TW312686B - - Google Patents
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Description
五、發明説明(l ) 本發明係關於一種合成矽石玻璃粉,其可用作爲非常 高純度的矽石玻璃產品之起始物質,該矽石玻璃產品可用 在半導體及光學纖維之製造領域中,特別是用在至少 1 0 0 o°c的高溫範面,其在熔化作業中無實質之起泡發 生0 近幾年中,用於光學纖維或半導體工業中的各種玻璃 製夾具或坩堝係在非常嚴格控制下,而控制構成玻璃的材 料之純度以及半導體的高完整性。 用於上述應用的高純度玻璃產品之製造方法中,目前 已知有一種方法,其中使用烷氧基矽烷當作起始物質,而 該烷氧基矽烷係經水解及經一種所謂溶膠-凝膠過程而得: 到矽石粉,然後矽石粉經煅燒而得到玻璃粉,之後該玻璃 粉經熔化而玻璃化得到所欲之玻璃產品。依此方法,當作 起始物質的烷氧基矽烷可輕易被純化及蒸餾,因此可得到 高純度玻璃產品。 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印«. 然而,經由該方法,在水解及膠凝期間起始物質所含 的矽醇基在煅燒後將會以殘留之矽醇基留存在粒子中,因 此與天然之石英砂相比較下,該產品具有較高之矽醇含量 。若矽醇含量高,則在高溫的黏度傾向於低的,而這樣的 產品不能用於:例如半導體的擴散爐中或拉矽單晶的坩堝 中(日本未經審査的專利公開號3 2 0 2 3 2/ 1 9 8 9 )。該些應用中,要求之矽醇含量係至多1 〇 〇 P pm,
I 較佳爲至多5 0 p pm,爲了降低矽醉含量,一種製造低 矽醇矽石的方法已經被提議過(日本未經審査的專利公開 本纸張尺度適用中國國家標準(〇«)八4规格(2丨0乂297公釐)-4- 經濟部中央樣準局負工消费合作社印裝 A7 . _B7____ 五、發明説明(2 ) 號289416/1990),其包括第一步驟,係於具 有低蒸汽分壓的氣氛中在溫度6 0 0至1 0 0 0 °C將大部 分的內矽醇基(紅外線吸收波長:約3 6 7 0 cm_M除 去,及第二步驟,係在溫度至少1 2 0 0°C將孤立的矽醇 .(在表面上自由振動的羥基)基(紅外線吸收波長約 3740cm-1)除去。 就將用於光學纖維或半導體的矽石玻璃部分而言,除 高溫之强度要件外,氣泡之存在還會有問題。即是,若氣 泡存在於例如抽拉矽單晶的坩堝中,則當拉伸單晶時,氣 泡可能在坩堝之內表面上破裂,因此由於熔化之矽的不穩 定表面造成缺陷,產率將會低的。再者,當受熱時氣泡膨 脹,而使得亦在尺寸穩定性發生問題。另一方面,若爲光 學纖維時,則在製造期間因爲氣泡的存在而可能產生問題 ,如光學訊號衰減或光學纖維斷裂。已知矽醇之濃度過高 (超過5 0至1 0 0 ppm),則蒸汽可形成,因此可能 形成氣泡,而爲氣泡在矽玻璃粉的熔化期間形成的一原因 。再者,已知若矽石玻璃中存在可觀量的細粉時,則在熔 化作業期間該細粉將會比大粒子先熔化,而形成密閉孔, 其發生起泡(日本未經審査之專利公開號2 4 9 7 0/ 1 9 9 3 ) ° 然而已發現即使當矽醇含置不高於1 〇 〇 P pm時, 起泡有時會發生。因此,如何得到一種合成矽石玻璃粉, 其在熔化時不會起泡,已經是一個問題。 欲解決上述問題,發明人已經進行過廣泛的硏究,結 本紙法尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)-5 - I— II >1 裝 —— — —— 訂 I * (請先聞讀背面之注意事項寫本頁) 312686 a? Β7 五、發明説明(3 ) 果發現當形態上不同的兩種矽醇(內矽醇基和孤立的矽醇 基)在含有一定量的硼之矽石玻璃粉中的含量爲一特定範 圍內時,熔化時的起泡將會很少的。已經根據這發現來達 成本發明。 即,本發明提供一種合成矽石玻璃粉,其係由煅燒矽 凝膠粉而獲得,該矽凝膠粉係得自四烷氧基矽烷之水解, 該合成矽石玻璃粉含有1 X 1 Ο ―1至1 X 1 0 —4p pm硼 及具有內矽醇基澳度至多爲1 5 0 p pm和具有孤立的矽 醇基濃度至多爲5 p pm。 本發明現將參照較佳實施例作詳習說明‘。 當作本發明之一目的合成矽石玻璃粉係得自於乾燥及 煅燒一種得自於烷氧基矽烷之水解的矽凝膠。 經濟部中央揉準局員工消费合作社印装 •(請先閲讀背面之注意事項f寫本頁) 經溶膠-凝膠法所作的烷氧基矽烷之水解係依熟知之 方法使烷氧基與水反應。用當作起始物質的烷氧基矽烷係 較佳爲Ci-4低級烷氧基矽烷,如四甲氧基矽烷或四乙氧 基矽烷,或其之低聚物。再者,於烷氧基矽烷中所併入的 硼之量爲1 X 1 0·1至1 X 1 0·4ρ pm,較佳5X 1 0 _2至1 X 1 Ο ·4ρ pm,係基於最終之合成矽石玻璃 粉算。若硼在當作烷氧基矽烷的原料之金饜矽中存在過量 時,可藉控制烷氧基矽烷的蒸餾及純化條件而除去硼以便 控制硼濃度在.上述範圍內。另一方面,若硼含量低於上述 範圍時,則可加入(例如)硼的烷氧化物來調整硼濃度。 合成矽石玻璃粉中所含的硼量可輕易測置得,例如藉 I C P - M S ° 本紙浪尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐)-6 - 經濟部中央揉準局負工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明(4 ) 所選用的水量通常在相對烷氧基矽烷中烷氧基的1至 1 0當量之範園內。若需要時,可將能與水互溶之溶劑, 如醇或醚,與水混合。所用的醇之典型例子可爲低級脂族 醇如甲醇或乙醇。利用該有機溶劑,反應系統可變的均勻 且穗定。然而,當水解進行時,烷氧基與烷氧基矽烷鍵結 ,而由於水解產生醇。因此,若在膠凝作用前反應已經均 匀,即使沒有加入醇,反應實際上仍可無困難地進行。 對水解反應而言,可用酸如鹽酸或醋酸或用鹸如氨當 作觸媒。當然,爲了得到高純度的矽凝膠粉,所有引入反 應系統內的物質,如起始物質烷氧基矽烷,水,觸媒等都 必須是高純度者。 可藉加熱來幫助水解產物的膠凝化。然而,在室溫時 ,水解產物之膠凝化需要一些小時。因此,可控制加熱程 度來調整膠凝化時間。所得的凝膠可在粉碎後乾燥,或在 乾燥後粉碎。乾燥後的矽凝膠之平均匀粒子大小通常爲 5 0至1 0 0 0微米,較佳9 0至6 0 0微米。 凝膠係被乾燥到水含量通常爲1至3 0重量%之程度 。乾燥通常係在情氣氣氛中於眞空下在溫度1 0 0至 2 0 0°C藉加熱凝膠來達成。 所製備的乾燥後矽凝膠經過更進一步的煅燒,通常 1 0至3 0小時,在溫度範圍7 0 0 °C至1 2 0 0 °C間變 動,以得到合成的矽石玻璃粉。 經控制煅燒條件(煅燒溫度、煅燒氣氛等),可調整 含於合成矽石玻璃粉內的內矽醇和孤立矽醇。 本紙張尺度遑用中國國家揉準(CNS)A4规格(2丨0X297公釐)_ 7 - : 1 In m. I—I ^^1 t^i 1 4 s «n· In · (請先閲讀背面之注意Ϋ項\i4寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 Α7 Β7__ 五、發明説明(5 ) 內矽醇與孤立的矽醇έ含量各可輕易由紅外線光譜之 相對値測得。 因此,本發明之合成矽石玻璃粉係被調整成內矽醇至 多爲1 5 0 p pm,孤立的矽醇至多爲5 p pm。即使內 矽醇高於習用値(高於1 0 0 P pm,只要孤立矽醇至多 爲5 p pm,則氣泡之形成可明顯地降低。 爲了更進一步減少氣泡,較宜控制上述之孤立矽醇在 約0. 0 5至2ρρπι的含1:範園內。再者,內矽醇較佳 爲至多1 4 0 ppm,最佳爲5至8 0 ppm之範園內。 若各矽醇超過以上界限,則氣泡之形成可能性增加。另一 方面,爲了得到具有低於上述低界限的相對値之合成矽石: 玻璃粉,必須以極長時間來進行煅燒,以保持嚴格控制之 烺燒氣氛,此可能非常困難的,且即使如此,仍不可能增 進減少氣泡的效果。 所得的合成矽石玻璃粉具有一優點,即熔化期間很少 形成氣泡,且其可適用作非常高純度的合成矽石玻璃產品 之起始物質,無氣泡之形成,該產品如爲用於抽拉矽單晶 的坩堝,或製造半導體用的擴散爐之管或夾具。 現參照實例更詳細說明本發明。然而,應了解的是該 些實例決不能用以限制本發明。 實例1 於攪拌槽中,加入四甲氧基矽烷,俾所得之合成矽石 玻璃粉的硼含置爲2 X 1 0 ip pm,及加入相當於五倍 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(2丨0X297公釐)-8 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝. 訂 A7 B7 五、發明説明(6 ) 四甲氧基矽烷量的水,並在溫度3 0°C搅拌一小時以水解 而得到一均勻之溶膠。將溶膠移入一聚氯乙烯製的桶中, 且留置5小時以便膠凝化。在1 4 0 °C藉眞空乾燥器將所 得凝膠乾燥1 2小時,然後調整粒子大小到1 〇 〇至 5 0 0微米。將1 0克所得之乾燥矽凝膠粉加到一圓筒形 石英容器(直徑8 0毫米/高6 0毫米)中,然後將其安 置於電爐內。之後,以2 0 0 °C /小時之速率升溫到 1 1 5 0°C,及在1 1 5 0°C煅燒3 5小時。自然冷卻後 ,藉I R — 8 1 0型紅外線光譜儀來測得紅外線光譜, 1 R — 8 1 0係爲日本分光株式會社製(用四氯化碳之液 管法),藉此得到在3 6 7 Ocm·1附近處之吸收的內砍 醇濃度爲5 2 p pm,在3 7 4 0 cm·1附近處之吸收的 孤立矽醇濃度爲3ppm,本案係用吸收係數爲581/ 莫耳•公分來計算吸收係數。此吸收係數係用於內矽醇者 。關於孤立矽醇,則不知道吸收係數,因此假設其與內矽 醇所用的吸收係數相同,孤立矽醇之濃度之測定係藉孤立 矽醇之峰面積相對於內矽醇之峰面積的比率。再者,將 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印裝 I I ^ I I n I n It (請先閲讀背面之注意事項#-¾寫本頁) 2 0克合成矽石玻璃粉溶於氫氟酸中,並調整溶液使由 ICP-MS所測#的硼澳度爲2X1 0-2pptn。此外 ,使用弗諸依(Veerneuil)法藉氧一氫焰將該合成矽石 玻璃成形爲直徑1 2毫米X高6 0毫米的鑄塊,而僅觀察 見到三個非常小的氣泡。 實例2 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐)-9 - S126S6 A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明(7 ) 1 I 以 相 同 於 實 例 1 之 方 式 製 備 得 乾 燥 的 矽 凝 膠 粉 9 及 將 1 1 1 1 0 0 克 粉加 到 — 圓 筒 形 石 英 容 器 ( 直 徑 8 0 毫 米 X 高 1 1 6 0 毫 米 ) 內 9 然 後 將 其 安 置 於 m 爐 內 〇 之 後 9 以 2 0 0 1 I 請 1 | °C / 小 時 之 速 率升 溫 到 1 2 0 0 °c y 及 在 1 2 0 0 °C 煅 燒 先 閲 1 I 讀 1 1 1 5 小 時 0 白 然 冷 卻 後 9 以 相 同 於 實 例 1 之 方 式 測 得 內 矽 背 ύ 1 I 之 1 醇 、 孤 立 矽 醇 及 硼 之 濃 度 0 結 果 示 於 表 1 中 0 再 者 用 弗 注 $ 1 1 諸 依 ( Ve Γ Ώ e u i 1 ) 法 製 得直 徑 1 2 毫 米 X 高 6 0 毫 米 的 鑄 % -ϋ-- 1 ^•+ _ 1 塊 > 而 jtnf- m 觀 察 見 到 氣 泡 〇 寫 1 裝 頁 1 I 比 較 例 1 1 1 以 相 同 於 實 例 1 之 方 式 製 備得 乾 燥 的 矽 凝 膠 粉 9 但 是 1 使 用 不 同 於 實 例 1 之 蒸 餾 及 純 化 條 件 下 ( 即 蒸 餾 管 柱 層 數 訂 減 爲 實 例 1 所 用 者 的 6 0 % ) 所 製 備 的 四 甲 氧 基 矽 焼 當 作 1 I 起 始 物 質 * 然 後 將 1 0 0 克 粉 加 到 — 安 置 的 電 爐 內 圓 筒 形 1 1 I 石 英 容 器 ( 直 徑 8 0 毫 米 X 高 6 0 毫 米 ) 中 0 之 後 9 以 一 1 1 2 0 0 °c / 小 時 之 速 率 升 溫 到 1 1 0 0 °c y 及 在 Γ 1 1 0 0 °c 烺 燒 5 5 小 時 0 白 然 冷 卻 後 以 相 同 於 實 例 1 1 1 之 方 式 測 得 內 矽 醇 9 孤 立 矽 醇 及 硼 之 澳 度 0 結 果 示 於 表 1 1 1 中 〇 再 者 9 用 弗 諾 k ( Ve r η e u i 1 ) 法 製 得 直 徑 1 2 毫 米 X 1 I 高 6 0 毫 米 的 鑄 塊 9 有 很 多 氣 泡 形 成 0 1 1 I 比 較 例 2 1 1 1 以 相 同 於 實 例 1 之 方 式 製 備 得 乾 燥 的 矽 凝 膠 粉 9 但 是 1 1 使 用 不 同 於 實 例 1 之 蒸 餾 及 純 化 條 件 下 ( 即 蒸 餾 管 柱 層 數 1 1 本纸張尺度逍用中國國家揉準(CNS> A4说格(210X297公釐)· 1〇 - 312686 A7 B7 五、發明説明(8 ) 減爲實例1所用者的5 0%)所製備的四甲氧基矽烷當作 起始物質,然後將1 0 0克粉加到一安置於電爐內圓筒形 石英容器(直徑8 0毫米X高6 0毫米)中。之後以 2 0 0 °C /小時之速率升溫到1 2 0 0 °C,及在 1 2 0 〇 °C烺燒2小時。自然冷卻後,以相同於實例1之 方式測得內矽醇,孤立矽醇及硼之濃度。結果示於表示1 中。再者,用弗諾依(Verneuil)法製得直徑1 2毫米X 高6 0毫米的鑄塊,有很多氣泡形成。 表 1 m «ί. ^^^1 m ^^^1 I I n n ( 0¾ (請先閲讀背面之注意事項i^寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印策 內矽醇 (ppm) 孤立矽醇 (ppm) 砸(ppm) 實例1 52 3 2 X 10 —2 實例2 130 未檢測到(低 於0.5ppm下限 2X10-2 比較例1 58 8 3 X ΙΟ- 1 比較例2 480 2 4 X 10' 1 如前所述,本發明可得到一種具有很少氣泡的合成矽 石玻璃粉。 訂 本紙張足度A用中國國家搞準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 11 -
Claims (1)
- 第84107171號專利申請案 中文申請專利範鼷修正本 民國86年6月修正 1 .—種合成矽石玻璃粉,其係由烺燒矽凝膠粉而獲 胃’該矽凝膠粉係得自四烷氧基矽烷之水解,該合成矽石 玻瑪粉含有1 X 1 0-1至1 X 1 〇-4p pxn硼及具有內矽 醇基濃度至多爲1 5 0 p pm和具有孤立矽醇基濃度至多 爲 5 p p m · 2 ·如申請專利範圔第1項之合成矽石玻璃粉,其中 四甲氧基矽烷係C 烷氣基矽烷或其低聚物》 3.如申請專利範圔第1項之合成矽石玻璃粉,其中 硼含量爲 5 X 1 0-2至 1 X 1 〇-4p pm · 4 .如申請專利範圍第1項之合成矽石玻璃粉,其中 矽凝膠粉係爲乾燥的矽凝膠粉,具有平均粒子大小爲5 〇 至1 0 0 0微米· 5 _如申請專利範圍第1項之合成矽石玻璃粉,其中 孤立矽醇基之濃度範圔爲0. 0 5至2 ppm· 經濟部中央標準局貝工消费合作社印策 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 6·如申請專利範圍第1項之合成矽石玻璃粉,其中 內矽醇基之濃度範圍爲5至80ppm。 本紙張尺度逍用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6158755A JPH0826742A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 合成石英ガラス粉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW312686B true TW312686B (zh) | 1997-08-11 |
Family
ID=15678637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW084107171A TW312686B (zh) | 1994-07-11 | 1995-07-11 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5604163A (zh) |
EP (1) | EP0692461B1 (zh) |
JP (1) | JPH0826742A (zh) |
KR (1) | KR100219250B1 (zh) |
AU (1) | AU684167B2 (zh) |
DE (1) | DE69500793T2 (zh) |
TW (1) | TW312686B (zh) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100414962B1 (ko) * | 1994-12-26 | 2004-04-13 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 합성석영분말의제조방법 |
EP0803469B1 (en) * | 1995-01-12 | 2005-06-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Silica gel, synthetic quartz glass powder, quartz glass molding, and processes for producing these |
EP1170253A1 (en) * | 1996-11-20 | 2002-01-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Synthetic quartz powder and silica gel powder |
DE19937861C2 (de) * | 1999-08-13 | 2003-03-20 | Heraeus Quarzglas | Verfahren für die Herstellung dichter Quarzglas-Körnung |
US6919382B2 (en) | 2000-08-31 | 2005-07-19 | The Governors Of The University Of Alberta | Preparation and uses of conjugated solid supports for boronic acids |
JP4993811B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-08-08 | 株式会社トクヤマ | 改質ゾル−ゲル法シリカ粒子およびその製造方法 |
US7052541B2 (en) * | 2002-06-19 | 2006-05-30 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Color compositions |
US20040089024A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-05-13 | Rensselaer Polytechnic Institute | Preparation of high purity, low water content fused silica glass |
US7425235B2 (en) * | 2005-02-11 | 2008-09-16 | The Board Of Regents Of The University Of Texas System | Color compositions and methods of manufacture |
EP1902101A2 (en) * | 2005-06-17 | 2008-03-26 | The Board of Regents of The University of Texas System | Organic/inorganic lewis acid composite materials |
US20080314446A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Processes for the preparation of solar-grade silicon and photovoltaic cells |
US20080314445A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Method for the preparation of high purity silicon |
US8197782B2 (en) * | 2010-02-08 | 2012-06-12 | Momentive Performance Materials | Method for making high purity metal oxide particles and materials made thereof |
US9249028B2 (en) | 2010-02-08 | 2016-02-02 | Momentive Performance Materials Inc. | Method for making high purity metal oxide particles and materials made thereof |
DE102010021693A1 (de) | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von Quarzglaskörnung |
JP5941774B2 (ja) * | 2012-07-11 | 2016-06-29 | 日本化成株式会社 | 合成シリカガラス粉、及びその製造方法 |
JP2019182694A (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-24 | 三菱ケミカル株式会社 | 合成シリカガラス粉 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5849519B2 (ja) * | 1977-03-17 | 1983-11-04 | 東芝セラミツクス株式会社 | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボ |
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JPH01317155A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-12-21 | Mitsubishi Kasei Corp | セラミック成形体の製造法 |
JPH0643277B2 (ja) * | 1988-03-18 | 1994-06-08 | コマツ電子金属株式会社 | 石英ルツボの製法 |
JPH01320232A (ja) | 1988-06-20 | 1989-12-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 石英ガラスの製造方法 |
US4979973A (en) * | 1988-09-13 | 1990-12-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of fused silica glass by hydrolysis of methyl silicate |
JPH02124739A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
EP0384284B1 (en) * | 1989-02-20 | 1994-05-18 | Nitto Chemical Industry Co., Ltd. | Process for preparing silica having a low silanol content |
JP2926348B2 (ja) | 1989-02-20 | 1999-07-28 | 三菱レイヨン株式会社 | 低シラノールシリカの製造方法 |
US5141786A (en) * | 1989-02-28 | 1992-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them |
EP0486004B1 (en) * | 1990-11-16 | 1996-09-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for producing a high-purity silica glass powder |
JPH0524970A (ja) | 1991-07-18 | 1993-02-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラスルツボの製造方法 |
-
1994
- 1994-07-11 JP JP6158755A patent/JPH0826742A/ja active Pending
-
1995
- 1995-07-07 AU AU24866/95A patent/AU684167B2/en not_active Ceased
- 1995-07-07 EP EP95110680A patent/EP0692461B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-07 DE DE69500793T patent/DE69500793T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-10 US US08/500,202 patent/US5604163A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-10 KR KR1019950020206A patent/KR100219250B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-07-11 TW TW084107171A patent/TW312686B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5604163A (en) | 1997-02-18 |
JPH0826742A (ja) | 1996-01-30 |
EP0692461B1 (en) | 1997-10-01 |
KR960004244A (ko) | 1996-02-23 |
AU2486695A (en) | 1996-01-25 |
EP0692461A1 (en) | 1996-01-17 |
KR100219250B1 (ko) | 1999-09-01 |
DE69500793D1 (de) | 1997-11-06 |
DE69500793T2 (de) | 1998-04-16 |
AU684167B2 (en) | 1997-12-04 |
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