TW390096B - Physical quantity distribution detection semiconductor device and its driving method - Google Patents

Physical quantity distribution detection semiconductor device and its driving method Download PDF

Info

Publication number
TW390096B
TW390096B TW087101448A TW87101448A TW390096B TW 390096 B TW390096 B TW 390096B TW 087101448 A TW087101448 A TW 087101448A TW 87101448 A TW87101448 A TW 87101448A TW 390096 B TW390096 B TW 390096B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
output
physical quantity
unit
semiconductor device
reset
Prior art date
Application number
TW087101448A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Kuroda
Masayuki Masuyama
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW390096B publication Critical patent/TW390096B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

經濟部中央梂準局貝工消费合作社印裝 A7 B7____ 五、發明説明（） 發明所屬技術領域 本發明係關於偵測物理量分布之半導體裝置及其驅動 方法。 習知技術 近年來偵測各種物理量之一次元/二次元分布之裝置 之需要性高漲。在偵測光量物理量之固態攝像裝置領域， 所謂的放大型固態攝像裝置受到注目。放大型固態攝像裝 置之各像素包含接受光之照射受利用光電變換產生信號電 荷之光電變換部、儲存該信號電荷之儲存部以及用以輸出 按照信號電荷量之信號之«MfeWfcWI (以下記爲 「FET」）等驅。儲存部和驅動元件之動作控制部 (例如，FET之閘極部或雙極性電晶體之基極部等）連 接，利用按照信號電荷量變化之儲存部之電位控制驅動元 件之輸出値。也有儲存部兼具該驅動元件之動作控制部之 裝置。 這種放大型固態攝像裝置在每一像素具有功能上作爲 驅動元件之放大用電晶體（以下記爲「赛」），但是各放 大用Tr之特性不相等。在無信號電荷之狀態之Tr特性， ’例如FET之臨限値電壓（以下記爲_)變動時，在光量 均勻的光射入光電變換部並而動作控制部之電位因而變成 相等之狀態’ Tr之輸出値也會變動。結果，發生在空間上 固定之雜訊（以下記爲「__」），會顯著損害畫質。 在日本特開平5-252445號公報上公開了防止這種FPN 發生之放大型固態攝像裝置。邊參照圖8邊說明此裝置。 2 本紙張尺度適用中國 家標準（CNS ) A4規格(ilOX297公釐）_ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -裝· 訂. 線 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 _____B7 五、發明説明（） 圖8之裝置在各像素具有放大感測器電位Vs之放大用電晶 體Ml ’利用含有差動放大器2之回授電路3監視放大用 電晶體Ml之通道電位，在重設動作時將該通道電位固定 爲基準電位VR’。重設動作係在重設用電晶體M3導通時， 藉著依據差動放大器2之輸出調整感測器電位Vs而執行。 於是，圖8之裝置在電路上降低放大用電晶體Ml之Vth 之變動。 發明欲解決之課題 可是在上述習知之裝置，在監視各像素之放大用電晶 體Ml之通道電位時，使切換用電晶體M2變成不導通 (OFF )狀態，將放大用電晶體Ml和切換用電晶體M2 之間之電位供給差動放大器2之輸入部。這是由於，此裝 置在構造上採用將放大用電晶體Ml之流動電流之大小作 爲輸出Is讀出，切換用電晶體M2處於導通狀態時，無法 偵測放大用電晶體Ml之通道電位。若利用圖8之裝置， 因需要將放大用電晶體Ml和切換用電晶體M2之間之電 位（V〇 )輸入差動放大器2，需要特別設置由各像素至差 動放大器2之配線。又，爲了利用一個2對全 ^部像素進行回授，除了用以選擇像素之切換用電晶體以 外，另外需要在各像素新設電晶體。因此，在多個像素排 列成二次元之面感測器之情況，採用上述構造係不實用 的。 又，利用上2之回授係在切換用電晶體 M2處於非導通狀態時執行，而不是在經由電晶體Ml和 3 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-
• JJT 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） A7 B7 五、發明説明（ M2讀出光電感測器1所儲存之信號電荷時執行。於是，若 利用習知技術，因不是依據在和實際輸出動作時相同之狀 態之輸出進行回授’回授精度之改善不足。 本發明之目的在於提供一 ，利用高之驅 解決課題之手段 本發明之偵測物理量分布之半導體裝置，具有 ，而該多個單位區域各自包括響應物理性刺激而可 由築向按照物理性刺激之物理量之第$_狀 麵_^之資料儲存部、向輸出端子輸出按照該資料儲存部 之電位狀態之電位之驅動元件以及選擇該單位區域之切換 元件赘該偵測物理量分布之半導體裝置還包括： «»，在該切換元件處於導通狀態時，接受該被選 到驅動元件之輸出，輸出按照該資料儲存部之電位狀態之 信號； 經濟部中央標準局負工消费合作社印装 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) ，在該切換元件處於導通狀態時，接受該 被選到驅動元件之輸出，調整該資料儲存部之第1電位狀 態，使得該驅動元件之該輸出實質上等於參考電位； ，爲了得到按照該多個單位區域之中之某 -單位區域所屬之該資料儲存部之電位狀態之信號 > 使該 某一單位區域所屬之該切換元件變成導通狀態。 本發明之另一偵測物理量分布之半導體裝置，具有# ，而該多個單位區域各自包括響應物理性刺激 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（） 而可由_4纏__態向按照物理性刺激之物理量之第 態轉移之資料儲存部、向輸出端子輸出按照該資料儲 存部之電位狀態之電位之驅動元件以及選擇該單位區域之 切換元件，該偵測物理量分布之半導體裝置還包括·· _*»，在該切換元件處於導通狀態時，接受該被選 到驅動元件之輸出，輸出按照該資料儲存部之電位狀態之 信號， ，接受該輸出部輸出之該信號，調整該資 料儲存部之第1電位狀態，使得該信號之電位位準實質上 等於參考電位； ，爲了得到按照該多個單位區域之中之某 一單位區域所屬之該資料儲存部之電位狀態之信號，使該 某一單位區域所屬之該切換元件變成導通狀態。 該驅動元件係MOS電晶體也可，而該MOS電晶體具 有： 閘極，和該資料儲存部連接； 源極，和該輸出部連接，在功能上作爲輸出端子；及 , 汲極，接受電源電位。 ' 最好具有和該驅動元件之該源極連接之負載元件，利 用該驅動元件和該負載元件形成源極隨耦電路。 該切換元件亦可爲MOS電晶體，而該MOS電晶體具 有： 閘極，接受來自該區域選擇部之信號； 汲極，和該驅動元件之源極連接； 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） r L-----------裝--： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局Μ*：工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 源極，和該輸出部連接。 該資料儲存部亦可具有將該物理性刺激變換成電荷之 偵測部和儲存該電荷之儲存部。 爾蠢，獅楼b 勝接。 .最好該各單位區域具有重設元件，該重設元件響應重 設脈波，將該資料儲存部之電位狀態強迫重設成該第1電 位狀態。 該重設元件亦可爲在閘極部接受該重設脈波之MOS 電晶體。 該重設元件亦可爲在閘極部接受該輸出調整部之輸出 之MOS電晶體。 該輸出調整部之輸出在該重設元件重設該資料儲存部 之電位狀態時經由該該重設元件供給該資料儲存部亦可。 該輸出調整部之輸出在該重設元件重設該資料儲存部 之電位狀態時經由該該重設元件供給該該重設元件之閘極 部分亦可爲。 ‘而且該輸出調整部 :包含具有同一功能之，對該多組之各組指定該 多個調整器之中一個。 該多個調整器亦可愈囊稱、反相差動放大 器或比較器構成。 經由共用配線供給該多可。 該輸出調整部亦可包含一個調整器，對該多個單位區 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂 線 A7 B7 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 五、發明説明（） 域之各單位區域指定該調整器。»rnwrn^^ 有選擇沿著列方向排列之多個單位區域之列選擇電路’ ® 列選擇電路之輸出使屬於所選到列之多個單位區域內之該 切換元件導通，而且使得向屬於所選到列之多個單位 內之該重設元件傳送該脈波。 綱蘇S，該區域選擇部具 有選擇沿著行方向排列之多個單位區域之行選擇電路 在各行之單位區域和該輸出部之間之行選擇元件，該 擇元件響應該行選擇電路之輸出，將屬於所選到行之多個 單位區域內之該驅動元件之輸出供給該輸出部。 該多個單位區域亦可排列成列及行，該區域選擇部具 有選擇沿著行方向排列之多個單位區域之行選擇電路、接 在各行之單位區域和該輸出部之間之行選擇元件以及接在 各行之單位區域和該重設脈波之輸入部之間之選擇行重設 元件，該行選擇元件響應該行選擇電路之輸出，將屬於所 選到行之多個單位區域內之該驅動元件之輸出供給該輸出 '部，該選擇行重設元件響應該行選擇電路之輸出’將該重 設脈波供給屬於所選到行之該重設元件。 如申請專利範圍第19項之偵測物理量分布之半導體 裝置中，具有接在各列之單位區域和該輸出調整部之間之 回授列選擇元件，該回授列選擇元件將該輸出調整部之輸 出傳給屬於所選到列之該重設元件。 7 .----------装—； (请先閲讀背面之泣意事項-?!填寫本頁) ,ιτ 線 Γ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 經濟部中失標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（） 本發明另關於一種偵測物理量分布之半導體裝置之驅 動方法，該偵測物理量分布之半導體裝置具有多個單位區 域，而該多個單位區域各自包括:響應物理性刺激而可由第 1電位狀態向按照物理性刺激之物理量之第2電位狀態轉 移之資料儲存部、向輸出端子輸出按照該資料儲存部之電 位狀態之電位之驅動元件以及選擇該單位區域之切換元 件，而該驅動方法包含： 輸出程序，在該切換元件處於導通狀態時，利用該切 換元件所選到驅動元件輸出按照該資料儲存部之電位狀態 之信號； 調整程序，在該切換元件處於導通狀態時，調整該資 料儲存部之第1電位狀態，使得該驅動元件之該輸出實質 上等於參考電位。 依本發明之另一偵測物理量分布之半導體裝置之驅動 方法，該偵測物理量分布之半導體裝置具有多個單位區 域，而該多個單位區域各自包括響應物理性刺激而可由第1 電位狀態向按照物理性刺激之物理量之第2電位狀態轉移 之資料儲存部、向輸出端子輸出按照該資料儲存部之電位 ：狀態之電位之驅動元件以及選擇該單位區域之切換元件， 其驅動方法包含： 輸出程序，在該切換元件處於導通狀態時，利用該切 換元件所選到驅動元件輸出按照該資料儲存部之電位狀態 之信號； 調整程序，在該切換元件處於導通狀態時’調整該資 8 本紙張尺度適ϋ國ΐ家揉準（CNS ) A4規格（210X297公i ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝.
.1T -線. A7 B7 五、發明説明（） 料儲存部之第1電織態，使得該信號之電位位準實質上 等於參考電位。 該調整程序最好利用回授電路執行。 該調整程序最好在將該資料儲存部之電位狀態重設成 該第1電位狀態時執行。 、該多個單位區域亦可排列成列及行，在完成對於各列 所屬全部之單位區域輸出按照該資料儲存部之電位狀態之 信號之程序後，對屬於該所選到列之全部之單位區域執行 該調整程序。 該多個單位區域亦可排列成列及行，在完成對於所選 到列所屬之一個單位區域輸出按照該資料儲存部之電位狀 態之信號之程序後，對該單位區域執行該調整程序。 在執行對於所選到列所屬之各單位區域輸出按照該資 .料儲存部之電位狀態之信號之期間，取樣該輸出的信號亦 可。 發明之實施例 (實施例） 經濟部中央橾準局負工消费合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ! 以下邊參考附加的圖面邊說明本發明之偵測物理量分 布之半導體裝置之實施例1。 圖1係表示本裝置之主要部分之構造。本裝置係放大 型固態攝像裝置，實際上在半導體基板上具有排列成一次 元/二次元之多個單位區域。在圖1，爲了簡化，對於多個 單位區域之一Sfi載和其他要素之關係。 9 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公羡1 A7 B7 五、發明説明（ 圖1所示之雜纖係#秦鷀。該像素23包括響應 光而可由第1電位狀態（起始狀態）轉移到按照光量之第2 電位狀態之光電變換儲存部（賣™靡|、按照兼具 光電變換部和儲存部之光電變換儲存部24之電位狀態進 行放大動作之驅動用Tr (驅動元件：以下記爲「Μ 4 ) 簾選擇邏_^勢乏像素選擇Tr (切換元件）22以及用 以將光電變換儲存部24之電位狀態強迫重設爲起始狀態 之像素重設電晶體37像素重設Tr 37 〇 本發明之光電變換儲存部24由兼具受到光之照射後 利用光電變換產生信號電荷之光電變換部和儲存所產生信 號電荷之儲存部之ΡΝ接面型光電二極體構成。可是，光 電變換儲存部24也可採用將利用光電變換產生信號電荷 之光電變換部和儲存所產生信號電荷之儲存部分開之構 造。那時，儲存部係ΡΝ接面型電容元件也可，係堆疊型 電容元件亦可。 經濟部中央樣準局5工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) r 所選到像素23內之D-Tr (驅動元件）25之輸出經 由像素選擇Tr 22及後述之狭給輸出用緩衝器 40，而且也供給後述之^«^«1繭輸入部45。 此外，在本專利說明書中，驅動元件之「輸出」意指出現 在驅動元件之一端子（輸出端子）之電位位準。在本發明 之驅動元件D-Tr 25之輸出如後述所示，由D-Tr 25之閘極 部26和D-Tr 25之臨限値Vt決定。流過D-Tr 25之電流量 由在功能上用作負載元件之(以下記爲「L-Tr」） 濟決定。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（） 以下更詳細地說明圖1所示裝置之構造。 圖1所示裝置具有控制選擇列驅動和選擇列重設驅動 之以下記爲 V-S/R) 21。V-S/R21 之輸出部47將選擇歹圓伤部，和選擇列 驅動Tr34及選擇列重設驅動ΊΥ36各自之閘極部連接。選 擇列驅動Tr34之汲極和選擇列驅動電壓輸入部33連接。 選擇列驅動Tr34處於導通狀態時，輸入選擇列驅動電壓輸 入部33之信號Vis供給像素選擇Tr22之閘極部。選擇列 重設驅動Tr36之汲極和重設電壓輸入部35連接。選擇列 重設驅動Tr30處於導通狀態時，輸入重設電壓輸入部35 之重設電壓硏供給像素重設Tr37之閘極部。 久部_·_·33之電壓Vis經由選擇列驅 動部32內之選擇列驅動Tr34傳給屬於V-S/R 21所選到列 之像素選擇Tr22。） __輸出部48和行選擇ΊΥ39之閘極部連接，屬於H-S/R 38 所選到行之行選擇驅動部49內之行選擇ΊΥ39變成導通狀 態。結果，由於屬於所選到列和行之像素23內之光電變換 儲存部24儲存之信號電荷量，D-Tr 25之閘極部26之電 1位就變化。 D-Tr 25之汲極和第1電源電壓端子28連接，源極經 由像素選擇Tr22和L-Tr 27之汲極連接。L-Tr 27之源極和 第2電源電壓端子29連接，閘極部和負載閘極電壓（VI ) 端子30連接。於是，D-Tr 25和L-Tr 27形成以D-Tr 25之 閘極部26爲輸入部、以節黠Μ篤輸出部之源極隨耦電路 11 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) .裝. ir 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 B7 __ 五、發明説明（） (SFC )。該SFC之功能係作爲緩衝電路(第1緩衝電路）’ 以輸出節點31之電位變化輸出D-Tr 25之閘極部26之電 位變化。在該SFC，L-Tr 27之功能係作爲定電流源，D-Tr 25之源極（輸出端子）之電位變爲自作用於閘極部26 之電壓減去「臨限値Vt」之値。 、SFC之輸出節點31經由行選擇Tr39和輸出用緩衝器 40之輸入部連接，而且也和運算放大器43之輸入部45 連接。在運算放大器43之+側輸入部44連接輸入參考信號 (參考電位）編。運算放大器43 之輸出部46經由對應之像素23內之像素重設ΊΥ37和該像 素23內之光電變換儲存部24及驅動用Tr25之閘極部26 連接。 漏围^^出按照光電變換儲存部24所儲 存信號電荷之信號後，重設光電變換儲存部24所儲存之信 號電荷。進行該重設時，作用於重酸之重設 電壓(|>R經由選擇列驅動部32之選擇列重設驅動Tr36傳給 像素重設Tr37之閘極部。運算放大器43之輸出經由和其 .輸出部46連接之像素重設Tr37供給光電變換儲存部24 〇 此構造形成回授電路，依據運算放大器43之特性，自輸出 部46輸出，使得+側輸入部44和-側輸入部45變成同電 位。結果，在重設動作中，將光電變換儲存部24之電位狀 態調整成輸出節點31之電位等於參考電位Vref 〇於是， 在SFC在進行列選擇之狀態動作、和產生一般之信號輸出 時同等之狀態下進行該調整。此外，藉著將參考信號之電 12 氏張X渡通用中國國家梯準（CNS)八4賴_ (训〆297公羹） Γ , C l·---------^—:—---訂‘—.'----^ (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（） 位設爲比Vdd低D-Tr 25之臨限値電壓（Vt )之相當値以 上，達成穩定的動作。 若利用本實施例，因在和產生一般之信號輸出時同等 之狀態執行利用運算放大器43之回授，能以高精度調整光 電變換儲存部24之起始狀態。又，因調整光電變換儲存部 24之起始狀態係依據位於像素選擇Tr22和輸出用緩衝器 40之間之節點的電位，而不是位於D-Tr (驅動元件）25 和像素選擇Tr (切換元件）22之間之節點的電位，排列 多個像素23，也不需要連接各像素23和對應之運算放大 器43之追加的配線或追加的切換元件。因而，在像素個數 多之情況，也可抑制裝置之尺寸增加。 此外，藉著將圖1所示之像素排列成一次元可構成線 感測器，藉著排列成二次元可構成面感測器。 (實施例2) 圖2係表示本發明之偵測物理量分布之半導體裝置之 實施例2 〇本實施例之裝置之構造基本上和實施例1之偵 測物理量分布之半導體裝置相同。但，在本實施例之裝置， 在載挪夢23排成列 (rows )及行（columns )。在圖2，設η、m爲整數， 記載了第（n-1 )歹[|、第η列、第（n+1 )歹[I、第（m-1 ) 行、第m行、第（m+1 )行之像素23。對於圖2之構成 元件之中和圖1之構成元件對應之構成元件，指定和圖1 所示之參照編號相同的參照編號。 在本實施例，同一行內所含多個D-Tr 25各自和對該 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） f - f ----------^|_Μ-----訂‘--.----^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（） 行指定之一個L-Tr* 27 —起形成SFC。更詳而言之，各L-Tr 27之汲極和連接對應行內所含多個像素內之像素選擇 Tr22之源極之共用配線連接。 本實施例在 45和對應行之SFC輸出節點31連接。各運算放大器43之 輸出部經由對應行之像素重設Tr37和光電變換儲存部24 連接。多個運算放大器43之+側輸入部44和參考信號輸入 部42共同連接。 除了圖2运邊參照圖3 ’說明本裝置之驅動方法。 如圖3所示，處於相對於53之電壓之基準點（〇ν ) 54「high」之狀態之選擇列驅動電壓（Vis ) 53作用於 選擇列驅動電壓輸入部33 〇在此期間’ V-S/R 21之輸出 部47使各列之選擇列驅動Tr34依次變成導通狀態。結果， 自各列之選擇列驅動Tr34依次輸出列選擇電壓。列選擇電 壓係作用於選擇列驅動電壓輸入部33之選擇列驅動電壓 (Vis )經由各列之選擇列驅動Tr34供給各列所屬之多個 像素選擇ΤΥ22之閘極部之電壓，使屬於所選到列之多個像 素選擇Tr22同時變成導通狀態。圖3，在期間51輸出第η : 列之列選擇電壓55後，響SHS ▼觀》列_« 在選到各列之期間，審备释老静謂48依次 輸出行選擇電壓。在圖3，依次輸出第（m-1 )行之行選 擇電壓64、第m行之行選擇電壓65、第（m+1 )行之行 選擇電壓66 〇行選擇電壓64-66使對應行之行選擇Tr39 14 本紙張尺度逋用中困國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再埃寫本頁) 装 訂 線 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 ______B7_ 五、發明説明（） 導通，因而依次選擇第（m-l )行、第m行、第（m+l ) 行。結果，來自屬於所選到列之各像素之輸出依次供給輸 出用緩衝器40。於是，在選到第η列之期間51內，因H-S/R 38所選到行之行選擇驅動部49之行選擇ΊΥ39變成導通狀 態，依次選擇各行，來自屬於第η列之各像素之輸出經由 輸出用緩衝器40輸出。 在選到各行之期間，作用於重設電壓輸入部35之重設 電壓61處於「Low」狀態，但是在各列之選擇期間完了 前，在重設電壓輸入部35輸入重設脈波68 〇於是，利用 在輸出來自第η列之各行之信號後作用之重設脈波68，使 用在實施例1所說明之運算放大器43之回授電路動作，將 第η列所含全部光電變換儲存部24之電位重設時之各行之 SFC輸出設爲和參考信號62相等。在選到第II列之期間51 內來自第η列內之各像素之輸出和光電變換儲存部24之電 位調整及重設動作完了。然後，在期間52選擇第（η+1 ) 列，進行相同的驅動。此外，參考信號62作用於參考信號 輸入部42。 若利用本實施例，各運算放大器43對對應之一行內之 '多個像素進行起始狀態之調整。因而，和在每一像素設置 運算放大器相比，利用個數較少之運算放大器可執行全部 像素之調整。 (實施例3) 圖4係表示本發明之偵測物理量分布之半導體裝置之 實施例3。本實施例和實施例2之不同點係，在一個裝置 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂， 線 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS > Μ規格（21〇><297公釐） 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 ____B7___ 五、發明説明（） 設置一啊（睡像素3洪用。在該運算放大 器71之+側輸入部44經由和入部44連接之參考信號 輸入部72輸入參考信號ref 〇而在運算放大器71之-側輸 入部45經由輸出用緩衝器40輸入自輸出部41輸出之輸出 1 ° .運算放大器71之輸出部經由只在重設期間導通之一 個Tr73和各行所指定之回授列選擇IY74之汲極連接。各 回授列選擇Tr74之源極和對應行內之各像素重設Tr75之 汲極連接。像素重設Tr75之源極和其像素重設Tr75所含 像素內之光電變換儲存部24連接，像素重設Tr75之閘極 部和其像素內之重設列選擇Tr76之源極連接。重設列選擇 Tr76之汲極經由各行所指定之選擇行重設驅動謂和重 設電壓輸入部77連接。麵™^ 某行’該行所 屬之選擇行重設驅動Tr70導通時，經由屬於所選到列之重 設列選擇Tr76供給像素重設Tr75之閘極部重設電壓，像 素重設Tr75就導通。那時，經由該導通之像素重設Tr75 供給光電變換儲存部24來自運算放大器71之輸出電壓。 結果，對於屬於所選到列及所選到行之一個像素所含之光 電變換儲存部24 ’只在重設期間供給運算放大器71之輸 出。 此外，H-S/R 38之輸出部將行選擇驅動部49作爲第3 緩衝電路部，和行選擇Tr39及選擇行重設驅動Tr70之各 自之閘極部連接，控制行選擇驅動和行選擇重設驅動。 輸出用緩衝器40之輸出部經由閘極部和取樣脈波輸 16 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) -裝. -訂 經濟部中央梂準局工消费合作社印装 A7 ____B7_ 五、發明説明（） 入部78連接之取樣Tr79和電容器連接。在取樣Tr79和電 容器之間連接取樣輸出部80，形成取樣保持電路。 其次，除了圖4以外還邊參照圖5，說明本實施例之 驅動方法。在圖5，81係輸出部41之輸出電壓、82係作 用於重設電壓輸入部77之重設脈波、83係爲了取樣輸出 而作用於取樣脈波輸入部78之取樣脈波、84係取樣輸出 部80所輸出之輸出電壓、85係作用於和運算放大器71之 +側輸入部連接之參考信號輸入部72之參考信號、86係 85之基準電壓（0V )、87係來自第η列第（m-1 )行 之像素之輸出、88係第η列第（m-1 )行之像素在重設 狀態之輸出88 〇 在選到某到列之狀態，選擇各行時，SFC之輸出經由 輸出用緩衝器40輸出這一點’本實施例之裝置之動作和實 施例2之裝置之動作相同。在驅動方法上不同的係’在選 擇行之期間中施加多個重設脈波幻’每次進行來自各像素 之輸出動作都執行重設動作。更詳而言之，在V-S/R 21選 到第η列之期間51，H-S/R 38選到第（m-Ι )行時’在 第η列第（m-1 )行之像素所儲存之資料經由行選擇Tr39 '和輸出用緩衝器40輸出。藉著在H-S/R 38選擇第（m-1 ) 行之期間中輸入重設脈波82，經由重設列選擇Tr76向像 素重設Tr75之閘極施加重設電壓。 而，因經窗輸出部41輸出之輸出 81和參考信號85分別輸入運算放大器71之-側輸入部45 及和+側輸入部44連接之參考信號輸入部72，運算放大器 17 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 裝 -、π 線
C 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0 X297公漦） 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 71之輸出電壓經由只在重設期間導通之1V73和回授列選 擇Tr74供給像素重設Tr75，作爲電源。 結果，設定光電變換儲存部24之電位，使得重設時 SFC之輸出和參考信號85相等。對全部像素執行這種動 作。 ，本實施例之裝置之，交互連續出 現來自像素之輸出87和重設動作中之輸出88。可是，希 望由裝置只取出來自像素之輸出87。因而，藉著在像素之 輸出動作中對和取樣Tr79之閘極部連接之取樣脈波輸入部 78輸入取樣脈波83，在和取樣Tr79連接之電容部記憶輸 出87,自取樣輸出部80輸出。藉此可自裝置只取出來 自像素之輸出87。 若利用本實施例，只要設置元件整體共用之運算放大 器一個即可，因不必在每一行設置運算放大器，可縮小元 件面積。但，和實施例2相比，本實施例之運算放大器需 要動作速度快的。 (實施例4) 圖ό係表示本發明之偵測物理量分布之半導體裝置之 ’實施例4。在圖6，91係重設行選擇ΤΥ、92係像素重設 Tr、93係反相器、94係接地用Tr。 在本實施例也和實施例3 —樣，在各像素輸出後，在 選擇行中進行重設動作。在實施例3，運算放大器71之輸 出電壓係供給像素重設ΤΪ75之電源輸入部，而在本實施 例，運算放大器71之輸出電壓經由回授列選擇Tr74供給 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 f -線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 像素重設Tr92之閘極部。因而，設置供給閘極部行選擇脈 波之重設行選擇Tr91，控制對像素重設ΊΥ92之閘極部之 電壓供應。 若利用本實施例，因運算放大器71之輸出輸入像素重 設Tr92之閘極部，爲了使驅動變成更穩定，希望在重設期 間以外像素重設Tr92處於完全打開之狀態。即，希望在重 設期間以外作用於像素重設Tr92之閘極部之電壓完全是 0V。因而，設置接地用IY94，將使重設脈波82反相之反 相器93之輸出接到閘極部。 此外，本實施例之裝置之各部位之電位波形和圖5所 示的相同。 (實施例5) 圖7係表示本發明之偵測物理量分布之半導體裝置之 實施例5。在本實施例，和實施例4 一樣，運算放大器71 之輸出電壓作用於像素重設Tr92之閘極部。可是，在本實 施例之重設行選擇Tr91控制光電變換儲存部24和像素重 設Tr92之間之導通/不導導這一點，和實施例4不同。利 用圖7之構造也可進行和實施例4 一樣之驅動。 ： 此外，在此說明之實施例，爲了簡單起見，說明了具 有兼具光電變換部和信號電荷儲存部之光電變換儲存部24 之情況，但是在光電變換部和信號電荷儲存部分開形成之 情況當然也有效。 又，以經由輸出用緩衝器取出輸出之情況爲例說明， 但是輸出用緩衝器未必需要。也可利用配線或端子取出往 19 r L----------^--^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（) 裝置外部之輸出。在本專利說明書之「輸出部」意指廣泛 地包含爲了向裝置外部輸出按照資料儲存部之電位狀態之 信號而作用之部分。又，關於具有利用運算放大器作爲輸 出調整裝置之回授電路之實施例說明了本發明，但是除了 運算放大器以外，也可使用差動反相放大器或比較器，作 爲輸出調整裝置。 ，以固態攝像裝置爲例說明了本發明，但是若設置例如 偵測X射線、紅外線、溫度、磁場、電場、壓力、等其他 物理量之偵測部，將因所接受物理量而變化之電位傳到驅 動Tr之閘極部，當然對光以外之一般偵測物理量分布之半 導體裝置有效。偵測光以外之物理量，例如偵測溫度之分 布時，只要用電位或電壓按照溫度變化之元件替代光電變 換儲存部即可。偵測壓力分布時，只要用壓電元件替代光 電變換儲存部即可。 發明之效果 若利用本發明，因具•在 接之切換元件處於導通狀態時，接受所選到驅動元件之輸 出，態，使得驅動元件之輸出實 ’質上等於參考電位，依據在和實際輸出動作時相同之狀態 之輸出進行回授，-HMWgBg。又，由於輸出調整部之 動作，不必在選擇單位區域之切換元件之外，另外在各單 位區域新設電晶體。 圖面之簡單說明 20 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂·1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（） 圖1係表示本發明之偵測物理量分布之半導體裝置之 實施例1之主要部分之圖。 圖2係表示本發明之偵測物理量分布之半導體裝置之 實施例2之電路圖。 圖3係表示本發明之驅動方法之實施例之時序圖。 、圖4係表示本發明之偵測物理量分布之半導體裝置之 實施例3之電路圖。 圖5係表示本發明之驅動方法之其他實施例之時序 葡。 圖ό係表示本發明之偵測物理量分布之半導體裝置之 實施例4之電路圖。 圖7係表示本發明之偵測物理量分布之半導體裝置之 實施例5之電路圖。 圖8係表示習知之偵測物理量分布之半導體裝置之主 要部分之電路圖。 符號說明 1 列選擇移位暫存器1 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ：2 像素選擇電晶體 3 像素 4 光電變換儲存部 5 電晶體 6 電晶體5之閘極部 7 電晶體 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（） 8 第1電源電壓（Vdd )端子 9 第2電源電壓（Vss )端子 10 負載電晶體之閘極輸入部 11 源極隨耦電路之輸出節點 12 開關 13 信號記憶部 14 像素重設電晶體 15 重設記憶部 16 差動放大器 17 行選擇移位暫存器（H_s/R ) 18 行選擇電晶體 19 輸出部 21 列選擇移位暫存器（ν-S/R ) 22 像素選擇電晶體 23 像素23 24 兼具光電變換部和儲存部之光電變換儲存部 25 驅動用電晶體（D-Tr ) 26 驅動用電晶體25之閘極部 ；27 負載電晶體（L-Tr ) 28 第1電源電壓（Vdd )端子 29 第2電源電壓（Vss )端子 30 負載閘極電壓（VI )端子 31 SFC之輸出節點 32 選擇列驅動部 22 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
iT 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 33 選擇列驅動電壓輸入部 34 選擇列驅動電晶體 35 重設電壓輸入部 36 選擇列重設驅動電晶體 37像素重設電晶體 38.行選擇移位暫存器（H-S/R) 39行選擇電晶體 40 輸出用緩衝器 41輸出部 42參考信號輸入部 43運算放大器 44 +側輸入部 45 -側輸入部 47 列選擇裝置輸出部 48行選擇裝置輸出部 49 行選擇驅動部 50 偵測並儲存物理量之區域 51選到第η列之期間 '52 選到第（η+1 )歹[I之期間 53 選擇列驅動電壓 54 53之電壓之基準點（0V ) 55 第η列之列選擇電壓 56 第（η+1 )列之列選擇電壓 62 參考信號 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. ，tr 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央樣準局貝主消费合作社印製 發明説明（） 63 62之基準電壓（0V ) 64 第（m-1 )行之行選擇電壓 65 第m行之行選擇電壓 66 第（m+1 )行之行選擇電壓 68 重設脈波 70 選擇行重設驅動電晶體 71 運算放大器 72 參考信號輸入部 74 回授列選擇電晶體 75 像素重設電晶體 76 重設列選擇電晶體 77 重設電壓輸入部 78 取樣脈波輸入部 79 取樣電晶體 80 取樣輸出部 81 輸出部41之輸出電壓 82 重設脈波 83 取樣脈波 84 取樣輸出電壓 85 參考信號 86 85之基準電壓（0V ) 87 來自第η列第（m-Ι )行之像素之輸出 88 第η列第（m-Ι )行之像素在重設狀態之輸出 91 重設行選擇電晶體 24 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（） 92 像素重設電晶體 93 反相器 94 接地用電晶體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂， 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印簟 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消费合作社印褽 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種偵測物理量分布之半導體裝置，具有多個單位 區域，而該多個單位區域各自包括響應物理性刺激而可由 第1電位狀態向按照物理性刺激之物理量之第2電位狀態 轉移之資料儲存部、向輸出端子輸出按照該資料儲存部之 電位狀態之電位之驅動元件以及選擇該單位區域之切換元 件，該ii測物理量分布之半導體裝置還包括： ，在該切換元件處於導通狀態時，接受該被選 到驅動元件之輸出，輸出按照該資料儲存部之電位狀態之 信號； «，在該切換元件處於導通狀態時，接受該 被選到驅動元件之輸出，調整該資料儲存部之第1電位狀 態，使得該驅動元件之該輸出實質上等於參考電位；及 爲了得到按照該多個單位區域之中之某 一單位區域所屬之該資料儲存部之電位狀態之信號，使該 某一單位區域所屬之該切換元件變成導通狀態。 2. —種偵測物理量分布之半導體裝置，具有 區域，而該多個單位區域各自包括響應物理性刺激而可由 第1電位狀態向按照物理性刺激之物理量之第2電位狀態 轉移之資料儲存部、向輸出端子輸出按照該資料儲存部之 電位狀態之電位之驅動元件以及選擇該單位區域之切換元 件，該偵測物理量分布之半導體裝置還包括： _έΒ部:，在該切換元件處於導通狀態時，接受該被選 到驅動元件之輸出，輸出按照該資料儲存部之電位狀態之 信號； 26 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 r 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貞工消费合作社印装 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 ，接受該輸出部輸出之該信號，調整該資 料儲存部之第1電位狀態，使得該信號之電位位準實質上 等於參考電位；及 爲了得到按照該多個單位區域之中之某 一單位區域所屬之該資料儲存部之電位狀態之信號，使該 某一單锋區域所屬之該切換元件變成導通狀態。 3. 如申請專利範圍偵測物理量分布 之半導體裝置中，該驅動元件係MOS電晶體，而該MOS 電晶體具有 閘極，和該資料儲存部連接； 源極，和該輸出部連接，在功能上作爲輸出端子；及 汲極，接受電源電位。 4. 如申請專利範偵測物理量分布之半導體 裝置中，具有和該驅動元件之該源極連接之負載元件，利 用該驅動元件和該負載元件形成源極隨耦電路。 5. 如申請專利範圍之偵測物理量分布之半導體 裝置中，該切換元件係MOS 電晶體，而該MOS電晶體 具有： ’閘極，接受來自該區域選擇部之信號； 汲極，和該驅動元件之源極連接；及 源極，該輸出部連接° 6. 如申請專利範圍偵測物理量分布 之半導體裝置中，該資料儲存部具有將該物理性刺激變換 成電荷之偵測部和儲存該電荷之儲存部。 (請先閲讀背面之注ί項再填寫本頁) -裝.· - Γ 線 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 A8 B8 ____§__ 六、申請專利範圍 7·如申請專利範圍第6項之偵測物理量分布之半導體 裝置中，該偵測部係PN接面型光電變換元件。 8. 如申請專利範圍第7項之偵測物理量分布之半導體 裝置中，該儲存部係I>N接面型電容元件。 9. 如申請專利範圍偵測物理量分布 之半導體裝置中，該各單位區域具有重設元件，該重設元 件響應重設脈波，將該資料儲存部之電位狀態強迫重設成 該第1電位狀態° 10. 如申請專利範圍第9項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該重設元件係在閘極部接受該重設脈波之MOS 電晶體。 11. 如申請專利範圍第9項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該重設元件係在閘極部接受該輸出調整部之輸 出之MOS電晶體。 12. 如申請專利範圍第9項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該輸出調整部之輸出在該重設元件重設該資料 儲存部之電位狀態時經由該該重設元件供給該資料儲存 部。 ’ 13.如申請專利範圍第11項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該輸出調整部之輸出在該重設兀件重設該資料 儲存部之電位狀態時經由該該重設元件供給該該重設元件 之閘極部分。 14.如申請專利範圍第1項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該多個單位區域分割成多組，而且該輸出調整 -__ϋ_____ 氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝 C 訂 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 部包含具有同一功能之多個調整器，對該多組之各組指定 該多個調整器之中一個。 15.如申請專利範圍第14項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該多個調整器各自由運算放大器、反相差動放 大器或比較器構成。 16:如申請專利範圍第3項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，經由共用配線供給該多個調整器參考電位。 17. 如申請專利範圍第2項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該輸出調整部包含一個調整器，對該多個單位 區域之各單位區域指定該調整器。 18. 如申請專利範圍第3項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該多個單位區域排列成列及行，該區域選擇部 具有選擇沿著列方向排列之多個單位區域之列選擇電路， 該列選擇電路之輸出使屬於所選到列之多個單位區域內之 該切換元件導通，而且使得向屬於所選到列之多個單位區 域內之該重設元件傳送該脈波。 19. 如申請專利範圍第2項之偵測物理量分布之半導 體裝置，還具有和該輸出部連接之取樣保持電路。 ! 20.如申請專利範圍第1項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該多個單位區域排列成列及行，該區域選擇部 具有選擇沿著行方向排列之多個單位區域之行選擇電路及 接在各行之單位區域和該輸出部之間之行選擇元件’該行 選擇元件響應該行選擇電路之輸出，將屬於所選到行之多 個單位區域內之該驅動元件之輸出供給該輸出部。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） U3. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) ---f
    經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範園 21. 如申請專利範圍第9項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，該多個單位區域排列成列及行，該區域選擇部 具有選擇沿著行方向排列之多個單位區域之行選擇電路、 接在各行之單位區域和該輸出部之間之行選擇元件以及接 在各行之單位區域和該重設脈波之輸入部之間之選擇行重 設元件 >，該行選擇元件響應該行選擇電路之輸出，將屬於 所選到行之多個單位區域內之該驅動元件之輸出供給該輸 出部，該選擇行重設元律響應該?ΐ選擇電路之輸出，將該 重設脈波供給屬於所選到行之該重設元件。 22. 如申請專利範圍第19項之偵測物理量分布之半導 體裝置中，具有接在各列之單位區域和該輸出調整部之間 之回授列選擇元件，該回授列選擇元件將該輸出調整部之 輸出傳給屬於所選到列之該重設元件。 23. —種偵測物理量分布之半導體裝置之驅動方法， 該偵測物理量分布之半導體裝置具有多個單位區域，而該 多個單位區域各自包括響應物理性刺激而可由第1電位狀 態向按照物理性刺激之物理量之第2電位狀態轉移之資料 儲存部、向輸出端子輸出按照該資料儲存部之電位狀態之 電位之驅動元件以及選擇該單位區域之切換元件，其驅動 方法包含·· 輸出程序，在該切換元件處於導通狀態時，利用該切 換元件所選到驅動元件輸出按照該資料儲存部之電位狀態 之信號；及 調整程序，在該切換元件處於導通狀態時，調整該資 __30_ 本紙伕尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tT C 線· 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 AS BS C8 D8 穴、申請專利祀圍 料儲存部之第1電位狀態，使得該驅動元件之該輸出實質 上等於參考電位。 、 24. —種偵測物理量分布之半導體裝置之驅動方法，該 偵測物理量分布之半導體裝置具有多個單位區域，而該多 個單位區域各自包括響應物理性刺激而可由第1電位狀態 向按照物理性刺激之物理量之第2電位狀態轉移之資料儲 存部、南輸出端子輸出按照該資料儲存部之電位狀態之電 位之驅動元件以及選擇該單位區域之切換元件，其驅動方 法包含： 輸出程序，在該切換元件處於導通狀態時，利用該切 換元件所選到驅動元件輸出按照該資料儲存部之電位狀態 之信號；及 調整程序，在該切換元件處於導通狀態時，調整該資 料儲存部之第1電位狀態，使得該信號之電位位準實質上 等於參考電位。 25. 如申請專利範圍錄孵墳之偵測物理量 分布之半導體裝置之驅動方法中，該調整程序利用回授電 路執行。 ’ 26.如申請專利範圔第5 調頊之偵測物理量 分布之半導體裝置之驅動方法中，該調整程序在將該資料 儲存部之電位狀態重設成該第1電位狀態時執行。 27.如申請專利範團«誦頃之偵測物理量分布之半導 體裝置之驅動方法中，該多個單位區域排列成列及行，在 完成對於各列所屬全部之單位區域輸出按照該資料儲存部 ------ —β. (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁)
    本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 之電位狀態之信號之程序後，對屬於該所選到列之全部之 單位區域執行該調整程序。 28.如申請專利範圍第24項之偵測物理量分布之半導 體裝置之驅動方法中，該多個單位區域排列成列及行，在 完成對於所選到列所屬之一個單位區域輸出按照該資料儲 存部之電位狀態之信號之程序後，對該單位區域執行該調 整程序。 • 29.如申請專利範圍第28項之偵測物理量分布之半導 體裝置之驅動方法中，在執行對於所選到列所屬之各單位 區域輸出按照該資料儲存部之電位狀態之信號之期間，取 樣該輸出的信號。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) "裝· 、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
TW087101448A 1997-02-04 1998-02-03 Physical quantity distribution detection semiconductor device and its driving method TW390096B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2117297 1997-02-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW390096B true TW390096B (en) 2000-05-11

Family

ID=12047512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087101448A TW390096B (en) 1997-02-04 1998-02-03 Physical quantity distribution detection semiconductor device and its driving method

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6469740B1 (zh)
EP (1) EP0856989A3 (zh)
KR (1) KR100463859B1 (zh)
TW (1) TW390096B (zh)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10257392A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Matsushita Electron Corp 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法ならびにその製造方法
DE69841968D1 (de) * 1997-08-15 2010-12-09 Sony Corp Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Steuerverfahren dafür
EP0928101A3 (en) * 1997-12-31 2001-05-02 Texas Instruments Incorporated CMOS area array sensors
KR100571032B1 (ko) * 1998-01-09 2006-04-13 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
US6801256B1 (en) * 1998-06-02 2004-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba High-speed solid-state imaging device capable of suppressing image noise
KR100265364B1 (ko) * 1998-06-27 2000-09-15 김영환 넓은 동적 범위를 갖는 씨모스 이미지 센서
US6665012B1 (en) * 1998-09-22 2003-12-16 Pixim, Inc. Process-scalable high spatial resolution and low bit resolution CMOS area image sensor
JP3512152B2 (ja) * 1998-10-14 2004-03-29 松下電器産業株式会社 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法
JP3578648B2 (ja) * 1998-11-16 2004-10-20 松下電器産業株式会社 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法
US6677995B1 (en) * 1999-02-04 2004-01-13 Agere Systems Inc. Array readout system
JP2001218113A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Minolta Co Ltd 固体撮像装置
US7053945B1 (en) * 2000-07-26 2006-05-30 Micron Technolopgy, Inc. Image sensor having boosted reset
US6888572B1 (en) * 2000-10-26 2005-05-03 Rockwell Science Center, Llc Compact active pixel with low-noise image formation
DE60136963D1 (de) * 2000-11-16 2009-01-22 California Inst Of Techn Photodioden-cmos-abbildungsvorrichtung mit spaltenrückkopplungs-soft-reset
US6653992B1 (en) * 2001-02-28 2003-11-25 Varian Medical Systems, Inc. Method and circuit for reduction of correlated noise
DE10123853A1 (de) * 2001-05-16 2002-11-28 Bosch Gmbh Robert Schaltungsanordnung, Bildsensorvorrichtung und Verfahren
US7298406B2 (en) * 2002-01-16 2007-11-20 Micron Technology, Inc. Ground referenced pixel reset
US7317484B2 (en) * 2003-02-26 2008-01-08 Digital Imaging Systems Gmbh CMOS APS readout scheme that combines reset drain current and the source follower output
US7215369B2 (en) * 2003-04-02 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Compact pixel reset circuits using reversed current readout
US7274397B2 (en) * 2003-08-11 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Image sensor with active reset and randomly addressable pixels
KR100559451B1 (ko) * 2003-09-17 2006-03-10 한국과학기술원 Ｃｍｏｓ 이미지센서
US7095028B2 (en) * 2003-10-15 2006-08-22 Varian Medical Systems Multi-slice flat panel computed tomography
US7589326B2 (en) 2003-10-15 2009-09-15 Varian Medical Systems Technologies, Inc. Systems and methods for image acquisition
US7573519B2 (en) * 2005-10-26 2009-08-11 Eastman Kodak Company Method for correcting eclipse or darkle
CN101326817A (zh) * 2005-12-09 2008-12-17 欧姆龙株式会社 固态成像装置
US8130298B2 (en) * 2008-02-07 2012-03-06 International Business Machines Corporation Wide dynamic range image sensor utilizing switch current source at pre-determined switch voltage per pixel
KR101107168B1 (ko) * 2010-01-04 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 엑스레이 검출장치 및 이의 구동방법
KR101147422B1 (ko) * 2010-01-05 2012-05-24 삼성모바일디스플레이주식회사 엑스레이 감지 장치 및 엑스선 감지 방법
JP5470181B2 (ja) 2010-07-09 2014-04-16 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP5530839B2 (ja) 2010-07-09 2014-06-25 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP5530277B2 (ja) 2010-07-09 2014-06-25 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
WO2012105259A1 (ja) 2011-02-04 2012-08-09 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
JPWO2013018293A1 (ja) 2011-08-04 2015-03-05 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びスイッチング回路
JP6238082B2 (ja) 2012-06-27 2017-11-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像装置
CN105144699B (zh) * 2013-03-15 2019-03-15 拉姆伯斯公司 阈值监测的有条件重置的图像传感器及其操作方法
KR102684972B1 (ko) 2016-11-28 2024-07-16 삼성전자주식회사 이미지 센서
IT201700066147A1 (it) 2017-06-14 2018-12-14 Eye Tech S R L Circuito per il controllo della carica dei pixels in dispositivi di acquisizione di immagini digitali

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4556851A (en) * 1983-08-22 1985-12-03 Rca Corporation Reduction of noise in signal from charge transfer devices
JPS60169282A (ja) 1984-02-13 1985-09-02 Seiko Epson Corp 固体撮像素子の出力信号処理回路
JPS63296478A (ja) * 1987-05-28 1988-12-02 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 固体撮像装置
US4942474A (en) * 1987-12-11 1990-07-17 Hitachi, Ltd. Solid-state imaging device having photo-electric conversion elements and other circuit elements arranged to provide improved photo-sensitivity
FR2625593B1 (fr) * 1988-01-05 1990-05-04 Thomson Csf Procede et circuit de lecture a faible bruit pour matrice photosensible a transfert de ligne
US5162912A (en) * 1989-04-10 1992-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus eliminating noise in an output signal
US5382975A (en) * 1991-08-30 1995-01-17 Fuji Xerox Co., Ltd. Image reading apparatus
JP3008657B2 (ja) 1992-03-04 2000-02-14 ソニー株式会社 増幅型固体撮像装置
US5335015A (en) * 1992-10-30 1994-08-02 Texas Instruments Incorporated Method for improved dynamic range of BCMD image sensors
US5493423A (en) * 1994-10-28 1996-02-20 Xerox Corporation Resettable pixel amplifier for an image sensor array
DE69606147T2 (de) * 1995-10-31 2000-06-29 Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vzw, Leuven-Heverlee Schaltung, Bildelement, Vorrichtung und Verfahren zur Verminderung des Rauschens örtlich unveränderlicher Muster in Festkörperbildaufnahmevorrichtungen
US5892540A (en) * 1996-06-13 1999-04-06 Rockwell International Corporation Low noise amplifier for passive pixel CMOS imager
GB2317522B (en) * 1996-09-12 2000-09-27 Vsli Vision Limited Low noise operation of an image sensor
US6031570A (en) * 1997-03-19 2000-02-29 Omnivision Technologies, Inc. Image acquisition and processing system

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980071065A (ko) 1998-10-26
EP0856989A3 (en) 2001-04-18
US6469740B1 (en) 2002-10-22
EP0856989A2 (en) 1998-08-05
KR100463859B1 (ko) 2005-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW390096B (en) Physical quantity distribution detection semiconductor device and its driving method
JP6491434B2 (ja) 放射線撮像装置及び放射線検出システム
US6696687B1 (en) Radiation detector
TW569620B (en) Imaging apparatus
JP5224942B2 (ja) 固体撮像装置
JP6415488B2 (ja) 放射線撮像システム
TWI222323B (en) Image sensor providing improved image quality
CN101540188B (zh) 具有单端读出放大器的半导体器件
JP3863214B2 (ja) ビデオ信号供給装置
DE69122278T2 (de) Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung
US8818068B2 (en) Imaging apparatus, imaging system, method of controlling the apparatus and the system, and program
JP6527713B2 (ja) 固体撮像装置
JPH11503283A (ja) 作動型マトリックス画像アレイのための読出し回路
CN103474037A (zh) 有源矩阵面板、检测装置和检测系统
CN108141553B (zh) 摄像元件、摄像装置及电子设备
US7961240B2 (en) Image pickup device
TW200400628A (en) Solid state imager and camera system
US20090295966A1 (en) Solid-state imaging device and camera
US20110285893A1 (en) Solid-state imaging apparatus
JPH10281870A (ja) 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法
JP2010283735A (ja) 検出装置及び固体撮像装置
WO2009043878A1 (en) Pixel matrix with compensation of ohmic drops on the power supplies
JP5971959B2 (ja) マトリクス基板、検出装置、及び、検出システム
JPH11502995A (ja) マルチプレクサ回路
US20080061830A1 (en) Method, apparatus, and system providing power supply independent imager output driver having a constant slew rate

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent