TW453906B - Sonic cleaning tank and method for cleaning thin disc - Google Patents

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4 53 906 A7 ^ B7__ — ---—— 一""""" _，， . 一 五、發明說明（） 發明领域： -------------裝--- (請先聞讀背面之注意事項私％寫本頁) 本發明有關於為清洗薄碟或基材（例如半導體晶圓、 光碟、玻璃基材、乎板顯及類似的物）所用的裝置及方法。 更特定地’本發明有關於為清洗半導體晶圓所用的超音波 槽。 發明背景： 傳統的超音波清洗槽用一個裝液體的槽，其中有若干 基材支持物及一超音波能源（例如轉換器）接觸液禮而經 流體傳送音波能至其所容納的基材或晶圓的表面。在超音 波清洗中，轉換器以超音波速率在正、負位置之間振盧以 致在液體裡產生正、負壓力，並藉以傳送超音波能量至液 體。當供應液體的能量在正、負壓力之間振盪，氣穴泡在 負壓力中形成並在正壓·力中崩溃或縮小。此氣穴泡振I及 崩潰溫和地清洗晶圓的表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 從晶圓被洗下的顆粒被液體的層流向上帶並沖入連 接清洗槽頂的溢流道。因此，須連續地從槽壁底引水入清 洗槽β沒槽壁底設清洗液分配噴嘴以透過這些噴嘴或若干 組轉用喷嘴提供各種清洗液。 更傳統的清洗槽沿清洗槽底設一或更多轉換器。這些 轉換器所傳送的音波從清洗液的表面反射回轉換器，且干 擾導致在槽裡的低功率密度及低清洗效率。由於槽底的有 限面積’經常不能為達最佳表現而自由地選擇轉換器的 量、尺寸、位置及形狀、液鉍入口、等等。 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2K)x 297公楚 45390g A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 實際上，超音波清洗器還受其他限 .山 高功率密度確保較佳清洗效率，但在 而& ’較 熱。因此，常用冷卻系統以避免粘性材料 ：觀的 傳送轉換器的音波功率給清洗液所 M與為 |用的物質相連）的衰 退’並避免電源的過熱（能縮短它 j电于兀1件的壽命）。炊 而，此類冷卻系統提高超音波清洗系 … .丁-死的成本及複雜性。 另一方案是用循環陣列轉換器，其 冰 升千母一轉換器僅在 循環時間的Ν分乏一被啟動，ν是每—·,太 洗室的轉換器的 量”乂 Ν(對8吋晶圓批次處理室而言通常是8)的因數除 循環時間’能降低轉換器溫度並在—些㈣中消除對轉換 器冷卻系統的需I。此方案的主要問題是常使處理時間增 為Ν倍’這是令人不能接受的D處理時間的增加對單晶圓 處理（在此短處理時間是重要的要求）特別有問題。 超音波清洗器所經驗的另一問題是負載晶圓的晶圓 支持物擋住轉換器的音波場。因支持物須在晶圓下以積定 晶圓，支持物直接擋住從在晶圖下的轉換器而來的能量。 因此，吾人需要改良的音波清洗槽以提供高層流卻避 免入射與反射波的互相干擾’以維持短處理時間卻不要求 轉換器冷卻設備’並將基材支持物所導致的阻播減至最 少。 發明目的及概述： 本發明克服先進技術的缺點而提供一種音波清洗 槽’其中若干轉換器陣列從若干角度面對基材，且輪流被 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — 1 - ΪΙΙΙΙΙ — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（） 啟動及停止而在任何指定時刻對基材的整個面提供清洗 能量，卻令每一轉換器經低使用循環。負載轉換器的槽壁 向上且對著轉換器，以致從那反射的能量不跨過正被清 洗的基材的表面（亦即安置這些壁以避免干擾反射）。清洗 槽的低侧壁或底壁向上變而形成兩面或更多面向上的 壁=沿至少兩面向上的壁安置一或更多個轉換器組成的陣 列。每一轉換器陣列的長度等於或大於正予以清洗的基材 的直徑，以致輪流提供能量給二或更多轉換器陣列幾乎能 清洗基材的表面的100%，卻僅要求每一轉換器有5〇% (或 更少’取決於轉換器陣列的量）的使用循環。因此，本發 明遠優於任何已知的音波型清洗器。 本發明不僅提供快速處理（因在任何指定時刻都幾乎 清洗基材面的1 〇〇%)，還使轉換器及供電器持績較久（因 低使用循環）而無需冷卻系統的協助，本發明滅或消除基 材被遮蔽及反射回轉換器的能波所導致的干擾。因每一轉 換器陣列從獨一無而的角度面對基材，所以能藉由適當基 材支持物位移消除基材支持物所造成的遮蔽。舉例而言， 藉由用兩個侧支持物及一個底支持物，並藉由沿基材的重 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 心去置底支持物，底支持物將不阻措從二轉換器陣列而來 的能量接觸基材， 類似地，因為能量從二轉換器陣列依相反方向接近基 材’所以能安置兩個側支持物而不阻擋從相對的轉換器陣 列而來的能量’舉例而言，藉由沿基材的水平直徑的相對 側安置側支持物。將能瞭解，基材支持物所接觸的基材的 第6頁 本紙張尺度適用中國國ϋιι (CNS)A4_^r[210 χ 297公楚） —— - 453906 A7 _______B7____ 五、發明說明（) 部分一‘直不接觸轉換器所傳出的能量。因此，在本說明中 遮敝意指阻精能量接觸基材不接觸基材支持物的部分。 本發明還有優點：任何掃過基材，衝擊一相對的侧 壁’且從那反射的轉換器能量將向上移動到氣/液介面， 卻不掃過基材’且不干擾清洗基材面（亦即以非干擾的方 式）。這歸功於將轉換器陣列置衿向上的壁，且熟悉此技 術者將能參考所附圖式而瞭解此點。在另一實施例中旋轉 基材’使基材的斜角邊通過最高強度清洗的區域，亦即最 接近轉換器陣列的區域，舉例而言，最接近第一轉換器陣 列’及最接近第二轉換器陣列。因為單轉使基材通過二更 多個高強度清洗區，所以得到優勢的邊緣清洗。 因此’本發明省去傳統音波清洗槽所需的許多元件， 防止基材遮蔽、防止干擾性反射，並藉由降低使用循環而 延長轉換器壽命，卻不增加處理時間。 圖式簡軍說明： 第1圖為本發明之清洗槽的較佳實施例的前視圖。 第2圖為第1圖之清洗槽的侧視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖號齎照說明： 11 清洗槽 13a 第一向上底壁 13b 第二向上底壁 15 第一轉換器陣列 15a 第一轉換器 15b 第二轉換器 17 第二轉換器陣列 17a 第一轉換器 第7贯 — . 丨丨丨丨 1 —_____ __ __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） 453906 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 玉、發明說明（ 17b 第二轉換器 19 半導體晶圓 21a 侧支持物 21b 侧支持物 21c 底支持物 23a 第一壁 23b 第二壁 25 控制器 奋明詳細說明： 第1、2圖分別是本發明的清洗槽11的較佳實施例的 前視圖及側視圖。清洗槽11包括第一向上底壁1 3 a及第 二向上底壁13b，二者在一點P相接。如第1圖所示，第 一、二向上底壁形成90° ’然而，它們可形成大或小於90。 的角。第一轉換器陣列15連接第一底壁13a，第二轉換器 陣列1 7連接第一底壁1 3 b。每一轉換器陣列可能包括— 或更多個轉換器。如第1圖所示，第一轉換器陣列15包 括第一轉換器15a及第二轉換器15b，且第二轉陣列17 包括第一轉換器17a及第二轉換器17b。 清洗槽11被設計來清洗有直徑D的半導體晶圓1 9。 因此，每一轉換器陣列所沿仲的長度等或大於半導體晶圓 1 9的直徑D，以致每一轉換器幾乎清洗基材的1 〇〇%。在 本說明書中，幾乎100%意指在直接觸及基材支持物的面 以外的所有面。清洗槽11還包括基材支持物，它包括兩 個側支持物21 a、2 1 b及一個底支持物21 c。側支持物2 1 a、 21b接觸半導體晶圓19且在其直徑的兩端，且以最少接 觸來支持晶圓。底支持物21 c沿晶圓的重心接觸它，有最 少接觸。支持物21 a-c的尺寸都小，以造成最少遮蔽。 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） ----------裝-----訂---I I--!線 (請先聞讀背面之注意事項~填寫本頁) 453906 A7 B7 五、發明說明（) 清洗槽11還包括第一壁23a及第二壁23b，第一壁 23a從第一轉換器陣列15接收直接能量（亦即未被反射的 能量）並以非干擾方式反射能量（以致不干擾清洗晶圓的 表面）’第二壁23a從第二轉換器陣列I?接收直接能量並 以非干擾方式反射能量。 一個控制器2 5連接第—轉換.器陣列〗5並連接第二轉 換器陣列1 7 ’以輪流提供能量給第一轉換器陣列1 5及第 二轉換器陣列17。控制器還可能連接側或底支持物，以 使它旋轉’並因此旋轉半導體晶圓19。 作業中’把液體（例如無離子的水）注入清洗槽11。把 半導體晶圓19放在基材支持物21 a-c上，且控制器25提 供能量給第一轉換器陣列1 5 »第一轉換器陣列1 5以超音 波速率振盪而在清洗液裡形成氣泡^氣泡以習知方式清洗 半導體晶圓19的表面。第一轉換器陣列15所輸出的清洗 能量掃過半導體晶圓1 9的表面，清洗半導體晶圓1 9的表 面。因為第一轉換器陣列1 5所延伸的長度至少等於半導 體晶圓1 9的直徑D ’第一轉換器陣列1 5所提供的能量幾 乎清洗半導體晶圓1 9的整個表面。然而，側支持物2 1 a 及底支持物21c仍造成最少遮蔽，如被遮蔽的部分S1及 S2所表示 通過半導體晶圓1 9後，第一轉換器陣列1 5 a所提供 的能量衝擊第一壁23a且被它反射而向上傳至氣/液介 面’如箭頭al及a2所表示。氣/液介面以被散射的方式 反射能量進入清洗槽11，以致被反射的能量不干擾清洗 第9頁 本紙張尺度適用中國囫家標準（CNS)A4規格（210 X 297公g ) -------------Μ.— (請先閱讀背面之沒意事項和填寫本頁) . --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 基材。類似地，通過半導體晶圓丨9後，第—轉換器陣列 ⑸所提供的能量向上傳至清洗槽Η的氣/液介面:如箭 頭a3所表示。 在預定時間（例如1微秒至2_0秒）後，控制器25同時 停止提供能量給第一轉換器陣列丨5及第二轉換器陣列 1 7。第二轉換器陣列1 7輸出超音波清洗能量給半導體晶 圓1 清洗能量掃遍半導體晶圓丨9的表面，以清洗半導 體晶圓19的表面。因為第一轉換器陣列15所延伸的長度 至少等於半導體晶圓1 9的直徑〇 ,第二轉換器陣列i 7所 提供的能量幾乎清洗半導體晶圓丨9的整個表面。然而， 侧支持物2 1 b及底支持物2 1 c仍造成最少遮蔽，如被遮蔽 的部分S3及S4所表示。 通過半導體晶圓1 9後，第二轉換器陣列1 7 a所提供 的Bb里衝擊第一壁23且被它反射而向上傳至清洗槽11的 氣/液介面’如箭頭a4及a5所表示。類似地，通過半導 體晶圓1 9後，第二轉換器陣列丨7b所提供的能量向上傳 至清洗槽11的氣/液介面，如裔頭a6所表示如箭頭ai — 6 所示，第一、二壁接收直接清洗能量並以非干擾方式反射 它’以致被反射的能量不掃過半導體晶圓19的表面，1 不干擾清洗半導體晶圓19的表面。控制器25連續輪流提 供能量給第一轉換器陣列15及第二轉換器陣列17,每隔 一秒一次’持績預定時間（例如30至600秒）以提供充分 清洗。 控制器25還可被程式化以在半導體晶囷19的清洗中 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 ------------- J ^ i I ! 1 1-----------^ 〆，.' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 453906 A7 五、發明說明（ 旋轉側支持物21 a、彻丨* ^ 側支持物2 1 b及/或底支持物2 1 c。基 材支持物21a-c的潘趟 從轉使+導體晶圓1 9旋轉，使沿半導 阳圓1 9的斜角邊的每—位置通過最高強度清洗區。因 此半導體日曰圓1 9的旋轉提供較佳邊緣清洗。為使基材 支持物2 1 a、c維特血主道η* « ϊ—. 评興丰導體晶圓1 9的足夠接觸以旋轉半 導體Ηβ圓1 9 f則支持物2 2 a_b宜在半導體晶圓以的水平 直拴D的略下方（例如在下方} 〇。卜此定位將造成半導體 晶圓1 9的一政逾益，# γ 一 ^敝然而，旋轉確保半導體晶圓19的每 一部分被清洗。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 ----i —----Ί* 裝 ij / (請先閱讀背面之注意事項^.填寫本頁> -線. 先前的描述僅揭·^本發明的較佳實施例，熟悉此技術 者瞭解還有上述裝置及方法的變形落在本發明的範疇 裡。舉例而1：，第i圖的槽雖用兩面向上的底壁，但一面 向上的壁可能包括側壁的局部或全部。清洗槽可能有多於 兩面的向上的壁，且多於兩面的向上的壁.連接轉換器.陣 列。雖然有較多轉換器陣列能降低每一轉換器陣列的使用 4 ί哀，兩面向上的壁及兩個轉換器陣列，就最小化槽尺寸 而言，及就最小化系統成本及複雜度而言，是較佳的。類 似地，多於兩面壁可被置於轉換器的對面。在轉換器的對 面的侧壁可向外彎且仍達到所需的非干擾性反射。實際 上，可能用只浸泡基材的一半的實施例，在此情形中，吾 人可省去側壁以允許能量直接傳至氣/液介面。此類實施 例可能旋轉基材以清洗基材的整個表面而僅消耗最少清 洗液。又，每一轉換器陣列可能包括任何量的轉換器。在 此，一基材或晶圓包括，但不限於，一有或無材料在其上， 第11頁 本紙張尺度適用争國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 53 90 6 A7 _B7_ 五、發明說明（） 有圖案或無圖案，的半導體晶圓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第12頁 本紙張尺度適用令國囤家標準（CNS)A4规格（2]0 X 297公釐〉

Claims (1)

1. 453906 A8 B8 CS D3 夂、申請專利範圍 1 一種為清洗薄碟所用之青波清洗槽，該量波清洗槽至少 包含： 至少兩面向上的壁： 一第一轉換器陣列’包括至少一轉換器連接向上的 壁之一，且所延伸的長度至少等於將予以清洗的薄碟的 直徑； 一第二轉換器陣列，包括至少一轉換器連接向上的 壁之一 ’且所延伸的長度至少等於將予以清洗的薄碟的 直徑； 一第一壁’從第一轉換器陣列接收直接能量，並以 非干擾方式反射能量；及 一第二壁’從第二轉換器陣列接收直接能量，並以 非干擾方式反射能量。 2.如申請專利範圍第1項所述之音波清洗槽，還包括一薄 碟支持物以在二或更多點接觸薄碟，薄碟被安置而不致 遮蔽薄碟的相同部分（遮蔽意指使它收不到從第一轉換 路陣列.及弟一轉換器陣·列而來的能量 3 如申請專利範園第2項所述之音波清洗槽，.其中，上述 之薄碟支持物包括二側支持物及一底支持物，二側支持 物被設在薄碟的一直徑的兩端而不遮蔽薄碟的相同部 分’底支持物沿著薄碟的重心設置而不遮蔽薄碟的相同 部分（遮蔽意指使它收不到從第一轉換器陣列及第二轉 第13頁 本紙悵尺度適用中國周家楹準（CNS ) Λ4規格（2〖0X297公嫠） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 -訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ABCD 453906 六、申請專利範圍 換器陣列而來的•能量）。 4. 如申請專利範圍第1項所述之音波清洗槽，其中，至少 二向上的壁僅包括二向上的壁。 5. 如申請專利範圍第4項所述之音波清洗槽，其中，上述 之第一向上的壁及第二向上的壁是相接的底壁而形成 一個9 0 °的角。 6. 如申請專利範圍第5項所述之音波清洗槽，還包括一薄 碟支持物，薄碟支持物包括二侧支持物及一底支持_物， 二侧支持物被設在薄碟的一直徑的兩端而不遮蔽薄碟 的相同部分，底支持物沿著薄碟的重心設置，而不遮蔽 薄碟的相同部分（遮蔽意指使它收不到從第一轉換器陣 列及第二轉換器陣列而來的能量）。 7. 如申請專利範圍第1項所述之音波清洗槽，其中，上述 之第一轉換器陣列包括第一、二轉換器；第二轉換器陣 列包括第一、二轉換器，音波清洗槽還有可旋轉的薄碟 支持物以旋轉薄碟。 8. 如申請專利範園第1項所述之音波清洗槽，還包括一控 制器以輪流提供能量給第一、二轉換器陣列。 第UI 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝」 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 53 90 6 A8 B8 C8 DS 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 六、申請專利範圍 9‘如_請專利範圍第δ項所述之音波清洗槽，其中，上述 之控制器被程式化以分別提供能量給第一 '二轉換器陣 列，以致在任意指定時刻僅提供能量给—轉.換器陣1。 1 0·如申請專利範圍第丨項所述之音波清洗槽，其中’上 述之薄碟支持物可旋轉以旋轉它所負載的薄碟。 Π ‘一種為清洗半導體薄碟所.用之方法，該方法至少包 含： 广 提供一容納液體的槽，槽有許多向上的壁及許多轉 換器陣列，每一轉換器陣列連接一向上的壁，且每一轉 換器陣列所延伸的長度至少等於將予以清洗的薄碟的 直徑； 把一將被清洗的半導體薄碟放入容納液體的槽； 輪流提供能量給這些轉換器陣列，藉以從轉換器陣 列提供清洗能量至半導體薄碟的表面’以清洗半導體薄 碟的表面。 12.如申請專利範圍第n項所述之方法，其中，上述之輪 流提供能量給轉換器陣列包括不遮蔽薄碟的相同部分 (遮蔽意指使它收不到從第—轉換器陣列及第二轉換器 陣列而來的能量）。 1 j .如申请專利範圍第11項所述之方法，還包括以不干擾 第1S頁 本紙張尺度適用中镯國家標準（CNS ) Λ4規格{ 210X297-^1~y r—------IT------ ...、 J ·-1\ . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 4539〇6 π、申請專利範圍 方式把轉換器陣列所發出的能量從跨過半導體薄碟的 壁反射。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如申請專利範圍第1 2項所述之..友.法，還包括以不干擾 方式把轉換器陣列所發出的能量從從跨過半導體薄碟 的壁反射。 15.如申清專利範圍第_ 11項所述之方法’其中，上述之把 一將被清洗的半導體薄碟放入容納液體的槽包括將半 導體薄碟置於一薄碟支持物上，以致薄碟無任何部分連 續被遮蔽。_ 1 6 ‘如申請專利範圍第η項所述之方法，還包括在輪流提 .供能量給第~、二轉換器陣列的期間裡旋轉半導體薄 碟。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ί 7_如申請專利範圍第1 6項所述之亨法，其中，上述之輪 流提供能量給第一、二轉換器陣列包括不遮蔽薄碟的相 同部分(遮蔽意指使它收不到從第一轉換器陣列及第二 轉換器陣列而來的能量）。 18.如申請專利範圍第17項所述之方法，其中，上述之輪 流提供能量給第一、二轉換器陣列包括在任意指定時刻 僅提供能量給一轉換器陣列。 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準（祕（210Χ297β」~~ 453906 8 8 8 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 9‘一種為清洗基材所用之音波,清洗槽，該音波清洗槽至 少包含： 至少兩面向上的壁； —第一轉換器陣列，包括至少一轉換器連接向上的 壁&第一 ’且所延件的長度至少等於將予以清洗的薄碟 的直徑； 一第 壁之第二 的直徑； 其中’第一向上的壁及第二向上的壁是相接的底壁 而形成一個90。的角；及 基材支持物’包括二侧支持物及—底支持物，二 側支持物被設在基材的一直徑的兩端而不遮蔽基材的 相同_分，底支持物沿著基材的重心設置而不遮蔽薄碟 的相同部分（遮蔽意指使它收不到從第一轉換器陣列及 第二轉換器陣列而來的能量）《 20.—種為清洗基材所用之音波清洗槽，該音波清洗槽至 少包含： 至少兩面向上的壁； 一第一轉換器陣列’包括至少一轉換器連接向上的 壁之第一’且所延伸的長度至少等於將予以清洗的薄碟 的直徑； -一第二轉換器陣列，包括至少一轉換器連接向上的 第17頁 本紙张尺度適用中國國家^举（cNS ) A4規格（210X297公釐) ' ~~~~~；~~ -- 二轉換器陣列，包括至少一轉換器連接向上的 二’且所延伸的長度至少等於將予以清洗的薄碟 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 東乂 453906 A8 B8 C8 __________D8 六、申請專利範圍 土之第一，且所延伸的長度至少等於將予以清洗的薄碟 的直徑；及 &制器’分別提供能量給第一、二轉換器陣列； 其中’控制器被程式化以分別提供能量給第一、二 轉換益陣列，以致在任意指定時刻僅提供能量給一轉換 器陣列。 21. 如申請專利範圍第2〇項所述之音波清洗槽，還包括— 基材支持物以在二或更多點接觸薄碟，薄碟被安置而不 致遮蔽薄碟的相同部分（遮蔽意指使它收不到從第一轉 換器陣列及第二轉換器陣列而來的能量）。 22. 如申請專利範圍第2〇項所述之音波清洗槽，其中，上 述之基材支持物包括二侧支持物及一底支持物，二侧支 持物被設在基材的一直徑的兩端而不遮蔽基材的相同 部分 > 底支持物沿著基材的重心設.1置而不遮蔽基材的相 同部分（遮蔽意指使它收不到從第一轉換器陣列及第二 轉換器陣列而來的能量）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 3，如申請專利範圍第20項所述之音波清洗槽，還包括第 一、二壁，第一壁從第一轉換器陣列接收直接能量，並 以非干擾方式反射能量，第二壁從第二轉換器陣列接收 直接能量，並以非干擾方式反射能量。 第18頁 本紙張尺度逋周中國國家標準（CKS ) A4規格（2ίΟΧ29?公釐） ^53 90 6 A8 B8 CS D8 六、申請專利範圍 24.如申請專利·範圍第20項所述之音波清洗槽，其中，至 少二向上的壁僅包括二向上的壁。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 25 ·如申請專利範圍第20所述之音波清洗槽，其中，上述 之第一向上的壁及第二向上的壁是相接的底壁而形成 一個9 0 °的角。 26. 如申請專利範圍第20項所述之音波清洗槽，還包括一 基材支持物，基材支持物包括二側支持物及一底支持 物，二側支持物被設在基材的一直徑的兩端而不遮蔽基 材的相同部分，底支持物沿著基材的重心設氧f不遮蔽 基材的相同部分（遮蔽意指使它收不到從第一轉換器陣 列及第二轉換器陣列而來的能量）。 27. 如申請專利範園第20項所述之音波清洗槽，其中，上 述之第一轉換器陣列包括第一、二轉換器；第二轉換器 陣列包括第一、二轉換器，音波清洗槽還有可旋轉的基 材支持物以旋轉基材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 28. 如申請專利範圍第20項所述之音波清洗槽，其中，二 向上的壁之底部之距離小於其頂部之距離。 29. —種為清洗薄碟所用之裝置，該裝置至少包括： —槽，至少包含至少兩面向上的壁； 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS >_ A4规格ί 210X 297公釐） 8 8 38 ABCD ^53 90 6 i、申請專利範圍 一第一轉換器陣列，包栝至少一轉換器連接向上的 壁之第一； 一第二轉換器陣列，包栝至少一轉換器連接向上的 壁之第二； 其中，槽及轉換器陣列的構造防止干擾性反射。 3 0 ·如申請專利範圍第29項所述之裝置，還包括一控制器 以輪流提供能量給第一、二轉換器陣列。 31·如申請專利範圍第29項所述之裝置，還包括一薄碟支 持物，薄碟支持物包括二側支持物被設在薄碟的一直徑 的兩端而不遮蔽薄碟的相同部分（遮蔽意指使它收不到 從第一轉換器陣列及第二轉換器陣列而來的能量）。 32.如申請專利範園第31項所述之裝置，還包括一底支持 物沿著薄碟的重心設置而不遮蔽薄碟的相同部分（遮蔽 意指使它收不到從第一轉換器陣列及第二轉換器陣列 而來的能量）。 ;驾-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐）