TW460599B - Method for forming fine wiring pattern - Google Patents
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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 公告本46Q5y9 ^ B7 五、發明説明(1 ) (技術領域) 本發明係關於一種使用於平面顯示裝置用陣列基板等 的微細配線圖案之形成方法。 (背景技術) 近年來,作爲代替c R T顯示器之顯示裝置盛行開發 平面顯示裝置。其中以液晶顯示裝置係從薄型,輕量,低 耗電等之優點而受注目。 例如,例舉說明在每一各顯示像素配置交換元件之光 透過型的主動矩陣型液晶顯示裝置。主動矩陣型液晶顯示 裝置,係在陣列基板與對向基板之間經由配向膜保持液晶 層所構成。陣列基板係複數條信號線與掃描線格子狀地配 置於玻璃或石英等透明絕緣基板上,且使用非晶質矽(以 下簡稱爲a — S 1 : H)等之半導體薄膜的薄膜電晶體( 以下簡稱爲T F T )連接於各交點部分。T F T之閘極電 極電氣式地連接於掃描線,而汲極電極係電氣式地連接於 信號線。又,源極電極係電氣式地連接於例如I T 0 ( Indium-Tin-Oxide )之構成像素電極之透明導電材料。 此種主動矩陣型液晶顯示裝置係常用在筆記型個人電 腦,汽車導航裝置,超小型T V等。 但是,又爲了擴大平面顯示裝置之用途及市場成爲要 求高精細且大型之平面顯示裝置。 爲了達成高精細化,必須減小像素之節距(像素之中 心點間之距離),爲了維持數値孔徑必須形成配線寬及間 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X297公釐)_ ^—ί ^^1 ml 1^1 I -I I —I— n----l· I— ^^1 (請先閲讀背面之注^項再填寫本頁) 經濟部中夾標率局員工消費合作社印製 4 605^9 A7 A7 _____B7_ _五、發明説明(2 ) 隔小之微細圓案。在本案專利說明書中,實行彩色顯示時 ,像素係指各色之點者,例如指紅,綠,藍之各點者。又 ,像素之中心點間之距離係在顯示面板之長度方向與寬度 方向不同時,像素節距係指此等中之短者。 例如’以對角尺寸20英吋達成UXGA (1600 X 3 X 1 2 0 〇像素),必須將像素節距成爲約〇 , 2 5 m m。此時’配線寬及配線間之間隔(均爲最狹窄之部位 ),係爲了提高光利用效率而確保充分之孔徑數値,期望 分別設定在約3 0//m以下,及1 〇 〇#m以下。又,爲 了以對角尺寸20 8英吋達成QUXG (3200x3 X2400像素,期望將像素節距作爲約〇.132mm ,並將配線寬作爲1 5 # m以下。 另一方面,爲了減小配線之寬度俾達成顯示面板之大 型化,欲防止電送之波形之劣化而須以低電阻金屬構成配 線,惟作爲此種金屬眾知適用鋁。 但是’依濺射法堆積均勻厚度之金屬層之際,附著金 屬所構成之塊狀異物而形成金屬層之微少缺陷,又在微細 配線圖案上產生配線不良。又,在濺射時對於附著經 5 # m以上之塊狀附著物的金屬層,將配線寬度爲 3 0 # m以下,或是配線間之間隔爲6 0 v m以下之微細 配線施以圖案化時會有配線缺陷。在第1 8圖,模式地表 示塊狀附著物之形成。 特別是,依濺射形成鋁金屬層時,在以往之液晶顯示 裝置中與使用一般之鉬等時相比較塊狀附著物之發生較顯 本紙張尺度逋用中國國家標率(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)_ 5 _ ^1. ·—κ I ^^1 --- I —I— I - - I I - - - II — -- 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局負工消費合作社印裝 46059 9 at B7五、發明説明(3 ) 著。又,爲了防止鋁金屬層之小丘(Hillock )(依照工程 之鼓出),提案添加銨等(日本特開平7 - 4 5 5 5 5號 公報),此時,塊狀附著物更顯著地增加。 另一方面,在日本特開平8 — 3 7 1 8 6號公報,依 濺射形成鋁金屬層時,防止小丘之目的,記載在3〜5 0 mTor r (約0 . 4〜6 . 7Pa),較理想爲 lOmTorr (1. 3Pa)左右之氬氣環境氣氛中實 行濺射。由此,氬氣進入錦層’形成含有0·1〜0.5 原子%氬的鋁合金。但是,在此種特定壓力之氬氣體氣氛 下僅實行濺射,並無法防止塊狀附著物。 (發明之槪要) 本發明係鑑於上述問題點,其目的係在於提供一種依 濺射與圖案的微細配線圖案之形成方法中,沒有起因於塊 狀附著物之配線缺陷者。 本發明的微細配線圖案之形成方法,屬於具備:在絕 緣基板上介經濺射堆積鋁或包含7 0原子%以上鋁之合金 所構成的薄膜的過程,及圖案化上述薄膜以形成微細配線 圖案的過程的微細配線圓案之形成方法,其特徵爲:上述 濺射係陽極電極與陰極電極之間的電位差設定在5 7 0 V 以下之條件者。 介經此種構成,不會發生起因於塊狀附著物的配線缺 陷。 在申請專利範圍第2項所述的微細圖案之形成方法中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐} _ 6 _ 1 r ^^^1 ϋ^—i In - - i In I l^i ^^^1 n ( 一eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ r 46059 3 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 五、發明説明(4 ) ’上述微細配線圖案係配線寬爲3 0 v m以下,或配線間 之間隔爲6 0 # m以下。 在申請專利範圍第3項所述的微細圖案之形成方法中 ’上述微細配線圖案係將鈸(N d ),釔(Y )或釓( G a )以此等添加金屬之合計包括〇 . 3〜5 · 0原子% 的錦合金所構成者。 介經此種構成,防止發生小丘,同時不會發生起因於 塊狀附著物之配線缺陷。 本發明之其他態樣中 > 屬於在反應室內配置基板,介 經D C濺射來堆積薄膜的薄膜之製造方法,其特徵爲具備 :介經檢測陰極與陽極電極間之壓降來檢知電弧放電之發 生的檢知步驟,及依據上述檢知,在發生上述電弧放電後 一微秒鐘以內,斷路在上述陰極與陽極電極間施加電壓之 供電的電力斷路步驟,及上述電力斷路後,在5至1 5微 秒鐘後再開始上述供電俾再開始濺射的再開始步驟。 介經此種構成,可防止依電弧放電的塊狀異物之發生 ,由此,可提高矩陣基板之良品率,同時可大幅度減少從 濺射室之完成維修至成品製造再開始爲止所需的時間(停 機時間)。 在本發明之另一態樣’屬於在目標電極與基板之間施 加所定濺射電壓,同時將濺射磁鐵平行地往復運動於上述 目標電極,介經D C濺射在基板上堆積薄膜的薄膜之製造 法,其特徵爲:在檢知上述濺射電壓從其基準電壓變動之 際,對於上述目標電極向大約垂直方向移動俾調整上述濺 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~~ I- ml n +^-n I - J n,^ ^^^1 \aJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 4 6 0 59 9 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 B7五、發明説明(5 ) 射磁鐵與上述目標電極之距離以減低上述濺射電壓之變動 者。 介經此種構成,可將濺射電壓容易地保持在一定,由 此,可抑制起因於塊狀附著物之配線缺陷,同時可將薄膜 之膜質成均勻^特別是,在大面積之基板上用以成膜薄膜 而具備濺射磁鐵之往復運動機構的D C濺射裝置中,在往 復運動之兩端,可充分地抑制依遮蔽目標之周緣部的屏作 用的濺射電壓之上昇,並可將所產生之薄膜之膜質成爲均 句。 從裝置之觀點來說明該態樣:D C濺射裝置具備:基 扳可配置於內部的處理室,及配置於上述處理室內的目標 電極,及支撐成平行地可往復運動於上述目標電極的濺射 磁鐵,及檢測濺射電壓的電壓檢測手段,及將濺射磁鐵對 於上述目標電極大約垂直方向移動俾調整上述濺射磁鐵與 上述目標電極之距離的磁鐵-目標間距離調整部,及控制 上述磁鐵-目標間距離調整部以減低上述濺射電壓之變動 的磁鐵一目標間距離控制部。 又,D C濺射裝置係具備:基板可配置於內部的處理 室,及配置於上述處理室內的目標電極,及配置於上述目 標電極之周緣部,防止電漿對上述目標電極之相撞的棚架 狀屏,及支撐成平行地可往復運動於上述目標電極的濺射 磁鐵,將濺射磁鐵對於上述目標電極大約垂直方尚移動俾 調整上述濺射磁鐵與上述目標電極之距離的磁鐵-目標間 距離調整部,及上述濺射磁鐵介經上述棚架狀之屏位於上 本紙張尺度適¥中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐>~~[T] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 460599 B7 五、發明説明(6 ) .^n 1^1 1^1 - - l^i —i — -^I I - — ^^1 HI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 述目標電極被遮蔽之領域之期間,控制上述磁鐵一目標間 距離調整部以縮小上述濺射磁鐵與上述目標電極之距離的 磁鐵一目標間距離控制部。 C發明之實施最佳形態) (實施例) 介經關於主動矩陣型液晶顯示裝置用陣列基板之製造 的實施例使用第1圖至第5圖說明依本發明的微細配線圖 案之形成方法。 首先,使用第1圖至第3圖說明依本實施例的濺射之 裝置及方法。 在第1圖模式地表示本實施例所使用之濺射裝置。 該濺射裝置係大面積基板用之D C磁控管濺射裝置( 曰本真空技術公司所製SHD 450型)。 經濟部中央標率局員工消費合作社印裝 濺射裝置之對向之其中一方之電極的第1電極2 0 1 ’係以目標材料所構成之平板型,而在第1電極2 0 1之 下方配置有永久磁鐵及電磁鐵所構成的濺射磁鐵2 0 2。 接近於第1電極2 0 1及濺射磁鐵2 0 2具備有冷卻水流 路2 ◦ 3 ,以防止濺射中的過度昇溫。 在第1電極2 0 1之上方,與其相對向地設有保持玻 璃基板1 〇 1的第2電極2 0 5。濺射室2 1 1係從真空 排氣路2 1 3被真空排氣,並從氣體導入孔導入氬氣( Ar)。介經適當地保持氣體導入量與真空排氣之平衡來 調整濺射室2 1 1內之氣體壓力。大面積之玻璃基板 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公釐)_ 〇 _ 4 6059 9 A7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(7 ) 101係堆積大約均勻之金屬膜地配置在其下面之大約全 面,而第1電極2 0 1係在第1電極2 0 1上之濺射領域 依次拂掠玻璃基板1 0 1之整體下面。 作爲第1電極2 0 1之電極材料,例如鋁-銨合金( A 1 - N d ),使用鈸之含有莫爾數(莫爾單位之原子數 )爲鋁與銨之合金之整體莫爾數(莫爾單位之原子數)之 2%者。以下,將此表示爲A 1 —Nd膜(2原子%Nd )° 以下,介經第2圖及第3圖之圖表說明濺射之條件與 塊狀異物之發生數的關係所得到之資料。使用上述裝置在 上述玻璃基板之一面全面堆積上述A 1 - Nd ( 2原子% Nd)所構成之1 00〜40 Onm厚度的膜之後,介經 顯微鏡觀察計數具有5 // m以上之徑的塊狀附著物之數。 在第2圖表示第1電極2 0 1與第2電極2 0 5之間 的電壓,亦即,陽極,陰極間電壓與塊狀附著物之發生數 之關係^ 塊狀附著物之計數係在各電壓對於6〜9枚玻璃基板 (對角1 2英吋)實行,以換算成每一平方公分之數的範 圍値圖表表示。氬氣之壓力係在各電壓變化0.4〜 1 . 3 P a。 又,使用該濺射時之設置條件係如下表所示。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I衣 -9 本紙張尺度適用中國國家標隼() A4規格(210X297公釐)_ 1〇 _ 460599 五、發明説明(8 ) A7 B7 表1 取得第2圖及第3圖之時之濺射的裝置條件 玻璃基板(101)之大小 縱橫 300mmX400mm 第1電極(2(H)之大小 縱橫 120mmX570mm 第2電極(201)與玻璃基板(101)之距離 7 0mm 第1電極(201)與濺射磁鐵(202)之距離 5 5 mm 在濺射磁鐵(202)表面之磁通密度 200Gauss 電力密度 22W/cm2 在第1電極(201)近旁之電流密度 1.6 X 10入2.83 x 10'3A/cm2 I---^---------装-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局—工消費合作社印裝 由第2圖可知,陽極,陰極間電壓與塊狀附著物之數 係呈明瞭之正的相關關係,而在5 7 0 V以下之領域幾乎 沒有塊狀附著物。 在第3圖表示濺射裝置之輸出與陽極,陰極間電壓之 關係。 將氬氣之壓力設定在0.4及1.3Pa ,並將濺射 裝置之輸出値在5〜2 5KW之範圍變化。由於在同一輸 出値之陽極,陰極間電壓値有參差,因此,在4〜8枚之 玻璃基板上以金點顯示方式表示實行濺射時之圖表。圖表 上半部之斜線領域係表示塊狀附著物發生領域。如圖所示 ’將氬氣環境氣氛之壓力作爲0.4Pa時,雖有約10 K W也認出塊狀附著物,惟將氬氣環境之壓力作爲1 . 3 P a時,雖在2 5 K W之輸出値也不會認出塊狀附著物。 濺射裝置之輸出値係在圖示之輸出範圍中,大約比例 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0X297公釐)_ ι ·| 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 460599 A7 B7 五、發明説明(9 ) 於依濺射的金屬膜堆積速度者,在本實施例之濺射裝置係 若在約2 0 KW或其以上之輸出値可得到充分之堆積速度 而在製造工程上沒有問題。 由第3圖之結果,如上所述,可知對於陽極,陰極間 電壓介經保持不超過5 7 0 V之低電壓,又將氬氣環境氣 氛之壓力提升某一程度,即可將金屬膜之堆積速度保持充 分高之狀態可完全地防止塊狀附著物。 雖未予圖示,惟氬氣環境氣氛之壓力爲1.3Pa以 上時,在沒有發生塊狀附著物之領域中,可得到約 2 5 KW之充分輸出値。又,若氬氣環境氣氛之壓力超過 1 . 4 P a,因降低所堆積之金屬膜之緻密性而不理想。 以下,依據第4圖至第5圖說明使用上述濺射裝置及 方法的顯示裝置用陣列基板之製造方法。 第4圖係表示液晶顯示裝置用之陣列基板1 〇 〇的槪 略平面圖者' 圖中之下側係位於液晶顯不裝置之畫面上側 者,而從圖中下側向上側依次選擇性掃描線者。又,第5 圖係模式地表示陣列基板之T F T 1 1 2形成領域之疊 層構造的縱剖面圖。 陣列基板1 0 0係對角尺寸爲2 0英吋,包括配置於 玻璃基板1 0 1上的1 2 0 0條掃描線1 1 i ,各掃描線 1 1 1之一端係拉出在玻璃基板1 0 1之一端邊側,經斜 配線部電氣式地連接於掃描線墊片。 陣列基板1 0 0係包括在玻璃基板1 〇 1上與掃描線 1 1 1大約正交之4 8 0條信號線1 1 0,各信號線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐)~~ ^—•1 —^^^1 n^i e l:eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 460599 A7 _______B7五、發明説明(1〇 ) 1 1 0係被拉出在玻璃基板1 0 1之另一端邊側,經斜配 線部1 6 0電氣式地連接於信號線墊片1 6 2。又,掃描 線1 1 1係以A 1作爲主成分之金屬膜所構成,信號線 1 1 〇係形成以鉬(Μ 〇 )作爲主成分的第1金屬膜,及 以鋁(A 1 )作爲主成分的第2金屬膜,及以鉬(Μ 0 ) 作爲主成分的第3金屬膜之三層構造。 在掃描線1 1 1與信號線1 1 0之交叉部分近旁配置 TFT112。又,連接於該TFT 112之IT〇所 構成之像素電極1 3 1係經由層間絕緣膜1 2 7配置於掃 描線1 1 1及信號線1 1 0上。 掃描線1 1 1及信號線1 1 0之配線寬W係4〜3 0 ’ TFT 1 1 2之源極電極1 26b與汲極電極 1 2 6 a之間隔G係4〜2 5 # m,而像素節距P係 0.0 8 3 mm。 以下,參照第5圖詳述該陣列基板1 0 0之全程製程 -- - —I— ^^1 —^1 - 1- - --- —^^1 — - HI ^^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 (1 )第1過程 介經電漿CVD使用表面以S ί Οχ膜覆蓋的玻璃基板 10 1。 在玻璃基板1 0 1 ,使用上述濺射裝置,將A 1 -Nd膜(2原子%Nd)堆積成300nm之膜厚,並將 Μ 〇膜堆積成5 0 n m之膜厚。 作爲鋁合金,也可爲例如A 1 - Υ (Y爲2原子% ) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 13 - 460599 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 _B7_五、發明説明(11 ) ’Al— Gd (Gd 爲 2 原子 %),及 A 1— Sc (Sc 爲2原子%)寺。銘合金之銘含量,右在7 ◦原子%以上 則可得到充分地低電阻之配線,此等銳(N d )等之添加 原子之含有莫爾%係0 . 3〜5 %,則可充分地防止小丘 之發生。 在該疊層膜上,使用光刻法形成掃描線圖案與輔助容 配線之一部分,之後使用磷酸,醋酸,硝酸之混酸鈾刻成 3 5度以下之堆拔形狀,以完成掃描線與輔助電容配線圖 案(1第圖案化)。 (2 )第2過程 第1過程之後,將玻璃基板1 0 1加熱成3 0 0 °C以 上後,介經常壓電漿CVD法,堆積1 7 5 nm厚之氧化 矽膜(S i Ο x膜)所構成的第1閘極絕緣膜1 1 5之後, 再介經減壓電漿C V D法,在不會曝曬於大氣下連續地成 膜1 7 5 nm厚度之氮化矽膜所構成的第2閘極絕緣膜 1 1 7,5 Onm厚之a — S 1 : Η所構成的半導體被膜 1 1 9及2 0 0 nm厚之氮化矽膜所構成的通道保護膜 1 2 2之層。 (3 )第3過程 第2過程之後,介經以掃描線1 1 1作爲掩蔽之背面 曝光技術在掃描線1 1 1自匹配地圖案化通道保護膜 1 2 2之層,又對應地T F T領域地使用第2掩蔽圖案使 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 14 - ^^^1 in ^^^1 i - - -- i ^^^1 m 一 a 3.-5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 46059 9 B7 五、發明説明(12 ) -I -- i. In ^^^1— ^^^1 a^n - — ^—f *1^ ^^^1 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本f ) 之曝光,經顯像及圖案化(第2圖案化),製作島狀之通 道保護膜1 2 2。爲了該圖案化,使用依四氟化碳與氧氣 之混合氣體的化學蝕刻。 (4 )第4過程 第3過程之後,以氟酸H F系溶液處理半導體被膜 1 1 9表面得到良好之歐姆接觸,並介經電漿C V D法堆 積作爲雜質含有磷之3〇nm厚的n+a — S i : Η所構成 的低電阻半導體膜1 2 4之層。 然後,介經上述之濺射裝置及方法,再堆積以Μ 〇爲 主成之第1金屬膜,及A 1 _Nd膜(2原子%Nd)之 第2金屬膜,及以Mo爲主成分之第3金屬膜的三層構造 所構成之300n m厚的三層構造膜126 °A1— Nd 膜(2原子% N d )係與在第1過程所說明者完全同樣地 ,A 1 _y等也可以,而添加金屬之莫爾%爲〇 . 3%〜 5 · 0 %,則可同樣地使用。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印11 (5 )第5過程 第4過程之後,使用第3掩蔽圖案經曝光,顯像之後 ,三層構造膜1 2 6係介經濕蝕刻,而低電阻半導體被膜 1 2 4之層及半導體被膜1 1 9係介經電漿蝕刻施以圖案 化(第3圖案化)。電漿蝕刻係介經控制氮化矽膜所構成 的第1閘極絕緣膜1 1 5或第2閘極絕緣膜1 1 7與通道 保護膜1 2 2之蝕刻選擇比來實行。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210X297公釐).15- 4 6059 9 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(13 ) 介經此種圖案化,一體地製作源極電極1 2 6 b及汲 極電極1 2 6 a ,及此等之下方的低電阻半導體膜1 2 4 之島狀部分。 (6 )第6過程 第5過程之後,在其上面堆積2 0 0 nm厚之氮化矽 膜所構成的層間絕緣膜1 2 7。 (7 )第7過程 第6過程之後,在其上面介經濺射堆積1 〇 〇 nm厚 之I TO膜,使用第5掩蔽圖案經曝光,顯像,依乾蝕刻 之圖案化(第5圖案化),以製作像素電極1 3 1。 在如上所述地所得到之顯示裝置用陣列基板中,將配 線寬作爲30以下,並將像素節距作爲〇25mm 以下時,也沒有觀察到可能起因於塊狀附著物之配線不良 〇 在上述實施例中,作爲環境氣氛氣體使用氬氣,惟使 用鼠(K r )或氣(N e )氣也是大約同樣。 上述之條件係本發明之一例子,由本發明人等確認依 各條件之本發明之效果,將其條件之一部分例示如下。 ---------装-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)·扣 9 9 5 ο 6 4 五、發明説明(14 ) 表2 濺射之裝置條件 條件2 條件3 玻璃基板(1 0 1)之大小 縱橫360mm X 465 mm 縱橫550 mm X 65 0 mm 第1電極(2 0 1)之大小 縱橫1 2 0 m m X 5 30 mm 120mmX900 第1電極(201)與玻璃 基板(101)之距離 70mm 700m 第1電極(201)濺射磁 鐵(202)之距離 5 5 mm 3 8mm 濺射磁鐵(202)表面之 磁通密度 200Gauss 200Gauss 電力密度 24W/cm2 36W/cra2 ------^-----^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 (第1變形例) 使用第6圖至第1 3圖及表3至表5說明第1變形例 。使用第6圖至第8圖說明該變形例之磁控管方式的D C 濺射裝置。 第6圖係表示D C濺射裝置之濺射室之極模式性的配 線連接圓。其真空室所構成濺射室1係被減壓成 0 · 6Pa ,而作爲濺射氣體導入氬(Ar)氣體。對向 之一對電極1 3,1 4連接於供應一定電力之DC電源 1 2。當電壓施加於該一對之電極1 3,1 4間時,介經 濺射磁鐵2之作用,在第1電極1 3之表面發生依磁控管 本纸浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 46059 9 A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明(15 ) 放電的電槳。介經電漿化成爲正離子的氬氣,依電場被加 速而相撞於第1電極1 3 ,由此,目標原子被濺射而在基 板3上形成薄膜。在本變形例中,藉由DC電源12,在 穩定濺射時約5 5 Ο V之電壓施加於陽極與陰極之間,而 D C電源1 2之正極側連接於接地線1 5。 在DC電源12與濺射室之電極13 ,14之間,具 備電弧放電斷路裝置11。該電弧放電斷路裝置11係具 備:用以檢知電弧放電開始時的陽極,陰極間電壓(濺射 電壓)之急激下降之電壓計等的突波電壓檢知裝置,及在 突波電壓被檢知時能在所定時間以內急速地斷路電力供應 的斷路電路,及在精密之所定時間後實行電力供應之再開 始的電力供應再開電路。 由此,在本實施例之方法中,設成發生電壓之異常亦 即電弧放電之發生後在一微秒鐘以內斷路電力供應,之後 >在5至1 5微秒鐘後再開始電力供應。 第7圖係模式地表示濺射室1之基本構造的縱剖面斜 視圖,如該圖所示,作爲與第2電極1 4上之玻璃基板3 相對向配置的平板狀第1電極1 3 ,使用與玻璃基板3相 同程度之面積者。在圖示之例子,作爲濺射磁鐵2,使用 前後較長的方棒狀之三個組固裝於水平地配置的梁下面者 。又,如圓中以箭號所示,濺射磁鐵2係在濺射過程中向 左右方向往復運動。用以將堆積於大面積(在本變形例爲 5 5 Ommx 6 5 Omm)之玻璃基板3上的薄膜之膜厚 分佈成爲均勻者。在本變形例中,第1電極1 3與濺射磁 ^ϋ. - - - ^^1 il^i 11 二· —^1 ^^1 11 nn n (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐)-18 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 4 6 0 5 9 9 a? B7 五、發明説明(16 ) 鐵3之間的距離係設定在約5 5 m m。 第1電極1 3係熔接並保持在銅製之包裝板1 6,介 經棚架狀之屏1 7覆蓋第1電極1 3之周緣部,及其四周 圍之包裝板1 6露出之部分。屏1 7係防止銅混入在離子 相撞於包裝板1 6所形成的薄膜,同時,防止依第1電極 1 3之濺射材料堆積於包裝板1 6等欲以剝離所引起的粒 子(塵埃粒子)之發生。 濺射室1係一枚式地構成。亦即,玻璃基板3 —枚一 枚地安裝而在其上面堆積薄膜。玻璃基板3對於作爲基板 載置台之第2電極1 4之安裝及取下係在拉下第2電極 1 4之狀態下實行。第2電極1 4係連接於可上下移動之 圓筒14 a上並被支撐著。 在第8圖模式地表示該濺射裝置及其附屬裝置之佈置 的平面圖。在平面圖中,配置六個大約長方形之室,成爲 圍繞大槪正六方形之中央運送室4 3。六個室係兩個真空 預備室41 ,一個預備加熱室44及三個濺射室1。此等 室之取出放進口係與中央運送室4 3之各側壁一體地構成 0 中央運送室4 3及預備加熱室4 4係被減壓成與濺射 室1相同之真空度,與外部之交接係經真空預備室4 1之 減壓或大氣孔(復原成大氣壓)所實行。外部與真空預備 室4 1之間的玻璃基板3之裝進及取出,係在複數玻璃基 板3搭載於卡匣之狀態下實行。濺射氣體之氬氣係從儲氣 筒4 6經浮動控制器4 7供應於濺射室1 。另一方面,介 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )A4規格(210X297公釐)_ •^^1- ^inr ^^^1 n^i ^^^1 am· I ^^^1 tn 3. 、va (请先閲讀背面之注意事項再填寫本f ) 4 6 Ο 5 9 9 。 Α7 Β7 五、發明説明(17 ) 經中央運送室4 3之自動臂4 2,玻璃基板3依真空預備 室4 1—預備加熱室4 4 —濺射室1—真空預備室4 1之 順序被移送。在本變形例係玻璃基板3在預備加熱室4 4 被加熱成2 0 0 °C後被移送至濺射室1。 在表3 ’使用以上所說明之DC濺射裝置,在550 in m X 6 5 0 m m之玻璃基板上,對於形成厚度 3 ◦ 0 nm之組一鶴合金之薄膜(組5 0重量%,以下以 Μ 〇 - W膜表示)時及堆積相同厚度之鋁薄膜(以下以表 示A 1膜表示)時’表示計測塊狀附著物之數的結果。又 ,爲了參考,未使用本變形例之電弧放電斷路電路時也例 如作爲參考。 表3 塊狀附著物之數(個數/ 5 OOmmX 050mm基板) 本變形例 參考例 電弧放電斷路電路 有 沒有 薄膜 Μ 〇 - W 膜 0.9個/基板 2.1個/基板 A 1膜 0.3個/基板 0.9個/基板 - . —I— 1^1 ^^1 ^^1 n ^^1 tJR --- Hi n^i — I -I ^^^1 - 牙 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 如表3所示,在Μ 〇 - W膜及A 1膜之任何情形,均 使用本變形例之電弧放電斷路裝置時,更顯著減少塊狀附 著物之個數。 第9圖及第1 0圖之圖表係分別表示Mo — W膜時之 上述變形例及參考例之發生電弧放電時之濺射電壓及濺射 電流(陽極’陰極間之電流)的時效變化者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS } A4規格(210X297公釐)_ 2〇 4 60 59 9 A7 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 B7 ___五、發明説明(18 ) 在表示於第9圖之本變形例的圖表中’從依電弧放電 之發生的濺射電壓絕對値之急激地減少(在圖中’表示作 爲設定成負之陰極電極電位之急激地上昇)之開始’在一一 微秒鐘以內斷路電力供應(延遲時間t 1 a y < 1 # s e c ),而濺射電流呈急降低》在斷路5微秒鐘後 ,再開始電力供應時(斷路時間t ο i f = 5 V s e c ) ,再開後,在約1 5微秒鐘以內,濺射電流形成安定者。 在表示於第1 0圖之比較例之圖表中,可知有依電弧 放電之濺射電流之峰値,而在電弧放電完成之1 0 0微秒 鐘後,濺射電流也不安定。 在第11圖表示在Mo-W膜之成膜對於將電弧放電 之斷路時間作爲1 5微秒鐘之比較例的與上述同樣的圖表 。如圖表所示,在電力斷路時間比1 5微秒較長時,由於 重複發生電弧放電,後結果最初之電弧放電經1 〇 〇微秒 鐘後,濺射電流及濺射電壓係均不安定。 雖未予圖示,惟將電力供應之斷路時間作爲4微秒鐘 以下時使電弧放電再發生,而在濺射電流之安定上需費較 多時間。可能由於未完全地終止電弧放電所導致。 另一方面,開始電力供應之斷路比從發生電弧放電延 遲一微秒鐘後時,隨著延遲,每一基板之塊狀附著物之個 數會增加。此乃由於電弧放電正式地上昇所導致者。若延 遲電力供應之斷路時,則再開始電力供應後之濺射電流之 安定化也需較多時間。 在本變形例中,雖作爲環境氣氛氣體使用氬氣,惟除 (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標牟(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 · 4 6059 9 at _B7__ 五、發明説明(19 ) 此之外使用氨(K !·)氣也大約同樣。 在表4,表示依本變形例之方法的預濺射處理過程之 減輕情形。 所謂預濺射處理乃在目標電極之交換的濺射室之定期 維修後,將除去目標電極表面之氧化膜或吸附水之污染層 ,或是目標表面之安定化作爲目的之預備濺射者。 (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部十央榡準局員工消費合作社印裝 *1 :徑爲5 # m以上之粒子成爲3 0個以內所需的預濺射 用玻璃基板之枚數。 ”:定期維修後,開始製造成品之薄膜爲止所需之時間。 如表4所示,依照本變形例之D C濺射裝置,欲將 A 1膜成膜在上述玻璃基板時,徑爲5 μ m以上之粒子成 爲3 0個以內所需的預濺射用玻璃基板之枚數爲約9 0枚 。而在未具備電弧放電斷路電路之比較例需要約2 0 0枚 。如此對應於減少此等預濺射用玻璃基板之枚數,定期維 修後,開始製造成品之薄膜爲止所需時問(停工時間), 係本變形例爲3 . 8小時,而比較例爲8小時,可大幅度 縮短時間。 由於如上所述地可大幅度上昇濺射過程的運轉效率, 表4 預濺射過程之減輕 __ 本變形例 參考例 電弧放電斷路電路 有 沒有 所用玻璃基板數+1 90枚 200枚 所用時間(停工時間r2 3.8小時 8小時 本紙張尺度適用中國國家棵準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 22 - 4 6059 9 A7 經濟部中央揉隼局貝工消費合作社印製 B7 ____五、發明説明(2〇 ) 因此,可大幅度減低每一基板之過程成本。 以下,使用第1 2圖至第1 3圖說明介經本實施例之 方法來製作顯示裝置用陣列基板之具體例子。 第1 2圖係模式地表示陣列基板之T F Τ'形成領域之 疊層構造的縱剖面圖1第1 3圖係表示同領域之周邊的模 式平面圖。 首先,依第1至6過程之順序詳述陣列基板之製程° (1)第1過程 介經電漿c ν d使用被覆S 1 〇χ膜之玻璃基板3。 在55〇x65〇mm之玻璃基板3 ,介經如上所述 之方法,將Μ 〇 — W膜堆積成3 0 0 nm之膜厚。 在該疊層膜上,使用光刻法形成包含閘極電極之掃描 線層的圖案(第1圖案化)。此時之蝕刻係介經化學乾蝕 刻(C D E )實行使覆蓋閘極電極之閘極電極的閘極絕緣 膜之通達範圍(特別是階段差面之覆蓋)成爲良好,並將 約3 0度之推拔形狀形成階段差面。 (2 )第2過程 介經電漿C V D法堆積3 0 0 n m厚度之氧化矽膜( S I Ο X膜)所構成之閘極絕緣膜3 2之後,在不曝露於大 氣之狀態下連續地成膜5 0 nm厚度之a — S i : Η所構 成的半導體被膜3 4及2 0 0 nm厚度之氮化矽膜所構成 的通道保護膜3 5之層。 I.---------笨-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)-23 - 4 6059 9 A7 B7 經濟部中央楼準局貝工消費合作杜印製 五、發明説明(21 ) (3 )第3過程 介經將掃描線3 1作爲掩蔽之背面曝光技術在掃插線 3 1自我匹配地圖案化通道保護膜3 5之層,又對應於 T F T領域地使用第2掩蔽圖案經曝光,顯像,圖案化( 第2圖案化,製作島狀之通道保護膜3 5。 (4 )第4過程 可得到良好之歐姆接觸地以氟酸(H F )系溶液處理 露出之半導體被膜3 4表面,並介經電漿CVD法堆積作 爲雜質包含磷之30nm厚度的fa—Si :Η所構成的 低電阻半導體膜3 6之層 (5 )第5過程 將1 0 0 nm厚之I TO膜介經濺射堆積在其上面, 使用第3掩蔽圖案並經曝光,顯像,及依乾蝕刻之圖案, 製作像素電極33 (第3圖案化)。 (6 )第6過程 之後,介經上述之濺射裝置及方法,堆積以鉬(Μ 〇 )作爲主成分之5 0 # m厚度的第1金屬膜,及以鋁( A 1 )作爲主成分的3 5 0#m厚度的第2金屬膜,及以 Mo作爲主成分之5 0 厚度的第3金屬膜所構成的三 層構造膜37。之後,使用第4掩蔽圖案,經曝光,顯像 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} ¥. 本紙張尺度適用中国國家樓準(CNS ) Α4規格(2丨0X297公釐) -24- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 460599 A7 ___B7___ 五、發明説明(22 ) 之後,製作包含源極電極3 7 a及汲極電極3 7 b的圖案 (第4圖案化)。最後,配向膜3 8全面地形成。 在表5 ,表示對於如上所述地所得到之顯示裝置用Is車 列基板測定不良比率之結果。 表5 製作之顯示裝置用陣列基板的短路不良比率 本變形例 參考例 電弧放電斷路電路 有 沒有 依層間短路之不良比率>1 1.2% 1.7% 依其通短路之不良率比率 1.5% 2.0% *1 :包含閘極電極之導電層及包含汲極電極之導電層之間 *2 :與對向基板上之共通電極之電氣接觸。 如表5所示,在所得到之顯示裝置用陣列基板中,閘 極電極與汲極電極依電氣短路之層間短路的不良比率爲 1 · 2%,而與在同樣條件下,未使用電弧放電斷路裝置 所製造之參考例的陣列基板之不良比率爲1 . 7 %相比較 ,可更減小0 · 5 %者。 又,在從實施例之陣列基板介經密封材料塗佈,對向 電極基板之張貼及液晶材料封入過程以完成液晶顯示面板 時,依共通短路之不良比率爲1 . 5 %,與來自參考例之 陣列基板之液晶顯示面板之共通短路之不良比率爲2 . 0 %相比較,同樣地可形成少0 . 5 %者。 _ -ti .1^1 ^^^1 In m 1 In -- - - I ^^^1 ^^^1 \?J (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐} -25- 46059 9 Ί Α7 Β7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(23) (第2變形例) 使用第1 4圖至第1 7圖說明本發明之第2變形例。 第1 4圖係模式地表示本變形例的D C磁控管濺射裝 置之濺射室1之基本構造的縱剖面斜視圖。 在濺射室1之下方具備作爲基板保持台之第2電極 1 4 ,在該上面,載置有薄膜所堆積之大面積的玻璃基板 3 (550nmx650nm)。又在擺射室1之上方, 第1電極13介經熔接固裝於包裝板16之下面。 在圖中如以箭號所示,在濺射室1上部之磁鐵室2 5 中,濺射磁鐵2係在濺射過程中,向左右之水平方向實行 往復運動。又,當來到往復運動之兩端部,亦即,來到對 應於棚架狀屏之領域時被拉向下方,而在離開該兩端部時 ,實行復原成原來高度的上下運動。 當濺射磁鐵2被屏1 7遮蔽時,介經電漿面積之減少 ,放電阻抗成爲上昇,惟在此時,介經將濺射磁鐵2拉下 向成爲目標電極之玻璃基板3側,可避免放電阻抗之上昇 。結果,即使作用於濺射室1之陽極,陰極間之電力爲定 電力控制方式,也可充分地控制濺射電壓之變動。 濺射室1之構成係如上述地濺射磁鐵除了也實行上下 運動之外,在第1變形例與使用第7圖所說明者完全同樣 0 又,濺射裝置及其附屬裝置之佈置,係在第1變形例 中與使用第8圖所說明者完全同樣。 第1 5圖係用以模式地表示實行如上述之濺射磁鐵之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)_ 26 _ 460599 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(24) 水平往復運動及上下運動之裝置的構成之濺射室1上部之 磁鐵室2 5的切開斜視圖。 在第1 5圖表示從固裝第1電極1 3之包裝板1 6以 上之部分。在包裝板1 6之上面經由鐵扶龍製之絕緣板 1 9配設磁鐵室2 5之底板2 8 »該底板2 8係與磁鐵室 2 5之側壁及形成頂壁之框體的陰極蓋1 8 —體地形成。 固裝有濺射磁鐵2之磁鐵支撐梁2 0 ,係經由串聯地 連接向左右地往復運動磁鐵2之水平移動裝置2 5A,及 調整磁鐵2之高度之垂直移動裝置2 5 B的支撐驅動構造 ,支撐成從陰極蓋1 8懸吊之狀態。 水平移動裝置2 5 A係由:伺服馬達2 1 ,及直結於 該馬達之水平螺栓軸2 2 ,及保持此等之上下活動框2 4 ,及在中央具有與水平螺栓軸2 2螺合之螺帽孔2 3 a的 磁鐵支撐板2 3所構成。磁鐵支撐板2 3係下面固裝於磁 鐵支撐梁2 0之上面,並從水平螺栓軸2 2懸吊磁鐵支撐 梁2 0。 在上下活動框2 4具備:支撐伺服馬達2 1與水平螺 栓軸2 2之右端的右側垂直板部分2 4 a ,及支撐水平螺 栓軸2 2之左端的左側垂直板部分2 4 c ,及連接此等垂 直板部分2 4 a ,2 4 c之下端彼此間的框狀部分2 4 b 〇 作動伺服馬達2 1使水平螺栓軸2 2旋轉時,磁鐵支 撐板2 3向左方或右方移動。此時,滑動磁鐵支撐梁2 0 之上面,及框狀部分2 4 b之正前方側及內深部側之部分 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐)-2Ί - ^^1- ^^^^1 ^^^^1 I —^ϋ ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 V Ji (請先閲讀背面之注意事項存填寫本I ) 4 經濟部中央樣率局員工消費合作社印裝 6059 9 A7 B7五、發明説明(25 ) 〇 垂直移動裝置2 5 B係包括:固定於陰極蓋1 8之伺 服馬達2 6 ,及直結於該馬達之垂直螺栓軸2 9 ’及在中 央具有與該垂直螺栓軸2 9螺合之螺帽孔之上下活動框的 水平板部分2 4 d。該水平板部分2 4 d係右端與上述之 左側垂直板部分2 4 c之上端連接。 作動伺服馬達2 6使垂直螺栓軸2 9旋轉時,整體上 下活動框2 4向上抬高或向下拉下。 如此,上下活動框2 4及水平移動裝置2 5 A之整體 ,及濺射磁鐵2與磁鐵支撐梁2 0,均介經一支垂直螺栓 軸2 9施以懸吊,而且上下活動框2 4係以其左端部分之 垂直板部分2 4 c施以懸吊。 爲了吸收在上下活動框2 4之向順時鐘方向之旋轉力 矩,作爲支撐棒作用之支撐板2 7分配在磁鐵室2 5之左 壁與上下活動框2 4之左側垂直板部分2 4 c之間。支撐 板2 7係固裝於陰極蓋1 8,其前端之軌承座部2 7 a嚙 合於設在左側垂直板部分2 4 c之左側的垂直方向的軌狀 突起2 4 e » 上下活動框2 4上下移動時,此等軌狀突起2 4 e與 軌承座部2 7 a被滑動。介經此等引導支撐機構具備於垂 直移動裝置2 5 B,防止上下移動時等之上下活動框2 4 之橫向振動。 如上所述,依本變形例之磁鐵移動裝置2 5 A, 2 5 B時,由於對於水平方向及垂直方向之移動,隨著依 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4规格(210X297公釐)_功_ ^^1, - 1 I I in n I HI - -i i In^-eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7五、發明説明(26 ) 伺服馬達之旋轉驅動所實行’故可實施精密之位置控制。 又,由於將水平移動裝置2 5 A介經垂直移動裝置 2 5 B懸吊並實行上下移動’同時設置防止上下活動框 2 4之橫向振動之引導機構之構成,因此,以最簡單之裝 置可實行磁鐵之上下移動’而且對於水平移動及水平位置 之設定並不會有任何不良影響。因此’附加垂直移動裝置 也可將其成本成爲最小限度,同時可將移動裝置之可靠性 及耐久性保持較高。 在第1 6圖表示用以實行垂直驅動之電氣式驅動系統 。計測濺射電壓之濺射電壓計5 1設在D C電源與濺射室 1之第1及第2電極之間,而DC濺射裝置之運轉中,實 行濺射電壓之連續計測。另一方面,在基準電壓發生電路 5 2通常運轉時期盼之濺射電壓事先設定輸入作爲基準電 壓値。在比較器5 3經常地輸入來自此種濺射電壓計5 1 之輸出値及來自基準電壓發生電路5 2之輸出値,並輸出 濺射電壓對於基準電壓値之增減値。來自比較器5 3之輸 出係藉由放大器5 4被放大,並被輸入在驅動伺服馬達 2 6之伺服馬達驅動電路5 5。如上所述,隨著濺射電壓 計5 1之變動寬,伺服馬達2 6被驅動。旋轉驅動係濺射 電壓比基準電壓高時,向下方拉下地實行整體上下移動框 ,而在相反時則相反方向地實行。如此》從檢知濺射電壓 之變動至開始伺服馬達2 6之驅動爲止所需時間係微秒鐘 之單位。 以下,說明在陣列基板用之玻璃基板3上,將用以形 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) -29- 460599 A7 B7 五、發明説明(27 ) 成T F T之閘線及掃描線之鉬-鎢合金之薄膜(鉬5 0重 量%1以下以“〇-见膜表示),堆積成300nm厚度 的具體例子。 堆積薄膜之際,將濺射電壓之基準電壓設定爲5 5 0 V 1作爲濺射氣體使用氬(A r )氣,而濺射室1內之減 壓度係作爲0 . 6Pa。第2電極14之溫度係設定在 2 ◦ 。又,爲了將膜厚成爲均勻,往復運動三次濺射 磁鐵2。 在表6 ,表示測定薄膜堆積中之濺射電壓之變動,及 所得到之薄膜的薄片電阻(面積電阻率,sheet resistivity )之分佈的結果。又,在第1 7圖模式地表參考例之濺射 裝置之濺射電壓之角狀變動。 ----------水-- (請先閲讀背*之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 表6 濺射電壓之變動寬度,及薄片電阻測定結果 本變形例 參考例 濺射磁鐵之垂直驅動 有 沒有 濺射電壓之角狀狀變 10V未滿 100〜150V 動之寬度 薄片電阻與其參差 0.44 Ω / Π ± 6.4% 0.47 Ω / 口 ± 9·9% 由表之結果可知,依本變形例之方法,可將濺射電壓 之變動寬度更成爲未滿1 / 1 0 ,結果,可將薄片電阻之 參差減低至約2 / 3。薄片電阻之參差更少係指薄膜之膜 質更均句。薄片電咀本身雖減少,此乃沒有依濺射電壓之 上昇的薄片電阻之上昇分量,導致平均値下降。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -30- 經濟部中央榡準局員工消費合作杜印製 4 6059 9 A7 B7 五、發明説明(28 ) 又,使用與表1之上述具體例同樣之濺射方法’形成 包含掃描線及閛線之第1金屬層,其他係依照以往法製作 平面顯示裝置用陣列基板,也不會有依膜質不良之蝕刻形 狀不良,可確保高製造不良率。 如上說明,介經設置檢知濺射電壓之變動,自動地調 整濺射磁鐵與目標電極之間的距離的機構,可大幅度提高 依濺射所製造的薄膜之膜質之均勻性。 在本變形例中,作成檢知濺射電壓之變動以上下移動 灘射磁鐵之構成,惟也可成爲配合水平移動裝置2 5 A之 動作來驅動垂直移動裝置2 5 B之構成,只在來到濺射磁 鐵之往復運動之端部時拉下濺射磁鐵。 又,此時,對於依作爲第1電極1 3之目標材料的消 耗之磁鐵目標間距離之變動,在每一定期間檢測濺射電壓 之變動,介經變更垂直移動裝置2 5 B之高度位置之設定 可對應。 (圖式之簡單說明) 第1圖係表示實施例所使用之濺射裝置的模式剖面斜 視圖。 第2圖係表示濺射裝置之陽極,陰極間電壓及塊狀附 著物之發生個數之關係的圖表。 第3圖係表示濺射裝置之輸出與陽極,陰極間電壓之 關係的圖表。在圖表中以斜線表示塊狀附著物發生領域。 第4圖係模式地表示顯示裝置用陣列基板之微細配線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2i〇X 297公釐)_ 31 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 460599 A7 經濟部中*橾準局員工消費合作社印裝 _B7五、發明説明(29 ) 圖案的局部放大平面圖。 第5圖係模式地表示顯示裝置用陣列基板之T F T形 成領域之疊層構造的縱剖面圖。 第6圖係模式地表示在變形例所使用之濺射裝置的濺 射室之基本構成及基本配線的槪念圖。 第7圖係模式地表示第1變形例之濺射室之基本構造 的縱剖面斜視圖。 第8圖係模式地表示第1變形例之濺射裝置及其附屬 裝置之佈置的平面圖。 第9圖係表示第1變形例之濺射裝置發生電弧放電時 之濺射電壓及濺射電流(陽極,陰極間之電流)之時效變 化的圖表。 第1 0圓係表示未具備電力斷路裝置之比較例之濺射 裝置發生電弧放電時之濺射電壓及濺射電流(陽極,陰極 間之電流)之時效變化的圖表。 第1 1圖係表示將電弧放電之斷路時間作爲約1 5微 秒鐘之比較例發生電弧放電時之濺射電壓及濺射電流(陰 極,陰極間之電流)之時效變化的圖表。 第1 2圓係模式地表示陣列基板之T F T形成領域之 疊層構造的縱剖面圖。 第1 3圖係模式地表示陣列基板之T F T形成領域之 周邊的平面圖。 第1 4圖係模式地表示第2變形例之D C磁控管濺射 裝置之濺射室之基本構成的縱剖面斜視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐} - 32 - 4-6059 9 a7 ____B7五、發明説明(3〇 ) 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 之斜 鐵開 磁切 濺部 行上 實室 之射 例濺 形於 變對 2 置 第裝 示之 表動 地運 式下 模上 係及 圖動 5 運 1 復 第往 平 水 圖 視 驅 直 垂 之 鐵 磁 射 濺 行 實 之 -rl· ^ 佼 形。 變圖 2塊 第方 示的 表統 係系 圖 動 - 33 6 驅 1 制 第控 之 動 示。以 表表用 係圖係 圖的圖 7 動 8 1 變 1 第之第 壓 電 射 濺 之 置 裝 射 濺 管 控 磁 C D 之 例 較 比 式 圖 式 模 之 物 著 附 狀 塊 明 說 3 板, 基源 璃1 皮劑 Ϊ C :D 3 2 鐵1 磁 射 濺路 : 電 2 路 斷 ), 電 明室放 說射弧 之濺電 號:: 記 1 1 極線 電地 1 接 第: 9 , 1 軸 栓 ’ 螺 蓋平 塞 活 4 2 分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 4 6 一―I 一―Η 板 緣 絕 極’ 電板 2 裝 第包
屏 7 一—I 5 極 陰 ο 2 板 撐 支 鐵 磁 3 2 水, : 孔 2 栓 2 螺 1 a 梁3 撐2 支 鐵, 磁 4 2 咅 狀 框 b 4 2 2 C 4 , 2 框 動’ 活分 咅 , 板分 直部 垂板 側直 右垂 : a 左 4 : 起 突 狀 2 軌 e 置 4 裝 2 動 移 , 平 分水 0 : 板 A 平 5 水 2 d , 4 室 2 鐵 5
B 達板 馬底 服 : 伺 8 : 2 6 2 , 部 ’ 座 置承 極 電 7 2 室 鐵 磁 3 3 膜 被 體 ’ 導 線半 描: 掃 4 : 3 2 5 磁裝 : auill 移 直 垂 軌軸 ΊΟΓ -ΙΕί : 栓 a 螺 7 直 2 垂 , 9 板 2 撐 支, 膜 緣 絕 極 n-JQ" 2 素 像 3 3 膜 護 保 道 通 5 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 33 - 五、發明説明(31 ) A7 B7 7 ,送浮生服基線鬧導導,1 片 3 室 3 膜運:發伺璃描 1 半半極 3 墊 ο 射 向央 7 壓:玻掃第:阻電 1 線 2 濺 , 配中 4 電 LO ...... 9 電極 號 : 膜: : 準 51151 低源 , 信 , 1 处1H00 0〇 , 基 1—I ι-Η τ-Η : : 廿ΙΠΚ : 鐵 ,—| 構 34 筒: ,111 4b 緣 2 磁 2 層氣 2 器 ,26 絕 6 射 三, ,儲 5 大, , ,膜 12 間 1 濺, : 極臂: 放板線 }緣 1 層 :極 7 電動 6,·· 基號T絕, :,2 電 3 極自 4 計 4 列信 F 極膜 ,7 部 02 汲: 壓 5 陣:T 閘護膜 2 線 2 第 ’ :c\3,電 :οί2 保造 1 配 : 。 膜 b4 室射,οι 體第道構 :,5 路 體 7 熱濺器 οι 晶:通層 ,o 極 ο 氣 導 3, 加:較 1 電 7: 三極 6 電 2 排 半 室備 1 比 ’膜 12: 電 11 空 阻,備預 5: ,}薄 126 極 第,真 電極預 : 3 路板: 12 汲 ,· 路: 低電空 4 ’ 5 電基 2 , 1: 極 1 流 3 :極真 4 器 動列 1 膜, a 電 ο 水 1 6 源: 制,驅陣 1 緣膜 ,6 素 2 卻 2 3: 1, 控路達 { 絕被膜 2 像 冷 a4 室動電馬板,極體體 1...... ^^^1- ml nil na^i If— HIP 0 ^Jfi (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印装 本紙張尺度適用中國國家搮準(CNS > A4规格(210x297公釐> -34 -
Claims (1)
- 公告本 460599 η C8 D8 正 經濟部智慧財產局員工消費合作社k製 六、申請專利範圍 第881004 12號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國90年丨月修正 1 . 一種微細配線圖案之形成方法,屬於具備.:在絕 緣基板上介經濺射堆積鋁或包含7 0原子%以上鋁之合金 所構成的薄膜的過程,及圖案化上述薄膜以形成微細配線 圖案的過程的微細配線圖案之形成方法,其特徵爲: 上述濺射係陽極電極與陰極電極之間的電位差設定在 570V以下,濺射環境氣氛爲〇.4以上且不超過 1 . 4 P a 者。 2 .如申請專利範圍第1項所述的微細配線圖案之形 成方法,其中,上述微細配線圖案係配線寬爲3 0 // m以 下,或配線間之間隔爲6 0 V m以下者。 3 .如申請專利範圍第2項所述的微細配線圖案之形 成方法,其中,上述微細配線圖案係將鉸(N d ),釔( Y)或釓(Ga )以此等添加金屬之合計包括〇 · 3〜 5 . 0原子%的鋁合金所構成者。 4 .如申請專利範圍第2項所述的微細配線圖案之形 成方::去,其中,上述微細配線圖案係平面顯示裝置用陣列 基&中,將驅動信號供應於排列之複數像素所用的配線者 5 .如申請專利範圍第4項所述的微細配線圖案之形 成方法,其中,上述像素之節距爲〇 . 3 6 ni m以下者彳 6 .如申請專利範圍第5項所述的微細配線圖案之形· 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------裳--------訂-------*姨 <請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁}Ir^r. 環境 4 6059 9 含I D8 六、申請專利範圍 成方法,其中,濺射環境氣氛係氬 7 .如申請專利範圍第2項所述的微細配線圖案之形 成方法,其中,上述絕緣基板之面積係3 0 0 X 4 0 0m m以上者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-----! —訂------ -- ·綠 經濟部智慧則1局員工消費合作社印製 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21CU 297公釐) _ 2 -
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