JPH11502995A - マルチプレクサ回路 - Google Patents

マルチプレクサ回路

Info

Publication number
JPH11502995A
JPH11502995A JP9521103A JP52110397A JPH11502995A JP H11502995 A JPH11502995 A JP H11502995A JP 9521103 A JP9521103 A JP 9521103A JP 52110397 A JP52110397 A JP 52110397A JP H11502995 A JPH11502995 A JP H11502995A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
signal
row
image sensor
terminals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9521103A
Other languages
English (en)
Inventor
ティモシー ジェイムス マウルスリー
Original Assignee
フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ filed Critical フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Publication of JPH11502995A publication Critical patent/JPH11502995A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/173Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 電気素子のアレイに格納された信号を個別的に読み取ることができ、前記電気素子のアレイに対する接続部の数を減らすアレイ読み取りおよびアドレス回路。前記回路は複数の端子(32)を含み、各々の端子を信号読み取り装置(30)またはアドレス信号発生器(31)に個々のスイッチ(S)を介して接続する。前記アレイの素子(12)を、各々、前記端子の特定の組み合わせに接続し、スイッチ(S)の組み合わせを導通状態にした場合、電気素子の組み合わせの電気信号を信号読み取り装置(30)に供給し、またはこれらをアドレス信号によってアドレスする。各々が画素値の組み合わせを表す異なったスイッチの組み合わせに関する出力信号を処理し、各々の電気素子からの信号を決定することができる。

Description

【発明の詳細な説明】 マルチプレクサ回路 本発明は、電気素子のアレイをアドレスすることに関係し、このようなアレイ の素子から信号を読み出す、またはこれらの素子をアドレスするマルチプレクサ 回路に関係する。特に、本発明は、薄膜回路網によって形成された装置素子のア レイを読み出すまたはアドレスするマルチプレクサ回路に関係する。前記装置素 子を、大面積画像センサの画像センサ素子(例えば、光電ダイオード)か、フラ ットパネルディスプレイ(例えば、液晶ディスプレイ)の表示素子か、いくつか の他の形式の装置素子としてもよい。 大面積回路において行および列における装置素子のアレイをアドレスすること は、各々の素子を行および列導体の特定の対に関係させることを必要とする。画 像センサの場合において、300dpi(1インチ当たりの点の数)の解像度が 要求されると、A4の大面積画像センサに関して、(A4ページの長い方と平行 の行を用いて)2500および3500の行および列が各々必要となるかもしれ ない。したがって、前記大面積回路との相互接続の形成において問題が生じ、集 積回路に対する接続部の数を減らすために、前記大面積回路と共に集積されたマ ルチプレクサ回路の使用が必要になる。 米国特許明細書第5148030号は、画素感応素子から画像表示装置への読 み取り線の数を減らすことができる読み取り回路を有する、光子計数形式の輻射 画像検出装置を開示している。画素が光子の存在を検知した場合、関係する回路 はその画素を表すバイナリワードを発生し、前記回路は入射光子のエネルギのレ ベルを示す信号も出力する。このように、各々の画素に関する出力は、どの画素 が活性化しているかを決定するためにはもはや必要ない。代わりに、各画素を表 すバイナリワードにおいて存在する数字と同じ位多くの出力のみが必要である。 しかしながら、米国特許明細書第5148030号の回路は、前記アレイの各々 の画素をアドレスすることはできず、光子がいつも1つの画素のみに入射すると いう事実を頼りにしている。 本発明は、電気素子のアレイに蓄積された信号を個々に読み出すことができ、 前記電気素子のアレイに対する接続部の数を減らすアレイ読み取りまたはアドレ ス回路を提供しようとするものである。 本発明の第1の態様によれば、複数の電気素子によって発生した電気信号を読 み出すマルチプレクサ回路において、該回路が信号読み取り装置および複数の端 子を具え、各々の端子を個々のスイッチを経て前記信号読み取り装置に接続し、 各々の電気素子を前記端子の特定の組み合わせに接続し、スイッチが導通状態の 場合、個々の端子に接続されたこれらの電気素子の電気信号を組み合わせにおい て前記信号読み取り装置に供給するようにし、スイッチ状態の異なった組み合わ せに関して前記信号読み取り装置によって受けた信号を処理する手段を設け、そ れによって各々の電気素子からの信号を決定することを可能にするマルチプレク サ回路が提供される。 本発明の回路は、前記素子の異なった組み合わせからの信号を逐次的に読み出 すことによって、各々の電気素子から信号を読み出すことができる。このような アプローチは、前記電気素子の信号が前記電気素子の異なった組み合わせを読み 出す期間中一定のままである場合、適切である。前記電気素子のすべてをアドレ スするために必要な端子の数は、前記電気素子の数を表すのに十分な長さのバイ ナリワードにおけるビット数に等しい。 好適には、前記電気素子は画像センサ装置の画素を具える。この場合において 、多数の逐次的な画素の測定が必要なことから、本発明の回路は、再生すべき画 像が急速に変化しない画像センサに特に適している。前記電気素子は、各々、2 次元画像センサ装置の画素の列を具えてもよく、各々の列内の選択された行を慣 例的な行駆動回路によってアドレスしてもよい。この場合において、前記回路は 2次元アレイの列マルチプレクサ回路を具える。 本発明の第2の態様によれば、複数の電気素子をアドレスするマルチプレクサ 回路において、該回路がアドレス信号発生装置および複数の端子を具え、各々の 端子を個々のスイッチを介して前記アドレス信号発生装置に接続し、各々の電気 素子を前記端子の特定の組み合わせに接続し、スイッチが導通状態の場合、アド レス信号を前記個々の端子に接続されたこれらの電気素子に印加するようにし、 前記アドレスされた電気素子の組み合わせにおける出力信号を読み取り、スイッ チ状態の異なった組み合わせに関して受けた出力信号を処理する手段を設け、そ れによって各々の電気素子からの出力信号を決定することができるマルチプレク サ回路が提供される。 この場合において、各々の電気素子は、好適には、2次元画像センサ装置の画 素の行を具える。したがって、本発明の第2の態様は電気素子のアレイのための 行駆動回路を提供する。このような場合において、慣例的な列読み取り回路を前 記列の出力信号を読み出すために設けてもよいが、本発明の第1の態様によるマ ルチプレクサ回路を列の組み合わせを読み出すために設けてもよい。 各々の電気素子を、好適には、その個々の端子に個々の絶縁装置を介して接続 し、これらの絶縁装置はスイッチングダイオードを具えてもよい。前記絶縁装置 を、前記電気素子と同じ技術的形式(例えば、ダイオード)で形成してもよい。 このとき、前記絶縁装置を前記電気素子の回路と共に集積することができ、前記 端子を前記大面積回路からの出力部とすることができる。 前記出力信号読み取り装置は、好適には、該装置に接続された電気素子の信号 の和を表し、積分電荷感度増幅器を具えてもよい出力部を有する。 本発明は、画像感応画素の行および列のアレイを具え、前記画素の列を本発明 の第1の態様の回路によって読み取り、および/または、前記行を本発明の第2 の態様の回路によって駆動する画像センサも提供する。本発明のこれらおよび他 の態様と、これらの利点とを、例としてここに記載すべき本発明の実施例におい て、添付した図の参照と共に明確に説明する。 図1は、画像センサ画素の動作を説明する図である。 図2は、慣例的な画像センサ装置を示す。 図3は、列読み取り回路として用いた本発明によるマルチプレクサ回路の第1 実施例を示す。 図4は、図3の回路の動作を説明する2つの表を示す。 図5は、行駆動回路として用いた本発明によるマルチプレクサ回路の第2実施 例を示す。 図1は、画像センサ10の形態の既知の電荷蓄積装置の4つの画素の一例を示 す。4つの画素12のみを示したが、画像センサ10は、関係する行導体14お よび列導体16を有する行および列の2次元マトリックスを具える。 各々の画素12は、関係する行導体14および列導体16間に直列に結合した 光電ダイオードPDおよびスイッチングダイオードSDを具える。示した例にお いて、スイッチングダイオードSDおよびフォトダイオードPDを、互いにカソ ードを結合して配置したが、逆に接続してもよい。キャパシタCを、光電ダイオ ードPDの両端間に接続して示す。このキャパシタCを、光電ダイオードPDの 寄生キャパシタとしてもよく、画像センサ10のダイナミックレンジを増加する 追加キャパシタとしてもよい。 図1に示すような慣例的な画素を、2つの方法の一方において動作させてもよ い。フォトダイオードが逆バイアスで保持されるか電気的に絶縁されていると、 該フォトダイオードに入射する光は、矢印18で示すように、該フォトダイオー ドにおいて少数キャリヤ電流を発生する。 画像センサ画素を読み出す第1の方法は、この電流を直接測定することを含む 。したがって、スイッチングダイオードSDを、適切な行電圧を印加することに よって順方向バイアスする。この時間中、前記フォトダイオードを逆バイアスし 、流された電流のみを実際のフォトダイオード電流とし、この電流は行導体14 および列導体16間を流れる。前記電流を、前記列導体に結合した電荷感度増幅 器20を使用して測定する。 画像センサ画素を読み出す第2の方法は、正の行電圧によってある行のフォト ダイオードキャパシタンスCを充電し、次にこのキャパシタを放電させ、その結 果、これらがいわゆる積分周期中フォトダイオード電流を供給するようにするこ とである。この周期中、前記入射光に応じて、前記キャパシタが放電すると同時 に、前記スイッチングダイオードを逆バイアスする(すなわち、前記行電圧をロ ウにする)。前記画像センサ画素を読み出す場合、ハイの行信号をもう一度印加 し、行導体14および列導体16間を流れる電流がフォトダイオードキャパシタ ンスCを再充電するのに必要な電流を表し、これは前の積分周期全体の前記フォ トダイオードの照明の合計を表す。明らかに、これを可能にするために、前記ス イッチングダイオードは前記積分周期中にターンオンしなければならず、したが 、 て前記行電圧はロウのままでなければならない。再び、電荷感度増幅器20は、 前記列導体を流れる電流を読み取る。 画像センサを図2において示し、図示するように、電荷感度増幅器20を具え る列回路22を、必要なハイおよびロウの行信号を与える行駆動回路24と共に 設ける。前記列回路は、増幅器20の出力電流信号用A/Dコンバータを含んで もよい。 本発明は、前記アレイの接続部の数を減らすために、前記列読み取り回路およ び/または行駆動回路に用いることができるマルチプレクサ回路に関係する。 先行技術による既知の問題は、列回路22および行駆動回路24を前記画像セ ンサアレイの基板において集積せず、各々の列16および列回路22間と、各々 の行16および行駆動回路24間とに接続部を設けなければならないことによる 。図2における点線は、集積した画像センサ回路の範囲を示す。したがって、マ ルチプレクサ回路を、前記画像センサ(または他の装置素子のアレイ)の基板に 集積し、該基板からの出力の数を減らすようにすることが望まれる。 図3は、本発明によるアレイ読み取り回路を示す。本発明の回路の動作を説明 するために、図3は、行および列を具え、各々の行が7つの画素12を有する画 像感応画素のアレイと結合して使用した場合の前記回路を表す。明らかに、実際 の画像センサは、数百または数千の行および列を具え、前記回路を、画像感応ま たは他の電気素子の1または2次元アレイのアドレスに用いてもよい。 図3に示す画像センサにおいて、各々の行Rを、慣例的であるような行駆動回 路(図示せず)によってアドレスする。したがって、選択された行の画素12を アドレスするために、ハイの電圧を選択された行導体14に印加する。慣例的に 、各々の列導体16を、各々の行の画素12用の電荷感度読み取り装置を含む列 回路に与える。 本発明の回路は、電荷感度増幅器を具えてもよい、複数の入力端子32を有す る信号読み取り装置30を具える。各々の入力端子32を、個々のスイッチS1 、S2、S3を介して信号読み取り装置30の共通入力部に接続する。関係する 列導体16に対する各々の画像センサ12の出力を、個々のダイオード34を経 て1つまたはそれ以上の端子32に供給する。各々の画素12を、この方法にお い て、ダイオード34を経て端子32の特定の組み合わせに接続する。各々の画素 が端子32の特定の組み合わせに接続されているため、端子32に接続できる画 素の数は、端子32の数nに対応するバイナリ数のnのバイナリワードの組み合 わせに等しい。図示した例において、3数字バイナリワードは8つの状態を有し 、その結果、7つの画素の行をアドレスするために3つの端子が必要になる。し かしながら、どの端子32にも接続されていない画素12を排除するため、各々 の画素12を少なくとも1つの端子32に接続しなければならない。したがって 、端子32の数nは、2n−1の画素に対する特定の組み合わせを提供すること ができる。 ダイオード34は、ある端子32に供給される信号が別の端子32に供給され る信号と干渉するのを防ぐ絶縁装置として作用する。前記ダイオードは、前記端 子間で電流が流れるのを防ぐために、前記端子を互いに絶縁すると同時に、関係 する端子32に対する前記画素電流用の導通経路を提供する。 ここで、図3に示す装置の動作を、図3および4の参照と共に説明する。信号 読み取り装置30は、関係するスイッチSが閉じている場合、端子32における 電圧をゼロに保持する。この方法において、行導体14がハイの行電圧の適用に よって選択されている場合、その行導体の画素12は、画素12の現在のまたは 以前の照明レベルに応じた電流を導通する。スイッチS1、S2、S3の導通状 態は、画素12の信号の信号読み取り装置30への導通経路を与える。行R1が 選択されているとし、スイッチS1のみが閉じている場合、画素12Aないし1 2Dからの信号が読み取り装置30に供給され、この装置30は、これら4つの 画素からの信号の電流の組み合わせを受ける。明らかに、この信号は、これら4 つの画素の個々の画素値を得ることができず、すべてのスイッチ位置の組み合わ せに対して測定を行わなければならない。 図4は、スイッチ位置の種々の可能な組み合わせに対して信号読み取り装置3 0によって得られる測定を示す。図4の部分Aに示すように、7つの可能なスイ ッチ位置の組み合わせ(3つのスイッチが開であるのを除いて)は、該表におい て図3に示す画素に対応する文字AないしGによって表される7つの異なった信 号を読み取り装置30に与える。図4の部分Bは、個々の画素測定を得るために 必要な7つの測定の処理を示す。 この処理は12の引き算を必要とし、これらの引き算を信号読み取り装置30 から信号を受けるディジタル処理ユニットによって行ってもよく、このとき装置 30自身はA/Dコンバータを含む。必要な演算の数は、1つの信号読み取り装 置に関係する画素の数が増加するにつれて増加する。本発明の回路は、画素の数 に対応する測定の数を必要とする。これらの測定を並列に実行しなくてもよく、 結果として、本発明の回路は、静的なままである信号を記録する電気素子のアレ イと共に使用するのに好適である。例えば、前記回路を、特に、画素12によっ て発生された信号が画像感知手順中一定である文書走査画像感知装置に用いるこ とができる。しかしながら、本発明のこの回路を、画素フォトダイオード電流の 直接電流読み取りに頼るか、いわゆる積分周期中に画像センサ画素によって蓄積 された電荷の測定に頼る画像感知装置に用いてもよい。 例えば、前記直接電流読み取りモードの動作において、測定M1ないしM7を 順次に実行し、その結果、個々の行に関する完全な信号を、次の行が(行駆動信 号によって)アドレスされる前に得る。瞬時のフォトダイオード信号を測定する のを確実にするために、前記行信号は、該測定が信号読み取り装置30によって 行われる前に前記フォトダイオードのキャパシタンスを再充電するためにリフレ ッシュパルスを含んでもよい。例えば、(閉じたスイッチS3による)測定M2 中、これらの画素フォトダイオードが絶縁されたままであることから、電荷が画 素12B、12Dおよび12F内に現れるかもしれない。したがって、画素12 Bおよび12Fを、測定M2が行われる前にリフレッシュする必要があるかもし れない。これは、いくらかの電荷蓄積がこれらの画素に起こり、測定M1中の読 み取りがちょうど行われている画素12Eには起こらないためである。このリフ レッシュ処理を、関係するスイッチ(測定M2に対してS2)を閉じたすぐ後に 信号読み取り装置30からの読み取りを行い、初期キャパシタ再充電電流を測定 せずに瞬時のフォトダイオード電流のみを測定するようにして達成してもよい。 代わりに、すべての画素に対して別々のリフレッシュパルスを、各々の測定M間 で求めてもよい。 本発明の回路を制御し、各々の画素の蓄積電荷を測定できるようにしてもよい 。 この場合において、測定されている各々の画素は、同じ長さの時間絶縁されてい ることが望まれる。これは、電荷蓄積のために同じ期間が経過し、前記信号をす べて比較できるようにするために必要である。これを、特定の測定M1を、例え ば、各々の行に順次に行い、次に、次の測定M2を各々の行に順次に続けて行う ことによって達成してもよい。この方法において、(各々の行から測定信号を得 るために必要な時間に対応する)一定の時間ギャップが、各々の行に対する各々 の測定Mの間に経過する。ある行に対する測定Mnの終わりにおいて、その行の 画素のすべてを行読み取りパルスの後にリフレッシュし、前記画素のすべてに、 次の読み出しパルスMn+1の前に同じ長さの積分周期を受けさせる。例えば、 スイッチS1、S2、S3を、各々の画素のフォトダイオードキャパシタンスを 再充電するために、各々の測定Mの終わりにおいてすべて導通状態に切り替えて もよい。再び、前記読み取り回路の使用は、画素12の信号を、連続する読み取 り動作中ほぼ一定のままにすることを必要とする。 前記画素値の測定は、1つまたはそれ以上のスイッチS1、S2、S3を閉じ ることを必要とし、これら3つのスイッチすべてが開である状態を使用し、信号 読み取り装置30における画素測定を得ることは、明らかにできない。しかしな がら、この状態を、電荷感知積分器に対するゼロレベルを確立するための信号読 み取り装置30の基準出力を得るために使用してもよい。しかしながら、このゼ ロレベルを使用する補償は、実際には、他の画素に関して、このような静的エラ ーは図4の部分Bに示す引き算によって相殺されることから、画素12Aの値に おいて得られるエラーに関してのみ必要である。 このように、本発明の回路は、列読み取り回路としての使用に好適である。し かしながら、本回路は、マルチプレクサ行駆動回路を提供してもよい。この場合 、前記回路は、行駆動パルスを行の異なった組み合わせに与え、列出力部におい て読み取られた信号を、列出力信号内の個々の信号を(すなわち、各々の行に対 して)得るために処理する。図5は、このような回路の配置を示す。本マルチプ レクサ回路は図3と同じ配置を有し、同じ参照符を同様の部品に使用した。ダイ オード34は、アドレス信号発生装置31から行導体14への導通経路を与える 。スイッチS1ないしS3を閉じる結果として異なった行がアドレスされ、その 結 果、列回路32によって各々の列導体16に関して読み取られた信号は、異なっ た行からの画素の組み合わせを表す。再び、当業者は、適切な処理を使用し、個 々の画素信号値を得ることができることを理解するであろう。加えて、前記列回 路は、図3の参照と共に説明したマルチプレクサ装置を含んでもよい。 本発明の回路は、多数の画素を同時に読み取るべきことから、増加したダイナ ミックレンジを有するために列読み出し回路のA/Dコンバータを必要とする。 前記電荷感知増幅器積分器のゲインを、ある測定に関して測定された信号の数と 、前記入力信号のレベルとに応じて切り替えることができる。 図示した例において、1つの読み取り装置30または行信号発生装置31のみ を示した。代わりに、前記大面積回路を、各々がそれら自身の信号読み取り装置 30または行信号発生回路31を有する小さい小区分に分割してもよい。このよ うな場合において、各々の信号読み取り装置30または行信号発生回路31のス イッチSを同時に操作してもよく、これらを別個に操作してもよい。前記画素の 区分へのこの分割は、1つの装置30、31に関して、必要な演算の合計数は該 装置に関係する画素の数の増加よりも高い割合で増加するため、この数を減らす ために求められるかもしれない。 本発明の回路を画像センサと、特に2次元画像センサの参照と共に説明したが 、読み取るべき実際的に静的な電気的画像を与える他の電気素子のアレイに等し く用いることができる。 前記電気素子のアレイの基板に集積すべき本発明の回路の部品には、好適には 、前記アレイの装置素子と同じ技術的形式のものを選択する。前記マルチプレク サを、図1に示すように配置された画素を有する画像センサと共に使用すべき場 合、薄膜ダイオードを前記マルチプレクサ回路(ダイオード34)と前記アレイ の双方に使用する。これらのダイオードのすべてを、同じ処理ステップを使用し て前記装置基板に同時に形成してもよい。 しかしながら前記アレイの装置素子は、薄膜トランジスタを具えてもよい。し たがって、例えば、各々の画素は、2つのスイッチングトランジスタおよび1つ のフォトダイオードの既知の構造を具えてもよい。この場合において、前記マル チプレクサ回路のダイオード34をダイオード接続した薄膜トランジスタとして 形成してもよく、すなわち、前記トランジスタのゲートおよびドレインを、前記 回路素子の1つの電極として互いに結合してもよい。 図3および5に示す回路において、端子32は、前記画像センサアレイの集積 大面積回路と外部の制御回路網とのインタフェースを与える。上記のように、例 えば、必要な引き算を処理する数を制限することが望ましい場合、前記行または 列をブロックに分割することが望ましいかもしれない。しかしながら、各々のブ ロックに対するスイッチS1ないしS3を同時に操作し、各々のブロックを選択 する代わりに追加の選択スイッチを設けてもよい。このブロック選択を、例えば 、各々、前記信号読み取りまたは発生装置の(図3の列読み取り回路の場合にお いて)共通入力部または(図3の行駆動回路の場合において)共通出力部におけ るスイッチとしてもよい。各々のブロックに関するスイッチS1ないしS3を前 記大面積回路中に集積してもよい場合、前記大面積回路に対する接続部の数を、 各々のブロックに対して1つのラインと、各々のブロックに共通のスイッチ制御 ラインの組とに減らすことができる。 技術的に既知のように、前記画像センサを出来るかぎり透明にし、例えば、デ ィスプレイを重大なほど隠すことなく、ディスプレイ表面に配置できるようにし てもよい。 本発明のマルチプレクサ回路を含む画像センサを、文書スキャナとして設計し てもよい。超大面積画像センサを、300dpiの解像度でA4サイズのページ を画像化できるように形成してもよい。本発明は、列出力および/または行入力 の数を減らすことを可能にする。本発明の特定の実施例を画像センサの行の読み 取りとして説明したが、本発明を他のアレイ装置、例えば、液晶ディスプレイま たはメモリおよびデータ記憶装置と共に用いてもよい。 本明細書を読むことによって、他の変形例が当業者には明らかになるであろう 。このような変形例は、その電子回路および部品の設計および使用において既知 であり、すでに説明した特徴の代わりにまたはこれらに加えて使用してもよい他 の特徴を含んでもよい。請求の範囲を、本出願においては、特徴の特定の組み合 わせに対して明確に表したが、本発明の明細書の範囲は、いずれにせよ現在請求 されている同じ発明にいずれかの請求の範囲において関係し、いずれにせよ本発 明 が軽減するのと同じ技術的問題のいずれかまたはすべてを軽減する、ここに明示 的にまたは暗示的に開示したどのような新規の特徴または新規の特徴の組み合わ せをも含み、または、当業者には明らかであろうこれらの特徴の1つまたはそれ 以上のどのような一般化も含む。本出願人は、これによって、本出願またはそれ から得られたすべての他の出願の手続き中、新たな請求の範囲をこのような特徴 およびまたはこのような特徴の組み合わせに対して明確に述べてもよいことを届 け出る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.複数の電気素子によって発生した電気信号を読み出すマルチプレクサ回路に おいて、該回路が信号読み取り装置および複数の端子を具え、各々の端子を個々 のスイッチを経て前記信号読み取り装置に接続し、各々の電気素子を前記端子の 特定の組み合わせに接続し、スイッチが導通状態の場合、個々の端子に接続され たこれらの電気素子の電気信号を組み合わせにおいて前記信号読み取り装置に供 給するようにし、スイッチ状態の異なった組み合わせに関して前記信号読み取り 装置によって受けた信号を処理する手段を設け、それによって各々の電気素子か らの信号を決定することを可能にすることを特徴とする回路。 2.請求の範囲1に記載の回路において、前記電気素子が画像センサ装置の画素 を具えることを特徴とする回路。 3.請求の範囲2に記載の回路において、前記各々の電気素子が2次元画像セン サ装置の画素の列を具えることを特徴とする回路。 4.複数の電気素子をアドレスするマルチプレクサ回路において、該回路がアド レス信号発生装置および複数の端子を具え、各々の端子を個々のスイッチを介し て前記アドレス信号発生装置に接続し、各々の電気素子を前記端子の特定の組み 合わせに接続し、スイッチが導通状態の場合、アドレス信号を前記個々の端子に 接続されたこれらの電気素子に印加するようにし、前記アドレスされた電気素子 の組み合わせにおける出力信号を読み取り、スイッチ状態の異なった組み合わせ に関して受けた出力信号を処理する手段を設け、それによって各々の電気素子か らの出力信号を決定することができることを特徴とする回路。 5.請求の範囲4に記載の回路において、前記電気素子が画像センサ装置の画素 を具えることを特徴とする回路。 6.請求の範囲2に記載の回路において、前記各々の電気素子が2次元画像セン サ装置の画素の行を具えることを特徴とする回路。 7.請求の範囲1ないし4のいずれか1つに記載の回路において、前記各々の電 気素子を個々の端子に個々の絶縁装置を介して接続したことを特徴とする回路。 8.請求の範囲7に記載の回路において、前記各々の絶縁装置がスイッチングダ イオードを具えることを特徴とする回路。 9.画像感知画素の行および列を具え、前記行を行駆動回路によってアドレスし 、前記列を、請求の範囲1ないし3のいずれか1つに記載のようなマルチプレク サ回路を含む読み取り装置によって読み取ることを特徴とする画像センサアレイ 。 10.画像感知画素の行および列を具え、前記行を、請求の範囲4ないし6のいず れか1つに記載のようなマルチプレクサ回路を含む行駆動回路によってアドレス することを特徴とする画像センサアレイ。
JP9521103A 1995-12-01 1996-11-15 マルチプレクサ回路 Pending JPH11502995A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB9524560.1A GB9524560D0 (en) 1995-12-01 1995-12-01 Multiplexer circuit
GB9524560.1 1995-12-01
PCT/IB1996/001234 WO1997021209A1 (en) 1995-12-01 1996-11-15 Multiplexer circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11502995A true JPH11502995A (ja) 1999-03-09

Family

ID=10784740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9521103A Pending JPH11502995A (ja) 1995-12-01 1996-11-15 マルチプレクサ回路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5856666A (ja)
EP (1) EP0807302A1 (ja)
JP (1) JPH11502995A (ja)
KR (1) KR19980701945A (ja)
GB (1) GB9524560D0 (ja)
WO (1) WO1997021209A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9614480D0 (en) * 1995-12-01 1996-09-04 Philips Electronics Nv Multiplexer circuit
GB9620762D0 (en) * 1996-10-04 1996-11-20 Philips Electronics Nv Charge measurement circuit
FR2795587B1 (fr) * 1999-06-23 2001-09-07 Agence Spatiale Europeenne Detecteur du type a pixels actifs
JP2003518798A (ja) * 1999-12-21 2003-06-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ダイオードマルチプレクサ回路及びこれを組み込んだ電子装置
TW521303B (en) * 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
US6614697B2 (en) * 2001-10-13 2003-09-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diode-based multiplexer
DE60327809D1 (de) * 2003-01-10 2009-07-09 Scherrer Inst Paul Photonenzähl-abbildungseinrichtung
TWI340911B (en) * 2007-04-13 2011-04-21 Generalplus Technology Inc Capacitance touch sensor
AU2012292250A1 (en) * 2011-07-20 2014-01-23 Dectris Ltd. Photon counting imaging method and device with instant retrigger capability

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4117510A (en) * 1974-09-25 1978-09-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid state color imaging apparatus
JPS5919486A (ja) * 1982-07-22 1984-01-31 Sony Corp 画像表示装置
JPS59116790A (ja) * 1982-12-24 1984-07-05 シチズン時計株式会社 マトリクス型表示装置の駆動回路
JPH049706A (ja) * 1990-04-27 1992-01-14 Shimadzu Corp 放射線像撮像装置
GB9117680D0 (en) * 1991-08-16 1991-10-02 Philips Electronic Associated Electronic matrix array devices
GB9313841D0 (en) * 1993-07-05 1993-08-18 Philips Electronics Uk Ltd An electro-optic device
US5536932A (en) * 1995-02-10 1996-07-16 Xerox Corporation Polysilicon multiplexer for two-dimensional image sensor arrays

Also Published As

Publication number Publication date
EP0807302A1 (en) 1997-11-19
WO1997021209A1 (en) 1997-06-12
US5856666A (en) 1999-01-05
GB9524560D0 (en) 1996-01-31
KR19980701945A (ko) 1998-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3251964B2 (ja) 光検知・表示駆動装置
US6300977B1 (en) Read-out circuit for active matrix imaging arrays
US7332717B2 (en) Infrared sensor and infrared sensor array
US6469740B1 (en) Physical quantity distribution sensor and method for driving the same
US4967067A (en) Signal read-out circuit which lowers diffusion capacitance by limiting emitting current with resistive elements
JP3138957B2 (ja) 画素センサ回路のテスト装置及び焦点面イメージスキャナアレーテスト方法とイメージスキャナアレー
JP4531251B2 (ja) 放射線を画像化するためのデバイス
JP3613705B2 (ja) 放射線を画像化するためのデバイス
US3465293A (en) Detector array controlling mos transistor matrix
EP1067606A2 (en) Radiation detector
US5461419A (en) Photoelectric conversion system
JP3863214B2 (ja) ビデオ信号供給装置
KR20020041424A (ko) 검사 장치 및 검사 방법
EP0233489A2 (en) Method of addressing at least one photosensitive pixel or liquid crystal pixel in a matrix array
JPH11502995A (ja) マルチプレクサ回路
US6646249B2 (en) Image sensor
US7616244B2 (en) Photoelectric conversion device and method of driving the same
JPH0937159A (ja) 画像検出器
EP0734069A2 (en) Switching transistor for solid-state imaging device
JPH0462225B2 (ja)
WO1997005657A1 (en) Method and apparatus of operating a dual gate tft electromagnetic radiation imaging device
JPH11502396A (ja) 多重化回路
US6677997B1 (en) Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same
JP3027569B2 (ja) 増幅型固体撮像装置、その駆動方法及び物理量分布検知半導体装置
US5134275A (en) Solid state exposuremeter