疊PQH紅色 .電子束右圖案〇.· 5〔mm〕’而殘留〇 . 3〔mm〕紅 色電子束之左圖案。因此’相較於水平軸上之XH補償時 ,螢幕上端部之橫線上縱線R B發散’會由於在角落部份 P Q Η紅色電子束右圖案之重疊,其補償量只要少量即可 。如前述般在本發明中,藉由垂直控制線圈1 〇所產生之 .磁力線,螢幕上部橫線上之縱線RB發散補償時之4極磁 場會較水平軸上之XΗ補償時爲弱,所以不會有P QΗ紅 色電子束右圖案之過度補償。 即使當垂直偏轉電流I ν在負向半週期時,同樣地亦能 將P Q Η紅色電子束右圖案加以補償。因爲,垂直控制線 圈1 0正如前述般係經由一使用著二極體之垂直整流電路 1 1而被供給電流,故產生與垂直偏轉電流I ν在正向半週 期時同樣極性之磁力線。結果,產生同樣極性之4極磁場 ,以同樣的方式補償PQΗ紅色電子束右圖案。 再者’針對本發明所述之左右枕形失真之補償原理加 以說明。 圖8所示係水平偏轉電流I η與複合補償電路3 1之集 成電感L之關係圖,其係比較當水平偏轉電流I ν= 〇時、 以及當垂直偏轉電流爲正向半週期最大時(也就是當I ν = Μ ΑΧ時)之關係。當注意到水平偏轉電流之絕對値爲最大 時,顯示出垂直偏轉電流之絕對値愈大時L亦愈大。此乃 13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------丨! r3"—丨丨—丨丨訂--------線* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6〇 89 5 五、發明說明(α) 意味著由於垂直控制線圏1 〇之磁力線〇7朝向抵銷磁鐵1 4之磁力線(DMG的方向,在前述飽和特性被減弱之狀態 下,電抗線圈1、2之電感L 1、L 2會變大,是以集成 電感亦會變大。 藉由前述效果,水平偏轉系統之集成電感,相較於水 平軸上之左端、右端偏轉,在角落部偏轉時會較大,因此 角落部之偏轉感度相對地會變差,得以減低左右枕形失真 〇 (第2實施形態) 本發明之第2實施形態係,將圖2所示之飽和電抗器 1 8之磁鐵1 4之磁力線密度大小結構性地進行變化,而 能夠進行螢幕水平軸上縱線之副電子束間發散補償量之微 調。 圖9係磁鐵1 4之立體圖。大致圓柱形狀之磁鐵1 4 係於中心軸之周圍每經過9 0度S極、Ν極即交互地帶磁 。接著,設置有以中心軸爲中心而旋轉之手旋轉軸2 3。 將其以手加以旋轉,能夠改變施加於圖2所示之電抗線圏 1、2上之磁性偏壓的強度。藉此,能夠進行XΗ補償量 之微調。 如以上所說明般,依據本發明,即使在容易招致有關 於失真、會聚、聚焦之各種性能變差之平面面板之彩色顯 像管裝置上,藉由使用著飽和電抗器與4極線圈之較爲簡 易之方法,能夠將各性能高度地維持,能夠獲得整體性上 商品質之彩色顯像管° 14 本紙張尺度適用中國國声標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 一衣---------訂.--------線I. {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^60895 A7 B7 五、發明説明(丨))
【符號說明】 1、2…反應器線圈 3、4…水平偏轉線圏 5、6…垂直偏轉線圈 7…慧形像差補償線圈 8…4極線圏 9…YΗ修正電路 1.0…垂直控制線圈 11…垂直整流電路 1 2、1 3…反應器線圏鐵芯 1 4…磁鐡 1 5…垂直控制線圈鐵芯 1 6…肥粒體鐵芯 17…絕緣框 1 8…飽和反應器 1 9…印刷基板 2 1、2 2…4極線圏 2 3…手旋轉軸 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐)