JP2002529923A - デューティーサイクルを低減したトランスデューサによる連続洗浄メガソニックタンク - Google Patents

デューティーサイクルを低減したトランスデューサによる連続洗浄メガソニックタンク

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JP2002529923A JP2000580768A JP2000580768A JP2002529923A JP 2002529923 A JP2002529923 A JP 2002529923A JP 2000580768 A JP2000580768 A JP 2000580768A JP 2000580768 A JP2000580768 A JP 2000580768A JP 2002529923 A JP2002529923 A JP 2002529923A
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ジァンシェ タン，
ブライアン， ジェー． ブラウン，
ボーリス フィシュキン，
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Abstract

(57)【要約】 基板（１９）洗浄用の音波タンク（１１）が提供される。タンクは、２つ以上の上向き傾斜壁（１３）を有する。１個以上のトランスデューサから成るアレイ（１５、１７）が前記２個以上の壁（１３）のうちの少なくとも２つに沿って配置される。トランスデューサアレイ（１５、１７）は交互に通電されて、任意の時刻にほぼ１００％の基板面洗浄と、各トランスデューサアレイに関して５０％（または未満）のデューティサイクルとを維持する。基板サポート（２１ａ〜２１ｃ）は、基板表面に沿うほとんど全ての地点が少なくとも一つのトランスデューサからのエネルギーによって接触されるように位置決めされ、かつトランスデューサ対向壁はそこからの干渉反射を回避するように位置決めされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明は、一般的に半導体ウェーハ、コンパクトディスク、ガラス基板、フラ
ットパネルディスプレイなど、薄肉ディスクまたは基板を洗浄する装置と方法と
に関する。より具体的には、本発明は、半導体ウェーハを洗浄するメガソニック
タンクに関する。
【０００２】
【発明の背景】
従来のメガソニック洗浄タンクは、内部に基板サポートを有する流体充填タン
クと、この流体に結合されてタンク内に保持された基板またはウェーハの表面へ
流体を介して音波エネルギーを指向させるメガソニックエネルギー源（例えばト
ランスデューサ）と、を用いる。メガソニック洗浄中、トランスデューサは正負
位置間をメガソニックレートで振動することにより流体内に正と負の圧力を発生
させ、これによってメガソニックエネルギーを流体に結合する。流体へ与えられ
るエネルギーが正負圧力間を振動すると、負圧力期間中に流体内にキャビテーシ
ョン気泡が発生し、気泡は正圧力期間中に崩壊または収縮する。この気泡の振動
と崩壊がウェーハの表面を穏やかに洗浄する。
【０００３】 ウェーハから除去された微粒子は流体の層流によって上方へ運ばれ、洗浄タン
クの頂部に結合されたオーバーフロー堰へ流される。このようにして、清浄流体
が洗浄タンクの側壁の底から洗浄タンクへ連続して導入される。複数の洗浄流体
分配ノズルが側壁の底に沿って配置され、種々の洗浄流体を同じノズルまたは専
用ノズルセットを通して供給する。
【０００４】 大抵の従来型洗浄タンクにおいては、１個または複数個のトランスデューサが
洗浄タンクの底に沿って配置されている。これらトランスデューサからの音波は
、洗浄流体面に反射してトランスデューサへ戻り、干渉の結果、タンク内のパワ
ー密度は低下して、洗浄効率が低下する。タンクの限られた底面積により、最適
性能を得るためにトランスデューサや流体入口の個数、大きさ、配置、形状など
を自由に選べないことが多い。
【０００５】 超音波洗浄器は、実用上、その他多くの同様な制限に遭遇する。例えば、パワ
ー密度の高いトランスデューサは高い洗浄効率を保証するが、作動中にかなりの
熱を発生する。従って、しばしば冷却装置を用いて、トランスデューサの音響パ
ワーを洗浄流体に伝える材料をトランスデューサに取付けている接着剤の劣化を
防止するとともに、電気部品の寿命を低下させる可能性のある電源の過熱を防止
している。しかし、そのようなトランスデューサ冷却装置は、メガソニック洗浄
システムを複雑にし、しかもそのコストを高めてしまい、望ましくない。
【０００６】 代替の方策は、個々のトランスデューサがサイクル時間の１／Ｎだけ動作する
、多重トランスデューサから成る循環式アレイを用いてきた（Ｎは洗浄容器１個
当たりのトランスデューサの数である）。デューティサイクルを１／Ｎにする（
８インチウェーハバッチ処理容器の場合、Ｎは、８個が普通である）と、トラン
スデューサの温度を下げ、場合によってはトランスデューサ冷却装置を不要にす
ることもある。この方策の大きな問題は、処理時間がＮ倍になり、時として実用
には不適当なことである。単一のウェーハ処理にとっては、処理時間の短いこと
が重要な要件であるので、処理時間の増加は特に問題となる。
【０００７】 超音波洗浄器が遭遇する別の問題は、上へウェーハが位置決めされるウェーハ
サポートによってトランスデューサの音響フィールドがさえぎられること（シャ
ドーイング）である。ウェーハを安定させるために、サポートはウェーハの下に
配置されねばならないので、ウェーハの下に置かれたトランスデューサから伝達
されるエネルギーは、サポートによって直接さえぎられてしまう。
【０００８】 従って、高い層流流量をもたらすとともに入射波と反射波との干渉を回避し、
トランスデューサ冷却装置を必要とすることなく処理時間を短く維持し、基板サ
ポートによるシャドーイングを最小とする、改良された音波洗浄タンクのニーズ
がある。
【０００９】
【発明の概要】
本発明は、トランスデューサアレイが種々の角度で基板に面し、交互にスイッ
チオン／オフされて、常に基板の全表面にわたって洗浄エネルギーを与え、しか
も各トランスデューサは低減されたデューティサイクルを受けられるようにする
、一つの音波洗浄タンクを提供することによって従来技術の欠点を克服する。ト
ランスデューサが取付けられるタンク壁は、上向きに角度を成し、タンクは、壁
が（もしあれば）トランスデューサに対向して配置されることにより、壁から反
射したエネルギーが、洗浄される基板面を横切らないように設計されている（す
なわち、壁は非干渉反射させるように配置されている）。好ましくは、洗浄タン
クの下部側壁または底壁は、少なくとも２つ以上の上向傾斜壁を形成するように
角度を成す。１個またはそれ以上のトランデューサから成るアレイは、２つ以上
の上向傾斜壁のうちの少なくとも２つに沿って配置される。各トランスデューサ
アレイの長さは洗浄される基板の直径に等しいか、それより長いので、２個以上
のトランスデューサアレイに交互に通電して基板表面全体にわたってほぼ１００
％の洗浄を行ない、しかも各トランスデューサに必要なデューティサイクルは５
０％（トランスデューサアレイの数によってはそれ以下）に過ぎない。従って、
本発明の構成は、周知の音波タンク型洗浄器よりはるかに優れている。
【００１０】 本発明は処理時間を短縮し（任意の時点における洗浄が表面のほぼ１００％に
及ぶ）、かつ複雑な冷却装置の助けを借りることなくトランスデューサと電源の
寿命を長くする（デューティサイクルが低減されるため）のみならず、基板のシ
ャドーイングと、反射してトランスデューサへ戻ってくるエネルギー波からの干
渉の両方を低減または排除する。各トランスデューサアレイは唯一の角度から基
板に面するので、基板サポートの適切な配置によって基板サポートによるシャド
ーイングが排除できる。例えば、２個のサイド基板サポートと１個のボトム基板
サポートとを用い、ボトム基板サポートを基板のバリセンター（baricenter）に
沿って配置することにより、ボトム基板サポートが、基板の同一領域を両トラン
スデューサアレイのエネルギーから遮らない。
【００１１】 同様に、２個のトランスデューサアレイからのエネルギーは対向する両方向か
ら基板へ向かうので、対向するトランスデューサアレイからのエネルギーを遮る
ことによってシャドーイングを引き起こさないように、２個のサイドサポートを
、例えば基板の水平直径の対向両側に沿って配置することができる。基板の基板
サポートに接触する部分がトランスデューサエネルギーから連続的にさえぎられ
ることが理解できるであろう。従って、ここで言うシャドーイングとは、トラン
スデューサエネルギーを基板サポートに接触しない基板部分から遮ることを意味
する。
【００１２】 更に、本発明の洗浄タンクは、基板を横切って進む全てのトランスデューサエ
ネルギーが対向する側壁に当たり、そこから反射して、基板を横切らずに、また
基板面の洗浄に干渉せずに（すなわち非干渉的に）上方へ向かって気液界面に達
するよう、有利に構成されている。これは、本明細書に付帯する図面を参照して
分かるように、上向き傾斜壁上にトランスデューサアレイを採用することによっ
て実現できる。更なる実施形態において、基板を回転させることにより、基板の
面取エッジの各部分を、最強洗浄領域、すなわちトランスデューサアレイに最も
近い領域、例えば第１基板アレイに最も近い領域と、第２基板アレイに最も近い
領域とに通り抜けさせる。１回転で基板は２ヶ所以上の最強洗浄領域を通り抜け
させられるので、優れたエッジ洗浄が達成される。
【００１３】 従って本発明は、従来の音波洗浄タンクに必要であった多くの部品を不要にし
、基板のシャドーイングを防ぎ、干渉反射を防ぎ、デューティサイクルを低減す
ることによってトランスデューサの寿命を延ばすものの、処理時間を増加させな
い。本発明のその他の目的、特徴および利点は、以下好適な実施形態の詳細な説
明、併記された特許請求の範囲、および添付図面により更に明らかになろう。
【００１４】
【好適な実施形態の詳細な説明】 図１と２とは、それぞれ、本発明に従って構成された本発明の洗浄タンク１１
の正面略図と側面略図である。洗浄タンク１１は、第１上向き傾斜底壁１３ａと
第２上向き傾斜底壁１３ｂとを備え、両者は点Ｐで結合する。図１に示すように
、第１と第２の上向き傾斜底壁は９０°の角度を成しているが、両者の成す角度
は、９０°より大きくても小さくてもよい。第１トランスデューサアレイ１５は
第１傾斜底壁１３ａへ機能的に結合され、第２トランスデューサアレイ１７は第
２傾斜底壁１３ｂへ機能的に結合されている。各トランスデューサアレイは、１
個または複数のトランスデューサを備えることができる。図１に示すように、第
１トランスデューサアレイ１５は第１トランスデューサ１５ａと第２トランスデ
ューサ１５ｂとを備え、第２トランスデューサアレイ１７は第１トランスデュー
サ１７ａと第２トランスデューサ１７ｂを備える。
【００１５】 洗浄タンク１１は、直径Ｄの半導体ウェーハ１９を洗浄するように設計されて
いる。従って、両トランスデューサアレイ１５、１７は半導体ウェーハ１９の直
径Ｄと等しいかそれを超える長さに延在するので、各トランスデューサアレイが
基板のほぼ１００％を洗浄する。ここで言うほぼ１００％の表面洗浄とは、基板
サポートによってさえぎられない、または直に接触されない全表面の洗浄を意味
する。洗浄タンク１１は更に、２つのサイドサポート２１ａ、２１ｂとボトムサ
ポート２１ｃとを有するひとつの基板サポートを備える。サイドサポート２１ａ
、２１ｂは半導体ウェーハ１９の対向する両側に沿って接触するように位置決め
され、最少接触でウェーハを支持するように設計されている。ボトムサポート２
１ｃは、ウェーハのバリセンター（baricenter）に沿って最少接触で接触するよ
うに位置決めされる。基板サポート２１ａないし２１ｃはいずれも、発生するシ
ャドーイングを最少にするように、小さい大きさである。
【００１６】 洗浄タンク１１は更に、第１トランスデューサアレイ１５から直接エネルギー
（すなわち非反射エネルギー）を受けて、そのエネルギーを非干渉的に（ウェー
ハ表面の洗浄に干渉しないように）反射するように位置決めされた第１壁２３ａ
と、第２トランスデューサアレイ１７から直接エネルギーを受けて、そのエネル
ギーを非干渉的に反射するように位置決めされた第２壁２３ｂとを備える。
【００１７】 コントローラ２５は、第１トランスデューサアレイ１５と第２トランスデュー
サアレイ１７とに交互に通電するように、第１トランスデューサアレイ１５と第
２トランスデューサアレイ１７とに機能的に結合されている。コントローラ２５
はまた、サイド基板サポートまたはボトム基板サポートのいずれかに、それを回
転させ、それによって半導体ウェーハ１９を回転させるように、機能的に結合さ
れている。
【００１８】 作動において、洗浄タンク１１は、脱イオン水のような洗浄流体で充たされる
。半導体ウェーハ１９を基板サポート２１ａ〜ｃ上に載置し、コントローラ２５
が第１トランスデューサアレイ１５に通電する。第１トランスデューサアレイ１
５はメガソニックレートで振動し、洗浄流体内に気泡を発生させる。この気泡が
、当該技術分野で周知のように半導体ウェーハ１９の表面を洗浄する（すなわち
、第１トランスデューサアレイ１５は洗浄エネルギーを出力する）。第１トラン
スデューサアレイ１５によって、出力洗浄エネルギーは半導体ウェーハ１９の表
面を横切って進行し、半導体ウェーハ１９の表面を洗浄する。第１トランスデュ
ーサアレイ１５は少なくとも、半導体ウェーハ１９の直径Ｄの長さに延在してい
るので、半導体ウェーハ１９のほぼ全表面が第１トランスデューサアレイ１５か
らのエネルギーによって洗浄される。しかし、ハッチング領域Ｓ1，Ｓ2で示すわ
ずかなシャドーイングが、サイドサポート２１ａとボトムサポート２１ｃとによ
って発生する。
【００１９】 第１トランスデューサアレイ１５の第１トランスデューサ１５ａからのエネル
ギーは半導体ウェーハ１９を通過した後、第１壁２３ａに衝突し、そこで上向き
に反射されて、矢印ａ1，ａ2で表すように気液界面に達する。気液界面は、エネ
ルギーをタンク内へ乱反射するので、反射されたエネルギーが基板洗浄に干渉す
ることはない。同様に、第１トランスデューサアレイ１５の第２トランスデュー
サ１５ｂからのエネルギーは半導体ウェーハ１９を通過した後、矢印ａ3で示し
たように、洗浄タンク１１の気液界面に達する。
【００２０】 所定の時間（例えば１ミリ秒から２．０秒）後、コントローラ２５は同時に、
第１トランスデューサアレイ１５への通電を停止し、第２トランスデューサアレ
イ１７に通電する。第２トランスデューサアレイ１７は、半導体ウェーハ１９に
向けてメガソニック洗浄エネルギーを出力する。この洗浄エネルギーは半導体ウ
ェーハ１９の表面を横切って進行し、それによって半導体ウェーハ１９の表面を
洗浄する。第１トランスデューサアレイ１５は少なくとも、半導体ウェーハ１９
の直径Ｄの長さに延在しているので、半導体ウェーハ１９のほぼ全表面が第２ト
ランスデューサアレイ１７からのエネルギーによって洗浄される。だが、ハッチ
ング領域Ｓ3とＳ4で表したように、サイドサポート２１ｂとボトムサポート２１
ｃが引き起こすのは最小限のシャドーイングである。
【００２１】 第２トランスデューサアレイ１７の第１トランスデューサ１７ａからのエネル
ギーは半導体ウェーハ１９を通過した後、第２壁２３ｂに衝突し、そこから上向
きに反射して、矢印ａ4，ａ5で表したように、洗浄タンク１１の気液界面に達す
る。同様に、半導体ウェーハ１９を通過した後、第２トランスデューサアレイ１
７の第２トランスデューサ１７ｂからのエネルギーは、矢印ａ6で表すように、
洗浄タンク１１の気液界面に達する。矢印ａ1〜6で表すように、第１と第２の壁
２３ａ，２３ｂは、直の洗浄エネルギーを受け、それを非干渉的に反射するよう
に位置決めされているので、反射されたエネルギーは半導体ウェーハ１９の表面
を横切らず、半導体ウェーハ１９の表面の洗浄に干渉しない。コントローラ２５
は引き続き、第１トランスデューサアレイ１５と第２トランスデューサアレイ１
７とに交互に１秒毎に、十分な洗浄をもたらす所定時間（例えば３０から６００
秒間）通電する。
【００２２】 コントローラ２５はまた、プログラムにより、半導体ウェーハ１９の洗浄中、
サイドサポート２１ａ、サイドサポート２１ｂ、および／またはボトムサポート
２１ｃを回転させてもよい。基板サポート２１ａ〜ｃを回転させると、半導体ウ
ェーハ１９が回転し、半導体ウェーハ１９の面取りエッジに沿う各位置が、２つ
の最強洗浄領域（第１トランスデューサアレイ１５に最も近い領域と第２トラン
スデューサアレイ１７に最も近い領域と）を、半導体ウェーハ１９の回転毎に通
過するようにさせる。従って、半導体ウェーハ１９の回転は、優れたエッジ洗浄
を提供する。基板サポート２１ａ〜２１ｃが半導体ウェーハ１９と十分な接触を
維持して半導体ウェーハ１９を回転させるためには、サイド基板サポート２１ａ
，２１ｂはそれぞれが半導体ウェーハ１９の水平直径Ｄよりわずかに下（例えば
１０°下）に位置決めするのが好ましい。そのような位置決めにより半導体ウェ
ーハ１９に多少のシャドーイングが発生するが、回転により、半導体ウェーハ１
９の各部の洗浄が保証される。
【００２３】 上記は本発明の好適な実施形態の開示に過ぎず、当該技術に精通する者には、
本発明の範囲に含まれる上記で開示した装置と方法の改変が容易に明らかになる
。例えば、図１のタンクは２つの上向き傾斜底壁を用いているが、ひとつの上向
き傾斜底壁が側壁の一部または全側壁を含んでもよい。洗浄タンクは３つ以上の
上向き傾斜壁を備えてもよく、３つ以上の上向き傾斜壁が、そこに結合されたト
ランスデューサアレイを有してもよい。システムが備えるトランスデューサの数
を増やせばトランスデューサ１個あたりのデューティサイクルは減少するが、タ
ンクの大きさを最小化し、システムのコストと複雑化を最小にするためには、２
つの傾斜底壁と２個のトランスデューサアレイとを備えることが好ましい。同様
に、２つを超える側壁をトランスデューサに対向して設置してもよい。トランス
デューサに対向するこれら側壁は、外向きに角度を成してもよく、それでも好ま
しい非干渉反射を実現する。事実、基板の半分だけを沈める実施形態を採用して
もよく、その場合は、側壁を省略してエネルギーを直接、気液界面へ進めること
ができる。そのような実施形態は、基板を回転させて、最小限の洗浄流体消費で
基板の全表面を洗浄することになる。更に、各トランスデューサアレイが含むト
ランスデューサの数は任意でよい。ここで言う基板またはウェーハは、材料層が
上に載っているか又は載っていない、また、パターン加工されているか或いはパ
ターン加工されていない半導体ウェーハを含むが、それに限定されるものではな
い。
【００２４】 従って、本発明をその好適な実施形態に関連付けて開示したが、他の実施形態
も特許請求の範囲によって定義されるように、本発明の精神と範囲に含まれる可
能性があるものと解釈すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に従って構成された本発明の洗浄タンクの好適な実施形態の正面略図で
ある。
【図２】 図１の本発明の洗浄タンクの側面略図である。
【符号の説明】
１１：洗浄タンク １３ａ：第１上向き傾斜底壁 １３ｂ：第２上向き傾斜底壁 １３：壁 １５：第１トランスデューサアレイ １５ａ：第１トランスデューサ １５ｂ：第２トランスデューサ １７：第２トランスデューサアレイ １７ａ：第１トランスデューサ １７ｂ：第２トランスデューサ １９：半導体ウェーハ ２１ａ，２１ｂ：サイド基板サポート ２１ｃ：ボトムサポート ２３ａ：第１壁 ２３ｂ：第２壁 ２５：コントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブラウン， ブライアン， ジェー． アメリカ合衆国， カリフォルニア州， パロ アルト， コロラド アヴェニュー 211 (72)発明者 フィシュキン， ボーリス アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン カルロス， エクゼター アヴェニ ュー 155 Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 BB02 BB85 BB92 CD41

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄肉ディスクを洗浄する音波洗浄タンクであって： 少なくとも２つの上向き傾斜壁と； 前記上向き傾斜壁のうちの第１傾斜壁に機能的に結合されるとともに、洗浄さ
    れる薄肉ディスクの長さに少なくとも等しい距離に延在する、少なくともひとつ
    のトランスデューサを備える第１トランスデューサアレイと； 前記上向き傾斜壁のうちの第２傾斜壁に機能的に結合されるとともに、洗浄さ
    れる薄肉ディスクの長さに少なくとも等しい距離に延在する、少なくともひとつ
    のトランスデューサを備える第２トランスデューサアレイと； 前記第１トランスデューサアレイから直接のエネルギーを受け、前記エネルギ
    ーを非干渉的に反射するように位置決めされた第１壁と； 前記第２トランスデューサアレイから直接のエネルギーを受け、前記エネルギ
    ーを非干渉的に反射するように位置決めされた第２壁と、 を備える、音波洗浄タンク。
  2. 【請求項２】 薄肉ディスクと２ヶ所以上の点で接触する薄肉ディスクサポ
    ートを更に含み、前記薄肉ディスクサポートが、前記第１トランスデューサアレ
    イと前記第２トランスデューサアレイ両方のエネルギーから、前記薄肉ディスク
    の同一領域を遮らないように位置決めされる、 請求項１の装置。
  3. 【請求項３】 前記薄肉ディスクサポートが、前記薄肉ディスクの対向する
    両側面に沿って、前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデューサ
    アレイ両方のエネルギーから前記薄肉ディスクの同一領域を遮らないように位置
    決めされた２つのサイドサポートと、前記薄肉ディスクのバリセンターに沿って
    、前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデューサアレイ両方のエ
    ネルギーから前記薄肉ディスクの同一領域を遮らないように位置決めされた１つ
    のボトムサポートとを備える、 請求項２の装置。
  4. 【請求項４】 前記少なくとも２つの上向き傾斜壁が２つの上向き傾斜壁の
    みを含む、 請求項１の装置。
  5. 【請求項５】 前記第１上向き傾斜壁と前記第２上向き傾斜壁とが９０°を
    成して結合するボトム壁である、 請求項４の装置。
  6. 【請求項６】 前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデュー
    サアレイ両方のエネルギーから前記薄肉ディスクの同一領域を遮らないように、
    前記薄肉ディスクの対向する両側に沿って位置決めされた２つのサイドサポート
    と、前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデューサアレイ両方の
    エネルギーから前記薄肉ディスクの同一領域を遮らないように、前記薄肉ディス
    クのバリセンターに沿って位置決めされた１つのボトムサポートとを備える薄肉
    ディスクサポートを更に備える、 請求項５の装置。
  7. 【請求項７】 前記第１トランスデューサアレイが第１と第２のトランスデ
    ューサを含み； 前記第２トランスデューサアレイが第１と第２のトランスデューサを含み； 前記装置が、前記薄肉ディスクを回転させる回転可能な薄肉ディスクサポート
    を更に備える、 請求項１の装置。
  8. 【請求項８】 前記第１と第２のトランスデューサアレイに個々に通電する
    ためのコントローラを更に備える、 請求項１の装置。
  9. 【請求項９】 常に１つのトランスデューサアレイだけが通電されるように
    、前記第１と第２のトランスデューサアレイに個々に通電するべく前記コントロ
    ーラがプログラムされる、 請求項８の装置。
  10. 【請求項１０】 前記薄肉ディスクサポートが、上に位置決めされた薄肉デ
    ィスクを回転させるように回転可能である、 請求項１の装置。
  11. 【請求項１１】 半導体薄肉ディスクを洗浄する方法であって： 複数の上向き傾斜壁を有するとともに、各トランスデューサアレイが前記複数
    の上向き傾斜壁のひとつに機能的に結合され、前記各トランスデューサアレイが
    洗浄される半導体薄肉ディスクの直径に等しい長さに延在する、複数の前記トラ
    ンスデューサアレイを有する、流体収容タンクを提供するステップと； 洗浄される半導体薄肉ディスクを、前記流体収容タンク内に配置するステップ
    と； 個々の前記トランスデューサアレイに交互に通電して、それによって前記トラ
    ンスデューサアレイからの洗浄エネルギーを前記半導体薄肉ディスクの表面に与
    えて、前記半導体薄肉ディスクの表面を洗浄するステップと、 を含む方法。
  12. 【請求項１２】 個々のトランスデューサアレイに交互に通電する前記ステ
    ップが、前記薄肉ディスクの同一領域を全てのトランスデューサアレイのエネル
    ギーから遮らないステップを含む、 請求項１１の方法。
  13. 【請求項１３】 前記トランスデューサアレイから放射される洗浄エネルギ
    ーを、前記半導体薄肉ディスクを横切って位置決めされた壁から非干渉的に反射
    するステップを更に含む 請求項１１の方法。
  14. 【請求項１４】 前記トランスデューサアレイから放射される洗浄エネルギ
    ーを、前記半導体薄肉ディスクを横切って位置決めされた壁から非干渉的に反射
    するステップを更に含む、 請求項１２の方法。
  15. 【請求項１５】 前記半導体薄肉ディスクを前記洗浄流体タンク内へ配置す
    る前記ステップが、前記薄肉ディスクの全ての部分が洗浄エネルギーから連続的
    にさえぎられないように位置決めされた前記薄肉ディスクサポート上に、前記半
    導体薄肉ディスクを配置するステップを含む、 請求項１１の方法。
  16. 【請求項１６】 個々の前記トランスデューサアレイに交互に通電する前記
    ステップ中に、前記半導体薄肉ディスクを回転させるステップを更に含む、 請求項１１の方法。
  17. 【請求項１７】 個々の前記トランスデューサアレイに交互に通電するステ
    ップが、前記薄肉ディスクの同一領域を全てのトランスデューサアレイのエネル
    ギーから遮らないステップを含む、 請求項１６の方法。
  18. 【請求項１８】 個々の前記トランスデューサアレイに交互に通電するステ
    ップが、常にひとつのトランスデューサアレイのみが通電されるように前記トラ
    ンスデューサアレイに通電するステップを更に含む、 請求項１７の方法。
  19. 【請求項１９】 基板を洗浄する音波洗浄タンクであって： 少なくとも２つの上向き傾斜壁と； 前記上向き傾斜壁のうちの第１傾斜壁に機能的に結合されるとともに、洗浄さ
    れる基板の長さに少なくとも等しい距離に延在する少なくとも１つのトランスデ
    ューサを備える第１トランスデューサアレイと； 前記上向き傾斜壁のうちの第２傾斜壁に機能的に結合されるとともに、洗浄さ
    れる基板の長さに少なくとも等しい距離に延在する少なくとも１つのトランスデ
    ューサを備える第２トランスデューサアレイと；を備え、 前記第１上向き傾斜壁と前記第２上向き傾斜壁とは９０°を成して結合するボ
    トム壁であり； 前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデューサアレイ両方のエ
    ネルギーから前記基板の同一領域を遮らないように、前記基板の対向する両側に
    沿って位置決めされた２つのサイドサポートと、前記第１トランスデューサアレ
    イと前記第２トランスデューサアレイ両方のエネルギーから前記基板の同一領域
    を遮らないように、前記基板のバリセンターに沿って位置決めされた１つのボト
    ムサポートとを備える、基板サポート、 を備える、音波洗浄タンク。
  20. 【請求項２０】 基板を洗浄する音波洗浄タンクであって： 少なくとも２つの上向き傾斜壁と； 前記上向き傾斜壁のうちの第１傾斜壁に機能的に結合されるとともに、洗浄さ
    れる基板の長さに少なくとも等しい距離に延在する、少なくともひとつのトラン
    スデューサを備える第１トランスデューサアレイと； 前記上向き傾斜壁のうちの第２傾斜壁に機能的に結合されるとともに、洗浄さ
    れる基板の長さに少なくとも等しい距離に延在する、少なくともひとつのトラン
    スデューサを備える第２トランスデューサアレイと；を備え、 前記第１上向き傾斜壁と前記第２上向き傾斜壁とは９０°を成して結合するボ
    トム壁であり； 前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデューサアレイ両方のエ
    ネルギーから基板の同一領域を遮らないように、前記基板の対向する両側に沿っ
    て位置決めされた２つのサイドサポートと、前記第１トランスデューサアレイと
    前記第２トランスデューサアレイ両方のエネルギーから前記基板の同一領域を遮
    らないように、前記基板のバリセンターに沿って位置決めされた１つのボトムサ
    ポートとを備える、基板サポーティング を備える、音波洗浄タンク。
  21. 【請求項２１】 基板を洗浄する音波洗浄タンクであって： 少なくとも２つの上向き傾斜壁と； 前記上向き傾斜壁のうちの第１傾斜壁に機能的に結合されるとともに、洗浄さ
    れる基板の長さに少なくとも等しい距離に延在する少なくともひとつのトランス
    デューサを備える第１トランスデューサアレイと； 前記上向き傾斜壁のうちの第２傾斜壁に機能的に結合されるとともに、洗浄さ
    れる基板の長さに少なくとも等しい距離に延在する少なくともひとつのトランス
    デューサを備える第２トランスデューサアレイと； 前記第１と第２のトランスデューサアレイに個々に通電するためのコントロー
    ラと； を備え、 前記コントローラは、常に１つのトランスデューサアレイのみに通電するよう
    に、前記第１と第２のトランスデューサアレイに個々に通電するべくプログラム
    されている、 音波洗浄タンク。
  22. 【請求項２２】 ２ヶ所以上の点で基板に接触する基板サポートを更に備え
    、前記基板サポートは、前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデ
    ューサアレイ両方のエネルギーから前記基板の同一領域を遮らないように位置決
    めされる、 請求項２１の装置。
  23. 【請求項２３】 前記基板サポートは、前記第１トランスデューサアレイと
    前記第２トランスデューサアレイ両方のエネルギーから前記基板の同一領域を遮
    らないように、基板の対向する両側に沿って位置決めされた２つのサイドサポー
    トと、前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデューサアレイ両方
    のエネルギーから前記基板の同一領域を遮らないように、前記基板のバリセンタ
    ーに沿って位置決めされた１つのボトムサポートとを備える、 請求項２１の装置。
  24. 【請求項２４】 前記第１トランスデューサアレイから直接のエネルギーを
    受け、前記エネルギーを非干渉的に反射するように位置決めされた第１壁と、前
    記第２トランスデューサアレイから直接のエネルギーを受け、前記エネルギーを
    非干渉的に反射するように位置決めされた第２壁とを更に備える、 請求項２１の装置。
  25. 【請求項２５】 前記少なくとも２つの上向き傾斜壁が２つの上向き傾斜壁
    のみを含む、 請求項２１の装置。
  26. 【請求項２６】 前記上向き傾斜第１壁と前記上向き傾斜第２壁とは９０°
    を成して結合するボトム壁である、 請求項２１の装置。
  27. 【請求項２７】 前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデュ
    ーサアレイ両方のエネルギーから前記基板の同一領域を遮らないように、前記基
    板の対向する両側に沿って位置決めされた２つのサイドサポートと、前記第１ト
    ランスデューサアレイと前記第２トランスデューサアレイ両方のエネルギーから
    前記基板の同一領域を遮らないように、前記基板のバリセンターに沿って位置決
    めされた１つのボトムサポートとを更に含む、 請求項２１の装置。
  28. 【請求項２８】 前記第１トランスデューサアレイが第１と第２のトランス
    デューサを含み； 前記第２トランスデューサアレイが第１と第２のトランスデューサを含み； 前記装置が更に、基板を回転させる回転可能基板サポートを備える、 請求項２１の装置。
  29. 【請求項２９】 前記２つの上向き傾斜壁の下部は、前記２つの上向き傾斜
    壁の上部よりも互いに近接している、 請求項２１の装置。
  30. 【請求項３０】 薄肉ディスクを洗浄する装置であって： 少なくとも２つの上向き傾斜壁を有するタンクと； 前記上向き傾斜壁のうちの第１傾斜壁に機能的に結合されている少なくともひ
    とつのトランスデューサを備える第１トランスデューサアレイと； 前記上向き傾斜壁のうちの第２傾斜壁に機能的に結合されている少なくともひ
    とつのトランスデューサを備える第２トランスデューサアレイと； を備え、 前記タンクと前記トランスデューサアレイとは、干渉反射を避けるように構成
    される、 装置。
  31. 【請求項３１】 前記第１と第２の前記トランスデューサアレイに個別に通
    電するためのコントローラを更に備える、 請求項３０の装置。
  32. 【請求項３２】 前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデュ
    ーサアレイ両方のエネルギーから前記薄肉ディスクの同一領域を遮らないように
    、前記薄肉ディスクの対向する両側に沿って位置決めされた２つのサイドサポー
    トを備える薄肉ディスクサポートを更に備える、 請求項３０の装置。
  33. 【請求項３３】 前記第１トランスデューサアレイと前記第２トランスデュ
    ーサアレイ両方のエネルギーから前記薄肉ディスクの同一領域を遮らないように
    、前記薄肉ディスクのバリセンターに沿って位置決めされた１つのボトムサポー
    トを更に備える、 請求項３２の装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031540A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Toshiba Corp 超音波洗浄ユニット、超音波洗浄装置、超音波洗浄方法、半導体装置の製造方法、及び液晶表示装置の製造方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5957754A (en) * 1997-08-29 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Cavitational polishing pad conditioner
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6350624B1 (en) * 1999-09-29 2002-02-26 Advanced Micro Devices, Inc. Substrate removal as a functional of sonic analysis
US6840250B2 (en) * 2001-04-06 2005-01-11 Akrion Llc Nextgen wet process tank
US6595224B2 (en) * 2001-06-20 2003-07-22 P.C.T. Systems, Inc. Bath system with sonic transducers on vertical and angled walls
US20030015494A1 (en) * 2001-07-20 2003-01-23 Seagate Technology Llc Single layer resist lift-off process and apparatus for submicron structures
US7513062B2 (en) * 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
US6845779B2 (en) * 2001-11-13 2005-01-25 Fsi International, Inc. Edge gripping device for handling a set of semiconductor wafers in an immersion processing system
US20080000495A1 (en) * 2001-12-07 2008-01-03 Eric Hansen Apparatus and method for single substrate processing
JP3948960B2 (ja) * 2002-01-16 2007-07-25 東京エレクトロン株式会社 超音波洗浄装置
JP3092396U (ja) * 2002-08-28 2003-03-07 エレコン科学株式会社 交差超音波破砕器
US6875289B2 (en) * 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US20040050408A1 (en) * 2002-09-13 2004-03-18 Christenson Kurt K. Treatment systems and methods
WO2004112093A2 (en) 2003-06-06 2004-12-23 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus to process substrates with megasonic energy
US20060027248A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaning with minimized interference
JP4763585B2 (ja) * 2006-12-04 2011-08-31 富士通株式会社 超音波洗浄装置及び基板洗浄方法
US20080156360A1 (en) * 2006-12-26 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Horizontal megasonic module for cleaning substrates
US7980000B2 (en) 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector
US20080155852A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Olgado Donald J K Multiple substrate vapor drying systems and methods
US20080163889A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Applied Materials, Inc. Megasonic transducer matching network for wet clean chambers
US20090320875A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Dual chamber megasonic cleaner
JP6161236B2 (ja) 2012-03-29 2017-07-12 三菱重工業株式会社 原子力用多孔板の洗浄装置
KR102361643B1 (ko) 2017-07-06 2022-02-10 삼성전자주식회사 메가 소닉 세정 장치
CN112296011B (zh) * 2019-07-30 2022-06-17 赤壁市万皇智能设备有限公司 一种视窗玻璃擦片机

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2891176A (en) * 1955-07-13 1959-06-16 Branson Instr Compressional wave generating apparatus
US2987068A (en) * 1956-05-01 1961-06-06 Branson Instr Apparatus for ultrasonic cleaning
US2985003A (en) * 1957-01-11 1961-05-23 Gen Motors Corp Sonic washer
US3056589A (en) * 1958-06-23 1962-10-02 Bendix Corp Radially vibratile ceramic transducers
US3371233A (en) * 1965-06-28 1968-02-27 Edward G. Cook Multifrequency ultrasonic cleaning equipment
US3640295A (en) * 1970-04-21 1972-02-08 Wendell C Peterson Ultrasonic cleaner and surgical instrument case
US4167424A (en) * 1976-05-12 1979-09-11 National Steel Corporation Treatment of metal strip with ultrasonic energy and apparatus therefor
GB1588312A (en) * 1977-03-15 1981-04-23 Thermoplastic Compounders Apparatus for and methods of cleaning containers
US4543130A (en) * 1984-08-28 1985-09-24 Rca Corporation Megasonic cleaning apparatus and method
US4736760A (en) * 1986-02-21 1988-04-12 Robert A. Coberly Apparatus for cleaning, rinsing and drying substrates
US4886082A (en) * 1986-07-02 1989-12-12 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Cleaning apparatus
US4686406A (en) * 1986-11-06 1987-08-11 Ford Motor Company Apparatus for applying high frequency ultrasonic energy to cleaning and etching solutions
US4836684A (en) * 1988-02-18 1989-06-06 Ultrasonic Power Corporation Ultrasonic cleaning apparatus with phase diversifier
JPH01304733A (ja) * 1988-06-01 1989-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄装置
US4909266A (en) * 1989-03-10 1990-03-20 Frank Massa Ultrasonic cleaning system
US5133376A (en) * 1989-05-17 1992-07-28 Samarin Igor A Device for ultrasonic machining or articles in liquid medium
US5038808A (en) * 1990-03-15 1991-08-13 S&K Products International, Inc. High frequency ultrasonic system
JPH0449619A (ja) 1990-06-18 1992-02-19 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 超音波洗浄槽
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
JP2696017B2 (ja) * 1991-10-09 1998-01-14 三菱電機株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
US5247954A (en) * 1991-11-12 1993-09-28 Submicron Systems, Inc. Megasonic cleaning system
US5279316A (en) * 1992-08-18 1994-01-18 P.C.T. Systems, Inc. Multiprocessing sonic bath system for semiconductor wafers
US5383484A (en) * 1993-07-16 1995-01-24 Cfmt, Inc. Static megasonic cleaning system for cleaning objects
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
SE503240C2 (sv) * 1994-06-17 1996-04-22 Amugruppen Ab Anordning för rensning av huvuden till svetsrobotar
US5672212A (en) * 1994-07-01 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Rotational megasonic cleaner/etcher for wafers
US5762084A (en) * 1994-07-15 1998-06-09 Ontrak Systems, Inc. Megasonic bath
US5625249A (en) * 1994-07-20 1997-04-29 Submicron Systems, Inc. Megasonic cleaning system
WO1996022844A1 (en) * 1995-01-27 1996-08-01 Trustees Of Boston University Acoustic coaxing methods and apparatus
JPH10323635A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Sony Corp 超音波洗浄装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031540A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Toshiba Corp 超音波洗浄ユニット、超音波洗浄装置、超音波洗浄方法、半導体装置の製造方法、及び液晶表示装置の製造方法

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