44283 7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明（1 ) 本發明傺關於一種積體電路配置及其製造方法β 通常都是力求以較高之封裝密度來産生稹體電路配置 (卽，一種積體化於基板之電路）。 在DE19727436C1中描逑一種DRAM晶胞配置，其中記億 胞含有：一痼第一電晶體，一個二極體結構及一個第二 電晶體。第一電晶體和第二電晶體共用一値共同之源極 /汲極區且連接在電壓端和位元線之間。第二電晶體之 閘棰電極是與字元線相連接《二極體結構連接在第一電 晶體之閘極電極和共同之源極/汲極區之間β這些電晶 體互相重疊地配置而形成垂直式MOS電晶體β共同之源 極/汲極區是配置在半導體結構中，各電晶體之閘極電 極是以隔離層（spacer)之形式配置在半導體結構之邊緣 上。二極體結構是由Schottky二極體及隧道二極髏所構 成，這些二極體互相串聯。隧道二極體由第一電晶體之 閘極電極，介電層（其配置在第一電晶體之閘極電極上） 以及S —導電性間隔層（其藉由介電層而與第一電晶體 之閘極電極相隔開）而形成^ S c h 〇 11 k y二極體則由金屬 矽化物所構成之導電性結構（其配置在上述另一導電性 間隔層之上部且鄰接於共同之源極/汲極區）以及一種 導電性間隔層所構成。 在EP0537203中描逑一種DRAH晶胞配置，其中記億胞 含有：一個平面式第一電晶體，一値平面式第二電晶體 以及一種與電壓有關之電阻。第一電晶體和第二電晶體 具有一値共同之源極/汲極區且建接在電壓端和位元線 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 >= 297公釐） I *----- -------威--------訂---------線I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 442837 B7 五、發明說明（2) 之間。第一電晶體之閘極電極是配置於閘極介電質及金 屬膜（其配置於共同之源搔/汲極區上方）上方。共同 之源極/汲極區經由上逑此種與電壓有關之電阻而與第 一電晶體之閘極電極相連接。此種與電壓有關之電阻例 如是一種Schott ky接面且是由笫一電晶體之閘極電極和 金靥膜所形成β第二電晶體之閘極電搔是與字元線相連 接。該與電壓有關之電阻不需額外之空間需求，這樣可 提高DRAM晶胞配置之封裝密度 本發明之目的是提供另一種積體電路配置，其可含有 一種封裝密度較高之DEAM晶胞配置。此外，本發明亦涉 及此種積體電路配置之製造方法。 此種目的是藉由一種積體電路配置來達成，其包含一 個平面式第一電晶體，其第一源極/汲極區及第二源極 /汲極區配置在基板中且鄰接於基板之主面。第一電晶 體之閘極電極配置於基板上方。一個二極體須建接在第 一源極/汲極區和閘極電極之間，使電荷不芻由閘極電 極往外流至第一源極/汲極區。二極體層（其是二棰體 之一部份）配置在第一源極/汲極區之至少一部份上。 導電性結構（其是二極體之另一部份）是配置於閘極 電極之至少一部份之上方且配置於二搔體層上。 此外，上述目的是藉由一種積體電路配置之製造方法 來達成，其中藉由基板之遮罩式植入而産生平面式第一 電晶體之第一源極/汲極區及第二源極/汲極區，使這些區 域鄰接於基板之主面。在基板上方産生第一電晶體之閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------表--------訂.--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44283 7 A7 _B7_ 五、發明說明（3) 極電極。二極體層（其是二極體之一部份）産生於第一 源極/汲極區之至少一部份上。須産生導電性結構（其 是二極體之另一部份），使其配置於閘極電極之至少一 部份上且配置於該二極體層上。須産生此二極體，使電 荷不易由閘極電捶往外流至第一源極/汲極區。 由於該二極體配置於第一電晶體上方，則此種積體電 路配置可具有一種很高之封裝密度。相對於EP05372O3 而言，第一電晶體可像當時一般半導體製法所製成之電 晶體一樣來製成。只有藉由隨後之各步駿才可製成此二 極體β EP0537203之Schottky接面之一郜份必須在電晶 體製成之前産生，這是因為金靥膜是配置在閘極電極下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------衷·-------訂 *-------•線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 像法之 不之 C 又電配第一二 不入區與極構化外一路和第第 區植極明電結佳之第電體 α 。 極由汲發極性最體與體極份間 汲藉 \本閘電被極是積二部之 \ 後極。之導而二區種，一線 極之源上體取闋和極此髏之元 源生一份晶選無體汲則晶胞位 之産第部電由掻晶 \ ，電憶和 髏極於此一自電電極 } 一記端 晶電置於第可極一源接第之壓 電極配位：於閘第一連。置電 之閘棰則是由舆 了第相置配在 中在電膜黏樣可除其區配胞接 3 可極靨同這性置 ί 極胞晶連 20其閘金不，電配體汲晶ΑΗ體 37，為，它份之踣晶 /AMDR晶 05樣因方其部體電電極DR種電 ΕΡ一是上之一極體二源種此二 ，中這之 3 之二積第一 一是第 外法，份20體使種個第有體和 此方生部37極而此一之含晶體 。统産大05二料若含體可電晶 方傳而絶ΕΡ是材 包晶置二電 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 442837 A7 B7 五、發明說明（） 雷晶體之閘極電極是與字元線相連接。D β A Μ晶胞配置在 此種情況下是一種動態自我放大式記億胞配置。 記億胞中邏輯1之儲存例如可以下述方式進行：在記 憶胞之位元線和字元線上施加一種電壓，使電荷經由二 極體而流動至第一電晶體之閘極電極。 記憶胞中邏輯0之儲存是在字元線上施加一種電壓來 達成，但此種電壓不施加於位元線，因此不會有電流經 由二極體而流至第一電晶體之閘極電極。 為了讀出資訊，則須在字元線和位元線上施加一種電 壓且檢査是否有電流流經位元線。若在記億胞中已儲存 邏輯1 ，則會由於第一電晶體之閘極電極上之電荷而使 第一電晶體導通，電流因此可由電壓端而流至電晶體且 流經位元線。電荷在讀出時是保持在第一電晶體之閘極 電極中，這是因為二掩撞須被極化，使電荷不易經由二 極體而流出《若在記憶胞中儲存邏輯〇 ,則不會有電流 流經位元線，這是因為由於第一電晶體無電荷儲存在其 閘極電極上而被截止（Off)。 若此種積體電路配置包含一種DE AM晶胞配置，則當第 二電晶體同樣是平面式時對於製程費用之減少是有利的 。這些電晶體之源極/汲極區和閘極電極可同時産生。 為了提高封裝密度，則當第一電晶體之第一源極/汲極 區和第二電晶體之第一源極/汲極區是以共同之源極/ 汲極區來構成時是特別有利的。第二電晶體之閘極電極 可以是字元線之一部份。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21CU 297公釐） (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) 裝--------訂·---- 線. 442837 A7 ____B7_ 五、發明說明（5 ) 二極體層例如是可含有導電性材料，此種二極體因此 是一種Scohttky 二槿體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 流經二極體之電流因此和溫度無關.當二極體是以隧 道二極體構成時是有利的。須測定此種二極體層之厚度 •使流經二極體層之電流基本上是由於電子經由二極體 層所造成之隧道效應而産生。二掻體層例如由Si02所 構成且較佳是較3 n«還薄。可沈積Si02或籍由熱氣化 作用而生長SiOji。此種二極體層可含有氮化物或氮化 矽。此種二槿體層亦可含有複數楢部份 二極體是由第一電晶體之第一源極/汲極匾，二極體層 及導電性結構所構成。相對於DE19727436C1中之DRAM晶 胞配置之二極體结構而言，此種二極體只含有三儸元件 而能以較少之程序費用來製成。 可對此種二極體進行極化作用，使電流不易由第一電 晶體之閘極電極流至第一電晶體之第一源棰/汲極區， 逹成此種效果之一種可能方式是：上述導電性結構之摻 雜物質濃度較第一電晶體之第-源極/汲捶匾者還小， 其中此導電性結構和第一電晶體之第一源極/汲極區具 有相同之導電型式。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述二極體層因此特別均勻且很薄，其可在大約10fl0°c 時利用NH3S由快速之熱氮化作用（RTN)來生長而，形成 β此種製程只限於在很小之厚度中進行，即，己生長成 之二極體層可防止原子進一步擴散至基板之表面。 在産生上述之二極醱層時，首先須在閛棰電極上産生 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 44283 A7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 便程 上護去 糙少例一 。為流極形護後 一作導刻 以過 極保須 粗至層另著因流二所保隨 之化積蝕 -刻 電種後 還板體生長，電。構逑且 料氣沈作 生蝕 極一之 者基極産生的之上結上極 材熱可用 産式 閛生層 區此二上地略多層性生電 。綠之則料 而罩 於産體 極且若極勻忽很體電産極 鍺絶式，材 用遮 生上極 汲生。電均可大極導須閘。，為罩構線 作由 産極二 \ 産矽極不是層二及不護用如作遮結絶 化藉 層電生 極所晶閛而時體及以亦保費例以非性之 氧後 一極産 源矽單在面較極層層且可之 ，層由電逑 熱然S閘在 一晶種須表比二此此層前上料一藉導上 由。 止在構 第多一則糙阻較於，此之程材另是生中 藉層 防前結 較之含，粗電許生極除用製體之如産其 可一 時之之 是雜包生之之允産電去作少導逑例了 ， 如另 層生用 佳摻可産極層而構極須化減半上上為化 例生 體産護 較由區而電體性結閘不氧可之和本。構 層産 極層保 面可極用極極勻性由。熱此同層基上結 體上 二體種 表如汲作閘二均電種多在因不體料面其 極極。生極此 之例 \ 化於和不導此很其.有極材整使 二電層産二 。 極極極氣由阻其之較大<_含二緣在且 。 極此在在構 電電源熱層電於述阻阻構除可生絶加料 層閘除 了可結 極極 I 由此之由上電電結去板産，施材 一 在去為則之 。閘閘第藉 ，層層。之之之須基可份而性 ® 可而 ，用除 ，在如層此此過體成用又 部用電 ---- -----------裝--------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再赛寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 442837 A7 B7 五、發明說明（ 停止劑β另一方式是導電性材料與絶緣材料一起被結構 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ， 下隔極另導此V凹 於 口 構導種 極 上 罩種部汲及積之構生 直 凹 I 結積此械 二 性 遮一下 \ 層沈部結産 垂 性沈入 f 較 電 値積種極體可外性- 種 中ϊαί電可填學 約 在 一 沈此源極後 口電即 一 口ίίϊπ導亦不化 大 極 需。方在 一二然凹導， 箸 凹Tti使 ρ中由 積 電 只罩上。第生。於生罩 沿 逑 U 而圍口 Μ 面 一 體遮體圍-¾産用位産遮 面 上 U 刻範凹可 之 第 極之晶範極可作上來個 主 入 Μ 蝕之但料 層 其 二用電之電後化面料 一 之 镇 明，材 此 ， 生所此明極然氧側材需 板。可-^^發蓋性 則 器 産時在發閘。熱在性只 基離料學ib本覆電 ，。容 T化後本使來種之電亦 由距材化回靥被導 小的電 為構之靥，出一 料導處 指之此由之況面之 變利健 中結體況 口露行材由此 是示時藉料情各部 阻有一 況行晶情凹裸進性便則M'顯料可材種之外。電是置 度 情進電種種可須電以 ， Ϊ 所材料性此 口口除之倍配 高 種構一 此一份如導，體 ar 軸性材電則凹凹去層二方 1 一 結第則生部例使除極罩之之電性導，使。被一大上 述性生，産一中 C 去二遮稱伸導電由小，料而 積板 上電産層可少其料被生之所延積導藉變料材法使面基 在導在離中至，材份産用下而沈之後度材性光 了之在 c ，若隔層之層性部 了所以要在部隨高性電拋為層若 化即 部離區一電 一為口 主 外若之電導式 體 I I----------策--------訂·------*1* 線 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 442837 A7 _B7_ 五、發明說明（8) 是與該導電性結構相連接，則此種情況是屬本發明之範 圍電容器第一電極之第一部份是配置在電容器第一電 極之在基板主面上之投影的邊緣上。電容器第一電極之 第一部份所到逵之高度較電容器第一電極之第二部份所 到之高度還髙。電容器第一電極因此具有一些内邊緣以 及一些與上述投影相遠離之外邊綠。電容器第一電極例 如是近似於盆形之形狀。電容器之介電層覆蓋電容器第 一電極之至少第二部份以及覆蓋電容器第一電極之内邊 緣。電容器之第二電極鄰接於電容器介電質。 電容器第一電極之内邊緣之上述設計方式可提高電容 器之電容而不會使電容器之空間需求增大。
若此種積體電路配置包含一種DRAM晶胞配置，則電容 器設計成記憶胞之一部份是特別有利的，這是因為此種 儲存在第一電晶體之閘極電極上之電荷數最可變大，其 結果是：在記憶胞之資訊必須更新之前，其資訊可在一 段較長之時段中儲存著P 電容器第一電極之第一部份之高度可小於lQQOnin。相 對於DRAM晶胞配置（其中記億胞含有一艏電晶體及一個 ^1 ^1 ϋ 11 ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ^1 ^1 ϋ ϋ^OJf I I (c n <1 ill I ' > (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 器晶億電晶板 容電記一AH基 電一 較第DR在 種第以器了置 此使可容除配 ，需容電置是 言只電 。配樣 而是之 > 路同 荷而器倍電其 電號容 5 體 < 之倍電小積路 上生種，種電 器産此如此輯 容上則例使邏 電線 ， < 可種 億元中多度 一 記位態很髙含 之在狀小之包 } 必啓容小又 器不開電較外 容荷在之種以 電電持器此置 億之保容之配 記上體電極胞 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公t ) 442837 A7 !_______B7 五、發明說明（9) 中）^可沈積一種隔離層且將其整平，此種隔離層完全 覆蓋電容器。第一電晶體和第二電晶醴可同時與邏輯電 路之電晶體一起産生。 為了産生此種電容器，則本發明之範圍亦包括：在基 板上方沈積~種下部隔離層且將其整平。在下部隔離餍 中産生一種凹口。須以共形（conform)方式沈積導電性 材料至某種摩度，使凹口中不會有材料旗入。由導電性 材料而産生奄容器第一電極，其中在槲面位於凹口外部 之導電性材料須去除。電容器第一電極之第—部份是配 置在凹口之壜緣。 為7在不裔額外之空間需求下進一步提高電容器之霄 容，則當電容器介電質g外覆蓋罨容器第一霉極之外部 邊緣之至少一部份時是有利的。於是例如在産生電容器 第一電棰之後須去除下部隔離層（以下稱下層）之一部 份，使外部邊綈之一部份裸露出來。 為了提高製程上之可靠性，則須在下層上方産生一種 上層，在上層中産生第二凹口，此第二凹口配置於上述 凹口上方。電容器第一電棰之導電性材料是在第二凹口 (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 装--------訂·-----!·線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上電層電 。範 在生止和免之 中産停板避明 其在刻基發 ，βέίί於本 掻除作介 Μ 則 電去用種層 ， 一須可一下刻 第料層為由蝕 之材下因藉行 器性。是可進 容電層這象來 電導上，現層 此之除高路下 生部去提短對 産外須性的地 。口後靠間性 積凹之可之擇 沈二極之極選 才第電上電可 後和一程二不 之口第製第層 生凹器使器上 産逑容，容若 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 442837 A7 B7 10 五、發明說明（） 圍亦包括：在下層和上層之間産生一種中間層，其作為 蝕刻停止層用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第二凹口可舆上述凹口一起産生。另一方式是第二凹 口可在上述凹口産生之後才産生。 此凹口 （其中設有電容器第一電極）可與另一凹口 (其中設置二極體之導電性結構）相叠合。 為了使製程簡化，則電容器第一電極與上逑導電性結 構相叠合時是有利的。此外，積體電路配置之封裝密度 可提高，這是因為電容器是配置於二極體上方而不需額 外之空間需求。 另一方式是首先産生導電性結構且隨後産生電容器第 一電極。這樣所具有之優點是：導電性結構和電容器第 一電極可由不同之材料所構成或可具有不同之摻雜物質 濃度。電容器和二極體之電性因此可互相獨立地被最佳 化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 導電性結構例如可由摻雜之多晶矽所構成，其摻雜物 質濃度介於大約1 〇 17 c nr3和1 Q 19 c E-3之間β摻雜物質濃 度決定了二極體之電流-電壓特性且可依據記憶胞之各 別之使用目的來調整β電容器第一電極例如是由摻雜之 多晶矽所構成，其具有一種儘可能高之摻雜物質濃度， 例如，大約1 0 20 c ιΓ3。 若首先産生下層以及凹口且在凹口中産生導電性結構 ,則此種情況亦屬本發明之範圍。然後可産生上層，第 二凹口及電容器。 Ί 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 44283 7 A7 B7 11 五、發明說明（） 電容器介電質可含有Si02，氮化矽，鐵電質，例如， 鈦酸錤緦（BST)，或其它具有較大介電常數之材料。 電容器第二電極例如可含有摻雜之多晶矽，矽化之多 晶矽及/或金屬。 本發明之實施例以下將依據圖式來詳述。圏式簡單說 明： 第1匾 在第一電晶體，第二電晶體，邏輯電路之電 晶體，下層以及中間層産生之後第一基板之橫切面。 第2a圖 在産生凹口，二極體層，另一層及導電性結 構之後第1圖之楱切面。 第2b圖 第一基板之俯視圖，其中顯示各電晶體及導 電性結構。 第3圖 在産生上層，第二凹口和電容器第一電極之後 第2 a圓之横切面。 第4圖 在産生電容器介電質及電容器第二電極之後 第3腫之横切面。 第5圖 在産生層第二電晶體，二極體及電容器之後 第二基板之樓切面。 這些圖式未按比例繪製。 在第一實施例中以傳統方式在由矽所構成之P-摻雜之 第一基板A之主面Η上産生平面式第一電晶體及平面式 第二電晶體。産生第一電晶體之第一源極/汲極區SD及 第二電晶體之第一源極/汲極區以作為共同之源極/汲 極區（第1圖）β第一電晶體之第一源極/汲極區SD， -1 3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝if-----訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 442837 A7 B7_ 12 五、發明說明（) 第一電晶體之第二源極/汲極區SD1以及第二電晶體之 第二源極/汲極區SD2具有大約lGtcir3之摻雜物質濃 度且是η -摻雜的β第一電晶體之第二源極/汲極區SD1 是條形的且與電壓端相連接〇第一電晶體之閘極電極（Η 及第二電晶髏之閘極電極G2配置於第一基板Α上方且藉 由閘極介電質Gd而與第一基板A相隔離（第1圖）β閘 掻電極Gl, G2具有之摻雜物質濃度大約是ll^ciir3。第 二電晶體之閘極電極G2是條形字元線之一部份。邏輯電 路Q (其顯示在第1圖中）之各電晶體可同時舆上述二 舾電晶體同時産生。 為了在各電晶體之閘極電極Gl, GZ之邊緣上産生一些 間隔層S p ,則須沈積厚度大約是5 0 η B之S i 0 2且進行回 (b a c k )蝕刻。 間隔層Sp設有一種由氮化矽所構成之層N ,其中須沈 積厚度大約是20nra之氮化矽且進行回拽刻，直至電晶體 之閘極電掻Gl, G2裸露為止（第1圔）。 為了産生一種隔離用之下層ϋ ,須籍由T E 0 S -方法沈 積厚度大約是8G0nm之Si02且藉由化學-機械式抛光法 來整平。在此下層ϋ上産生一層中間層Μ ,其中須沈積 厚度大約是50ΠΠΙ之氮化矽（請參閲第1圖）。
藉助於第一光阻（未顯示）來對氮化矽和Si02-蝕刻，直至第一電晶體之第一源極/汲極區SD之一部份 ，由氮化矽所構成之層N之一部份以及第一電晶體之閘 極電極之一部份裸露為止，以便産生凹口 V ，凹口 V -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44283( A7 _B7_ 心 13 五、發明說明（） 之底部鄰接於第一電晶體之第一源極/汲極區SD且鄰接 於第一電晶體之閘極電極G1 (第23圖）β第一電晶體之 閘極電極G1之裸露部份之面積大約較第一電晶體之第一 源極/汲極區SD之裸露部份大二倍（第2b圖）。 在例如以氫氟酸來進行還原式淨化之後進行一種熱氣 化作用。因此在第一電晶體之第一源極/汲極區SD産生 一種由SiO 2構成之二極體層，其大約是1 . 5nm厚《此外 ，在第一電晶體之閘極電極G1上産生另一層1(第2a層）。 為了産生導電性結構L ,須沈積厚度大約是7GHBI之同 次（in situ)摻雜之多晶砂，以便覆蓋此凹口 V之各面， 但不填入此凹口 V中。藉由化學-機械式之抛光法使凹 口 V外部之導電性材料被去除，以便在凹口 V中由導電 性材料來産生導電性結構L ,此結構L配置在二極體之 二極鱧層S上以及另一層I上（第2a和第2b圖）。 導電性結構L之摻雜物質濃度大約是^第一 電晶體之第一源棰/汲極區SD,二極體層S和導電性結 構L形成一種二極體，其連接在第一電晶體之第一源極 /汲極區SD以及第一電晶體之閛極電極G1之間。 二極體電阻就電流由第一電晶體之第一源極/汲極區 SD流至第一電晶體之閘極G1而言是待別小的，這是因為 電流是由高摻雜區經由二極體層S而流至低摻雜區。此 種電流之流動方向亦稱為二極體之電流方向。二極體之 電阻就電流由第一電晶體之閘極電極G1流動至第一電晶 體之第一源極/汲極區SD相較於上逑之反向流動而言是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------I I--I i — I I I ---訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 442837 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 14 五、發明說明（） 恃別大的，此種電流之流動方向亦稱為二極體之截止方 向。因此，須連接此種二極體，使電荷由第一電晶體之 閘極電極（H流動至第一電晶體之第一源極/汲極區_SD是 不容易的。 在電流流經二極體時上述之另一層I之作用相較於二 極體層S之作用而言是徹不足道的e其原因是：第一電 晶體之閘極電極G1由多晶矽所構成且因此具有一種較第 一電晶體之第一源極/汲極區DS (其是由單晶矽所構成） 還粗糙之表面。另一層I非均勻地生長在粗槌之表面上 ，因此，該層I須設計成使高的漏電流可流過層I本身 。另一原因是：此層I之面積大約較二極體靥S之面積 大二倍。 須産生一種上層0 ,此過程中須沈積厚度大約是8Q0nm 之Si02e藉助於第二光阻遮罩（未顯示）而在上層0中 産生另一凹口 V* ,此凹口 配置於凹口 V上方。因此 可使導電性結構L裸露出來（第3圖）。 凹口 V**之産生就誤差校準而言較凹口 V具有更廣泛 之容許度（tolerance),這是因為須選擇性地對氮化矽 來進行蝕刻，使各電晶體之閘極電極G 1 , G 2之一部扮和 第一基板A之一部份不可裸露出來。中間層Μ用作蝕刻 停止層。例如，C2F6適合用作蝕刻劑。 為了産生電容器之第一電極P1,則須沈積同次（in situ)摻雜之多晶矽大約5fln id厚且藉由化學-機械式抛光 法而整平，使凹口 V和另一凹口 V"外部之多晶矽被去 -1 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ------*-------Λ * 1-----------------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 44283 A7 B7 五、發明說明（1 ) 除〇電容器第一電極P1配置在導電性結構L上。 然後以選擇性地對多晶矽和氮化矽之方式來對Si02 進行蝕刻以便去除上層〇 ,使電容器第一電極P1之遠離 凹口 V , V"之中央的此種外部邊綠的一部份裸露出來 (第4圖）。 在電容器第一電極P1之裸露的各面上産生電容器介電 質kd,此過程中須沈積厚度大約是7 Jim之氮化矽且使氤 化矽之一部份被氧化（第4圖）β 為了産生電容器第二電極Ρ 2，須沈積厚度大約是1 [I 0 n n 之同次摻雜之多晶矽（第4圖）。電容器第二電極P2所 具有之摻雜物質濃度大約是lO20 C8T3。 藉由上逑之方法而産生一種DJiAM晶胞配置，其中記億 胞包含：第一電晶體，第二電晶體，二搔體以及電容器 。須沈積一種覆蓋電容器用之中間氣化物Z且將之整平 。在中間氧化物Z中對一些接觸孔進行蝕刻，這些接觴 孔使記憶胞之第二電晶體之第二源極/汲極區SD2裸露 出來。為了在這些接觸孔之邊緣上産生另一間隔層Sp" ，須沈積厚度2 5 nji之S i 0 2且進行回蝕刻。這些接觸孔 中以鎢镇入而産生一些接觸區K ，這些接觸區K是藉由 間隔層Sp#而與電容器第二電極P2相隔離。在中間氧化 物上産生位元線B1,其鄰接於接觸區K且垂直於字元線 而延伸。 在第二實施例中以與第一實施例相對應之方式由第二 基板B開始而由矽産生以下各元件或區域：第一電晶體 -1 7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 442837 A7 _B7_ 五、發明說明（） 16 之第一源極/汲極區SD1 (其同時用作第二電晶體之第 一源極/汲極區），第一電晶體之第二源極/汲極區 S D 1 ',第二電晶體之第二源極/汲極區S D 2 ’，第一電晶 體之閘極電極G 1 '，第二電晶體之閘極電極G 2 ’，閘極 介電質G D ',間隔層S p 1 ,由氪化矽所構成之層N ',二 極體層S',另一隔離層I1,隔離用之下層U',中間層M' ，凹口 V1以及導電性結構L'(第5圖：）^但與第一實施 例不同的是隔離用之下層ΙΓ之厚度大約是12QGnin。導電 性結構L'同時用作電容器之第一電極。 就像第一實施例一樣，須産生電容器介電質Kd’ 。由 於電容器第一電極之外邊緣（即，導電性結構L')未裸 露出來，則電容器介電質Kd’只産生於導電性結構L1之 面向凹口 V"之中央之此種内邊緣上（第5圖）。 就像第一賁施例一樣，此處亦需産生一種〇 A Μ晶胞配 置，其中記億胞包括第一電晶體，第二電晶體，二極體 ------------^—裝----II 訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發依度 。 式化極 本可濃 的 方氣源 在都質 雜 述間二 樣寸物 摻 下中第 同尺雜Π-以一之 亦之摻 是 是第體 們域於 則 接生晶 它區用 板 連産電 ，及適 基 相須一 例以亦 ， 端後第 施口況 的 壓之至 實凹情 雜 電極通 之，樣 摻 與電以 式構同 k 可二孔 型結。 是。區第觸 它，整 β 以器極器接 其層調取可容汲容些 些各來選區電 \ 電 一 一 。 求之極生極生産 。成中需料汲産源産須 器製圍之材/需一在中 容可範別種極不第 其 電亦之各各源可使成 ， 和 明據及 逹物 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 442837 A7 B7 五、發明說明（ 17 填性電一和 鍚電與生區 以導區産觸 且由觸中接 層藉接其些 隔上使 ，一 間物可物生 之化其化産 用氧，氣須 離間軌間 ， 隔中屬中逑 有在金種所 設 β 生一上 中區産另如 ?1觸而生 〇 觸接化産孔 接些構後觸 些 一 結然接 這生及。之 。産積接用 區便沈連線 C 極以之相元線 汲，料端位元 \ 入材壓些位 -------------- --------訂·-------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公f ) 4 4283 A7 B7 五、發明說明（ 符號之説明 A , B B 1 G1,G2,G1',G2 Gd,G d ' H1,1' K Kd , Kd ' 基板 位元線 閘極電極 閘極介電質 主面 另一層 接觸區 質 電構 介結 器性層 容電間 電導中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 PI ,P2 , P2 ' Q S , S ' Sp , Sp' ,Sp* SD.SDl.SDZ^D' ,80 1^,8021 U , U ' V,V* ,V ' z 氮化矽層 上層 電容器電極 邏輯電路 二極體層 間隔雇 源極/汲極區 隔離用之下層 凹口 中間氧化物 I V-----------I -----— II 訂---------' {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）