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TECHNISCHES
GEBIET DER ERFINDUNG
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Diese Erfindung betrifft allgemein
das Gebiet elektronischer Vorrichtungen. Die vorliegende Erfindung
betrifft insbesondere eine Verstärkerschaltung und
ein entsprechendes Verfahren.
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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Viele elektronische Schaltungen verwenden Verstärker zum
Manipulieren verschiedener Signale innerhalb der Schaltung. Der
Ausgang des Verstärkers
kann angeschlossen werden, um einer Lastschaltung eine Ausgangsspannung
zuzuführen.
Der Entwurf der Ausgangsstufe kann verschiedene Betriebsaspekte
des Verstärkers
beeinflussen. Beispielsweise können
manche Verstärker
der Last einen hohen Ausgangsstrom zuführen. Andere Verstärker können einen
Ausgangsspannungsausschlag erzeugen, der in etwa dem Betrag der
Versorgungsspannung für
die Verstärkerschaltung
gleicht. Manche Verstärker
müssen
eine Ausgabe bereitstellen, die eine niedrige Übersprechverzerrung aufweist. Wieder
andere Verstärker
müssen
die Verstärkung und
die Stabilität
bei verhältnismäßig hohen
Frequenzen aufrechterhalten. Durch jede dieser Anforderungen werden
Randbedingungen für
den Entwurf der Ausgangsstufe festgelegt.
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Während
des Betriebs verbraucht eine Verstärkerschaltung Strom von einer
Leistungsversorgung. Ein Teil dieses Stroms, der als Ruhestrom bekannt
ist, wird verwendet, um die interne Schaltungsanordnung des Verstärkers vorzuspannen.
Ein niedriger Ruhestrom ist wünschenswert,
weil er den Leistungsverbrauch verringert, wenn der Verstärker bei einer
geringen Last oder ganz ohne Last arbeitet.
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Früher entwickelte Verstärker-Ausgangsschaltungen
haben einige dieser Probleme adressiert. Beispielsweise bieten gemeinhin
als Klasse-A-Schaltungen bezeichnete Ausgangsschaltungen eine niedrige
Ausgangsverzerrung. Leider verbrauchen Klasse-A-Schaltungen schon
an sich große
Ruhestrommengen. Eine zweite Klasse von Ausgangsschaltungen wird
als Klasse-B-Schaltungen bezeichnet. Diese Schaltungen verbrauchen
einen sehr geringen Ruhestrom. Klasse-B-Schaltungen weisen jedoch
eine erhebliche Übersprechverzerrung
auf. Ein Zwitter der Ausgangsschaltungen der Klasse A und der Klasse
B wird gemeinhin als Klasse-AB-Ausgangsschaltungen bezeichnet. Klasse-AB-Schaltungen verbrauchen
mehr Ruhestrom als gleichwertige Klasse-B-Schaltungen, jedoch weniger Ruhestrom
als gleichwertige Klasse-A-Schaltungen. Sie weisen daher eine geringere Übersprechverzerrung
als Klasse-B-Schaltungen, jedoch eine höhere Übersprechverzenung als Klasse-A-Schaltungen
auf.
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Die meisten Verstärker sind Klasse-AB-Ausgangsschaltungen,
um vernünftige Übersprechverzenungsniveaus
bei einem Ruhestrom von möglicherweise
fünf bis
zehn Prozent des maximal zulässigen
Ausgangsstroms zu erreichen. Es ist mit diesen Schaltungen typischerweise
schwierig, erheblich niedrigere Ruhestromniveaus zu erreichen. Überdies beruhen
viele frühere
Verstärkerschaltungen
auf Schaltungen, welche den verfügbaren
Ausgangsausschlag oder den verfügbaren
Frequenzgang verringern, um den Ruhestrom zu verringern.
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In
US
5 285 170 ist ein Operationsverstärker offenbart, bei dem eine
ausschließlich
aus NPN-Transistoren bestehende Ausgangstreiberstufe verwendet wird,
bei der eine Steuerschaltung ein Eingangssignal empfängt und
ein erstes und ein zweites Steuersignal bereitstellt, welche wiederum
einen ersten und einen zweiten NPN-Ausgangstreibertransistor ansteuern,
welche in einer Totem-pole-Konfiguration
zwischen dem ersten und dem zweiten Spannungsversorgungsleiter angeordnet
sind.
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Die Erfindung sieht eine Ausgangsstufe
für eine
Verstärkerschaltung
vor, welche aufweist:
eine Stromquellen-Schaltungsanordnung,
die in der Lage ist, einen Ausgangsstrom an eine externe Last abzugeben,
eine
Stromquelle, die geschaltet ist, um der Stromquellen-Schaltungsanordnung
einen Betriebsstrom zuzuführen,
eine
Stromsenken-Schaltungsanordnung, die an die Stromquellen-Schaltungsanordnung
angeschlossen ist und in der Lage ist, einen Strom von der externen Last
aufzunehmen, wobei die Stromquellen-Schaltungsanordnung und die
Stromsenken-Schaltungsanordnung einen gemeinsamen Ausgangsschaltungspunkt
aufweisen, mit dem beim Betrieb die externe Last verbunden ist,
wobei die Stromsenken-Schaltungsanordnung eine Eingabeeinrichtung
zum Empfangen eines Eingangssignals für die Ausgangsstufe aufweist,
eine
Stromspiegel-Schaltungsanordnung, die mit der Stromquelle verbunden
ist und eine Eingabeeinrichtung zum Empfangen des Eingangssignals
für die Ausgangsstufe
aufweist, welche in der Lage ist, einen in der Stromsenken-Schaltungsanordnung
fließenden
Strom zu spiegeln und geschaltet ist, um den Spiegelstrom von dem
Betriebsstrom der Stromquellen-Schaltungsanordnung zu nehmen, wenn
das Eingangssignal die Stromsenken-Schaltungsanordnung veranlaßt, Strom
aufzunehmen,
eine Diode, die zwischen den gemeinsamen Ausgangsschaltungspunkt
und die Stromspiegel-Schaltungsanordnung geschaltet ist, um die
Stromspiegel-Schaltungsanordnung
zu veranlassen, Strom von der externen Last aufzunehmen, wenn das
Eingangssignal die Stromsenken-Schaltungsanordnung veranlaßt, Strom
aufzunehmen,
eine Spannungsklemme, die mit dem Schaltungspunkt
zwischen der Stromspiegel-Schaltungsanordnung und der Diode verbunden
ist, um eine untere Spannungsgrenze für den Schaltungspunkt zwischen
der Stromspiegel-Schaltungsanordnung
und der Diode festzulegen,
eine erste Versorgungsschiene zum
Anschließen
an eine erste Spannungsquelle, um der Stromquellenschaltung und
der Stromsenkenschaltung Leistung zuzuführen, und
eine zweite
Versorgungsschiene zum Anschließen an
eine von der ersten Spannungsquelle verschiedene zweite Spannungsquelle,
um der Stromquelle und der Stromspiegel-Schaltungsanordnung Leistung
zuzuführen,
so daß der
Ausgangsspannungsausschlag der Ausgangsstufe etwa der Spannung der
ersten Spannungsquelle gleicht.
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Vorzugsweise weisen die Stromsenken-Schaltungsanordnung
und die Stromquellen-Schaltungsanordnung NPN-Sperrschicht-Bipolartransistoren
auf.
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Vorzugsweise weist die Stromquellen-Schaltungsanordnung
einen ersten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor auf, dessen Emitter
an die Basis eines zweiten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistors angeschlossen
ist.
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Vorzugsweise weist die Stromspiegel-Schaltungsanordnung
einen NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor
auf, der einen Emitter-Lastwiderstand aufweist.
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Vorzugsweise weist die Spannungsklemme folgendes
auf:
eine erste und eine zweite Diode, die in Reihe zwischen
eine weitere Stromquelle und die Masse geschaltet sind, und
einen
NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor, dessen Basis an den Schaltungspunkt
zwischen den Dioden und der weiteren Stromquelle angeschlossen ist
und dessen Emitter an die Stromspiegel-Schaltungsanordnung angeschlossen
ist.
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Alternativ weist die Spannungsklemme
folgendes auf:
eine erste, eine zweite und eine dritte Diode,
die in Reihe zwischen eine weitere Stromquelle und die Masse geschaltet
sind, und
ein Darlington-Paar von NPN-Sperrschicht-Bipolartransistoren,
wobei die Eingangsbasis an den Schaltungspunkt zwischen den Dioden
und der weiteren Stromquelle angeschlossen ist und der Ausgangsemitter
an die Stromspiegel-Schaltungsanordnung
angeschlossen ist.
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Vorzugsweise weist die Stromspiegel-Schaltungsanordnung
einen ersten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor auf, dessen Emitter
an die Basis eines zweiten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistors angeschlossen
ist.
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Die Erfindung sieht auch eine Verstärkerschaltung
vor, welche folgendes aufweist:
eine Eingangsverstärkerstufe
mit einem Ausgang,
einen ersten Transistor zum Abgeben von
Strom an eine externe Last,
einen zweiten Transistor zum Aufnehmen
von Strom von der externen Last, wobei ein erster Stromführungsanschluß des ersten
Transistors an einen zweiten Stromführungsanschluß des zweiten
Transistors angeschlossen ist, um einen gemeinsamen Ausgangsschaltungspunkt
zum Anschließen
an die externe Last zu bilden,
einen dritten Transistor, der
einen Steueranschluß aufweist,
welcher an einen Steueranschluß des
zweiten Transistors angeschlossen ist, so daß der Strom im dritten Transistor
den Strom im zweiten Transistor während eines Stromaufnahmevorgangs
in etwa spiegelt,
eine Stromquelle, die an einen Steueranschluß des ersten
Transistors und einen zweiten Stromführungsanschluß des dritten
Transistors angeschlossen ist,
wobei der dritte Transistor
in der Lage ist, ansprechend auf eine erste vorbestimmte Ausgabe
der Eingangsverstärkerstufe
Strom von der Stromquelle von dem ersten Transistor abzuziehen,
wenn der zweite Transistor Strom von der externen Last aufnimmt,
wobei
der dritte Transistor in der Lage ist, die Stromquelle ansprechend
auf eine zweite vorbestimmte Ausgabe der Eingangsverstärkerstufe
zu veranlassen, dem ersten Transistor Strom zuzuführen, so
daß der
erste Transistor der externen Last Strom zuführt,
eine Diode, die zwischen
den gemeinsamen Ausgangsschaltungspunkt und den zweiten Stromführungsanschluß des dritten
Transistors geschaltet ist, um den dritten Transistor zu veranlassen,
Strom von der externen Last aufzunehmen, wenn die Ausgabe der Eingangsverstärkerstufe
den zweiten Transistor veranlaßt,
Strom aufzunehmen,
eine Spannungsklemme, die an den Schaltungspunkt
zwischen dem zweiten Stromführungsanschluß des dritten
Transistors und der Diode geschaltet ist, um eine untere Spannungsgrenze
für den Schaltungspunkt
zwischen dem zweiten Stromführungsanschluß des dritten
Transistors und der Diode festzulegen,
eine erste Versorgungsschiene
zum Anschließen
an eine erste Spannungsquelle, um dem ersten und dem zweiten Transistor
Leistung zuzuführen,
und
eine zweite Versorgungsschiene zum Anschließen an eine
von der ersten Spannungsquelle verschiedene zweite Spannungsquelle,
um der Stromquelle und dem dritten Transistor Leistung zuzuführen, so
daß der
Ausgangsspannungsausschlag der Verstärkerschaltung in etwa der Spannung
der ersten Spannungsquelle gleicht.
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Vorzugsweise weist die Verstärkerschaltung weiter
auf:
einen Widerstand, der in Reihe mit einem ersten Stromführungsanschluß des dritten
Transistors geschaltet ist.
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Vorzugsweise weist die Spannungsklemme folgendes
auf:
eine erste und eine zweite Diode, die in Reihe zwischen
eine Stromquelle und ein Massepotential geschaltet sind, und
einen
NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor, dessen Basis an den Schaltungspunkt
zwischen den Dioden und der Stromquelle angeschlossen ist und dessen Emitter
an den Kollektor des dritten Transistors angeschlossen ist.
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Vorzugsweise umfaßt der erste Transistor ein
Transistorpaar, bei dem der Emitter eines Transistors mit der Basis
des anderen Transistors verbunden ist und der dritte Transistor
die gleiche Konfiguration wie der erste Transistor aufweist.
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Die Erfindung sieht weiter ein Verfahren
zum Steuern eines Ausgangsstroms einer Verstärkerschaltung mit einer Stromquellenschaltung
und einer Stromsenkenschaltung, die an einen gemeinsamen Ausgangsschaltungspunkt
angeschlossen sind, vor, welches die folgenden Schritte aufweist:
Erzeugen
eines Steuerausgangssignals in einer Eingangsverstärkerstufe
der Verstärkerschaltung
ansprechend auf eine Eingabe in die Verstärkerschaltung,
Zuführen des
Steuerausgangssignals zu einer Stromspiegelschaltung, die den Strom
in der Stromsenkenschaltung spiegelt,
Abziehen von Strom von
einer Stromquelle der Verstärkerschaltung
fort von der Stromquellenschaltung zur Stromspiegelschaltung ansprechend
auf einen ersten Wert des Steuerausgangssignals, so daß der Verstärker einen
Strom von einer externen Last aufnimmt,
Zuführen von Strom von der Stromquelle
zu der Stromquellenschaltung ansprechend auf einen zweiten Wert
des Steuerausgangssignals, so daß der Verstärker Strom an die externe Last
abgibt,
Bereitstellen einer Diode, die zwischen den gemeinsamen
Ausgangsschaltungspunkt und die Stromspiegelschaltung geschaltet
ist, um die Stromspiegelschaltung ansprechend auf den ersten Wert
des Steuerausgangssignals zu veranlassen, Strom von der externen
Last aufzunehmen,
Bereitstellen einer Spannungsklemme, die
an einen zweiten Stromführungsanschluß eines
Transistors der Stromspiegelschaltung angeschlossen ist,
Bereitstellen
einer ersten Spannungsquelle zum Zuführen von Leistung zur Stromquellenschaltung
und zur Stromsenkenschaltung und
Bereitstellen einer zweiten
Spannungsquelle, die von der ersten Spannungsquelle verschieden
ist, um der Stromquelle und der Stromspiegelschaltung Leistung zuzuführen, so
daß der
Ausgangsspannungsausschlag der Verstärkerschaltung in etwa der Spannung
der ersten Spannungsquelle gleicht.
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Vorzugsweise sieht das Verfahren
weiter das Begrenzen des Hochstrombereichs des Transistors der Stromspiegelschaltung
durch einen Widerstand vor, der an den ersten Stromführungsanschluß des Transistors
angeschlossen ist.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung sieht eine
Verstärkerschaltung
und ein entsprechendes Verfahren vor, wodurch Probleme beseitigt
oder verringert werden, die mit früheren Schaltungen und Verfahren
verbunden sind. Gemäß einer
Ausführungsform
sieht die vorliegende Erfindung insbesondere eine Verstärkerschaltung
vor, die in der Lage ist, einen in Bezug auf ihren Vorspannungsstrom
hohen Strompegel sowohl abzugeben als auch aufzunehmen. Die Verstärkerschaltung
hat eine Verstärkerstufe,
die zum Steuern einer Ausgangsstufe geschaltet ist. Die Ausgangsstufe
weist eine Schaltung zum Abgeben von Strom an eine externe Last
auf. Zusätzlich
weist die Ausgangsstufe eine Schaltung zum Aufnehmen von Strom von
der externen Last auf. Die Quellen- und die Senkenschaltung können mit
einem gemeinsamen Ausgangsschaltungspunkt gekoppelte Emitterfolgerschaltungen
aufweisen. Die Ausgangsstufe weist auch eine Spiegelschaltung in
der Art eines Sperrschicht- Bipolartransistors
auf, der eine gemeinsame Basis mit der Senkenschaltung aufweist,
welche mit einem Ausgang der Verstärkerstufe gekoppelt ist. Schließlich weist
die Ausgangsstufe eine Stromquelle auf, die sowohl mit der Spiegelschaltung als
auch mit der Quellenschaltung gekoppelt ist. Die Spiegelschaltung
ist zum Spiegeln des Stroms in der Senkenschaltung geschaltet. Auf
der Grundlage der Ausgabe der Verstärkerstufe zieht die Spiegelschaltung
entweder Strom von der Stromquelle von der Quellenschaltung ab oder
verhindert, daß die
Senkenschaltung Strom aufnimmt, indem kein Strom von der Stromquelle
gezogen wird. Daher veranlaßt
die Stromquelle die Quellenschaltung entweder, einen Ausgangsstrom
an eine externe Last abzugeben, oder sie veranlaßt den Senkentransistor, Strom
von der externen Last aufzunehmen.
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Gemäß einem anderen Aspekt der
vorliegenden Erfindung kann die Ausgangsstufe auch eine zwischen
den gemeinsamen Schaltungspunkt der Quellen- und der Senkenschaltung
und einen Ausgang der Spiegelschaltung geschaltete Diode aufweisen.
Auf diese Weise leitet die Diode den Strom zur Spiegelschaltung
um, so daß die
Spiegelschaltung die Senkenschaltung beim Aufnehmen von Strom während eines
Aufnahmevorgangs unterstützt.
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Gemäß einem anderen Aspekt der
vorliegenden Erfindung kann die Ausgangsstufe auch eine Klemmschaltung
aufweisen, die mit einem Schaltungspunkt zwischen der Stromquelle
und der Spiegelschaltung gekoppelt ist. Die Klemmschaltung kann
das Sättigen
eines Transistors der Spiegelschaltung verhindern und auf diese
Weise verhindern, daß die
Spiegelschaltung den Basisstrom des Transistors in der Senkenschaltung
stört.
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Gemäß einem anderen Aspekt der
vorliegenden Erfindung kann in der Spiegelschaltung zwischen dem
Emitter des Transistors und der Spiegelschaltung und einem Massepotential
ein Widerstand aufgenommen werden. Dieser Widerstand steuert die
Anstiegsrate des Stroms in der Spiegelschaltung in Bezug auf die
Senkenschaltung und verhindert auf diese Weise, daß der Transistor
einen übermäßigen Strom
von der Klemmschaltung abzieht, wodurch die Wirksamkeit der Ausgangsstufe
während
des Aufnehmens hoher Ströme
erhöht
wird.
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Ein technischer Vorteil der vorliegenden
Erfindung besteht darin, daß sie
in der Lage ist, einen hohen Ausgangsstrom aufzunehmen oder abzugeben,
selbst wenn sie bei einem niedrigen Ruhestrom vorgespannt ist, um
den Leistungsverbrauch durch den Verstärker zu verringern. Hierdurch
wird die Leistungswirksamkeit des Verstärkers insbesondere bei geringeren
Lasten erhöht
und der Verstärker
mit den Anforderungen moderner Mikroleistungsanwendungen kompatibel
gemacht.
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Ein anderer technischer Vorteil der
vorliegenden Erfindung besteht darin, daß eine gemäß den Lehren der vorliegenden
Erfindung aufgebaute Ausgangsstufe so konfiguriert werden kann,
daß sie
mit einer einzigen Spannungsversorgung betrieben werden kann und
dabei noch mit etwa ein Volt der Versorgung schwingen kann und sehr
nahe beim Massepotential schwingen kann. Der Ausgangsausschlag ist
demgemäß demjenigen
bei den herkömmlichen Klasse-B-Implementationen überlegen.
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Ein weiterer technischer Vorteil
der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß eine gemäß den Lehren der vorliegenden
Erfindung aufgebaute Ausgangsstufe so konfiguriert werden kann,
daß der
Signalweg ausschließlich
durch NPN-Vorrichtungen
verläuft,
um eine große
Bandbreite zu erreichen, ohne daß die Verwendung von Hochfrequenz-PNP-Vorrichtungen
erforderlich wäre.
Solche PNP-Vorrichtungen sind mit vielen Technologien integrierter
Schaltkreise nicht verträglich.
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Ein weiterer technischer Vorteil
der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß gemäß einer Ausführungsform
der Ausgangsspannungsbereich einer gemäß den Lehren der vorliegenden
Erfindung aufgebauten Verstärkerstufe
von einem Wert, der im wesentlichen der Versorgungsspannung der
Ausgangsstufe des Verstärkers
gleicht, bis in etwa zu einem Massepotential reichen kann. Die Verstärkerschaltung
kann diesen Vorteil unter Verwendung von zwei verschiedenen Spannungsversorgungen
erreichen. Die erste Spannungsversorgung stellt der Quellen- und
der Senkenschaltung einen verringerten Spannungspegel bereit. Die
zweite Spannungsversorgung stellt der Stromquelle und der Spiegelschaltung
eine höhere
Spannung bereit. Der Ausgangsspannungsbereich der Senken- und der
Quellenschaltung gleicht im wesentlichen demjenigen der ersten Spannungsversorgung.
Weil nahezu der gesamte bei hohen Lastströmen vom Verstärker verbrauchte
Strom von der ersten Versorgung gezogen wird, ist die Leistungswirksamkeit
für einen
gegeben Ausgangsausschlag erhöht.
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KURZBESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNG
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Für
ein vollständigeres
Verständnis
der vorliegenden Erfindung und ihrer Vorteile wird nun auf die folgende
Beschreibung in Zusammenhang mit der anliegenden Zeichnung Bezug
genommen, in der gleiche Bezugszahlen gleiche Merkmale angeben.
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Es zeigen:
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1 einen
Schaltplan zum Erläutern
einer Ausführungsform
einer gemäß den Lehren
der vorliegenden Erfindung aufgebauten Verstärkerschaltung und
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2 einen
Schaltplan zum Erläutern
einer anderen Ausführungsform
einer gemäß den Lehren der
vorliegenden Erfindung aufgebauten Verstärkerschaltung.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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1 ist
ein Schaltplan, in dem eine Ausführungsform
einer allgemein mit 10 bezeichneten gemäß den Lehren der vorliegenden
Erfindung aufgebauten Operationsverstärkerschaltung dargestellt ist. Der
Verstärker 10 kann
einen Ausgangsstrom an eine Last 12 abgeben oder diesen
aufnehmen. Der Verstärker 10 arbeitet
auch, verglichen mit dem maximalen Strom, den der Verstärker 10 abgeben
oder aufnehmen kann, bei einem niedrigen Ruhestrom. Der Verstärker 10 gibt
eine Spannung an die Last 12 aus, die im Bereich von etwa
dem Wert einer Versorgungsspannung bis hinab zu einem Massepotential liegt.
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Der Verstärker 10 weist eine
Verstärkerstufe 14 auf.
Die Verstärkerstufe 14 kann
eine beliebige Anzahl herkömmlicher
Eingangs- und Verstärkungsstufen aufweisen,
welche eine geeignet hohe Verstärkung
liefern. Eine Eingangsspannung ist an Eingangsanschlüsse 16 der
Verstärkerstufe 14 angelegt.
Der Verstärker 10 weist
auch eine mit der Verstärkerstufe 14 gekoppelte
Ausgangsstufe 18 auf.
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Die Ausgangsstufe 18 gibt
Strom an die Last 12 ab und nimmt Strom von der Last 12 auf.
Die Ausgangsstufe 18 weist einen Quellentransistor 20 und einen
Senkentransistor 22 auf. Wie dargestellt, umfaßt der Transistor 20 einen
einzigen NPN-Sperrschicht-Bipolariransistor. Der Transistor 20 kann durch
ein Paar in einem Darlington-Paar gekoppelter Transistoren, wie
in 2 dargestellt ist,
oder eine andere geeignete Schaltung zum Zuführen eines Ausgangsstroms zur
Lastschaltung 12 ersetzt werden. Der Transistor 22 umfaßt einen
NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor.
Der Kollektor des Transistors 22 ist an einem Ausgangsschaltungspunkt 24 mit dem
Emitter des Transistors 20 gekoppelt. Der Kollektor des
Transistors 20 ist mit einer ersten Versorgungsschiene 28 gekoppelt.
Der Emitter des Transistors 22 ist mit einem Massepotential
gekoppelt. Der Transistor 20 wird durch eine Stromquelle 29 gesteuert.
Die Stromquelle 29 ist an einem Schaltungspunkt 32 zwischen
eine zweite Versorgungsschiene 30 und die Basis des Transistors 20 geschaltet.
Die Stromquelle 29 kann beispielsweise einen geeignet vorgespannten
Stromspiegel oder eine andere geeignete Stromquelle umfassen.
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Die Ausgangsstufe 18 bewirkt
durch die Kombination der Transistoren 20 und 22,
der Stromquelle 29 und eines Spiegeltransistors 34 das
Aufnehmen oder Abgeben eines großen Stroms. Der Kollektor des
Transistors 34 ist am Schaltungspunkt 32 mit der
Stromquelle 29 gekoppelt. Die Basis des Transistors 34 ist
mit einem Ausgang der Verstärkerstufe 14 und
der Basis des Transistors 22 gekoppelt. Der Emitter des
Transistors 34 ist durch einen Widerstand 36 mit
einem Massepotential gekoppelt. Der Widerstand 36 ist gewählt, um
die Rate zu steuern, mit der der Strom im Transistor 34 während eines Aufnahmevorgangs
zunimmt.
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Der Transistor 34 kann den
Transistor 22 dabei unterstützen, einen Strom von der Last 12 aufzunehmen.
Eine Diode 38 ist zwischen den Ausgangsschaltungspunkt 24 und
den Schaltungspunkt 32 geschaltet. Die Diode 38 leitet
den Strom vom Ausgangsschaltungspunkt 24 zum Transistor 34 am Schaltungspunkt 32,
wenn die Spannung am Schaltungspunkt 32 um etwa einen Diodenabfall
kleiner ist als die Spannung am Schaltungspunkt 24. Die
Diode 38 kann beispielsweise eine geeignete Schottky-Diode
umfassen. Die Diode 38 weist auch den zusätzlichen
Vorteil des Schützens
des Basis-Emitter-Übergangs
des Transistors 20 vor einer lawineninduzierten Beta-Beeinträchtigung
auf.
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Eine Klemmschaltung 40 ist
mit dem Schaltungspunkt 32 gekoppelt, um das Sättigen des
Transistors 34 zu verhindern und dadurch den Basisstrom zum
Transistor 22 zu verringern. Die Klemmschaltung 40 umfaßt einen
Transistor 42. Ein Kollektor des Transistors 42 ist
mit der Versorgungsschiene 28 gekoppelt. Ein Emitter des
Transistors 42 ist mit dem Schaltungspunkt 32 gekoppelt.
Eine Basis des Transistors 42 ist an einem Schaltungspunkt 46 mit
einer Stromquelle 44 gekoppelt. Die Stromquelle 44 ist
mit der Versorgungsschiene 30 gekoppelt. Eine erste Diode 48 und
eine zweite Diode 50 sind zwischen den Schaltungspunkt 46 und
ein Massepotential geschaltet. Die Dioden 48 und 50 können als
Diode geschaltete Transistoren oder eine andere geeignete Diode zum
Erzeugen einer Spannung am Schaltungspunkt 46 umfassen.
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Beim Betrieb verstärkt der
Verstärker 10 ein Eingangssignal
an den Eingangsanschlüssen 16,
um ein Ausgangssignal für
die Last 12 am Schaltungspunkt 24 zu erzeugen.
Die Ausgangsstufe 18 kann entweder Strom an die Last 12 abgeben
oder Strom von der Last 12 aufnehmen. Beim Abgeben von Strom
an die Last 12 wird der Ausgang der Verstärkerstufe 14 auf
eine Niederpotentialspannung gelegt. Hierdurch wird bewirkt, daß die Transistoren 22 und 34 einen
unerheblichen Strombetrag leiten. Dies wird als ein "Spenzustand" der Transistoren 22 und 34 bezeichnet.
Es sei bemerkt, daß die
Transistoren 22 und 34 so gekoppelt sind, daß der Emitterstrom
des Transistors 34 im Transistor 22 bei niedrigen
Strompegeln in etwa gespiegelt oder repliziert wird. Weil der Transistor 34 gesperrt
ist, wird die Ausgabe der Stromquelle 29 in die Basis des
Transistors 20 umgelenkt. Dadurch erzeugt die Ausgangsstufe 18 am Schaltungspunkt 24 einen
Ausgangsstrom für
Last 12, und die Spannung am Schaltungspunkt 24 steigt an.
Die Spannung am Schaltungspunkt 24 kann in etwa auf die
gleiche Spannung ansteigen, die an der Versorgungsschiene 28 anliegt,
was nur durch die Sättigungsspannung
des Transistors 20 begrenzt ist. Damit der volle Ausgangsausschlag
verfügbar
ist, muß die
Spannung an der Versorgungsschiene 30 die Spannung an der
Spannungsversorgung 28 um einen Betrag übersteigen, der ausreicht,
um die Basis-Emitter-Spannung des Transistors 20 zu erzeugen
und einen angemessenen Spielraum für den Betrieb der Stromquelle 29 bereitzustellen.
Beispielsweise kann die Versorgungsschiene 28 eine 3-Volt-Quelle aufweisen
und die Versorgungsschiene 30 eine 5-Volt-Quelle aufweisen.
Die Verwendung der beiden Spannungsversorgungen verringert die Verlustleistung
durch die Ausgangsstufe 18, wodurch die Wirksamkeit des
Verstärkers 10 erhöht wird.
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Die Ausgangsstufe 18 kann
auch als eine Stromsenke für
die Last 12 wirken. Um als eine Senke zu wirken, veranlaßt die Ausgangsspannung
der Verstärkerstufe 14 den
Transistor 34, Strom zwischen seinem Kollektor und seinem
Emitter zu leiten. Dies wird als ein "Durchschaltzustand" des Transistors bezeichnet. Der Strom
durch den Transistor 34 wird im Transistor 22,
zumindest bei niedrigen Strompegeln, bei denen der Spannungsabfall
am Widerstand 36 vernachlässigbar ist, gespiegelt. Es
sei bemerkt, daß die
Größe der Transistoren 34 und 22 so skaliert
werden kann, daß der
Strom im Transistor 22 durch ein gewähltes Verhältnis in Bezug zum Strom im
Transistor 34 steht. Der Transistor 34 absorbiert Strom
von der Stromquelle 29, wodurch die Spannung am Schaltungspunkt 32 verringert
wird und der Transistor 20 gesperrt wird. Die Spannung
am Schaltungspunkt 32 nimmt weiter ab, und die Diode 38 leitet
Strom vom Schaltungspunkt 24 zum Schaltungspunkt 32,
während
die Ausgangsspannung am Schaltungspunkt 24 um etwa einen
Diodenspannungsabfall an der Diode 38 größer ist
als die Spannung am Schaltungspunkt 32. Auf diese Weise
leitet die Diode 38 den Strom in den Transistor 34 um,
so daß der
Transistor 34 den Transistor 22 dabei unterstützt, den
Strom von der Last 12 aufzunehmen. Dies verhindert das
Verschwenden des Kollektorstroms des Transistors 34, der
nicht der Stromquelle 29 entgegenzuwirken braucht, wodurch
die Wirksamkeit des Verstärkers 10 verbessert
wird.
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Die Klemmschaltung 40 verhindert,
daß die Spannung
am Schaltungspunkt 32 auf eine Spannung abfällt, die
es dem Transistor 34 ermöglichen würde, in Sättigung zu gehen. Während des
Aufnahmevorgangs neigt die Spannung am Schaltungspunkt 24 dazu,
gegen ein Massepotential abzunehmen. Die Spannung am Schaltungspunkt 32 nimmt auch
zusammen mit der Spannung am Schaltungspunkt 24 ab, solange
Strom durch die Diode 38 geleitet wird. Die Klemmschaltung 40 verhindert
das Abnehmen der Spannung am Schaltungspunkt 32 bis auf
einen Punkt, an dem der Transistor 34 in Sättigung
geht. Die Spannung am Schaltungspunkt 46 liegt etwa zwei
Diodenabfälle über dem
Massepotential. Daher beginnt der Transistor 42 Strom an
seinem Emitter zu leiten, wenn die Spannung am Schaltungspunkt 32 einen
Diodenspannungsabfall über dem
Massepotential erreicht. Hierdurch wird eine Untergrenze für die Spannung
am Schaltungspunkt 32 festgelegt und verhindert, daß der Transistor 34 sättigt. Wenn
die Klemmschaltung 40 zu leiten beginnt, nimmt der Spannungsabfall
an der Diode 38 ab, und die Diode 38 beginnt demgemäß zu sperren.
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Der Widerstand 36 steuert
die Rate, mit der der Strom im Transistor 34 zunimmt. Bei
niedrigen Strömen
gleicht der Emitterstrom des Transistors 34 in etwa dem
Emitterstrom des Transistors 22, wobei angenommen wird,
daß die
Emitterflächen
der Transistoren 22 und 34 in einer Eins-zu-Eins-Beziehung skalieren.
Bei einem hohen Strom verhindert der Widerstand 36 die
lineare Zunahme des Emitterstroms im Transistor 34 mit
dem Emitterstrom im Transistor 22. Hierdurch wird ermöglicht,
daß die
Ausgangsstufe 18 bei einem niedrigeren Vorspannungsstrom
arbeitet, wenn sie Strom aufnimmt und die Spannung am Schaltungspunkt 24 niedrig
ist, wodurch das Leiten der Klemmschaltung 40 erzwungen
wird.
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Die Ausgangsstufe 18 des
Verstärkers 10 ist so
konfiguriert, daß sie
wenigstens zwei zusätzliche Vorteile
bereitstellt. Erstens kann die Ausgangsstufe 18 in bezug
auf ihren maximalen Ausgangsstrom auf einen niedrigen Ruhestrom
vorgespannt werden. Hierdurch wird der Leistungsverbrauch verringert und
die Wirksamkeit des Verstärkers 10 erhöht, so daß der Verstärker 10 mit
den Anforderungen moderner Mikroleistungsanwendungen kompatibel
ist. Zusätzlich
verwendet die Ausgangsstufe 18 in ihrem Signalweg NPN-Transistoren
zum Erreichen einer großen
Bandbreite.
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2 ist
ein Schaltplan, in dem eine andere Ausführungsform einer gemäß den Lehren
der vorliegenden Erfindung aufgebauten und allgemein mit 110 bezeichneten
Operationsverstärkerschaltung dargestellt
ist. Unter Annahme von im schlimmsten Fall auftretenden NPN-Beta-Werten
von etwa 30 und eines die Basis des Transistors 136 speisenden
Vorspannungsstroms von 50 Mikroampere kann der Verstärker 110 einen
Strom in der Größenordnung
von 25 bis 30 Milliampere an eine Last 112 abgeben oder von
dieser aufnehmen. Der Verstärker 110 arbeitet auch,
verglichen mit dem maximalen Strom, den der Verstärker 110 aufnehmen
kann, bei einem niedrigen Ruhestrom. Der Verstärker 110 gibt eine
Spannung an die Last 112 aus, die im Bereich in etwa des
Werts der Leistungsversorgung 146 bis hinab zu einem Massepotential
liegt.
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Der Verstärker 110 weist eine
Verstärkerstufe 114 auf.
Die Verstärkerstufe 114 kann
eine beliebige von einer Anzahl herkömmlicher Eingangs- und Verstärkungsstufen
umfassen, die eine geeignet hohe Verstärkung bereitstellen. Wie dargestellt
ist, umfaßt
die Verstärkerstufe 114 eine
gefaltete BiCMOS-Kaskadenverstärkerstufe.
Eine Eingangsspannung ist an die Eingangstransistoren 116 und 118 der Verstärkerstufe 114 angelegt.
Die Transistoren 116 und 118 umfassen in einer
herkömmlichen
differentiellen Paarkonfiguration geschaltete PMOS-Transistoren.
Der Verstärker 110 weist
auch einen Stromspiegel 120 auf, der mehrere PMOS-Transistoren 122 aufweist.
Der Stromspiegel 120 liefert einen Strom für den Betrieb
des Verstärkers 110.
Die Stromquelle 120 ist mit einer ersten Spannungsversorgung 124 gekoppelt.
Die Verstärkerstufe 114 weist
einen Ausgangstransistor 126 auf. Die Verstärkerstufe 114 liefert
am Source-Anschluß des
Transistors 126 an einem Schaltungspunkt 128 eine
Ausgabe. Der Schaltungspunkt 128 ist mit einer Ausgangsstufe 130 des
Verstärkers 110 gekoppelt.
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Die Ausgangsstufe 130 gibt
Strom an die Last 112 ab und nimmt Strom davon auf. Die
Ausgangsstufe 130 weist eine Quellenschaltung 132 und einen
Senkentransistor 134 auf. Wie dargestellt ist, weist die
Quellenschaltung 132 einen ersten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor 136 und
einen zweiten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor 138 auf. Die
Transistoren 136 und 138 sind zur Bildung eines Darlington-Paars
mit der Basis eines Abschaltwiderstands 140 gekoppelt.
Durch geeignetes Dimensionieren des Widerstands 140 kann
eine Übersprechverzerrung
im Verstärker
minimiert werden. Die Quellenschaltung 132 weist auch einen
Sättigungsverhinderungstransistor 142 auf.
Die Basis des Transistors 142 ist mit der Basis des Transistors 138 gekoppelt. Zusätzlich ist
der Emitter des Transistors 142 mit der Basis des Transistors 136 gekoppelt.
Schließlich
ist der Kollektor des Transistors 142 mit dem Kollektor des
Transistors 138 gekoppelt. Der Ausgang der Quellenschaltung 132 weist
den Emitter des Transistors 138 an einem Schaltungspunkt 144 auf.
Der Kollektor des Transistors 138 ist mit einer zweiten
Spannungsversorgung 146 gekoppelt. Der Kollektor des Transistors 136 ist
mit der ersten Spannungsversorgung 124 gekoppelt. Der Kollektor
des Senkentransistors 134 ist mit dem Ausgangsschaltungspunkt 144 gekoppelt.
Zusätzlich
ist der Emitter des Transistors 134 mit einem Massepotential
gekoppelt.
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Die Basis des Transistors 136 ist
mit der Stromquelle 120 gekoppelt. Die Ausgangsstufe 130 ist
durch die Kombination aus der Quellenschaltung 132, der
Senkenschaltung 134, der Stromquelle 120 und einer
Spiegelschaltung 148 in der Lage, einen großen Strom
in der Größenordnung
von 25 bis 30 Milliampere abzugeben oder aufzunehmen. Die Spiegelschaltung 148 weist
einen ersten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor 150 und
einen zweiten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor 152 auf,
die unter Bildung eines Darlington-Paars mit einem Basis-Abschaltwiderstand 154 gekoppelt
sind. Die Basis des Transistors 150 ist mit dem Schaltungspunkt 128 am
Ausgang der Verstärkerstufe 114 gekoppelt. Der
Kollektor des Transistors 150 ist mit der Spannungsversorgung 124 gekoppelt.
Der Emitter des Transistors 150 ist mit der Basis des Transistors 152 gekoppelt.
Der Emitter des Transistors 152 ist über einen Widerstand 156 mit
einem Massepotential gekoppelt. Der Kollektor des Transistors 152 ist über einen
als Diode geschalteten Transistor 158 mit der Stromquelle 120 gekoppelt.
Der Widerstand 156 ist so ausgewählt, daß er die Rate steuert, mit
der der Strom in der Spiegelschaltung 148 während eines Aufnahmevorgangs
zunimmt.
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Die Spiegelschaltung 148 kann
den Transistor 134 beim Aufnehmen eines Stroms von der
Last 112 unterstützen.
Eine Diode 160 ist zwischen den Ausgangsschaltungspunkt 144 und
einen Schaltungspunkt 162 geschaltet. Die Diode 160 leitet Strom
vom Ausgangsschaltungspunkt 144 zur Spiegelschaltung 148
am Schaltungspunkt 162, wenn die Spannung am Schaltungspunkt 162 um
etwa einen Diodenspannungsabfall kleiner ist als die Spannung am
Schaltungspunkt 144. Die Diode 160 kann beispielsweise
eine geeignete Schottky-Diode umfassen. Die Diode 160 hat
auch den zusätzlichen
Vorteil, die Basis-Emitter-Übergänge der
Transistoren 136 und 138 vor einer lawineninduzierten
Beta-Beeinträchtigung
zu schützen.
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Eine Klemmschaltung 164 ist
mit dem Schaltungspunkt 162 gekoppelt, um zu verhindern,
daß der Transistor 152 der
Spiegelschaltung 148 sättigt
und der Basisstrom zum Transistor 134 verringert wird. Die
Klemmschaltung 164 weist einen ersten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor 166 und
einen zweiten NPN-Sperrschicht-Bipolartransistor 168 auf, die
in einem Darlington-Paar mit einem Basis-Abschaltwiderstand 170 gekoppelt
sind. Der Kollektor der Transistoren 166 und 168 ist
mit der Versorgungsschiene 146 gekoppelt. Der Emitter des
Transistors 168 ist mit dem Schaltungspunkt 162 gekoppelt.
Die Basis des Transistors 166 ist mit der Stromquelle 120 am
Schaltungspunkt 172 gekoppelt. Der erste, der zweite und
der dritte als Diode geschaltete NPN-Sperrschicht- Bipolartransistor 174, 176 bzw. 178 ist
zwischen den Schaltungspunkt 172 und ein Massepotential
geschaltet.
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Der Verstärker 110 weist auch
eine zusätzliche
Kompensationsschaltungsanordnung auf. Beispielsweise umfaßt die Spiegelschaltung 148 einen Kondensator 180,
der zwischen den Kollektor und die Basis des Transistors 152 geschaltet
ist, um eine Miller-Kompensation einer den Transistor 152 enthaltenden
Nebenschleife vorzunehmen. In ähnlicher Weise
ist ein Kondensator 182 zwischen den Kollektor und die
Basis des Transistors 134 geschaltet, um die Kompensation
zu unterstützen.
Schließlich
ist ein Kondensator 184 zwischen den Ausgangsschaltungspunkt 144 und
die Verstärkerstufe 114 geschaltet.
Beim Betrieb verstärkt
der Verstärker 110 das Eingangssignal
an den Eingangstransistoren 116 und 118, um ein
Ausgangssignal für
die Last 112 am Schaltungspunkt 144 zu erzeugen.
Die Ausgangsstufe 130 kann entweder Strom an die Last 112 abgeben oder
Strom von der Last 112 aufnehmen. Beim Abgeben von Strom
an die Last 112 wird der Ausgang der Verstärkerstufe 114 auf
eine Niederpotentialspannung am Schaltungspunkt 128 gebracht.
Hierdurch wird veranlaßt,
daß die
Transistoren 150, 152 und 134 eine unerhebliche
Strommenge leiten. Dies wird als der "Sperrzustand" der Transistoren 150, 152 und 134 bezeichnet.
Es sei bemerkt, daß die
Transistoren 150, 152 und 134 so gekoppelt
sind, daß der
Emitterstrom des Transistors 152 bei niedrigen Strompegeln im
Transistor 134 in etwa gespiegelt oder repliziert wird.
Weil der Transistor 150 ausgeschaltet ist, wird die Ausgabe
der Stromquelle 120 am Transistor 158 in die Basis
des Transistors 136 der Quellenschaltung 132 umgeleitet.
Dadurch bewirkt die Ausgangsstufe 130 das Erzeugen eines
Ausgangsstroms für die
Last 112 am Schaltungspunkt 144, und die Spannung
am Schaltungspunkt 144 steigt an. Die Spannung am Schaltungspunkt 144 kann
soweit ansteigen, daß sie
in etwa der Spannung an der Versorgungsschiene 146 gleicht,
wobei sie nur durch die Sättigungsspannung
des Transistors 138 begrenzt ist. Damit der volle Ausgangsausschlag
verfügbar
ist, muß die
Spannung an der Versorgungsschiene 146 die Spannung an
der Versorgungsschiene 124 um einen ausreichenden Betrag übersteigen,
um die Basis-Emitter-Spannung der Transistoren 136 und 138 zu erzeugen
und ausreichend Spielraum für
das Arbeiten der Stromquelle 120 bereitzustellen. Beispielsweise
kann die Versorgungsschiene 146 eine 3-Volt-Quelle umfassen,
und die Versorgungsschiene 124 kann eine 5-Volt-Quelle
umfassen. Durch die Verwendung zweier Spannungsversorgungen wird auch
die Verlustleistung der Ausgangsstufe 130 verringert, wodurch
die Wirksamkeit des Verstärkers 110 erhöht wird.
Alternativ können
die Versorgungsschienen 146 und 124 mit einer
gemeinsamen Spannungsquelle gekoppelt werden. Gemäß dieser
Konfiguration kann die Ausgangsspannung wegen des Spannungsabfalls
an den Basis-Emitter-Übergängen der
Transistoren 136 und 138 und der Spannungsanforderungen
der Stromquelle 120 innerhalb von etwa zwei Volt der Versorgungsspannung
schwingen.
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Die Ausgangsstufe 130 kann
auch als eine Stromsenke für
die Last 112 wirken. Um als eine Senke zu wirken, veranlaßt die Ausgangsspannung
der Verstärkerstufe 114 den
Transistor 152, Strom zwischen seinem Kollektor und seinem
Emitter zu leiten. Dies wird als der "Durchschaltzustand" des Transistors bezeichnet. Der Strom
durch den Transistor 152 wird zumindest bei niedrigeren
Strompegeln, bei denen der Spannungsabfall am Widerstand 156 vernachlässigbar
ist, im Transistor 134 gespiegelt. Es sei bemerkt, daß die Größe der Transistoren 152 und 134 so
skalieren kann, daß der
Strom im Transistor 134 in einem ausgewählten Verhältnis zum Strom im Transistor 152 steht.
Der Transistor 152 absorbiert Strom von der Stromquelle 120 durch
den Transistor 158, wodurch die Spannung an der Basis des
Transistors 136 verringert wird und die Transistoren 136 und 138 gesperrt
werden. Die Spannung am Schaltungspunkt 162 fällt weiter
ab, und die Diode 160 leitet Strom vom Schaltungspunkt 144 zum
Schaltungspunkt 162, während
die Ausgangsspannung am Schaltungspunkt 144 um etwa einen
Diodenspannungsabfall über
die Diode 160 größer ist
als die Spannung am Schaltungspunkt 162. Auf diese Weise leitet
die Diode 160 den Strom so zum Transistor 152 um,
daß der
Transistor 152 den Transistor 134 dabei unterstützt, Strom
von der Last 112 aufzunehmen. Hierdurch wird verhindert,
daß der
Kollektorstrom des Transistors 152 verschwendet wird, wodurch
die Wirksamkeit des Verstärkers 110 verbessert
wird.
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Die Klemmschaltung 164 verhindert,
daß die Spannung
am Schaltungspunkt 162 auf eine Spannung abfällt, die
ermöglichen
würde,
daß der
Transistor 152 in Sättigung
geht. Während
des Aufnahmevorgangs neigt die Spannung am Schaltungspunkt 144 dazu,
zum Massepotential hin abzunehmen. Die Spannung am Schaltungspunkt 162 nimmt
auch zusammen mit der Spannung am Schaltungspunkt 144 ab,
solange Strom durch die Diode 160 geleitet wird. Die Klemmschaltung 164 verhindert,
daß die
Spannung am Schaltungspunkt 162 unter einen Diodenabfall über Masse
abnimmt, wodurch das Sättigen des
Transistors 152 verhindert wird. Die Spannung am Schaltungspunkt 172 liegt
etwa drei Diodenabfälle über dem
Massepotential. Daher beginnen die Transistoren 166 und 168,
Strom zu leiten, wenn die Spannung am Schaltungspunkt 162 einen
Diodenspannungsabfall über
dem Massepotential erreicht. Hierdurch wird eine Untergrenze für die Spannung am
Schaltungspunkt 162 erzeugt und verhindert, daß der Transistor 152 sättigt. Wenn
die Klemmschaltung 164 zu leiten beginnt, verliert die
Diode 160 an Vorspannung in Durchlaßrichtung und beginnt zu sperren.
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Der Widerstand 156 steuert
die Rate, mit der der Strom im Transistor 152 ansteigt.
Bei niedrigen Strömen
gleicht der Emitterstrom des Transistors 152 in etwa dem
Emitterstrom des Transistors 134, wobei angenommen wird,
daß die
Emitterflächen
der Transistoren 134 und 152 in einer Eins-zu-Eins-Beziehung
skalieren. Bei einem hohen Strom verhindert der Widerstand 156,
daß der
Emitterstrom im Transistor 152 mit der gleichen Rate ansteigt
wie der Emitterstrom im Transistor 134. Dies ermöglicht auch,
daß die
Ausgangsstufe 130 bei einem niedrigeren Vorspannungsstrom
arbeitet, wenn sie Strom aufnimmt und die Spannung am Schaltungspunkt 144 niedrig
ist, wodurch die Klemmschaltung 164 zum Leiten gezwungen
wird.
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Wenngleich die vorliegende Erfindung
detailliert beschrieben wurde, ist zu verstehen, daß daran verschiedene Änderungen,
Ersetzungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne
vom durch die anliegenden Ansprüche
definierten Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Beispielsweise können verschiedene
NPN- und PMOS-Transistoren in den 1 und 2 gegen PNP- bzw. NMOS-Transistoren
ausgetauscht werden. Die Polarität
der Schaltungen 10 und 110 kann demgemäß geändert werden,
um Verstärker
mit einer negativen Spannungsausgabe bereitzustellen.