TW451335B - Method and apparatus for removing photoresist film - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作枉. A7 __— _ B7__ 五、發明說明（1 ) 、 [技術領域] 本發明係關於一種有機物被膜之去除方法，特別是關 於一種使用於半導體裝置等之微縮影（lithography)製程之 有機高分子化合物的光阻膜之去除方法及其裝置。 [背景技術] 光阻材料係一般在積體電路、電晶體、液晶或二極體 等的半導體製程中’被使用在用以形成微細圖案之微縮影 製程及/或用以形成後續於該製程之電極圖案的蝕刻製 程。 例如’欲在矽基板等半導體基板（特別是，矽基板係 稱為晶圓）上以所需圖案形成矽氧化膜時，首先，在基板 表面形成氧化膜，經清洗後，在該氧化膜上塗伟適於圖案 之光阻材料，形成光阻被膜。然後，將對應於所需圖案的 光罩配設於光阻被膜上，加以曝光。之後’施以顯像製程， 得到所需圖案的光阻膜。然後，在轴刻製程令，自所得到 T光阻膜㈣去除氧㈣。最後，去除光阻膜後，藉實^ 晶圓表面之清洗，形成一所需之氧化膜圖案。 在上述姓刻製程中，作為從晶圓表面去除不需要之4 阻獏的方法，悉知有①使用氧氣體電漿之方法及②使拜 各種氧化劑之方法。 使用氧氣想電漿之方法（①）、係—般在真空及高電麼 :經由注入氧氣趙1生氧氣體電漿經由該氣體電裝與 ，阻膜之反應分解並去除光阻膜者然而該方法之問 T發生氧氣電裝需要高償格.之發生裝置，及由於存 31097^ --------------裝— {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- -線-

I / I I A7 451 3 35 ---------- 五、發明說明（2 ) 在於上述電聚中之帶電粒子而使包括元件之晶圓本體受 損。 用以分解光阻材料使用之各種氧化劑之方法（Ο)，悉 知有將熱濃硫睃或熱濃硫酸與過氧化氫之混合液使用作為 氧化劑的方法。 然而’使用熱濃硫酸時，由於必須將濃硫酸加熱至約 150eC，因此’具極高危險的缺失β 熱濃硫酸與過氧化氫之混合液，係依照以下反應圖放 出氧化分解物質。首先，在加熱至14〇〇c左右的熱硫酸中 添加過氧化氫。此時，經由式： H2S04 + H202 Ο H2S03 + H20 (1) H2〇2 0+H20 (2) 發生過氧硫酸（H2S05 : —般稱為卡羅酸）與氧原子（〇)。經 由此兩者之強氧化性，有機光阻膜被灰化處理成為無機物 質’而被剝離去除者。 然而’由上述2式可知，在該方法中，由於每次添加 過氧化氫於熱硫酸時產生水而稀釋硫酸介質，因此有混合 後之熱濃硫酸漢度經時降低之問題。又，該方法係與前者 同樣地’使用高溫濃硫酸及與過氧化氫混合時產生熱等， 為極高危險性之方法’以及由於在清潔室内需要強大換氣 的缺失^ 作為上述熱硫酸等以外之光阻膜氧化分解劑，也開發 了稱為106液的非水混和性的光阻膜去除專用液（二手亞 碾30% :乙醇胺70%)等’但是，此等係具有與上述熱濃 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> . ^ ^ i I ----- ^---------線 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 310977 Λ7 Λ7 經 濟 部 智 慧 貝才 產 局 員 工 消 費 合 ί; 社 印 五、發明說明（3) 硫酸或硫酸/過氧化氫混合液相比較氣化分解性低由 於非水混和性而廢液處理有困難等之問題。 ，於克服有關上述①及②之問題的方法，提出—種使 用臭乳氣體/熱㈣系作為氡化劑的光阻膜去除方法 特開昭am⑴號公報等）。上述日本特開昭57_ΐ8〇ΐ32 號公報所述之方法’係、在熱硫酸中通人含有臭氧氣體，俾 剝離覆蓋在基板或絕緣物層上面之有機物質(所謂光阻膜) 或無機物質之方法，也揭示使用於該方法之洗淨裝置⑼ 面圖：第9圖）。 表不於第9圖的上述公報記載的洗淨裝置，係在設於 加，、，、器11之石英容器7内部，充滿加熱至約H〇(>c之熱 濃硫酸5，且裝備具複數個氣體喷射孔3的石英送氣管 U2。將從石英容器7外部之氣體導入管111所供應之原 料氣體（通常為氧氣）藉臭氧發生器1變換成臭氧化之氧， 將此經石英送氣管112喷出在熱濃硫酸5中使臭氧氣 體與濃硫酸反應，產生過氧硫酸與氧原子。經由此等強氧 化性，去除浸潰在熱濃硫酸中的處理基板8 (其經由基板 匣9固持）表面的光阻膜。 在該公報所記、載之亨法中’其特徵在於氧化分解時； 發生水，硫酸濃度未變化，可減低硫酸之交換頻度，但； 因大量使用濃硫酸.因此.也是高原料成本之問題，；又 在該方法及裝置中，由於使用高溫濃硫酸’因此與以往-法同樣’由於作業之危險性較高，且經由適入臭氧化氧| 發生氡化劑之蒸汽，因此必需極強之換氣。 ‘ t 測家鮮（CNSU4 ㈣ :Π097? — I · —I— i I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) . ;線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '4 5 1 3 3 5 A7 ___ B7 五、發明說明（4 ) 因此，本發明之目的，係在於解決以往既知之光阻膜 去除方法或裝置之上述問題’提供一種用以可減低原料使 用量或換氣設備之成本，又可改善環境且提昇光阻膜之去 除速度的光阻膜之去除方法及使用該方法的裝置。

[用詞定義I 本發明所使用之「臭氧化氣體」’係指包含含有特定 量之臭氧氣趙的氧氣之氣趙。又，在此所謂「密閉系統」 係指在熱力學上打開之系統（open system)，但是指所導入 之氣想及液艘以及在本發明之光阻膜之去除製程所發生之 氣體或蒸汽等’於作業中不會直接以該狀態放出或飛散至 系統外。 [發明揭示】 本發明第一態樣係提供一種光阻膜之去除方法，其特 徵為·在密閉系統内，在塗佈於基板表面上之光阻膜，從 與該光阻膜對向配置之光阻膜去除劑供應板，均等且連續 地或斷續地供應包含臭氧化氣體及光阻膜去除溶液之光阻 膜去除劑以去除該光阻膜之方法。在本發明所使用之臭氧 化氣體，為臭氣氣體含量佔整體之至少5莫爾％，較坪佔 5至1〇〇莫爾％之量。 本發明之方法’基板上之光阻膜表面與光阻膜去除劑 供應板之間的距離’可為1至5mn<>將兩者之距離作為上 述之範圍，可更提高本發明方法的光阻膜去除速度。 本發明方法可分別或混合供應臭氧化氣體與光阻膜去 除溶液。又，臭氧化氣體係在1至5氣壓之高壓氣體狀態 Ί I ---11---11 — ! 1111 訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 310977

經濟部智慧財產局員I消費合作社，S i ^ (C：N；S) Λ·ΠΓ#7:Π'· < ；?9： ^ t ) 五、發明說明（ 下供應。 、 本發明中適用之光阻膜去除溶液，可選自由飽和醇、 綱、叛酸之與臭氧不具反應性之有機溶劑。 本發明方法中，使用 使用之先阻臈去除溶液之溫度及距基 板上5_以上處之溫度較好設定比基板表面之溫度低。 本發月巾取好臭氧化氣體係連續地供應，光阻膜去 除溶液係斷續地供應。 又’本發明方法，係在光阻膜去除劑供應板與基板之 間可包含產生電場之手段。㈣料mm容液 可成為微粒化。 本發明第二態樣係關於一種在裝備臭氧發生器及排氣 處理裝置的反應槽内，包含將表面具有光阻膜之基板加以 固定的基板台面及與上述基板台面對向配置之光阻膜去除 劑供應板的光阻膜去除裝置。使用作為光阻膜絲劑之臭 氧化氣體及光阻膜去除溶液’可從設於光阻膜去除劑供應 板之相同或不同供應口連續地或斷續地供應於基板表面。 本發明裝置中’反應槽可由不錢鋼或聚四氟乙稀被覆 之不錢鋼，聚四氣乙缚樹脂、陶变或聚四氟乙稀被覆之陶 瓷或此等之組合構成。 該裝置中所使用之臭氧化氣體，臭氧氣體含量佔整 體之至少5莫爾〇/0 ·較好佔5至丨〇〇莫爾％之量 又，亦可事先混合臭氧化氣體與光阻联去除溶液作為 光阻琪去除劑.此時1好事先混合臭氧化氣體與光阻膜 去除溶液後供應至光阻獏去除劑供應板之供應口 31097^ M.--------t---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 451335 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Β7 五、發明說明（6 ) 本發明裝置中，光阻膜表面與光阻膜去除劑供應板之 距離，為1至5mm之間。該裝置可包括加熱基板台面之 手段及/或冷卻光阻膜去除溶液之手段，經由驅使此等， 可將所使用之光阻臈去除溶液之溫度及距基板上5 mm以 上處之溫度設定比基板表面之溫度低。 本發明裝置亦可包括加熱基板台面之手段及/或冷卻 光阻膜去除溶液之手段。 導入本發明裝置的臭氧化氣體，較好為1至5氣壓之 高壓氣體狀態。 本發明裝置中適用之光阻膜去除溶液，係選自包含飽 和醇、酮、叛酸之不與臭氧具反應性之有機溶劑。 本發明裝置’可包含在光阻膜去除劑供應板與基板之 間產生電場之手段。 [實施發明所用之最佳形態] 依照以下各實施形態更詳述本發明之方法及使用於該 方法之裝置’但是本發明係並不被限定於此等者，應瞭解 在本技藝經由既知技術可容易地變更者。 實施形縝1 第1圖表示使用本發明方法之裝置的一態樣。此為將 表面具有光阻膜的基板一枚一枚地插入加以處理的裝置 (在該領域’ 一般稱為單晶圓處理裝置）之一例。 本發明中被去除之光阻膜，係在半導體元件製程中所 使用之含有有機高分子化合物的光阻材料所形成之被膜。 也包括經由熱變性之被膜或經由高濃度之摻雜使變質 - Hi--— I— ^ --- I ---I--線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） 6 310977 A7 A7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印馭 五、發明說明（ 之被膜，以及在蝕刻製程中表面附著有無機物質之被膜。 上述表面具有光阻膜之基板，可為通常使用於半導體 元件製造者而無特別限制者，例如可使用矽晶圓，液晶顯 不疋件用玻璃基板，電子基板用玻璃環氧基板等。 依照第1圖，本發明之裝置（Α〖）’係於反應槽6所密 閉之空間内裝備：固定基板8且可以其重心作為中心之轴 旋轉的基板台面40，及與基板台面4〇對向配置的氣體/ 溶液供應板30。 在基板台面40内面具備可加熱基板之加熱手段々I。 基板台面40之旋轉及加熱，係藉由配置於反塵槽6下方 之控制裝置42加以控制。 在氣體/溶液供應板30中央設置臭氧化氣體供應管 31 ,及於臭氧化氣體供應管31週邊設置光阻膜去除溶液 積存部32，又在上述溶液積存部32下方，設置一光阻膜 去除溶液喷射孔33。 臭氧化氣體係從供應管11丨供應包含氧體之原料氣體 之氣體，係經由臭氧發生器丨將含有氧氣之氣體之至少5 莫爾％(較好將5莫爾％至1〇〇莫爾0/〇)臭氧化而得。 包含於臭氧化氣體中之臭氧氣體之量愈高則光阻祺去 除速度愈尚’該量亦依處理基板大小及光阻種類而變化 導進臭氧發生器之含有氧氣的氣體供應量，亦依所必需 臭氧化氣體導入量及其後供應於基板之臭氧化氣館量 異 第丨圖i A 中 臭氧化氣體調節成所定壓乃 .¾適用士國國家幃半 經由 規将 ：-t ： I — I — — — — —--— I— I I I I I I I i I I I I--I 1 (請先閱讀背面之注杳？事項再填寫本頁) 451335 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 > 應管112及31供應至基板8。 本發明可使用之光阻膜去除溶液係選自純水；硫酸、 鹽酸、硝酸、醋酸、過氧化氩等酸性水溶液；氫氧化銨等 之鹼性水溶液；丙輞等酮類及異丙酵等醇類的有機溶劑； 以及此等混合物所成組群的與臭氧不具反應性者。由廢液 處理問題觀之使用純水最佳’但是，欲提高光阻膜去除速 度’或欲去除使用高濃度離子摻雜後之變質膜或基板上之 污染物質時，亦可使用純水以外之溶劑或上述溶劑之混合 液。 光阻膜去除溶液，係經由供應管114導進反應槽6中 之光阻臈去除溶液積存部32,視需要，從下方之喷射孔33 喷向基板8。 以下說明使用表示於第1圖之裝置（A1)的光阻膜去除 過程。 首先*將基板固定於基板台面40，。然後，從供應管31 及喷射孔33分別朝基板8供應臭氧化氣體及光阻膜去除 溶液。從供應管31供應之臭氧化氣體及溶液，係從基板 8中央朝端部擴展，與全光阻膜相接觸。 與臭氧化氣體接觸之基板表面的光阻膜經氧化分解， 首先被低分子量化，同時，於光阻膜上形成光阻膜去除溶 液之被膜。低分子量化之光阻膜溶解於該光阻膜去除溶液 被膜中’經由再供應溶液而一起被洗掉，可從基板表面去 除光阻膜。 本發明第1圖裝置（A1)中，臭氡化氣體係以定壓之高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 310977 I! -----Mil-----^---------痒， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A/ A/ 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 觀察到光限 B7 五、發明說明（〇 μ氣體’從相當於基板令央部之位置供應。 本發明人等’發現所供應之臭氧化氣體之壓力與光阻 膜去除速度之間具相關性。由該關係可知，當疆力增加時， 則上述去除速度約成比例地被改善。因此，本發明中，考 慮使用裝置之可靠性或安全性、臭氧化氣體較好以1至5 大氣壓範圍之定壓高壓氣體使用。 又’本發明中’較好連續地供應臭氧化氧體。經由連 續地供應臭氧化氣體，臭氧化氣體中之臭氧氣體在基板各 部與光阻膜接觸而發生氧化分解反應，即使被消耗’在整 體基板’也可維持均勻之臭氧氣體供應量，結果，可達成 均勻之光阻膜去除。 臭氧化氣體中之臭氧氣體，較好係僅消耗在光阻膜之 去除反應仁7^因臭氧氣體反應性較高，因此可與光阻膜 以外之材料（例如，反應槽内壁或裝置零件等）反應而被消 耗為了避免此些臭氧氣體之浪費消耗，較好由不鱗鋼或 ^四氣乙烯被覆之不銹鋼，聚四氣乙烯樹脂、陶曼或聚四 氣乙稀被覆之陶曼’或此等之組合構成反應槽或裝置零 件。 與供應上述臭氣化毫μα 軋骽之冋時’從設於氣體/溶液供 應板30之複數光且肢t 尤P膜去除，谷液噴射孔33供應光阻獏去 溶液。 μ 為了達成有效地去哈φ ijg描 , 一玄#尤阻膜、工述噴射孔33係每一 基板面積設置I 〇個以上直锃鈐 ,.r，4, ^ , :“且k is. !_ m m以h者較理想 妗上所述當供應光阻骐去除溶液時、可 .序滴吊中國11家標m (CN；S)A ;規格Ίί ί10977 I----裝，-------訂-- ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 451335 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（10) 膜表面產生較厚溶液被膜。第2圖表示該溶液之膜厚（mm) 與最大光阻膜去除速度之關係。在此’溶液之膜厚係經由 目視觀察加以測定者。由第2圖可知，溶液之膜厚在11 mnl 以下’可得到充分之光阻膜去除速度。此乃認為係形成於 光阻膜上之溶液被膜愈薄使臭氧氣體愈容易浸透之故。 然而，由於連績供應中難以形成膜厚1mm以下之溶 液薄膜’因此，本發明較好斷績地（最理想為間隔1至3 6〇 秒鐘）供應光阻膜去除溶液。 本發明人也發現包括臭氧化氣體供應管31之氣體/溶 液供應板30與基板8表面之距離（第1圖中，以S表示）， 對光阻膜去除速度影響很大。 第3圖表示對於上述距離（mm)之光阻膜之最大去除 速度及在基板上之去除速度之面内均勻度的變化。依據第 3圖’最大去除速度係距離愈小愈高，其面内均勻度係愈 廣愈高。此乃考量參照第1圖，氣體/溶液供應板30與基 板8表面之距離愈短，流動其間隙中之臭氧化氣體之流速 愈快’由於對基板表面上虛表之臭氧氣體供應量增加，因 此膜氧化分解速度也變高，若變窄，則在基板表面上可為 臭氧化氣體流動不均勻之場所》 考慮以上之情形’氣體/溶液供應板30與基板8表面 之距離（8)’係設定在約1至5mm之範圍較理想。 為了欲以更高效率地實行本發明的光阻膜去除方法， 亦可加熱基板β基板8之加熱，係經由具備於基板台面4〇 内部的加熱手段41進行（第1圖加熱手段41係經由配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 310977 11 1111·裝 -----— 訂--1---- 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作，社印 A7 _______ —_B7___五、發明說明（U) 置於反應槽6下方的控制裝置調節其溫度。 基板之加熱溫度愈高，愈促進光阻膜與臭氧之氧化分解’但若過高’則加熱將使基板受損°基板之加熱溫度可 依所使用之基板種類而變，但是就矽晶片而言一般設定在約300 C以下’及對玻璃基板則設定在約1 00°c以下較理 想。 利用上述之基板加熱’亦促進臭氧氣體之分解，提高 高氧化反應性之氧原子放出，而加速光阻膜之分解去除速 度，但另一方面，因基板附近之溫度上昇，臭氧化氣體供 應管之溫度亦上升。由此，在供應管内部臭氧氣體經熱分 解’具活性之氧原子無法到達基板表面。 所以，本發明裝置（A卜第1圖）中，將使用之光阻膜 去除溶液之溫度以冷卻機n 5使之降溫並導進溶液積存部 h，冷卻與溶液積存部32鄰接之臭氧化氣體供應管31， 可阻止基板8表面附近以外之臭氧氣體熱分解。 本發明為了使臭氧化氣體及光阻膜去除溶液更易於供 應至基板全面*亦可經由苐1圖_之基板台面扣之旋轉’ 以基板之重心作為中心實行軸旋轉。基板台面4〇之旋轉， 係藉由控制裝置42控制在任意速度s 本發明裝置（Al)t，操作中所供應之過剩光阻膜去除 溶液5，亦可回收在反應槽6底部後再循環被回收之溶 液可經由過濾器（未圖示）等除掉溶液中之光阻膜餘渣等之 後，從冷卻機1 1 5及泵4經供應管π 4再使用 —本發明裝卜由於過剩之臭氡化氣體經臭氧化氣體棑 μ 關雜 f i ，------— 31097? 广婧先Ba讀背面之涑意事項存碘寫‘本萸) I - I I . 訂- ，線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 13 3 5 A7 ____ B7 五、發明說明（12) 、 出管112被導進排臭氧處理器13,將留存之臭氧氣體恢 復成氧氣之後’排至大氣’因此亦可防止依過剩之臭氧氣 體所引起之環境污染（參照第1圖 依照本發明’由於在密閉容器中進行膜之去除作業， 因此有害氣體不會飛散至大氣中且不需要大規模之換氣設 備。又’因在作業後循環光阻臈去除溶液，因此也可刪減 原料成本5 [實施形態2] 依照本發明說明經由將所供應之光阻膜去除溶液之被 膜變薄，可大幅提昇光阻膜之去除速度，但是將上述溶液 之被膜變薄的手段’除了斷續地供應如實施形態1所述之 溶液之外’如第4圖所示’亦可在氣體/溶液供應板3〇與 基板之間形成電場》 第4圖表示包括在供應板30與基板台面40上之基板 8之間產生電場之手段的裝置（A2)之一例。裝置（A2)中， 可在氣體/溶液供應板30施加數kV以上高電壓，而基板 台面40經接地^光阻膜去除溶液係連續地或斷績地供應， 較好斷續地供應。對氣體/溶液供應板3〇施加高電壓，係 在從喷射孔33供應光阻膜去除溶液時實行較佳。 在供應光阻膜去除溶液時若在供應板3〇與基板8之 間產生電場’則從喷射孔3 3所喷出之溶液，經由電場之 作用化為小粒狀而飛散。粒狀溶液附著於基板表面光阻膜 上’可形成極薄之被膜。藉將溶液之被膜形成極薄，即可 促進與臭氡氣體之氧化分解反應速度，結果，亦可提昇光 ----- ----------裝----I---訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 310977 經濟卽智慧財產局員工消費合作社i!is A" B7__ 五、發明說明（13) &獏去除速度。 在此，表示於第4圖之產生電場的手段僅為一例子， 本發明並不限定於此。又，第4圖裝置（A2)中，除了以上 特別說明之手段 '零件及功能以外，可與實施之形態1所 述之裝置（A1)相同。 [實施之形態3] 使用本發明方法的裝置’實施形態1及2係說明從基 板中央部供應管31供應臭氧化氣體之裝置，及從上述供 應管31週邊之噴射孔33供應光阻膜去除溶液之裝置（表 示於第1圖及第2圖的A1及A2)，但是亦可視需要更換 臭氧化氣體及光阻膜去除溶液之供應位置。 例如，表示於第5圖之裝置（A3)所示，亦可從基板中 央部之供應管31供應光阻膜去除溶液，及從配置於上述 供應管31週邊的噴射孔33供應臭氧化氣體。 此時’臭氧化氣體較好連續地供應，而光阻琪去除溶 液係斷續地供應’但是臭氧化氣體之形成條件及光阻膜去 除溶液種類亦可與實施形態1所述者相同。 在該實施形態之所使用之裝置，除了有關上述供應手 段及條件以外.其餘與實施形態1所述者相同。 實施形態4 本發明可分別或混合地將臭氧化氣體鱼 科先阻骐去除溶 液供應至反應槽。實施形態1至3說明分 〜货愿臭氡化氣 體與光阻膜去除溶液之方法及裝置。該着t始… ， 々乃忒及秩星S霣施形態4說明為 了更易於將臭氡化氣體及光阻膜去除溶液供 ___I基板全 .110朽 1 n ^1· i V rk* Xu I i 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .13 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 13 3 5 Α7 ____Β7 五、發明說明（14) 面’而混合臭氧化氣體與光阻膜去除溶液之後’供應於反 應槽之方法及使用該方法的裝置（第6圖及第7圖 第ό圖及第7圖之裝置（A4及A5)，係將臭氧發生器 1所產生之臭氧化氣體經由供應管111送至喷射器2之同 時’光阻膜去除溶液也經供應管114被導進嘴射器2。在 喷射器2混合臭氧化氣體與光阻膜去除溶液之後，將該臭 氧化氣體混入液經由供應管112供應至供應板30,（第6圖） 或31'(第7圖）。亦即，第6囷之裝置（Α4)係在供應板30, 内具備與實施形態1之裝置（Α1)同樣的溶液積存部32'及 喷射孔33·’從該喷射孔33,可朝基板喷出臭氧化氣體混 入液。又，第7圖之裝置（Α5)係從配置在相當於基板中央 部位置的供應管3 Γ直接供應臭氧化氣艎混入液。 該實施形態4中’對於光阻膜去除溶液中臭氧化氣體 之遇入濃度’特別是有效之臭氧化氣體混入濃度，係藉由 臭氧化氣體中之臭氧氣體含量及所使用之溶液種類而變 化’例如溶液為純水時，較好為飽和狀態，而在2〇°c中， 為約10至200ppm之範圍。 該實施形態4之方法及裝置中，為了提高光阻膜之去 除速度’臭氧化氣體較好連續地供應，又光阻膜去除溶液 係斷續地供應。亦即，本發明裝置（A4及A5)係例如將臭 氧化氣體混入液與未含有臭氧化氣體的光阻去除溶液可交 互地供應至基板表面β 第6圖及第7圖之任何裝置，均為了使溶液容易擴散 至基板整體’也與實施形態1相同，可以基板重心作為中 ----- ^---In— ^ ------!訂| !線 (請先間讀背面之沒意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS〉A4規格<210x297公釐） 14 310977 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社^¾ 五、發明說明（D ) 心之軸旋轉而進行。 在該實施形態4中除特別記述之以外的裝置或功能及 條件等’其餘亦與實施形態1所述般相同。 實施形熊5 本發明中，作為更改良表示於實施形態1至3之裝置， 從臭氧發生器1所供應之臭氧化氣體之量可充分確保大量 時，本發明裝置（A6)如第8圖所示，臭氧化氣體供應管31 之前端開口部亦可以朝基板8形成喇叭狀之形狀。 臭氧化氣體供應管3 1之前端開口部，係例如以基板 之半徑（或長度方向之長度）作為Γ時，則以約1/r之坡度 朝基板放射線狀地徐徐地擴大。放射線狀地擴大，可使例 如喇叭狀地具有曲面部。 作成此種構造，可將臭氧化氣韹更均勻且更有效率地 供應至基板整體。 在該實施之形態5中，將先阻膜去除溶液噴射至美板 8之喷射孔（未圖示）’可沿上述前端開口部設置。 [發明之效果] 依照本發明之方法，由於在密閉系内進行光阻臈之去 除作業 '又可循環光阻膜去除溶液，因此，可 、 χ. ，者地減低 換氣設備之成本或原料之成本。又由於具備排氣裝置 此也可防止過剩之臭氧氣體排出所產生的環境污染。’因 依照本發明，由於： ①將臭氧化氣體及光阻獏去除溶液均等且表 ^ ™ % ^ m 續地供應至光阻膜； —* 遇3由國园家標KCNSM/!規格 ^--------^--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) > 1 〇C)7^ 451 3 35 A7 Β7 五、發明說明（16) 、 0用以氧化分解光阻膜之臭氧氣體含有此通常使用之 臭氧化氣體更大量地臭氧化氣體； (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) ③ 將塗佈於基板表面上之光阻膜表面，及與該基板對 向配置之光阻膜去除劑供應板之距離設定在最有效之範圍 (特別是1至5mm);及 ④ 以1至5氣壓之高壓氣體狀態下供應臭氧化氣體。 因此’光阻之去除速度與以往之方法相比較可顯著地提 高。 在本發明令，由於亦可分別或混合地供應臭氧化氣體 與光阻膜去除溶液’任何情形下臭氧化氣體係可連續地供 應及光阻膜去除溶液亦可斷績地（亦即，間歇地）供應，因 此可更提高光阻之去除速度。 又’由於本發明之第2態樣的裝置，係由不會與臭氧 氣體反應之材料所構成β因此，臭氧化氣體係可有效地僅 消耗在光阻膜之去除。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明裝置中’使用作為光阻膜去除劑之臭氧化氣體 及光阻膜去除溶液’可從設於光阻膜去除劑供應板之相同 或不相同之供應口連續地或斷續地供應於基板表面9轉使 用之臭氧化氣體’含量係佔整艘之至少5莫爾％臭氧化氣 體’較好為5至100莫爾％之量。 本發明之裝置係事先混合臭氧化氣體與光阻膜去除溶 液之後才與光阻膜，可更提高臈之去除速度。 由於本發明裝置包含加熱基板台面之手段及/或冷卻 光阻膜去除溶液之手段，因此可將所使用之光阻膜去除溶 i Μ 公 X 3 格 現 4 Λ / η Ν 〒 16 &濟部智慧財產局員工消費合作，社".裝 阻膜去 Λ7 _________B7___ 五、發明說明（17) 液之溫度及距基板上5mm以上處之溫度設定成比基板表 面之溫度更低溫度’可更提昇膜之去除速度。 因本發明之裝置在1至5氣壓之高壓氣體之狀態下可 供應臭氧化氣體，因此可使充分量之臭氧氣趙與光阻膜作 用=又，在本發明所適用之光阻膜去除溶液，係可從廣用 者選擇。 又，依照本發明，將在光阻膜去除劑供應板與基板之 間產生電場並使光阻膜去除溶液微粒化的手段可組裝在本 發明之裝置，由此可促進臭氧之氧化分解速度，結果可得 更高之膜去除速度。 [圖式之簡單說明] 第〗圖係表示實施之形態1的本發明光阻膜去除裝置 (A1)的模式剖面圖。 第2圖表示本發明方法之最大去除速度對於光阻媒去 除溶液膜厚的圖表。 第3圖表示本發明方法之最大去除速度對於光阻膜與 光阻膜與光阻膜去除劑供應板之間的距離(δ )及其基板面 内之均勻度的圖表。 第4圖表示實施形態2在光阻膜與光阻骐去 I- 々用供應 之間可發生電場的本發明光阻膜去除裝置（Α2) 面圖s ⑼模式刮 第5圖表示實施形態3的本發明先阻臈去除穿 、 的權'式剖面圖。 (Aji 第6圖表示實苑形態4的供應臭氣化氣體 ___________' 相 家榇笮 i 規柊；29:‘公 f ； ；一'· -------------裝-------ί訂*---------線 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) ϊίη9?7 ^ 451 3 3 5 A7--------22___ 五、發明說明（1S) 除溶液混合系統之本發明之光阻膜去除裝置（A4)的模式剖 面罔。 第7圖表示實施形態4的供應臭氧化氣體-光阻膜去 除溶液混合系統之本發明光阻膜去除裝置（A5)的模式剖面 囷。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第8圖表示實施形態5的本發明光阻膜去除裝置（A6) 的模式剖面圖。 第9圖表示日本特開昭57-180132號所述的含有臭氧 氣體通入熱硫酸中，使用於剝離被覆在基板或絕緣物層上 之光阻膜之方法的洗淨裝置的模式剖面圖。 [元件符號說明] r i t ^ 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 臭氧發生器 2 喷射器 4 泵 5 光阻膜去除溶液 6 反應槽 8 基板 13 排臭氡處理器 30 氣趙/溶液供應板 31,31' 臭氧化氣體供應管 32,32' 溶液積存部 33,33' 噴射孔 40 基板台面 41 加熱手段 42 控制裝置 111,112,114 供應管 112' 氣體排出管 115 冷卻機 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公S ) 18 310977

Claims (1)

1. 經濟部tb-央標準局員工消費合作社印f. 19 B8 C3 08 六、申請專利範圍 一 ~ ---- 1. 一種光阻膜去除方法，丈輯 、符微為·在密閉系統内’在 塗佈於基板表面上之光阻肢 尤阻膜’從與該光阻膜對向配置 之光阻膜去除劑供應板’约笙 Θ等且連續地或斷續地供應 包含臭氣化氣體及光阻膜去峰 联舌给 >谷液之光阻膜去除劑以 去除該光阻琪之方法。 2. 如申請專利範圍第1項 項之先阻犋去除方法，其中臭氧 化氣體至少含有5莫爾％ ^ 3. 如申睛專利範圍第1項 阻膜去除方法，其中光阻 膜表面與光阻膜去除劑供廊 抖1之間的距離係1至5 mm 之間。 4. 如申請專利範圍第！項之光阻膜去除方法，其中分別 地或混合供應臭氧化氣體及光阻膜去除溶液。 5. 如申請專利範圍第] 視二九阻臈去除方法，其中臭氧 化氣體以1至5大盡嚴夕古麻在π 穴軋壓之问壓氣壓狀態供應。 6. 如申請專利範圍第i項之光阻膜去除方法，其中光阻 膜去除溶液，係選自飽和醇、綱、竣酸之不與臭氧反 應之有機溶劑所成組群。 7-如申請專利範圍第i項之光阻膜去除方法，其中光租 膜去除溶液之溫度及距基板上 mm以上之處溫度設定 比基板表面之溫度低。 8.如申請專利範圍第！項之光阻膜去除方法其中連績 地供應臭氧化氣體且斷續地供應光卩且膜去降容液。 9如申請專利範圍第！項之先阻膜去除方法以包含 在先㈣去除鋼供應柄基板間^電場而將光阻膜 310977 I I--------裝 i 線 (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁) 4 51335 Λ8 B8 CB D8 經濟部t央揉準局貝工消費合作社中策 六、申請專利範圍 去除落液成為微粒化的手段。 1 —種光阻膜去除H，係在裝備臭氧發生器及排氣處 理裝置的反應槽内，包含將表面具有光阻膜之基板加 以固定的基板台面及與上述基板台面對向配置之光阻 膜去除劑供應板之使用於申請專利範面第1項之方法 的光阻琪去除裝置’其特徵為：作為光阻膜去除劑之 臭氧化氧體及光阻膜去除溶液，係從設於光阻膜去除 劑供應板相同或不同之供應口連績地或斷績地供應於 基板表面β 11·如申請專利範圍第10項之光阻膜去除裝置，其中反應 裝置係由不銹鋼或聚四氟乙烯被覆之不銹鋼、聚四氣 乙烯樹脂、陶瓷或聚四釓乙烯被覆之陶瓷或此等之組 合所構成。 12. 如申請專利範圍第1〇項之光阻琪去除裝置， 化氣體至少含有5莫爾％。 13. 如申請專利範圍第項之光阻膜去除裝置， 混合臭氧化氣體與光阻膜去除溶液後才供應 14. 如申請專利範圍第i〇項之光阻膜去除裝置， 琪表面與光阻膜去除劑供應板之間的距離，係1至5mr 之間。 15. 如申請專利範圍第項之光阻膜去除裝置，其中包含 加熱基板台面之手段及/或冷卻光阻膜去除溶液之手 段。 16. 如申請專利範圍第1〇項之光阻膜去除裝置，其中臭氧 木紙張適用争國两家棣準（CNS)(21〇Χ297公釐) 其中臭氧 其中事先 其中光阻 ---------襄------ΐτ-------.€ (請先Μ讀背面之注意事項再琪寫本頁) 20 310977 ~、申請專利範圍 化氣體以1至5大氣壓 17 ^ ^ £之两壓氣壓之狀態下供應。 i7.如申諝專利範圍苐丨〇 ^ , 項之光阻膜去除裝置，其令光F」 联去除溶液係選自餉知 之古独& 醇'酮、羧酸之不與臭氧反應 有機溶劑所成之纟且群者。 申請專利範圍第】〇項之光阻膜去除裝置，其中包S 在光阻膜去除劑供應板與基板之間產生電場的手段。3 ---------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 娌濟部中央標準局員工消費合作社印$ -^097^