TW423044B - Plasma processing apparatus - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 157
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 102
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Description
^Λ23〇 ^ 4 Α7 Β7 五、發明說明(1 ) 發明背景 發明技術領域 本發明係關於電漿處理設備,藉由施加電漿放電來實 施不同的表面處理,例如半導體基體、顯示基體、多晶片 模組(MCM)、印刷電路板、等等的蝕刻、去灰、沈積 、表面重建及表面淸潔。 背景技藝 關於根據傳統LSI製程之半導體基體等的蝕刻、去 灰、沈積、表面重建、及表面淸潔,已廣泛使用各種型式 的電漿處理設備,其在減壓的環境下藉由產生電漿來處理 基體。 在這些型式的電漿處理設備中,裝載-鎖室係設置成 相鄰於實施電漿處理的處理室,且基體會經由此裝載-鎖 室而被輸送。在此情形中,會在處理室與裝載-鎖室之間 設有開口以輸送基體。在處理期間,此開口係藉由稱作閘 閥之閘元件氣密地密封,且在輸送期間,基體會被移進及 移出此開口。 但是,對於傳統的電漿處理設備,一裝載-鎖室通常 被提供給每一處理室。結果’會產生每單位時間所處理之 基體的數目(亦即產能)爲小的問題。因此,迫切需要具 有高產能的電漿處理設備。 發明槪述 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------ 訂------!·#1 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 -4- 及致使 1230 4 4 A7 ___ B7___ 五、發明說明(2 ) 在慮及上述觀點下,本發明的目的在於提供一種電漿 處理設備,其中可獲得產能的增加。 根據本發明,電漿處理設備被提供來藉由電漿放電以 實施基體的表面處理,該電漿處理設備包括: 第一處理室及第二處理室,用以實施表面處理; 裝載一鎖室,位於該第一處理室與第二處理室之間, 藉由第一連接組件及第二連接組件分別與該第一處理室與 第二處理室連接; 多個開口,分別設置在該第一連接組件與第二連接組 件中,分別致使該第一處理室與該裝載-鎖室之間連通, 處理室與該裝載-鎖室之間連通;及 輸送機構,能夠藉由在第一處理室、該裝載-鎖室、 及該第二處理室被鄰接配置之方向上,以往復方式自由地 移經該等開口,以便在該裝載一鎖室與該第一處理室之間 實施基體輸送,及在該裝載一鎖室與該第二處理室之間實 施基體輸送; 其中,多個該輸送機構係以彼此垂直的方式設置。 根據本發明的一個觀點,該第一處理室、該裝載-鎖 室、及該第二處理室被鄰接地配置以形成圓弧,且該多個 輸送機構係藉由被轉動,而能夠在該鄰接的配置方向上以 往復方式自由地移動。 根據本發明的另一觀點,提供有電漿處理設備,其中 在每一個該第一連接組件及第二連接組件中、上開口及下 開口被分別設置作爲該等開口 ’該上及下開口係以彼此垂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閱 讀. 背 面 之- 注
項 再Γ I裝 本 _ 頁I I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -5- 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 :A23〇 ^ 4 A7 B7 五、發明說明(3 ) 直的方式而被間隔分開;上輸送機構及下輸送機構設置作 爲在具有該上開口及下開口之個別層級的該輸送機構:且 該上輸送機構及下輸送機構均在該裝載-鎖室內包括閘閥 ,其藉由在該鄰接的配置方向上以往復方式被驅動而從該 裝載一鎖室交替地開啓及關閉該第一連接組件的該開口及 該第二連接組件的該開口:用於基體支撐的第一載持器, 其相對於該閘條而被固定在該第一處理室側上,且當該閘 條關閉該第一連接組件的該開口時被定位在該第一處理室 側之內;及用於基體支撐的第二載持器,其相對於該閘條 而被固定在該第二處理室側上,且當該閘條關閉該第二連 接組件的該開口時被定位在該第二處理室側之內。 在此情形中,最好在每一個該第一連接組件及該第二 連接組件中,在該上開口及該下開口之間,中間閘閥分別 被設置在該裝載-鎖室側上,以轉動方式交替地開啓及關 閉該上開口及該下開口;及該等開口的每一個係藉由該輸 送機構的該中間閘閥及該閘條的其中之一而被關閉。 此外,根據本發明之電漿處理設備,最好更包括: 基體輸入機器人,用以將基體從基體供應站輸送至該 裝載一鎖室:及 基體輸出機器人,與該基體輸入機器人分開設置,用 以從該裝載-鎖室輸送基體。 圖式簡述 圖1係平面圖,包含部分剖面圖,顯示根據本發明的 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公蜚) -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---— I ---訂·ί!ί*.^ F A7 _ B7 五、發明說明(4 ) 較佳實施例之電漿處理設備的結構外形。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2係平面圖,顯示圖1中所示的電漿處理設備中的 基體輸送系統之放大圖。 圖3係側剖面圖,顯示圖2的基體輸送系統之I I I —I I I剖面圖。 圖4係從圖1的I V方向観視的側剖面圖。 圖5係側剖面圖,顯示延著圖2之V_V線之圖1中 所示的電漿處理設備中的中間閘閥。 圖6係側剖面圖,顯示圖1中所示之電漿處理設備中 的大氣閘閥(處於關閉狀態)。 圖7係顯示處於開啓狀態之圖6的同一個大氣閘閥。 圖8至1 1係解釋說明圖,顯示使用圖1中所示的電 漿處理設備之方法。 主要元件對照表 1 電漿處理設備 1 0 R 第一處理室 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 I 0 L 第二處理室 II 裝載一鎖室 11a 加熱器 lib 進出埠 1 1 C 大氣閘閥 lid 驅動機構 lie 汽缸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 臛42304 4 A7 _B7 五、發明說明(5 ) 1 1 f 淸 除 墙 1 3 R 閘 板 1 4 R U 上 開 □ 1 4 R L 下 開 P 1 5 密 封 組 件 2 0 U 上 翼 2 0 L 下 翼 2 1 閘 條 2 1 a 中 心 軸 2 1 b 馬 達 2 2 R 接 觸 組 件 2 2 L 接 觸 組件 2 3 R 基 體 載 持 器 2 3 L 基 體 載 持 器 2 4 分 支 組 件 2 4 a 中 空 空 間 2 4 b 進 出 開 P 2 5 止 動 齒 2 6 閘 條 2 6 a 外 部 軸 2 6 b 輸 送 組 件 2 6 c 馬 達 2 7 L 接 觸 組 件 2 7 R 接 觸 組件 <請先閱讀背δ之注意事項再填寫本頁) 裝·---- - 訂·!----I < 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) r4 2 3 Ο 4 4 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五 、發明說明(6 ) 2 8 L 基 體 2 8 R 基 體 3 0 中 間 3 0 a 密 封 3 1 水 平 3 2 馬 達 4 0 基 體 4 1 匣站 4 2 匣 5 0 移除 5 1 冷卻 發 明 之 較 佳 實 施 例 在 下 列 敘 述 中 例 0 但 是 > 本 發 明 圖 1 係 平 面 圖 處 理 設 備 的 結 構 外 理 室 1 0 R ( 第 一 ) > 裝 載 — A/t> 鎖 室 1 閥 3 0 、 基 體 輸 送 除 臂 5 0 ( 基 Μ 體 輸 處 理 室 1 0 R 高 真 空 排 氣 組件 等 內 > 諸 如 半 導 體 基 臂 台 載持器 載持器 鬧閥 組件 軸 輸送機器人 並不侷限於這些較佳 ,顯示根據本發明的 形。在圖示中,電漿 處理室)、處理室1 1、上翼2 0 U、下 機器人4 0 (基體輸 出機器人)。 及1 0 L係分別配備 之室。在這些處理室 體(例如矽晶圓)、 本發明之較佳實施 實施例。 較佳實施例之電漿 處理設備1包括處 0 L (第二處理室 翼2 0 L、中間閘 入機器人)、及移 有電漿產生組件、 1 0 R及1 0 L之 顯示基體、多晶片 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 裳!訂-----I I I I ^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9- 423044 A7 _B7______ 五、發明說明(7 ) <請先閲讀背面之>i意事項再填寫本頁) 模組(M C Μ )、印刷電路板等的蝕刻、去灰、沈積、表 面重建及表面淸潔係藉由施加從電漿產生組件(未顯示於 圖中)所產生的電漿來實施。 裝載一鎖室11係設於處理室1 OR、l〇L及(1站 4 1 〔基體供應站)之間,且有助於基體W的輸入/輸出 。在上述圖形中所示的實施例中,此裝載一鎖室1 1係位 於處理室1 0R及1 0 L之間。根據此圖中所示之示例, 處理室10R、裝載_鎖室1 1、及處理室10L係按上 述次序鄰接配置而形成圓弧= 裝載一鎖室1 1經由閘板1 3 R而與處理室1 0R相 連通(圖4所示)。在此閘板13R中,上開口 14RU 及下開□ 1 4 R L分別被形成爲互相平行而延伸於水平面 上,而致使處理室10R與裝載-鎖室11相連通。裝載 _鎖室1 1也會經由類似閘板而與處理室1 0 L相通,在 該相似的閘板中,上開口及下開口分別被形成爲互相平行 而延伸於水平面上(未顯示於圖中)。 經濟部智慧財產局員Η消费合作社印製 如圖2及3所示,上翼2 0 U與下翼2 0 L彼此間隔 分開且垂直對齊。上翼2 0 U係由閛條2 1,接觸組件 22R及22L、基體載持器23R (第一載持器)及基 體載持器2 3 L (第二載持器)所形成。藉由馬達2 1 b 經由中心軸2 1 a而以轉動方式支撐閘條2 1。以此方式 ,閘條2 1會繞著裝載-鎖室1 1內的垂直軸在配置有處 理室1 0R、裝載—鎖室1 1及處理室1 〇 L的鄰接方向 上振盪(被來回驅動)。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2〗〇χ297公釐) .1〇 . Γ4 2 3 Ο 4 4 Α7 Β7 五、發明說明(8 ) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接觸組件2 2R被安裝在閘條2 1的處理室1 OR側 上且被設計而使得閘板13R的上開口 14RU (圖4) 可以在當閘條2 1朝向處理室1 0 R側轉動的時候從裝載 —鎖室1 1側被氣密密封地關閉。爲了確保上述的氣密密 封,在開口 1 4RU的周圍配置密封組件1 5 (例如,〇 形環)。 接觸件2 2 L被安裝於閘條2 1的處理室1 0 L側上 ,且被類似地設計成當閘條2 1朝向處理室1 0 L側轉動 時氣密密封地關閉處理室1 0 L上的閘板開口(未顯示於 圖中)。 基體載持器2 3 R被固定在接觸組件2 2 R的處理室 1 0 R側,使得當閘條2 1轉動至處理室1 0 R側且接觸 件組2 2R使上開口 1 4RU密封時,基體載持器2 3R 被定位在處理室1 OR之內。 以相同的方式,基體載持器2 3 L被固定在接觸組件 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 2 2 L的處理室1 0 L側,使得當閘條2 1轉動至處理室 1 0 L側且接觸組件2 2 L使處理室1 〇 L側閘板(未顯 示於圖中)的上開口密封時,基體載持器2 3 L被定位在 處理室1 0 L之內。 這些基體載持器'2 3 R及2 3 L被固定而使得他們維 持水平狀態,且被組以符合上開口 1 4 R U的高度位置。
如圖2所示,基體載持器2 3R及2 3 L分別包括分 支組件2 4,此分支組件2 4會延伸而形成符合諸如作爲 基體W之矽晶圓的形狀之圓弧。此外,基體載持器2 3 R -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) A7 423044¾ B7_ 五、發明說明(9 ) 及2 3 L也分別具有多個止動齒2 5。 以此方式,產生藉由分支組件2 4所圍繞之中空空間 24a。此外,藉由提供此中空空間2 4a ,可於電漿處 理時,將基體載持器2 3 R及2 3 L之存在的影響抑制至 最小。 除此之外,分支組件2 5被形成而使得其尖梢端僅以 預定的距離分開而形成進出開口 2 4 b。因此能夠藉由上 述的這些中空空間2 4 a及進出開口 2 4b,來輕易地實 施裝載一鎖室11內之基體W的輸入/輸出。 以此方式,根據如上所述包括上翼2 0 U、中心軸 2 1 a及馬達2 1 b之結構,上翼2 0U可以在裝載—鎖 室11與處理室10R之間及裝載一鎖室11與處理室 10L之間輸送基體W。 這些上翼20U、中心軸21a及馬達21b構成了 上輸送機構。 藉由閘條26、接觸組件27R及27L、基體載持 器28R (第一載持器)及基體載持器28L (第二載持 器)而以類似的方式構成下翼2 0 L。這些結構,亦即, 閘條2 6、接觸組件2 7R和2 7L、及基體載持器 2 8 R和2 8 L,係相同於上述的結構,亦即分別爲鬧條 2. 1、接觸組件22R和22L、及基體載持器23R和 23L,而因此省略其說明。 下翼2 0 L相關於上翼2 0U的不同處在於與下開口 14RL (非上開口 14RU)的對齊高度,及其中所渉 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2〗〇χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.—111---訂·! ---户 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 4 230 4 4 *' A7 __B7__ 五、發明說明(10 ) 及的驅動方法。 如圖3所示,藉由馬達2 6 c經由外部軸2 6 a及輸 送組件2 6 b來驅動下翼2 0L。下翼2 0 L相以同於上 翼2 0 U的方式,在鄰接方向上繞著垂直軸自由地振盪( 以往復方式自由移動)。 在此情形中,中心軸2 1 a及外部軸2 6 a被設計成 彼此獨立地轉動,使得上翼2 0 U及下翼2 0 L能夠彼此 獨立地地轉動而且不會互相干擾。 有可能根據包括如上所述之下翼2 0 L、外部軸 26a、輸送組件26b及馬達26c之結構,藉由將下 翼2 0 L放置在載運一鎖室1 1與處理室1 0R之間及裝 載-鎖室11與處理室1〇L之間來輸送基體W。這些下 翼20L、外部軸26a、輸送組件26b及馬達26c 構成了下輸送機構。 在此假設,在上翼20 U被定位在處理室1 0 R側上 而下翼2 0 L被定位在處理室1 0 L側上的條件下,如果 上翼20U及下翼20L相關於處理室10R側上的閘板 1 3R而以彼此相反的方向被驅動時,則上開口 1 4RU 可以藉由上翼2 0 U的接觸組件2 2 R而被密封關閉,但 是,無法藉由下翼2 0 L的接觸組件2 7R來密封關閉下 開口 1 4 R L。 因此,在此情形中,爲了密封關閉下開口 14RL, 設置有中間閘閥3 0。如圖4及5所示,此中間閘閥3 0 會在水平方向上無限地延伸作爲接觸組件,並被提供在閘 本紙張尺度適用尹國圉家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) _ 13_ I !^------- - 訂---I-----^ (請先閱讀背面之it意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財i局貝工消费合作社印製 4230“ ‘ A7 ____J7__ 五、發明說明(11 ) 板14的裝載—鎖室11側上。 中間閘閥3 0被支撐而使得藉由馬達3 2經由水平軸 3 1之轉動成爲可能。在此圖中,下開口 1 4RL藉由中 間閘閥3 0經由諸如〇形環或類似物之密封組件3 0 a而 被氣密地密封。 因此,能夠選擇性地將中間閘閥3 0驅動至下述任何 位置:(1)下開口 14RL被密封關閉之位置;(2) 上開口 1 4RU及下開口 1 4RL之間的中間位置,及( 3)上開口14RU被密封關閉之位置。 此外,如圖3所示,在裝載-鎖室1 1之內,在裝載 -鎖室1 1的上及下部分中提供有二加熱器1 1 a來預熱 基體,連同讓基體輸入/輸出的進出埠1 1 b。 爲了氣密地密封進出埠1 1 b,會如圖6及7所示, 提供有大氣閘閥1 1 c ,此大氣閘閥1 1 c會經由驅動機 構1 1 d而連接至汽缸1 1 e。藉由汽缸1 1 e,大氣閘 閥1 1 c可以在進出埠1 1 b被氣密封地關閉之狀態(圖 6 )與進出埠1 1 b保持在開啓的狀態(圖7 )間被驅動 〇 舉例而言,基體輸送機器人4 0係雙臂型基體輸送機 器人,其被用來將從配置在匣站4 1中的匣4 2輸入之基 體W輸送至裝載—鎖室11= 移除臂5 0被用來將基體(亦即處理過的基體)按照 從上述裝載-鎖室1 1輸出至冷卻台5 1,當將處理過的 基體從冷卻台51送回匣42時使用基體輸送機器人40 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格(210 * 297公爱) -14- I iiitr.!—I—^ (請先閱讀背面L注ί項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局S工消费合作社印製 4 2 3 0 4 4 ^ A7 ______B7___ 五、發明說明(12 ) 〇 在下面的敘述中,將參考圖8 — 1 1來說明包括上述 結構之電漿處理設備1。 首先,初始狀態係如同s 1中所示,其中上翼2 ◦ U 係位於處理室1 0 R側上,而下翼2 0 L則位於處理室 1 0L側上。在此狀態中’處理室1 0R及1 〇 L係維持 高真空狀態,而裝載一鎖室1 1則曝露於(連通至)大氣 〇 在此情形中,爲了將處理室1 0R維持在高真空狀態 ,藉由上翼2 0 U的接觸組件2 2 R來關閉處理室1 〇R 側上之閘板1 3 R的上開口 1 4 R U。除此之外’藉由中 間閘閥3 0來關閉下開口 1 4 R L。 關於處理室1 0 L的氣密保持,藉由類似組構之中間 閘閥(未顯示於圖中)及下翼2 0 L的接觸組件2 7 L來 關閉開口(未顯示於圖中)。 在此狀態中,如同S 2所示,使用基體輸送機器人 4 0,基體編號1及基體編號2被輸送(輸入)至裝載-鎖室1 1的內部。此時,舉例來說,藉由基體載持器 2 3 L支撐基體編號1,而藉由基體載持器2 8 R支撐基 體編號2。 在完成基體輸入之時,藉由大氣閘閥1 1 c關閉進出 埠1 1 b,且裝載一鎖室1 1藉由高真空排氣組件(未顯 示於圖中)而被抽真空。 如同S 3所示,當裝載-鎖室1 1的真空程度到達預 <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝! —訂------·" 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210*297公釐) .15 - 42304 4 A7 B7 五、發明說明(13 ) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 定等級時,上翼2 0 U被轉動地驅動向處理室1 〇 L ’且 由基體載持器2 3 L所支撐的基體編號1被輸送入處理室 1 0 L之內。同時,下翼2 0 L被轉動地驅動向處理室 1 0 R,且由基體載持器2 8 R所支撐的基體編號2則被 輸送入處理室1 OR之內。 當如上述般轉動上翼2 0 U及下翼2 0 L時’中間閘 閥3 0被配置在中間位置以避免干擾任一翼是很重要的。 然後在上述處理室1 OR及1 0L內實施基體編號1 及編號2各自的電漿處理。在此狀態下,自不待言,每一 開口當然藉由個別的接觸組件及中間閘閥而被氣密地密封 關閉。 基體輸入裝載-鎖室11內與基體編號1及編號2的 電漿處理平行實施。 換言之,舉例而言,不活潑氣體從淸除捧:Lli (未 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 顯示於圖1及2 )而被導入裝載一鎖室1 1 ,藉以產生一 種裝載-鎖室1 1可連通至大氣的狀態,在此之後,大氣 閘閥1 1 c會被開啓。接著,如同S4 — S 5所示,使用 上述基體輸送機器人4 0來輸入基體編號3及4。在此情 形中,藉由基體載持器2 8 L支撐基體編號3,而藉由基 體載持器2 3 R支撐基體編號4。當完成基體輸入時,裝 載-鎖室1 1會被抽真空。 如S 6所示,在完成基體編號1及2的電獎處理及裝 載一鎖室1 1之抽真空至預定真空等級後,上翼2 〇11被 轉動向(被轉動地驅動)處理室1 OR,而同時下翼 16 本紙張尺度適用中圉圉家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 423044 A7 ___B7_ 五、發明說明(彳4 ) 2 0 L被轉動向處理室1 〇 L。結果,處理基體編號1及 2會被輸出至裝載一鎖室1 1,且即將被處理的基體編號 3及4分別被輸送至處理室1 0 L及處理室1 0 R之內。 接著,基體編號3及4在它們個別的處理室中進行電 漿處理。基體編號1及2的移除與上述的處理平行實施。 換言之,如S7及S8所示1在裝載一鎖室11連通於大 氣之後,使用移除臂5 0將基體編號1及2輸出至冷卻台 5 1° 根據本發明,藉由移除臂5 0移除處理過的基體( S 7〜S 8 )及藉由基體輸送機器人4 0導入基體(S 9 )等二者之平行實施包括本發明的特點觀點之一(注意, 藉由基體輸送機器人4 0及移除臂5 0被獨立設置之結構 來取得上述操作)。以此方式,基體輸送機器人40能夠 處於即將被輸入之後續基體(例如,圖中的基體5及6 ) 藉由其臂支撐的待命狀態|亦即,在可快速地實施輸入之 狀態。 結果,當藉由移除臂5 0完成移除處理過的基體(基 體編號1及2 )時,能夠立即輸入下一基體(基體編號5 及6 )以便輸送至裝載一鎖室1 1之內(S 1 〇〜S 1 1 )° 之後,如同S12所示,使用基體輸送機器人40來 將處理過的基體從冷卻台5 1送回至匣4 2 = 如上所述,實施上翼2 0 U及下翼2 0 L以彼此相反 的方向轉動、處理過之基體的移除等操作。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公;g ) -17- — II--------- I I I I I I I 訂--------1 ^ . U (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁》 423044 * A7 ___B7___ 五、發明說明(15 ) 如上所述,因此能夠實施基體W的處理而同時維持大 的產能= (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明之電漿處理設備,可獲得下面的功效。 根據本發明之電漿處理設備,多個輸送機構能夠實施 從裝載-鎖室至第一處理室及第二處理室之基體輸送。結 果,能夠將大量的基體輸送至這些第一及第二處理室,因 而顯著地增加其產能。 根據本發明的實施例,第一處理室、裝載-鎖室及第 二處理室係以鄰接的方式配置而形成圓弧’其中藉由轉動 多個輸送機構,將能夠以往復方式移動上述室於鄰接方向 上。因此,藉由簡單的機構,可以完成輸送機構的輸送。 根據本發明的另一實施例,各輸送機構配備有閘條、 及第一和第二載持器,因此,除了基體輸送之外’各輸送 機構也能夠關閉開口。結果,能夠簡化設備結構及獲得諸 如藉此所佔據的空間最小、縮短製造時間、減少製造成本 、減少維修人力等結果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在上述情形中,爲了關閉適當的開口,可藉由設置中 間閘閥可使設備結構更進一步簡化’此中間閘閥被轉動以 交替開啓/關閉上開口及下開口。 此外,當設置基體輸出機器人作爲與基體輸入機器人 分離的結構時’能夠使用實施基體輸出之週期時間來獲得 準備後續基體輸入的時間。換言之,能夠平行實施基體輸 出及基體輸入,因而減少基體輸入所需之時間。於是’可 增加更多的產能。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) _ ^ - 423044 A7 ___B7 五、發明說明(16 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 除此之外,本發明的電漿處理設備並不限於上述實施 例,而且可選擇性地改變及/或修改,只要這些改變及/ 或修改在本發明的範圍及申請專利範圍之內即可。舉例而 言,下述實施例的修改亦爲可能。 (a )處理室1 0R、裝載—鎖室1 1及處理室 1 0 L可以鄰接的方式配置而形成直線來取代以鄰接的方 式形成圓弧。在此情形中,上翼20U及下翼20L係以 直線方式被往復地驅動,而不是被轉動。 (b )基體載持器的形狀,特別是分支組件的形狀, 被設計成符合基體的形狀。 (c )分別設置特別設計來實施基體送回之機器人以 取代將基體W從冷卻台5 1送回至匣4 2之基體輸送機器 人40 (基體輸入機器人)。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 (d )爲了取代作爲分離組件之裝載一鎖室1 1經由 閘板1 3R (第一連接組件)連接至處理室1 0R (第一 處理室)的結構,能夠提供任何一種下述結構:(1 )閘 板1 3R被整合入處理室1 0R內之結構;(2 )閘板 1 3R整合於裝載_鎖室1 1內的結構;或(3)閘板 1 3、處理室1 0R及裝載_鎖室1 1整合成爲單一單元 之結構。 也可取得相關於第二連接組件、第二處理室及裝載- 鎖室之關係。 本申請案係根據在曰本所申請之專利申請案號H e i 9 — 19488 *其內容於此一倂作爲參考。 本紙張尺度適用中a S家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -19-
Claims (1)
- A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 、申請專利範圍 1·—種電漿處理設備,藉由電漿放電來實施基體的 表面處理•該電漿處理設備包括·· 第一處理室及第二處理室,用以實施表面處理; 裝載-鎖室,位於該第一處理室與第二處理室之間, 藉由第一連接組件及第二連接組件分別與該第一處理室及 第二處理室連接; 多個開口,分別設置在該第一連接組件與第二連接組 件中,分別致使該第一處理室與該裝載-鎖室之間連通* 及致使該第二處理室與該裝載一鎖室之間連通;及 輸送機構,能夠藉由在該第一處理室、該裝載-鎖室 .及該第二處理室被鄰接配置之方向上,以往復方式自由 地移經該等開口,以便在該裝載-鎖室與該第一處理室之 間實施基體輸送,及在該裝載_鎖室與該第二處理室之間 實施基體輸送; 其中,多個該輸送機構係以彼此垂直的方式設置。 2 +如申請專利範圍第1項之電漿處理設備,其中該 第一處理室、該裝載-鎖室、及該第二處理室被係鄰接地 配置以形成圓弧,且該多個輸送機構係藉由被轉動,而能 夠在於該鄰接的配置方向上以往復方式自由地移動。 3 如申請專利範圍第1項之電漿處理設備,其中在 .該第一連接組件及第二連接組件的每一個中,上開口及下 開口被分別設置作爲該等開口,該上及下開口係以彼此垂 直的方式而被間隔分開; 上輸送機構及下輸送機構,設置作爲在具有該上開α -----------1 -----I I I ^ 11111--I I -· ' <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 本紙張尺度適用令國國家標準<CNS)A4規格(210 X 297公釐) -20- d23〇4 4 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 之個別層級的 輸送機構及下 及下開口 該上 閘閥,其藉由在該鄰接 而從該裝載-鎖室側交 該開口及 載持器 該第二連接組 其相對於該閘 且當該閘條關閉該第一 一處理室側之內:及用 於該閘條而被固定在該 該第二連接組件的該開 該輸送機構;及 輸送機構均在該裝 的配置方向上以往 替地開啓及關閉該 件的該開口;用於 條而被固定在該第 連接組件的該開口 於基體支撐的第二 第二處理室側上, 口時被定位在該第 載一鎖室內包括 復的方式被驅動 第一連接組件的 基體支撐的第一 —處理室側上, 時被定位在該第 載持器,其相對 且當該閘條關閉 二處理室側之內 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 ·如申請專利範圍第2項之電漿處理設備,其中在 該第一連接組件及該第二連接組件的每一個中,上開口及 下開口被分別設置作爲該等開口,該上開口及下開口係以 彼此垂直的方式而被間隔分開; 上輸送機構及下輸送機構,設置作爲在具有該上開口 及下開口之個別層級的該輸送機構:及 該上輸送機構及下輸送機構均在該裝載-鎖室內包括 閘閥,其藉由在該鄰接配置的方向上以往復的方式被驅動 而從該裝載-鎖室側交替地開啓及關閉該第一連接組件的 .該開口及該第二連接組件的該開口;用於基體支撐第一載 持器,相對於該閘條而被固定在該第一處理室側上,且當 該閘條關閉該第一連接組件的該開口時被定位在該第一處 理室側之內;及用於基體支撐的第二載持器,其相對於該 I I--— II---------I I I 訂-11111111 線 I * * <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 - 0^8008 ^BaD 六、申請專利範圍 閘條而被固定在該第二處理室側上,且當該閘條關閉該第 二連接組件的該開口時被位在該第二處理室側之內。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 5 ·如申請專利範圍第3項之電漿處理設備,其中在 每一個該第一連接組件與該第二連接組件中,在該上開口 與該下開口之間,中間閘閥分別被設置在該裝載一鎖室側 上’以轉動方式交替地開啓及關閉該上開口及該下開口; 及 該等開口的每一個係藉由該輸送機構的該中間閘閥或 該閘條而被關閉。 6 *如申請專利範圍第4項之電漿處理設備,其中在 每一個該第一連接組件與該第二連接組件中,在該上開口 與該下開口之間,中間閘閥分別被設置在該裝載-鎖室側 上,以轉動方式交替地開啓及關閉該上開口及該下開口; 及 該等開口的每一個係藉由該輸送機構的該中間閘閥或 該閘條而被關閉。 7 ·如申請專利範圍第1項之電漿處理設備,更包括 經濟部智慧财產局員工消費合作社印製 基體輸入機器人,用以將基體從基體供應站輸送至該 裝載-鎖室;及 基體輸出機器人1與該基體輸入機器人分開設置’用 以從該裝載-鎖室輸送基體。 -22- 本紙張尺度適用中0國家標準(CNS)A4規格mo X 297公轚)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01948897A JP3215643B2 (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW423044B true TW423044B (en) | 2001-02-21 |
Family
ID=12000751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW086117015A TW423044B (en) | 1997-01-31 | 1997-11-14 | Plasma processing apparatus |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6024800A (zh) |
JP (1) | JP3215643B2 (zh) |
KR (1) | KR100261986B1 (zh) |
SG (1) | SG66424A1 (zh) |
TW (1) | TW423044B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104008945A (zh) * | 2013-02-22 | 2014-08-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于等离子体处理装置的基片制程方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001205211A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ洗浄装置 |
US20030029833A1 (en) * | 2000-03-20 | 2003-02-13 | Johnson Wayne L | High speed photoresist stripping chamber |
US6630053B2 (en) * | 2000-08-22 | 2003-10-07 | Asm Japan K.K. | Semiconductor processing module and apparatus |
US20040221811A1 (en) * | 2001-11-30 | 2004-11-11 | Robert Mitchell | Method and apparatus for processing wafers |
US7246985B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-07-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Work-piece processing system |
US7680557B2 (en) * | 2004-09-22 | 2010-03-16 | Hantech Co., Ltd. | System for processing semiconductor substrate by using laser and method of the same |
US7467916B2 (en) * | 2005-03-08 | 2008-12-23 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-manufacturing apparatus equipped with cooling stage and semiconductor-manufacturing method using same |
KR100821781B1 (ko) * | 2005-08-05 | 2008-04-11 | 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드 아시아 | 플라즈마 처리 장치 |
US7534080B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-05-19 | Ascentool, Inc. | Vacuum processing and transfer system |
US7845891B2 (en) * | 2006-01-13 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Decoupled chamber body |
KR100699539B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2007-03-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
WO2008072997A1 (fr) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | 'nauchnoe I Tekhnologicheskoe Oborudovanie' Limited | Installation d'attaque au plasma de plaques semi-conductrices et/ou de formation de films diélectriques sur celles-ci |
CN101740441B (zh) * | 2008-11-04 | 2012-04-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种机械手调度方法、装置及等离子体处理设备 |
US20120288355A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Ming-Teng Hsieh | Method for storing wafers |
CN208240622U (zh) * | 2015-05-22 | 2018-12-14 | 应用材料公司 | 用于装载及卸载基板的负载锁定腔室和直列基板处理系统 |
DE102017105374A1 (de) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat sowie Verfahren zum Einrichten der Vorrichtung |
DE102017105379A1 (de) | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Aixtron Se | Substrathalteranordnung mit Maskenträger |
KR102552467B1 (ko) * | 2020-10-15 | 2023-07-05 | 세메스 주식회사 | 다이 표면 처리 장치 및 이를 구비하는 다이 본딩 시스템 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8332394D0 (en) * | 1983-12-05 | 1984-01-11 | Pilkington Brothers Plc | Coating apparatus |
US5021138A (en) * | 1985-01-17 | 1991-06-04 | Babu Suryadevara V | Side source center sink plasma reactor |
JPS61168922A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-30 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | プラズマ・エツチング装置 |
JPS63204726A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
JPH0825151B2 (ja) * | 1988-09-16 | 1996-03-13 | 東京応化工業株式会社 | ハンドリングユニット |
JP3466607B2 (ja) * | 1989-09-13 | 2003-11-17 | ソニー株式会社 | スパッタリング装置 |
KR950010044B1 (ko) * | 1990-06-27 | 1995-09-06 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 반도체 집적회로의 제조방법 및 그에 사용된 제조장치 |
KR0129582B1 (ko) * | 1994-06-23 | 1998-04-06 | 김주용 | 다중 기판 전달 장치 |
JP3165348B2 (ja) * | 1995-05-18 | 2001-05-14 | ワイエイシイ株式会社 | プラズマ処理装置およびその運転方法 |
-
1997
- 1997-01-31 JP JP01948897A patent/JP3215643B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-14 TW TW086117015A patent/TW423044B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-12-04 KR KR1019970065750A patent/KR100261986B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-07 SG SG1998000064A patent/SG66424A1/en unknown
- 1998-01-26 US US09/013,521 patent/US6024800A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104008945A (zh) * | 2013-02-22 | 2014-08-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于等离子体处理装置的基片制程方法 |
CN104008945B (zh) * | 2013-02-22 | 2016-06-01 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于等离子体处理装置的基片制程方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100261986B1 (ko) | 2000-08-01 |
KR19980070132A (ko) | 1998-10-26 |
US6024800A (en) | 2000-02-15 |
JP3215643B2 (ja) | 2001-10-09 |
SG66424A1 (en) | 1999-07-20 |
JPH10219455A (ja) | 1998-08-18 |
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