TW315507B - - Google Patents

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315507 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明t，） 本發明像關於半導醴裝置中之電容器，待別是DRAM記 億裝置中之電容器，具有包含許多元件之電極結構，這 些元件配置成互相隔闊一段距離且以連接結構電性相連 ，具有電容器介電質和反（counter)電極。本發明亦涉 及半導體裝置中電容器之製造方法〇 許多積體電路需要電容器。類比/數位轉換器，數位 /類比轉換器和濾波器電路以動態記憶晶格之典型例子 來考盧 將電容器原本需要很大空間之需求予以降低之 方法是需要的，尤其在考盧增加之積體位準上的結構小 型化時或需要降低晶片面積時更是需要。這裡可以動態 半導體記憶體作為典型的例子。在此種記億體中，平常 所用之單一電晶體記億晶格在儲存密度增加時所需之面 、 積卻由一代至另一代逐漸減少。同時，儲存電容器之最 小電容必須保持相同。 在動態半導體記億裝置中，單一電晶體之記億晶格包 含一锢讀出電晶體和一値電容器。儲存在電容器中之資 訊（即，電荷）可經由宇元線驅動讀出電晶體而由位元線 讀出。為了可靠地儲存電荷且可同畤區別讀出之資訊， 則儲存電容器必須有一個最小之電客量。儲存電容器之 電容量之下限目前認定之值是_2“『。 為了逹成此一電容量，則電容器之介電質的厚度必須 儘可能小且電容器必須有儘可能大之面積。 由於直至1Μ位元之記億鼷時代讀出電晶體和電容器兩 者均形成平面式之組件，由4Μ位元之記億體時代的裝置 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - -- -II 1--1 -- - ^ . :一 - - S ......- - - 1 · f球 本紙張尺度速用中國國家榡準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 315507 A7 B7 五、發明説明（> )_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 開始，電容器配置在溝槽（溝槽式電容器）中已為人所知 。電容器之電極沿箸溝槽之表面配置。和以平面方式配 置在基體表面之情況比較，電容器之有效面積在整體效 果上是被放大了。 能保持或降低電容器之空間需求而同時增加其電容量 之其它可能性是將電容器設計成堆ft式電容器。在此情 況下，一種複晶矽結構（例如，皇冠形結構或圓柱形）經 由字元線而形成且和基體接觸。複晶矽結構形成記憶體 節點，此節點設有電容器介電質和電容器電極板（所諝晶 格板）。此種觀念之優點為其可和邏輯程序相容。 基體表面上方之自由空間像供此電容器使用。在此情 況下，只要相鄰記憶晶格之結構互相絶緣，則整Μ晶格 面積可由複晶矽結構覆蓋。在本文中已知之關鍵（key)字 是：鰭狀堆壘電容器及皇冠形堆畳電容器。 ’ 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 ΕΡ-Α- 0 415 530掲示一種具有堆疊電容器作為儲存電. 容器之半導體記億裝置《堆叠電容器包括具有許多複晶 矽層之複晶矽結構，這些複晶矽層基本上成上下平行地 配置且至少經由一《侧遴支撐而互相連接。此侧邊支撐 僳利用複晶矽層而産生，複晶矽層在背面受到蝕刻以保留 一値基本上為垂直配置之網狀構造（Web),此網狀構造 連接上下配置之複晶矽層》這樣的結構另外亦可經由沈 積複晶矽層和氣化矽層而形成，氧化矽層可選擇性地對 複晶矽層進行蝕刻，其方法為在基體表面將這些層予以 結構化，在結構之至少一邊上産生側邊支撐且遴擇性地 -4 -本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央橾率局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ). 對氣化矽層進行蝕刻。複晶矽結構在此情況中以砷摻雜 ，氣化矽隨後藉熱氣化作用而形成電容器介電質，由摻 雜之複晶矽所組成之晶格板則沈積在介電質上。 US-A-5 240 871掲示一種具有上下排列之電極層的電 容器，其中以不同速率蝕刻之電容器絶緣層施加至複晶 矽層，隨後進行結構化且受到蝕刻以形成支撐架構。接 著沈積一層摻雜之複晶矽，然後再沈積一層氮化矽層， 最後形成晶格板。 本發明以在半導體記憶裝置中設置電容器此一問題為 基準，這可逹到高元件密度及降低製程複雜性和空間需 求。此種電容器之製造方法亦將予以描述。 此問題可利用具有申諳專利範圍第1項之特擻的電容 器及具有申請專利範圍第6項之特擞的電容器製造方法 ^來解決。 本發明之主要優點是電容器之厚度（當水平配置時）或 電容器之寬度（當垂直配置時）較已知之電容器小。此種 電容器特別可用在DRAM半導護裝置中，這是因為所需之 最小晶格電容為20fF時，此種電容器所具有之厚度及面 積都很小。可預期的是此種型式之®容器亦可用於将來 新一代DRAM之儲存電容器，那時候對其面積較小之需求 更加迫切。為了這傾目的，只需增加層數而降低層面積 。而且，可以降低層厚度和介電質厚度之方式來降低電 容器之厚度或寬度。此種電容器更具有可將電極結構（ 在P通道電晶體之情況）藉接觸孔而直接連接至電晶體 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7五、發明説明〇 ) · 之汲極的此種優點。然而，在電極結構和其它電路元件 之間以其它方式連接亦是可能的。例如，在η通道選擇 極或 汲層 之化 體矽 晶 ， 電鈦 和化 層氮 金鈦 間’ 中鉅 由由 經可 可如 構例 結層 極屬 電金物 ，間充 中中镇 體 ，孔 晶接觸 電連接 例 以 〇 ，耗 點損 優有 之沒 利面 有方 為它 極其 有在 具 ， 法驟 方步 之造 知製 已之 較少 法較 方需 之只 明 明 發發 本本 。結 中極 SM. ©a 屬之 附件 各元 圍多 範許 利含 專包 請有 申具 在器 述容 描電 節之 細中 它置 其裝 之體 明導 發半 本在 構由 結全 '接完 6Ε 遵 榍 藉結 可接 且連 離之 距關 段相 1 和 隔件 間元 相之 互構 成結 置極 配電 件 ， 元接 些連 這 性 ， 構作 ，接 中連 況 。 情式 此方 在面 .〇 平 成之 構鄰 質相 物或 雜下 摻上 P 成 之置 -3配 C1可 20件 10元 > 之 度構 濃結 雜極 邊ot 個(P 一 盆 少成 至計 之設 向可 横件 為元 面之 表構 件結 元極Λ、、 對 ， 相面 在方 f-榑 一 結另 伸 延 上 互 可 且 狀 配集 器成 容計 電設 至好 接 最 内結 域接 區連 狀 。 盆.部 在底 構之 結件 接元 連·至 。接 p\ .1 狀» 巢且 成體 置載 配之 相置 1 生 産 上 面 。表 件之 ¾1 撐載 支於 的先 棒首 條 ， 像中 之法 内方 構的 結器 極容 狀.造 盆製 在在 中 HH mu vn^— —HI— tuBJ% ϋ nn In • - ^ -¾ (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 、11 年 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 在 加 ， 施後 上之 層 。 + 列 Ρ 序 層 ，之 層 間 + HW ρ ί 含層 包霉 層導 極 Ρ 基之 1C tta 。摻 層高 e)和 S a 9 ..s 極低 基含 個包 成 形 以 刻 蝕 性 向 異Ιο j 層 0 受 P 列之 序層 層極 此基 達 '抵 少 至 孔 Mfflr gl子 此 孔 中 域 區 緣 邊 德1 之 孔 開 此 在 少 至 後 然 低 之 列 序 層 〇 帶 電 導 + P 之 列 序 層 接 I ~ 可 生 産 P 的 雜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 經濟部中央橾率局貝工消費合作社印袋 A7 __B7_五、發明説明（) 導電層随後對P+層選擇性地被蝕刻。則介電層被沈積 且形成反（counter)電極。 在此情況中，可形成基極層使其只包含P+層或具有 氧化及/或餌化靥在P+層之下的此種P+層。依據電容 器所需之结構，開孔中之P+導霣帶係藉離子植入而産 生，即，以硼離子在一斜角下植入或施加P+導電材料。 此處重要之處為層序列並未完金為P+導霍帶所覆蓋， 以便使蝕刻爾可侵蝕低摻雜之P型材料而用於下述之選 擇性》刻。 選擇性蝕刻以齡性蝕刻剤來進行，例如乙二胺/鄰苯 二酚或氫氣化鉀溶液。在低摻雜之P導電層材料被蝕刻 掉之後，施加一種介電質（例如，0N0介電質）且隨後以 保形（con fornal)方式沈積一種導電材料作為反電極。 基極層可産生於絶緣體之平面化的表面上》若有一通 至下方連接區域之接觸孔設在絶緣雔中，則此接觸孔間 樣可以基極層之P+型材料來缜充。除了此種霄極結構 之垂直式接觸外，接觸亦可利用倒向之連接而完成。另 一方面，基極層和隨後之電極結携可在絶緣層或矽層之 *槽中産生。若痛要，則可在基極着之P+層的某些部 份之下方設置氣化矽層及/或氮化矽層。 電容器的産生是基於P+摻雜之矽在驗性蝕刻溶液中 的蝕刻速率比低摻雜之矽慢很多e ftJ.Electrochem. ν〇1.137,Νο·11,Νον_1990,第 3626至 3632頁中由 H.Seidel 等人所發表之"An i s 〇 t ro p i c E t c h i ng 〇 f C r y s t a 1 1 i n e -7 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 N^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 3:55〇7 - 五、發明説明·（ έ ) ...ί -'·.

Silicon in Alkaline Solutions"，p 摻雜之矽在乙二 胺/鄰苯二酚（SiC)溶液中之蝕刻速率直到濃度為1〇b cb3 時仍是定值，既然突然降低。當濃度為2· U^cm3時， .蝕刻速率只小於濃度1 Q 13 c b 3時之千分之一.。 本發明以下將參考圖式而利用實施例作詳細解釋。画 式簡單說明如下： 画la至圖If製造電容器之第一實施例。 圖2電容器之第二實施例的橫切面圖。 圖3a及3b可能之幾何配置的平面圖。 圖4a至麵4c電容器之第三實施例之製造（SiC)e 依據圖la,設有一値載體，其表面具有絶縐層ΰ其 它半導體裝置之元件，例如電晶體，可設置在絶緣層之 下。接觸孔2設定在絶緣層l(SiC)之中，和表面齊平且 以金屬化之材料填充。鎢，鉅，鈦，氪化鈦或摻雜之複 晶矽可作為填充材料。若使用這些材料，則摻雜之複晶 矽必須被矽化使金屬中間層顯現在表面上。以金屬導電 材料镇充之接觸孔2形成即將産生之電極結構之連接用 的接觸玻璃層（例如B P S G )可作為載體之絶緣層1 ,此 玻璃層由於玻璃之流動而具有平面式表面此一優點。然 而，亦可設置一種可藉磨光（polish)方式（例如CMP方法） 予以平面化之絶緣層β 在此實施例中，隨後於載體和接觸孔2之表面上産生 高摻雜，Ρ導電型式之基極層3。摻雜位準依據所選之 即將使用的蝕刻液而定，且選擇之方式應使蝕刻速率極 低。例如就乙二胺/鄰苯二酚溶液而言，則霈選擇硼濃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） m m UK m n.— m (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 — -----,—^ ------IT------^../1-------------- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7 ) 度Sio^car3。基極層之厚度可為3 0 0nia,而p-層和P + 層相間排列之層序列随後施加至基極層3之高摻雜的p + 導電層。高摻雜層5和7在此情況中以和基極層之高摻 雜的P+導電層一樣的方式進行摻雜。低摻雜之P_導電 層4和6所具有之摻雜對選擇性作用之蝕刻劑而言允許 一種較高之蝕刻速率。例如，以上述之乙二胺/鄰苯二 酚溶液進行蝕刻之硼摻雜大約為lQ^c it3或更低。 層厚度的選擇是使低摻雜之P~導電層較高摻雜之P + 導電層厚。例如，P—層之厚度為30η®,而p+層5和7 之厚度為1〇ηΐΒβ 層3至7僳以保形方式沈積。可能之沈積方法是在低 壓下之氣相化學沈積法，特別是熱壁（wall)或冷壁LPCVD ，或分子束磊晶法1在同一個反應器中可在原部位施加 層序列《為了此一原因，在和P+摻雜之複晶矽層3 , 5 及7比較時，P-摻雜之層4及6需要設定不同之程序 參數。 依據_lb,隨後産生一镅光罩（未示出）且用來異向性 蝕刻層序列3至7,.以便形成一値或更多之孔8,氫氣化 鉀（Κ0Η)可用作蝕刻劑。在圖中，孔8往下蝕刻至載體1 之絶緣層中。這樣會産生許多隔離之島，在毎一個島中 可製造一値電容器。然而，並非總是需要將孔往下蝕刻 至基極層之P+導電層中。若基極層3未完全蝕刻，則會 産生一锢大面積的電容器配置。複晶矽之層序列需結構 化使堆疊在平面圖中為圖形或角形（鼷3)。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210Χ297公釐） ---^--^-----裝-------訂------^··旅 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（$ ) 在下一步驟中，連接層序列3至7之p導電帶産生於 孔8之邊緣區域中，以BF2離子在某一傾斜角（例如， 對垂直線成8°之角度）進行植入可逹成此目的。g —種 方式為，亦可在圖lb所示之孔的另一邊以硼離子植入。 此種植入之效果是：受到離子撞擊之孔的邊'緣區域中， 低摻雜之P導電層4和6的一有限區域會成為（SiC)高 摻雜，此種摻雜相當於其餘P+摻雜之複晶矽層的摻雜 度。然後加溫以確保植入之硼離子可被驅動，即，在複 晶矽層4和6中使硼愈子佔有適當之晶格位置。在此情 況中，.需要使擴散不會由高摻雜區進行至低摻雜區中。 加溫過程最好利用RTA(Rapid Thermal Annealing,快速 之熱退火）來進行。所選擇之溫度大約為85(TC至900 °C。 _ 1C顯示加溫後所産生之結構。由於硼離子以斜 角植入孔8之中，則在毎一孔之邊緣區域中可形成將p + 層3, 5和7互相連接之p+區域9。在此實施例中，此p + 區域之形狀為反向之"E"字形。另一方面，輿區域9相 對之孔8的邊緣區域上，最初所産生之層序列3至7仍 被（SiC)保留著，其結果為低摻雜之層4和6空空地指 向開孔。 若藉異向性蝕刻産生一種在平面圖中為圓形之結構化 層序列，其中可産生孔8 ,則區域9以減小之厚度延伸 於堆*馬邊之特定部份之上。矩形之堆叠所達成之效果 為只有堆叠之一邊或堆疊之兩邊在其邊上被P+摻雜， 其結果為S域9只出現在堆垦之一邊或以某種角度覆蓋 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.

T 315507 ^ 五、發明説明（9 ) 堆畳之兩邊。以此方式形成之堆昼的直徑或寬度大約為 1AB。画3顯示依據圔1所設計之結構化的已摻雜之堆 昼。植入方向顯示在每一情況中。在圖3所示之例子中 ，可産生一種很強固之結構以用於即将製造之電容器中β 在下一步驟中，此裝置使用蠔性蝕刻劑以選擇性地進 行同向性之蝕刻。適當之蝕刻溶液例如可以是乙二胺/ 鄰苯二酚。預先給予一選定之摻雜濃度時，鹼性蝕刻溶 劑之性質需使低摻雜之Ρ-導電層較Ρ+摻雜之導電層受 到更強烈之蝕刻，其遴擇性為100: 1至1000: U在此 種蝕刻程序之後所産生之結構是一種如圖Id所示之結構 ，其中只剩P+摻雜之各區域且各區域互相連接以形成 一種支撐結構，此支撐結構以10表示。 在下一步驟中，依據圖le,以保形方式沈積電容器電 質。此介電質可由氣化矽及/或氮化矽來形成。最好是 形成一種0N0介電質層，其包含第一氣化矽層，氮化矽 層和第二氣化矽層。大約lQn®之全部之層厚度可適用於 此電容器之介電質。然而，若欲産生較大之電容量，電 容器介電質之厚度亦可選擇較小值，例如3ηιι。 經濟部中央樣率局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電容器12之反電極藉保形沈積（例如，p+摻雜之複晶 矽）産生在電容器之介電質上，所使用之沈積方法可和 産生層序列所使用之方法相同。 若需要，則反電極12可利用半導體技術之一般方法予 以結構化且製作接觸部位。

圖2顯示電容器之第二實施例，此電容器可作為DRAM -1 1 -本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 A7 B7 五、發明説明（^ ) 半導體裝置中之儲存電容器。在此情況中，載體含有遘 擇電晶體以用於絶緣層1之下的儲存電容器。絶緣區域 藉場氣化區21而形成在基體20中。一値絶緣區域包含兩 値選擇電晶體3D和4D,此二電晶體有一共用之源極區22。 通道區在源極區22之兩倒延伸且分別受閘極3 2和42控制以 作為字元線，閘極則在橫切面之所有各邊上均絶緣。各 電晶體都各有自己之汲極區域31和41而通至場氣化物21。 由選擇電晶謾和電容器所形成之記億晶格的毎一汲極經 由絶緣層中之接觸孔連接至電容器之電極結構。例如， 電晶體30之汲極31連接至第一電容器K1之電極33。電晶 體40之汲極41連接至電容器K2之電極43。和圖1之實施 例比較，電極結構33和43之産生方式為：載體層1中之 接觸孔2首先以自動對齊之重昼接觸而接通至各別電晶 體之汲極區域，且隨後P+摻雜之基極層藉保形沈積而 産生，其中接觸孔會被镇滿。在圖2之實施例中，源極 和汲極區2 2, 31及41是P+摻雜之區域，相當於p通道 之選擇電晶體。在η通道之選擇電晶體的情況中，接觭 孔2必須有包含金屬性導電材料（例如，鎢，鉋，鈦，氮 化鈦或矽化物）之中間層，用於下一記憶晶格之字元線23 配置在場氧化物區域.21之上。字元線23, 32和42最好由 高摻雜之複晶敕或聚化物構成β源極區22藉自動對齊 之重叠接觸而與位元線50接觸，該位元線由鎢或聚化物 構成。在圖2之記億裝置中，所有之電容器有一共用之 反電極34,此即所讚晶格板。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ---Υ - J--I I I -- I I - 'tT- I - ---- ^ (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁)

V V 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（"）. 匾4顯示此種電容器之S —實施例，在此情形中是設 計成盆狀之配置。首先於載體1上形成絶緣層6G,載體 1上有一例如以金羼填滿之接觸孔2,絶緣層隨後被結構 化以1便往下産生一値開孔直至載體層1或埴滿之接觸孔2 。首先，由高摻雜之P+導電型複晶矽構成之基極層61及 隨後一包含低摻雜和高摻雜之P導電層相間之層序列藉 如上所述方式之保形沈_而産生。低摻雜層以62, 64和 66表示，高摻雜層以63和65表示。最初所産生之結構為 層61至66偽互相以盆狀方式排列，較晩産生之·層具有較 先前産生之層更小之底部和邊緣。有一往下直到基極層 61之開孔70傜藉光罩技術和隨後之異向性蝕刻步駿而在 層序列之中央産生。結果使層序列暴露在底部區域中（ 画 4 a ) 〇 隨後，開孔70至少一部份以高摻雜之p+導電材料填 充，這可利用與層63和65相同之形成方式來完成。另一 種方式則是在給予一個和層之邊緣高度相比為足夠大的 開孔時,可選擇在某一角度之植入。S —種産生開孔和以P + 型之材料瑱充此開孔之方式為，利用光罩和一値或更多 之以下所述之植入步驟以P+型之原子對層序列底部由 光罩開孔所界定之區域進行摻雜。最好是提供許多植入 步驟使每一情況之摻雜最大值位於P—層之區域中。P + 支撐則在光罩開孔之底部區域中産生。 P+摻雜區至少具有lQ^cir3之摻雜濃度，低摻雜之 P -區6 2 , 6 4和6 6則最多具有1 0 19 c ir3之摻雜濃度。隨 -1 3- 本紙張適用中國國家揉率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -------------(裝-------訂------《\ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（P) 後可例如以RT A步驟進行加溫，使P+摻雜層不會發生擴 散。此種結構隨後在鹼性蝕刻溶液中進行選擇性且異向 性之蝕刻。在此過程中。保留P+摻雜層，P—摻雜層， 則予以蝕刻掉。此種蝕刻過程的選擇性在此情況中高至 可以産生一種如圖4b所示之支撐結構，這種支撐結構很 像枝形吊燈架。和画1之實施例相比，中央之高摻雜的 P導電區70的産生方式需使開孔70完全镇充在層序列之 底部區域中。沈積過程僳利用已提過之沈積方法以保形 方式進行且隨後進行結構化。因此，區域71連接層序列 之底部區域中的層序列61至66(可由圖1中辨認）。 依據園4c,介電質73(例如ΟΝΟ介電質）和反電極74(例 如由Ρ+摻雜之複晶矽構成）依序藉保形沈積方式而形成。 介電質和反電極Τ4可依序被結構化。 若需要，如圖2所示，亦可藉保形沈積方式將基極層 沈積在接觸孔2中。而且，亦可將圖4所示型式之電容 器配置在矽基體中且將溝槽邊緣之電極結構連接至半導 體裝置（例如，DRAM裝置之S擇電晶體）。在此情況中， 就像已•知之溝槽電容器之情況一樣，反電極74可設計成 一種連绩之晶格板。若此電容器在矽基體中配置成溝槽 電容器，則在P型基體之情況中，將溝槽區域作更高之 摻雜以産生基極區域是足夠的。在η摻雜之基體中，利 用絶緣層將基極層61之高摻雜的ρ導電層自基體絶緣。 此種型式之層可由氧化矽及/或氮化矽形成。 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） mrt.ln J- I I I -^ In I I I I n -- I - I I ^ (請先閱讀背面之注意事項再瑱寫本頁)

Claims (1)

1. A8 ，,Ψ ΒΒ 〆1 C8 D8 々、申請專利範圍 第8510798 6號「半導體裝置中之電容器及其製造方法」 」專利案 （86年6月修正） 巧申請專利範圍 ^ 1. —種半導髏裝置中之霣容器，特別是DRAM記億裝置中 的電容器，具有包含許多元件之霣極结構（1 Q ),這些 元件配置成互相隔開一段距離且藉連接結構（3)而電 性相連，此種電容器還具有電容器介15質（11)和反電 極（12),其持徽為：霣搔結構之元件和連接結構完全 由P導《材料構成（以Si C拽刻之方式），p導電材料 ' 之摻雜濃度至少為IQ20 C*·3 ^ . · ! 2. 如申請專利範園第1項之®容器，其中電極結構之元1 ； 件成上下相郯之方式或左右相鄰之方式而配置。 3. 如申請專利範圍第1項之霣容器，其中電極結構之元 件設計成盆狀β 4. 如申請專利範圔第3項之電容器，其中連接結構包含 配置在盆士電極結構内之支播元件（71)且連接至基醴丨 及結構之底部。 5. 如申請專利範園第3或4項之電容器，其中電極結構 之許多元件以盆狀方式互相配置成嚴狀，且在盆形電 . ； 搔結構内之條棒形支撐元件（71)将這些元件之底部互 相連接。 6. 如申請專利範困第i或第2項之霣容器，其中連接 結構（3)至少配置在各元件之一但邊缲上且檳向於各 元件之表面而延伸· . · 本紙張尺A逍用中國國家揉率.(CNS ) Μ規^ ( 210X297公釐） --------f ..裝------訂------^沐 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部中央揉率局貝工消費合作社印製 經濟部中央榧準局員工消资合作社印S. A8 B8 C8, D8 六、申請專利範圍 7. —種半導鼸裝置中之霄容器的裂造方法，其特徽為包 含下列步驗： 基極層（其含有高摻雜之P+導霄«(3，61))産生於 載醱之表面上，靥序列（4-7; 62-66)(其包含低摻雜 和离摻雜相間之P導霣層）施加於高摻雜之P+導電層 (3,61)之表面， «異向性蝕刻使層序列结構化，在此》程中至少形 成往下直至基極層之閭孔（8; 70), 連接層序列之高摻雜的？+導霣@(9)至少産生在開 孔區域之一嫡邊狳内， 層序列之低摻雜之P-導«層選择性地對离摻雑之 P+導霣層序列進行蝕刻，.以保形（confor»kl)方式沈-積《容器介霣質（11)， 導霣層（12)以保形方式沈稹在霣容器介霣質i：· 8. 如申請專利範画第7項之方法，其中基極層藉高摻雜 之P+導《層（3,.61)而産生，高摻雜之P+導霣層（3, 61)則以半導體匾域之部分匾域的摻雜或摻雜之半導髏 材料之沈稹來産生β 9. 如申請専利範菌第8項之方法，其中基搔層藉氣化層 及/或気化層而産生，氣化魇或氮化層僳在高摻雜之 Ρ+導《層之前形成的。 10. 如申講専利範团第7至9項中任一項之方法，其中基 槿層施加至載膿»之平面化的表面上β 11.如申請專利範圃第7至9項中任一項之方法，其中 開孔（8)中之高摻雜之Ρ+導電匾受到以斜角植入層序 -2- 本蛛張尺度逍用中國國家揉準（CNS )八4規格（210Χ297公釐） y：.；·. --------f 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央梂準局工消費合作社印製 315507 D8 穴、申請專利耗圍 ,. · 列之離子所影響，層序•列則包括低摻雜和高摻雜之p 導霉層β 12. 如申請專利範圍第D項之方法，其中以氟化硼離子 檀入。 13. 如申諳專利範圔第7至9項中任一項之方法，其中 丨 開孔 （7(3)中之高摻雜的P+導電匾域偽藉施加高摻 雜之P+導電材料而産生。 14. 如申請專利範圍第7至5·項中任一項之方法，其中 在産生高摻雜之P+導《區域之後，進行加溫過程。 15. 如申請專利範画第11'項之方法•其中 在産生离摻雜之Ρ+導電匾域之後，進行加溫過程。 16. 如申請專利範圍第13 I項之方法，其中 在産生高摻雜之Ρ+導電匾域之後，進行加溫過程。 17. 如申請專利範園第7項之方法，其中選擇性蝕刻藉 驗性蝕刻劑以異向性方式進行》 18. 如申請專利範園第Τ項之方法，其中以乙二胺/鄰 苯二酚溶液或氫《化錚溶液作為蝕刻劑。 19. 如申請專利範圍第7?項之方法，其中以保形方式沈 積氣化矽及/或氰化矽作為霄容器介《質（11)β 20. 如申請專利範園第7項之方法，其中以上下相郯或 左右相鄰之方式施加層序列β 21. 如申請專利範画第7項之方法，其中層序列以盆狀 方式互相配置成《狀。 人 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） --------^ ,裝------訂------ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 22.如申請專利範面第7項之方法，其中由离摻雜之p + 導菜材料所構成之反霄極（12)産生在霄容器介霣質（11) 上* --------^裝------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棣準局更工消費合作社印製 本蛛張尺度逍用中鬭鬮家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐）