TW310499B - - Google Patents

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TW310499B TW085101858A TW85101858A TW310499B TW 310499 B TW310499 B TW 310499B TW 085101858 A TW085101858 A TW 085101858A TW 85101858 A TW85101858 A TW 85101858A TW 310499 B TW310499 B TW 310499B
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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 310499 A7 ___B7_ _ 五、發明説明(/ ) <有關申請案的交互參考> 此申請案與下列一般分派,共審查中的申請案相關:待 審案號 TI-19828,標題 FREQUENCY COMPENSATED CURRENT OUTPUT CIRCUIT WITH INCREASED GAIN, 序號:08/349,234,申請日期1994年12月5日;與待審 案號 TI-20009,標題 AMPLIFIER CIRCUIT AND METHOD, 序號:08/349,095,申請日期1994年12月1日. <發明技術領域> 本發明大致而言係關於電子裝置的領域.更特別地本發 明是關於一種放大器電路與方法· <發明背景> 很多電子電路使用放大器處理在電路之內的多樣信號. 放大器的輸出可被連接以提供一個输出電壓到一個負載 電路·輸出級的設計可影響放大器多方面的操作.譬如, 一些放大器能運送高輸出電流到負載.其它的放大器能 產生一個輸出電壓擺幅大約相等於電壓源用於放大器電 路的大小規模.一些放大器必須提供一個輸出其有一個 低的跨越(Crossover)扭曲.其它的放大器被還需要在相當 高頻下維持增益與安定.每個這些#求限制了輸出級的 -3- 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------1 -裝------訂---!---J 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 310499 B7 五、發明説明(2〇 設計· 於操作期間,一個放大器電路從一個電壓源消耗電流. 此電流的一個部份,名爲靜態(quiescent)電流,使用於偏 離放大器的內部電器回路·一個低的靜態電流是需要 的,因爲當放大器正操作在一個輕負載或完全無負載 時,它減少了電力的消耗· 以前開發的放大器輸出電路已有提到一些這些問題.譬 如,一般被歸爲級別A電路的輸出電路提供低的輸出扭 曲·不幸地,級別A電路天性消耗大量的靜態電流.一 個第二個輸出電路被歸爲級別B電路·這些電路消耗很 小的靜態電流·然而,級別B電路展示實質的跨越 (crossover)扭曲·一個級別A和級別B的混合型輸出電 路一般被歸爲AB輸出電路·級別AB電路比同級的B電 路消耗更多的靜態電流,但低於同級的A電路所消耗的 靜態電流·結果,它們比B電路展示較低於跨越扭曲, 但比A電路有更多的跨越扭曲. 大部份的放大器使用級別AB輸出電路,以便可有一個最 大可容許的輸出電流的五到十%的靜態電流並達到合理 的跨越扭曲層次·這些電路通常難於達到顯著低的靜態 電流層次*此外,很多先前的放大器電路依賴減少現成 可用的輸出擺幅或現成可用的頻率反'應以減少靜態電流 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐〉 I,-------< -裝------訂‘--J---丄银 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 310499 A7 B7 五、發明説明(3) 的電路· <發明槪要> 本發明提供一種放大器電路與方法,其消除或減少先前 的電路與方法的相關問題·更特別是,於一實施例中, 本發明提供一種放大器電路其可實施來對於它的偏壓電 流源出與沉下一個高的電流水平·此放大器電路有一個 放大器級被耦合來控制一個輪出級·輸出級包含一個電 路用於源出電流到一個外在負載·另外,輸出級有一個 電路用於從外在負載沉下電流·此源出與沉下電路可包 含射極跟隨電路結合一個共用的輸出節點·輸出級同時 也包含一面鏡映電路,諸如一個雙極連接電晶體對於沉 下電路有一個共用的基座,被耦合到一個放大器級的輸 出·最後,輸出級包含一個電流源被耦合於面鏡映電路 與來源電路兩者·鏡映電路是被耦合以反映於沉下電路 的電流·基於放大器級的输出,鏡映電路自電流源取用 電流或者是經由不從電流源取任何電流來防止沉下電路 沉下電流·所以,電流源出不是引起來源電路源出一個 輸出電流到一個外在負載,就是引起沉下電晶體從外在 負載沉下電流· 根據本發明的另外方面,輸出級亦可包含一個二極Μ結 合於來源與沉下電路的共用節點與飼鏡映電路的一個輸 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 310499 A7 B7 五、發明説明(〆) 出之間·於此方法,二極體逸出電流到鏡映電路以便鏡 映電路於沉下操作期間輔助沉下電路來沉下電流· 根據本發明的另外方面,輸出級亦可包含一個鉗位電路 被耦合於一個在電流源和鏡映電路之間的節點·鉗位電 路可防止一個鏡映電路的電晶體飽合以便防止鏡映電路 干擾到沉下電路的電晶體的基極電流· 根據本發明的另外方面,一個電阻器可被包含在鏡映電 路,於一個電晶體和鏡映電路的射極與一個接地電位之 間·電阻器控制於相對於沉下電路的鏡映電路的電流的 增加速率並防止電晶體從鉗位電路取過度的電流,如此 當沉下高電流時可增加輸出級的效率· 本發明的一個技術優勢是能夠沉下或源出一個大的輸出 電流,即使它被偏離在一個低的靜態電流來減少練由放 大器的電力消耗·此增加放大器的電源效率,特別是在 輕負載時,並使放大器和現代的微電源運用的需求相 容. 本發明的另外的技術優勢是根據本發明的敎導建造的一 個輸出級能被架構以便從單一電壓源來操作且仍然能使 擺幅在大約電壓一伏特之內並可使擺幅非常接近接地, 如此其輸出擺幅是優於傳統的級別益的實作· -6- 本紙張尺度適用中國國家揉率{ CMS ) A4規格(210X297公嫠) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘裝---- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(5") 本發明的另外的技術優勢是根據本發明的敎導建造的一 個输出級能被架構以便信號路徑獨自傳導經過NPN裝置 達到一個寬廣的頻寬而不需使用高頻的PNP裝置·如此 之PNP裝置與很多積體電路技術是不相容的· 本發明的另外的技術優勢是根據本發明的敎導建造的一 個放大器電路的一實施例的輸出電壓的範圍可從一個値 大體而言相等於放大器的輸出極的電壓延伸到大約接地 電壓·放大器電路可經由使用二個不同電壓源來達到此 優勢·第一個電壓源提供一個減少的電壓水平到源出與 沉下電路·第二個電壓源提供一個較高電壓到電流源與 鏡映電路·沉下與源出電路的輸出電壓範圍大體而言相 等於第一個電壓源.既然幾乎全部由放大器在較高負載 電流所消耗的電流是從第一個電壓源取用,對於一個給 定的输出擺幅,電源效率被增加了 · <圖示簡述> 爲了可更加完全地理解本發明和這些優勢,請參考以下 的敘述並會同伴隨的繪圖;其類似的參考數字表示類似 的特色,其中: 圖1是一個電路簡要舉例說明一個根'據本發明的敎導建 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐} I ^-------^ ·裝------訂-----J.踩 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 θι〇499 五、發明説明(6>) 造的放大器電路的實施例;和 圖2是一個電路簡要舉例說明另一個根據本發明的敎導 建造的放大器電路的實施例· <發明詳述> 圖1是一個電路簡要舉例說明一個泛指10的操作放大器 電路的實施例,其依照本發明的敎導建造·放大器10可 操作來源出或沉下一個输出電流到負載12 .相對於最大 的電流放大器10能源出或沉下的電流,放大器10同時也 操作在一個低的靜態電流·放大器10输出一個電壓到負 載I2,其範圍約從一個電壓源的電壓値大約直到一個接 地電位· 放大器10包含一個放大器級14 .放大器級14可包含任 何一個許多傳統的输入和提供一個適合大的增益的增益 級· 一個輸入電壓是被耦合於放大器級14的輪入終端 I6·放大器10同時也包含一個輸出級18被耦合於放大器 級14 . 輸出級is源出電流到負載I2並也從負載12沉下電流. 輸出級18包含一個源出電晶體2〇與沉下電晶體22 .如 顯示,電晶體20包含單一 NPN雙極蓮接電晶體.電晶體 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_
L 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7) 20可被一對結合成一個達林頓(Darlington)對的電晶體所 替換如顯示於圖2或任何其它的適合的電路以用於提供 一個輸出電流到負載電路12 .電晶體22包含一個NPN 雙極連接電晶體·電晶體22的集極在一個输出節點24被 耦合於電晶體20的射極·電晶體20的集極被耦合於一個 第一個電屋源軌28·電晶體22的射極被耦合於一個接地 電位·電晶體20被一個電流源29所控制·電流源29在 —個節點32被結合於一第二個電壓源軌30與電晶體20 的基座之間·電流源29可包含,譬如,一個適合的偏離 電流鏡映或任何其它適合的電流源· 由於電晶體20與22、電流源29與鏡映電晶體34的結合, 輸出級18是可實施來沉下或源出一個大電流·電晶體34 的集極在節點32被耦合於電流源29 ·電晶體34的基座 被耦合於一個放大器級14的輸出與電晶體22的基座·電 晶體34的射極經過一個電阻器36被結合到一個接地電 位·電阻器36被選擇以來控制於沉下操作期間於電晶體 34的電流增加的速率. 電晶體34可輔助電晶體22從負載12沉下一個電流·一 個二極體38被結备於输出節點節點32之間·當在 節點32的電壓大約是少於在節點24電壓一個二極體壓降 時,二極體38在節點32從輸出節點24傳導電流到電晶 體34 ·二極體38可包含,譬如,一、適合的肖特基 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 丁 、-='a A7 310499 B7 五、發明説明(g ) (Schottky)二極體.二極體38同時也有增加的優點是使電 晶體20的基極射極連接不受到雪崩感應放大係數降級· 一個鉗位電路40被耦合於節點32以防止電晶體34飽合 並如此減少到電晶體22的基極電流·鉗位40包含一個電 晶體42 ·電晶體42的集極被耦合於電壓源軌28 · —個 電晶體42的射極被耦合於節點32 ·電晶體42的基極在 一個節點46被耦合於一個電流源44 ·電流源44被耦合 於電壓源軌30 ·第一和第二個二極體48和50被結合於 節點46與一個接地電位之間·二極體48與50可包含二 極體結合電晶體或任何其它適合的二極體用於在節點46 建立一個電壓* 操作中,放大器1〇擴大一個在輸入終端16的輸入信號以 在節點24產生一個輸出信號用於負載12 ·輸出級18可 源出電流到負載12或者是從負載12沉下電流·於源出電 流到負載12時,放大器級14的輸出被帶到一個低的潛在 電壓·此造成電晶體;22和34傳導一個小量電流·此被歸 爲電晶體22與34的“OFf”狀態·應注意電晶體22和34 被結合以便電晶體34的射極電流在低電流層次時大約是 鏡映或重製電晶體22的電流·因爲電晶體34被關掉,電 流源29的輸出被逸出進入電晶體20的基極·藉以,輸出 級18操作以在節點24產生一個输出電流到負載12而在 節點24的電壓上昇·在節點24的電Μ可上昇到大約是相 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) --------1 .裝------訂--:----,線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局負工消費合作社印製 A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 B7 五、發明説明(f) 等於在電壓源軌28的電壓,其只受電晶體20的飽和電壓 所限制♦爲了使完整的输出擺幅是現成可用的,在電壓 源軌30的電壓必須超過在電壓源28電壓一個量,此量需 是充分的以建立電晶體20的基極射極電壓並提供適合的 前進使電流源29操作·譬如,電壓源軌28可包含一個3 伏特來源而電壓源軌30可包含一個5伏特來源·雙重電 壓源的使用減少經由輸出級18的電源消散藉以增加放大 器10的效率·另一個選擇是,電壓源軌28和30可被耦 合於一個共用的電壓源·於此架構,输出電壓擺幅大約 可在電壓源電壓的一伏特之內,因爲由於越過電晶體20 的基極射極連接的電壓下降與電流源29的電壓需求· 輸出級18亦可功能如一個負載12的電流沉下·爲了功能 如沉下,放大器級14使電晶體34的輸出電壓傳導電流在 它的集極和射極之間·此被歸爲電晶體的“ON”狀態·經 過電晶體34電流在電晶體22被反映,至少在較低的電流 層次,其越過電阻器36的電壓下降是可以忽略時·應注 意電晶體34和22的尺寸可被調整以便於電晶體22的電 流對於於電晶體34的電流是一個選擇過的比率.電晶體 34從電流源29吸取用電流如此減少了在節點32電壓並 關掉電晶體2〇 ·在節點32的電壓繼續降下,而當在節點 24的輸出電壓大於在節點32的電壓一個大約是越過二極 體38的二極體電壓下降時,二極體38從節點24傳導電 流到節點32·於此方法,二極體38邊出電流到電晶體34 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------/ .裝.------1T-——'----{線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 31〇499 五 ' 發明説明(/ ο) 以便電晶體34輔助電晶體22沉下從負載I2的電流·此 防止電晶體34的集極電流被浪費,而不必相反電流源 29,如此改善了放大器10的效率- 鉗位電路40防止在節點32的電壓落到一個電壓而允許電 晶體34進入飽和·於沉下操作期間,在節點24電壓傾向 減少到一個接地電位·在節點32電壓,只要電流被傳導 經過二極體38,同時也隨著在節點24的電壓減少·鉗位 40防止在節點32的電壓減少到一個點而使電晶體34進 入飽和·在節點46的電壓大約是在接地電位之上二個二 極體壓降·所以,當在節點32的電壓達到在接地電位之 上一個二極體電壓壓降時,電晶體42開始傳導電流在它 的射極·此對在節點32的電壓建立一個較低的限制並防 止電晶體34飽合·當鉗位40開始傳導時,越過二極體38 的電壓下降減少而二極體38開始被關掉· 電阻器36控制於電晶體34的電流增加速率·在低電流 時,電晶體34的射極電流大約是相等於電晶體22的射極 電流,假設電晶體22和34的射極區域是一比一的比例· 在高電流時,電阻器36防止於電晶體34射極電流對於於 電晶體22的射極電流呈線性的增加·此允許輸出級18當 它正沉下電流時可操作在一個較低的偏壓電流且在節點 Μ的電壓爲低,強迫鉗位40傳導· -12- 本紙張尺度適用中國國家標车(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁. 經濟部中夬榡準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明(//) 放大器1〇的輸出級18被架構以至少提供二個另外的優 勢·首先,輸出級18可被偏離在相對於它的最大輸出電 流的一個低的靜態電流·此減少了電力消耗並增加放大 器10的效率以便放大器10與現代的微電源運用的需求是 相容的·另外,輸出級18使用NPN電晶體於它的信號路 徑以達到一個寬廣的頻寬· 圖2是一個電路簡要舉例說明一個泛指110的操作放大器 電路的實施例,其依照本發明的敎導建造·假設極壞情 況的NPN放大係數是30與一個50微安培的偏壓電流餵 入電晶體136的基極,放大器110可源出到負載112或從 負載112沉下大約一個級階25到30毫安培的電流·放大 器110同時也操作在相對於放大器110能沉下的最大電流 的一個低的靜態電流·放大器U0输出一個電壓到負載 112,其範圍約從大約電壓源146的値直到一個接地電 位. 放大器110包含一個放大器級114 .放大器級114可包含 任何一個許多傳統的输入和適合提供一個大增益的增益 級.如顯示,放大器級114包含一個BiCMOS摺疊級聯放 大器級.一個输入電壓是被耦合於放大器級U4的输入電 晶體116與118 .電晶體116和118包含PMOS電晶體結 合在一個傳統的差動雙架構·放大器110同時也包含電流 鏡映120,其包含多數個PMOS電晶_ I22 .電流鏡映120 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------i .裝------訂------1 練 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 310499 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(/2) 提供電流用於放大器110的操作*電流源120是被耦合於 一個第一個電壓源124·放大器級114包含一個輸出電晶 體126 ·放大器級114在節點128提供一個輸出在電晶體 126的源極·節點128是被耦合於放大器110的一個輸出 級 130 · 輸出級130源出電流到負載112也從負載112沉下電流· 輸出級130包含一個來源電路132與沉下電晶體134 ·如 顯示,電路132分別地包含第一和第二個NPN雙極連接 電晶體136與138 ·電晶體136和138被耦合以形成一個 達林頓(Dar丨ington)對且有基極關上電阻器140 .經由適 合地取電阻器140的大小,放大器的跨越扭曲能被最小 化·電路132同時也包含一個反飽和電晶體142 ·電晶體 142的基極被耦合於電晶體138的基極·另外,電晶體142 的射極被耦合於電晶體136的基極·最後,電晶體142的 集極是被耦合於電晶體138的集極·來源電路132的输出 在節點144包含電晶體138的射極.電晶體138的集極被 耦合於第二個電壓源146.電晶體136的集極被耦合於第 一個電壓源124. —個沉下電晶體134的集極被耦合於輸 出節點144 .另外,一個電晶體134的射極被耦合於一個 接地電位· 電晶體136的基極被耦合於電流源120 .輸出級13〇是可 實施來沉下或源出一個大電流在25劍30毫安培的級 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------1 ·裝------訂-----J.球 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 310499 A7 B7 五、發明説明(/3) 階,其是因爲來源電路132、沉下電路134、電流源120 與鏡映電路1的的結合.鏡映電路148包含第一和第二個 NPN雙極連接電晶體ISO與152被耦合以形成一個達林頓 (Darlington)對且有基極關上電阻器154 .電晶體150的基 極於節點I28被耦合在放大器級114的输出.電晶體ISO 的集極被耦合於電壓源124. —個電晶體150的射極結合 電晶體152的一個基極.一個電晶體152的射極經過一個 電阻器156被結合到一個接地電位·電晶體152的集極經 過一個二極體結合電晶體158被耦合於電流源120 .電阻 器1S6被選擇來於沉下操作期間控制於鏡映電路148的電 流增加速率· 鏡映電路148可輔助電晶體134從負載112沉下一個電 流.一個二極體160被結合於輸出節點144與節點162之 間•當在節點162電壓少於在節點144的電壓大約一個二 極體電壓下降時,二極體160在節點162從輸出節點144 傳導電流到鏡映電路148 ·二極體160可包含,譬如,一 個適合的肖特基二極體·二極體160同時也有增加的優點 是使電晶體136與138的基極射極連接不受到雪崩感應放 大係數降級· 一個鉗位電路164被耦合於節點162以防止鏡映電路148 的電晶體152飽合並減少到電晶體134的基極電流·鉗位 164包含第一和第二個NPN雙極連接'電晶體166和168結 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4g ( 210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 球 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明説明(/兴) 合在一個達林頓(Dar丨ington}且有基極關上電阻器170 . 電晶體166和168的集極被耦合於電壓源軌146 · —個電 晶體的射極168是被耦合於節點162 ·電晶體166的基極 在節點172被耦合於電流源120 ·第一個,第二個,與第 三個二極體連接NPN雙極連接電晶體174、176與178分 別地被結合於節點172與一個接地電位之間· 放大器110同時也包含另外的補償電器回路·譬如,鏡映 電路148包含一個電容器180結合於電晶體152的一個集 極與基極之間以’銳床補償’一個包含電晶體152微小的迴 圈·同樣地,電容器182被結合於電晶體134的一個集極 與基極之間以幫助補償·最後,一個電容器184被結合於 輸出節點144與放大器級114之間· 操作中,放大器110擴大一個在輸入電晶體116和118的 輸入信號以在節點144產生一個輸出信號用於負載112· 输出級130可源出電流到負載112或者是從負載112沉下 電流·於源出電流到負載112時,放大器級114的輸出在 節點128被帶到一個低的潛在電壓·此使電晶體150、152 和134傳導一個小量的電流·此被歸爲電晶體150、152 與I34的“OFF”狀態.應注意電晶體150、152和134被 結合以便電晶體152的射極電流在低的電流層次時大約 是電晶體134的鏡映或重製·因爲電晶體150被關掉,在 電晶體158的電流源120的輸出被逸'出進入來源電路132 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(〇泌>八4*格(210\297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(/^) 的電晶體I36的基極.藉以,輸出級13〇操作以在節點144 產生一個輸出電流到負載II2且在節點I44的電壓上昇. 在節點I44的電壓事實上可上昇只大約到相等於在電壓 源軌1料電壓,因爲它只受電晶體138的飽和電壓所限 制·爲了完整的輸出擺幅是現成可用的,在電壓源軌146 的電壓必須超過在電壓源軌124電壓一個量,其需充分以 來建立電晶體136與138的基極射極電壓並提供適合前進 使電流源120操作·譬如,電壓源軌146可包含一個3伏 特來源而電壓源軌124可包含一個5伏特來源·此雙重電 壓源的使用減少經由輸出級130的電源消散藉以增加放 大器110的效率·另一個選擇是,電壓源軌146和124可 被耦合於一個共用的電壓源·於此架構,輸出電壓可擺 幅在大約電壓源電壓的二伏特之內,因爲越過電晶體136 與138的基極射極連接的電壓下降與電流源120的電壓需 求. 輸出級130對於負載112亦可功能如一個電流沉下·爲了 功能如沉下,放大器級114的输出電壓使電晶體I52傳導 電流在它的集極和射極之間*此被歸爲電晶體的“ON”狀 態.經過電晶體152電流在電晶體134被反映,至少在較 低的電流層次,其越過電阻器1S6的電壓下降是可以被忽 略的·應注意電晶體152和134的尺寸可被調整以便於電 晶體134電流對於於電晶體1S2的電流是一個選擇過的比 率.電晶體1S2經過電晶體1S8從電k源12〇吸取用電流 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------< 裝-------訂---^----,冰 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟*部中央標準局員工消費合作.杜印製 A7 B7 五、發明説明(/6) 如此減少在電晶體136基極的電壓並關掉電晶體136與 138 .在節點I62的電壓繼續降下,而當在節點144的輸 出電壓是大於在節點162電壓大約一個越過二極體160的 二極體電壓下降時,二極體160從節點144傳導電流到節 點162 .於此方法,二極體160逸出電流到電晶體152如 此電晶體152輔助電晶體134從負載112沉下電流.此防 止電晶體m的集極電流被浪費,如此改善了放大器110 的效率· 鉗位電路164防止在節點162的電壓落到一個電壓而允許 電晶體152進入飽和·於沉下操作期間,在節點144電壓 傾向減少到一個接地電位·在節點162的電壓同時也隨著 在節點144的電壓減少,只要電流被傳導經過二極體 160 ·鉗位164防止在節點162的電壓減少在在接地之上 一個二極體壓降之下如此防止電晶體152飽合·在節點 172電壓大約是在接地電位之上三個二極體壓降·所以, 當在節點162電壓達到在接地電位之上一個二極體電壓 下降時,電晶體166和168開始傳導電流·此對於在節點 162電壓建立一個較低的限制並防止電晶體152飽合·當 鉗位164開始傳導時,二極體160向前損失偏離而開始關 掉. 電阻器156控制於電晶體152的電流增加速率·在低電流 時,電晶體152的射極電流大約是相奪於電晶體134的射 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I I I —L , I I I I I I 訂— i·^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 310499 B7 五、發明説明(/7) 極電流,假設電晶體134和152的射極區域是一個一比一 的比例♦在高電流時,電阻器156防止於電晶體152的射 極電流以和於電晶體134的射極電流相同的速率來增 加·此同時也允許輸出級130當它正沉下電流時操作在一 個較低的偏壓電流且在節點144的電壓是低的,強迫鉗位 164傳導· 雖然本發明已被歷述,應該了解其多樣的變化、替代和 修改可被產生而沒有離開本發明由附加的申請專利範圍 所定義的精神與範圍·譬如於圖1和2的多樣的NPN和 PMOS電晶體可被分別地改變成PNP與NMOS電晶體· 電路10與110的極性可如此被改變以提供放大器一個負 的電壓輸出· 1^1 { nn —^1· i n^i m· 11 III·、一 w n^· ml nn Kn (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印11 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1·一種同時也有一個輸入放大器級的一個放大器電路 的輸出級,該輸出級包含: 電器回路可實施來源出一個輸出電流到一個外在負載; 被耦合於該電器回路的電器回路且可實施來從外在負載 沉下電流,該電器回路與該沉下電器回路有一個共用的 輸出節點; 被耦合於該沉下電器回路的電器回路且可實施來反映於 該沉下電器回路的電流,該鏡映電器回路經由該輸入放 大器級'的一個輸出來控制; —個電流源被耦合以提供電流到該鏡映電器回路與該來 源電器回路兩者; 當該沉下電器回路從外在負載沉下電流以反應到一個該 輸入放大器級的第一個預定的輸出時,該鏡映電器回路 可實施來從該電流源自該來源電器回路取用電流;與 該鏡映電器回路可實施來造成該電流輝提供電流到該來 源電器回路以便該來源電器回路提供電流到外在負載以 反應到一個該輸入放大器級的第二個預定的輸出. 2 ·如申請專利範圍第1項之輸出級,其中該沉下電器 回路與該來源電器回路每個都包含NPN雙極連接電晶 體. 3 ·如申請專利範圍第1項之輸出級,其中該電器回路 包含第一和第二個NPN雙極連接電#0體,其被耦合以形 -20- 本紙張尺度適用中國國家棵準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 成一個達林頓(Darlington)對. 4 ·如申請專利範圍第1項之輸出級,且更進一步地包 含一個二極體結合於該共用的節點與該鏡映電器回路之 間用於在沉下操作期間從該沉下電器回路逸出電流到該 鏡映電器回路· 5 ·如申請專利範圍第1項之輸出級,其中該鏡映電器 回路包含一個NPN雙極連接電晶體,其有一個電阻器結 合於該電晶體的一個射極和一個接地電位之間,該電阻 器可實施來當該输出級執行沉下操作時.控制經過該鏡映 電器回路.的電流的增加速率· 6·如申請專利範圍第1項之輸出級,且更進一步地包 含: 一個二極體結合於該共用的節點與該鏡映電器回路之間 用於在沉下操作期間從該沉下電器回路逸出電流到該鏡 映電器回路;與 一個電壓鉗位被耦合玲該鏡映電器回路與該二極體用於 建立一個預定的較低電壓限制以防止於沉下操作期間該 鏡映電器回路干擾該沉下電器回路· 7 .如申請專利範圍第1項之輸出級,其中該鏡映電器 回路包含一個NPN雙極連接電晶體:該輸出級更進一步 -21- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 抹 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 #、申請專利範圍 地包含: 一個二極體結合於該共用的節點與該鏡映電器回路之間 用於在沉下操作期間從該沉下電器回路逸出電流到該鏡 映電器回路; 一個電壓鉗位被耦合於該鏡映電器回路與該二極體用於 建立一個預定的較低電壓限制以防止於沉下操作期間該 鏡映電器回路干擾該沉下電器回路;與 一個電阻器結合於該鏡映電器回路的一個該電晶體的射 極與一個接地電位之間,該電阻器可實施來控制經過該 鏡映電器回路的電流的增加速率· 8 ·如申請專利範圍第1項之輸出級,且更進一步地包 含一個電壓鉗位用於爲該鏡映電器回路建立一個預定的 較低電壓限制,該鉗位包含: 第一和第二個二極體串聯結合於一個電流源和接地之 間;與 一個NPN雙極連接電晶體,其有一個基座被耦合於一個 該電流源的輸出而一個射極被耦合於該鏡映電器回路· 9 ·如申請專利範圍第1項之輸出級,且更進一步地包 含一個電壓紺位用於爲該鏡映電器回路建立一個預定的 較低電壓限制,該鉗位包含: 第一個,第二個與第三個二極體串聯結合於一個電流源 和接地之間;與 ' -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------------tr------1 $ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 310499 六、申請專利範圍 一個NPN雙極連接電晶體達林頓(Darlington)對,其有一 個基座被耦合於一個該電流源的輸出而一個射極被耦合 於該鏡映電器回路· 10 .如申請專利範圍第1項之輸出級,其中該鏡映電器 回路包含第一和第二個NPN雙極連接電晶體被耦合以形 成一個達林頓(Darlington)對· 11 ·如申請專利範圍第1項之輸出級,且更進一步地包 含: 一個第一個電壓源用於提供電源到該來源與沉下電路; 组 /、 一個不同於該第一個電壓源的第二個電壓源用於提供電 源到該電流源與反映電器回路以便输出級的輸出電壓擺 幅是大約相等於該第一個電壓源的電壓· 12 * —種放大器電路,包含: 一個輸入放大器級有一個輸出; 一個第一個雙極連接電晶體用於源出電流到一個外在負 載; 一個第二個雙極連接電晶體用於從外在負載沉下電流, 該第一個電晶體的一個射極被耦合於該第二個電晶體的 一個集極以形成一個共用的輸出節點; 一個第三個雙極連接電晶體有一個基座被耦合於該第二 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 個電晶體的基座以便在沉下操作期間於該第二個電晶體 的電流大約鏡映在該第三個電晶體的電流; 一個電流源被耦合於該第一個電晶體的基座與該第三個 電晶體的一個集極; 當該第二個電晶體從外在負載沉下電流以反應到該放大 器級的一個第一個預定的输出時,該第三個電晶體可實 施來從該電流源自該第一個電晶體取用電流;與 第三個電晶體可實施來造成該電流源提供電流到該第一 個電晶體以便該第一個電晶體提供電流到外在負載以反 應到一個該輸入放大器級的第二個預定的输出. 13 ·如申請專利範圍第12項之放大器電路,且更進一步 地包含一個二極體結合在該共用的輸出節點和該第三個 電晶體的該集極之間用於在沉下操作期間從該第二個電 晶體逸出電流到該第三個電晶體· 14 ·如申請專利範圍第12項之放大器電路,且更進一步 地包含: 一個二極體結合於該共用的輸出節點與該第三個電晶體 之間用於在沉下操作期間從該第二個電晶體逸出電流到 該第三個電晶體; 一個電壓鉗位被耦合於該第三個電晶體與該二極體用於 在沉下操作期間建立一個預定的較低電壓限制以防止該 第三個電晶體干擾該第二個電晶體^與 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I I ϋ n n i ϋ I . I I I I i 訂 I i I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局属工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一個電阻器結合於該第三個電晶體的一個射極與一個接 地電位之間,該電阻器可實施來控制經過該第三個電晶 體的電流的增加速率· 15 .如申請專利範圍第12項之放大器電路,且更進一步 地包含一個電壓鉗位用於爲該第三個電晶體建立一個預 定電壓,該鉗位包含: 第一和第二個二極體串聯結合於一個電流源和一個接地 電位之間;與 一個NPN雙極連接電晶體,其有一個基座被耦合於一個 該電流源的輸出而一個射極被耦合於該第三個電晶體的 該集極· 16 .如申請專利範圍第12項之放大器電路,其中該第一 和第三個電晶體每個都包含達林頓(Darlington)對· 17 .如申請專利範圍第12項之放大器電路,且更進一步 地包含: 一個第一個電壓源用於提供電源到該第一和第二個電晶 體;與 一個不同於該第一個電壓源的第二個電壓源用於提供電 源到該電流源與該第三個電晶體以便放大器電路的輸出 電壓擺幅是大約相等於該第一個電壓源的電壓· -25- 1^1 In In m ^^^1 11 HI tMmeMe HI ^^1 mm·-^eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) ( 210X297公釐) ABCD 310499 六、申請專利範圍 18 ·如申請專利範圍第12項之放大器電路,且更進一步 地包含: 一個二極體結合於該共用的輸出節點與該第三個電晶體 的該集極之間用於在沉下操作期間從該第二個電晶體逸 出電流到該第三個電晶體;與 一個電壓鉗位被耦合於該第三個電晶體的該集極和該二 極體用於在沉下操作期間建立一個預定的較低電壓限制 以防止該第三個電晶體干擾該第二個電晶體· 19 · 一種方法用於控制一個放大器電路的一個輸出電 流,此放大器電路有來源與沉下電路和一個共用的输出 節點結合,該方法包含步驟: 產生一個控制輸出信號於一個放大器電路的放大器級以 反應到放大器電路的一個输入; 提供控制信號到一個鏡映在沉下電路的電流的鏡映電 路; 從放大器電路的來源電路自一個電流源取用電流到鏡映 電路以反應到一個第一個預定的控制信號以便放大器從 一個外在負載沉下電流;與 從電流源提供電流到來源電路以反應到一個第二個預定 的控制信號以便放大器源出電流到外在負載· 2〇 ·如申請專利範圍第19項之方法,且更進一步地包含 步驟: ' -26- ( CNS ) A4«^- ( 210X297^-* ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局貞工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利乾圍 於沉下操作期間,以一個二極體結合於輸出節點與鏡映 電路之間,從沉下電路逸出電流到鏡映電路; 以一個電壓鉗位建立一個預定的電壓在鏡映電路的一個 電晶體的一個集極;與 藉一個電阻器被耦合於電晶體昀射極,限制鏡映電流的 電晶體的高電流範圍以便電晶體於沉下操作期間是不飽 合的並從沉下電路逸出電流· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 -27- 本紙張A度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐)
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