TW460599B

TW460599B - Method for forming fine wiring pattern

Info

Publication number: TW460599B
Application number: TW088100412A
Authority: TW
Inventors: Kiyotsugu Mizouchi; Hiroshi Tsuji
Original assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-01-14
Filing date: 1999-01-12
Publication date: 2001-10-21
Also published as: KR100302280B1; US20010009222A1; US6461485B2; KR19990068241A

Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製公告本46Q5y9 ^ B7 五、發明説明（1 ) (技術領域）本發明係關於一種使用於平面顯示裝置用陣列基板等的微細配線圖案之形成方法。 (背景技術）近年來，作爲代替c R T顯示器之顯示裝置盛行開發平面顯示裝置。其中以液晶顯示裝置係從薄型，輕量，低耗電等之優點而受注目。例如，例舉說明在每一各顯示像素配置交換元件之光透過型的主動矩陣型液晶顯示裝置。主動矩陣型液晶顯示裝置，係在陣列基板與對向基板之間經由配向膜保持液晶層所構成。陣列基板係複數條信號線與掃描線格子狀地配置於玻璃或石英等透明絕緣基板上，且使用非晶質矽（以下簡稱爲a — S 1 : H)等之半導體薄膜的薄膜電晶體（以下簡稱爲T F T )連接於各交點部分。T F T之閘極電極電氣式地連接於掃描線，而汲極電極係電氣式地連接於信號線。又，源極電極係電氣式地連接於例如I T 0 ( Indium-Tin-Oxide )之構成像素電極之透明導電材料。此種主動矩陣型液晶顯示裝置係常用在筆記型個人電腦，汽車導航裝置，超小型T V等。但是，又爲了擴大平面顯示裝置之用途及市場成爲要求高精細且大型之平面顯示裝置。爲了達成高精細化，必須減小像素之節距（像素之中心點間之距離），爲了維持數値孔徑必須形成配線寬及間本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐）_ ^—ί ^^1 ml 1^1 I -I I —I— n----l· I— ^^1 (請先閲讀背面之注^項再填寫本頁) 經濟部中夾標率局員工消費合作社印製 4 605^9 A7 A7 _____B7_ _五、發明説明（2 ) 隔小之微細圓案。在本案專利說明書中，實行彩色顯示時，像素係指各色之點者，例如指紅，綠，藍之各點者。又，像素之中心點間之距離係在顯示面板之長度方向與寬度方向不同時，像素節距係指此等中之短者。例如’以對角尺寸20英吋達成UXGA (1600 X 3 X 1 2 0 〇像素），必須將像素節距成爲約〇 , 2 5 m m。此時’配線寬及配線間之間隔（均爲最狹窄之部位 )，係爲了提高光利用效率而確保充分之孔徑數値，期望分別設定在約3 0//m以下，及1 〇〇#m以下。又，爲了以對角尺寸20 8英吋達成QUXG (3200x3 X2400像素，期望將像素節距作爲約〇.132mm ，並將配線寬作爲1 5 # m以下。另一方面，爲了減小配線之寬度俾達成顯示面板之大型化，欲防止電送之波形之劣化而須以低電阻金屬構成配線，惟作爲此種金屬眾知適用鋁。但是’依濺射法堆積均勻厚度之金屬層之際，附著金屬所構成之塊狀異物而形成金屬層之微少缺陷，又在微細配線圖案上產生配線不良。又，在濺射時對於附著經 5 # m以上之塊狀附著物的金屬層，將配線寬度爲 3 0 # m以下，或是配線間之間隔爲6 0 v m以下之微細配線施以圖案化時會有配線缺陷。在第1 8圖，模式地表示塊狀附著物之形成。特別是，依濺射形成鋁金屬層時，在以往之液晶顯示裝置中與使用一般之鉬等時相比較塊狀附著物之發生較顯本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）_ 5 _ ^1. ·—κ I ^^1 --- I —I— I - - I I - - - II — -- 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局負工消費合作社印裝 46059 9 at B7五、發明説明（3 ) 著。又，爲了防止鋁金屬層之小丘（Hillock )(依照工程之鼓出），提案添加銨等（日本特開平7 - 4 5 5 5 5號公報），此時，塊狀附著物更顯著地增加。另一方面，在日本特開平8 — 3 7 1 8 6號公報，依濺射形成鋁金屬層時，防止小丘之目的，記載在3〜5 0 mTor r (約0 . 4〜6 . 7Pa)，較理想爲 lOmTorr (1. 3Pa)左右之氬氣環境氣氛中實行濺射。由此，氬氣進入錦層’形成含有0·1〜0.5 原子％氬的鋁合金。但是，在此種特定壓力之氬氣體氣氛下僅實行濺射，並無法防止塊狀附著物。 (發明之槪要）本發明係鑑於上述問題點，其目的係在於提供一種依濺射與圖案的微細配線圖案之形成方法中，沒有起因於塊狀附著物之配線缺陷者。本發明的微細配線圖案之形成方法，屬於具備：在絕緣基板上介經濺射堆積鋁或包含7 0原子％以上鋁之合金所構成的薄膜的過程，及圖案化上述薄膜以形成微細配線圖案的過程的微細配線圓案之形成方法，其特徵爲：上述濺射係陽極電極與陰極電極之間的電位差設定在5 7 0 V 以下之條件者。介經此種構成，不會發生起因於塊狀附著物的配線缺陷。在申請專利範圍第2項所述的微細圖案之形成方法中本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐} _ 6 _ 1 r ^^^1 ϋ^—i In - - i In I l^i ^^^1 n ( 一eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ r 46059 3 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印装五、發明説明（4 ) ’上述微細配線圖案係配線寬爲3 0 v m以下，或配線間之間隔爲6 0 # m以下。在申請專利範圍第3項所述的微細圖案之形成方法中 ’上述微細配線圖案係將鈸（N d )，釔（Y )或釓（ G a )以此等添加金屬之合計包括〇 . 3〜5 · 0原子％的錦合金所構成者。介經此種構成，防止發生小丘，同時不會發生起因於塊狀附著物之配線缺陷。本發明之其他態樣中 > 屬於在反應室內配置基板，介經D C濺射來堆積薄膜的薄膜之製造方法，其特徵爲具備 :介經檢測陰極與陽極電極間之壓降來檢知電弧放電之發生的檢知步驟，及依據上述檢知，在發生上述電弧放電後一微秒鐘以內，斷路在上述陰極與陽極電極間施加電壓之供電的電力斷路步驟，及上述電力斷路後，在5至1 5微秒鐘後再開始上述供電俾再開始濺射的再開始步驟。介經此種構成，可防止依電弧放電的塊狀異物之發生，由此，可提高矩陣基板之良品率，同時可大幅度減少從濺射室之完成維修至成品製造再開始爲止所需的時間（停機時間）。在本發明之另一態樣’屬於在目標電極與基板之間施加所定濺射電壓，同時將濺射磁鐵平行地往復運動於上述目標電極，介經D C濺射在基板上堆積薄膜的薄膜之製造法，其特徵爲：在檢知上述濺射電壓從其基準電壓變動之際，對於上述目標電極向大約垂直方向移動俾調整上述濺本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)~~ I- ml n +^-n I - J n,^ ^^^1 \aJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 4 6 0 59 9 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 B7五、發明説明（5 ) 射磁鐵與上述目標電極之距離以減低上述濺射電壓之變動者。介經此種構成，可將濺射電壓容易地保持在一定，由此，可抑制起因於塊狀附著物之配線缺陷，同時可將薄膜之膜質成均勻^特別是，在大面積之基板上用以成膜薄膜而具備濺射磁鐵之往復運動機構的D C濺射裝置中，在往復運動之兩端，可充分地抑制依遮蔽目標之周緣部的屏作用的濺射電壓之上昇，並可將所產生之薄膜之膜質成爲均句。從裝置之觀點來說明該態樣：D C濺射裝置具備：基扳可配置於內部的處理室，及配置於上述處理室內的目標電極，及支撐成平行地可往復運動於上述目標電極的濺射磁鐵，及檢測濺射電壓的電壓檢測手段，及將濺射磁鐵對於上述目標電極大約垂直方向移動俾調整上述濺射磁鐵與上述目標電極之距離的磁鐵-目標間距離調整部，及控制上述磁鐵-目標間距離調整部以減低上述濺射電壓之變動的磁鐵一目標間距離控制部。又，D C濺射裝置係具備：基板可配置於內部的處理室，及配置於上述處理室內的目標電極，及配置於上述目標電極之周緣部，防止電漿對上述目標電極之相撞的棚架狀屏，及支撐成平行地可往復運動於上述目標電極的濺射磁鐵，將濺射磁鐵對於上述目標電極大約垂直方尚移動俾調整上述濺射磁鐵與上述目標電極之距離的磁鐵-目標間距離調整部，及上述濺射磁鐵介經上述棚架狀之屏位於上本紙張尺度適¥中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐>~~[T] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 460599 B7 五、發明説明（6 ) .^n 1^1 1^1 - - l^i —i — -^I I - — ^^1 HI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 述目標電極被遮蔽之領域之期間，控制上述磁鐵一目標間距離調整部以縮小上述濺射磁鐵與上述目標電極之距離的磁鐵一目標間距離控制部。 C發明之實施最佳形態） (實施例）介經關於主動矩陣型液晶顯示裝置用陣列基板之製造的實施例使用第1圖至第5圖說明依本發明的微細配線圖案之形成方法。首先，使用第1圖至第3圖說明依本實施例的濺射之裝置及方法。在第1圖模式地表示本實施例所使用之濺射裝置。該濺射裝置係大面積基板用之D C磁控管濺射裝置（曰本真空技術公司所製SHD 450型）。經濟部中央標率局員工消費合作社印裝濺射裝置之對向之其中一方之電極的第1電極2 0 1 ’係以目標材料所構成之平板型，而在第1電極2 0 1之下方配置有永久磁鐵及電磁鐵所構成的濺射磁鐵2 0 2。接近於第1電極2 0 1及濺射磁鐵2 0 2具備有冷卻水流路2 ◦ 3 ，以防止濺射中的過度昇溫。在第1電極2 0 1之上方，與其相對向地設有保持玻璃基板1 〇 1的第2電極2 0 5。濺射室2 1 1係從真空排氣路2 1 3被真空排氣，並從氣體導入孔導入氬氣（ Ar)。介經適當地保持氣體導入量與真空排氣之平衡來調整濺射室2 1 1內之氣體壓力。大面積之玻璃基板本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐）_ 〇 _ 4 6059 9 A7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（7 ) 101係堆積大約均勻之金屬膜地配置在其下面之大約全面，而第1電極2 0 1係在第1電極2 0 1上之濺射領域依次拂掠玻璃基板1 0 1之整體下面。作爲第1電極2 0 1之電極材料，例如鋁-銨合金（ A 1 - N d )，使用鈸之含有莫爾數（莫爾單位之原子數 )爲鋁與銨之合金之整體莫爾數（莫爾單位之原子數）之 2%者。以下，將此表示爲A 1 —Nd膜（2原子％Nd )° 以下，介經第2圖及第3圖之圖表說明濺射之條件與塊狀異物之發生數的關係所得到之資料。使用上述裝置在上述玻璃基板之一面全面堆積上述A 1 - Nd ( 2原子％ Nd)所構成之1 00〜40 Onm厚度的膜之後，介經顯微鏡觀察計數具有5 // m以上之徑的塊狀附著物之數。在第2圖表示第1電極2 0 1與第2電極2 0 5之間的電壓，亦即，陽極，陰極間電壓與塊狀附著物之發生數之關係^ 塊狀附著物之計數係在各電壓對於6〜9枚玻璃基板 (對角1 2英吋）實行，以換算成每一平方公分之數的範圍値圖表表示。氬氣之壓力係在各電壓變化0.4〜 1 . 3 P a。又，使用該濺射時之設置條件係如下表所示。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I衣 -9 本紙張尺度適用中國國家標隼（) A4規格（210X297公釐）_ 1〇 _ 460599 五、發明説明（8 ) A7 B7 表1 取得第2圖及第3圖之時之濺射的裝置條件玻璃基板（101)之大小縱橫 300mmX400mm 第1電極（2(H)之大小縱橫 120mmX570mm 第2電極（201)與玻璃基板（101)之距離 7 0mm 第1電極（201)與濺射磁鐵（202)之距離 5 5 mm 在濺射磁鐵（202)表面之磁通密度 200Gauss 電力密度 22W/cm2 在第1電極（201)近旁之電流密度 1.6 X 10入2.83 x 10'3A/cm2 I---^---------装-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局—工消費合作社印裝由第2圖可知，陽極，陰極間電壓與塊狀附著物之數係呈明瞭之正的相關關係，而在5 7 0 V以下之領域幾乎沒有塊狀附著物。在第3圖表示濺射裝置之輸出與陽極，陰極間電壓之關係。將氬氣之壓力設定在0.4及1.3Pa ，並將濺射裝置之輸出値在5〜2 5KW之範圍變化。由於在同一輸出値之陽極，陰極間電壓値有參差，因此，在4〜8枚之玻璃基板上以金點顯示方式表示實行濺射時之圖表。圖表上半部之斜線領域係表示塊狀附著物發生領域。如圖所示 ’將氬氣環境氣氛之壓力作爲0.4Pa時，雖有約10 K W也認出塊狀附著物，惟將氬氣環境之壓力作爲1 . 3 P a時，雖在2 5 K W之輸出値也不會認出塊狀附著物。濺射裝置之輸出値係在圖示之輸出範圍中，大約比例本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐）_ ι ·| 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 460599 A7 B7 五、發明説明（9 ) 於依濺射的金屬膜堆積速度者，在本實施例之濺射裝置係若在約2 0 KW或其以上之輸出値可得到充分之堆積速度而在製造工程上沒有問題。由第3圖之結果，如上所述，可知對於陽極，陰極間電壓介經保持不超過5 7 0 V之低電壓，又將氬氣環境氣氛之壓力提升某一程度，即可將金屬膜之堆積速度保持充分高之狀態可完全地防止塊狀附著物。雖未予圖示，惟氬氣環境氣氛之壓力爲1.3Pa以上時，在沒有發生塊狀附著物之領域中，可得到約 2 5 KW之充分輸出値。又，若氬氣環境氣氛之壓力超過 1 . 4 P a，因降低所堆積之金屬膜之緻密性而不理想。以下，依據第4圖至第5圖說明使用上述濺射裝置及方法的顯示裝置用陣列基板之製造方法。第4圖係表示液晶顯示裝置用之陣列基板1 〇〇的槪略平面圖者' 圖中之下側係位於液晶顯不裝置之畫面上側者，而從圖中下側向上側依次選擇性掃描線者。又，第5 圖係模式地表示陣列基板之T F T 1 1 2形成領域之疊層構造的縱剖面圖。陣列基板1 0 0係對角尺寸爲2 0英吋，包括配置於玻璃基板1 0 1上的1 2 0 0條掃描線1 1 i ，各掃描線 1 1 1之一端係拉出在玻璃基板1 0 1之一端邊側，經斜配線部電氣式地連接於掃描線墊片。陣列基板1 0 0係包括在玻璃基板1 〇 1上與掃描線 1 1 1大約正交之4 8 0條信號線1 1 0，各信號線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐）~~ ^—•1 —^^^1 n^i e l:eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 460599 A7 _______B7五、發明説明（1〇 ) 1 1 0係被拉出在玻璃基板1 0 1之另一端邊側，經斜配線部1 6 0電氣式地連接於信號線墊片1 6 2。又，掃描線1 1 1係以A 1作爲主成分之金屬膜所構成，信號線 1 1 〇係形成以鉬（Μ 〇 )作爲主成分的第1金屬膜，及以鋁（A 1 )作爲主成分的第2金屬膜，及以鉬（Μ 0 ) 作爲主成分的第3金屬膜之三層構造。在掃描線1 1 1與信號線1 1 0之交叉部分近旁配置 TFT112。又，連接於該TFT 112之IT〇所構成之像素電極1 3 1係經由層間絕緣膜1 2 7配置於掃描線1 1 1及信號線1 1 0上。掃描線1 1 1及信號線1 1 0之配線寬W係4〜3 0 ’ TFT 1 1 2之源極電極1 26b與汲極電極 1 2 6 a之間隔G係4〜2 5 # m，而像素節距P係 0.0 8 3 mm。以下，參照第5圖詳述該陣列基板1 0 0之全程製程 -- - —I— ^^1 —^1 - 1- - --- —^^1 — - HI ^^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 (1 )第1過程介經電漿CVD使用表面以S ί Οχ膜覆蓋的玻璃基板 10 1。在玻璃基板1 0 1 ，使用上述濺射裝置，將A 1 -Nd膜（2原子％Nd)堆積成300nm之膜厚，並將 Μ 〇膜堆積成5 0 n m之膜厚。作爲鋁合金，也可爲例如A 1 - Υ (Y爲2原子％ ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 13 - 460599 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 _B7_五、發明説明（11 ) ’Al— Gd (Gd 爲 2 原子％)，及 A 1— Sc (Sc 爲2原子％)寺。銘合金之銘含量，右在7 ◦原子％以上則可得到充分地低電阻之配線，此等銳（N d )等之添加原子之含有莫爾％係0 . 3〜5 %，則可充分地防止小丘之發生。在該疊層膜上，使用光刻法形成掃描線圖案與輔助容配線之一部分，之後使用磷酸，醋酸，硝酸之混酸鈾刻成 3 5度以下之堆拔形狀，以完成掃描線與輔助電容配線圖案（1第圖案化）。 (2 )第2過程第1過程之後，將玻璃基板1 0 1加熱成3 0 0 °C以上後，介經常壓電漿CVD法，堆積1 7 5 nm厚之氧化矽膜（S i Ο x膜）所構成的第1閘極絕緣膜1 1 5之後，再介經減壓電漿C V D法，在不會曝曬於大氣下連續地成膜1 7 5 nm厚度之氮化矽膜所構成的第2閘極絕緣膜 1 1 7，5 Onm厚之a — S 1 : Η所構成的半導體被膜 1 1 9及2 0 0 nm厚之氮化矽膜所構成的通道保護膜 1 2 2之層。 (3 )第3過程第2過程之後，介經以掃描線1 1 1作爲掩蔽之背面曝光技術在掃描線1 1 1自匹配地圖案化通道保護膜 1 2 2之層，又對應地T F T領域地使用第2掩蔽圖案使本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 14 - ^^^1 in ^^^1 i - - -- i ^^^1 m 一 a 3.-5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 46059 9 B7 五、發明説明（12 ) -I -- i. In ^^^1— ^^^1 a^n - — ^—f *1^ ^^^1 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本f ) 之曝光，經顯像及圖案化（第2圖案化），製作島狀之通道保護膜1 2 2。爲了該圖案化，使用依四氟化碳與氧氣之混合氣體的化學蝕刻。 (4 )第4過程第3過程之後，以氟酸H F系溶液處理半導體被膜 1 1 9表面得到良好之歐姆接觸，並介經電漿C V D法堆積作爲雜質含有磷之3〇nm厚的n+a — S i : Η所構成的低電阻半導體膜1 2 4之層。然後，介經上述之濺射裝置及方法，再堆積以Μ 〇爲主成之第1金屬膜，及A 1 _Nd膜（2原子％Nd)之第2金屬膜，及以Mo爲主成分之第3金屬膜的三層構造所構成之300n m厚的三層構造膜126 °A1— Nd 膜（2原子％ N d )係與在第1過程所說明者完全同樣地，A 1 _y等也可以，而添加金屬之莫爾％爲〇 . 3%〜 5 · 0 %，則可同樣地使用。經濟部中央標準局貝工消費合作社印11 (5 )第5過程第4過程之後，使用第3掩蔽圖案經曝光，顯像之後，三層構造膜1 2 6係介經濕蝕刻，而低電阻半導體被膜 1 2 4之層及半導體被膜1 1 9係介經電漿蝕刻施以圖案化（第3圖案化）。電漿蝕刻係介經控制氮化矽膜所構成的第1閘極絕緣膜1 1 5或第2閘極絕緣膜1 1 7與通道保護膜1 2 2之蝕刻選擇比來實行。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210X297公釐）.15- 4 6059 9 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（13 ) 介經此種圖案化，一體地製作源極電極1 2 6 b及汲極電極1 2 6 a ，及此等之下方的低電阻半導體膜1 2 4 之島狀部分。 (6 )第6過程第5過程之後，在其上面堆積2 0 0 nm厚之氮化矽膜所構成的層間絕緣膜1 2 7。 (7 )第7過程第6過程之後，在其上面介經濺射堆積1 〇〇 nm厚之I TO膜，使用第5掩蔽圖案經曝光，顯像，依乾蝕刻之圖案化（第5圖案化），以製作像素電極1 3 1。在如上所述地所得到之顯示裝置用陣列基板中，將配線寬作爲30以下，並將像素節距作爲〇25mm 以下時，也沒有觀察到可能起因於塊狀附著物之配線不良〇在上述實施例中，作爲環境氣氛氣體使用氬氣，惟使用鼠（K r )或氣（N e )氣也是大約同樣。上述之條件係本發明之一例子，由本發明人等確認依各條件之本發明之效果，將其條件之一部分例示如下。 ---------装-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）·扣 9 9 5 ο 6 4 五、發明説明（14 ) 表2 濺射之裝置條件條件2 條件3 玻璃基板（1 0 1)之大小縱橫360mm X 465 mm 縱橫550 mm X 65 0 mm 第1電極（2 0 1)之大小縱橫1 2 0 m m X 5 30 mm 120mmX900 第1電極（201)與玻璃基板（101)之距離 70mm 700m 第1電極（201)濺射磁鐵（202)之距離 5 5 mm 3 8mm 濺射磁鐵（202)表面之磁通密度 200Gauss 200Gauss 電力密度 24W/cm2 36W/cra2 ------^-----^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標準局員工消费合作社印装 (第1變形例）使用第6圖至第1 3圖及表3至表5說明第1變形例。使用第6圖至第8圖說明該變形例之磁控管方式的D C 濺射裝置。第6圖係表示D C濺射裝置之濺射室之極模式性的配線連接圓。其真空室所構成濺射室1係被減壓成 0 · 6Pa ，而作爲濺射氣體導入氬（Ar)氣體。對向之一對電極1 3，1 4連接於供應一定電力之DC電源 1 2。當電壓施加於該一對之電極1 3，1 4間時，介經濺射磁鐵2之作用，在第1電極1 3之表面發生依磁控管本纸浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 46059 9 A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝五、發明説明（15 ) 放電的電槳。介經電漿化成爲正離子的氬氣，依電場被加速而相撞於第1電極1 3 ，由此，目標原子被濺射而在基板3上形成薄膜。在本變形例中，藉由DC電源12，在穩定濺射時約5 5 Ο V之電壓施加於陽極與陰極之間，而 D C電源1 2之正極側連接於接地線1 5。在DC電源12與濺射室之電極13 ，14之間，具備電弧放電斷路裝置11。該電弧放電斷路裝置11係具備：用以檢知電弧放電開始時的陽極，陰極間電壓（濺射電壓）之急激下降之電壓計等的突波電壓檢知裝置，及在突波電壓被檢知時能在所定時間以內急速地斷路電力供應的斷路電路，及在精密之所定時間後實行電力供應之再開始的電力供應再開電路。由此，在本實施例之方法中，設成發生電壓之異常亦即電弧放電之發生後在一微秒鐘以內斷路電力供應，之後 >在5至1 5微秒鐘後再開始電力供應。第7圖係模式地表示濺射室1之基本構造的縱剖面斜視圖，如該圖所示，作爲與第2電極1 4上之玻璃基板3 相對向配置的平板狀第1電極1 3 ，使用與玻璃基板3相同程度之面積者。在圖示之例子，作爲濺射磁鐵2，使用前後較長的方棒狀之三個組固裝於水平地配置的梁下面者。又，如圓中以箭號所示，濺射磁鐵2係在濺射過程中向左右方向往復運動。用以將堆積於大面積（在本變形例爲 5 5 Ommx 6 5 Omm)之玻璃基板3上的薄膜之膜厚分佈成爲均勻者。在本變形例中，第1電極1 3與濺射磁 ^ϋ. - - - ^^1 il^i 11 二· —^1 ^^1 11 nn n (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）-18 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 4 6 0 5 9 9 a? B7 五、發明説明（16 ) 鐵3之間的距離係設定在約5 5 m m。第1電極1 3係熔接並保持在銅製之包裝板1 6，介經棚架狀之屏1 7覆蓋第1電極1 3之周緣部，及其四周圍之包裝板1 6露出之部分。屏1 7係防止銅混入在離子相撞於包裝板1 6所形成的薄膜，同時，防止依第1電極 1 3之濺射材料堆積於包裝板1 6等欲以剝離所引起的粒子（塵埃粒子）之發生。濺射室1係一枚式地構成。亦即，玻璃基板3 —枚一枚地安裝而在其上面堆積薄膜。玻璃基板3對於作爲基板載置台之第2電極1 4之安裝及取下係在拉下第2電極 1 4之狀態下實行。第2電極1 4係連接於可上下移動之圓筒14 a上並被支撐著。在第8圖模式地表示該濺射裝置及其附屬裝置之佈置的平面圖。在平面圖中，配置六個大約長方形之室，成爲圍繞大槪正六方形之中央運送室4 3。六個室係兩個真空預備室41 ，一個預備加熱室44及三個濺射室1。此等室之取出放進口係與中央運送室4 3之各側壁一體地構成 0 中央運送室4 3及預備加熱室4 4係被減壓成與濺射室1相同之真空度，與外部之交接係經真空預備室4 1之減壓或大氣孔（復原成大氣壓）所實行。外部與真空預備室4 1之間的玻璃基板3之裝進及取出，係在複數玻璃基板3搭載於卡匣之狀態下實行。濺射氣體之氬氣係從儲氣筒4 6經浮動控制器4 7供應於濺射室1 。另一方面，介本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X297公釐）_ •^^1- ^inr ^^^1 n^i ^^^1 am· I ^^^1 tn 3. 、va (请先閲讀背面之注意事項再填寫本f ) 4 6 Ο 5 9 9 。 Α7 Β7 五、發明説明（17 ) 經中央運送室4 3之自動臂4 2，玻璃基板3依真空預備室4 1—預備加熱室4 4 —濺射室1—真空預備室4 1之順序被移送。在本變形例係玻璃基板3在預備加熱室4 4 被加熱成2 0 0 °C後被移送至濺射室1。在表3 ’使用以上所說明之DC濺射裝置，在550 in m X 6 5 0 m m之玻璃基板上，對於形成厚度 3 ◦ 0 nm之組一鶴合金之薄膜（組5 0重量％，以下以 Μ 〇 - W膜表示）時及堆積相同厚度之鋁薄膜（以下以表示A 1膜表示）時’表示計測塊狀附著物之數的結果。又，爲了參考，未使用本變形例之電弧放電斷路電路時也例如作爲參考。表3 塊狀附著物之數（個數/ 5 OOmmX 050mm基板）本變形例參考例電弧放電斷路電路有沒有薄膜 Μ 〇 - W 膜 0.9個/基板 2.1個/基板 A 1膜 0.3個/基板 0.9個/基板 - . —I— 1^1 ^^1 ^^1 n ^^1 tJR --- Hi n^i — I -I ^^^1 - 牙 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製如表3所示，在Μ 〇 - W膜及A 1膜之任何情形，均使用本變形例之電弧放電斷路裝置時，更顯著減少塊狀附著物之個數。第9圖及第1 0圖之圖表係分別表示Mo — W膜時之上述變形例及參考例之發生電弧放電時之濺射電壓及濺射電流（陽極’陰極間之電流）的時效變化者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（210X297公釐）_ 2〇 4 60 59 9 A7 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 B7 ___五、發明説明（18 ) 在表示於第9圖之本變形例的圖表中’從依電弧放電之發生的濺射電壓絕對値之急激地減少（在圖中’表示作爲設定成負之陰極電極電位之急激地上昇）之開始’在一一微秒鐘以內斷路電力供應（延遲時間t 1 a y < 1 # s e c )，而濺射電流呈急降低》在斷路5微秒鐘後，再開始電力供應時（斷路時間t ο i f = 5 V s e c ) ，再開後，在約1 5微秒鐘以內，濺射電流形成安定者。在表示於第1 0圖之比較例之圖表中，可知有依電弧放電之濺射電流之峰値，而在電弧放電完成之1 0 0微秒鐘後，濺射電流也不安定。在第11圖表示在Mo-W膜之成膜對於將電弧放電之斷路時間作爲1 5微秒鐘之比較例的與上述同樣的圖表。如圖表所示，在電力斷路時間比1 5微秒較長時，由於重複發生電弧放電，後結果最初之電弧放電經1 〇〇微秒鐘後，濺射電流及濺射電壓係均不安定。雖未予圖示，惟將電力供應之斷路時間作爲4微秒鐘以下時使電弧放電再發生，而在濺射電流之安定上需費較多時間。可能由於未完全地終止電弧放電所導致。另一方面，開始電力供應之斷路比從發生電弧放電延遲一微秒鐘後時，隨著延遲，每一基板之塊狀附著物之個數會增加。此乃由於電弧放電正式地上昇所導致者。若延遲電力供應之斷路時，則再開始電力供應後之濺射電流之安定化也需較多時間。在本變形例中，雖作爲環境氣氛氣體使用氬氣，惟除 (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標牟（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 · 4 6059 9 at _B7__ 五、發明説明（19 ) 此之外使用氨（K !·)氣也大約同樣。在表4，表示依本變形例之方法的預濺射處理過程之減輕情形。所謂預濺射處理乃在目標電極之交換的濺射室之定期維修後，將除去目標電極表面之氧化膜或吸附水之污染層，或是目標表面之安定化作爲目的之預備濺射者。 (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部十央榡準局員工消費合作社印裝 *1 :徑爲5 # m以上之粒子成爲3 0個以內所需的預濺射用玻璃基板之枚數。 ”：定期維修後，開始製造成品之薄膜爲止所需之時間。如表4所示，依照本變形例之D C濺射裝置，欲將 A 1膜成膜在上述玻璃基板時，徑爲5 μ m以上之粒子成爲3 0個以內所需的預濺射用玻璃基板之枚數爲約9 0枚。而在未具備電弧放電斷路電路之比較例需要約2 0 0枚。如此對應於減少此等預濺射用玻璃基板之枚數，定期維修後，開始製造成品之薄膜爲止所需時問（停工時間），係本變形例爲3 . 8小時，而比較例爲8小時，可大幅度縮短時間。由於如上所述地可大幅度上昇濺射過程的運轉效率，表4 預濺射過程之減輕 __ 本變形例參考例電弧放電斷路電路有沒有所用玻璃基板數+1 90枚 200枚所用時間（停工時間r2 3.8小時 8小時本紙張尺度適用中國國家棵準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 22 - 4 6059 9 A7 經濟部中央揉隼局貝工消費合作社印製 B7 ____五、發明説明（2〇 ) 因此，可大幅度減低每一基板之過程成本。以下，使用第1 2圖至第1 3圖說明介經本實施例之方法來製作顯示裝置用陣列基板之具體例子。第1 2圖係模式地表示陣列基板之T F Τ'形成領域之疊層構造的縱剖面圖1第1 3圖係表示同領域之周邊的模式平面圖。首先，依第1至6過程之順序詳述陣列基板之製程° (1)第1過程介經電漿c ν d使用被覆S 1 〇χ膜之玻璃基板3。在55〇x65〇mm之玻璃基板3 ，介經如上所述之方法，將Μ 〇 — W膜堆積成3 0 0 nm之膜厚。在該疊層膜上，使用光刻法形成包含閘極電極之掃描線層的圖案（第1圖案化）。此時之蝕刻係介經化學乾蝕刻（C D E )實行使覆蓋閘極電極之閘極電極的閘極絕緣膜之通達範圍（特別是階段差面之覆蓋）成爲良好，並將約3 0度之推拔形狀形成階段差面。 (2 )第2過程介經電漿C V D法堆積3 0 0 n m厚度之氧化矽膜（ S I Ο X膜）所構成之閘極絕緣膜3 2之後，在不曝露於大氣之狀態下連續地成膜5 0 nm厚度之a — S i : Η所構成的半導體被膜3 4及2 0 0 nm厚度之氮化矽膜所構成的通道保護膜3 5之層。 I.---------笨-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）-23 - 4 6059 9 A7 B7 經濟部中央楼準局貝工消費合作杜印製五、發明説明（21 ) (3 )第3過程介經將掃描線3 1作爲掩蔽之背面曝光技術在掃插線 3 1自我匹配地圖案化通道保護膜3 5之層，又對應於 T F T領域地使用第2掩蔽圖案經曝光，顯像，圖案化（第2圖案化，製作島狀之通道保護膜3 5。 (4 )第4過程可得到良好之歐姆接觸地以氟酸（H F )系溶液處理露出之半導體被膜3 4表面，並介經電漿CVD法堆積作爲雜質包含磷之30nm厚度的fa—Si :Η所構成的低電阻半導體膜3 6之層 (5 )第5過程將1 0 0 nm厚之I TO膜介經濺射堆積在其上面，使用第3掩蔽圖案並經曝光，顯像，及依乾蝕刻之圖案，製作像素電極33 (第3圖案化）。 (6 )第6過程之後，介經上述之濺射裝置及方法，堆積以鉬（Μ 〇 )作爲主成分之5 0 # m厚度的第1金屬膜，及以鋁（ A 1 )作爲主成分的3 5 0#m厚度的第2金屬膜，及以 Mo作爲主成分之5 0 厚度的第3金屬膜所構成的三層構造膜37。之後，使用第4掩蔽圖案，經曝光，顯像 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} ¥. 本紙張尺度適用中国國家樓準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐） -24- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 460599 A7 ___B7___ 五、發明説明（22 ) 之後，製作包含源極電極3 7 a及汲極電極3 7 b的圖案 (第4圖案化）。最後，配向膜3 8全面地形成。在表5 ，表示對於如上所述地所得到之顯示裝置用Is車列基板測定不良比率之結果。表5 製作之顯示裝置用陣列基板的短路不良比率本變形例參考例電弧放電斷路電路有沒有依層間短路之不良比率>1 1.2% 1.7% 依其通短路之不良率比率 1.5% 2.0% *1 :包含閘極電極之導電層及包含汲極電極之導電層之間 *2 :與對向基板上之共通電極之電氣接觸。如表5所示，在所得到之顯示裝置用陣列基板中，閘極電極與汲極電極依電氣短路之層間短路的不良比率爲 1 · 2%，而與在同樣條件下，未使用電弧放電斷路裝置所製造之參考例的陣列基板之不良比率爲1 . 7 %相比較，可更減小0 · 5 %者。又，在從實施例之陣列基板介經密封材料塗佈，對向電極基板之張貼及液晶材料封入過程以完成液晶顯示面板時，依共通短路之不良比率爲1 . 5 %，與來自參考例之陣列基板之液晶顯示面板之共通短路之不良比率爲2 . 0 %相比較，同樣地可形成少0 . 5 %者。 _ -ti .1^1 ^^^1 In m 1 In -- - - I ^^^1 ^^^1 \?J (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐} -25- 46059 9 Ί Α7 Β7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製五、發明説明（23) (第2變形例）使用第1 4圖至第1 7圖說明本發明之第2變形例。第1 4圖係模式地表示本變形例的D C磁控管濺射裝置之濺射室1之基本構造的縱剖面斜視圖。在濺射室1之下方具備作爲基板保持台之第2電極 1 4 ，在該上面，載置有薄膜所堆積之大面積的玻璃基板 3 (550nmx650nm)。又在擺射室1之上方，第1電極13介經熔接固裝於包裝板16之下面。在圖中如以箭號所示，在濺射室1上部之磁鐵室2 5 中，濺射磁鐵2係在濺射過程中，向左右之水平方向實行往復運動。又，當來到往復運動之兩端部，亦即，來到對應於棚架狀屏之領域時被拉向下方，而在離開該兩端部時，實行復原成原來高度的上下運動。當濺射磁鐵2被屏1 7遮蔽時，介經電漿面積之減少，放電阻抗成爲上昇，惟在此時，介經將濺射磁鐵2拉下向成爲目標電極之玻璃基板3側，可避免放電阻抗之上昇。結果，即使作用於濺射室1之陽極，陰極間之電力爲定電力控制方式，也可充分地控制濺射電壓之變動。濺射室1之構成係如上述地濺射磁鐵除了也實行上下運動之外，在第1變形例與使用第7圖所說明者完全同樣 0 又，濺射裝置及其附屬裝置之佈置，係在第1變形例中與使用第8圖所說明者完全同樣。第1 5圖係用以模式地表示實行如上述之濺射磁鐵之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）_ 26 _ 460599 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝五、發明説明（24) 水平往復運動及上下運動之裝置的構成之濺射室1上部之磁鐵室2 5的切開斜視圖。在第1 5圖表示從固裝第1電極1 3之包裝板1 6以上之部分。在包裝板1 6之上面經由鐵扶龍製之絕緣板 1 9配設磁鐵室2 5之底板2 8 »該底板2 8係與磁鐵室 2 5之側壁及形成頂壁之框體的陰極蓋1 8 —體地形成。固裝有濺射磁鐵2之磁鐵支撐梁2 0 ，係經由串聯地連接向左右地往復運動磁鐵2之水平移動裝置2 5A，及調整磁鐵2之高度之垂直移動裝置2 5 B的支撐驅動構造，支撐成從陰極蓋1 8懸吊之狀態。水平移動裝置2 5 A係由：伺服馬達2 1 ，及直結於該馬達之水平螺栓軸2 2 ，及保持此等之上下活動框2 4 ，及在中央具有與水平螺栓軸2 2螺合之螺帽孔2 3 a的磁鐵支撐板2 3所構成。磁鐵支撐板2 3係下面固裝於磁鐵支撐梁2 0之上面，並從水平螺栓軸2 2懸吊磁鐵支撐梁2 0。在上下活動框2 4具備：支撐伺服馬達2 1與水平螺栓軸2 2之右端的右側垂直板部分2 4 a ，及支撐水平螺栓軸2 2之左端的左側垂直板部分2 4 c ，及連接此等垂直板部分2 4 a ，2 4 c之下端彼此間的框狀部分2 4 b 〇作動伺服馬達2 1使水平螺栓軸2 2旋轉時，磁鐵支撐板2 3向左方或右方移動。此時，滑動磁鐵支撐梁2 0 之上面，及框狀部分2 4 b之正前方側及內深部側之部分本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐）-2Ί - ^^1- ^^^^1 ^^^^1 I —^ϋ ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 V Ji (請先閲讀背面之注意事項存填寫本I ) 4 經濟部中央樣率局員工消費合作社印裝 6059 9 A7 B7五、發明説明（25 ) 〇垂直移動裝置2 5 B係包括：固定於陰極蓋1 8之伺服馬達2 6 ，及直結於該馬達之垂直螺栓軸2 9 ’及在中央具有與該垂直螺栓軸2 9螺合之螺帽孔之上下活動框的水平板部分2 4 d。該水平板部分2 4 d係右端與上述之左側垂直板部分2 4 c之上端連接。作動伺服馬達2 6使垂直螺栓軸2 9旋轉時，整體上下活動框2 4向上抬高或向下拉下。如此，上下活動框2 4及水平移動裝置2 5 A之整體，及濺射磁鐵2與磁鐵支撐梁2 0，均介經一支垂直螺栓軸2 9施以懸吊，而且上下活動框2 4係以其左端部分之垂直板部分2 4 c施以懸吊。爲了吸收在上下活動框2 4之向順時鐘方向之旋轉力矩，作爲支撐棒作用之支撐板2 7分配在磁鐵室2 5之左壁與上下活動框2 4之左側垂直板部分2 4 c之間。支撐板2 7係固裝於陰極蓋1 8，其前端之軌承座部2 7 a嚙合於設在左側垂直板部分2 4 c之左側的垂直方向的軌狀突起2 4 e » 上下活動框2 4上下移動時，此等軌狀突起2 4 e與軌承座部2 7 a被滑動。介經此等引導支撐機構具備於垂直移動裝置2 5 B，防止上下移動時等之上下活動框2 4 之橫向振動。如上所述，依本變形例之磁鐵移動裝置2 5 A， 2 5 B時，由於對於水平方向及垂直方向之移動，隨著依本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐）_功_ ^^1, - 1 I I in n I HI - -i i In^-eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7五、發明説明（26 ) 伺服馬達之旋轉驅動所實行’故可實施精密之位置控制。又，由於將水平移動裝置2 5 A介經垂直移動裝置 2 5 B懸吊並實行上下移動’同時設置防止上下活動框 2 4之橫向振動之引導機構之構成，因此，以最簡單之裝置可實行磁鐵之上下移動’而且對於水平移動及水平位置之設定並不會有任何不良影響。因此’附加垂直移動裝置也可將其成本成爲最小限度，同時可將移動裝置之可靠性及耐久性保持較高。在第1 6圖表示用以實行垂直驅動之電氣式驅動系統。計測濺射電壓之濺射電壓計5 1設在D C電源與濺射室 1之第1及第2電極之間，而DC濺射裝置之運轉中，實行濺射電壓之連續計測。另一方面，在基準電壓發生電路 5 2通常運轉時期盼之濺射電壓事先設定輸入作爲基準電壓値。在比較器5 3經常地輸入來自此種濺射電壓計5 1 之輸出値及來自基準電壓發生電路5 2之輸出値，並輸出濺射電壓對於基準電壓値之增減値。來自比較器5 3之輸出係藉由放大器5 4被放大，並被輸入在驅動伺服馬達 2 6之伺服馬達驅動電路5 5。如上所述，隨著濺射電壓計5 1之變動寬，伺服馬達2 6被驅動。旋轉驅動係濺射電壓比基準電壓高時，向下方拉下地實行整體上下移動框，而在相反時則相反方向地實行。如此》從檢知濺射電壓之變動至開始伺服馬達2 6之驅動爲止所需時間係微秒鐘之單位。以下，說明在陣列基板用之玻璃基板3上，將用以形 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） -29- 460599 A7 B7 五、發明説明（27 ) 成T F T之閘線及掃描線之鉬-鎢合金之薄膜（鉬5 0重量％1以下以“〇-见膜表示），堆積成300nm厚度的具體例子。堆積薄膜之際，將濺射電壓之基準電壓設定爲5 5 0 V 1作爲濺射氣體使用氬（A r )氣，而濺射室1內之減壓度係作爲0 . 6Pa。第2電極14之溫度係設定在 2 ◦ 。又，爲了將膜厚成爲均勻，往復運動三次濺射磁鐵2。在表6 ，表示測定薄膜堆積中之濺射電壓之變動，及所得到之薄膜的薄片電阻（面積電阻率，sheet resistivity )之分佈的結果。又，在第1 7圖模式地表參考例之濺射裝置之濺射電壓之角狀變動。 ----------水-- (請先閲讀背*之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝表6 濺射電壓之變動寬度，及薄片電阻測定結果本變形例參考例濺射磁鐵之垂直驅動有沒有濺射電壓之角狀狀變 10V未滿 100〜150V 動之寬度薄片電阻與其參差 0.44 Ω / Π ± 6.4% 0.47 Ω / 口 ± 9·9% 由表之結果可知，依本變形例之方法，可將濺射電壓之變動寬度更成爲未滿1 / 1 0 ，結果，可將薄片電阻之參差減低至約2 / 3。薄片電阻之參差更少係指薄膜之膜質更均句。薄片電咀本身雖減少，此乃沒有依濺射電壓之上昇的薄片電阻之上昇分量，導致平均値下降。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -30- 經濟部中央榡準局員工消費合作杜印製 4 6059 9 A7 B7 五、發明説明（28 ) 又，使用與表1之上述具體例同樣之濺射方法’形成包含掃描線及閛線之第1金屬層，其他係依照以往法製作平面顯示裝置用陣列基板，也不會有依膜質不良之蝕刻形狀不良，可確保高製造不良率。如上說明，介經設置檢知濺射電壓之變動，自動地調整濺射磁鐵與目標電極之間的距離的機構，可大幅度提高依濺射所製造的薄膜之膜質之均勻性。在本變形例中，作成檢知濺射電壓之變動以上下移動灘射磁鐵之構成，惟也可成爲配合水平移動裝置2 5 A之動作來驅動垂直移動裝置2 5 B之構成，只在來到濺射磁鐵之往復運動之端部時拉下濺射磁鐵。又，此時，對於依作爲第1電極1 3之目標材料的消耗之磁鐵目標間距離之變動，在每一定期間檢測濺射電壓之變動，介經變更垂直移動裝置2 5 B之高度位置之設定可對應。 (圖式之簡單說明）第1圖係表示實施例所使用之濺射裝置的模式剖面斜視圖。第2圖係表示濺射裝置之陽極，陰極間電壓及塊狀附著物之發生個數之關係的圖表。第3圖係表示濺射裝置之輸出與陽極，陰極間電壓之關係的圖表。在圖表中以斜線表示塊狀附著物發生領域。第4圖係模式地表示顯示裝置用陣列基板之微細配線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i〇X 297公釐）_ 31 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 460599 A7 經濟部中*橾準局員工消費合作社印裝 _B7五、發明説明（29 ) 圖案的局部放大平面圖。第5圖係模式地表示顯示裝置用陣列基板之T F T形成領域之疊層構造的縱剖面圖。第6圖係模式地表示在變形例所使用之濺射裝置的濺射室之基本構成及基本配線的槪念圖。第7圖係模式地表示第1變形例之濺射室之基本構造的縱剖面斜視圖。第8圖係模式地表示第1變形例之濺射裝置及其附屬裝置之佈置的平面圖。第9圖係表示第1變形例之濺射裝置發生電弧放電時之濺射電壓及濺射電流（陽極，陰極間之電流）之時效變化的圖表。第1 0圓係表示未具備電力斷路裝置之比較例之濺射裝置發生電弧放電時之濺射電壓及濺射電流（陽極，陰極間之電流）之時效變化的圖表。第1 1圖係表示將電弧放電之斷路時間作爲約1 5微秒鐘之比較例發生電弧放電時之濺射電壓及濺射電流（陰極，陰極間之電流）之時效變化的圖表。第1 2圓係模式地表示陣列基板之T F T形成領域之疊層構造的縱剖面圖。第1 3圖係模式地表示陣列基板之T F T形成領域之周邊的平面圖。第1 4圖係模式地表示第2變形例之D C磁控管濺射裝置之濺射室之基本構成的縱剖面斜視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} - 32 - 4-6059 9 a7 ____B7五、發明説明（3〇 ) 經濟部中央標準局負工消费合作社印製之斜鐵開磁切濺部行上實室之射例濺形於變對 2 置第裝示之表動地運式下模上係及圖動 5 運 1 復第往平水圖視驅直垂之鐵磁射濺行實之 -rl· ^ 佼形。變圖 2塊第方示的表統係系圖動 - 33 6 驅 1 制第控之動示。以表表用係圖係圖的圖 7 動 8 1 變 1 第之第壓電射濺之置裝射濺管控磁 C D 之例較比式圖式模之物著附狀塊明說 3 板，基源璃1 皮劑 Ϊ C :D 3 2 鐵1 磁射濺路 : 電 2 路斷 )，電明室放說射弧之濺電號：：記 1 1 極線電地 1 接第： 9 ， 1 軸栓 ’ 螺蓋平塞活 4 2 分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 4 6 一―I 一―Η 板緣絕極’ 電板 2 裝第包

屏 7 一—I 5 極陰 ο 2 板撐支鐵磁 3 2 水， : 孔 2 栓 2 螺 1 a 梁3 撐2 支鐵，磁 4 2 咅狀框 b 4 2 2 C 4 ， 2 框動’ 活分咅，板分直部垂板側直右垂 : a 左 4 : 起突狀 2 軌 e 置 4 裝 2 動移，平分水 0 : 板 A 平 5 水 2 d ， 4 室 2 鐵 5

B 達板馬底服：伺 8 : 2 6 2 ，部 ’ 座置承極電 7 2 室鐵磁 3 3 膜被體 ’ 導線半描：掃 4 : 3 2 5 磁裝 : auill 移直垂軌軸 ΊΟΓ -ΙΕί : 栓 a 螺 7 直 2 垂， 9 板 2 撐支，膜緣絕極 n-JQ" 2 素像 3 3 膜護保道通 5 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 33 - 五、發明説明（31 ) A7 B7 7 ，送浮生服基線鬧導導，1 片 3 室 3 膜運：發伺璃描 1 半半極 3 墊 ο 射向央 7 壓：玻掃第：阻電 1 線 2 濺，配中 4 電 LO ...... 9 電極號：膜：：準 51151 低源，信， 1 处1H00 0〇，基 1—I ι-Η τ-Η : : 廿ΙΠΚ : 鐵，—| 構 34 筒：，111 4b 緣 2 磁 2 層氣 2 器，26 絕 6 射三，，儲 5 大， , ，膜 12 間 1 濺， : 極臂：放板線 }緣 1 層：極 7 電動 6，·· 基號T絕，：，2 電 3 極自 4 計 4 列信 F 極膜，7 部 02 汲：壓 5 陣：T 閘護膜 2 線 2 第 ’ ：c\3，電：οί2 保造 1 配：。膜 b4 室射，οι 體第道構：，5 路體 7 熱濺器 οι 晶：通層，o 極 ο 氣導 3，加：較 1 電 7: 三極 6 電 2 排半室備 1 比 ’膜 12: 電 11 空阻，備預 5: ，}薄 126 極第，真電極預： 3 路板： 12 汲，· 路：低電空 4 ’ 5 電基 2 ， 1: 極 1 流 3 :極真 4 器動列 1 膜， a 電 ο 水 1 6 源：制，驅陣 1 緣膜，6 素 2 卻 2 3: 1，控路達 { 絕被膜 2 像冷 a4 室動電馬板，極體體 1...... ^^^1- ml nil na^i If— HIP 0 ^Jfi (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印装本紙張尺度適用中國國家搮準（CNS > A4规格（210x297公釐> -34 -

Claims

公告本 460599 η C8 D8 正經濟部智慧財產局員工消費合作社k製六、申請專利範圍第881004 12號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國90年丨月修正 1 . 一種微細配線圖案之形成方法，屬於具備.：在絕緣基板上介經濺射堆積鋁或包含7 0原子％以上鋁之合金所構成的薄膜的過程，及圖案化上述薄膜以形成微細配線圖案的過程的微細配線圖案之形成方法，其特徵爲：上述濺射係陽極電極與陰極電極之間的電位差設定在 570V以下，濺射環境氣氛爲〇.4以上且不超過 1 . 4 P a 者。 2 .如申請專利範圍第1項所述的微細配線圖案之形成方法，其中，上述微細配線圖案係配線寬爲3 0 // m以下，或配線間之間隔爲6 0 V m以下者。 3 .如申請專利範圍第2項所述的微細配線圖案之形成方法，其中，上述微細配線圖案係將鉸（N d )，釔（ Y)或釓（Ga )以此等添加金屬之合計包括〇 · 3〜 5 . 0原子％的鋁合金所構成者。 4 .如申請專利範圍第2項所述的微細配線圖案之形成方::去，其中，上述微細配線圖案係平面顯示裝置用陣列基&中，將驅動信號供應於排列之複數像素所用的配線者 5 .如申請專利範圍第4項所述的微細配線圖案之形成方法，其中，上述像素之節距爲〇 . 3 6 ni m以下者彳 6 .如申請專利範圍第5項所述的微細配線圖案之形· 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------裳--------訂-------*姨 <請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁}

Ir^r. 環境 4 6059 9 含I D8 六、申請專利範圍成方法，其中，濺射環境氣氛係氬 7 .如申請專利範圍第2項所述的微細配線圖案之形成方法，其中，上述絕緣基板之面積係3 0 0 X 4 0 0m m以上者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-----！ —訂------ -- ·綠經濟部智慧則1局員工消費合作社印製表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21CU 297公釐） _ 2 -