TW446757B - Improved techniques for etching an oxide layer - Google Patents

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TW446757B TW087120755A TW87120755A TW446757B TW 446757 B TW446757 B TW 446757B TW 087120755 A TW087120755 A TW 087120755A TW 87120755 A TW87120755 A TW 87120755A TW 446757 B TW446757 B TW 446757B
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Giao Quynh Bui-Le
John Arima
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Lam Res Corp
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附仵三：第87120755號專利申請栗 中文說明書修正頁(含元件符號對照表)‘ 民國90年1月呈
五、發明說明（1 ) 發明背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於積體電路（I C )及平面顯示器之製備 。定言之，本發明係關於在半導體裝置製程期間蝕刻穿透 基板之含二氧化矽層的改良方法及裝置。 在半導體裝置製造時，可以設置，圖樣化，及蝕刻不 同層已在基板（億級|玻璃平板或半導體晶圓）上形成所 要之結構。在一些半導體裝置裡，通常使用氮化鈦作爲蝕 刻含二氧化矽之底層期間的蝕刻終止層或作爲抗反光塗層 (ARC)。例如，當T i N層用於含二氧化矽層（如 PETE 0S (電漿增強之四乙基原矽酸鹽），BSG ( 摻硼之矽酸鹽玻璃），USG (未摻硼之矽酸鹽玻璃）， B P S G (硼磷矽酸鹽玻璃）或相似物）底下時，T _ i N 物質可做微晶通道蝕刻穿透含二氧化矽層期間的蝕刻終止 物。其後，T i N物質可以作爲接續放置之鎢或鋁栓及任 何金屬底層（例如銅或鋁）之間的障礙物或黏附物質。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲利於說明起見，第1圖係顯示基板之一些說明用層 的剖面圖。請參考所附之圖式，注意，在所示各層上方， 下方或之間可以存在其它額外層。此外，並非所有示出的 層必定要存在而一些或全部可由其它不同層取代。第1圖 中顯示一底層1 0 2 ，其代表任何或一種可置於基板上之 T i N層底下的層。例如，底層1 0 2可以代表基板本身 或可以代表在放置T i N層1 0 4前接續放置並蝕刻的層 a T i N層1 〇 4顯示放置於底層1 〇 2及接續放置之含 二氧化矽層1 0 6之間。雖然第1圖之層爲放大以利於說 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - 446757 A7
在一些情況裡，通常想要向下蝕刻穿透含二氧化矽層 1 0 6至含二氧化矽層1 0 6和τ 1 N層1 〇 4之間的介 面而完全蝕刻穿透T i N層1 〇 4。在這些情況裡， T i N層1 0 4可以作爲蝕刻終止層，亦即想要在T i N 層1 0 4被蝕刻穿透前終止蝕刻。隨著半導體裝置密度日 益增加，使用習知蝕刻技術經含二氧化矽層1 0 6蝕刻而 不破壞T i N底層1 〇 4乃日益困難。其原因爲T i N層 在現代高密度半導體裝置內通常相當薄，因爲較薄的 Τ ί N對於高密度裝置製造商而言更具生產力。 在習知技藝裡，氧化物層（即，含二氧化矽的層）的蝕刻典型係利用CxFy 化學方式（例如c F 4，C 2 F s，C F 8，或相似方式）完成= C X F Y化學方式主要因其蝕刻穿透氧化層的速度高而被選 擇。以其爲例，習知技藝C X F γ化學方式典型以大於約每 分鐘2，000埃的速度蝕刻穿透氧化物層。亦即，習知 技藝CxFY化學方式也已相當顯著的蝕刻速度蝕刻Τ 1 Ν 物質。也就是說，C X F Y化學方式典型具有7比1到1 ◦ 比1的氧化物對T i Ν選擇度（亦即> C X F γ蝕刻穿透氧 化物物質是其蝕刻穿透T i N物質的7到1 0倍快）。 第2圖中，溝道1 0 8係蝕刻穿透含二氧化矽層 1〇6。T i N層1 0 4欲作爲蝕刻終止層並應已經在氧 化物蝕刻進行到底層1 0 2之前終止氧化物蝕刻°然而’ 習知技藝化學方式之低T i N選擇度則造成相當薄而能使 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -----tL·- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國囷家楳準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • 5 ** Λ46757 A7 B7 五、發明説明（3 ) 半導體裝置緊密結合的第2圖T i N層完全蝕刻穿透溝道 108。當TiN層未被留意地鈾刻穿透時，溝道1〇8 的底部可能存在不規則外觀帶進一步加工，這可能造成製 造裝置由於例如各層非意料性不對準而故障。爲利於說明 ，第3圖係顯示一多層氧化物結構3 0 0，其包括多層氧 化物層3 0 2。爲說明起見，多層氧化物層3 0 2包括厚 區域3 0 4及薄區域3 0 6，雖然各種厚度的其它區域也 可以存在於多層氧化物層3 0 2裡面。多層氧化物層 3 ◦ 2係置於T i N層1 0 4上，欲作爲鈾刻多層氧化物 層3 0 2期間蝕刻終止物。爲一致起見，底層1 0 2也示 於TiN層104底下。 在一些情況裡，想要同時在多層氧化物層3 0 2之厚 區域3 0 4及薄區域3 0 6裡得到通道。因爲薄區域 306較厚區域304薄，因此薄區域3 0 6內的通道蝕 刻可能在氧化物物質完全被蝕刻穿透前完成。如果氧化物 蝕刻一直繼續以利於厚區域3 0 4內通道的蝕刻，則習知 技藝CxFy化學方式之低氧化物對T i N選擇度可能不依 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再'¥寫本頁)
T 所要方式蝕刻穿透薄區域3 0 6內通道裡面的T i N物質 〇 另一方面，如果氧化物蝕刻步驟縮短以避免破壞薄區 域3 0 6內通道底下的τ i N物質，則穿透多層氧化物層 3 0 2之厚區域的通道可能無法完全被蝕刻穿透。顯然’ 習知技藝化學方式之低氧化物對T i N選擇度在蝕刻現代 高密度I C之多層氧化物層時造成各種問題。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） _ 6 _ 446757 Λ7 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) 以前述觀點觀之，係需要一種在半導體裝置製造期間 蝕刻穿透氧化物層的改良技術。經改良之技術較佳提供高 氧化物對T i N選擇度以實質地降低氧化物蝕刻期間對 T i N底層的破壞。 發明槪要說明 本發明，在一具體實施例裡，係關於一種在電漿加工 室內蝕刻基板的方法。基板在其上具有一置於丁 i N層上 方之含二氧化矽層。該方法包括在電漿加工室裡定位基板 。這也包括使包含CO，CHF3，氖及N2的蝕刻劑來源 氣體流入電漿加工室。此外，也包括在電漿加工室裡面形 成除蝕刻劑來源氣體外的電漿以使含二氧化矽層進行蝕刻 〇 經濟部中央檩準局員工消費合作衽印製 在另一具體實施例裡，本發明係關於一種避免在電漿 加工室裡蝕刻多層含二氧化矽層的同時破壞Τ ί N底層的 方法。多層含二氧化矽層係置於基板上之T i Ν層的上方 。多層含二氧化矽層係包括薄區域及厚區域。該方法包括 在含二氧化矽層上方形成一光抗蝕罩。光抗蝕罩在其中於 薄區域上方具有第一通道切口（ via opening )而於厚區域 上方具有第二通道切口。 方法進一步地包括將基板（包括光抗蝕罩）置入電漿 加工室。這也包括使包含CO，CHFs，氣及N2的蝕刻 劑來源氣體流入電漿加工室。此外，也包括爲電漿加工室 的電極提供電力，以形成除蝕刻劑來源氣體外的電漿，藉 -7- (請先閲讀背面之注意事項再#寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 446 7 57 A7 A7 B7 五、發明説明（5 ) 以經由第一通道切口及第二通道切口進行多層含二氧化碎 層的蝕刻。在蝕刻期間，C 0，C H F 3，氖及N 2的流速 係爲使薄區域內多層含二氧化矽層完全被蝕刻穿透而不破 壞多層含二氧化矽層之薄區域底下T i Ν層者。 在又一具體實施例裡，本發明係關於一種形成積體電 路的方法》該方法包括提供一半導體晶圓，該晶圓其上具 有一置於T i_N層上方之含二氧化矽層。也包括將半導體 置入電榮加工室。此外，也包括使包含C〇，CHFs，氣 及N 2的蝕刻劑來源氣體流入電漿加工室。另外，也包括在 電漿加工室裡面形成除蝕刻劑來源氣體外的電漿以使含二 氧化矽層進行蝕刻。 本發明之這些及其它特徵將可從下列之本發明內容詳 細說明及其所附圖式顯而易知。 圖式之簡要說明 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 爲了進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請詳細參 閱以下有關本發明之說明，其實施例及所附之圖式，然而 該實施例僅供參考與說明，非爲對本發明做任何限制者。 爲利於說明，第1圖係顯示基板之一些說明用層（包 括含二氧化矽層及T i N底層）的剖面圖。 在第2圖中，係經由第1圖之含二氧化矽層蝕刻一溝 道。 第3圖係顯示一說明用多層氧化物結構，包括多層氧 化物層。 -8 - (請先閱讀背面之注意事項再^寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 4 46 75 7 H u 卜 a? r----------- _B7 $ a丄二 I 五、發明說明（6 ) ------- 第4圖係顯示三極管型電漿加工系統，其代表一種適 合以本發明C 0 / C H F 3 /氖/ N 2蝕刻劑來源氣體使用 的電漿加工系統。 第5圖係顯示本發明之一具體實施例，其步驟包括蝕 刻在T i Ν層上方具有氧化物層的基板。 元件對照表 經濟部智慧財產局員工消費合泎达中纪 4 0 2 加 工 系 統 4 0 4 室 4 〇 6 上 電 極 4 0 8 下 電 極 4 1 0 璋 4 1 2 孔 4 1 4 基 板 4 2 0 R F 電 源 4 2 2 接 地 陽 極 4 5 0 排 出 場 5 0 2 步 驟 5 0 4 步 驟 5 0 6 步 驟 1 0 2 底 層 1 0 4 層 1 0 6 含 二 氧 化 矽 層 3 0 2 多 層 氧 化 物 層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r 裝 i 丨-Ί---訂________- 本紙張尺度適用中画國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 - 446757 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ______B7_五、發明說明¢:¾ ) 3 0 4 厚區域 — 3 0 6 薄區域 5 0 0 開始 5 0 8 結束 3 0 0 多層氧化物結搆 10 8 溝通 較佳具體實施例的詳細說明 本發明將以數個較佳具體實施例及其所附圖式做參考 而詳細地說明β下列說明中，描述數個特定細節以達徹底 瞭解本發明之意。然而，對於熟習該項技藝者而言，根據 上述說明可能對該具體實施例做部分變更或修改，卻未脫 離本發明之精神範疇。 根據本發明之一觀點，上述T 1 N破壞組織實質上係 由以新穎化學方式（包括電漿加工系統內CO，CHF3， 氖及N 2 )蝕刻氧化物層（亦即含二氧化矽層）而減輕其程 度。在一較佳具體實施例裡，係採用本發明之化學方式來 石科穿透三極管型電漿加工系統，例如加州Lam Research 公司出品的L a m 9 5 Q 0 τ M電漿加工系統內的氧化物 層。然而，想要的作法是，使用C 0 / C H F 3 /氖/ N 2 的本發明氧化物蝕刻技術可以在已知的電漿加工裝置，包 括但不限於乾蝕刻，電漿蝕刻，反應性離子蝕刻，磁性強 化反應性離子蝕刻，電子迴旋加速器共振蝕刻，或相似技 術所採用的裝置內進行。注意，不論供應給電漿的能量是 否經由電容耦合平行電極板，經由E C R微波電漿源，+或 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .-11--^----訂------I I . 木紙張尺度適用尹國®家標準（CNS)A4規格（210 X 297公袭） 一*Η 446757 A7 B7 五、發明説明（7 ) 經由感應耦合源，例如螺旋體，螺旋共振體，及變壓器、 耦合源（平面式或非平面式）輸送。這些加工系統之中， 可爲許多公司（包括上述Lam Research公司）的市售品。 爲利於說明起見，第4圖係顯示一三極管型加工系統 402 ’其代表一種適合以本發明CO/CHF3/氖/ 蝕刻劑來源氣體使用的電漿加工系統。請參考第4圖， 三極管型電漿加工系統4 0 2係包括室4 0 4。在室 404裡面，放置一上電極406及下電極408。在第 4圖的聚體實施例裡，上電極4 0 6表示一組合電極/氣 體分佈板機制，經由該機制，由埠4 1 0進入的蝕刻來源 氣體係經孔4 1 2分佈進入室4 0 4。 在下電極4 0 8上方，係設置一基板4 1 4，表示利 盧一波平面板或其上具有欲蝕刻之氧化物層的半導體晶圓 。上電極4 0 6及下電極4 0 8係由RF電源4 2 0提供 電力驅動，該RF電源係經由適當吻合及/或電容阻斷網 路（傳統構件而且爲簡化起見未示出）提供調頻（R F ) 電源給電擊。在一具體實施例裡，R F電源4 2 0的頻率 範圍係爲大約1356千赫，雖然其它適合的RF頻率 範圍也可以採用。 在上電極4 0 6和基板4 1 4之間，係設置一接地陽 極4 2 2。在第4圖的具體實施例裡接地陽極4 2 2代表 一接地中空陽極，亦即，其中具有數個孔或像差的接地桿 。在電漿蝕刻期間，接地陽極4 2 2係藉由使離子更均勻 分佈於基板4 1 4表面上’幫助改良基板4 1 4上的餓刻 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X 297公釐） _ 1 〇 _ 請 先 閱 面 之 注 意 項
頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4467 5 7 A7 ___B7_ 五、發明説明（8 ) 均勻度。 爲了準備氧化物鈾刻，係將其上具有置於T i N層上 方之氧化物層的基板放入室4 0 4並定位於下電極4 0 8 的頂部。然後，使本發明C 0 / C H F 3 /氖/ N 2蝕刻劑 來源氣體流經埠4 1 0。當RF電源施予上電極4 0 6及 下電極4 0 8時，遠端電漿團係撞擊於上電極4 0 6及接 地陽極4 2 2之間，而反應性離子蝕刻（R I Ε )電漿團 則在接地陽極4 2 2及基板4 1 4之間的區域裡面引燃， 以蝕刻基板4 1 4的露出表面。反應係產生揮發性副產物 ，然後經由排出埠4 5 0排出·'氧化物蝕刻步驟在以達預 定時間後或在適當監測裝置（例如光學波長偵測器）偵測 到氧化物物質以備蝕刻穿透時終止。 在不被理論受限下，咸信氧化鈦形成在T i Ν表面上 係促成本發明C 0/C H F 3 /氖/ N2蝕刻技術之氧化物 對TiN的高選擇度。或者或除此，咸信，CHF3， C〇2，C0F2及S i F4之間的反應係產生CF2， C Fx及CHFx聚合物。所形成之聚合物（咸信爲氟碳化 物或氫氟碳化物）其中一些可能在氧化物蝕刻期間阻斷底 層T i N層蝕刻。當此阻斷現象發生時，某程度地延滯 T i N腐蝕。或者或除此，咸信氧化物物質在通道被移除 而且T i N物質露出至反應性物種，鈦將濺射至通道的側 壁並催化聚合物形成以阻斷T i N蝕刻。或者或除此，咸 信氖係在控制R I E滯後時扮演一重要角色（亦即，減小 基板之開放區域內蝕刻速度相對於狹窄區域內蝕刻速度的 本紙張尺度適用中國國家ϋ ( CNS ) A4規格（210X297公釐〉 .-11. " (請先閱讀背面之注意事項再'€k本頁) -.1. 訂 446757 A7 ___B7 五、發明説明（9 ) 差異）。咸信N 2係有助於移除聚合物殘餘物並亦相信在 RIE 滯後控制方面扮演一重要角色。 實施例
在一實施例中，將其上具有6 〇 〇埃厚T i N層及 7，000埃厚和14 ，000埃厚之多層PETEOS 層的8吋晶圓置入上述L am 6.5 0 〇TM電漿加工系 統內。表1係顯示氧化物主要蝕刻步驟，而在一相同晶圓 上蝕刻穿透氧化物層所用的適當參數。 (請先聞讀背面之注意事項再.域寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 適當範圍 較佳範圍 較佳蟪______一- 時間（秒） 80-120 90-110 100 ___ CHF3 流（seem) 35-65 45-55 50 _____ CO 流（seem) 25-45 30-40 3 5 ____ 氖流（s c c m) 180-220 190-210 200 ___ N 2 流（s c c m) 20-40 25-35 - 上電極溫度（°C ) 15-25 18-22 20 ______________— 下電極溫度（°C ) 8-16 10-14 12___一 電源（瓦數） 400-700 500-600 55〇_____-- 壓力（毫焦耳） 125-175 140-160 150__一 ir 表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -12 - 446757
B 五、發明説明（ίο ) 表2係說明氧化物蝕刻步驟，而在一相同晶圓上餓刻 穿透氧化物層所用的適當參數。 適當範圍 較佳範圍 較佳値 時間（秒） 80-120 90-110 100 CHF3 流（seem) 20-40 25-35 30 C〇流（seem) 40-70 50-60 55 氣流（seem) 180-220 190-210 200 N 2 流（s c c m) 20-40 25-35 30 上電極溫度（°C ) 15-25 18-22 20 下電極溫度（°C ) 8-16 10-14 12 電源（瓦數） 400-700 500-600 550 壓力（毫焦耳） 125-175 140-160 150 表2 (諳先聞讀背面之注意事項#..-.极寫本頁) -訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第5圖係顯示本發明之一具體實施例，其步驟包括蝕 刻在T i N層上方具有氧化物層的基板。在步驟5 0 2裡 ，係設置一其上具有置於T1N層上方之氧化物層的基板 並將其定位於電漿加工室中。在步驟5 0 4中，係使用本 發明C 0/CHF3 /氖/ N2化學方式蝕刻氧化物層。在 一具體實施例裡步驟5 0 4所用的參數實質上與表1和.2 所示者類似。然而，所揭示之參數可以最佳化及/或改變 至符合特別基板大小，特別氧化物層（組成及厚度二者） ，特別T i N層（組成及厚度二者）及/或特定電漿加工 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -13- 446757 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五 、發明説明 (11 ) 系 統 的 需 求 〇 在 步 驟 5 0 6 中，基板可以進行另 外 的 傳 統 加 工 步 驟 0 奇 後 經 尾工 的 基板可以加工成之後製程1 C 1 ί片 的 d 1 e 或 加 工形 成 平面顯示器。所得一 或 多 個 I C 晶 片 平 面 顯 示 器 可 以接 著 倂入電子裝置，例如 任 何 已 知 之 市 售 或 消 費 者 電 子 裝置 ) 包括數位電腦。 本 發 明 C 0 / CHF3 /氖/1^2蝕 刻 化 學 方 式 在 — 進 行 的 實 驗 中 有利 地 獲得相對於習知技藝 C x F Y 化 學 方 式 高 氧 化 物 對 T i N ΪΒΒ 擇度。掃瞄電子顯微 鏡 ( S E Μ ) 光 學 顯 微 凸 顯 是 ，氧 化 物對T i N選擇度可 大 於 大 約 5 0 比 1 或 甚 至 大於大約 6 0比1。此可見相較於使用習知技 藝 C X r化學 :方式 所 :觀得之典型7比1到 1 0 比 1 的 氧 化 物 對 T i N 培 擇度 具 有明顯的改良。 此 外 S E Μ 光學顯微圖的分析顯 示 > 可 以 達 成 筒 氧 化 物 對 T i N選 擇 度而不用折衷適當蝕刻剖面 ( profile ) i 臨 界 空 間 大小 ( C D )控制，R I E 滯 後 對 光 抗 蝕 塗 層 的 選 擇 性 ，及 / 或其餘控制如熟習 此 項 技 藝 者 所 知 > T i N 底 層 在氧 化 物蝕刻顆期間由於高 氧 化 物 對 T 1 N 々Be m 擇 度 之 故 而 被有 利 地保護。此外，高氧 化 物 對 T i N 擇 度 有 利 於 氧 化物 蝕 刻期間達高程度的透 孔 蝕 刻 〇 擴 大 透 孔 蝕 刻 的 能 力 在蝕 刻 多層氧化物層時是有 利 的 因 爲 其 保 護 薄 氧 化 物 區 域內 通 道裡面的T i N物質 而 允 許 多 層 氧 化 物 層 之 厚 丨品 域 內的 氧 化物物質被完全蝕刻穿透。 上 述 之 具體 實 施例係用以詳細說明 本 發 明 之 S 的 特 請 間 讀 背 之 注 意 事 項 % 本 頁 訂 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS) A4規格（210X 297公釐） -14- 446757 A7 B7 五、發明説明（Ί2 ) 徵及功效，對於熟習該項技藝者而言，根據上述說明可能 對該具體實施例做部分變更或修改，而未脫離本發明之精 神範疇，故，本發明之專利範圍僅由附錄之申請專利範圍 加以定義。 〔請先閲讀背面之注意事項再^寫本頁) 、-& 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2i Ο X 297公釐） _ 15 -

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 _AJU 附件一A:第87 120755號專利申請案 敝ί· i〇. 中文申請專利範圍修正本 民國和年/月修正 1 .—種在電漿加工室內蝕刻基板的方法’該基板在 其上具有一置於T i N層上方之含二氧化矽層，該方法包 括： 在該電漿加工室裡定位該基板； 使包含C 0 > C H F 3，氖及N 2的蝕刻劑來源氣體流 入該電漿加工室；及 在該電漿加工室.裡面形成除該蝕刻劑來源氣體外的電 漿，以使該含二氧化矽層進行蝕刻，其中該C H F 3對該 CO的流速爲1 . 1到1 . 8，該CHF3對該氖的流速爲 ◦ . 2到0 · 3，及該C H F 3對該N 2的流速爲1 . 5到 2.0。 2 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該基板係爲 半導體晶圓》 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該基板係爲 玻璃面板。 4 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該含二氧化 砍層代表一四乙基原砍酸鹽（Τ Ε 0 S )層。 5 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該蝕刻劑來 源氣體基本上包括CO，CHF3，氖和ν2。 6 .如申請專利範圍第5項之方法，其中該電漿加工 室代表一其中具有接地中空陽極的三極管型電漿加工室° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 1 了 1 : ' "" ----------f ----- I I--mil — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 446757
    痤齊讨1 opivj 肖 乍Fi,f 驭 .. ίιΙΗϋϋιΗΓ- 8.—種避免在電漿加工室裡蝕刻多層含二氧化矽層 的同時破壞T i N底層的方法，該多層含二氧化矽層係置 於基板上之T i N層的上方，該多層含二氧化矽層包括薄 區域及厚區域，該方法包括： 在多層含二氧化矽層上方形成一光抗蝕罩1該光抗蝕 罩在其中於該薄區域上方具有第一通道切口（ Via opening )而於該厚區域上方具有第二通道切口； 將該基板（包括該光抗蝕罩）置入該電漿加工室； 使包含CO，CHF3，氖及Ns的蝕刻劑來源氣體流 入該電漿加工室；及 爲該電漿加工室的電極提供電力，以形成除該餘刻劑 來源氣體外的電漿，藉以經由該第一通道切口及該第二通 道切口進行該多層含二氧化矽層的蝕刻，該C0 ’ CHF3 ，氖及的流速係爲使該薄區域內之該多層含二氧化砂層 完全被蝕刻穿透而不破壞該多層含二氧化砂層之該薄區域 底下T i N層者。 9 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該蝕刻劑來 源氣體基本上包括CO，CHF3 ’気和Ns。 1 ◦.如申請專利範圍第9項之方法，其中該C H F 3 對該C 0的流速爲〇 . 4到0 . δ ° 1 1 ,如申.請專利範圍第9項之方法，其中^ C H F 3 對該氣的流速爲Q . 1到〇 . 2 本紙張尺度適用中圏固家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发)"""""""""~ """"""" n n n I «I n 1· n 1 r— I n n n^*eJa 1 n I n I ^ 广 _ (請先閱讀背面之注意事項#i氣寫本頁) 4467 5 7
    六、申請專利範圍 1 2 .如申請專利範·圍第9項之方法中該C H F 3 對該Ν 2的流速爲0 . 8到1 . 4。 1 3 .如申請專利範圍第9項之方法，其中該電漿加 工室代表一其中具有接地中空陽極的三極管型電漿加工室 1 4 如申請專利範圍第8項之方法，其中該基板係 爲半導體晶圓。 1 5 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該含二氧 化砍層代表一四乙基原政酸鹽（Τ Ε 0 S )層。 1 6 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該基板代 表一形成積體電路（1C)用的基板。 1 7 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該基板代 表一形成平面顯不器用的基板。 —1 8 . —種形成積體電路的方法，其包括： 提供一半導體晶圓，該晶圓其上具有一置於T i Ν層 上方之含二氧化矽層； 將該半導體置入該電漿加工室； 使包含C 0 ’ C H F 3，氖及N £的蝕刻劑來源氣體流 入該電漿加工室：及 在該電漿加工室裡面形成除該蝕刻劑來源氣體外的電 漿，以使該含二氧化矽層進行蝕刻、 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該蝕刻 劑來源氣體基本上包括CO ’ CHF3，気和Ν2。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ ί VI i I 1 [ I - — — — — III — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）-3 -
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