TW396430B - Vacuum dryer and method of drying semiconductor device using the same - Google Patents

Description

經濟部中央標準局員工消f合作社印製 A7 _ B7 五、發明説明（丨） 發明背景： 發明範圍 本項發明是有關一種乾燥半導體裝置的方法，尤其是 有關一種利用異丙醇（IPA)之真空乾燥機來乾燥半導體 裝置的方法。 相關前技之說明 由於半導體裝置變得更加高度積體化，一個在一將材 料薄膜成形於一半導體晶片上的加工程序與一將材料薄膜 加以刻模的加工程序之前和之後所施行的淸潔加工程序就 變得更加重要。因此，完成該淸潔加工程序的乾燥加工程 序就變得更加重要。 目前，旋轉式乾燥機和異丙醇（IPA)蒸氣乾燥機被 用來做爲乾燥半導體裝置的乾燥機。採用旋轉式乾燥機之 乾燥方法具有產生小點的問題。同時，由於是高速度旋轉 ，粒子會被再度遭到污染。使用異丙醇（IPA)蒸氣乾燥

機之乾燥方法包括一個在一開放浴槽內加熱異丙醇（IPA )的加工程序。於是，難以保證其穩定性。而且，由於大 量使用異丙醇（IPA)，亦會造成環境污染。 藉由改善以上所提及之異丙醇（IPA)蒸氣乾燥機， 可以得到一種真空乾燥機。在利用此真空乾燥機的乾燥方 法中，異丙醇（IPA)的消耗量會小於異丙醇（IPA)蒸氣 乾燥機之使用量。於是，可以降低由異丙醇（IPA)所造 成的環境污染程度。同時，不論模型是否出現，亦可以得 -3 - 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------------^---^-I —裝 I; 訂 V Sul n -ill n·^ 經濟部中央標準局員工消f合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（/ ) 到極佳的乾燥效果。然而，由於半導體裝置的更加積體化 ，小顆粒在利用真空乾燥機之乾燥方法中所造成的再度污 染狀況會變成問題。於是，乾燥半導體裝置的方法會變得 更加穩定，且必須能夠防止小顆粒的再度污染。 發明簡述： 爲了解決以上問題，本項發明之目的是在提供一個利 用異丙醇（IPA)蒸氣的真空乾燥機，且用以防止小顆粒 的再度污染。 本項發明之另外一項目的是在提供一個利用以上所提 及之真空乾燥機來乾燥半導體裝置的方法。 於是，爲了要得到第一項目的，有一個真空乾燥機被 提供，其中包含一個外部浴槽、一個被安置於外部浴槽內 側和有半導體晶片被裝載進入之內部浴槽、一個供水管線 被連接至內部裕槽，用以供應去離子化水至該內部浴槽、 一個內部浴槽排洩管線被連接至內部浴槽，用以排洩注入 於內部浴槽中的去離子化水，以及一個供應管路被連接至 外部浴槽，用以供應異丙醇蒸氣至已被裝載進入內部浴槽 中的半導體晶片。 供水管線包含一個用於供應去離子化水至內部浴槽的 主要供水管線，用以將去離子化水注入內部浴槽，以及一 個用於以補充主要供水管線之方式，供應額外去離子化水 至內部浴槽的輔助供水管線，用以從內部浴槽溢流出去離 子化水。從主要供水管線和輔助供水管線所供應之去離子 -4 ~ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）

鯉濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 化水是冷的。或者，從主要供水管線所供應之去離子化水 是冷的，而從輔助供水管線所供應之去離子化水是熱的。 輔助供水管線以及主要供水管線係彼此相連接並且係連接 至內部浴槽，以使得供應至內部浴槽之水係可以來自該主 要供水管線或是該輔助供水管線。 爲了要實現第一個目的，提供了一個真空乾燥機，其 中包含一個外部浴槽、一個被安置於外部浴槽內側和有半 導體晶片被裝載進入之內部浴槽、一個主要供水管線被連 接至內部浴槽，用以供應去離子化水來注入內部浴槽、一 個輔助供水管線被連接至內部浴槽，用以供應額外去離子 化水至內部浴槽而從內部浴槽中溢流出去離子化水、一個 內部浴槽排洩管線被連接至內部浴槽，用以排洩注入於內 部浴槽中的去離子化水、一個外部浴槽排洩管線被連接至 外部浴槽，用以排洩從內部浴槽溢流出來的去離子化水， 以及一個供應管路被連接至外部浴槽，用以供應異丙醇蒸 氣至半導體晶片。 輔助供水管線被連接至主要供水管線，用以開關主要 供水管線，而且該輔助供水管線被連接至內部浴槽。從主 要供水管線和輔助供水管線所供應之去離子化水是冷的。 或者，從主要供水管線所供應之去離子化水是冷的，而從 輔助供水管線所供應之去離子化水是熱的。 爲了要實現第二個目的’有一個乾燥半導體裝置之方 法被提供，在此方法中，去離子化水持續被供應至利用異 丙醇（IPA)蒸氣之真空乾燥機的內部浴槽中，該真空乾 -5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（2丨〇><2们公釐） 經濟部中央榡準局員工消f合作衽印製 A7 B7 五、發明説明（+ ) 燥機是由一外部浴槽、一內部浴槽和經由供水管線所供應 之去離子化水所組成，用以將去離子化水注入至內部浴槽 中，以使得去離子化水能夠持續從內部浴槽溢流至外部浴 槽。半導體晶片被裝載進入持續有去離子化水溢流出去的 內部浴槽中。藉由將異丙醇蒸氣供應至有半導體晶片被裝 載進入之內部浴槽中，來將已裝載完成之半導體晶片加以 乾燥。 在裝載半導體晶片之後’去離子化水係藉由供應去離 子化水至內部浴槽而額外溢流出去。被供應用於額外溢流 之去離子化水是熱的。在供應熱去離子化水的步驟之前’ 被供應至內部浴槽之去離子化水是冷的。乾燥半導體晶片 的步驟包含以下步驟：降低內部浴槽的壓力、供應異丙醇 蒸氣至內部浴槽，降低注入內部浴槽中之去離子化水的液 面高度。 爲了要實現第二個目的，一個乾燥半導體裝置之方法 被提供。在此方法中，去離子化水被供應至一個利用異丙 醇蒸氣之真空乾燥機的內部浴槽中’該真空乾燥機是由一 外部浴槽、一內部浴槽、一注入內部浴槽之主要供水管線 ，以及一連接至主要供水管線的輔助供水管線所組成。去 離子化水經由此輔助供水管線而持續被供應至內部浴槽中 ，用以從內部浴槽中溢流出去離子化水至外部浴槽。半導 體晶片被裝載進入持續有去離子化水溢流出去之真空乾燥 機的內部浴槽中。藉由將異丙醇（IPA)蒸氣供應至有半 導體晶片被裝載進入之內部浴槽中’來將已裝載完成之半 -6- "^了良尺度適用中國ϋ標华（CNS)Λ4規格（210x297公釐)~" " ----------^--丨裝------^訂丨^-----線 、', (請先閱讀背面之注意事項再4,,寫本頁) 1 五、發明説明) A7 B7 導體晶片加以乾燥。 在裝載半導體晶片之後，去離子化水係藉由供應去離 子化水至內部浴槽而額外溢流出。被供應用於額外溢流之 去離子化水是熱的。在供應熱去離子化水的步驟之前，被 供應至內部浴槽之去離子化水是冷的。 依照本項發明，藉由在將去離子化水注入真空乾燥機 的內部浴槽之後，持續供應去離子化水而將去離子化水溢 流出去，可以防止注入內部浴槽之去離子化水中生成小顆 粒。 圖示說明： 藉由參考隨附圖形所描述之詳細較佳實施例，本項發 明之上述目的和優點會變得更加淸楚，其中： 圖1槪略表示依照本項發明之實施例的真空乾燥機； 圖2槪略表示依照本項發明實施例之半導體裝置乾燥 方法的處理程序流程圖； 圖3爲表示如圖2所示之處理程序的詳細流程圖。 較佳實施例之描述： 圖1槪略表示依照本項發明之真空乾燥機的實施例。 如同在下文中所使用者’“冷”與“熱”係被用來描述去 離子化水之溫度。熟於此技者將能夠很輕易地明白“冷” 與“熱”係包含了一個相當廣的溫度範圍’亦即在觸覺上 爲冷或是在觸覺上爲熱者。 -7- 家標隼(CNS) A4^( 2I〇X 297^Fj " 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 ____B7 五、發明说明（b ) 詳細地說明，在本項實施例中所使用之真空乾燥機包 括由一外部浴槽100和一被安置於外部浴槽1〇〇內之內部 浴槽130所共同組成的浴槽100和130。用於加熱外部浴 槽100的加熱器150被連結至外部浴槽。伺樣地，一個容 許被供應至浴槽100和130之排放氣體通過的排放氣體供 應管路17〇與一個用於供應異丙醇（IPA)蒸氣的異丙醇 (IPA)蒸氣供應管路190 —起被連結至外部浴槽。蒸氣 乾燥機更包括一個用於降低浴槽100和丨3〇內之壓力大小 的排氣管路210。一個用於支撐被裝載在內部浴槽130之 半導體晶片的導件230被安置於內部浴槽130內。主要供 水管線250和輔助供水管線27〇被連接至內部浴槽130， 用以供應去離子化水至內部浴槽13〇。 舉例而言，輔助供水管線270可以被連接至主要供水 管線250，以便在主要供水管線250以及輔助供水管線270 之間選擇地切換。藉由如此作法，經由主要供水管線250 所供應之去離子化水得以注入內部浴槽130。然後，藉由 從主要供水管線250切換到輔助供水管線270來額外地供 應去離子化水至內部浴槽130，得以從內部浴槽130溢流 出去離子化水至外部浴槽1〇〇。 藉由控制在主要供水管線250和輔助供水管線270中 水的溫度，可以有選擇性地將不同特性的溶液供應至內部 浴槽130。舉例而言，可以藉由將供應來自主要供水管線 250之冷去離子化水和供應來自輔助供水管線270之熱去 離子化水注入內部浴槽130中來施行溢流作用。藉由如此 —8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---ί ----!、裝----^--'11—^-----绛 h (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ______B7_ 五、發明説明（q ) 作法，能夠控制當溢流作用被施行時，內部浴槽130內之 去離子化水的溫度。亦即是藉由在一個經由主要供水管線 250來供應冷去離子化水之後的啓始階段中，從輔助供水 管線270供應冷去離子化水或少量去離子化水而能夠將注 入內部浴槽130中之去離子化水的溫度予以降低。然後， 藉由增加供應來自輔助供水管線270的熱去離子化水量來 提高注入內部浴槽130中之去離子化水的溫度。相反地， 倘若有需要時，可以藉由持續供應來自輔助供水管線270 之冷去離子化水來降低在內部浴槽130中之去離子化水的 溫度。 上述之真空乾燥機更包括一個被導入用來保持去離子 化水均勻流動的控制導件290和一個用於排洩所供應之去 離子化水的內部浴槽排洩管線300。排洩管線300包括一 個被連接至內部浴槽130之底部的內部浴槽排洩管線310 ，用以排洩注入內部浴槽中的去離子化水，以及一個 用於排洩殘留在外部浴槽100中之溢流去離子化水的外部 浴槽排洩管線350。去離子化水被一個泵浦（圖形中未表 示出來）加壓經過排洩管線300，然後被輸送至一個用於 處理有機廢水的貯存桶（圖形中未表示出來）°同樣地’ 亦可以經由外部浴槽排洩管線35〇來降低外部浴槽100內 的壓力大小。亦即是排拽管線3〇〇可以被當做排氣管路 210來操作。 參考圖1所示之真空乾燥機和圖2所示之流程圖’依 照本實施例之半導體裝置乾燥方法將於下文中被加以描述 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（21〇'Χ 297公釐） 五、發明説明（牙） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 。首先，內部浴槽130被注入去離子化水。然後，藉由持 續供應去離子化水至內部浴槽130來施行溢流作用（步驟 430)。半導體晶片會被裝載進入內部浴槽130,特別是進 入導件230 (步驟450)。然後，藉由降低內部浴槽130與 外部浴槽100之壓力和供應異丙醇（IPA)蒸氣至內部浴 槽130與外部浴槽100的方式來乾燥半導體晶片（步驟 500)。 參考圖3，本項乾燥方法將被詳加描述。首先，藉由 供應去離子化水至內部浴槽130與外部浴槽1〇〇來淸理真 空乾燥機的內部（步驟410)。然後，在將去離子化水注 入淸理過之乾燥機的內部浴槽130之後，此去離子化水會 持續溢流出去。 舉例而言，內部浴槽130被注入經由主要供水管線 250所供應之去離子化水。然後，藉由從主要供水管線2S0 切換到輔助供水管線270而持續供應去離子化水經由輔助 烘水管線270流入內部浴槽130，此去離子化水得以被溢 流出去。此去離子化水會持續溢流大約200秒，直到半導 體晶片被裝載完畢爲止。 此時，去離子化水以是冷的爲較適宜，用以防止半導 體晶片受到小顆粒的污染。同時，亦可以藉由在經由主要 供水管線250注入去離子化水至內部浴槽130之後’持續 供應去離子化水至主要供水管線250來施行溢流作用。此 外，亦可以有選擇性地將不同特性的溶液供應至輔助供水 管線270和主要供水管線250。舉例而言，可以藉由在將 -10- 請 先 閱 ik 背 意 事 項 再fr 本 訂 練 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐） A7 _ B7 五、發明説明（1 ) 經由主要供水管線250供應至內部浴槽130的冷去離子化 水注入內部浴槽130之後，將熱去離子化水溢流經過輔助 供水管線270來控制內部浴槽130的溫度。 然後，半導體晶片被裝載進入內部浴槽130 (步驟 450)。去離子化水會持續溢流，直到半導體晶片被完全裝 載爲止。藉由持續溢流出去離子化水，可以防止注入內部 浴槽之去離子化水中生成小顆粒。於是，在隨後的乾燥加 工程序中，小顆粒的再度污染現象會被加以防止。然後， 藉由供應異丙醇（IPA)蒸氣至浴槽100與130來乾燥已 裝載完成的半導體晶片。乾燥加工程序如下文的描述。 首先，熱去離子化水從內部浴槽溢流進入已被裝載完 成的半導體晶片（步驟470)。此時，冷的去離子化水可 以被使用。然而，當去離子化水的溫度增加時，由於使用 異丙醇（IPA)蒸氣，半導體晶片非常容易被乾燥。熱去 離子化水以藉由從主要供水管線250被切換而經由輔助供 水管線被供應爲較適宜。藉由如此作法，可以更快速地改 變注入內部浴槽130之去離子化水的溫度，因此防止發生 例如是小顆粒再度污染的狀況。 然後，經由排氣管路210和/或外部浴槽排洩管線 350來降低浴槽100與130內的壓力（步驟490)。異丙醇 (IPA)蒸氣會被供應至浴槽100與130 (步驟510)。藉 由如此作法，一個由半導體晶片表面、大氣和去離子化水 所共同組成的界面會被曝露於一個由異丙醇（IP A )蒸氣 和例如是氮氣之排放氣體所組成的混合氣體中。當上述之 -11- 一 本紙^度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ~ 一 五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 界面曝露於混合氣體中，由於表面張力的不同，半導體 片會被乾燥。當異丙醇（IPA)蒸氣、氮氣和去離子化水 等界面的表面張力平衡時，去離子化水的液面高度則會逐 漸降低，於是得以持續乾燥半導體晶片（步驟530 )。藉 由排洩去離子化水經過內部浴槽排洩管線310來降低去離 子化水的高度。 在半導體晶片被完全乾燥之後，浴槽100與130的壓 力大小會回復到正常壓力値（步驟550 )。在以上所提及 之半導體裝置的乾燥方法中，當半導體晶片被完全乾燥之 後’半導體晶片上之小顆粒的數量大約是三倍少於利用真 空乾燥機的傳統方法。 依照以上所提及之本項發明，藉由在去離子化水被注 入真空乾燥機的內部浴槽之後而持續供應去離子化水來溢 流出去注入內部浴槽中的去離子化水，可以防止在去離子 化水中生成小顆粒。於是，可以防止半導體晶片被小顆粒 再度污染。因此，可以得到更淸潔的效果。 本項發明不局限於以上所述之實施例，而且對於熟知 本項技術之人士而言，在本項發明之範疇和精神內，可以 針對本項發明做不同的修正。 曰曰 請 ί 事 項 再 寫 訂 -12- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）

Claims (1)

1. J-务 告 公 ABCD

   經濟部中央榡準局員工消費合作社印策 填請委員一 了，一^/.•'.，务^沒是^變-更密實質内容 5、申請專利範圍 1. 一種真空乾燥機，其中包含： 一個外部浴槽； 一個被安置於外部浴槽內側和有半導體晶片被裝載進 入的內部浴槽； 一個被連接至內部浴槽之用於供應去離子化水至內部 浴槽的供水管線； 一個被連接至內部浴槽之用於排洩充滿於內部浴槽中 之去離子化水的內部浴槽排洩管線；以及 一個被連接至外部浴槽之用於將異丙醇蒸氣供應至已 被裝載進入內部浴槽中之半導體晶片的供應管路。 2. 如申請專利範圍第1項之真空乾燥機，其中供水管 線包含： 一個用於供應去離子化水至內部浴槽的主要供水管線 ，用以將去離子化水注入內部浴槽；以及 一個用於輔助主要供水管線而供應額外去離子化水至 內部浴槽的輔助供水管線，其用以使去離子化水從內部浴 槽中溢流出去。 3. 如申請專利範圍第2項之真空乾燥機，其中從主要 供水管線和輔助供水管線所供應之去離子化水是冷的。 4. 如申請專利範圍第2項之真空乾燥機，其中從主要 供水管線所供應之去離子化水是冷的，而且從輔助供水管 線所供應之去離子化水是熱的。 5. 如申請專利範圍第2項之真空乾燥機，其中輔助供 水管線以及主要供水管線係彼此相連接並且係連接至內部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） . « (請先閲讀背面之注意事項再本頁 J1e J-务 告 公 ABCD

   經濟部中央榡準局員工消費合作社印策 填請委員一 了，一^/.•'.，务^沒是^變-更密實質内容 5、申請專利範圍 1. 一種真空乾燥機，其中包含： 一個外部浴槽； 一個被安置於外部浴槽內側和有半導體晶片被裝載進 入的內部浴槽； 一個被連接至內部浴槽之用於供應去離子化水至內部 浴槽的供水管線； 一個被連接至內部浴槽之用於排洩充滿於內部浴槽中 之去離子化水的內部浴槽排洩管線；以及 一個被連接至外部浴槽之用於將異丙醇蒸氣供應至已 被裝載進入內部浴槽中之半導體晶片的供應管路。 2. 如申請專利範圍第1項之真空乾燥機，其中供水管 線包含： 一個用於供應去離子化水至內部浴槽的主要供水管線 ，用以將去離子化水注入內部浴槽；以及 一個用於輔助主要供水管線而供應額外去離子化水至 內部浴槽的輔助供水管線，其用以使去離子化水從內部浴 槽中溢流出去。 3. 如申請專利範圍第2項之真空乾燥機，其中從主要 供水管線和輔助供水管線所供應之去離子化水是冷的。 4. 如申請專利範圍第2項之真空乾燥機，其中從主要 供水管線所供應之去離子化水是冷的，而且從輔助供水管 線所供應之去離子化水是熱的。 5. 如申請專利範圍第2項之真空乾燥機，其中輔助供 水管線以及主要供水管線係彼此相連接並且係連接至內部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） . « (請先閲讀背面之注意事項再本頁 J1e A8 58 ST__ 六、申請專利範圍 浴槽’以便在主要供水管線與輔助供水管線之間開關。 6. 〜種真空乾燥機，其中包含： 一個外部浴槽； 一個被安置於外部浴槽內側和有半導體晶片被裝載進 入的內部浴槽： 一個被連接至內部浴槽之用於供應去離子化水來注入 內部浴槽的主要供水管線； 一個被連接至內部浴槽之用於供應額外去離子化水至 內部浴槽的輔助供水管線，用以使去離子化水從內部浴槽 中溢流至外部浴槽； 一個被連接至內部浴槽之用於排洩充滿於內部浴槽中 之去離子化水的內部浴槽排洩管線； 一個被連接至外部浴槽之用於排洩從內部浴槽溢流出 來之去離子化水的外部浴槽排洩管線；以及 一個被連接至外部浴槽之用於供應異丙醇蒸氣至半導 體晶片的供應管路。 7. 如申請專利範圍第6項之真空乾燥機，其中輔助供 水管線以及主要供水管線係彼此相連並且係連接至內部浴 經濟部中央標隼局員工消費合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再厂Γ本頁) 槽，以便從該主要供水管線開關，切換至該輔助供水管線 〇 8. 如申請專利範圍第6項之真空乾燥機，其中從主要 供水管線和輔助供水管線所供應之去離子化水是冷的。 9. 如申請專利範圍第6項之真空乾燥機，其中從主要 供水管線所供應之去離子化水是冷的，而且從輔助供水管 2 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 58 ST__ 六、申請專利範圍 浴槽’以便在主要供水管線與輔助供水管線之間開關。 6. 〜種真空乾燥機，其中包含： 一個外部浴槽； 一個被安置於外部浴槽內側和有半導體晶片被裝載進 入的內部浴槽： 一個被連接至內部浴槽之用於供應去離子化水來注入 內部浴槽的主要供水管線； 一個被連接至內部浴槽之用於供應額外去離子化水至 內部浴槽的輔助供水管線，用以使去離子化水從內部浴槽 中溢流至外部浴槽； 一個被連接至內部浴槽之用於排洩充滿於內部浴槽中 之去離子化水的內部浴槽排洩管線； 一個被連接至外部浴槽之用於排洩從內部浴槽溢流出 來之去離子化水的外部浴槽排洩管線；以及 一個被連接至外部浴槽之用於供應異丙醇蒸氣至半導 體晶片的供應管路。 7. 如申請專利範圍第6項之真空乾燥機，其中輔助供 水管線以及主要供水管線係彼此相連並且係連接至內部浴 經濟部中央標隼局員工消費合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再厂Γ本頁) 槽，以便從該主要供水管線開關，切換至該輔助供水管線 〇 8. 如申請專利範圍第6項之真空乾燥機，其中從主要 供水管線和輔助供水管線所供應之去離子化水是冷的。 9. 如申請專利範圍第6項之真空乾燥機，其中從主要 供水管線所供應之去離子化水是冷的，而且從輔助供水管 2 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 S96430 I D8 六、申請專利範圍 線所供應之去離子化水是熱的。 10.—個乾燥半導體裝置的方法，其包含以下步驟： 持續供應去離子化水至真空乾燥機的內部浴槽中，而 且去離子化水會持續從該內部浴槽溢流至一個外部浴槽； 裝載半導體晶片進入持續有去離子化水溢流出去的內 部浴槽中；以及 藉由將異丙醇蒸氣供應至有半導體晶片被裝載進入之 內部浴槽中，來將已裝載完成之半導體晶片加以乾燥。 π·如申請專利範圍第ίο項之方法，其更包含在裝載 半導體晶片的步驟完成之後，藉由供應去離子化水至內部 浴槽而額外溢流出該去離子化水的步驟。 Π.如申請專利範圍第11項之方法，其中被供應用於 額外溢流之去離子化水是熱的。 13.如申請專利範圍第12項之方法，其中在供應熱去 離子化水的步驟之前，被供應至內部浴槽之去離子化水是 冷的。 14_如申請專利範圍第11項之方法’其中乾燥半導體 晶片的步驟包含以下步驟： 降低內部浴槽的壓力； 供應異丙醇蒸氣至內部浴槽；以及 降低注入內部浴槽中之去離子化水的液面高度。 15.—個乾燥半導體晶片的方法，其包含以下步驟： 供應去離子化水至真空乾燥機的內部浴槽中，其中去 離子化水係經由一個主要供水管線而被注入至內部浴槽； 3 本紙張用巾關家網t ( CNS ) A侧M]H)X297公釐）^--—— (請先閲讀背面之注意事項再©〕本頁，) -、1; 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 S96430 I D8 六、申請專利範圍 線所供應之去離子化水是熱的。 10.—個乾燥半導體裝置的方法，其包含以下步驟： 持續供應去離子化水至真空乾燥機的內部浴槽中，而 且去離子化水會持續從該內部浴槽溢流至一個外部浴槽； 裝載半導體晶片進入持續有去離子化水溢流出去的內 部浴槽中；以及 藉由將異丙醇蒸氣供應至有半導體晶片被裝載進入之 內部浴槽中，來將已裝載完成之半導體晶片加以乾燥。 π·如申請專利範圍第ίο項之方法，其更包含在裝載 半導體晶片的步驟完成之後，藉由供應去離子化水至內部 浴槽而額外溢流出該去離子化水的步驟。 Π.如申請專利範圍第11項之方法，其中被供應用於 額外溢流之去離子化水是熱的。 13.如申請專利範圍第12項之方法，其中在供應熱去 離子化水的步驟之前，被供應至內部浴槽之去離子化水是 冷的。 14_如申請專利範圍第11項之方法’其中乾燥半導體 晶片的步驟包含以下步驟： 降低內部浴槽的壓力； 供應異丙醇蒸氣至內部浴槽；以及 降低注入內部浴槽中之去離子化水的液面高度。 15.—個乾燥半導體晶片的方法，其包含以下步驟： 供應去離子化水至真空乾燥機的內部浴槽中，其中去 離子化水係經由一個主要供水管線而被注入至內部浴槽； 3 本紙張用巾關家網t ( CNS ) A侧M]H)X297公釐）^--—— (請先閲讀背面之注意事項再©〕本頁，) -、1; Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 經由一個輔助供水管線來持續供應去離子化水至內部 浴槽，用以將去離子化水從該內部浴槽溢流至—個外部浴 槽； ' 裝載半導體晶片進入持續有去離子化水溢流出去之內 部浴槽中；以及 藉由將異丙醇蒸氣供應至有半導體晶片被裝載進入之 內部浴槽中’來將已裝載完成之半導體晶片加以乾燥。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，其更包含在裝載 半導體晶片的步驟完成之後，藉由供應去離子化水至內部 浴槽而額外溢流出該去離子化水的步驟。 17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中被供應用於 _額外溢流之去離子化水是熱的。 18. 如申請專利範圍第π項之方法，其中在供應熱去 離子化水的步驟之前，被供應至內部浴槽之去離子化水是 冷的。 (請先閲讀背面之注意事項再fr本頁) 言’ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐） Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 經由一個輔助供水管線來持續供應去離子化水至內部 浴槽，用以將去離子化水從該內部浴槽溢流至—個外部浴 槽； ' 裝載半導體晶片進入持續有去離子化水溢流出去之內 部浴槽中；以及 藉由將異丙醇蒸氣供應至有半導體晶片被裝載進入之 內部浴槽中’來將已裝載完成之半導體晶片加以乾燥。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，其更包含在裝載 半導體晶片的步驟完成之後，藉由供應去離子化水至內部 浴槽而額外溢流出該去離子化水的步驟。 17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中被供應用於 _額外溢流之去離子化水是熱的。 18. 如申請專利範圍第π項之方法，其中在供應熱去 離子化水的步驟之前，被供應至內部浴槽之去離子化水是 冷的。 (請先閲讀背面之注意事項再fr本頁) 言’ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐）