JPH1197409A - 減圧式乾燥装置及びこれを用いる半導体装置の乾燥方法 - Google Patents

減圧式乾燥装置及びこれを用いる半導体装置の乾燥方法

Info

Publication number
JPH1197409A
JPH1197409A JP10200876A JP20087698A JPH1197409A JP H1197409 A JPH1197409 A JP H1197409A JP 10200876 A JP10200876 A JP 10200876A JP 20087698 A JP20087698 A JP 20087698A JP H1197409 A JPH1197409 A JP H1197409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pure water
inner tank
supply line
tank
water supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10200876A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4209966B2 (ja
Inventor
Sankon Boku
贊 根 朴
Sai Rishiyo
鍾 載 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH1197409A publication Critical patent/JPH1197409A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4209966B2 publication Critical patent/JP4209966B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 洗浄の効果が高まり、純水内におけるパーチ
クルの発生が防止でき、かつ、パーチクルによる半導体
基板の再汚染が防止できるようにする。 【解決手段】 外槽、内槽及び給水ラインを含んでなる
イソプロピルアルコール蒸気を用いる減圧式乾燥装置の
内槽に前記給水ラインを介して純水を持続的に供給して
前記内槽を満たした後に、前記内槽から前記外槽へ持続
的に前記純水をオーバーフローさせる。次に、前記純水
が持続的にオーバーフローされている前記内槽に半導体
基板をローディングする。次に、前記半導体基板のロー
ディングされた前記内槽にイソプロピルアルコール蒸気
を供給し、前記ローディングされた半導体基板を乾燥す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の乾燥方
法に係り、特に、イソプロピルアルコール(IsoPropyl A
lcoholと、以下“ＩＰＡ”と称する）を使用する減圧式
乾燥装置(vacuumdryer)及びこれを用いた半導体装置の
乾燥方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化が進むにつれ、半
導体基板上に物質膜を形成する工程及びパタニングする
工程などの前後に適用される洗浄工程への重要性が一層
高まっている。これに加えて、洗浄工程を仕上げる乾燥
工程もその重要性が増している。
【０００３】半導体装置を乾燥する乾燥装置は、スピン
乾燥装置(spin dryer)とＩＰＡ蒸気乾燥装置(IPA vapou
r dryer)とに大別できる。前者のスピン乾燥装置を用い
る乾燥方法は、水斑点の発生などの不良が問題視されて
いる。さらに、高速回転を利用するがために、パーチク
ルの再汚染(recontamination)が生じ得る。一方、後者
のＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いる乾燥方法は、ＩＰＡ蒸気
を生じるために、あいている反応槽(open bath)におい
てＩＰＡを沸かすような工程を伴う。これにより、安定
性が問われ、しかもＩＰＡの消耗量が多いことから、環
境汚染への恐れがある。
【０００４】上記したＩＰＡ蒸気乾燥装置を改善したの
が減圧式乾燥装置(vacuum dryer)である。前記減圧式乾
燥装置を用いる乾燥方法は、ＩＰＡの消耗量が前記ＩＰ
Ａ蒸気乾燥装置に比べ少なくなるといった特性がある。
これにより、ＩＰＡによる環境汚染を低減することがで
きる。さらに、洗浄済みの半導体基板の表面特性、すな
わち、親水性または疏水性や、パターンの存否などの表
面状態によらずに、良好な乾燥結果を得ることができ
る。しかし、半導体装置の高集積化が一層進むにつれ、
この減圧式乾燥装置を用いる乾燥方法におけるパーチク
ルの再汚染の発生が問題視されている。そこで、より安
定的で、且つパーチクルの再汚染を食い止めることので
きる半導体装置の乾燥方法が望まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する技術的課題は、パーチクルの再汚染が防止可能なＩ
ＰＡ蒸気を用いる減圧式乾燥装置を提供することにあ
る。本発明が解決しようとする他の技術的課題は、パー
チクルの再汚染を防止し得るＩＰＡ蒸気を用いる減圧式
乾燥装置を使用する半導体装置の乾燥方法を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した技術的課題を達
成するための本発明の一観点は、外槽と、前記外槽の内
部に位置し、半導体基板が装着される内槽と、前記内槽
に接続され、前記内槽に純水を供給する給水ラインと、
前記内槽に接続され、前記内槽に満たされる純水を排出
する内槽排水ラインと、前記外槽に接続され、前記内槽
からオーバーフローされる純水を排出する外槽排水ライ
ンと、前記外槽に接続され、前記内槽に装着される前記
半導体基板にイソプロピルアルコール蒸気を供給する供
給管とを具備する。
【０００７】前記給水ラインは、前記内槽に純水を供給
して、前記内槽を前記純水により満たす主給水ライン、
及び前記主給水ラインを補助して、追加の純水を前記内
槽に供給し、前記内槽より前記純水をオーバーフローす
る補助給水ラインを具備する。さらに、前記主給水ライ
ン及び前記補助給水ラインより供給される前記純水は、
コールド純水である。さらに、前記主給水ラインより供
給される前記純水はコールド純水であり、前記補助給水
ラインより供給される前記純水はホット純水である。さ
らに、前記補助給水ラインは前記主給水ラインの中間に
連結され、前記主給水ラインとスイッチングされること
により前記内槽に結ばれる。
【０００８】前記技術的課題を達成するための本発明の
他の観点は、外槽と、前記外槽の内部に位置し、半導体
基板が装着される内槽と、前記内槽に接続され、前記内
槽を満たす純水を供給する主給水ラインと、前記内槽に
接続され、追加の純水を前記内槽に供給し、前記内槽よ
り前記純水をオーバーフローする補助給水ラインと、前
記内槽に接続され、前記内槽に満たされる純水を排出す
る内槽排水ラインと、前記外槽に接続され、前記内槽よ
りオーバーフローする純水を排出する外槽排水ライン
と、前記外槽に接続され、前記内槽に装着される前記半
導体基板にイソプロピルアルコール蒸気を供給する供給
管とを具備する。
【０００９】前記補助給水ラインは前記主給水ラインの
中間に連結され、前記主給水ラインとスイッチングされ
ることにより前記内槽に結ばれる。さらに、前記主給水
ライン及び前記補助給水ラインより供給される前記純水
は、コールド純水である。さらに、前記主給水ラインよ
り供給される前記純水はコールド純水であり、前記補助
給水ラインより供給される前記純水はホット純水であ
る。
【００１０】前記他の技術的課題を達成するための本発
明の一観点は、外槽、内槽及び給水ラインを含んでなる
イソプロピルアルコール蒸気を用いる減圧式乾燥装置の
内槽に前記給水ラインを介して純水を持続的に供給して
前記内槽を満たした後に、前記内槽から前記外槽へ持続
的に前記純水をオーバーフローさせる。次に、前記純水
が持続的にオーバーフローされている前記内槽に半導体
基板をローディングする。次に、前記半導体基板のロー
ディングされた前記内槽にイソプロピルアルコール蒸気
を供給し、前記ローディングされた半導体基板を乾燥す
る。
【００１１】また、前記半導体基板をローディングする
段階後に、前記内槽に純水を供給し、追加でオーバーフ
ローする段階をさらに含む。前記追加のオーバーフロー
のために供給される前記純水は、ホット純水である。さ
らに、前記ホット純水を供給する段階前に前記内槽へ供
給される前記純水は、コールド純水である。さらに、前
記半導体基板を乾燥する段階は、前記内槽を減圧する段
階と、前記内槽に前記イソプロピルアルコール蒸気を供
給する段階と、前記内槽を満たす純水の水位を下げる段
階とを有する。
【００１２】前記他の技術的課題を達成するための本発
明の他の観点は、外槽、内槽、主給水ライン及び補助給
水ラインを含んでなるイソプロピルアルコール蒸気を用
いる減圧式乾燥装置の内槽に前記主給水ラインを介して
純水を供給することにより、前記内槽を満たす。次に、
前記補助給水ラインを介して前記純水を前記内槽に持続
的に供給し、前記内槽から前記外槽へ前記純水をオーバ
ーフローさせる。次に、前記純水が持続的にオーバーフ
ローされている減圧式乾燥装置の内槽に半導体基板をロ
ーディングする。最後に、前記半導体基板のローディン
グされた前記内槽にイソプロピルアルコール蒸気を供給
し、前記ローディングされた半導体基板を乾燥する。
【００１３】また、前記半導体基板をローディングする
段階後に、前記内槽に前記純水を供給して、追加でオー
バーフローする段階をさらに含む。さらに、前記追加の
オーバーフローのために供給される前記純水は、ホット
純水である。さらに、前記ホット純水を供給する段階前
に前記内槽に供給される前記純水は、コールド純水であ
る。
【００１４】本発明によれば、減圧式乾燥装置の内槽に
純水を満たした後にも純水を持続的に供給し、純水をオ
ーバーフローさせることにより、前記内槽を満たす純水
内においてパーチクルが生じることが食い止められる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づき本発明
の実施例についてさらに詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明に係る減圧式乾燥装置の実
施例を概略的に示す図である。具体的に、本実施形態に
おいて使用される減圧式乾燥装置は、外槽１００、前記
外槽１００内に位置する内槽１３０からなる反応槽１０
０、１３０を含む。前記外槽には、前記外槽１００を加
熱するヒーター１５０と、パージガスを前記反応槽１０
０、１３０へ供給する通路のパージガス供給管１７０、
及びＩＰＡ蒸気を供給するＩＰＡ蒸気供給管１９０が取
付けられる。加えて、前記反応槽１００、１３０内の気
圧を減圧するための排気管２１０を含む。また、前記内
槽１３０内には、前記内槽１３０にローディングされる
半導体基板を支持するガイド２３０が配される。
【００１７】さらに、減圧式乾燥装置は、前記内槽１３
０に純水を供給する主給水ライン２５０及び補助給水ラ
イン２７０からなる給水ライン２５０、２７０を含む。
前記主給水ライン２５０及び前記補助給水ライン２７０
は前記内槽１３０に接続され、前記内槽１３０へ純水を
供給する。
【００１８】例えば、補助給水ライン２７０は主給水ラ
イン２５０の中間に、前記主給水ライン２５０とスイッ
チングされるように結ばれうる。これにより、前記主給
水ライン２５０を介して供給される純水により前記内槽
１３０を満たすことができる。次に、前記補助給水ライ
ン２７０により前記主給水ライン２５０をスイッチング
して、前記内槽１３０に純水などを追加で供給し、前記
内槽１３０から前記外槽１００へ純水をオーバーフロー
し得る。
【００１９】このように、主給水ライン２５０及び補助
給水ライン２７０の構造で給水ライン２５０、２７０を
具備することにより、前記内槽１３０に相異なる特性の
溶液をスイッチングしつつ、供給できる。例えば、前記
主給水ライン２５０にコールド純水を供給して前記内槽
１３０を満たした後に、前記補助給水ライン２７０にホ
ット純水を供給してオーバーフローを行なうことができ
る。
【００２０】これにより、前記オーバーフローが行わ
れ、前記内槽１３０内の純水の温度を調節し得る。すな
わち、前記主給水ライン２５０を介してコールド純水を
供給した後に、前記補助給水ライン２７０において初期
にはコールド純水を供給したり少量のホット純水を供給
して、前記内槽１３０に満たされた純水の温度を低く保
つことができる。次に、前記補助給水ライン２７０に供
給されるホット純水の量を増やすことにより、前記内槽
１３０の純水の温度を高くすることができる。これとは
逆に、必要に応じて前記補助給水ライン２７０にもコー
ルド純水を供給し続け、前記内槽１３０の純水の温度を
低く保っても良い。
【００２１】加えて、前記減圧式乾燥装置は、前記供給
される純水のフローをスムーズにするために導入される
調節ガイド２９０を有する。さらに、前記供給された純
水を排出する排水ライン３００を有する。前記排水ライ
ン３００は、内槽１３０の下方に結ばれ、前記内槽１３
０に満たされた純水を排出する内槽排水ライン３１０及
び前記オーバーフローされ、前記外槽１００に残留する
純水を排出する外槽排出ライン３５０を具備する。前記
排水ライン３００を介して前記純水は、ポンプ(pump;図
示せず)などにより吸気され、有機廃水などを処理する
タンク(tank;図示せず)等に移送される。また、前記外
槽排水ライン３５０を介して前記外槽１００内の大気を
排出し、気圧を減圧し得る。すなわち、排気管２１０と
しての役目をすることもある。
【００２２】図１に示す減圧式乾燥装置及び図２のフロ
ーチャートに基づいて、本実施例による半導体装置の乾
燥方法につき説明すれば、まず、内槽１３０に純水を供
給してこれを満たす。次いで、前記内槽１３０に前記純
水を持続的に供給してオーバーフローさせる（４３
０）。次に、前記内槽１３０、さらに詳細には、前記ガ
イド２３０に前記半導体基板をローディングする（４５
０）。最後に、前記内槽１３０及び外槽１００を減圧
し、かつＩＰＡ蒸気を供給して、前記半導体基板を乾燥
する（５００）。
【００２３】一層具体的なフローチャートの図３に基づ
き乾燥方法をさらに詳細に説明すれば、まず、内槽１３
０及び外槽１００などに純水などを供給して減圧式乾燥
装置の内部を洗浄する（４１０）。次に、前記洗浄の済
んだ乾燥装置の内槽１３０に純水を満たした後に持続的
に純水をオーバーフローさせる。
【００２４】例えば、主給水ライン２５０を介して純水
を前記内槽１３０に供給して前記内槽１３０を満たし、
次に、主給水ライン２５０及び補助給水ライン２７０を
介して純水を前記内槽１３０に供給し続け、前記純水が
オーバーフローされるようにする。このように純水をオ
ーバーフローし続け、半導体基板がローディングされる
まで待機する。例えば、約２００秒間待機する。
【００２５】このとき、前記純水は、装着される半導体
基板の再汚染を防止するためにコールド純水であること
が好ましい。さらに、前記主給水ライン２５０を介して
純水を前記内槽１３０に満たした後、前記主給水ライン
２５０に前記純水を供給し続け、オーバーフローするこ
ともできる。さらに、前記補助給水ライン２７０及び前
記主給水ライン２５０に相異なる特性の溶液を相互スイ
ッチングしながら供給できる。例えば、前記主給水ライ
ン２５０を介してコールド純水を前記内槽１３０に供給
して前記内槽１３０を満たした後に、前記補助給水ライ
ン２７０を介してホット純水をオーバーフローすること
により前記内槽１３０の純水の温度を調節できる。
【００２６】次に、前記内槽１３０に半導体基板をロー
ディングする４５０。このとき、純水は持続的にオーバ
ーフローされるようにする。このような純水のオーバー
フローは、前記半導体基板のローディングが完了するま
で持続的に行なう。このように純水を持続的にオーバー
フローさせることにより、前記内槽を満たす純水内にパ
ーチクルが生じることを防止できる。これにより、以降
の乾燥段階においてパーチクルの再汚染が食い止められ
る。次に、前記反応槽１００、１３０にＩＰＡ蒸気を供
給し、ローディングされた半導体基板を乾燥する。具体
的には以下のように乾燥段階が進む。
【００２７】まず、前記半導体基板のローディングされ
た内槽１３０にホット純水をオーバーフローさせる（４
７０）。このとき、コールド純水が利用可能であるが、
ホット純水のオーバーフローによる純水の温度上昇はＩ
ＰＡ蒸気による乾燥に一助できる上で有効である。前記
ホット純水は、前記主給水ライン２５０にスイッチング
される前記補助給水ライン２７０を介して供給されるこ
とが好ましい。これにより、前記内槽１３０を満たす純
水の温度変化を一層緩やかにすることができ、再汚染な
どの不良が生じなくなる。
【００２８】次に、排気管２１０及び／または外槽排水
ライン３５０を介して反応槽１００、１３０内の気圧を
減圧する（４９０）。次いで、前記反応槽１００、１３
０に前記ＩＰＡ蒸気供給管１９０を介してＩＰＡ蒸気を
供給する（５１０）。その結果、前記半導体基板の表面
及び大気並びに純水からなる界面がＩＰＡ蒸気及びパー
ジガス、例えば、窒素（Ｎ2 ）ガスの混合ガス中に露出
される。このように前記界面が前記混合ガスに露出され
れば、表面張力(surface tension)の差により前記半導
体基板が乾燥される。前記乾燥が進み、前記ＩＰＡ蒸
気、窒素ガス及び純水の界面の表面張力が平衡をなす
と、前記純水の水位を徐々に低め、前記乾燥が続くよう
にする（５３０）。前記純水の水位下げは、前記内槽排
水ラインを介して純水を排出することによりなされる。
【００２９】前記した乾燥が済んでから、前記反応槽１
００、１３０の気圧を常圧に戻す（５５０）。前述のよ
うな半導体装置の乾燥方法は、従来の減圧式乾燥装置を
用いる方法に比べ、乾燥後に半導体基板のパーチクルの
個数を約３倍程度減少させることができる。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、減圧
式乾燥装置の内槽に純水を満たした後にも純水を持続的
に供給し、純水をオーバーフローさせることによって、
前記内槽を満たす純水内においてパーチクルが生じるこ
とを防止することができる。これにより、ローディング
される半導体基板がパーチクルにより再汚染されること
を防止できる。しかも、洗浄の効果も一層高まる。
【００３１】以上、本発明を具体的な実施例を通じて詳
細に説明したが、本発明はこれに限定されるものでな
く、本発明の技術的な思想内で、当分野における通常の
知識を有した者にとって該変形や改良が可能であること
は明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例による減圧式乾燥装置を概略
的に示す図である。
【図２】 本発明の一実施例による半導体装置の乾燥方
法の工程フローを概略的に示すフローチャートである。
【図３】 図２に示す工程フローを一層細分化した工程
フローチャートである。
【符号の説明】
１００…外槽、 １３０…内槽、 １５０…ヒーター、 １７０…パージガス供給管、 １９０…ＩＰＡ蒸気供給管、 ２１０…排気管、 ２３０…ガイド、 ２５０…主給水ライン、 ２７０…補助給水ライン、 ２９０…調節ガイド、 ３１０…排水ライン。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外槽と、 前記外槽の内部に位置し、半導体基板が装着される内槽
    と、 前記内槽に接続され、前記内槽に純水を供給する給水ラ
    インと、 前記内槽に接続され、前記内槽に満たされる純水を排出
    する内槽排水ラインと、 前記外槽に接続され、前記内槽からオーバーフローされ
    る純水を排出する外槽排水ラインと、 前記外槽に接続され、前記内槽に装着される前記半導体
    基板にイソプロピルアルコール蒸気を供給する供給管と
    を含むことを特徴とする減圧式乾燥装置。
  2. 【請求項２】 前記給水ラインは、 前記内槽に純水を供給して、前記内槽を前記純水により
    満たす主給水ラインと、 前記主給水ラインを補助して、追加の純水を前記内槽に
    供給し、前記内槽より前記純水をオーバーフローする補
    助給水ラインとを含むことを特徴とする請求項１に記載
    の減圧式乾燥装置。
  3. 【請求項３】 前記主給水ライン及び前記補助給水ライ
    ンより供給される前記純水は、コールド純水であること
    を特徴とする請求項２に記載の減圧式乾燥装置。
  4. 【請求項４】 前記主給水ラインより供給される前記純
    水はコールド純水であり、前記補助給水ラインより供給
    される前記純水はホット純水であることを特徴とする請
    求項２に記載の減圧式乾燥装置。
  5. 【請求項５】 前記補助給水ラインは、前記主給水ライ
    ンの中間に連結され、前記主給水ラインとスイッチング
    されることにより前記内槽に結ばれることを特徴とする
    請求項２に記載の減圧式乾燥装置。
  6. 【請求項６】 外槽と、 前記外槽の内部に位置し、半導体基板が装着される内槽
    と、 前記内槽に接続され、前記内槽を満たす純水を供給する
    主給水ラインと、 前記内槽に接続され、追加の純水を前記内槽に供給し、
    前記内槽より前記純水をオーバーフローする補助給水ラ
    インと、 前記内槽に接続され、前記内槽に満たされる純水を排出
    する内槽排水ラインと、 前記外槽に接続され、前記内槽よりオーバーフローする
    純水を排出する外槽排水ラインと、 前記外槽に接続され、前記内槽に装着される前記半導体
    基板にイソプロピルアルコール蒸気を供給する供給管と
    を含むことを特徴とする減圧式乾燥装置。
  7. 【請求項７】 前記補助給水ラインは、前記主給水ライ
    ンの中間に連結され、前記主給水ラインとスイッチング
    されることにより前記内槽に結ばれることを特徴とする
    請求項６に記載の減圧式乾燥装置。
  8. 【請求項８】 前記主給水ライン及び前記補助給水ライ
    ンより供給される前記純水は、コールド純水であること
    を特徴とする請求項６に記載の減圧式乾燥装置。
  9. 【請求項９】 前記主給水ラインより供給される前記純
    水はコールド純水であり、前記補助給水ラインより供給
    される前記純水はホット純水であることを特徴とする請
    求項６に記載の減圧式乾燥装置。
  10. 【請求項１０】 外槽、内槽及び給水ラインを含んでな
    るイソプロピルアルコール蒸気を用いる減圧式乾燥装置
    の内槽に前記給水ラインを介して純水を持続的に供給し
    て前記内槽を満たした後に、前記内槽から前記外槽へ持
    続的に前記純水をオーバーフローさせる段階と、 前記純水が持続的にオーバーフローされている前記内槽
    に半導体基板をローディングする段階と、 前記半導体基板のローディングされた前記内槽にイソプ
    ロピルアルコール蒸気を供給し、前記ローディングされ
    た半導体基板を乾燥する段階とを含むことを特徴とする
    半導体装置の乾燥方法。
  11. 【請求項１１】 前記半導体基板をローディングする段
    階後に、 前記内槽に純水を供給し、追加でオーバーフローする段
    階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の半
    導体装置の乾燥方法。
  12. 【請求項１２】 前記追加のオーバーフローのために供
    給される前記純水は、ホット純水であることを特徴とす
    る請求項１１に記載の半導体装置の乾燥方法。
  13. 【請求項１３】 前記ホット純水を供給する段階前に前
    記内槽へ供給される前記純水は、コールド純水であるこ
    とを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の乾燥方
    法。
  14. 【請求項１４】 前記半導体基板を乾燥する段階は、 前記内槽を減圧する段階と、 前記内槽に前記イソプロピルアルコール蒸気を供給する
    段階と、 前記内槽を満たす純水の水位を下げる段階とを含むこと
    を特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の乾燥方
    法。
  15. 【請求項１５】 外槽、内槽、主給水ライン及び補助給
    水ラインを含んでなるイソプロピルアルコール蒸気を用
    いる減圧式乾燥装置の内槽に前記主給水ラインを介して
    純水を供給することにより、前記内槽を満たす段階と、 前記補助給水ラインを介して前記純水を前記内槽に持続
    的に供給し、前記内槽から前記外槽へ前記純水をオーバ
    ーフローさせる段階と、 前記純水が持続的にオーバーフローされている減圧式乾
    燥装置の内槽に半導体基板をローディングする段階と、 前記半導体基板のローディングされた前記内槽にイソプ
    ロピルアルコール蒸気を供給し、前記ローディングされ
    た半導体基板を乾燥する段階とを含むことを特徴とする
    半導体装置の乾燥方法。
  16. 【請求項１６】 前記半導体基板をローディングする段
    階後に、 前記内槽に前記純水を供給して、追加でオーバーフロー
    する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記
    載の半導体装置の乾燥方法。
  17. 【請求項１７】 前記追加のオーバーフローのために供
    給される前記純水は、ホット純水であることを特徴とす
    る請求項１６に記載の半導体装置の乾燥方法。
  18. 【請求項１８】 前記ホット純水を供給する段階前に前
    記内槽に供給される前記純水は、コールド純水であるこ
    とを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の乾燥方
    法。
JP20087698A 1997-07-15 1998-07-15 半導体装置の乾燥方法 Expired - Fee Related JP4209966B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970032898A KR19990010200A (ko) 1997-07-15 1997-07-15 감압식 건조 장치를 이용하는 반도체장치 건조방법
KR97P32898 1997-07-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1197409A true JPH1197409A (ja) 1999-04-09
JP4209966B2 JP4209966B2 (ja) 2009-01-14

Family

ID=19514552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20087698A Expired - Fee Related JP4209966B2 (ja) 1997-07-15 1998-07-15 半導体装置の乾燥方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6108928A (ja)
JP (1) JP4209966B2 (ja)
KR (2) KR19990010200A (ja)
TW (1) TW396430B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007142262A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
EP4097386A4 (en) * 2020-01-28 2024-05-08 TekDry International, Inc. MOLECULAR MOBILITY ENHANCER OR MOLECULAR DRYING ENHANCER

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW428216B (en) * 1998-07-29 2001-04-01 Tokyo Electron Ltd Substrate process method and substrate process apparatus
JP3448613B2 (ja) * 1999-06-29 2003-09-22 オメガセミコン電子株式会社 乾燥装置
JP4076365B2 (ja) * 2002-04-09 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体洗浄装置
JP2004241754A (ja) * 2002-07-16 2004-08-26 Chem Art Technol:Kk 基板処理方法及び基板処理装置
US7771563B2 (en) * 2004-11-18 2010-08-10 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Systems and methods for achieving isothermal batch processing of substrates used for the production of micro-electro-mechanical-systems
JP3960332B2 (ja) * 2004-11-29 2007-08-15 セイコーエプソン株式会社 減圧乾燥装置
KR100818529B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-02 주식회사 케이씨텍 기판 건조장치
US8562748B1 (en) 2009-01-30 2013-10-22 WD Media, LLC Multiple cleaning processes in a single tank
US8163093B1 (en) 2009-02-11 2012-04-24 Wd Media, Inc. Cleaning operations with dwell time
US20150090299A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Applied Materials, Inc. Processes and apparatus for cleaning, rinsing, and drying substrates
JP6367763B2 (ja) * 2015-06-22 2018-08-01 株式会社荏原製作所 ウェーハ乾燥装置およびウェーハ乾燥方法
JP2018053299A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、及び断熱配管構造
US10801777B2 (en) * 2018-09-30 2020-10-13 HKC Corporation Limited Baking device
CN110473811A (zh) * 2019-08-22 2019-11-19 上海华力集成电路制造有限公司 提高刷片机湿法清洗后干燥能力的装置及方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4507539A (en) * 1982-01-06 1985-03-26 Sando Iron Works Co., Ltd. Method for continuous treatment of a cloth with the use of low-temperature plasma and an apparatus therefor
US4841645A (en) * 1987-12-08 1989-06-27 Micro Contamination Components Industries Vapor dryer
JPH02309637A (ja) * 1989-05-24 1990-12-25 Matsushita Electron Corp 半導体ウェハの洗浄方法
US4977688A (en) * 1989-10-27 1990-12-18 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
CA2040989A1 (en) * 1990-05-01 1991-11-02 Ichiro Yoshida Washing/drying method and apparatus
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
JP2639771B2 (ja) * 1991-11-14 1997-08-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
JP3003016B2 (ja) * 1992-12-25 2000-01-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3347814B2 (ja) * 1993-05-17 2002-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
JPH07230980A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Hitachi Ltd 温純水乾燥装置
US5967156A (en) * 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
JPH08189768A (ja) * 1994-11-07 1996-07-23 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 蒸気乾燥装置、それを組込んだ洗浄装置および蒸気乾燥方法
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5976198A (en) * 1995-06-09 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer and bath apparatus
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
US6004399A (en) * 1996-07-01 1999-12-21 Cypress Semiconductor Corporation Ultra-low particle semiconductor cleaner for removal of particle contamination and residues from surface oxide formation on semiconductor wafers
US5864966A (en) * 1996-12-19 1999-02-02 California Institute Of Technology Two solvent vapor drying technique
US5800626A (en) * 1997-02-18 1998-09-01 International Business Machines Corporation Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
JP3897404B2 (ja) * 1997-07-22 2007-03-22 オメガセミコン電子株式会社 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
US5884640A (en) * 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007142262A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4666494B2 (ja) * 2005-11-21 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8178821B2 (en) 2005-11-21 2012-05-15 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
EP4097386A4 (en) * 2020-01-28 2024-05-08 TekDry International, Inc. MOLECULAR MOBILITY ENHANCER OR MOLECULAR DRYING ENHANCER

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990013894A (ko) 1999-02-25
TW396430B (en) 2000-07-01
JP4209966B2 (ja) 2009-01-14
US6112430A (en) 2000-09-05
KR19990010200A (ko) 1999-02-05
KR100480588B1 (ko) 2005-05-16
US6108928A (en) 2000-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4209966B2 (ja) 半導体装置の乾燥方法
US6295998B1 (en) Temperature controlled gassification of deionized water for megasonic cleaning of semiconductor wafers
KR100804911B1 (ko) 기판처리장치
KR100435808B1 (ko) 마란고니 방식 웨이퍼 건조 방법 및 그 방법에 적합한 장치
JP2003243351A (ja) ウェーハ乾燥装置
US7506457B2 (en) Substrate treating apparatus
JP2005183791A (ja) 基板処理方法及びその装置
US6152153A (en) Substrate cleaning/drying equipment and substrate cleaning/drying method
JP2003249478A (ja) ウェーハ乾燥方法
JP3556583B2 (ja) 半導体基板洗浄・乾燥装置
KR100463746B1 (ko) 반도체장치 제조용 웨이퍼 건조장치
KR100626363B1 (ko) 기판 건조 장치
JP3979691B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2002110605A (ja) 基板処理方法および装置
JPH06163508A (ja) 基板の乾燥方法および装置
JP3359494B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPH07283194A (ja) 洗浄・乾燥方法と洗浄装置
KR100683273B1 (ko) 약액공급장치
JP2003224104A (ja) 半導体洗浄装置のウェーハ乾燥機
JPH10289895A (ja) 基板処理方法及び同装置
JP3999946B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPH09213672A (ja) 半導体ウェハ処理装置および処理方法
JPS62198126A (ja) 処理装置
KR20020088233A (ko) 마란고니형 웨이퍼 세정장치
JPH09330902A (ja) 基板処理方法および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050613

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060307

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060703

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060920

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20061027

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080929

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081024

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees