KR19980071065A - 물리량 분포 검지 반도체 장치 및 그 구동방법 - Google Patents
물리량 분포 검지 반도체 장치 및 그 구동방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980071065A KR19980071065A KR1019980003043A KR19980003043A KR19980071065A KR 19980071065 A KR19980071065 A KR 19980071065A KR 1019980003043 A KR1019980003043 A KR 1019980003043A KR 19980003043 A KR19980003043 A KR 19980003043A KR 19980071065 A KR19980071065 A KR 19980071065A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- unit
- output
- column
- reset
- potential
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 31
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 21
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Description
Claims (45)
- 복수의 단위영역을 구비하고,상기 복수의 단위영역 각각은,물리적 자극에 응답하여 제 1 전위상태로부터 상기 물리적 자극의 물리량에 따른 제 2 전위상태로 천이할 수 있는 정보 축적부와,상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 전위를 출력단자로 출력하는 구동소자와,상기 단위영역의 선택을 행하는 스위칭 소자를 갖는 물리량 분포 검지 반도체 장치에 있어서,상기 스위칭 소자가 도통상태에 있을 때 상기 스위칭 소자에 의하여 선택된 구동소자의 출력을 접수하고, 상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 신호를 출력하는 출력부와,상기 스위칭 소자가 도통상태에 있을 때 상기 선택된 구동소자의 출력을 접수하여 상기 구동소자의 상기 출력이 참조전위와 실질적으로 같아지도록 상기 정보 축적부의 상기 제 1 전위상태를 조절하는 출력 조정부와,상기 복수의 단위영역 중 어느 하나의 단위영역에 속하는 상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 신호를 얻기 위하여, 상기 어느 하나의 단위영역에 속하는 상기 스위칭 소자를 도통상태로 하는 영역 선택부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 복수의 단위영역을 구비하고,상기 복수의 단위영역 각각은,물리적 자극에 응답하여 제 1 전위상태로부터 상기 물리적 자극의 물리량에 따른 제 2 전위상태로 천이할 수 있는 정보 축적부와,상기 정보 축적부의 전위상태에 따라 전위를 출력단자로 출력하는 구동소자와,상기 단위영역의 선택을 수행하는 스위칭 소자를 갖는 물리량 분포 검지 반도체 장치에 있어서,상기 스위칭 소자가 도통상태에 있을 때 상기 스위칭 소자에 의하여 선택된 구동소자의 출력을 접수하고, 상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 신호를 출력하는 출력부와,상기 출력부로부터 출력된 상기 신호를 접수하여 상기 신호의 전위레벨이 참조전위와 실질적으로 같아지도록 상기 정보 축적부분의 상기 제 1 전위상태를 조절하는 출력 조정부와,상기 복수의 단위영역 중 어느 하나의 단위영역에 속하는 상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 신호를 얻기 위하여, 상기 어느 하나의 단위영역에 속하는 상기 스위칭 소자를 도통상태로 하는 영역 선택부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 구동소자는,상기 정보 축적부에 접속된 게이트와,상기 출력부에 접속되어 상기 출력단자로서 기능하는 소스와,전원전위를 접수하는 드레인을 갖는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 구동소자는,상기 정보 축적부에 접속된 게이트와,상기 출력부에 접속되어 상기 출력단자로서 기능하는 소스와,전원전위를 접수하는 드레인을 갖는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 구동소자의 상기 소스에 접속된 부하소자를 구비하고,상기 구동소자 및 상기 부하소자에 의하여 소스 폴로어 회로가 형성되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 구동소자의 상기 소스에 접속된 부하소자를 구비하고,상기 구동소자 및 상기 부하소자에 의하여 소스 폴로어 회로가 형성되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 스위칭 소자는,상기 영역 선택부로부터 신호를 접수하는 게이트와,상기 구동소자의 상기 소스에 접속된 드레인과,상기 출력부에 접속된 소스를 갖는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 스위칭 소자는,상기 영역 선택부로부터 신호를 접수하는 게이트와,상기 구동소자의 상기 소스에 접속된 드레인과,상기 출력부에 접속된 소스를 갖는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 정보 축적부는 상기 물리적 자극을 전하로 변화하는 검지부와, 상기 전하를 축적하는 축적부를 갖는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 정보 축적부는 상기 물리적 자극을 전하로 변화하는 검지부와, 상기 전하를 축적하는 축적부를 갖는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 검지부는 PN 접합형의 광전 변환소자인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 검지부는 PN 접합형의 광전 변환소자인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 축적부는 PN 접합형의 용량소자인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 축적부는 PN 접합형의 용량소자인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 각 단위영역은 리세트 펄스에 응답하여 상기 정보 축적부의 전위상태를 강제적으로 상기 제 1 전위상태로 리세트하는 리세트 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 각 단위영역은 리세트 펄스에 응답하여 상기 정보 축적부의 전위상태를 강제적으로 상기 제 1 전위상태로 리세트하는 리세트 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 리세트 소자는 상기 리세트 펄스를 게이트부에서 접수하는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 리세트 소자는 상기 리세트 펄스를 게이트부에서 접수하는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 리세트 소자는 상기 출력 조정부의 출력을 게이트부에서 접수하는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 리세트 소자는 상기 출력 조정부의 출력을 게이트부에서 접수하는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 출력 조정부의 출력은 상기 리세트 소자가 상기 정보 축적부의 전위상태를 리세트할 때, 상기 리세트 소자를 통하여 상기 정보 축적부에 공급되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 출력 조정부의 출력은 상기 리세트 소자가 상기 정보 축적부의 전위상태를 리세트할 때, 상기 리세트 소자를 통하여 상기 정보 축적부에 공급되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 출력 조정부의 출력은 상기 리세트 소자가 상기 정보 축적부의 전위상태를 리세트할 때, 상기 리세트 소자의 게이트 부분에 공급되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 출력 조정부의 출력은 상기 리세트 소자가 상기 정보 축적부의 전위상태를 리세트할 때, 상기 리세트 소자의 게이트 부분에 공급되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 단위영역은 복수의 그룹으로 분할되고, 또한, 상기 출력 조정부는 동일한 기능을 갖는 복수의 조정기를 포함하며,상기 복수의 그룹 각각에 상기 복수의 조정기 중 어느 하나가 할당되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 25 항에 있어서,상기 복수의 조정기 각각은 연산 증폭기, 반전 차동 증폭기 또는 비교기로 구성되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 26 항에 있어서,상기 복수의 조정기에는 공통선을 통하여 상기 참조전위가 부여되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 출력 조정부는 단일의 조정기를 포함하고,상기 복수의 단위영역 각각에 상기 단일의 조정기가 할당되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 출력 조정부는 단일의 조정기를 포함하고,상기 복수의 단위영역 각각에 상기 단일의 조정기가 할당되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 복수의 단위영역은 행 및 열 형상으로 배열되고,상기 영역 선택부는 행 방향을 따라 배열된 복수의 단위영역을 선택하는 행 선택회로를 구비하며,상기 행 선택회로의 출력은,선택된 행에 속하는 복수의 단위영역 내의 상기 스위칭 소자를 도통시키는 동시에,상기 선택된 행에 속하는 복수의 단위영역 내의 상기 리세트 소자에 대하여 상기 펄스가 전달되도록 하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 복수의 단위영역은 행 및 열 형상으로 배열되고,상기 영역 선택부는 행 방향을 따라 배열된 복수의 단위영역을 선택하는 행 선택회로를 구비하며,상기 행 선택회로의 출력은,선택된 행에 속하는 복수의 단위영역 내의 상기 스위칭 소자를 도통시키는 동시에,상기 선택된 행에 속하는 복수의 단위영역 내의 상기 리세트 소자에 대하여 상기 펄스가 전달되도록 하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 출력부에 접속된 샘플링 홀드회로를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 단위영역은 행 및 열 형상으로 배열되고,상기 영역 선택부는 열 방향을 따라 배열된 복수의 단위영역을 선택하는 열 선택회로와,각 열의 단위영역과 상기 출력부 사이에 접속된 열 선택소자를 구비하고,상기 열 선택소자는 상기 열 선택회로의 출력에 응답하여, 선택된 열에 속하는 단위영역 내의 상기 구동소자의 출력을 상기 출력부에 부여하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 복수의 단위영역은 행 및 열 형상으로 배열되고,상기 영역 선택부는 열 방향을 따라 배열된 복수의 단위영역을 선택하는 열 선택회로와,각 열의 단위영역과 상기 출력부 사이에 접속된 열 선택소자와,각 열의 단위영역과 상기 리세트 펄스의 입력부 사이에 접속된 선택열 리세트 소자를 구비하고,상기 열 선택소자는 상기 열 선택회로의 출력에 응답하여, 선택된 열에 속하는 단위영역 내의 상기 구동소자의 출력을 상기 출력부에 부여하고,상기 선택열 리세트 소자는 상기 열 선택회로의 출력에 응답하여, 선택된 열에 속하는 상기 리세트 소자에 상기 리세트 펄스를 부여하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 복수의 단위영역은 행 및 열 형상으로 배열되고,상기 영역 선택부는 열 방향을 따라 배열된 복수의 단위영역을 선택하는 열 선택회로와,각 열의 단위영역과 상기 출력부 사이에 접속된 열 선택소자와,각 열의 단위영역과 상기 리세트 펄스의 입력부 사이에 접속된 선택열 리세트 소자를 구비하고,상기 열 선택소자는 상기 열 선택회로의 출력에 응답하여, 선택된 열에 속하는 단위영역 내의 상기 구동소자의 출력을 상기 출력부에 부여하고,상기 선택열 리세트 소자는 상기 열 선택회로의 출력에 응답하여, 선택된 열에 속하는 상기 리세트 소자에 상기 리세트 펄스를 부여하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 제 32 항에 있어서,각 행의 단위영역과 상기 출력 조정부 사이에 접속된 귀환행 선택소자를 구비하고,상기 귀환행 선택소자는 선택된 행에 속하는 단위영역 내의 상기 리세트 소자에 상기 출력 조정부의 출력을 전달하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치.
- 복수의 단위영역을 구비하고, 상기 복수의 단위영역 각각은,물리적 자극에 응답하여 제 l 전위상태로부터 상기 물리적 자극의 물리량에 따른 제 2 전위상태로 천이할 수 있는 정보 축적부와,상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 전위를 출력단자로 출력하는 구동소자와,상기 단위영역의 선택을 행하는 스위칭 소자를 갖는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법에 있어서,상기 스위칭 소자가 도통상태에 있을 때 상기 스위칭 소자에 의하여 선택된 구동소자에 따라 상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 신호를 출력하는 공정과,상기 스위칭 소자가 도통상태에 있을 때 상기 구동소자의 상기 출력이 참조전위와 실질적으로 같아지도록, 상기 정보 축적부분의 상기 제 1 전위상태를 조절하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법.
- 복수의 단위영역을 구비하고, 상기 복수의 단위영역 각각은,물리적 자극에 응답하여 제 1 전위상태로부터 상기 물리적 자극의 물리량에 따른 제 2 전위상태로 천이할 수 있는 정보 축적부와,상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 전위를 출력단자에 출력하는 구동소자와,상기 단위영역의 선택을 하는 스위칭 소자를 갖는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법에 있어서,상기 스위칭 소자가 도통상태에 있을 때 상기 스위칭 소자에 의하여 선택된 구동소자에 따라 상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 신호를 출력하는 공정과,상기 스위칭 소자가 도통상태에 있을 때 상기 신호의 전위레벨이 참조전위와 실질적으로 같아지도록 상기 정보 축적부분의 상기 제 1 전위상태를 조절하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 조정공정은 귀환회로에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법.
- 제 38 항에 있어서,상기 조정공정은 귀환회로에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 조정공정은 상기 정보 축적부의 전위상태를 상기 제 1 전위상태에 리세트할 때 실행되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법.
- 제 38 항에 있어서,상기 조정공정은 상기 정보 축적부의 전위상태를 상기 제 1 전위상태에 리세트할 때 실행되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 복수의 단위영역이 행 및 열 형상으로 배열되고,상기 조정공정은 각 행에 속하는 모든 단위영역에 대하여 상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 신호를 출력하는 공정을 종료한 후, 상기 선택된 행에 속하는 모든 단위영역에 대하여 실행되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법.
- 제 38 항에 있어서,상기 복수의 단위영역이 행 및 열 형상으로 배열되고,상기 조정공정은 선택된 행에 속하는 하나의 단위영역에 대하여 상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 신호를 출력하는 공정을 종료한 후, 상기 단위영역에 대하여 실행되는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법.
- 제 44 항에 있어서,상기 선택된 행에 속하는 각 단위영역에 대하여 상기 정보 축적부의 전위상태에 따른 신호를 출력하는 공정을 실행하는 동안, 상기 출력된 신호를 샘플링하는 것을 특징으로 하는 물리량 분포 검지 반도체 장치의 구동방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP???9-021172 | 1997-02-04 | ||
JP2117297 | 1997-02-04 | ||
JP97-021172 | 1997-02-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980071065A true KR19980071065A (ko) | 1998-10-26 |
KR100463859B1 KR100463859B1 (ko) | 2005-06-29 |
Family
ID=12047512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-1998-0003043A KR100463859B1 (ko) | 1997-02-04 | 1998-02-04 | 물리량 분포 검지 반도체 장치 및 그 구동방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6469740B1 (ko) |
EP (1) | EP0856989A3 (ko) |
KR (1) | KR100463859B1 (ko) |
TW (1) | TW390096B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101107168B1 (ko) * | 2010-01-04 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 엑스레이 검출장치 및 이의 구동방법 |
US8681940B2 (en) | 2010-01-05 | 2014-03-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus and method for X-ray detecting |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10257392A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Matsushita Electron Corp | 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法ならびにその製造方法 |
DE69841968D1 (de) * | 1997-08-15 | 2010-12-09 | Sony Corp | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Steuerverfahren dafür |
EP0928101A3 (en) * | 1997-12-31 | 2001-05-02 | Texas Instruments Incorporated | CMOS area array sensors |
KR100571032B1 (ko) * | 1998-01-09 | 2006-04-13 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정표시장치 |
US6801256B1 (en) * | 1998-06-02 | 2004-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-speed solid-state imaging device capable of suppressing image noise |
KR100265364B1 (ko) * | 1998-06-27 | 2000-09-15 | 김영환 | 넓은 동적 범위를 갖는 씨모스 이미지 센서 |
US6665012B1 (en) * | 1998-09-22 | 2003-12-16 | Pixim, Inc. | Process-scalable high spatial resolution and low bit resolution CMOS area image sensor |
JP3512152B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2004-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP3578648B2 (ja) * | 1998-11-16 | 2004-10-20 | 松下電器産業株式会社 | 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法 |
US6677995B1 (en) * | 1999-02-04 | 2004-01-13 | Agere Systems Inc. | Array readout system |
JP2001218113A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Minolta Co Ltd | 固体撮像装置 |
US7053945B1 (en) * | 2000-07-26 | 2006-05-30 | Micron Technolopgy, Inc. | Image sensor having boosted reset |
US6888572B1 (en) * | 2000-10-26 | 2005-05-03 | Rockwell Science Center, Llc | Compact active pixel with low-noise image formation |
DE60136963D1 (de) * | 2000-11-16 | 2009-01-22 | California Inst Of Techn | Photodioden-cmos-abbildungsvorrichtung mit spaltenrückkopplungs-soft-reset |
US6653992B1 (en) * | 2001-02-28 | 2003-11-25 | Varian Medical Systems, Inc. | Method and circuit for reduction of correlated noise |
DE10123853A1 (de) * | 2001-05-16 | 2002-11-28 | Bosch Gmbh Robert | Schaltungsanordnung, Bildsensorvorrichtung und Verfahren |
US7298406B2 (en) * | 2002-01-16 | 2007-11-20 | Micron Technology, Inc. | Ground referenced pixel reset |
US7317484B2 (en) * | 2003-02-26 | 2008-01-08 | Digital Imaging Systems Gmbh | CMOS APS readout scheme that combines reset drain current and the source follower output |
US7215369B2 (en) * | 2003-04-02 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Compact pixel reset circuits using reversed current readout |
US7274397B2 (en) * | 2003-08-11 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with active reset and randomly addressable pixels |
KR100559451B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2006-03-10 | 한국과학기술원 | Cmos 이미지센서 |
US7095028B2 (en) * | 2003-10-15 | 2006-08-22 | Varian Medical Systems | Multi-slice flat panel computed tomography |
US7589326B2 (en) | 2003-10-15 | 2009-09-15 | Varian Medical Systems Technologies, Inc. | Systems and methods for image acquisition |
US7573519B2 (en) * | 2005-10-26 | 2009-08-11 | Eastman Kodak Company | Method for correcting eclipse or darkle |
CN101326817A (zh) * | 2005-12-09 | 2008-12-17 | 欧姆龙株式会社 | 固态成像装置 |
US8130298B2 (en) * | 2008-02-07 | 2012-03-06 | International Business Machines Corporation | Wide dynamic range image sensor utilizing switch current source at pre-determined switch voltage per pixel |
JP5470181B2 (ja) | 2010-07-09 | 2014-04-16 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5530839B2 (ja) | 2010-07-09 | 2014-06-25 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5530277B2 (ja) | 2010-07-09 | 2014-06-25 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
WO2012105259A1 (ja) | 2011-02-04 | 2012-08-09 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JPWO2013018293A1 (ja) | 2011-08-04 | 2015-03-05 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びスイッチング回路 |
JP6238082B2 (ja) | 2012-06-27 | 2017-11-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
CN105144699B (zh) * | 2013-03-15 | 2019-03-15 | 拉姆伯斯公司 | 阈值监测的有条件重置的图像传感器及其操作方法 |
KR102684972B1 (ko) | 2016-11-28 | 2024-07-16 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
IT201700066147A1 (it) | 2017-06-14 | 2018-12-14 | Eye Tech S R L | Circuito per il controllo della carica dei pixels in dispositivi di acquisizione di immagini digitali |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4556851A (en) * | 1983-08-22 | 1985-12-03 | Rca Corporation | Reduction of noise in signal from charge transfer devices |
JPS60169282A (ja) | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子の出力信号処理回路 |
JPS63296478A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 固体撮像装置 |
US4942474A (en) * | 1987-12-11 | 1990-07-17 | Hitachi, Ltd. | Solid-state imaging device having photo-electric conversion elements and other circuit elements arranged to provide improved photo-sensitivity |
FR2625593B1 (fr) * | 1988-01-05 | 1990-05-04 | Thomson Csf | Procede et circuit de lecture a faible bruit pour matrice photosensible a transfert de ligne |
US5162912A (en) * | 1989-04-10 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus eliminating noise in an output signal |
US5382975A (en) * | 1991-08-30 | 1995-01-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading apparatus |
JP3008657B2 (ja) | 1992-03-04 | 2000-02-14 | ソニー株式会社 | 増幅型固体撮像装置 |
US5335015A (en) * | 1992-10-30 | 1994-08-02 | Texas Instruments Incorporated | Method for improved dynamic range of BCMD image sensors |
US5493423A (en) * | 1994-10-28 | 1996-02-20 | Xerox Corporation | Resettable pixel amplifier for an image sensor array |
DE69606147T2 (de) * | 1995-10-31 | 2000-06-29 | Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vzw, Leuven-Heverlee | Schaltung, Bildelement, Vorrichtung und Verfahren zur Verminderung des Rauschens örtlich unveränderlicher Muster in Festkörperbildaufnahmevorrichtungen |
US5892540A (en) * | 1996-06-13 | 1999-04-06 | Rockwell International Corporation | Low noise amplifier for passive pixel CMOS imager |
GB2317522B (en) * | 1996-09-12 | 2000-09-27 | Vsli Vision Limited | Low noise operation of an image sensor |
US6031570A (en) * | 1997-03-19 | 2000-02-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Image acquisition and processing system |
-
1998
- 1998-02-02 US US09/017,215 patent/US6469740B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-03 TW TW087101448A patent/TW390096B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-02-03 EP EP98101842A patent/EP0856989A3/en not_active Withdrawn
- 1998-02-04 KR KR10-1998-0003043A patent/KR100463859B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101107168B1 (ko) * | 2010-01-04 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 엑스레이 검출장치 및 이의 구동방법 |
US8410450B2 (en) | 2010-01-04 | 2013-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for detecting X-rays and method of operating the same |
US8681940B2 (en) | 2010-01-05 | 2014-03-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus and method for X-ray detecting |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0856989A3 (en) | 2001-04-18 |
US6469740B1 (en) | 2002-10-22 |
TW390096B (en) | 2000-05-11 |
EP0856989A2 (en) | 1998-08-05 |
KR100463859B1 (ko) | 2005-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100463859B1 (ko) | 물리량 분포 검지 반도체 장치 및 그 구동방법 | |
JP5224942B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US8174422B2 (en) | Power-supply-noise cancelling circuit and solid-state imaging device | |
US8605182B2 (en) | Driving method of solid-state imaging apparatus with successive clamping | |
EP3076663B1 (en) | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system | |
US9490291B2 (en) | Solid state imaging device and camera system | |
US6650369B2 (en) | Image sensing apparatus, signal detection apparatus, and signal accumulation apparatus | |
US8648949B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and driving method, in which pseudosignals from an amplifier are suppressed, and in which fixed pattern noises and shading are reduced | |
US9172951B2 (en) | Test circuit for testing signal receiving unit, image pickup apparatus, method of testing signal receiving unit, and method of testing image pickup apparatus | |
US6903771B2 (en) | Image pickup apparatus | |
US9549138B2 (en) | Imaging device, imaging system, and driving method of imaging device using comparator in analog-to-digital converter | |
EP0951178A2 (en) | A CMOS imager with a CDS circuit | |
US11863896B2 (en) | Image sensor and photodetector with transistor diode-connected via a resistance element | |
US6498332B2 (en) | Solid-state image sensing device | |
KR100265364B1 (ko) | 넓은 동적 범위를 갖는 씨모스 이미지 센서 | |
EP3886430A1 (en) | Slew rate control circuit for an image sensor | |
JPH10281870A (ja) | 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法 | |
US6781627B1 (en) | Solid state imaging device and electric charge detecting apparatus used for the same | |
EP0734026A2 (en) | Switching circuit and charge transfer device using same | |
US5831675A (en) | Solid state imaging device | |
KR100610581B1 (ko) | 증폭 기능을 갖는 화소가 복수 배열된 증폭형 고체 촬상장치 | |
US7030915B2 (en) | Signal processing apparatus | |
US6677997B1 (en) | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same | |
JP3439699B2 (ja) | 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法 | |
JP4008434B2 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131119 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141117 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161123 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171114 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Expiration of term |