TW440495B - Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles - Google Patents

Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles Download PDF

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4^0495 A7 -----B7__ 五、發明說明(1 ) 相關申請案的交又參考 ----------^----裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本案遵照35 U.S.C.§ 112(e)獲得美國臨時申請案第 60/129,048號,申請日1999年4月13日之權益,該案全部 揭示併述於此以供參考。 有關聯邦贊助研究或開發的陳述 •不適用_ 發明背景 半導體裝置係由半導體材料如矽之又平又薄的晶圓形 成。晶圓經拋光而形成未含或極少含瑕疵之充分平坦表面 。採用多種化學、電化學及化學機械拋光技術而拋光晶圓 ;泉· 化學機械拋光(「CMP」)中,胺基甲酸酯材料製成的 拋光墊結合料漿用來拋光晶圓。料漿包含磨蝕粒子例如氧 化鋁、氧化飾或氧化咬粒子分散於水性介質。磨蝕粒子之 大小通常係於100至200毫微米之範圍。其它作用劑例如表 面作用劑、氧化劑或pH調節劑典型也存在於料楽。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 胺基甲酸酯墊加紋理例如加通道或穿孔來辅助料漿分 布跨拋光墊及晶圓以及由墊及晶圓去除料漿及研磨劑。一 型拋先塾中’中空球形微粒分布於胺基甲酸醋材料^隨著 拋光墊表面因使用而被磨耗’微粒子提供連續更新的表面 紋理。 發明概述 本發明係關於一種於包含磨凝粒子之料樂及分散劑存 在下用以拋光基材之抛光墊。抛光墊使用一種成分較佳為 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44〇495 A7 '-----B7____ 五、發明說明(2 ) 纖維成分於聚合物母質成分内。纖維成分可溶於料漿,故 存在於鲁拋光面的纖維接觸料漿時溶解形成空隙結構於拋 光面上。空隙結構提供孔隙,經由提高磨银粒子於料漿的 活動性同時減少拋光面的刮擦而提升拋光速率及均勻度。 孔隙作為磨蝕粒子之暫時儲存區,如此減少磨蝕粒子與拋 光面間的高度摩擦接觸。 特別拋光墊包含第一層具有拋光面及背面。第一層係 由纖維成分於聚合物母質成分形成。纖維成分包含纖維, 充分可溶於料漿而提供空隙結構於拋光面。溶劑可為磨蝕 粒子之分散相或於拋光期間添加至料漿之另一種材料。拋 光墊也包含一背襯結構包含黏著層固定於第一層的背面, 因此拋光墊可固定於工具。 拋光墊之拋光面上的空隙結構性質係由下列參數決定 ,例如纖維溶解於溶劑之速率,纖維對母質比,纖維形狀 及大小’纖維之方向性’纖維之面積及容積密度,以及任 何不可溶纖維之存在及數量。適當半導體晶面拋光用之纖 維其可溶於水性料漿者包括聚乙烯醇及馬來酸及其衍生物 或共聚物。 可進一步提升抛光及/或輔助去除拋光期間產生之殘 餘物之添加劑可攙混於纖維成分或施用作為表面塗層至纖 維成分。添加劑於拋光期間以控制速率釋放。 拋光墊應用於多種用途,包括半導體晶圓拋光稱作化 學機械拋光(CMP)及其它金屬、陶瓷、玻璃、晶圓、硬碟 等使用液體介質來攜帶及分散磨蝕粒子的拋光用途。 各紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公髮) I-----------^---I-----^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局錢工消費合作社印製 〇4 〇 ^ A7 -------B7___ 五、發明說明(3 ) 圖式之簡單說明 參照後文詳細說明連同附圖一起考慮將更完整瞭解本 發明,附圖中: 第1圖為根據本發明之拋光墊之部分剖面圖; 第2圖為第1圖之拋光墊於使用中之部分頂視圖; 第3圖為第2圖之拋光墊沿線B-B所取之部分剖面圖; 以及 第4圖為根據本發明之拋光墊之又一具體實施例之部 分剖面圖。 發明之詳細說明 本發明係關於一種拋光墊10其結合拋光料漿使用,拋 光料漿包含一種液體介質其攜帶及分散磨蝕粒子介於拋光 墊與拋光面間。參照第1圖,拋光墊之較佳具體實施例結 合一層複合拋光材料層12包含纖維成分14包囊或嵌置於聚 合物母質成分16。纖維成分可溶於水或其它存在於拋光料 漿之溶劑而其溶解速率足夠於墊之拋光面留下空隙。溶劑 可為磨蝕劑之分散相或可為另一種添加於料漿之材料。用 於半導體晶圓拋光時,料漿典型為水性介質,故溶劑為水 。母質成分有用的聚合物料包括最常見的結構性聚合物例 如聚胺基甲酸酯類,聚丙烯酸酯類,聚笨乙烯類,聚醯亞 胺類,聚酿胺類,聚碳酸酯類及環氧樹脂類。其它具有足 夠支撐纖維成分之剛性的聚合物也可使用。黏著性背襯結 構18附著於複合拋光材料層12之下面或背面19,故拋光堅 可固定至工具。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 6 -1----------- -裝--------訂-------—--線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 44 〇4 9 b A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明( 使用前,拋光材料表面20為光滑,如第1圖舉例說明 。雖然纖維暴露於表面,但未發生溶解來粗化表面^ 一旦 >谷劑接觸表面纖維成分,纖維成分開始溶解,形成空隙結 構孔隙22於表面,如第2及3圖之示意說明。拋光物質表面 孔隙藉由提高磨蝕劑活動性同時減少抛光面刮擦而提升拋 光速率及均勻度。孔隙作為磨钮粒子的暫時儲存區,如此 減少磨蝕粒子與拋光面間的高度摩擦接觸。 纖維成分可由任何適當纖維材料製成,例如聚乙烯醇 (PVAc),馬來酸’聚丙烯酸,各種多醣類及樹膠或此等材 料之衍生物。也可使用此等聚合物之共聚物。特殊纖維材 料係根據欲使用特殊溶劑及預期拋光用途選擇。用於半導 體晶圓拋光時,料漿典型使用水性介質作為磨蝕粒子的分 散相°如此水典型為此等用途的較佳溶劑,;PVAc,PVAc 共聚物,馬來酸及此等材料之衍生物適合作為纖維成分。 但依據用途而定也可使用其它溶劑及纖維材料。 用於半導體晶圓拋光’纖維材料較佳選擇使纖維成分 於溶解介質的溶解速率儘可能快速。較佳纖維成分一旦接 觸溶解介質即溶解,因此拋光開始前無需延遲。例如聚乙 烯醇及馬來酸及其衍生物快速溶解於水。溶解速率可藉選 用特殊材料控制。例如化合物之鹽可使化合物或多或少可 由水性介質水解。聚合也可用來控制溶解速率。例如提高 分子量可減慢溶解速率。 纖維狀材料可藉任一種適當方法製備,例如非織技術 ,例如化學、機械或熱黏著纖維或鋪設疏鬆纖維或長纖維 -------I-----裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 04 9 5 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5 ) 塾’以及藉梭織或針織技術製備,如業界眾所周知。通常 以非織材料為佳,原因在於可獲得孔隙結構之較為無規方 向性0纖維相對於抛光面的方向性可經控制而影響拋光面 上孔隙大小。若纖維主要係平行表面取向,則所得空隙結 構將具有較為通道形或細長形孔隙。若纖維主要係正交於 表面取向’則所得空隙結構將具有較多直徑較小的孔隙。 抛光面上孔隙密度較大可以纖維之正交取向達成。可使用 連續纖維或短切纖維’具有纖維長度0,5毫米至15毫米, 短切纖維提供較多纖維末端結果獲得較多孔的空隙結構。 纖維直徑係選擇為溶解後的孔隙大小可互補料漿之磨 蝕粒子大小,典型於100至200毫微米之範圍。若孔隙過大 ,則料漿粒子可能淤滯於孔隙内,結果導致喪失其拋光效 果。又無法充分控制粒子所在位置,結果導致拋光不均勻 。若孔隙過小,則粒子變成卡在孔隙内,結果導致刮擦欲 拋光的基材。發現纖維直徑於20至200微米且較佳30至1〇〇 微米範圍可獲得CMP料漿典型使用之磨蝕粒子大小範圍 的適當孔隙大小範圍β 纖維成分對母質成分比由90%纖維/10%母質至I 〇%纖 維/90%母質容積比間改變。纖維成分愈高則獲得愈柔軟 且較為可壓縮的拋光材料,其更適合拋光存在於基材上的 較柔軟結構特徵例如鋁、鎢、或銅線》纖維含量高達90% 的拋光材料具有極為纖維狀結構,纖維不完全塗有母質材 料。母質成分較高結果獲得較硬的拋光材料,其較適合拋 光較硬的基材例如氧化矽層ι纖維含量低抵10%之拋光材 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) -1 I---IIII ^ 11-----111---I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 44 0495 A7 ---------- 五、發明說明(6 ) 料極為實心較不能壓縮。 '複。材料層也具有層狀結構,例如上層具有較高纖維 對母質比及下層#有較低纖維對母質比。i層提供料浆粒 子於表面之活動性,下層提供較大剛性來提升平坦程度。 -種變化例中,下層可不含纖維。另一具體實施例中,纖 維對母質比之分級或其它性質可由拋光面提供背面。 纖維成为也包括某些不可溶的纖維材料。不可溶纖維 作為掃帚,隔離母質成分的硬面不會刮擦欲拋光的基材。 不可溶纖維含量可高達90%質量比。 另一具體實施例中,可溶材料具有顆粒性質例如粉末 。此種情況下,粉末接觸溶劑時於表面溶解而形成空隙結 構於表面。於墊内部,粉末提供實心結構。 複合拋光材料層12厚度為〇·〇〇5吋至0.150吋。該層厚 度決疋塾壽命。厚度也決定塾的物理性質。例如較厚層較 馐硬且對彎折較有抗性。選用的實際厚度依據特定用途決 定。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 背襯結構18提供拋光墊附著於工具的媒介且增加壓縮 此力來補償複合材料層的剛性。複合材料層之剛性提供小 規模平坦度’換5之於欲抛光基材的小面積上提供平垣度 。背襯結構之壓縮能力提供全基材表面上的壓力均句,例 如8叶或12吋直徑的半導體晶圓。如此確保基材為凹面或 凸面彎曲或其它不規則形狀時仍可獲得拋光均勻度 —具體實施例中,背襯結構1 8包括兩層黏著劑層24, 26夾置一層可壓縮結構層28於其間。背襯結構厚度係於 9 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) A7 440495 五、發明說明(7 ) 0.005至0.070吋之範圍。第一黏著劑層黏合至複合拋光材 料且選擇可提供強力黏合至複合材料層。第二黏著劑層允 許整個墊固定於工具,且選擇提供良好附聚性,故墊可由 工具移開不會留下殘渣於工具上。任何適當黏著材料皆可 使用,例如丙烯系或丁基橡膠,含丙烯酸之熱熔黏著劑’ 聚乙烯,聚乙烯系,聚酯或尼龍或其混合物。第二黏著劑 層係藉離型襯30保護,離型襯於固定拋光墊於工具前被撕 離。 結構層28係由聚合物料製成例如聚酯膜或聚乙烯、聚 苯乙稀之發泡體或其衍生物或共聚物。其它材料例如擠塑 聚乙烯或聚笨乙烯薄片或非織聚合物層也可使用。結構層 厚度標稱0.005至o.loo时。 第4圖舉例說明之又一具體實施例中,背概結構係由 單一黏著劑層32固定於拋光材料層底側製成。例如若複合 材料層具有高纖維含量,則單一黏著劑層即可對堅提供: 夠壓縮性。單一黏著劑層係由離型襯34覆蓋。 抛光半導體晶圓期間,母質成分之聚合物材料切變或 流動且形成薄膜於墊表面上’阻塞孔隙且消除势的拋光效 果。如此於拋光晶圓後,塾表面藉鑽石抛光調理或修整。 翁成分之溶解速率較佳高於藉此修整步驟引起的母質成 分磨耗速率。當母質成分被耗盡或磨耗時,抛光面經被再 生或更新,原因在於新的纖維成分區域暴露及溶解,如此 形成新孔隙來提升拋光作用。 其它添加劑例如界面活性劑及去除劑來提高殘餘粒子 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐^___________ -10 - --------------裝--------訂---------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44 04 9 5 五、發明說明(8 之穩定性以及防止再度沉積於基材的拋光面上可含括於複 合材料層。此等添加劑可例如於纖維擠塑前攙雜纖維的聚 合物材料結合於纖維成分,或可施用為纖維的表面塗層。 藉此方式,拋光過程中添加劑以控制速率釋放。典型的添 加劑例如含有矽酮油或氟化碳類離型劑或其它已知之拋光 料裝添加劍。 本發明之拋光墊特別適合用於化學機械拋光半導體晶 圓’但拋光塾可用於抛光其它基材例如金屬、陶堯、玻璃 、晶圓或硬碟,用於使用液體介質來攜帶及分散磨蝕粒子 介於拋光墊與欲拋光基材間的拋光用途。已經說明本發明 之較佳具體實施例’現在業界人士顯然易知可使用結合本 發明構想之其它具體實施例。如此本發明不受所述具體實 施例所限而僅受隨附之申請專利範圍之精髓及範圍所限。 元件標號對照 . 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10.. .拋光墊 14.. .纖維成分 18.. .黏著劑背襯結構 20.. .拋光材料面 24-6...黏著劑層 30.. .離型襯 34.. .離型襯 i 2...複合抛光材料層 16.. .聚合物母質成分 19._·背面 22…孔隙 28.. .可壓縮結構層 3 2...黏著劑層 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮)

Claims (1)

  1. 440495 A8 B8 C8 D8 ^__ 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印*!取 申凊專利範圍 ^ ~種拋光墊,用於於包含磨蝕粒子及分散劑之料漿存 在下拋光一基材,該拋光墊包含: 一第一層,具有一拋光面及一背面,第一層係由 —種纖維成分於一種聚合物母質成分形成,纖維成分 包含纖維可充分溶解於料漿而提供空隙結構於拋光面 ;以及 一背概結構,包含一黏著劑層固定於第一層之背 面。 2 如申β青專利範圍第1項之抛光塾’其中可溶纖維可溶解 於料漿之分散劑。 3··如申請專利範圍第1項之拋光墊’其中料漿為水性料毁 及可溶纖維可溶於水。 4. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中可溶纖維具有允 許磨蝕粒子於空隙結構内部活動的直徑。 5. 如申請專利範圍第〗項之拋光墊,其中可溶纖維具有直 徑於20至200微米之範圍D 6. 如申請專利範園第丨項之拋光墊,其中可溶纖維係由聚 乙烯醇,聚丙烯酸,多醣類,樹膠類,馬來酸或聚乙 烯醇、聚丙烯酸、多醣類、樹膠類及馬來酸之衍生物 或共聚物製成。 7·如申請專利範圍第i項之抛光墊,其中纖維結構為非織 材料,梭織材料或針織材料。 8.如申請專利範圍第i項之拋光塾,其中纖維係以複數纖 維平行拋光面定向。 本紙張尺度遶用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) ----------------裳·-------訂---------線--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 12 在4 〇Ά 3 4^4 04 9 5 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 9. 如申請專利範圍第1項之拋光墊 維正交於拋光面定向。 10. 如申請專利範圍第1項之拋光墊 纖維。 11. 如申請專利範圍第1項之拋光墊 纖維。 I2·如申請專利範圍第1項之拋光墊 母質成分磨耗速率更高的速率溶解 13_如申請專利範圍第丨項之拋光墊,其中聚合物母質成分 係由具有足夠剛性來支持纖維成分之聚合物製成。 1.4.如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中聚合物母質成分 係由聚胺基甲酸酯’聚丙烯酸酯,聚苯乙烯,聚醢亞 胺’聚醯胺,聚碳酸酯或環氧樹脂製成。 15. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中第一層具有纖維 成分對母質成分之比為10%/90%至90%/10%容積比。 16. 如申請專利範圍第丨項之拋光墊,其中第一層具有厚度 為 0.00511寸至 0.1500寸。 17. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中第一層進一步包 括界面活性劑或去除添加劑。 18. 如申請專利範圍第丨7項之拋光墊,其中添加劑係攙混 於纖維成分之纖維内部或表面塗布於纖維成分之殲維 上。 19. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中纖維成分進一步 包括不溶於料漿的纖維。 其中纖維係以複數纖 其中可溶纖維為短切 其中可溶纖維為連 續 其中可溶纖維係以比 -------:--------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遶用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 13
    44〇495 六、申請專利範圍 20_如申請專利範圍第19項之拋光墊,其中不溶纖維占可 溶成分高達90%質量比。 21. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中背櫬結構進一步 包含兩層黏著劑有一可壓縮結構層夾置於其間。 22. —種使用如申請專利範圍第1項之拋光墊拋光一基材之 方法’該方法包含: 提供一欲拋光之基材;以及 使用如申請專利範圍第丨項之拋光墊拋光基材。 23. 如申請專利範圍22項之方法,其中基材包含一半導體 晶圓。 2.4.如申請專利範圍第22項之方法,其中基材包含金屬、 陶瓷、玻璃或硬碟。 25. —種拋光墊,用於於包含磨蝕粒子及分散劑之料漿存 在下拋光一基材,該拋光墊包含: 一第一層,具有一拋光面及一背襯面,第一層係 由一種可溶成分於一種聚合物母質成分形成,可溶成 分包含一種材料充分可溶於料漿而於拋光面上形成空 隙結構’該可溶成分於第一層内部提供實心結構;以 及 一背襯結構,包含一黏著劑層固定於第一層之背 面。 26. 如申請專利範圍第25項之拋光墊,其中可溶成分包含 一種纖維材料。 27. 如申請專利範圍第25項之拋光墊,其中可溶 包含 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4現格(210 X 297公髮) -------;---------裝--------訂·-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 A8 B8 440495_§_ 六、申請專利範圍 一種粉狀材料。 28.如申請專利範圍第25項之拋光墊,其中料漿為水性料 漿及可溶成分係可溶於水。 --------;--------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印ΐ衣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI457202B (zh) * 2007-10-26 2014-10-21 Innopad Inc 化學機械平面化拋光墊及其產生方法
CN113276016A (zh) * 2014-06-18 2021-08-20 嘉柏微电子材料股份公司 具有带有液体填充物的致孔剂的抛光垫
CN114310652A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 金陵科技学院 一种软脆材料柔性研磨装置
TWI763675B (zh) * 2016-06-01 2022-05-11 日商富士紡控股股份有限公司 研磨墊及其製造方法、以及研磨物的製造方法

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6964604B2 (en) * 2000-06-23 2005-11-15 International Business Machines Corporation Fiber embedded polishing pad
US6652764B1 (en) * 2000-08-31 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for making and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
JP2002190460A (ja) * 2000-10-12 2002-07-05 Toshiba Corp 研磨布、研磨装置および半導体装置の製造方法
EP1211024A3 (en) 2000-11-30 2004-01-02 JSR Corporation Polishing method
US6863774B2 (en) * 2001-03-08 2005-03-08 Raytech Innovative Solutions, Inc. Polishing pad for use in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same
KR100421704B1 (ko) * 2001-04-20 2004-03-10 고려연마공업 주식회사 유연성 기능을 갖는 연마포용 직물기재
DE60228784D1 (de) 2001-04-25 2008-10-23 Jsr Corp Lichtduchlässiges Polierkissen für eine Halbleiterschleife
US6488767B1 (en) 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
JP2003100682A (ja) 2001-09-25 2003-04-04 Jsr Corp 半導体ウエハ用研磨パッド
WO2003030232A1 (fr) * 2001-09-28 2003-04-10 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Disque de serrage et d'usinage de pieces, dispositif d'usinage de pieces et procede d'usinage
US6913517B2 (en) 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
JP4266579B2 (ja) * 2002-06-28 2009-05-20 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 研磨体およびその製造方法
WO2004028745A1 (en) * 2002-09-25 2004-04-08 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad for planarization
US7267607B2 (en) 2002-10-28 2007-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
US7311862B2 (en) * 2002-10-28 2007-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size
US7435165B2 (en) * 2002-10-28 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
US6641632B1 (en) * 2002-11-18 2003-11-04 International Business Machines Corporation Polishing compositions and use thereof
JP4659338B2 (ja) * 2003-02-12 2011-03-30 Hoya株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド
US7086932B2 (en) * 2004-05-11 2006-08-08 Freudenberg Nonwovens Polishing pad
US20050042976A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 International Business Machines Corporation Low friction planarizing/polishing pads and use thereof
US7101275B2 (en) 2003-09-26 2006-09-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing
US8075372B2 (en) 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
US7232364B2 (en) * 2005-02-04 2007-06-19 3M Innovative Properties Company Abrasive cleaning article and method of making
WO2007016498A2 (en) * 2005-08-02 2007-02-08 Raytech Composites, Inc. Nonwoven polishing pads for chemical mechanical polishing
US8192257B2 (en) * 2006-04-06 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Method of manufacture of constant groove depth pads
JP2008000831A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Saitama Univ 研磨パッドの製造方法
TWI409136B (zh) 2006-07-19 2013-09-21 Innopad Inc 表面具微溝槽之化學機械平坦化墊
US20080274674A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-06 Cabot Microelectronics Corporation Stacked polishing pad for high temperature applications
US7635290B2 (en) * 2007-08-15 2009-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interpenetrating network for chemical mechanical polishing
US7985121B2 (en) 2007-11-30 2011-07-26 Innopad, Inc. Chemical-mechanical planarization pad having end point detection window
WO2009088945A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-16 Innopad, Inc. Chemical-mechanical planarization pad
JP5485978B2 (ja) * 2008-04-01 2014-05-07 イノパッド,インコーポレイテッド 空隙形成が制御された研磨パッド
US8684794B2 (en) * 2008-04-11 2014-04-01 Fns Tech Co., Ltd. Chemical mechanical planarization pad with void network
WO2009134775A1 (en) * 2008-04-29 2009-11-05 Semiquest, Inc. Polishing pad composition and method of manufacture and use
KR20110050526A (ko) * 2008-09-04 2011-05-13 이노패드, 인코포레이티드 비권축 섬유를 포함하는 패브릭 및 그 제조 방법
TW201016391A (en) * 2008-10-20 2010-05-01 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad having abrasive grains and method for making the same
WO2010093342A1 (en) 2009-02-12 2010-08-19 Innopad, Inc. Three-dimensional network in cmp pad
TWI510328B (zh) * 2010-05-03 2015-12-01 Iv Technologies Co Ltd 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法
US8758659B2 (en) 2010-09-29 2014-06-24 Fns Tech Co., Ltd. Method of grooving a chemical-mechanical planarization pad
BR112013014582A2 (pt) 2010-12-14 2016-09-20 3M Innovative Properties Co artigo de polimento fibroso de peça única
JP5995965B2 (ja) 2011-06-14 2016-09-21 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 内蔵型繊維性バフ研磨物品
DE102012206708A1 (de) 2012-04-24 2013-10-24 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102013201663B4 (de) 2012-12-04 2020-04-23 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102013205448A1 (de) 2013-03-27 2014-10-16 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial
TWI590918B (zh) * 2013-08-16 2017-07-11 三芳化學工業股份有限公司 硏磨墊、硏磨裝置及製造硏磨墊之方法
CN105729297B (zh) * 2016-04-19 2017-08-25 南京航空航天大学 研抛一体化冰粒型固结磨料抛光垫及其制备方法
CN106002663B (zh) * 2016-05-26 2018-03-27 南京航空航天大学 一种分层冷冻固结磨料抛光垫及制备方法
JP6829037B2 (ja) * 2016-09-30 2021-02-10 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3607159A (en) * 1967-05-12 1971-09-21 Norton Co Saturated, resilient, flexible and porous abrasive laminate
US4255164A (en) * 1979-04-30 1981-03-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Fining sheet and method of making and using the same
US4927432A (en) * 1986-03-25 1990-05-22 Rodel, Inc. Pad material for grinding, lapping and polishing
JP2668016B2 (ja) 1988-09-21 1997-10-27 スピードファム株式会社 ポリッシングパッド及びその製造方法
US5578098A (en) * 1990-10-09 1996-11-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive containing erodible agglomerates
US5310455A (en) * 1992-07-10 1994-05-10 Lsi Logic Corporation Techniques for assembling polishing pads for chemi-mechanical polishing of silicon wafers
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5346516A (en) * 1993-09-16 1994-09-13 Tepco, Ltd. Non-woven abrasive material containing hydrogenated vegetable oils
US5632668A (en) * 1993-10-29 1997-05-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for the polishing and finishing of optical lenses
JP3149340B2 (ja) 1995-08-22 2001-03-26 ロデール・ニッタ株式会社 研磨用パッド
US5646736A (en) * 1995-12-19 1997-07-08 Chemetrics, Inc. Analytical apparatus with coded elements
US5645736A (en) 1995-12-29 1997-07-08 Symbios Logic Inc. Method for polishing a wafer
US5879226A (en) 1996-05-21 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for conditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5976000A (en) 1996-05-28 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Polishing pad with incompressible, highly soluble particles for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5702292A (en) * 1996-10-31 1997-12-30 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for loading and unloading substrates to a chemical-mechanical planarization machine
US5725417A (en) 1996-11-05 1998-03-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for conditioning polishing pads used in mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates
JPH10156705A (ja) 1996-11-29 1998-06-16 Sumitomo Metal Ind Ltd 研磨装置および研磨方法
US5916011A (en) * 1996-12-26 1999-06-29 Motorola, Inc. Process for polishing a semiconductor device substrate
JPH10225864A (ja) 1997-02-17 1998-08-25 Sony Corp 研磨パッドとその製造方法並びにその研磨パッドを用いたウエハの研磨方法
US5910471A (en) * 1997-03-07 1999-06-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article for providing a clear surface finish on glass
US5919082A (en) * 1997-08-22 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive polishing pad
US6602111B1 (en) * 1999-07-16 2003-08-05 Seimi Chemical Co., Ltd. Abrasive

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI457202B (zh) * 2007-10-26 2014-10-21 Innopad Inc 化學機械平面化拋光墊及其產生方法
CN113276016A (zh) * 2014-06-18 2021-08-20 嘉柏微电子材料股份公司 具有带有液体填充物的致孔剂的抛光垫
TWI763675B (zh) * 2016-06-01 2022-05-11 日商富士紡控股股份有限公司 研磨墊及其製造方法、以及研磨物的製造方法
CN114310652A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 金陵科技学院 一种软脆材料柔性研磨装置

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