KR20020010613A - 반도체 제조 장치 - Google Patents

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KR20020010613A
KR20020010613A KR1020017013660A KR20017013660A KR20020010613A KR 20020010613 A KR20020010613 A KR 20020010613A KR 1020017013660 A KR1020017013660 A KR 1020017013660A KR 20017013660 A KR20017013660 A KR 20017013660A KR 20020010613 A KR20020010613 A KR 20020010613A
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door body
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KR1020017013660A
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가즈요시 사이토
요우지 다카기
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조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Publication date
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Abstract

에피택셜 성장 장치(1)는, 처리 챔버(2)의 웨이퍼 도입구(5)와 연결된 통로(7)를 갖는 웨이퍼 가이드 부재(8)와, 통로(7)를 개폐하는 개폐기구(9)를 구비한 것이다. 개폐기구(9)는, O링(14)이 수용된 환형 홈(13)이 형성된 도어 본체(12)를 갖는 도어부(10)와, 이 도어부(10)를 구동하는 실린더(11)로 이루어진다. 또한, 도어 본체(12)의 개구면(12a)에 있어서, 환형 홈(13)의 외측 가장자리부(13f)로부터 외측 부분의 전체에는 모따기부(15)가 설치되어 있다. 이로써, 도어부(10)를 폐쇄할 때, 도어 본체(12)의 가장자리부가 웨이퍼 가이드 부재(8)에 접촉하는 것을 충분히 방지할 수 있다.

Description

반도체 제조 장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
종래의 반도체 제조 장치로서는, 예를 들면, 피처리체인 반도체 웨이퍼를 도입하기 위한 웨이퍼 도입구를 갖는 처리 챔버에, 웨이퍼의 반송로를 형성하는 반송 챔버가 연결된 에피택셜 성장 장치 등을 들 수 있다. 이러한 반송 챔버내에는, 웨이퍼 도입구와 연결된 통로를 갖는 웨이퍼 가이드 부재(피처리체 가이드부)가 설치되어 있다. 또한, 이와 같은 종래의 장치는, 그 웨이퍼 가이드 부재의 통로를 개폐하는 개폐기구를 구비하고 있다.
개폐 기구는, 예를 들면, 도어부(door)와, 이 도어부에 연결되며 신축가능한 피스톤 로드가 설치된 실린더를 가지고 있다. 도어부는, 웨이퍼 가이드 부재의 개구면과 대향하는 측면으로 개방되는 환형 홈이 형성된 도어 본체를 가지고 있다. 또한, 환형 홈에는 환형의 밀봉 부재인 O링이 수용된다.
이와 같은 종래의 장치에서는, 실린더의 피스톤 로드를 신장시켜, O링이 웨이퍼 가이드 부재의 개구면에 접촉하기까지 도어부를 웨이퍼 가이드 부재의 개구면측으로 이동시킴으로써, 도어부를 폐쇄하여 통로를 막게 되어 있다.
본 발명은, 에피택셜 성장 장치(epitaxial growth)와 같은 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 바람직한 일 실시예의 구성을 도시한 예시적인 단면도로서, 에피택셜 성장 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 바람직한 일 실시예의 주요부를 도시한 확대 단면도로서, 도 1에서의 웨이퍼 가이드 부재 및 개폐기구를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 바람직한 일 실시예에 있어서의다른 주요부를 도시한 사시도로서, 도 2에서의 도어부를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 바람직한 일 실시예에 있어서의 또 다른 주요부를 도시한 단면도로서, 도 2에서의 도어 본체에 형성된 환형 홈을 도시한 도면이다.
도 5a는 도 2에 도시한 실린더의 구동에 의해 도어부를 폐쇄한 상태를 도시한 도면이고, 도 5b는 상기 실린더의 구동에 의해 도어부를 개방한 상태를 도시한 도면이다.
본 발명자들은, 상술한 종래 장치에 대해 상세히 검토한 결과, 아래에 기술하는 바와 같은 문제점을 발견하였다. 즉, 도어부를 폐쇄할 때, 웨이퍼 가이드 부재의 개구면에 대해 도어 본체가 경사져 있으면, 도어 본체에 있어서의 환형 홈의 개구로부터 외측부분이 웨이퍼 가이드 부재에 접촉하게 되어 버릴 가능성이 있다.
특히, 도어 본체에 장착되는 O링의 선(線)지름이 작으면, 도어부를 폐쇄하였을 때 도어 본체와 웨이퍼 가이드 부재와의 간격(clearance)이 그 만큼 작게 되고, 이에 따라 도어 본체가 웨이퍼 가이드 부재에 접촉하기 쉬워진다. 이 때, 도어 본체 및 웨이퍼 가이드 부재가 모두 금속제인 경우에는, 양자의 접촉에 의해 발생한 금속가루가 처리챔버 내로 유입되어 웨이퍼의 금속 오염의 원인이 될 우려가 있다.
따러서, 본 발명은 상술한 바와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 피처리체를 챔버내로 도입하기 위한 통로의 개폐를 행하는 도어부를 개폐함에 있어서, 도어 본체와 피처리체 가이드부와의 접촉을 충분히 방지할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 반도체 제조 장치는, 처리 챔버와, 이 처리 챔버내에 피처리체를 도입하기 위한 통로를 갖는 피처리체 가이드부와, 상기 통로를 개폐하는 도어부를 갖는 개폐기구를 구비한 것으로서, 도어부가, 통로의 개방단과 대향하는 면으로 개방된 환형 홈을 가지며 또한 이 환형홈의 개구를 형성하는 외측 가장자리부에 모따기부가 형성된 도어 본체와, 환형 홈에 수용된 환형을 이루는 밀봉 부재를 갖는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명에 의한 반도체 제조 장치는, 처리 챔버와, 이 처리 챔버내로 피처리체를 도입하기 위한 통로를 갖는 피처리체 가이드부와, 통로를 개폐하는 도어부를 갖는 개폐기구를 구비한 것으로서, 도어부는, 통로의 개구와 마주보는 측면으로 개방되는 환형 홈을 갖는 도어 본체와, 환형 홈에 수용된 환형의 밀봉 부재를 가지고 있으며, 도어 본체에서 환형 홈의 개구를 형성하는 외측 가장자리부로부터 외측의 부분에는 모따기부가 형성되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 반도체 제조 장치에서는, 도어 본체에 설치된 환형 홈의 개구를 형성하는 외측 가장자리부로부터 외측의 부분에 모따기부가 형성되어 있기 때문에, 도어부가 개폐될 때, 도어 본체가 피처리체 가이드부의 개구면에 대해 다소 경사져 있더라도, 도어 본체에 있어서의 환형 홈의 개구로부터 외측의 부분이 피처리체 가이드에 접촉하는 일이 거의 없다.
또한, 환형 홈이 바닥면, 내측 측면 및 외측 측면으로 형성되어 있고, 내측 측면이 환형 홈의 개구를 형성하는 내측 가장자리부로부터, 도어 본체의 내측을 향해 그리고 도어 본체의 측면에 대해 경사지게 연장되는 영역을 가지며, 외측 측면이 환형 홈의 개구를 형성하는 외측 가장자리부로부터 도어 본체의 외측을 향해 그리고 도어 본체의 측면에 대해 경사지게 연장되는 제 1 영역과, 이 제 1 영역으로부터 도어 본체의 측면과 거의 평행하게 연장되는 제 2 영역을 가지는 것이 바람직하다.
즉, 본 발명의 반도체 제조 장치에서, 환형 홈은 바닥면, 내측 측면 및 외측 측면으로 형성되고, 내측 측면은 환형 홈의 개구를 형성하는 내측 가장자리부로부터 도어 본체의 내측으로 해당 도어 본체의 측면에 대해 경사지게 연장되는 영역을 가지며, 외측 측면은, 환형 홈의 개구를 형성하는 외측 가장자리부로부터 도어 본체의 외측으로 해당 도어 본체의 측면에 대해 경사지게 연장되는 제 1 영역과, 이 제 1 영역으로부터 도어 본체의 측면으로 거의 평행하게 연장되는 제 2 영역을 가지는 것이 바람직하다.
이렇게 하면, 개폐기구의 소형화를 도모한다는 관점에서 도어 본체의 외형 크기를 작게 한 경우라 하더라도, 환형의 밀봉 부재가 환형 홈으로부터 빠져나오는 것을 방지할 수 있다. 또한, 도어 본체의 측면과의 사이에 원하는 두께를 가진 비교적 크기가 큰 환형 홈을 형성할 수 있다. 따라서, 밀봉 부재로서 비교적 선지름이 큰(두꺼운)것을 사용할 수 있다. 이로써, 도어부를 폐쇄하였을 때의 도어 본체와, 피처리체 가이드부로서의 웨이퍼 가이드 부재와의 사이의 틈새가 커진다. 그 결과, 도어부의 개폐시에 있어서의 도어 본체와 피처리체 가이드부와의 접촉을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
이후, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 도면의 설명에 있어서, 동일한 요소에는 동일 부호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 상하 좌우 등의 위치 관계에 대해서는 특별히 한정하지 않는 한 도면의 상하 좌우 등의 위치 관계에 기초한 것으로 한다.
도 1은, 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 바람직한 일 실시예의 구성을 도시한 예시적인 단면도이다. 반도체 제조 장치로서의 에피택셜 성장 장치(1)는, 피처리체인 실리콘 웨이퍼를 1장씩 막형성 처리하는 개별 처리식 장치이다. 이러한 에피택셜 성장 장치(1)는, 상부면에 웨이퍼(W)가 놓여지는 원반 형상의 서셉터(3)가 내부에 설치된 처리 챔버(2)를 구비하고 있다. 서셉터(3)는 지지축(4)에 의해 이면측으로부터 3군데에서 수평으로 지지되어 있다.
이러한 서셉터(3)상에 웨이퍼(W)를 올려 놓고, 가열 램프(도시 생략)에 의해웨이퍼(W)를 가열한 상태에서, 트리클로로실란(SiHCl3)가스나 디클로로실란(SiH2Cl2)가스 등의 반응 가스를 처리 챔버(2) 내에 공급하면, 이러한 반응 가스는 웨이퍼(W)의 표면을 따라 층류 상태로 유동하여, 웨이퍼(W)상에 실리콘의 단결정이 에피택셜 성장하여 박막이 형성된다.
또한, 처리 챔버(2)의 측벽의 소정 부위에는, 웨이퍼(W)를 측방으로부터 처리 챔버(2)내로 도입하기 위한 웨이퍼 도입구(5)가 형성되어 있다. 이러한 웨이퍼 도입구(5)는 개구 폭이 웨이퍼(W)의 외부 직경보다도 크게 되어 있다. 즉, 웨이퍼 도입구(5)는 원반형상의 웨이퍼(W)가 통과할 수 있도록 수직 방향의 단면(연직 방향)의 형상이 수평방향(가로 방향; 도 1에서의 지면과 직교하는 방향)으로 연장되는 직사각형을 이루고 있다.
또한, 처리 챔버(2)의 측벽에는, 측방으로 연장되어 웨이퍼(W)의 반송로를 형성하는 반송 챔버(6)가 연결되어 있다. 웨이퍼(W)는, 도시가 생략된 반송 로봇에 의해 반송 챔버(6)내에서 화살표 A방향으로 반송된다.
반송 챔버(6) 내에는, 웨이퍼 도입구(5)와 연결된 통로(7)를 갖는 금속제의 웨이퍼 가이드 부재(8; 피처리체 가이드부)가 설치되어 있다. 이러한 웨이퍼 가이드 부재(8)는 처리 챔버(2)의 측벽으로부터 측방으로 돌출되어 있다. 또한, 웨이퍼 가이드 부재(8)의 선단의 개구면(8a; 처리 챔버(2)측과 반대측의 개방단면)은 웨이퍼(W)의 반송방향(A)에 대해 경사져 있다.
한편, 웨이퍼 가이드 부재(8)의 기저단부(처리 챔버(2)측의 단부)에는 연결용 돌출부(8b)가 설치되어 있다. 웨이퍼 가이드 부재(8)는, 반송 챔버(6)에 있어서의 처리 챔버(2)측의 단부에 형성된 오목부(6a)에 그 연결용 돌출부(8b)가 삽입된 상태에서, 처리 챔버(2)의 측벽에 고정되어 있다.
또한, 통로(7)는 웨이퍼 도입구(5)에 대응하여, 원반형상의 웨이퍼(W)가 통과할 수 있도록, 수직 방향 단면(연직 단면)의 형상이 수평 방향(가로 방향; 도 1에서의 지면과 직교하는 방향)으로 연장되는 직사각형을 이루고 있다. 즉, 웨이퍼 도입구(5) 및 통로(7)는 실질적으로 동일한 단면 형상을 가지고 있다.
이와 같은 웨이퍼 가이드 부재(8)의 통로(7)는 개폐기구(9)에 의해 개폐된다. 개폐기구(9)는, 도어부(10)와, 이 도어부(10)를 구동하는 실린더(11)를 갖는 것이다. 여기서, 도 2는 웨이퍼 가이드 부재(8) 및 개폐기구(9)를 도시한 확대 단면도(일부 생략)이며, 도 3은 개폐기구(9)의 도어부(10)를 도시한 사시도이다.
도 3에 있어서, 도어부(10)는, 직사각형을 이루는 금속제의 도어 본체(12)를 가지고 있으며, 그 외형의 크기는, 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개구부보다 크고 개구면(8a)의 외형 크기보다 작게 되어 있다. 또한, 도어 본체(12)의 가장자리부 근방에는, 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개방단, 즉, 개구면(8a)과 마주보는 측의 표면(12a)으로 개방되는 환형 홈(13)이 형성되어 있다. 또한, 이 환형 홈(13)에는 환형의 밀봉 부재인 O링(14)이 수용되어 있다.
도 4는, 도 2에 있어서의 도어 본체(12)에 형성된 환형 홈(13)을 도시한 단면도이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 환형 홈(13)은, 바닥면(13a), 외측 측면(13b) 및 내측 측면(13c)으로 형성되어 있다. 외측 측면(13b)은, 환형 홈(13)의 개구를 형성하는 외측 가장자리부(13f)로부터 바닥면(13a)측을 향해 연속하여 연장되는 제 1 영역(Fo) 및 제 2 영역(So)으로 이루어져 있다.
이러한 외측 측면(13b)에 있어서의 제 1 영역(Fo)은, 외측 가장자리부(13f)로부터 도어 본체(12)의 외측(도어 본체(12)의 측면(12b)측)을 향해 그리고 그 측면(12b)에 대해 경사지게 연장되어 있다. 또한, 외측 측면(13b)에 있어서의 제 2 영역(So)은, 제 1 영역(Fo)으로부터 바닥면(13a)을 향해 측면(12b)에 대해 거의 평행하게 연장되어 있다.
이에 대해, 내측 측면(13c)은, 환형 홈(13)의 개구를 형성하는 내측 가장자리부(13g)로부터 바닥면(13a)측을 향해 연속하여 연장되는 제 1 영역(Fi) 및 제 2 영역(Si)으로 이루어져 있다.
이러한 내측 측면(13c)에 있어서의 제 1 영역(Fi)은, 내측 가장자리부(13g)로부터 도어 본체(12)의 내측(도어 본체(12)의 중앙부측)을 향해 그리고 도어 본체(12)의 측면(12b)에 대해 경사지게 연장되어 있다. 또한, 외측 측면(13b)에 있어서의 제 2 영역(Si)은, 상기 제 1 영역(Fi)으로부터 바닥면(13a)을 향해 측면(12b)에 대해 거의 평행하게 연장되어 있다.
이와 같이, 외측 측면(13b) 및 내측 측면(13c)에 각각 제 1 영역(Fo, Fi)이 설치되고, 환형 홈(13)이 그 개구(개구단)로부터 바닥면(13a)측을 향해 넓어지도록 구성되어 있다. 이로써, 환형 홈(13)에 수용된 O링(14)이 환형 홈(13)으로부터 빠져나오기 어려워져 쉽게 이탈되지 않게 된다.
또한, 환형 홈(13)의 깊이는, 이 환형 홈(13)에 O링(14)이 수용되었을 때, O링(14)의 일부가 환형 홈(13)으로부터 연장되어(돌출되어) 나올 정도의 크기로 되어 있다(도 2 참조). 이로써, O링(14)이 환형 홈(13)으로부터 이탈되는 것을 방지하는 것이 한층 유리해진다.
또한, 이렇게 하여 외측 측면(13b) 및 내측 측면(13c)을, 각각 제 1 영역(Fo) 및 제 2 영역(So), 그리고, 제 1 영역(Fi) 및 제 2 영역(Si)으로 형성함으로써, 도어 본체(12)의 외형 크기를 작게 하더라도, O링(14)이 이탈되기 어렵고, 도어 본체(12)의 가장자리부의 강도를 손상하지 않을 정도의 두께(폭)가 실현되는 비교적 크기가 큰 환형 홈(13)을 형성할 수 있다. 따라서, 개폐기구(9)의 소형화를 도모할 수 있게 된다.
또 이 경우에는, O링(14)으로서 비교적 선지름이 큰(두꺼운) 것을 사용할 수 있다. 이와 같은 선지름이 큰 O링(14)을 도어 본체(12)에 장착하면, O링(14)에 있어서 도어 본체(12)의 개구면(12a)으로부터 돌출하는 부분이 길어진다. 이에 따라, 도 2에 도시한 바와 같이 도어(10)를 폐쇄하여 웨이퍼 가이드 부재(8)의 통로(7)를 막은 상태에서, 도어 본체(12)의 개구면(12a)과 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개구면(8a)과의 사이의 틈새를 증대시킬 수 있다.
또한, 도어(10)를 폐쇄하면, 환형 홈(13)에 수용된 O링(14)이 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개구면(8a)과 밀착되면서 압축 변형된다. 그리고, 상술한 외측 측면(13b) 및 내측 측면(13c)은 O링(14)에 있어서의 변형된 부분이 제 2 영역(So, Si)에 접촉하지 않도록 형성되어 있다.
또한, 내측 측면(13c)에는 제 2 영역(Si)을 설치하지 않고, 제 1 영역(Fi)을바닥면(13a)까지 연장하도록 설치해도 좋다. 즉, 내측 측면(13c)의 제 1 영역(Fi)이, 환형 홈(13)의 개구를 형성하는 내측 가장자리부(13g)로부터 바닥면(13a)에 이르기까지, 도어 본체(12)의 내측을 향해 그리고 도어 본체(12)의 측면(12b)에 대해 경사지게 연장되는 형상, 예를 들면 단면이 사다리꼴 등으로 되어 있어도 상관없다.
또한, 도어 본체(12)의 개구면(12a)에 있어서, 환형 홈(13)의 개구를 형성하는 외측 가장자리부(13f)로부터 외측 부분의 전체에는, 모따기부(15)가 형성되어 있다. 이러한 모따기부(15)는, 예를 들면, 개구면(12a) 부분과 측면(12b) 부분의 모따기 길이(잘라져 나간 길이)가 거의 동일해지도록 형성되어 있다. 그리고, 환형 홈(13)의 외측 측면(13b)과 모따기부(15)와의 사이에는, 도어 본체(12)의 가장자리부의 강도를 손상시키는 일이 없을 정도의 두께가 확보되어 있다.
여기서, 도 1 및 도 2로 되돌아가서, 도어부(10)를 작동시키는 실린더(11)는, 반송 챔버(6)에 부착된 실린더 튜브(11a)와, 도어 본체(12)와 연결된 피스톤 로드(11b)로 이루어진다. 이와 같은 실린더(11)로서는, 예를 들면 에어 실린더를 이용할 수 있다.
피스톤 로드(11b)는, 도어 본체(12)를 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개구면(8a)과 실린더 튜브(11a)와의 사이에서 이동시키는 것으로서, 실린더 튜브(11a)에 대해 도 1에 도시한 화살표 B방향으로 신축가능하다. 또한, 실린더 튜브(11a)는 도어 본체(12)의 개구면(12a)이 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개구면(8a)과 마주보도록 반송 챔버(6)에 대해 경사진 상태로 설치되어 있다.
이와 같은 실린더(11)에 있어서, 도어(10)를 폐쇄하여 웨이퍼 가이드 부재(8)의 통로(7)를 막을 때에는, 도 5a에 도시한 바와 같이, 피스톤 로드(11b)를 화살표 C방향으로 신장시킨다. 그리고, O링(14)이 웨이퍼 가이드 부재(8)에 충분히 접촉되기까지, 도어부(10)를 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개구면(8b)에 밀어붙인다.
한편, 도시가 생략된 반송 로봇에 의해 처리 챔버(2)와 외부와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하고자, 도어부(10)를 개방하여 웨이퍼 가이드 부재(8)의 통로(7)를 개방할 때에는, 도 5b에 도시한 바와 같이, 피스톤 로드(11b)를 화살표 D방향으로 수축시킨다. 이렇게 하여, 도어부(10)를 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개구면(8a)으로부터 떼어 놓는다.
또한, 반송 챔버(6) 하부에 있어서의 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개구면(8a)과 마주보는 부위에는, 도어부(10) 대피용 노치(notch)(6b)가 설치되어 있다. 이로써, 도어부(10)를 개방하였을 때, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 가이드 부재(8)의 통로(7)로 도입할 수 있는 위치까지 도어부(10)를 하측 방향으로 대피시킬 수 있다. 따라서, 도어부(10)와 웨이퍼(W)사이에 간섭이 일어나지 않고, 웨이퍼(W)를 원활하게 처리 챔버(2)내로 도입할 수 있다.
이상과 같이 구성된 에피택셜 성장 장치(1)에 의하면, 도어 본체(12)에 있어서, 환형 홈(13)의 개구를 형성하는 외측 가장자리부(13f)로부터 외측 부분의 전체에 모따기부(15)를 설치함과 동시에, 환형 홈(13)의 외측 측면(13b) 및 내측 측면(13c)을, 각각 제 1 영역(Fo) 및 제 2 영역(So), 그리고 제 1 영역(Fi) 및 제2 영역(Si)으로 형성하여, 도어 본체(12)의 외형 크기를 축소시킨 경우에도, 비교적 선지름이 큰 O링(14)을 장착할 수 있게 하였으므로, 주로 다음과 같은 작용 효과를 나타낼 수 있다.
즉, 도어부(10)를 폐쇄할 때, 도어 본체(12)의 개구면(12a)이 웨이퍼 가이드 부재(8)의 개구면(8a)에 대해 다소 경사져 있더라도, 도어 본체(12)의 가장자리부가 웨이퍼 가이드 부재(8)에 접촉하는 일이 거의 없다. 이로써, 도어 본체(12)와 웨이퍼 가이드 부재(8)와의 접촉에 의해 발생하는 금속 가루가 처리 챔버(2)내로 유입될 가능성이 매우 낮아져, 웨이퍼(W)의 금속 오염을 충분히 감소 또는 억제시킬 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다는 것은 말할 것도 없다. 예를 들면, 외측 측면 및 내측 측면으로서는, 외측 측면(13b) 및 내측 측면(13c)에 한정되지 않고, 환형 홈(13)의 개구(개구단)로부터 바닥면에 이르기까지 전체적으로 넓어지도록 연장되는 형상 등이어도 좋다.
즉, 상기 실시예에서는, 환형 홈(13)의 외측 측면(13b) 및 내측 측면(13c)을, 환형 홈(13)의 개구(개구단)로부터 넓어지도록 연장되는 제 1 영역(Fo, Fi) 및, 이 제 1 영역(Fo, Fi)으로부터 측면(12b)과 거의 평행하게 연장되는 제 2 영역(So, Si)으로 형성하였으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명은, 에피택셜 성장장치(1)이외의 반도체 제조장치, 예를 들면 CVD 장치, 드라이 에칭 장치 등, 처리 챔버내에 피처리체가 도입되는 것에 적용이가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 도어부의 개폐시에, 도어 본체가 피처리체 가이드부에 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 도어 본체와 피처리체 가이드부와의 접촉에 의해 발생하는 금속 가루가 처리 챔버내로 유입되는 것을 충분히 방지 또는 억제할 수 있다. 이로써, 피처리체의 금속 오염을 감소시킬 수 있게 된다.

Claims (2)

  1. 처리 챔버와, 상기 처리 챔버 내에 피처리체를 도입하기 위한 통로를 갖는 피처리체 가이드부와, 상기 통로를 개폐하는 도어부를 갖는 개폐기구를 포함하는 반도체 제조 장치에 있어서,
    상기 도어부가,
    상기 통로의 개방단과 대향하는 면으로 개방된 환형 홈을 가지며, 상기 환형 홈의 개구를 형성하는 외측 가장자리부의 외측에 모따기부가 형성된 도어 본체와,
    상기 환형 홈에 수용된 환형을 이루는 밀봉 부재를 포함하는 반도체 제조 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 환형 홈은, 바닥면, 내측 측면 및 외측 측면으로 형성되어 있으며,
    상기 내측 측면은, 상기 환형 홈의 개구를 형성하는 내측 가장자리부로부터 상기 도어 본체의 내측을 향해, 그리고 상기 도어 본체의 측면에 대해 경사지게 연장되는 영역을 가지며,
    상기 외측 측면은, 상기 환형 홈의 개구를 형성하는 외측 가장자리부로부터 상기 도어 본체의 외측을 향해, 그리고 상기 도어 본체의 측면에 대해 경사지게 연장되는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역으로부터 상기 도어 본체의 측면과 거의 평행하게 연장되는 제 2 영역을 구비하는 반도체 제조 장치.
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