KR100821781B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

챔버를 포함하는 플라즈마 처리 장치는, 적어도 두 개의 처리 스테이션을 포함하는 챔버로서, 처리 스테이션들은 분리벽에 의해 분리되어 있다. 분리벽에는 적어도 하나의 채널이 있고, 채널의 폭/길이의 비가 1/3보다 작다. 본 발명은 하전 입자가 서로 간섭하는 것을 막으면서 처리 스테이션들 사이에서 가스의 압력 평형을 유지하고, 처리 스테이션들에서 처리 조건의 균일성을 향상시킨다.

Description

플라즈마 처리 장치 {Plasma processing apparatus}
도 1은 기존의 일괄 처리 시스템에 대한 개략도이다.
도 2는 기존의 다른 일괄 처리 시스템에 대한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략도이다.
도 6은 본 발명에서 플라즈마 처리 장치의 보호 장치를 절단해서 본 개략도이다.
도 7은 본 발명에서 플라즈마 처리 장치의 보호 장치를 위에서 본 개략도이다.
본 발명은 반도체나 직접회로의 생산 분야와 관련 있는 것으로, 특히 다수의 반도체 소재를 동시에 처리할 수 있는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
현재, 두 종류의 반도체 처리 시스템이 일반적으로 사용된다. 하나는 소재의 일괄 처리 시스템이고, 다른 하나는 단일 소재 처리 시스템이다. 단일 처리 시스템 은 제품의 균일성(균질성), 단일 배치(batch)의 처리 속도와 가열 효과에서 이점이 있지만 그 낮은 처리량과 높은 생산 비용은 쉽게 극복할 수 없는 중대한 단점이다.
일괄 처리 시스템에서 소재는 동시에 수평이나 수직으로 배치되고 처리된다. 예를 들어, 미국특허 제5855681호는 몇 개의 반도체 소재의 일괄 처리 장치를 개시하고 있는데, 이는 다각형(일반적으로 직사각형)이나 원형 처리 챔버를 가지고, 이 챔버들은 다수의 처리 스테이션을 포함하며, 각 처리 스테이션은 하나의 반도체 소재를 수용한다.
처리 결과의 균일성을 확보하기 위해서는, 각 반도체 소재의 처리 조건이 동일해야 한다. 일괄 처리 시스템에서, 일부의 장비와 자원 예를 들어, 가열장치, 가스 소스, 도입/배출 장치, 플라즈마 발생기 등을 공유하는 것이 필요하지만 이들은 완전히 균등하게 분포, 배치될 수 없다는 사실 때문에, 반도체 소재의 불균일한 처리 결과는 불균일한 처리 조건의 결과로서 필연적인 것이다.
특히, 활성 입자로서 플라즈마를 사용하고 RF 에너지에 의해 활성화되는 반도체 소재의 처리에서, 플라즈마를 이용한 증착이나 에칭 등의 제조과정처럼, 플라즈마의 특성 때문에, 처리 챔버에서 처리 스테이션의 균일성에 대한 요구는 더 엄격하다. 플라즈마 처리에서 균일성의 요구는 가스의 압력과 고주파 활성화 에너지에 주로 초점이 맞춰지는데, 여기서 고주파 활성화 에너지 입력의 균일성의 조절은 상대적으로 쉬운 반면, 챔버 내부의 가스 압력의 균일성을 실현하는 것은 어렵다.
플라즈마 처리 챔버 내부에 균일성을 달성하기 위해, 두 개의 해결책이 나왔다. 하나는 챔버 내에 처리 스테이션을 엄격하게 분리하는 것인데, 이는 스테이션 제작에 대한 엄격한 요구를 부과하여, 가능한 한 동일한 구조로 만드는 것이고, 또한 가능한 한 동일하게 만들기 위해 가스와 전기 입력 장치를 개선하는 것이다. 그러나 마모와 제작의 오차는 어느 정도의 범위에서 항상 존재하고, 스테이션들의 기하학적 위치의 차이를 막기는 어려워서, 이러한 방법은 동일 배치의 반도체 소재의 플라즈마 처리의 엄격한 균일성을 거의 보장할 수 없다. 다른 방법은 챔버 안의 처리 스테이션들 간을 밀봉하지 않는 것이다. 이러한 경우에, 스테이션들 사이의 가스 압력의 균형이 잘 유지될 수 있고, 즉 중성 입자의 밀도 분포가 상태적으로 균일하다. 그러나 처리 챔버의 내부가 밀봉되어 있지 않음에 따라, 중성 입자들의 소통이 가스 압력의 균형을 만들기도 하지만 하전 입자가 서로 간섭한다. 이는 처리 스테이션에서 전기장의 분포를 교란시키고, 따라서 플라즈마 처리 챔버 내부의 균일성을 저해한다.
그러므로, 하전 입자가 서로 간섭하는 것을 막으면서도 처리 스테이션들 사이에 가스의 압력 균형이 유지되는 플라즈마 처리 장치가 필요하다. 이와 관련되어 상용화된 설비나 특허 또는 기술 문헌은 아직 없다.
본 발명의 목적은 종래 기술의 단점을 극복하고, 반도체 소재의 플라즈마 일괄 처리 장치의 처리 스테이션들 간의 가스의 압력의 불균형과 하전 입자의 상호 간섭의 문제를 해결할 수 있는 플라즈마 처리 장치와 그 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 다음의 해결수단을 활용한다. 즉, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 챔버를 포함하고, 이 챔버는 적어도 두 개의 처리 스테이션을 포함하며, 처리 스테이션들은 분리벽에 의해 분리되어 있고, 분리벽에는 적어도 하나의 채널이 마련되어 있으며, 채널의 폭/길이의 비가 1/3보다 작다.
여기서, 상기 채널은 필요에 따라 채널을 개폐할 수 있는 스위치를 가지고 있다.
본 발명은 또한 다른 기술적 해결수단을 제공한다. 즉, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 챔버를 포함하고, 이 챔버는 적어도 두 개의 처리 스테이션을 포함하며, 처리 스테이션들은 분리벽에 의해 분리되어 있고, 분리벽에는 두 처리 스테이션을 연결하는 개구가 마련되어 있으며, 상기 개구의 안쪽에는 게이트 유닛이 마련되고, 상기 게이트 유닛은 상기 개구의 크기를 폭/길이의 비가 1/3보다 작게 될 때까지 조절할 수 있다.
여기서, 상기 게이트 유닛은 상기 개구를 완전히 차단할 수도 있다.
본 발명의 다른 기술적 해결수단은 플라즈마 처리 장치로서, 챔버를 포함하고, 이 챔버는 적어도 두 개의 처리 스테이션을 포함하며, 처리 스테이션들은 분리벽에 의해 분리되어 있고, 분리벽에는 두 처리 스테이션을 연결하는 개구가 마련되어 있으며, 적어도 하나의 처리 스테이션의 내벽에 부착되는 보호 장치가 마련되고, 보호 장치에는 안쪽과 바깥쪽을 관통하는 채널이 마련되며, 채널의 폭/길이의 비가 1/3보다 작고, 보호 장치는 분리벽을 따라 수직으로 이동가능하다.
여기서, 상기 보호 장치는 게이트에 의해 제어 및 구동되어 필요에 따라 서 로 다른 위치로 이동한다. 상기 서로 다른 위치는, 적어도, 보호 장치가 개구를 차단하지 않는 위치, 보호 장치가 개구를 차단하면서 채널이 개구와 연통되지 않는 위치, 및 보호 장치가 개구를 차단하고 채널은 개구와 연통되는 위치를 포함한다. 상기 서로 다른 위치는 게이트에 의해 상기 보호 장치를 지속적으로 견인함으로써, 세 개의 기어로 서로 다른 위치를 규정하고, 상기 기어를 절환함으로써 보호 장치의 위치를 변경함으로써 달성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 해결수단은, 플라즈마 처리 장치로서, 챔버를 포함하고, 이 챔버는 적어도 두 개의 처리 스테이션을 포함하며, 상기 처리 스테이션들은 분리벽에 의해 분리되어 있고, 각 처리 스테이션은 제1 및 제2 전극을 포함하고, 제1 전극 주위에 접지 링이 마련되며, 챔버 벽에는 반도체 소재를 반출입하기 위한 전달 포트가 마련되고, 처리 스테이션의 내벽에는 챔버가 동작중일 때 전달 포트를 차단하기 위한 보호 장치가 마련되며, 분리벽의 접지 링에 가까운 단부에 개구가 마련되고, 처리 스테이션의 접지 링, 개구 및 분리벽은 연결된 챔버를 형성하고, 보호 장치의 폭이 접지 링과 분리벽 사이의 간격과 같고, 보호 장치는 상기 간격 안에서 수직으로 이동가능하고, 보호 장치에는 채널이 마련되며, 채널의 일측 포트는 보호 장치의 위에 마련되고 다른 하나는 보호 장치의 안쪽에 마련되고, 채널의 폭/길이의 비가 1/3 보다 작고, 보호 장치의 두께는 분리벽의 상단에 마련된 개구의 단면보다 크다.
여기서, 상기 보호 장치는 게이트에 의해 제어 및 구동되어, 필요에 따라 서로 다른 위치로 이동한다. 상기 서로 다른 위치는, 적어도, 보호 장치가 전달 포트 를 차단하고 보호 장치의 일부가 접지 링과 분리벽 사이의 간격 안에 있는 위치, 및 보호 장치가 전달 포트를 차단하지 않는 위치를 포함한다. 상기 서로 다른 위치는 게이트에 의해 보호 장치를 지속적으로 견인함으로써, 두 개의 기어로 서로 다른 위치가 규정되고, 기어를 절환함으로써 보호 장치의 위치를 변경함으로써 달성될 수 있다.
상술한 기술적인 해결수단에서, 채널은 하나 또는 다수가 될 수 있다. 채널은 직선, 곡선, 꺾은 선 형상으로 할 수 있다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 증착 장비나 플라즈마 에칭 장비이다.
한편으로 본 발명에서 채널은 중성 입자의 확산을 보장하고 처리 스테이션 사이에 기체 압력의 균형을 유지한다. 다른 한편으로는 하전 입자들은 상대적으로 빠른 속도 및 처리 스테이션의 전기장에서 방향성을 가지므로 대부분의 하전 입자는 방향성과 속도로 인하여 채널 벽과 충돌할 것이고 통과하지 못한다. 폭/길이의 비가 1/3보다 작을 때 대부분의 하전 입자는 통과할 수 없으므로 하전 입자 사이의 간섭을 피할 수 있다는 것은 일반적인 실험으로 증명되었다. 본 발명은 처리 지역이 균일한 처리 상태를 가질 수 있도록 보장한다. 더 상세하게는 본 발명에서 높은 유연성과 호환성을 가지는 다른 처리의 요구가 있을 때, 처리 스테이션은 완벽하게 연결되거나 또는 완전하게 분리되는 구성이 가능하다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 도 1 및 도 2는 기존의 일괄 처리 시스템의 개략도이다. 기존의 반도체 소재의 일괄 처리 시스템에서 처리 챔버의 가장 일반적인 형상은 도 1 및 도 2에서 보는 것처럼 원형 및 직사각형이다. 처리 챔버(1)는 통상 원형인 적어도 두 개의 처리 스테이션(2)를 가진다. 이 처리 스테이션들 사이에는 분리벽이 없고, 또한 전체적으로 밀봉되어 있다.
도 3을 참조하면, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략도이다. 본 실시예에서, 플라즈마 처리 챔버(1)는 다수의 처리 스테이션(2)이 수용되는 챔버(11)와, 제1 및 제2 전극(12)을 포함하는 처리 스테이션(2)을 포함한다. 처리 스테이션(2)은 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이 두 개나 그 이상이고 또한 그 분포를 다양하게 할 수 있다. 본 실시예에서 처리 스테이션(2)을 두 개로 한 것은 단순화하여 예시하기 위함이다.
도 3의 두 개의 처리 스테이션(2)은 분리벽(13)에 의해 분리되어 있다. 분리벽(13)에는 개구(19)가 있어 두 처리 스테이션(2)을 연결한다. 처리 스테이션(2)의 내벽에는 처리 스테이션(2)의 내벽에 부착된 작은 보호 장치(16)가 있고, 보호 장치(16)에는 뚫린 채널(17)이 있는데, 채널(17)의 폭/길이의 비는 1/3보다 작다. 따라서, 한편으로는, 채널(17)은 중성 입자의 확산을 보장할 수 있어, 처리 스테이션들 사이의 가스 압력의 균형을 유지하며, 다른 한편으로, 하전 입자는 처리 스테이션의 전기장 속에서 상대적으로 빠른 속도와 방향성을 가지므로, 대부분의 하전 입자는 방향성과 속도 때문에 채널(17)의 벽에 충돌하여 채널을 통과하지 못한다. 채널의 폭/길이의 비가 1/3보다 작을 때, 대부분의 하전 입자가 통과할 수 없음이 실험적으로 증명되었고, 따라서 하전 입자들 사이의 간섭을 피할 수 있다.
보호 장치(16)는 움직일 수 있다. 가스가 처리 스테이션(2) 사이에서 소통될 필요가 있을 때, 보호 장치(16)는 개구(19)를 차단하지 않는 위치로 이동할 수 있고, 따라서 가스는 개구(19)를 통해 흘러갈 수 있다. 반면에 밀봉이 필요할 때에는, 보호 장치(16)는 개구(19)를 차단하도록 이동할 수 있고, 채널(17)은 개구(19)를 통한 가스의 소통이 방지되는 위치에 있을 수 있다.이때, 채널(17)은 개구(19)의 위치에 있는 것이 아니라 분리벽(13)에 의해 차단되고, 개구(19)는 보호 장치(16)에 의해 차단된다. 따라서, 두 처리 스테이션(2) 사이의 공간이 완전히 밀봉된다. 종래 기술의 설명에서처럼, 플라즈마 처리를 수행할 때, 중성 입자는 자유롭게 움직일 수 있고 하전 입자는 차단되는 조건에서, 보호 장치(16)는 개구(19)를 차단하면서 채널(17)은 개구(19)에 면하는 위치로 이동할 수 있고, 따라서 가스 압력 또는 자유 확산의 영향 아래에서, 중성 입자는 개구(19)와 채널(17)의 통로를 통해 처리 스테이션(2) 사이를 흘러갈 수 있다. 반면에, 하전 입자는 채널(17)에 의해 차단된다.
보호 장치(16)는 게이트(18)에 의해 구동 및 제어될 수 있고, 필요에 따라 다른 위치로 이동할 수 있다. 본 실시예에서, 보호 장치(16)는 적어도 세 개의 다른 위치 즉, 개구(19)를 차단하지 않는 위치, 개구(19)는 차단하는 반면에 채널(17)이 개구(19)에 면하지 않는 위치, 및 개구(19)는 차단하는 반면에 개구(19)와 함께 채널(17)이 유체를 소통시키는 위치를 가진다. 이 세 위치는 게이트(18)에 의한 보호 장치(16)의 지속적인 견인에 달성될 수 있고, 또한 세 개의 기어로서 정해질 수 있어, 기어를 절환함으로써 보호 장치(16)의 위치변경을 가능하게 할 수 있다. 일반적으로, 세 위치를 달성하기 위해서는, 보호 장치(16)의 두께가 개 구(19)보다 클 필요가 있고, 적어도 채널(17) 바깥의 위아래쪽에서 보호 장치(16)의 한 면의 두께(높이)가 개구(19)보다 더 클 필요가 있다.
상술한 것은 본 발명의 바람직한 일 실시예이다. 실제로, 본 발명에서 하전 입자들의 간섭을 막으면서도 중성 입자가 소통될 수 있도록 하는 목적을 달성하기 위해, 다른 실시예가 유용할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 처리 스테이션(2)에는 전술한 바와 같은 채널(17)만 필요하다. 그러므로, 단순화된 일 실시예는 처리 스테이션(2) 사이의 밀봉된 분리벽(13) 상에 채널(17)을 마련하고, 채널(17)의 폭/길이의 비를 1/3 보다 작게 한다. 밀봉이 없거나 처리 스테이션(2) 사이에 완전히 소통되는 플라즈마 처리 챔버가 필요하고, 이 장치는 균일한 플라즈마 처리 조건을 용이하게 달성할 수 있다.
상술한 실시예에서 더욱 개선된 점은, 채널(17)이 필요에 따라 열고 닫을 수 있는 스위치(미도시)를 가지고 있다는 점이다. 추가적으로, 분리벽(13) 상에 더 큰 개구(17)가 마련될 수 있고, 개구(17) 안에는 개구(17)의 크기를 조절할 수 있는 게이트와 유사한 유닛(미도시)이 있어, 필요에 따라 개구(17)의 폭/길이 비를 1/3보다 작게 조절하거나 완전히 닫을 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략도이다. 본 실시예는 반도체 처리의 실제적인 적용을 고려한 바람직한 실시예이다. 보통, 플라즈마 처리 챔버(11)의 상부 전극(21) 주위에는 접지 링(14)이 돌출되어 있다. 본 실시예에서 이 특징은 분리벽(13) 위쪽 끝의 개구(21)를 마련하는 데에 사용된다. 개구(21), 처리 스테이션(2)의 접지 링(14), 및 분리벽(13) 은 연결된 챔버(15)를 형성한다. 챔버(11)는 반도체 소재의 유출입을 위한 전달 포트(20)를 규정한다. 처리 스테이션의 내벽에는 보호 장치(16)가 있어, 챔버(11)가 운전되는 동안, 전달 포트(20)를 밀봉한다. 보호 장치(16)의 폭은 접지 링(14)과 분리벽(13) 사이의 간격과 같다. 보호 장치(16)는 이 간격 안에서 수직으로 움직일 수 있다. 채널(17)의 한 포트는 보호 장치(16)의 위에 있고, 다른 포트는 보호 장치 안에 있다. 채널(17)의 폭/길이 비는 1/3 보다 작다. 보호 장치(16)의 두께는 분리벽(13) 상단의 개구 단면보다 더 크고, 반면에 처리 스테이션(2)의 상단으로부터 보호 장치(16)의 상단까지의 거리보다는 작다. 따라서, 보호 장치(16)는 위쪽으로 당겨지면 전달 포트(20)를 차단하지 않는 위치에 있게 된다. 반도체 소재는 전달 포트를 통해 로딩 또는 언로딩될 수 있다. 챔버(11)가 플라즈마 처리를 수행하는 동안, 보호 장치(16)는 전달 포트(20)의 위치로 아래로 당겨지고, 보호 장치(16)가 전달 포트(20)을 차단하면, 보호 장치의 일부는 접지 링(14)과 분리벽(13) 사이의 간격 안에 있다. 입자는 오직 챔버(15)를 연결하는 채널(17)의 통로를 통해 흘러갈 수 있다.
유사하게, 보호 장치(16)는 게이트(18)의 제어 하에 기어가 바뀜에 따라 또는 연속적으로 움직일 수 있다.
도 6을 참조하면, 도 6은 본 발명에서 플라즈마 처리 장치의 보호 장치를 절단해서 본 개략도이다. 도 6으로부터, 본 발명에서 채널(17)은 직선, 곡선 또는 절곡선으로 할 수 있고, 채널(17)은 하나 또는 다수로 할 수 있다. 채널의 두 포트의 위치는 다양한 실시예에서 다를 수 있어, 도 3에서처럼 보호 장치(16) 안과 밖에 있거나, 도 5에서처럼 보호 정치의 안쪽과 위쪽에 있다.
도 7를 참조하면, 도 7은 본 발명에서 플라즈마 처리 장치의 보호 장치를 위에서 본 개략도이다. 기존의 일괄 처리 시스템은 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 2 또는 다수의 처리 스테이션(2)을 가질 수 있다. 도 3에 도시된 실시예에서, 두 개의 처리 스테이션(2)의 경우에, 보호 장치(16)는 오직 다른 처리 스테이션(2)에 대향하는 면에만 채널(17)을 필요로 한다. 다수의 처리 스테이션(2)을 가지는 경우에는, 처리 스테이션(2)의 모든 대향면에 하나 또는 다수의 채널(17)이 필요하다. 도 7은 이웃한 4개의 처리 스테이션(2)을 가진 보호 장치(16)의 경우를 도시한다. 반면에 도 5의 실시예에서는, 연결 챔버(15)가 링이므로, 보호 장치(16)의 어느 면에 채널(17)을 마련하더라도 동일하다. 바람직하게, 다수의 채널(17)은 보호 장치의 둘레를 따라 균등하게 마련될 수 있다. 도 7에서, 채널(17)의 한 포트는 견인 와이어(20)의 견인 하에 보호 장치(16)를 이동시키기 위한 견인 와이어의 연결점과 함께 보호 장치(16)의 상단에 있다.
본 발명에서 언급한 플라즈마 처리 장치는 플라즈마를 사용하는 반도체 소재의 다양한 처리 장치, 예를 들어, 플라즈마 증착 설비, 플라즈마 에칭 설비 등을 포함한다.
이상의 설명은 단지 본 발명에 기초한 몇 가지의 바람직한 실시예에 지나지 않고, 본 발명의 범위를 제한하는 데에 사용되지 않아야 한다. 본 발명의 장치가 속하는 기술분야에서 잘 알려진 어떠한 대체, 조합, 분리와, 본 발명의 구현이 속하는 기술분야에서 잘 알려진 모든 균등한 변형과 치환은 본 발명의 개시와 보호의 범위를 넘지 않는다.
본 발명에 의하면, 본 발명의 채널은 중성 입자의 확산을 확보하여, 처리 스테이션들 사이의 가스의 압력 균형을 유지할 수 있는 한편, 하전 입자는 상대적으로 속도가 빠르고 처리 스테이션에서 전기장 속에서 방향성을 가지므로, 방향성과 속도 때문에 대부분의 하전 입자는 채널의 벽과 충돌하게 되어 채널을 통과할 수 없다. 보통 채널의 폭/길이의 비가 1/3보다 작을 때, 대부분의 하전 입자는 통과할 수 없고, 따라서 하전 입자 사이에 간섭을 피할 수 있다는 것이 실험에 의해 증명되었다. 본 발명은 처리 영역에서 균일한 처리 조건을 보장한다. 나아가, 본 발명에서, 다른 처리의 요구에 직면했을 때, 처리 스테이션들이 완전히 연결되거나 완전히 분리되도록 설정할 수 있어, 높은 유연성과 호환성을 가진다.

Claims (26)

  1. 챔버(11)를 포함하고, 상기 챔버는 적어도 두 개의 처리 스테이션(2)을 포함하며, 상기 처리 스테이션들은 분리벽(13)에 의해 분리되어 있고, 상기 분리벽에는 적어도 하나의 채널(17)이 마련되어 있으며, 상기 채널의 폭/길이의 비가 1/3보다 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 채널(17)은 필요에 따라 닫거나 열 수 있는 스위치를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 채널(17)은 직선, 곡선 또는 꺾은 선 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 증착 장비인 것을 특징으로 하는 플라 즈마 처리 장치.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 에칭 장비인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 챔버(11)를 포함하고, 상기 챔버는 적어도 두 개의 처리 스테이션(2)을 포함하며, 상기 처리 스테이션들은 분리벽(13)에 의해 분리되어 있고, 상기 분리벽에는 두 처리 스테이션을 연결하는 개구(19)가 마련되어 있으며, 상기 개구의 안쪽에는 게이트 유닛이 마련되고, 상기 게이트 유닛은 상기 개구(19)의 크기를 폭/길이의 비가 1/3보다 작게 될 때까지 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 게이트 유닛은 상기 개구(19)를 완전히 차단할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 개구(19)는 직선, 곡선 또는 꺾은 선 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 증착 장비인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 에칭 장비인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 챔버(11)를 포함하고, 상기 챔버는 적어도 두 개의 처리 스테이션(2)을 포함하며, 상기 처리 스테이션들은 분리벽(13)에 의해 분리되어 있고, 상기 분리벽에는 두 처리 스테이션을 연결하는 개구(19)가 마련되어 있으며, 적어도 하나의 처리 스테이션의 내벽에 부착되는 보호 장치(16)가 마련되고, 상기 보호 장치에는 안쪽과 바깥쪽을 관통하는 채널(17)이 마련되며, 상기 채널의 폭/길이의 비가 1/3보다 작고, 상기 보호 장치(16)는 상기 분리벽(13)을 따라 수직으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 보호 장치(16)는 게이트(18)에 의해 구동 및 제어되어 필요에 따라 서로 다른 위치로 이동하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 서로 다른 위치는, 적어도, 상기 보호 장치(16)가 상기 개구(19)를 차단하지 않는 위치, 상기 보호 장치가 상기 개구(19)를 차단하면서 상기 채널(17)이 개구와 연통되지 않는 위치, 및 상기 보호 장치가 상기 개구(19)를 차단하고 상기 채널(17)은 상기 개구와 연통되는 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 서로 다른 위치는 게이트(18)에 의해 상기 보호 장치(16)를 지속적으로 견인함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  15. 삭제
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 채널(17)은 직선, 곡선 또는 꺾은 선 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  17. 제 11항 내지 제 14항 및 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 증착 장비인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  18. 제 11항 내지 제 14항 및 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 에칭 장비인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  19. 챔버(11)를 포함하고, 상기 챔버는 적어도 두 개의 처리 스테이션(2)을 포함하며, 상기 처리 스테이션들은 분리벽(13)에 의해 분리되어 있고, 각 처리 스테이션은 제 1 및 제 2 전극(12)을 포함하고, 상기 제 1 전극 주위에 접지 링(14)이 마련되며, 챔버 벽에는 반도체 소재를 반출입하기 위한 전달 포트(20)가 마련되고, 처리 스테이션의 내벽에는 챔버가 동작중일 때 상기 전달 포트를 차단하기 위한 보호 장치(16)가 마련되며, 상기 분리벽(13)의 상기 접지 링(14)에 가까운 단부에 개구(21)가 마련되고, 상기 처리 스테이션의 상기 접지 링(14), 상기 개구(21) 및 상기 분리벽(13)은 연결된 챔버(15)를 형성하고, 상기 보호 장치(16)의 폭이 상기 접지 링(14)과 분리벽(13) 사이의 간격과 같고, 상기 보호 장치는 상기 간격 안에서 수직으로 이동가능하고, 상기 보호 장치에는 채널(17)이 마련되며, 상기 채널은 상기 챔버(15)와 상기 보호 장치(16)의 안쪽을 연결하며, 상기 채널의 폭/길이의 비가 1/3 보다 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 보호 장치(16)는 게이트(18)에 의해 제어 및 구동되어, 필요에 따라 서로 다른 위치로 이동하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 서로 다른 위치는, 적어도, 상기 보호 장치(16)가 상기 전달 포트(20)를 차단하고 상기 보호 장치의 일부가 상기 접지 링(14)과 분리벽(13) 사이의 간격 안에 있는 위치, 및 상기 보호 장치가 상기 전달 포트(20)를 차단하지 않는 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 서로 다른 위치는 게이트(18)에 의해 상기 보호 장치(16)를 지속적으로 견인함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  23. 삭제
  24. 제 19항에 있어서,
    상기 채널(17)은 직선, 곡선 또는 꺾은 선 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  25. 제 19항 내지 제 22항 및 제 24항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 증착 장비인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  26. 제 19항 내지 제 22항 및 제 24항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 에칭 장비인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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