JP3863214B2 - ビデオ信号供給装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に、表示装置の駆動回路に関し、特に、液晶ディスプレイ(LCD)のような表示装置の画素に輝度信号を供給するシステムに関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶ディスプレイのような表示装置はマトリクス、すなわち横方向の行と縦方向の列に並べられた画素のアレイで構成されている。表示されるビデオ情報は輝度(グレイ・スケール)信号として、画素の各列と個別に関連するデータ・ラインに供給される。画素の行は順次に走査され、励起された行の画素の静電容量は、個々の列に供給される輝度信号のレベルに従って種々の輝度レベルに充電される。
【0003】
アクティブ・マトリクス表示装置では各画素は、ビデオ信号をその画素に供給するスイッチ装置を含んでいる。このスイッチ装置は典型的には、薄膜トランジスタ(TFT)であり、固体回路から輝度情報を受け取る。TFTおよびその回路は固体装置で構成されるので、非晶質シリコンまたは多結晶シリコン技術のいずれかを利用して、TFTおよび駆動回路を同時に形成するのが好ましい。
【0004】
液晶ディスプレイは、2枚の基板の間にはさまれた液晶材料で構成されている。基板のうち少なくとも1枚(典型的には2枚とも)は光を透過し、液晶材料に隣接する基板の面は、個々の画素を形成するパターンに配列された透明導電電極を支持している。駆動回路を、TFTと共に、基板上にそしてディスプレイの周辺に形成するのが望ましい。
【0005】
非晶質シリコンは、低温で製造することができるので、液晶ディスプレイを組み立てるのに好ましい材料である。製造温度が低いと、標準的で入手が容易なそして安価な基板材料を使用することができるので、製造温度の低いことは重要である。しかしながら、周辺集積画素駆動回路に非晶質シリコン薄膜トランジスタ(a−Si TFT)を使用すると、移動度が低く、閾値電圧がドリフトし、そしてN−MOSエンハンスメント型トランジスタしか使用できないので、a−Si TFTの使用は制限されている。
【0006】
プラス(Plus)氏外の、“表示装置およびその比較器に輝度信号を供給するシステム”という名称の米国特許第5,170,155号は、LCDのデータ・ライン(または列)駆動回路について述べている。プラス(Plus)氏外のデータ・ライン駆動回路では、画像情報を含むアナログ信号がサンプリングされて、駆動回路の入力サンプリング・コンデンサの中に貯えられる。基準ランプ波発生器で発生する基準ランプ波はTFTスイッチを介して駆動回路の入力コンデンサに供給される。
【0007】
TFTスイッチを基準ランプ波発生器と入力コンデンサの間に介在させずに、基準ランプ波を各入力コンデンサに共通に供給することが望ましい。有利なことに、このようなTFTスイッチを取り除くことにより、データ・ライン駆動回路は、閾値電圧のドリフトの変動の影響を受けにくくなる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
データ・ライン駆動回路が閾値電圧のドリフトの変動の影響を受けないようにすることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
表示装置に配列された画素の列に画像情報を含む信号を発生する、本発明の特徴を具体化する、データ・ライン駆動回路では、第1のトランジスタと第1の静電容量が結合されて比較器を形成する。第1のスイッチング装置は第1の静電容量に結合され、第1の静電容量に電荷を貯え、比較器のトリガ・レベルを自動的に調節する。基準ランプ波発生器は基準ランプ波信号を発生する。第2の静電容量は基準ランプ波信号をコンデンサの入力端子に結合させる。第2のスイッチング装置は第2の静電容量に結合されて、第2の静電容量にビデオ信号を貯える。第2のトランジスタは比較器の出力信号に応答し、比較器の入力端子で発生される信号で制御されるデータ・ランプ波信号の1周期の間にデータ・ランプ波信号をデータ・ラインに供給する。
【0010】
【発明の実施の形態】
デマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路100を含む図1において、アナログ回路11は、表示される画像情報を表わすビデオ信号を、例えば、アンテナ12から受け取る。アナログ回路11はビデオ信号をライン13によりアナログ/ディジタル(A/D)変換器14に入力信号として供給する。
【0011】
アナログ回路11からのテレビジョン信号は液晶アレイ16に表示される。液晶アレイ16は、横にm=560行、縦にn=960列に並べられた多数の画素(例えば、液晶セル16a)で構成されている。液晶アレイ16は、n=960列のデータ・ライン17を、液晶セル16aの縦の各列につき1つ、m=560のセレクト・ライン18を液晶セル16aの横の各行につき1つ、備えている。
【0012】
A/D変換器14は出力母線19を備え、輝度レベル(グレースケール・コード)を、40グループの出力ライン22を有するメモリ21に供給する。メモリ21の出力ライン22の各グループは、貯えられたディジタル情報を、対応するディジタル/アナログ(D/A)変換器23に供給する。40グループの出力ライン22にそれぞれ対応して、40個のD/A変換器23がある。ある1個のD/A変換器23の出力信号INは、対応するライン31を介して、対応するデマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路100に結合され、駆動回路100は対応するデータ・ライン17を駆動する。セレクト・ライン・スキャナー60は、セレクト・ライン18に行セレクト信号を発生し、従来の方法で、アレイ16の特定の行を選択する。960本のデータ・ライン17に発生される電圧は、32マイクロ秒のライン時間の間に、選択された行の画素16aに加えられる。
【0013】
ある1つのデマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路100は、低い入力容量(例えば、1pfより小さい)を有するチョップ・ライン波増幅器(図1には詳細に図示せず)を使用し、対応する信号INを貯え、貯えられた入力信号を対応するデータ・ライン17に移送する。各データ・ライン17は、容量負荷(例えば、20pf)を形成する560行の画素セル16aに接続される。
【0014】
図2は、ある1つのデマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路100を詳細に示す。図3のa〜図3のhは、図2の回路の動作を説明するのに役立つ波形を示す。図1,図2、および図3のa〜図3のhにおいて、類似した記号および番号は類似した品目まは機能を示す。図2のデマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路100のトランジスタはすべて、N−MOS型のTFTである。従って、都合のよいことに、これらのトランジスタは、図1のアレイと一緒に、1つの集積回路として形成することができる。
【0015】
図2の信号ライン31のビデオ信号をサンプリングする前に、コンデンサC43の端子Dで発生される電圧が初期設定される。コンデンサC43の電圧を初期設定するために、D/A変換器23はライン31に所定の電圧(例えば、ビデオ信号INの最大電圧、すなわち、フルスケール電圧)を発生する。図3のaの制御パルスPRE−DCTRLがトランジスタMN1のゲートに発生されると、トランジスタMN1はライン31でコンデンサC43に初期設定電圧を供給する。このようにして、コンデンサC43の電圧は、各画素の更新サイクルに先立って、同じである。PRE−DCTRLパルスのあとで、ビデオ信号INは変化して、現在の画素の更新サイクルに使用されるビデオ情報を含むようになる。
【0016】
図2のデマルチプレクサ32のトランジスタMN1は、ビデオ情報を含んでいる信号ライン31で発生されたアナログ信号INをサンプリングする。サンプリングされた信号はデマルチプレクサ32のサンプリング・コンデンサC43に貯えられる。ライン31で発生された1グループ40個の信号IN(図1)のサンプリングは、対応するパルス信号DCTRL(i)の制御下で同時に行われる。図3のaに示すように、24個のパルス信号DCTRL(i)は、t5a〜t20のあとに続く期間中に、連続的に発生する。図2の各パルス信号DCTRL(i)は、対応する1グループ内の40個のデマルチプレクサ32のデマルチプレクス動作を制御する。960個の画素のデマルチプレクス動作はすべて、図3のaの期間t5a〜t20に生じる。
【0017】
能率的な時間利用を行うために、2段階のパイプライン・サイクルが使用される。前に説明したように、t5a〜t20の期間中に、IN信号はデマルチプレクスされ図2の960個のコンデンサC43に貯えられる。図3のdのt3〜t4の期間中に、図3のaのパルスPRE−DCTRLおよび24個のパルス信号DCTRLの発生する前に、図3のdのパルス信号DXFERが生じると図2の各コンデンサC43はトランジスタMN7を介してコンデンサC2に結合される。従って、コンデンサC43に貯えられるIN信号の一部分は、図2のコンデンサC2に移送されて電圧VC2を発生する。t5a〜t20の期間中に、図3aのパルス信号DCTRLが生じると、コンデンサC2の電圧VC2は、以下に説明するように、対応するデータ・ライン17を介してアレイ16に加えられる。従って、IN信号はこの2段階パイプラインを介してアレイ16に加えられる。
【0018】
基準ランプ波発生器33は、出力導体27に基準ランプ波信号REF_RAMPを発生する。導体27は、各デマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路100の各コンデンサC2の端子E(図2)に共通に結合される。コンデンサC2の端子Aは比較器24の入力端子を形成する。図1のデータ・ランプ波発生器34は、出力ライン28を介して、データ・ランプ波電圧DATA_RAMPを供給する。図2のデマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路100において、トランジスタMN6はデータ・ライン17に電圧DATA_RAMPを加えて、電圧VCOLUMNを発生する。電圧VCOLUMNが加えられる行は、行セレクト・ライン18に発生される行セレクト信号に従って決定される。ライン18に生じるようなセレクト信号を発生するためにシフトレジスタを使用する表示装置は、例えば、米国特許第4,766,430号および4,742,346号で述べられている。トランジスタMN6はTFTであり、ゲート電極は導体29により比較器24の出力端子Cに結合されている。比較器24からの出力電圧VCはトランジスタMN6の導通期間を制御する。
【0019】
各画素更新期間中に、トランジスタMN6の導通期間を制御するために比較器24の電圧VCをトランジスタMN6に加えるのに先立ち、比較器24は自動的に較正すなわち調節される。時刻t0(図3のb)で、トランジスタMN10は信号PRE_AUTOZによって導通するように調整され、電圧VPRAZがトランジスタMN5のドレイン電極およびトランジスタMN6のゲート電極にかけられる。この電圧VCは、例えば、トランジスタMN6のソース・ゲート間容量C24(破線で示す)のような漂遊容量に貯えられ、トランジスタMN6を導通させる。トランジスタMN10が容量C24を予め充電していると、トランジスタMN5は非導通となる。
【0020】
図3のbの時刻t1で、パルス信号PRE_AUTOZは終了し、トランジスタMN10はオフになる。時刻t1で、トランジスタMN5のゲート・ドレイン端子間に結合されているトランジスタMN3のゲート電極にパルス信号AUTOZEROが供給され、トランジスタMN3をオンにする。これと同時に、図3のgのパルス信号AZがトランジスタMN2のゲート電極に供給され、トランジスタMN2をオンにする。トランジスタMN2がオンになると、電圧VaがトランジスタMN2を介して結合コンデンサC1の端子Aに結合される。トランジスタMN2は、電圧Vaのレベルの電圧VAAを端子Aに発生し、端子Aに比較器24のトリガ・レベルを確立する。比較器24のトリガ・レベルは電圧Vaに等しい。コンデンサC1の第2の端子BはトランジスタMN3と、トランジスタMN5のゲートに結合される。
【0021】
導通するトランジスタMN3は、トランジスタMN5のゲート電極とドレイン電極との間で、端子Cにおける電荷を平衡状態に保ち、端子BにおいてトランジスタMN5のゲート電極のゲート電圧VGを発生する。最初、電圧VGはトランジスタMN5の閾値レベルVTHを超え、トランジスタMN5を導通させる。トランジスタMN5が導通すると、端子BとCにおける各電圧は、信号AUTOZEROのパルスの間、各電圧がトランジスタMN5の閾値レベルに等しくなるまで、減少する。端子Aにおける電圧VAAが電圧Vaに等しい時、端子BにおけるトランジスタMN5のゲート電極電圧VGはその閾値レベルにある。図3のcおよび3のfの時刻t2で、図2のトランジスタMN3とMN2はオフになり、比較器24は較正または調節される。従って、入力端子Aに関する図2の比較器24のトリガ・レベルは電圧Vaに等しい。
【0022】
上述したように、パルス信号DXFERは、トランジスタMN7のゲートで発生され、時刻t3で始まり、デマルチプレクサ32のコンデンサC43を端子Aを介してコンデンサC2に結合させる。その結果、コンデンサC2に発生される電圧VC2はコンデンサC43におけるサンプル信号INのレベルに比例する。信号INの大きさは、パルス信号DXFERの期間に、端子Aで発生される電圧VAAが比較器24のトリガ・レベルVaよりも小さくなるような大きさである。従って、時刻t3の直後に、比較器トランジスタMN5は非導通状態のままである。電圧VAAと、電圧Vaに等しい比較器24のトリガ・レベルとの電圧差は信号INの大きさにより定められる。
【0023】
端子Aにおける電圧VAAが電圧Vaを超えると、トランジスタMN5は導通状態になる。端子Aにおける電圧VAAが電圧Vaを超えなければ、トランジスタMN5は非導通状態にある。比較器24の自動較正ましたは自動調節は、例えば、トランジスタMN5における閾値電圧のドリフトを補償する。
【0024】
図3のbの時刻t2に続いて、パルス信号PRE_AUTOZは、図1のトランジスタMN10のゲート電極に結合される。トランジスタMN10は電圧VPRAZをトランジスタMN6のゲートに供給して、トランジスタMN6をオンにする。図3のdの時刻t3のあとでトランジスタMN5は非導通であるので、トランジスタMN10より加えられる電荷は、トランジスタMN6の電極間静電容量内に貯えられている。従って、トランジスタMN10がオフにされたあともトランジスタMN6は導通している。
【0025】
トランジスタMN6は、導通している時、選択された行のライン17および画素セル16a(図1)において電圧VCOLUMNの所定の初期状態を確立する。時刻t6に先立ち、トランジスタMN6は電圧VCOLUMNを信号DATA_RAMPの非動作レベルに設定する。従って、データ・ライン17と関連する静電容量C4は、信号DATA_RAMPの非動作レベルに向かって充電/放電する。有利なことに、画素セル16aにおいて初期状態を確立することにより、画素セル16aの静電容量内にある、以前の貯えられた画素情報が、現在の更新期間(図3のb〜3のg)に画素電圧VCOLUMNに影響を及ぼすのが防止される。
【0026】
図3のeの時刻t4で、基準ランプ波信号REF_RAMPが上昇し始める。信号REF_RAMPは、比較器24の入力端子Aから遠く離れているコンデンサC2の端子E(図2)に結合される。その結果、比較器24の入力端子Aにおける電圧VAAは、ランプ波信号REF_RAMPとコンデンサC2に発生される電圧VC2との和に等しくなる。
【0027】
発明的特徴によれば、図3のCのt1〜t2の期間に、比較器24のトリガ電圧の自動調節または較正が行われると、トランジスタMN2は電圧Vaを、端子Aを介して、基準ランプ波発生器33から遠く離れているコンデンサC2に結合させる。同様にして、t3〜t4の期間に、電荷がコンデンサC2に転送されると、トランジスタMN7は、端子Aを介して、ランプ波発生器33から遠く離れているコンデンサC2に結合される。従って、有利なことに、コンデンサC2の端子Eは基準ランプ波発生器33の導体27から減結合される必要はない。端子Eが基準ランプ波発生器33から減結合される必要はないので、信号REF_RAMPは、基準ランプ波発生器33の導体27と端子Aの間にTFTスイッチを介在させずに、比較器24の端子Aに結合される。この信号路にTFTを入れると、閾値電圧のドリフトを生じたかもしれない。有利なことに、導体27は数個のデマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路100に共用される。
【0028】
時刻t6のあとで、トランジスタMN6のドレイン電極に結合されたデータ・ランプ波電圧DATA_RAMPは上昇し始める。トランジスタMN6のゲート・ソース間およびゲート・ドレイン間の漂遊静電容量から端子Cに至る帰還結合により、端子Cにおける電圧は、データ・ランプ波信号DATA_RAMPのすべての値に対し導通するようにトランジスタMN6を調整するのに十分となる。時刻t4のあとで、端子Aにおけるランプ波電圧VAAが、比較器24の電圧Vaに等しいトリガ・レベルにまだ達していない間、トランジスタMN5は非導通状態のままであり、トランジスタMN6は導通状態のままである。トランジスタMN6が導通している間、上昇しているランプ波電圧DATA_RAMPはトランジスタMN6を介して列データ・ライン17に結合され、データ・ライン17の電圧VCOLUMNを増大させ、従って、選択された行の画素静電容量に加えられる電圧を増大させる。例えば、静電容量24を介する、ランプ波電圧VCOLUMNの容量性帰還は、トランジスタMN5が、前に示したように、端子Cにおいて高いインピーダンスを呈している間、トランジスタMN6を導通状態に保つ。
【0029】
図3のeのランプ波信号REF_RAMPの上昇部分500の間、端子Aにおける和の電圧VAAは比較器24のトリガ・レベルVaを超え、トランジスタMN5は導通状態になる。上昇部分500の間、トランジスタMN5が導通状態になる瞬時は、信号INの大きさに応じて変化する。
【0030】
トランジスタMN5が導通状態になると、トランジスタMN6のゲート電圧VCは減少してトランジスタMN6をオフにする。その結果、トランジスタMN6がオフになる前に生じた電圧DATA_RAMPの最後の値は、次の更新サイクルまで、変わらずに保持されるかまたは画素静電容量CPIXELに貯えられる。このようにして、現在の更新サイクルが完了する。
【0031】
図1の液晶アレイ16の分極を防止するために、いわゆる、アレイのバックプレーン(backplane)またはコモンプレーン(common plane)は一定の電圧VBACKPLANEに保たれる。マルチプレクサ/データ・ライン駆動回路100は、更新サイクルが代わるたびに、電圧VBACKPLANEに関して極性が反対で大きさが同じ電圧VCOLUMNを発生する。極性を交互に変えるために、1つの更新サイクルにおいて電圧DATA_RAMPは1V〜8.8Vの範囲で発生され、次の更新サイクルにおいて9V〜16.8Vの範囲で発生される。一方、電圧VBACKPLANEはこの2つの範囲の中間のレベルに設定される。電圧DATA_RAMPを2つの異なる電圧範囲で発生する必要があるので、信号または電圧AUTOZERO、PRE_AUTOZ,VSSおよびRESETは、設定された電圧DATA_RAMPの範囲に従って変化する2つの異なる最大レベル(peak level)を有する。
【0032】
【発明の効果】
データ・ライン駆動回路が、閾値電圧のドリフトの変動に起因する影響を受けるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の特徴を具体化する、デマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路を含む液晶ディスプレイ装置のブロック図である。
【図2】図1のデマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路を詳細に示す図である。
【図3】図2の回路の動作を説明するのに役立つ波形を示す図である。
【符号の説明】
11 アナログ回路
12 アンテナ
13 ライン
14 A/D変換器
16 液晶アレイ
16a 液晶セル
17 データ・ライン
18 セレクト・ライン
19 出力母線
21 メモリ
22 出力ライン
23 D/A変換器
24 比較器
27 出力導体
28 出力ライン
29 導体
31 信号ライン
32 デマルチプレクサ
33 基準ランプ波発生器
34 データ・ランプ波発生器
60 セレクト・ライン・スキャナ
100 デマルチプレクサ/データ・ライン駆動回路
IN ビデオ信号

Claims (12)

  1. ビデオ信号の信号源と、基準ランプ波信号を発生する基準ランプ波発生器と、上記ビデオ信号に応答して上記ビデオ信号を列電極に供給する複数のデータ・ライン駆動回路とから成る、表示装置の列電極にビデオ信号を供給する装置であって、
    上記データ・ライン駆動回路の各々は、
    比較器と、
    上記比較器の入力に上記基準ランプ波発生器を結合させる第1の静電容量と、
    上記ビデオ信号源および上記第1の静電容量に結合されて、上記ビデオ信号を上記比較器の上記入力に供給する上記第1の静電容量に上記ビデオ信号を選択的に供給し、上記ビデオ信号を表示する信号が上記第1の静電容量に貯えられている時に、上記基準ランプ波発生器の出力端子が上記データ・ライン駆動回路の上記第1の静電容量の共通電流路に結合されるようにする、第1のスイッチング装置と、
    データ・ランプ波信号の信号源と、
    上記比較器の出力信号に応答して、上記比較器の上記入力で発生される信号に従って変化する上記データ・ランプ波信号の1周期のうちの所定の部分の間に上記データ・ランプ波信号を上記列電極に供給する第1のスイッチング・トランジスタとを含んでいる、上記表示装置の列電極にビデオ信号を供給する装置。
  2. 上記比較器が第2の静電容量と、該第2の静電容量および調節用信号の信号源に結合される第2のスイッチング装置とを含み、上記調節用信号に従って上記比較器のトリガ・レベルを自動的に調節する電圧を上記第2の静電容量内に発生する、請求項1に記載の装置。
  3. 上記調節用信号が上記第2および第1の静電容量の相互接続部に結合される、請求項2に記載の装置。
  4. 上記第1の静電容量が上記基準ランプ波発生器と上記第2のスイッチング装置との間に結合される、請求項2に記載の装置。
  5. 上記比較器が、上記第1のスイッチング・トランジスタの制御端子に結合される第2のトランジスタを含み、且つ第3のトランジスタが上記第2のトランジスタの制御端子と上記第2のトランジスタの主電流伝導端子との間に結合されて、上記調節用信号に従って上記比較器の上記トリガ・レベルを調節する、請求項2に記載の装置。
  6. 上記比較器が、第2のトランジスタ、および上記第1の静電容量と上記第2のトランジスタの制御端子との間に結合される第2の静電容量を含んでおり、且つ上記第1のスイッチング装置が上記静電容量間の接続端子に結合される、請求項1に記載の装置。
  7. 上記基準ランプ波発生器の上記出力端子が、スイッチング装置を含まない信号路を介して、上記比較器の上記入力に結合される、請求項1に記載の装置。
  8. 表示装置に列を成して並べられた画素内に画像情報を含む信号を発生するデータ・ライン駆動回路であって、
    第1のトランジスタと、
    上記第1のトランジスタに結合されて比較器を形成する第1の静電容量と、
    上記比較器のトリガ・レベルを自動的に調節する電荷を上記第1の静電容量内に貯えるために上記第1の静電容量に結合される第1のスイッチング装置と、
    基準ランプ波信号を発生する基準ランプ波発生器と、
    入力端子に上記基準ランプ波信号を結合させる第2の静電容量と、
    ビデオ信号の信号源と、
    上記ビデオ信号を上記第2の静電容量内に貯えるために上記第2の静電容量に結合される第2のスイッチング装置と、
    データ・ランプ波信号の信号源と、
    上記比較器の出力信号に応答して、上記比較器の上記入力端子に発生される信号で制御される上記データ・ランプ波信号の1周期の間に上記データ・ランプ波信号をデータ・ラインに供給する第2のトランジスタとから成る、上記データ・ライン駆動回路。
  9. 請求項8に記載のデータ・ライン駆動回路であって、更に、上記第1のトランジスタの主電流伝導端子と上記第1のトランジスタの制御端子との間に結合される第3のトランジスタを含み、且つ該第3のトランジスタと上記第1のスイッチング装置が上記第1の静電容量の別々の端子に結合されて、上記比較器の上記トリガ・レベルを自動的に調節する電圧を上記第1の静電容量内に発生する、上記データ・ライン駆動回路。
  10. 上記第2の静電容量が上記基準ランプ波発生器と上記第1の静電容量との間に結合される、請求項8に記載のデータ・ライン駆動回路。
  11. 表示装置に列を成して並べられた画素内に画素情報を含むビデオ信号を発生するビデオ装置であって、
    基準ランプ波信号を発生する基準ランプ波発生器と、
    上記ビデオ信号に応答して上記ビデオ信号を上記画素に供給する複数のデータ・ライン駆動回路とから成り、上記複数のデータ・ライン駆動回路のうちの所定のデータ・ライン駆動回路がそれと対応し関連する列に並べられた画素に結合され、
    上記所定のデータ・ライン駆動回路が、
    比較器と、
    上記比較器の入力に上記基準ランプ波発生器を結合させる静電容量と、
    上記比較器の上記入力に結合される上記ビデオ信号の信号源と、
    上記ビデオ信号に応答し、上記静電容量に、第1の静電容量を介して、結合され、上記ビデオ信号を上記静電容量内に貯えるための第1のスイッチング装置と、
    データ・ランプ波信号の信号源と、
    上記比較器の出力信号に応答して、上記比較器の上記入力で発生される信号に従って変化する上記データ・ランプ波信号の1周期の制御可能な部分の間に、上記所定のデータ・ライン駆動回路と関連する上記列の上記画素に上記データ・ランプ波信号を供給するスイッチング・トランジスタとを含んでいる、上記ビデオ装置。
  12. 表示装置の列電極にビデオ信号を供給する装置であって、
    ビデオ信号の信号源と、
    基準ランプ波信号を発生する基準ランプ波発生器と、
    上記ビデオ信号に応答して上記列電極に上記ビデオ信号を供給するデータ・ライン駆動回路とから成り、
    上記データ・ライン駆動回路は、
    比較器と、
    上記基準ランプ波発生器に結合される第1の端子および上記比較器の入力に結合される第2の端子を有する第1の静電容量と、
    上記ビデオ信号源および上記第1の静電容量の上記第2の端子に結合されて、上記比較器の上記入力に上記ビデオ信号を供給する上記第1の静電容量に上記ビデオ信号を選択的に供給する第1のスイッチング装置と、
    データ・ランプ波信号の信号源と、
    上記比較器の出力信号に応答して、上記比較器の上記入力で発生される信号に従って変化する上記データ・ランプ波信号の1周期のうちの制御可能な部分の間に上記データ・ランプ波信号を上記列電極に供給するスイッチング・トランジスタとを含んでいる、上記表示装置の列電極にビデオ信号を供給する装置。
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