TW445505B - Semiconductor manufacturing device - Google Patents

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A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 4455 0 5 五、發明說明（1 ) 【技術領域】 本發明係有關於磊晶成長裝置等的半導體製造裝 置。 【背景技術】 以往的半導體製造裝置，乃舉出有將用來形成晶 圓之搬送路徑的搬送室連結到具有例如將作為被處理 體之半導體晶圓導入之晶圓導入口的處理室的磊晶成 長裝置等。而在該搬送室内設有具有與晶圓導入口連 通之通路的晶圓導引構件（被處理體導引部）a又， 該習知裝置則備有可以開閉該晶圓導引構件之通路的 開閉機構。 開閉機構’例如具有門部、與設有被連結到該門 部，而可以伸縮之活塞桿的壓缸。門部則具有已形成 有開口在晶圓構件之面向開口面側的面之環狀溝的門 本體。又，在環狀溝則收容有作為環狀之密封構件的〇 型環。 該習知裝置，則讓氣壓缸的活塞桿伸長，使門部 朝著晶圓導引構件的開口面侧移動，直 到晶園導引構件的開口…，藉此，可以=: 而封住通路。 【發明的揭露】 本發明人等針對上述習知裝置詳細地檢討的檢 査’發現以下所示的問題點。亦即，當關閉門部時， 本紙張尺度適用中國固家標準&NS)A4規格{21〇Ti5f^r 1--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -2· 445^〇5

經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（2 若門本體相對於晶圓導引構件的開口側傾斜時，則外 側部分會有可能從門本體中之環狀溝的開口接觸到晶 圓導引構件。 特別是，當被安裝在門本體的0型環的線徑小 時’則該部分會使得關上門部時的門本體與晶圓構件 的間隔（Clearance)變小，因此，門本體容易接觸到 晶圓導引構件。此時，當門本體以及晶圓導引構件均 是由金屬製成時，則由兩者的接觸而產生的金屬粉會 流入到處理室内，而有造成晶圓之金屬污染之顧慮β 在此’本發明即有鑑於該情況，其目的在於提供 一種在對用於開閉將被處理艎導入到處理室内之通路 實施開閉時，能夠充分地防止門本體與被處理體導引 部發生接觸的半導體製造裝置。 為了要達到上述目的，本發明之半導體製造裝置， 其主要係針對一備有處理室，具有將被處理體導入到 該處理室内之.通路的被處理體導引部，以及具有可開 閉該通路之門部的開閉機構的半導體製造裝置，其特 徵在於：上述門部具有開口在上述通路之面向開玟端 的面的環狀溝，且在形成該環狀溝之開口的外側緣部 的外侧形成倒角部的門本體及被收容在上述環狀溝 内’而呈環狀的密封構件。 換言之’本發明之半導體製造裝置，其主要係針 對一備有處理室具有將被處理體導入到該處理室内之 通路的被處理體導引部，以及具有可開閉該通路之門 本紙張尺錢財固四象標準（CNS)A4規格（210: 297 公* ) —----；----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 經濟部智慧財產局貝工清费合作社印製 4455〇5 五、發明說明（3 ) 部的開閉機構的半導趙製造裝置，其特徵在於：上述 門部具有開口在上述通路之面向開放端的面的環狀 溝，且在形成該環狀溝之開口的外侧緣部的外侧形成 倒角部的門本體及；被收容在上述環狀溝内，而呈環 狀的密封構件，而在門本體，在從環狀溝之形成開口 的外侧緣部開始到外侧的部分則形成倒角部。 對於具有如此之構造的半導體製造置而言，由於 在從形成設在門本體之環狀溝的開口的外側緣部到外 側的部分形成有倒角部，因此在開閉門本體之際，即 使門本體相對於被處理體導引部的開口面稍微地傾 斜’從門本體令之環狀溝的開α到外侧的部分，則幾 乎不會與被處理體導引部發生接觸。 又’上述環狀溝係由底面、内侧侧面以及外侧側 面所形成上述内側側面具有從上述環狀溝之形成開口 的外侧緣部開始，朝向上述門本體的内側，且相對於 該門本體的側面呈斜向延伸的領域 而上述外側侧面，具有從上述環狀溝之形成開口 的外側緣部開始，朝向上述門本體的外側，且相對於 該門本趙的側面呈斜向延伸的第1領域、與從該第1 領域開始’大約與上述門本體的側面呈平行延伸的第 2領域。 亦即’本發明之半導體製造裝置，最好環狀溝係 由底面、内侧侧面以及外侧侧面所形成， * 上述内側侧面具有從上述環狀溝之形成開口的外側緣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規‘ (210、297公笼〉 l!q--------訂-------ίάό------------------- <請先S讀背面之注意事項再ί寫本頁) -4- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 H； 445 五、發明說明 部開始’朝向上述門本體的内側，且相對於該門本鱧 的側面呈斜向延伸的領域，而上述外侧側面，具有從 上述環狀溝之形成開口的外側緣部開始，朝向上述門 本體的外側，且相對於該門本體的侧面呈斜向延伸的 第1領域、與從該第1領域開始，大約與上述鬥本艎 的侧面呈平行延伸的第2領域。 如此一來，由達成開閉機構的小型化的觀點來 看’即使是減小門本體的外形尺寸，也能夠防止環狀 的密封構件從環狀溝被祓出。又，在與門本體的侧面 之間’也可以形成具有所希望之肉厚的較大尺寸的環 狀溝。藉此，密封構件可以使用線徑較大（粗）者β 藉此’關閉門時的門本體與作為被處理體導引部之晶 圓導引構件的間隔可以加大。結果，更可以有效地防 止門部在開閉時之門本體與被處理體導引部發生接 觸。 【圈式簡單說明】 第1圓係表本發明之半導體製造裝置之最佳之一 實施形態之構成的模式斷面圖，乃概略地表示磊晶成 長裝置。 第2圖係表本發明之半導體製造裝置之最佳之一 實施形態之主要部分的放大斷面圖，係表笋1圖之晶 圓導引構件以及開閉機構的說明圊。 第3圖係表本發明之半導體製造裝置之最佳之一 實施形態之其他之主要部分的立體圖，係表第2圖所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

----------IQ {精先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4455 05 A7 _；_— B7 五、發明說明（5) 示之門部的說明圖， 第4圖係表本發明之半導體製造裝置之最佳之一 實施形態之又一其他主要部分的斷面圖，係表第2圖 中之形成在門本體之環狀溝的說明圖。 第5A囷係表藉由驅動第2圖所示的壓缸來打開 門部之狀態的說明圖、第5B圓係表藉由驅動同一個， 壓缸來關閉門部的狀態的說明圖。 【圊式符號說明】 1 產晶成長裝置 2 處理室 3 支撐器 4 支撐軸 5 晶圓導入口 6 搬送室 7 通路 8 晶圓導引構件 8a 開口面 8b 連結用突出部 9 開閉機構 10 門部 11 壓缸 11a 壓缸管 lib 活塞桿 12 門本體 13 環狀溝 13a 底面 13b 外側側面 13c 内侧側面 13f 外側緣部 Fo 第1領域 So 第2領域 14 〇型環 15 倒角部 【實施發明之最佳的形態】 以下請參照所附圖面詳細地說明本發明之最佳的 實施形態》在圖面的說明中’相同的元件則附加相同 t I - n n - ί - n I tp 1 I · I ϋ n t ( 1· I I n I I I I l - - I ϋ n - - n Ϊ I I I ! {請先閲讀背面之注項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ,6. 4455 Ο 5 Α7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 __Β7___ 五、發明說明（6 ) 的符號，省略其詳細的說明。又，有關上下左右等的 位置關係，則並未特別規定，而係根據圖面之上下左 右等的位置關係。 第1圖係表本發明之半導體製造裝置之最佳之一 實施形態之構成的模式斷面圖β作為半導體製造裝置 的磊晶成長裝置1係一可以對作為被處理體的矽晶® 一次一個地實施成膜處理的頁片式的裝置。該磊晶成 長裝置1，則備有一在内部設置了於其上面載置有晶 圓ff之圓盤狀的支撐器3的處理室2。支撐器3,則 藉由支撐軸4，從背面側，以三點呈水平地被支撐。 將晶圓W載置在該支撐器3上，在藉由加熱燈（未 圖示）來加熱晶圓W的狀態下，當將SiHCl3氣體或 SiH2C12氣體等的反應氣體供給到處理室2内時，則 該反應氣體會以層流的狀態，沿著晶圓W的表面流 動，而在晶圓W上讓矽的單結晶作磊晶成長，而形成 薄膜。 又1在處理室2之側壁的一定部位，則形成有可 從侧方將晶圓W導入到處理室2内的晶圓導入口 5 » 該晶圓導入口 5的開口寬度，則較晶圓W的外徑為大。 亦即1晶圓導入口 5，則如可讓圓盤狀的晶圓W通過 般地’使在垂直方向斷面（鉛直斷面）中的形狀延伸 於水平方向（橫方向；在第1圖中之紙面直交方向） 的矩形（長方形）。 更者’在處理室2的側壁，則連結有朝侧方延伸，

本紙張尺度適用甲國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------!i!Q. (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁)

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而形成晶圓W之搬送路徑的搬送室6 v晶因w，則藉 由未圖示的搬送機械臂，在搬送室6内，朝著圖示之 箭頭A方向被搬送》 在搬送室6内，則設有一具有與晶圓導入口 5連 通之通路7的金屬製的晶圓導引構件8(被處理體導 引部）。該晶圓導引構件8，則從處理室2的側壁突 出到侧方。又，晶圓導引構件8之前端的開口面8巳 (與處理室2側呈相反側的開放端面），則相對於晶 圓W的搬送方向A傾斜。 另一方面，在晶圓導引構件8的基端部（在處理 室2側的端部），則設有連結用突出部8t)。晶圓導引 構件8，則是在其連結用突出部8b被插入到在搬送 室6中在處理室2側的端部所形成的凹部6a内的狀 態下，被固定在處理室2的侧壁》 經濟部智慧財產局異工消費合作社印製 此外’通路7 ’則對應於晶圓導入口 5，如可讓 圓盤狀的晶圓通過般地，使在垂直方向斷面（鉛直 斷面）中的形狀延伸於水平方向（橫方向，第1圖中 的紙面直交方向）的矩形（長方形）。亦即，晶圓導 入口 5以及通路7具有大約同等的斷面形狀。 該晶圓導引構件8的通路7，則藉由開閉機構9 而開閉β開閉機構9具有門部1 〇 ,以及用來驅動該 門部1 0的壓缸11。在此，第2圖係表晶圓導引構件 8以及開閉機構9的放大斷面圖，第3圖係表開閉機 構9之門部1 〇的立趙圖。

本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公楚） 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 -^5505 Μ 445 ο 〇 . 、 A/ _______Β7__ ___ ____ 五、發明說明（、） 在同一圖中’門部1〇具有呈矩形之金屬製的門 本趙12 ’其外形尺寸，則較晶圓導引構件8的開口 部為大’且較開口面8 a的外形尺寸為小。又，在門 本體12的緣部附近，則形成有開口在晶圓導引構件 8的開放端’亦即在面向開口面8 a侧的面的環狀溝 13。更者’作為環狀之密封構件的〇型環14則被收 容在該環狀溝13内》 第4圖係表在第2圖中之門本體12所形成之環 狀溝13的斷面圖。環狀溝1 3係由底面13a、外側侧 面13b、以及内側侧面1 3c所形成（規劃）。外側側 面13b係由從形成環狀溝13之開口的外側緣部13f， 朝向底面13a側連績延伸的第1領域Fo以及第2領 域So所形成。 在該外側側面13b中的第1領域Fo，則是從外 侧緣部13 f，朝向門本體12的外側（門本體12的側 面1 2 b侧），且相對於其側面12 b斜向地延伸。又， 在外侧側面13b中的第2領域So，則從該第1領域Fo， ，朝向底面13a，而大略平行於侧面12b而延伸。 相對於此，内側側面13c，係由從形成環狀溝13 之開口的内側緣部13g，朝向底面13a側連續延伸的 第1領域Fi及第2領域Si所構成。 在該内側側面13c中的第1領域F i，則從内側 緣部13g，朝向門本體12的内側（門本體12的中央 部側），且相對於門本體1 2的侧面斜向地延伸。又， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） •mlllllll·--- I I . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----- 線. 9· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 45 5 0 5 五、發明說明（9 ) 在外侧側面1 3b中的第2領域s i，則從該第1領域F i， 朝向底面1 3a ’而大略與側面12b呈水平地延伸〇 如此般’在外侧侧面1 3b以及内侧侧面13c分別 設有第1領域Fo、F i，而環狀溝丨3，則從其開口（開 口端）’朝向底面13 a侧擴展般地被構成《藉此，被_ 收容在環狀溝13的0型環1 4，則很難從環狀溝1 3 被拔離而難以脫離。 又’環狀溝13的深度，則被設定成當將〇型環 14收容在該環狀溝13時，〇型環14的一部分會從環 狀溝13延伸出的尺寸（參照第2圖）。藉此，更能夠 防止0型環14從環狀溝13被拔出。 又，如此般分別由第1領域Fo及第2領域So、 以及第I領域F i及第2領域S i來形成外侧侧面13 b 以及内側侧面1 3c，藉此，即使是減.小.門本體1 2的 外形尺寸，也難以拔出〇型環，可以形成肉厚不會損 及門本體12之緣部的強度之較大尺寸的環狀溝13。 藉此，可以達到開閉機構9的小型化。 更者，此時，0型環14可以使用線徑較大（粗） 者4當將如此線徑大的0型環14安裝到門本體12時， 則在0型環14，從門本體12的開口面12a延伸出的 部分會變長。藉此，如第2圖所示’在關閉門1 〇， 而封住晶圓導引構件8之通路7的狀態下，可以增大 門本體1 2的開口面1 2a與晶圓導引構件8之開口面 8a之間隙。 本紙張尺度適用中國國家標本.(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁>

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五、發明說明（Π)) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 又’更者，當關閉門1 0時，則被收容在環狀溝 13内的0型環14，則會與晶圓導引構件8的開口面 8a密接（抵接）而被壓潰<•此外，上述的外側側面j化 以及内側側面13c，其中〇型環14申被壓溃的部分， 則形成不會與第2領域So、S i接觸。 又’可以不在内側侧面1 3 c設置第2領域s i , 而改將第1領域F i設成延長到底面丨3a為止。亦即， 内側側面13c的第1領域Fi可以設成從形成環狀溝 13之開口的内螂緣部1 3g到底面1 3a為止，朝向門 本體12的内側’且相對於門本體12的侧面丨2b呈斜 向延伸的形狀，例如斷面呈梯形。 更者，在門本體12的開口面12a，則在從形成 環狀溝1 3之開口的外側緣部13f到外側部分的整艘 形卷。該倒角部1 5，則例如被形成大約與 開口部12a部分和側面12b部分的倒角長度（切落長 度）相等。又’更者，在環狀溝1 3之外側側© 13b 與倒角部15之間，則可以確保不損及門本體13之緣 部之強度之程度的肉厚。 在此，則回到第1圖以及第2圖，讓門部12作 動的壓缸11，係由被安裝在搬送室6的壓缸管11a， 以及與門本體12連結的活塞桿11 b所構成《該壓缸 11例如可以使用空壓缸。 活塞桿11 b，則是一可以讓門本體12在晶圓導 引構件8的開口面8a與壓缸管11 a之間移動者，乃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------i.Qii (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) , I f I 丨 線ο. -11， 4455 Ο 5 Α7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

.^ 4455 4 45 5 〇 5 — 五、發明說明（12) 形成環狀溝1 3的外側侧面1 3b以及内侧側面丨3c， 即使減小門本體12的外形尺寸，由於可以安裝線徑 較大的0型環，因此，主要具有以下的作用效果。 亦即’當關閉門部1 〇時，即使門本體12的開口 面12a相對於晶圓導引構件8的開口面8a些微地傾 斜’門本雜12的緣部也幾乎不會接觸到晶圓導引構 件8。藉此’因為門本體12與晶圓導引構件8的接 觸而產生的金屬粉極少可能會流到處理室2内，能夠 充分地減低或抑制晶圓W的金属污染。 以上雖然是針對本發明之最佳的實施形態來加以 說明’但是當然本發明並不限定於該實施形態。例如， 外側側面以及内側側面，並不限於外側侧面13b以及 内側侧面13c，也可以是一從環狀溝i 3的開口（開 口端）延伸到底面為止整個地擴展而延伸的形狀等β 亦即，在上述的實施形態中，雖然是以如從環狀 溝13之開口（開口端）開始擴展般延伸的第1領域 Fo、F i以及從該第（領域Fo、F i開始，大略與側面 12b呈平行地延伸的第2領域So、Si來形成環狀溝13 的外側側面13b以及内側側面13c，但是並未特別限 定於此。_ 又，本發明也可以應用在除了磊晶成長裝置1以 外的半導體製造裝置，例如CVD裝置、乾蝕刻裝置等 要將被處理體導入到處理室内者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格（210 X 297公藿） f清先閱褙背面之注*事項再填寫本頁) V--------訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，13, 4455 Ο 5 Δ7 A/ _ Β7 ___ 五、發明說明（13) 【產業上之可利用性】 如上所述，根據本發明，在開閉門部時，可以防 止門本體與被處理體導引部發生接觸。藉此，可以充 分地防止或是抑制因為門本體與被處理體導引部的接 觸所產生的金屬粉流入到處理室内β藉此，能夠減低 被處理體的金屬污染。 -------------_____ (諝先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -n tt I 一-s’ n n n 1 it t * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • 14-

Claims (1)

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