TW418431B

TW418431B - Active matrix electro-optical device

Info

Publication number: TW418431B
Application number: TW086112598A
Authority: TW
Inventors: Setsuo Nakajima; Katunobu Awane; Tatsuo Morita
Original assignee: Semiconductor Energy Lab; Sharp Kk
Priority date: 1996-09-03
Filing date: 1997-09-02
Publication date: 2001-01-11
Also published as: KR19980024400A; US6108056A; US5982348A; JP4307574B2; JPH1079515A; KR100439452B1

Description

A Μ 經濟部中央標準局男工消費合作社印装 Α7 Β7 五、發明説明（彳）發明之_背景 .- ^ 發明之領域本發明爲_於一種與一周邊驅動電路整體構成之主動矩陣型平板顯示之結構。 ' 相關技藝之敘述 -- - 使用非晶矽薄膜之主矩陣型液晶顯示裝置爲習知。命且，使用晶矽薄膜且可實施較高品質顯示之主動矩障型液晶顯示裝置亦爲已知。如果使用非晶矽薄膜時，具有一問題，即無法實現p -通道型薄膜電晶體（其特性太低而無法付諸實施）β另一方面，如果使用晶矽薄膜時，即可製造實用的Ρ —通道型薄膜電晶體。因此，如果使用晶矽薄膜時，即可藉由薄膜電晶體來構成互《金氧f導體（CMOS)。如果這樣的話，用來驅動主動矩陣電路之周邊驅動電路亦可藉由薄膜電晶體來構成。如第1 0圖所示，可以實現一種結構，其中主動矩陣電路10與周邊驅動電路11及12係被整合在一玻璃基體或石英基體上。此種結構稱爲周邊驅動電路積體型式〇此種周邊驅動電路積體型式具有特徵，即整體顯示裝置可製成緊湊的_.，且可減少-製造成本-及製造步驟。，當需求高圖像品質時，可實施如何精細的階度顯示是很重要的。通常，使用液晶之電壓傳輸曲線之一非飽和區本纸張尺度逍用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X2.97公釐） "(請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

-4- f 4^843 a Β7 經濟部中央標準局員工消免合作社印製五、發明説明 (2 ) 來實施赌度顯示。亦即，採用二插裡利用其中液晶之光學響 '應係依據所施加電壓（電場 ) 之改變而改變的範圍 > 來實施階度顯示之方法。此_方法通常稱爲類比 f系統 0 如果使用此種類比階度系統 5 則施加於各像素上之液晶上之電壓之分散變成一種問題〇特別是當施加於液晶上之零壓之分散變成大於一階度所需之電壓時在階度顯示上艿發生前後不一致。階度顯示之不 •f 致造成顯示不同一或見到條紋圖型〇 - 施加於各像素上之液晶上之電壓分散係由薄膜電晶體 Ρ2Ζ> 之特性之分散所致，此薄膜電晶體係被安排成幾百乘以 ( X )幾百的單位的矩陣構造 0 如周邊驅動電路積體型式時，周邊驅動電路之薄膜電晶體之指數之分散亦變成主要的原因〇通常具有許多參數關於薄膜電晶體之特性之分散 0 因此，即使其中之任一參數被控制住也難於解決上述 rgl 圖像退化問題。再者，由於具有此種參數其分散挑法被完全抑制，因此此問題變得更爲嚴重〇如上所述，目前由於欲優先控制之參數並不淸楚因此仍有一問題，即難於大量製造具有所需的圖像品質而仍然保有高複製性的主動矩陣型1 顙: 节裝置〇換言之，由於無需淸楚在何種範圍及與· 其他參數何種關係之下何種參數必-須控制 ί 因此—依據目 « >-刖的情形，只有以短視手段努力於改進產量 0 因此，本發明意欲提供 * 當製造與周邊驅動電路整本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 418431 A7 _____B7____ 五、發明説明（3 ) 體構成的主動矩陣型顯示裝置時，欲製造之薄膜電晶體之何種參數必須優先控制之指導方針。依此，本發明資欲提供一種高產量，與周邊驅動電路整體構成之主動矩陣型顯示裝置的製造技術，此顯示裝置可作高像（畫）質之顯示。；依據本案發明人等之瞭解，在每一像素上之饋通電壓之分散對於液>Η驅動電壓之分散具有最高^影響，此液晶驅動電壓之分散與液晶顯示裝置之畫質之退'化極爲有關。主動矩陣型顯示之饋通電壓之影響係掲露在電子資訊通訊學會之技術報告Ε I D9 5_9 9，ED9 5_ 173，SDM95-213 (1996 — 0 2 )上。茲將饋通電壓簡述如下。第1 1圖顯示當安排在主動矩陣電路內之薄膜電晶體起動時，一薄膜電晶體及一像素電極之各零件之電壓波形之關係。. ，_ _ 經濟部中夬標準扃負工消费合作社印裝 f請先聞讀背¾之注意事項再填寫本頁〕在第1 1圖_中，Vg爲一從一閘控信號線供應之信號電壓。Vs爲一從一汲極配線供應之信號電壓。Vd爲薄膜電晶體之輸出電壓。V d爲一供應至一液晶之電壓之波形。首先，’當閘電壓Vg上升至Ο N位準γ g h時，薄膜電晶體導通，且從源極信號線供應之電壓信號V s經由薄膜電晶體而被供應至液晶。第1 1圖顯示被供應至液晶之電p V cf之波形。 .，在閘電壓Vg下降到OFF位準Vg 1之後，電場乃藉由儲存在液晶內之電荷及輔助電容而繼續被施加至液晶本紙張乂度適用中國國家標準（〇耶）厶4規格（2〖0父297公嫠） -6- 經濟部中央標率局貝工消«:合作社印裝 41843» A7 __B7_ 五、發明説明（4 ) 當次閘電壓V g之脈衝被輸入閘極內.時，影像資訊乃在像素電極內被重寫。亦即，當次閘電壓V g之脈衝被輸入閘極內時，薄膜電晶體再被導通，因此相當於新信號電壓Vs之電荷流入像素電極內。大體而言，爲了防止液晶之退化，Vs i g=c 土 a- 1 v S i g所代表之交流電壓係供作電壓v <i。在_此，

Vs i gc爲中心電壓，而Vs i g爲影像信號電壓。 V s i g之値符合階度》在驅動此種薄膜電晶體時，當薄膜電晶體從ON狀態轉換到0 F F狀態時，閘電壓Vg之後電壓（下降電壓）乃藉由閘極與源極間之寄生電容使源極電壓變動。此種變動電壓爲饋通電壓（AVs)。第1 1圖顯示像素電極上之電壓V d被饋通電壓（ △ V s ).所影響之狀態。饋通霓壓（AV s_)由下式（1 )表示。 > AVs=(l/Ct) [Cgd· AVg-S Idt) 其中C t爲總像素之電容。總像素之電容主要係由經過一液晶在像素電極與相對電極之間的電容加上輔助電容來決定。 c g d爲閘極與汲極間之寄生電容。AVg爲閘電壓本紙張尺度適用中國國家標準（C.NS ) A4規格（210X297公嫠) ~~~~ " (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) ;装· -訂 41843 A7 B7 五、發明説明（5 ) 經濟部中夬.楼準爲員工消費合作社印製之變動量。在第1 1圖所呆之情形中，△ V' g係以△ V g = V.gh — Vgl 來表示。 - ，S I d t項表示一流通於源極與菠極間之補償電流之影響，其係由閘控信號線所供應之信號電壓之波形之畸變所造成。 : 如第1 ◦圖所示I，當信號經由閘控信號線傳輸時，經由閘極配線傳蝓之信—號波形變成一有些畸變的形，非爲'一完全的矩形波。特別是，信號之下降部分變成一:具有尾部之波形。這是由閘極驅動電路之不良特性所造成的，且亦由一時間常數所造成。此時間常數係由配線電阻與配線電容之乘積來決定。第1 0圖顯示即使周邊驅動電路1 1發揮完全驅動力以饋給一完全矩形波1 3，所傳輸的信號波形14亦會被一由配線電阻與配線電容之乘積所決定之時間常數所變形 — - * — 的狀態。 _ 在周邊驅動電路係由薄膜電晶體所構成的情況中，很難在現有環境中送出一完全的矩形波。這是因爲很難獲得具有構成周邊驅動電路所需特性之薄膜電晶體的緣故。在薄膜電晶體被畸變的波形1 4驅動的情況中’如第 1 0圖所示，其費了一預定時間直到薄膜電晶體完全關閉爲一止。在這-段期潤中，一-電流依校正饋通-電、壓的方向流通。式（1 )之$ I d t所示之項表示此種電流之總量。在使用非晶矽薄膜之薄膜電晶體中，由於移動率小至請先閱讀面之注

I i 訂：> 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -8- 843 1 A7 _______B7_ 五、發明説明（6 ) _1 cm2 / Vs或更小且主動層之面積爲大的緣故（當然 ’通道面積亦大），由流過一通道之電荷及儲存在通道內之電荷所產'生之電容對於寄生電容'C g d具有一大.的增進〇另方面，S I d t項之I値之增進小，因爲在一使: 用非晶矽薄膜之薄腠電晶體中，移動率小至1 c m 2/ V S或更小。 " , 再者，由於使用驅動器I C作爲閘極驅動電路，因此1 閘控信號之畸變沒有那麼大。因此，在使用一種利用利用非晶矽薄膜之薄膜電晶體的情況中，S I d t項之增進小因此，在使用一種利用非晶矽薄膜之薄膜電晶體的情況中，饋通電壓之分散主要係由式（1 )之首項所造成。特別是，寄生電容C g d之分散變成一主要原因。經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面，在一使用晶矽薄膜之薄膜電晶體中，移動率大，且閘極之面積小，因此寄生電容C g d之値較使用非晶矽薄膜之薄膜電晶體之情況者爲小。由於通道面積小，因此由流過通道之電荷及儲存在通道內之電荷所產生之電容之增進沒有那麼大》· 使用晶矽薄膜之薄膜電晶體具有一幾十c m2/V s 或更大之大移動率：。但是，値之分散較大。在周邊電路積 -體型式中-，由於辱邊驅_動電路1 1及1 2係由薄膜電晶體所構成，因此如第1 0圖中之波型1 4所示之閘控信號電壓之畸變亦變大。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐) 4^843 A7 ____B7_ 五、發明説明（7 ) 閘控信號電!壓之畸變大係意_式’（1 )中之第二.項之積體範圍變大。閘控信號電壓之畸變反映構成周邊驅動電路之薄膜i電晶體之移動率分散之影響。 _ 因此，在與一周邊驅動電路整體成型之主動矩陣電路中’此周邊驅動電路係由使用晶矽薄膜之薄膜電晶體所構成，式（1 )所示饋通電壓之分散受到第二項之影響遠大於* —項之影響。亦即，藉由構成周邊驅動_路之薄膜電晶體之移動率之分散，即可使分散（其係關於閘控信號波形1 4之畸變如第1 0圖所示）發生在式（1 )之第二項之積體範圍內 ’且藉由安置在每一像素上之薄膜電晶體之移動率之分散，即可使分散發生在式（1)之第二項之I値大。這些組合一起以產生饋通電壓上之分散。發.明，之槪要 _ 經濟部中央標準扃員工消*-合作社印製 tn» I m ^^^1 ^^^1 ^^^1 nn 1^^1. n^— \. (請先閱$面之注意事項再填寫本頁). 本發明之一目的乃在於提供一種結構，以抑制由一主動矩陣型顯示裝置中之上述饋通電壓之分散所造成之影像品質之退化，此主動矩陣型顯示裝置係與一周邊驅動電路整體成型，此周邊驅動電.路使f由晶矽薄膜所組成之薄膜電晶體。本發明具有一特徵：爲了抑制由於上述饋通電壓之分散所造成之澎像品質之退化，單一階度所需屬壓V g-r之-絕對値係大於式（1 )之第二項之絕對値。 △ Vs= (1/Ct) 〔Cgd. AVg— S Idt〕本紙張尺度適用中國國家標率（CNS > A4規格（210X297公釐ί " -10- 丨 Α7 Β7 五、發明説明（8 ) 亦即’本發明具有一特徵：決定各常數之範圍，苡滿足下列式（2 )。 . I Vg | > | (l-Ct))S Idt | (2) '· *- * • .- 上述式（2 )提供薄膜電晶體所需特性之姐合的指導方針’此薄膜電晶體在主動矩陣型顧示裝置上構成各電路 ’此主動矩陣型顯示裝置係與一周邊驅動電路整體成型^ 利用式（1 )將式（2 )重寫成下列式（3 )。 I Vgr | > | (l/Ct)[Cgd · Δ Vg-Ct · Δ Vs | (3) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —其中，Vg r單一階度所需電壓《 C t爲包含輔助電容之總像素_容。C g d爲聞.極—汲極電容。Δν g爲 ON/O F F閘電壓之間的差値。Z\V s爲饋通電壓。在本規情中，在像素電極側上之一雜質區界定爲汲極。 V g r及AV £係取決於驅動情況或欲達成之影像品質。C t及Cgd可各別計算。AVs可藉由成型及測量樣品或實施模擬來鹱得。— — - -_，本發明之特徵乃在於設定構成各電路之薄膜電晶體之特性，以便滿足上述不等式。藉由實施此種設定，縱使在本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 經濟部中央標準局員工消贵合作社印製 a? ___B7____ 五、發明説明（9 ) 構成各電路之薄li電晶體之特性上蠢生分散，亦可大大的抑制由於階度顯示之分散所造成之影響。· ' 在此，各參數c主要爲'移動率）之値係界定爲>數所安置之薄膜電晶體之平均値。可使用若干施加抽樣檢查之薄膜電晶體之平均爲平~均値。更正確的說，在各像素上之C丨及C g d之分散變成一問題β桓是，如前述，在使用晶矽薄膜之#膜電晶體中，這些參數之分散之增進小。因此，藉由滿足式（2 )中所示範圍，即可大大的抑制在各像素上之階度顯示之分散所造成之影像品質之退化。依據本發明之一方面，本發明具有一結構，其中薄膜電晶體係被安置在各像素上，各像素則被安置成一矩陣構造，而其特徵乃在於當Vg r爲單一階度所需之一電壓， C t爲總像素之電容，C g d爲閘極一汲極電容，AVg 爲ON/0 F F閘極之間的差値，及AV s爲一饋通電壓 — 時，各參數即可滿足式（3) 。 — I Vgr | > | (l/Ct)[Cgd· Δ Vg-Ct · Δ Vs | (3) 依據本發明之另一方面，本發明具有一結構包含一主動矩陣:電路，其中薄膜電-晶體係哮安置—在各像素電極上，各像素電極被安置成一矩陣構造，及一周邊驅動電路用來驅動由薄膜電晶體所構成之主動矩陣電路，而本發明之特本紙張级適用中國國家標準（CNS )八4祕（210X297公嫠) ----^----裝— — ·· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- i -12- 418431 第86112598號專利申請案〆中文說明書修正頁民國89年10月修正A7 J i搀芷/炉w補宠

徵乃在於當V g r爲單一階度所需之一電壓，c t L爲總像素之電容，Cg d爲閘極—汲極電容，z\Vg爲〇N/ ◦ F F閘極之間的差値，及s爲—饋通電壓時，各矣數即可滿足式（3) 。 / ·. > 1 Vgr 1 > | (l/Ct)[Cgd · Δ Vg-Ct Δ Vs j ,.- (3) 及一用來在周邊驅動電路中驅動-閘控信號電壓之電路之薄膜電晶體之移動率係大於一被安置在主動矩陣電路上之薄膜電晶體之移動率。請先閱讀背面之項再填 · I ψ 訂經濟部智慧財產局員 X. 消費合 h it 發明之詳細說明第1圖顯示一種結構，其中一周邊驅動電路及一主動矩陣電路係被整體構成在一片玻璃基體上。第1圖顯示一主動矩陣型液晶顯示裝置之兩基體之一的結構，此主動矩陣型液晶顯示裝置係與一周邊驅動電路整體構成。在第1圖中，20 1代表一移位暫存器電路。202 代表一反及（NAND)電路。2 0 3代表~階層移位電路。2 0 4爲一緩衝電路（驅動電路）。在第1圖所示結構中，周邊驅動電路係由這些電路所構成。 2 0 5代表一主動矩陣電路。在第1圖中，顯示有四個像素。在一實際主動矩陣電路中’像素係依數百個X數百個或更多的單位被安置成一矩陣構造。安置有可與這些本紙張尺度適用中画國家標準（cns)a4規格（210 x 297公爱） -13- I 418431 A7 __—___B7_ 五、發明説明) 像素匹，配的周邊驅動電路' 各像素安置有薄膜電晶體2 〇 6及輔助電容2 0 8。 i 2 0 7代表一液晶。在第1圖所示之結構中，所有電路係由薄膜電昂體所構成’這些薄膜電晶氍係構成在相同玻璃基體上。例如’構成移位暫存器電路2 0 1之各閘極係由·定時反相器'電路所構成，如第2 A圖所示，其中，p:-通—道型及N —通道型薄膜電晶<體係被組合一起。構成緩衝電路2 0 4之各閘極係由反相器電路所構成，如第2 B圖所示，其中，p_通道型及n_通道型薄膜電晶體係被組合在一起。第10圖所示閘控信號波形之畸變之一主要原因爲：構成緩衝電路2 0 4之薄膜電晶體之特性（主要關於移動· 率）係低於所需的特性。安置在主動矩陣電路2 0 5上之、薄膜電晶體名特性（主要爲移動率之分散）之分散係關於式（1 )及式（2 ) 中之I値之分散。經濟部中央標隼局ώί工消費合作社印製乂請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 當構成緩衝電路2 0 4之薄膜電晶體之移動率高時，第1 0圖所示閛控信轉波形之畸變可較小。當然，閘控信號波形之畸變之分散亦可較小。但是，在技術上是很難增加被整體構成在相同基體上之薄膜電晶體之移動率，而仍能維持若干程―度的均一性。一因此，需要引導指針來指示均一性之程度及移動率之大小。例如，需要此種引導指針來指示相關於其他參數之移動本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公嫠) -14 - 41843 1 A7 ___B7____ 五、發明説明（12 ) 率之大小。 ' ' 而且，.同理，需要引導指針來指示被安置在主動矩陣— 電路2 0 5.上之薄膜電晶體之移動率之分散植度（換言之，需要多少人工及成本）。. 上述引導指針係由下列式（2 )求得° 1 Vgr | >| (1-Ct)) J Idt '1 (2) 亦即，在可允許的成本及人工的範圍中，決定薄膜電晶體之製造步驟及條件，以及其尺寸與型式，以滿足上述式（2 )。然後，可以實現一具有預定影像品質之主動矩陣型液晶顯示裝置。 _ 例如，滿足式（2 )之一方法可爲：構成緩衝電路 2 0 4之薄膜電晶體之移動率可作選擇性的增大，以使第 1 0圖所示之波形之畸p小。此種情形意謂使式（2 )中之dt之積體範圍小，以滿足式（2)。經濟部中央標準局負工消費合作社印袋

,(請先閲讀背面之注$項再填寫本頁J 關於此’使被安排在主動矩陣電路2 0 5上之薄膜電晶體之一主動層之大小爲小。另有一種方法，是使其移動率小。此意謂使式（2 )之I値小，以滿足式（2 )。藉此，使式（2 )之右側小，以便滿足式（2 )。當然，依據所需的階度及所使用的液晶材料，式（2 )之左側之値是'不同的。—因此―’依據値，需要設定構成，緩衝電鉻 2 0 4之薄膜電晶體之移動率與構成主動矩陣電路2 0 5 之薄膜電晶體2 0 6之移動率之組合。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐) '~~ -15- 經濟部中央揉準局負工消I合作社印裝，418431 A7 ___B7___ 五、發明説明（13 ) 藉_此，藉由被安置在周邊驅動電路反主動矩唪電路 2 0 5上之薄膜電晶體之移動率之分散，即可降低對階度顯示之影響。 t ' · 而且，從式（2)可知，增大輔助電容208之値及 c t之値可有·效的減小右側之値。在此情況中，只要將構成緩衝電路2 0 4之薄膜t晶體之移動率，構成主動矩陣讀路2 0 5之薄膜電晶體2 0 6之秦動率，以及輔助電容 2 0 8之値予以組合，以滿足式（2 )即可。例如，在使主動矩陣區域之面積大的情形中，藉由閘控信號線之電阻及電容即可產生第10圖所示閘控信號波形之畸變（此亦高度的關於構成閘控信號線之材料）。在此情形中，無法非常有效的將構成緩衝電路之薄膜電晶體之移動率增大至某一程度或更大。而且，當使用一種具有高電阻値之材料於閘控信號線時，亦會發生類似狀態。. … 在此情形中，使被安排在主動矩陣區域中之薄膜電晶體2 0 6之主動層之尺寸小，以減小I値。明確的說，使通道寬度窄。此意謂藉由減小通道之截面、即可使上述I値小。而_ 且，除了減小通道寬度外，縮短通道長度亦爲有效。這是因爲藉由減小通道面積，即可抑制式（f 1 )之C g d之分散之影響。雖然’估訐由聆C g 1之分散而造成之影響並非很大，但是基本上最好減小C g d。爲了減小式（1 )之I値，減小被安置在主動矩陣電本紙張又度適用中國固家標準（CNS > A4規格（210X：297公釐）諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 -16- A7 __B7______ 五、發明説明（14 ) 胃路2 0 5上之薄膜電昂體2 〇 6之移動率亦爲有效的。而且，爲了滿足式·（ 2)，增大Ct亦爲有效的。在此_情形中，藉由墙加ΐί助電容之値，即可使c t之値增大。.. 但是，如果使被安置在主動矩陣電路2 0 5上之薄膜電晶體2 0 6之移動率太小，則無法獲得驅動液晶所需之 -特性，因此必須對此注意（通常，需要1 0 c m 2 / v S 或更大之_;移動率）。· 4 第一實施例第3圖及其後諸圖顯示用來，在相同玻璃基體上，構成作爲構成移位暫存器電路2 0 1及緩衝電路2 0 5之基本電路之CMOS結構之薄膜電晶體電路如第1圖所示，及被安置在主動矩陣電路之各像素上之薄膜電晶體2 06 〇在阐中^，左側顯示CMO S電路之製造步驟。右側顯示一被安在主動矩陣電路上之通道型薄膜電晶體之製造步驟。_ 經濟部中央標準局貝工消費令作社印装 (請先閱讀背面之注$項*:填寫本頁) 以下所述製造步驟中之數値及條件爲典型的，必要時可加以修改或最佳化。亦即，本發明轉不限於所述値》首先，如第3A圖所示，將一作爲底膜5 0 2且具有；- - :一厚度3，0 0 0A之二氧化矽薄膜構成在一玻璃基體（ +或右英基體）5.CT1上。使用一濺射方法作爲一薄~膜生長方法。其次，藉由一電漿CVD方法將一厚度爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐) 41 843» A7 __B7_ 五、發明説明（15 ) 1，0 0 0A乏本質的或實質上本質的傳導型非_晶矽薄膜 5 0 3成型在底膜5 0 2上。可使用一低壓熱C VD方法爲一薄膜生長方法。在此方法中，獲得第3 A圖所示之狀態。其次，藉由實施熱處理非晶矽薄膜5 0. 3結晶。使用雷射光照射：，燈退火韌化，以及此種方法與熱處理之紅合方法，作爲結晶之方法。雖然詳述在另一實施例中，但藉由選蘀的實施雷射光照射，即可i擇的控制各電路所需薄膜電晶體之移動.率。本發明之晶矽薄膜爲一具有較高次序之晶體結構之矽薄膜，其可藉由施加熱處理或雷射光照射於一非晶矽薄膜上而獲得。另有一種，晶矽薄膜爲一具有較一非晶矽薄膜爲高的次序的晶體結構之矽薄膜。一種通常稱爲多晶矽薄膜或細晶矽薄膜之矽薄膜，亦包含在本發明晶矽薄膜之種類中。在非晶矽薄膜5 0 3結晶後，藉由實施圖型形成’即可構成島狀區域504，505及506 (第3B圖）。經濟部中央標準局舅工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第3 B圖中，區域5 0 4稍後變成一 P —通道型薄膜電晶體之主動層，此薄膜電晶體構成CMO S電路。區域5 0 5稍鋒變成一構成CMOS電路之N -通道型薄膜電晶體之主動層》區域5 0 6稍後變成一 N -通道型薄膜電晶體之主動層，此薄膜電晶體係設在一像素矩陣電路上。依此方法，獲得第3 B—圖所示之狀態、 - 在圖中，爲了畫圖之理由，雖然各主動層均顯示爲相同大小，但是薄膜電晶體之移動率可藉由改變通道寬度或本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 418431 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（16 ) 通道長度而加以實寳f的控制。通常，依據所需的特性’ 來決定薄膜.電晶體之尺寸及形狀。亦即，使被安置在主動矩陣電路上之薄膜電晶體（見第6圖）之主動層5 0 6 寬度（通道寬度）儘可能的狹窄，以減小式（2 )之I値，此主動矩陣電路係顯示在圖之右側。再者，爲減小 Cgd，使通道#度儘可能的狹窄。而且，設定ft成CMOS電路之主動層504¾ 5 0 5，以使通道寬度變成儘可能的寬，此CMO S電路構成緩衝電路（以第1圖之204表示）。藉此，即可改善構成緩衝電路之薄膜電晶體之ON-狀態電流特性’並抑制閘控信號電壓之波形之畸變。其次，藉由濺射方法來成型一構成閘極之具有厚度 5，000A之鋁薄膜507。製備0 . 1至◦ · 2重量百分比之銃或釔，以便倂入鋁薄膜5 0 7。這是用來在稍後步驟中抑制小丘或鬚之成型（第3 C圖）。小丘或鬚爲針狀或刺狀突起，係由於加熱而造成1之異常生長所形成的。在鋁薄膜5 0 7生長後，成型一具有稠密薄膜品質之陽極氧化薄膜5 0 8。具有稠密薄膜品質之陽極氧化薄膜 5 0 8之成型係在一含有3%酒石酸作爲電解溶液之乙二醇溶液中實施的。亦即，在此電解溶液中*二陽極氧化電流係藉由作爲 ·· 一陽極之鋁薄膜5 0 7及作爲一陰極之鉑而流入，以便形成陽極氧化薄膜5 0 8 »陽極氧化薄膜5 0 8之膜厚爲大本紙張纽適用中國國家標準（。叫入4胁（210父297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ''装. 訂 -19- 4\δ43 1 Α7 _ Β7____ 五、發明説明（17 ) 約1 Ο OA <=陽極氧化薄膜5 Ο 8之聘厚係藉由控制所施加之電壓來調定。- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 陽i氧化薄膜5 0 8用來敁進一抗蝕罩之膠黏性’此抗蝕罩係在隨後步驟中安置的》 .依此方法，獲得第3 C圖所示之狀態。其次’如箄 4Α圖所示，妄置抗蝕罩515，516及5 17。然後，將鋁薄膜5 0 7施以篇型形成見第3 C圖）。此時’ 如果陽極氧化薄膜5 0 8 (見第3 C圖）之膜厚爲厚_ ’ 鋁薄膜5 0 7之圖型形成變成困難，因而必須注意° 在第4Α圖中，509，511及513代表鋁圖型，作爲閘極之基座。5 1 0，5 1 2及5 1 4代表陽極氧化薄膜，具稠密薄膜品質，保持在鋁圖型上。在獲得第4 Α圖所示狀態後，再實施陽極氧化。此時，成型多孔陽極氧化薄膜518，519及520 C第 4 B 圖）.。經濟部中央標準局員工消費合作社印装在此步驟中，使用一含有3%草酸之溶液。在'此電解溶液中，陽極氧化係利用鋁圖型509，511及513 爲一陽極及鉑爲一陰極來實施的。在此步驟中，由於已有抗蝕罩5 1 5 ’ 5 16及， 517以及稠密的陽極氧化薄膜510，512及514 存在，因此陽極氧化薄膜係在鋁圖型5 0 9 _ 5 1 1及 5 1 3之+做面.上進行。 — 在此方法中，多孔陽極氧化薄膜係成型在註號5 1 8 ，5 1 9及5 2 0所表示之部分上。多孔陽極氧化薄膜之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 418431 A7 ____B7__；_ 五、發明説明（18 ) 膜厚係藉由P極氧化時間來控制。1 此、時，成型多孔陽極氧化薄膜5 1 8 5 1 9及_ . 5 2’_0爲厚度5，0.0 0A。多孔陽極氧化薄膜係在稍後成型低濃度雜質區（LDD區）時使用。在獲得第4 B圖所示狀態後，利用一獨特的去皮液將_ 抗蝕罩5 1 5，5 1 6及5 1 7予以去除。然後*在構成：一具有，稠密薄膜品質之陽極氧化薄膜的條件下再實施ϋ極___ 氧化。因此，成型具有稠密薄膜品質之陽極氧化薄膜5 1 ，_ 52及53。此時，陽極氧化薄膜51 ’ 5 2及53係在它們與先前成型的陽極氧化薄膜5 1 0 ’ 5 1 2及5 1 4 _ (第4 C圖）構成整體的情況下被成型》在此步驟中，由於電解溶液侵入多孔陽極氧化薄膜 5 1 8，51 9及5 2 0之內面，因此具有稠密薄膜品質客陽極氧化薄膜5 1 ，52及5 3係被成犁爲第4C圖_中之註號5 1，5 2及5 3 —所示狀態。經濟部中央榇準局貝工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有稠密薄膜品質之陽極氧化薄膜5 1 ’ 5 2及5 3 之膜厚爲1，00 0Α 9陽極氧化薄膜5 1 ’ 5 2及5 3 具有一功能：電及機械的保_護閘極之表面（及從此延伸之閘極配線）》特別是，薄膜具有改進電絕緣及抑制小丘或鬚的型式的功能。在.第4 C圖所示步驟中，界定Ρ -通道型薄膜電晶體之一閘極5 2 1及Ν —通道型薄膜電晶體之閘極5 2 2及 523。在達到第4C圖所示狀態後’植入Ρ (磷）離子本紙張尺度適用中菌國家標準（CNS ) Α4規格（210X：W公釐） -21 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（19 ) 。在此'步驟中，P離子係依一劑量植入以構成源極及汲極區。P離子植Λ係藉由一習知電漿撥雜方法來實施（第5 Α 圖）。 .. - 在此步驟中，將具有一較高濃度之P離子植入區域 524，526，527，52 9，530 及 532 內。在此步驟中之劑量爲1 X 1 0 15/cm2。離子加速電壓 S 8 0 k V 〇、 - ' 在第5A圖中所示P離子植入步驟中，P離子未被植入區域525，528及531內。因而，保持本質的或實質上本質狀態。在結束第5 A圖所示P離子植入後，利用一種磷酸，醋酸及硝酸之混酸，將多孔陽極氧化薄膜5 1 8，5 1 9 及520予以選擇的移除。然後，如第5 B圖所示，再實施P離子植入。在此步驟中，P.離子植_入係依一低於第5 A圖之步驟中之劑量的 -劑量實施。此時，劑量爲0·5〜lxl014/cm2。離子之加速電壓爲70kV。由於此步驟的緣故，各區域533，535，536 ' 538，539及541變成N —型（弱N-型）區域。這些區域變成低濃度雜質區域，其內加入有濃度低於各區域 5 24，526，527，529，530 及 532 (第5B圖）考之P離子。- - - 恰在閘極521，522及523之下的各區域 5 34，5 3 7及5 4 0係被界定爲通道構成區域。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -、ΤΓ. -22- 經濟部中央揉準局貝工消爱合作社印裝 Α7 ______Β7_ 五、發明説明（2〇 ) 嚴格說'來，偏置閘極區域係成型在通道構成區域、 •5 34，537及540之兩側，具有稠密薄膜品質之陽極氧化薄膜5 1，5 2 '及5 3之膜厚，且依第”4 C圖之步驟被成型。但是，在此實施例中，由於陽極氧化薄膜5 1 ，52及53之膜厚約爲1，000人，因此偏置閘極菡域未，示於圖中。在結束第5 B圖所示雜質離子植入备，如第6 A ·圖所示’安置一抗蝕罩542，及在此時植入B (硼）離子。. _由植入B離子，則各區域543，544，545 及5 4 6之傳導性即可從N型轉換成P型。此時，B離子之劑量爲2X 1 015/cm2。加速電壓爲6 OkV。在結束第6 A圖所示B離子植入後，將抗蝕罩5 4 2 予以去除。實施KrF激發物（excimer )雷射照射整個結構，以將注入有雜質離子之區域予以退火韌化，並激活注入的雜質離子。在此方法中，構成CMSO電路之P - — . —r 通道型及N_通道型薄膜電晶體，係與被安置在主動矩陣區域內之通道型薄膜電晶體同時構成。如第7A圖所示，構成一內層絕緣薄膜5 5 1。內層絕緣薄膜5 5 1係由二氧化矽薄膜製成。除了二氧化矽薄膜外，亦可使用四氮化三矽薄膜與二氧化矽薄膜之疊層薄 .· 膜，或二氧化矽薄膜或四氮化三矽薄膜與樹脂薄膜之疊層 _rfe* ^ — 薄膜。 + — 在構成內層絕緣薄膜5 5 1之後’成型一接觸孔。構成P —通道型薄膜電晶體之源極5 5 2及汲極5 5 3，以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4规格（2丨0X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝. 訂- -23- Α'δ43' Α7 ___Β7 五、發明説明（21 ) 及'Ν -通道型薄膜電晶體之汲極5 5 3與源極5 5 4。在此方法中，構成由Ρ —通道型薄膜電晶體與Ν —通道型薄膜電晶體互诸組成的C Μ 0 S電路。 .. 又，在此同時，構成一源極5 5 5 (通常係藉由從一影像信號線（源極信號線）延伸來設置_成7^矩陣構造）， 6，以便完成被安置在主動矩陣電路內之Ν 電晶體， 7 Α圖所示狀態後，構成一秦二內層絕綠薄後，成型一接觸孔，及構成一由I TO所製及一汲極5 5 —通道型薄膜在-獲得第膜5 5 7。然成之像素電極施熱處理1小主動矩陣電路成。 558。然後，在氫氣氛中，在350 °C實時，以補整主動層上之缺陷。在此方法中， (像素矩陣電路）及周邊驅動電路可同時構請先閱讀背 -面之注

I 訂 )，並實施一一分別製備的經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製方法中，完成晶顯示裝置。在獲得第7 B圖所示狀態後，成型一摩擦薄膜C未示腎知摩擦處理。將第7 B圖所示基體黏合妗柑對基體，並將一液晶注—入兩者之間。在此了與周邊驅動電路整體構成的主動矩陣型液第二實施例 :此實施例顯示一基於第一實施例所示製造步驟’供各 '別，用之主動矩陣型液—晶顯示裝置之製造步驟。 ’ 在此實施例中之一目標裝置爲一小型液晶顯示裝置’ 具有一大小爲對角斜線5吋或較小。當然’假定此液晶顯本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公敖） -24- 4^8431 經濟部中夬標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 _______ 五、發明説明（22 ) ，示裝置具有一結構，k中整合有一周邊驅動電路。m且，假定具有一低電阻之鋁係供作閘極配線^. 而且，在此實施例所示結.構中，基本結構係與第1圖所示者相同。薄膜電晶體之製造步驟亦與第3圖及其後諸圖所示者相同。..當製造此實施例中所示結構時，由於閘極配線電阻與電容之影響所造成之波形14之畸變（如第 '1 0圖所示）不會變成一非常嚴重的問題：。/ 因此，爲了7滿足式（2 )所示不等式，有效的量使構成緩衝電路（第1圖中之2 0 4 )之薄膜電晶墉之移動率儘可能的大。在此實施例中，爲了增大構成緩衝電路之薄膜電晶體之移動率，在第3 A圖所示步驟中，.對周邊驅動電路，尤其僅對安置有緩衝電路之區域實施以雷射光照射的退火韌化》藉此，即可選擇的改進構_成緩衝電路；^薄膜電晶體之結晶薄膜之結晶性。就雷射而言，有效的是使用一K r F激發物雷射（波長2 4 8 nm)或一 X e C 1激發物雷射（波長 308nm)。再者，使用一線性整形的光束爲一雷射光，且構成緩衝電路之薄膜電晶體亦製成具有一線性安排的圖型。其被設計成一脈波照射可同時退火韌化被線性安置的薄膜電晶體之區域β尤其在此實施例中，由於_基體小，因此線性雷射光被集中以增大均一性。藉此，可增大構成緩衝電路之薄膜電晶體之移動率， (’請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) .装. 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4坑格（210X297公釐） -25- 4^843 1 A7 B7 _ 五、發明説明（23 ) 及減小特性之分散。胃- ' .在此方法中，式（2 )之d t之積體範圍係成狹窄的，而.d t本身之分散係成小的。 | 另一方面，在被.安置在主動矩陣區域內之薄膜電晶體中，使用一藉由熱處理成型的晶矽薄膜，雖移動率小，但分散亦小。再者，使:通道面積儘可能的小，便式（2 )之 C g d之分散之影響_小，並使I之値小。尤其，利用#其中注意薄膜品質之均一性之薄膜成型條件之下麻型的非晶矽薄膜，更藉由實施熱處理而仍然注意加熱之均一性，即可致力於壓制主動矩陣區域中之結晶性之分散使之儘可能的小。在此方法中，結構滿足上述式（2)。當然，此結構亦滿足式（3 )。第三實施例 _ < . — 此實施例顯示另一製造第二實施例中所示之一主動矩陣型液晶顯示裝置之方法。經濟部中央標準局貝工消費合#'社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在整合有一周邊驅動電路主動矩陣結構係藉由第二實施例來實現的情況中，需要一可實施穩定的振盪的雷射照射裝置。目前，激發物雷射裝置係在實驗階段，價格高昂。又，淇具有穩'定度芎之問霞》又，其在維.上無法達到一滿意的水準。況且，具有需要人工來找尋最適合的照射條件的問題。本適用中國國家標準（CNS > Α4规:格（210X297公嫠) ~ — -26 - Α7 Β7 五、發明説明（24 ) 一因此，本實施例之結構具有C t値大、的特徵，因此可滿足式（2)之不等式。_ - 在此種‘情況中，爲了增加輔助《容之値，需要.設計輔助電容之安置過程。然後，在此實施例中，將主動矩陣區-· 域製成如第8及9圖所示之結構。第8圖顯示一沿第9圖: 之A _ A '線之剖商。第8及9圖所示結構爲i基體'之局部，在其側面上設有主動矩陣電路。第8及9圖顯示一相當於單一像素之部/ 分。在第8及9圖中，一薄膜電晶體係成型在一部分 103上。101代表一玻璃基體。102代表一構成一底膜之二氧化矽薄膜。薄膜電晶體之一主動層係由區域 104，107，105，108 及 106 所組成。此主動層係由一晶矽薄膜所構成，此晶矽薄膜係藉由加熱一非晶矽薄膜而結晶。 __ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 ".〆 - -(#先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在主動層中，104代表二源極區域，107及一 1 0 8代表偏置閘極區域，1 0 5代表一通道形成區域，及1 0 6代表一汲極區域。 .1 0 9代表一作爲閘極絕緣薄膜之二氧化矽薄膜。 _ 1 1 0代表一含有鋁爲主要組件之閘極。閘極1 1 0係從閘極配線延伸，此閘極配線係被i置成矩陣構造。 1 1 代表陽極-氧化薄膜，係藉由陽極氧化來構成，使用鋁爲一陽極。偏置閘極區域1 0 7及1 0 8係構成爲其厚度與陽極氧化薄膜111之厚度一致。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格< 210X297公釐） -27- Α7 Β7 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製五、發明説明（25 ) 爲了構成有，效運作之偏置閘極j區域1 Ο 7及1 Ο 8，需要將陽極氧化薄膜111製成其膜厚爲大約大於 2，0 0 ’ 〇 Α。 .. 1 1 2代表一第一內層絕緣薄膜，係以二氧化矽薄膜製成。1 1 3代表一來自源極區，域1 0 4之引線電極。 1 1 5代表一來自汲極1 〇 6之引線電極，係由鈦所製成，且被連於I ΤΌ電極1 1 8，此ϊ T ◦電極變成一像素：電極。1 1 4代表一第二內層絕'綠薄膜，而1 Γ 7代表一第三內層絕緣薄膜。 1 1 6代表鈦電極，+亦當作一黑矩陣。除了鈦，亦可使用鉻或其同類者。此鈦電極1 1 6係用來疊置在像素電極1 1 8之周邊部上，以當作一黑矩陣（ΒΜ)。鈦電極 1 1 6係與引線電極1 1 5同時成型。其中鈦電極116與像素電極118相互疊置一起的區罅_，變成一輔助電容。亦即，在部分1 1 9_及1 2 0上 ’像素電極118與鈦電極Γ16經由第三內層絕緣薄膜 1 1 7而構成電容。由於絕緣薄膜ϊ ϊ 7係成薄的，因此可使電容大。在此，絕綠薄膜1 1 7係由四氮化三矽薄膜所製成，膜厚爲3 0 0 Α。四氮化三矽薄膜具有一大的相對介質常數約爲6。因此，可使式（2 )之C t所示電容大。大體而言，時常作爲一絕緣薄膜之二氧化矽薄膜之相對介質常-數約爲4。四氮化三矽薄膜可製成具有稠密薄膜品質。因此，即本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -(請先閲讀j面之注$項再填寫本頁)

-28 - 4)843 1 A7 __B7 五、發明説明（26 ) 使厚度爲薄的，亦可避免由於具有針孔而造成電極間之短路的問題。鈦電極1 1 6係被安置成可覆蓋薄膜電晶體1 0 3之大部分。此種安置可使操作免於受到照射至薄膜電晶體的影響' 〜 ' ~ 亦可作爲BM之電極1 1 6與像-素電極1 1 8之間的重疊桓度，係決定爲可滿足由式（2 _-)所示不等式求得的. C t之値。在此種情況中，可首先決定薄膜電晶.體之特性，然後依據式（2 )來計算C t之値。第E實施例此實施例係關於一種技術，用來製造一主動矩陣電路及一周邊驅動電路，具有薄膜電晶體具有不同結晶性，以滿足式（2)所示不等式。式（2 )表示：當被安置在主動矩陣電路內之薄膜電晶體之移動率爲小，而周邊驅動電路，特別是緩衝電路之經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 .(請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) . 移動率爲大時，可有效的降低施加於液晶上之電壓之分散〇爲了實現上述結構，一具有一較低結晶性之矽薄膜係成型在主動矩陣區域內，而一具有一較高結晶性之矽薄膜則成型在周邊驅動電路區域內。在此實施例中，，成型在-周邊驅動電路—區域（緩衝電路i 區域）內之晶矽薄膜，係利用金屬元素來成型，以便促進矽之結晶，而成型在主動矩陣電路區域內之晶矽薄膜則不本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠) ~ 41843 1 經濟部中央標準局負工消費合#-社印掣 A7 B7 五、發明説明（27 利用上述金屬元素來成型。 .明確的說，在第3 A圖所示狀態中，除了那些其中成型有構成周邊驅動電路之薄膜電晶體的區域外，.其他區域係以二氧化矽薄膜或其同類者來掩蔽，並依此狀態來施加 —含有用乘促進砂之結晶之金屬元素之溶液。藉由實'施熱處理’即可使非晶矽薄膜5 〇 3結晶。例如’在6 40 °C實施熱處理2 4小時。然後，γ其中引入有金屬元素之區域具有較高結晶性，而其中未引入金屬元素之區域則具有較低結晶性。亦即’在主動矩陣區域內，薄膜電晶體係以具有較低結晶性之晶矽薄膜來構成，而在周邊驅動電路區域內，薄膜電晶體可以具有較高結晶性之晶矽薄膜來構成。藉此，構成周邊驅動電路之薄膜電晶體之移動率大，而構成主動矩陣區域之薄膜電晶體之移動率小。使用鎳（N i )爲一金屬元素，用來促進矽之結晶。 * —^ 可使用醋酸鎳之溶液爲一含有N i之溶液。所引入N i之量可藉由調節溶液中之鎳濃度來控制》使用溶液之方法係爲有效的控制金屬元素之引入量，及確保引入量之均一性。藉由使用本說明書中所揭露的發明，即可決定其中集中實施一技術的部分的優先次序。由於其中集中實施一技術-的部-分淸楚，—因此可以低成本t及高複_性製成—主動矩陣型顯示裝置。在本說明書中業已主要的揭露有主動矩陣型液晶顯示乂諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙浪尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格< 210X297公釐） -30- 418431 A7 ___B7_ 五、發明説明（28 ) 裝置。但是，在本說明書中所揭露的發明亦可適用於一、具有其他使用薄膜電晶體之主動矩陣型的平板顯示。例如，本發明可適用於一與一周邊驅動電路整體構成，且使用 E L型光發射元件之主動矩陣顯示裝置。，一底閘極型結構，其中閘極係在基體之側_面上，可供作薄膜電.體之結構。 . -- 圖面之簡單說- ..- 第1圖爲一布意圖，顯示一種結構，其中一主動矩陣電路與一周邊驅動電路係被整體構成。第2 A及2 B圖顯市各電路之一結構。第3A至3 C圖爲示意圖，顯示同時製造一主動矩陣電路與一周邊驅動電路之步驟。第4A至4 C圖爲示意圖，顯示同時製造主動矩陣電路與周邊驅動電路之步驟。 ' — 第5 A至5 B圖蓐示意圖，顯示同時製造.主動矩陣電路與周邊驅動電路之步驟。經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裂第6圖爲一示意圖，顯示同時製造主動矩陣電路與周邊驅動電路之步驟。第7A至7 B圖爲示意圖，顯示同時製造主動矩陣電路與周邊驅:動電路之步驟。 . 第、8 .圖爲—剖面圖’顯示-一主動矩陣電路之一像素部分。第9圖爲一頂視圖，顯示主動矩陣電路之一像素部分 -31 - ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4*^S- { 210X297^* ) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 4 1 8431 A7 B7_ 五、發明説明（29 ) 0 " . 第1 0圖爲一示意圖，顯示一主動矩陣電路中之驅動 ^波形。第1 1圖爲一示意圖，顯示用來驅動一在一主動矩陣電路上之薄膜電晶體之波形。 _ ' 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims

A8 B8 C8 D8

41 843\ 六、申請專利範圍 1 . 一種主動矩陣電光裝置包含被安置成矩陣構-造之像素電極，及安置在各像素電極上之薄膜電晶體，其中當V g Γ爲單一階度所需之一電壓，iC t爲總像素之電容，c g d爲一閘極與一汲極間之電容，AV'g爲 ON/Q F F閘極電壓之間—的一差値，及Λν s爲一饋通電壓時，各參數即可滿足一式： I Vgr | > | (l/Ct)[Cgd · Δ V£-Ct Δ Vs 2·—種主動矩陣電光裝置包含：一主動矩陣電路包括被安置成一矩陣構造之像素電極，及安置在各像素電極上之薄膜電晶體；及 —由薄膜電晶體所構成之周邊驅動電路，用來驅動主動矩陣電路，其中當V g r爲單一階度所需之一電壓，C t爲總像素之電:容，C g d爲一閘極與一汲極間之電容，av g爲 ON/OF F閘極電壓之間的一差値，及AV s爲一饋通電壓時，各參數即可滿足一式： I Vgr | > | (l/Ct)[Cgd · Δ Vg-Ct · Δ Vs | 且其中一用來驅動二閘控信號電壓之周-邊驅動電路之· 薄膜電晶體之移動率係大於一被安置在主動矩陣電路內之薄膜電晶體之移動率。本紙張尺度逋用中國國家榇率（CNS ) A4規格（210X297公漦） J.-------c裝 I- (諳先閱讀背面之注$項#填寫本頁) '1T· 經濟部中先標準局®:工消#合作社印裝 -33-