JP2000515343A - 高利得共通エミッタの出力ステージ - Google Patents

高利得共通エミッタの出力ステージ

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JP2000515343A JP10507113A JP50711398A JP2000515343A JP 2000515343 A JP2000515343 A JP 2000515343A JP 10507113 A JP10507113 A JP 10507113A JP 50711398 A JP50711398 A JP 50711398A JP 2000515343 A JP2000515343 A JP 2000515343A
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Abstract

(57)【要約】 増幅器用の高利得共通エミッタ出力ステージを開示する。一つの実施形態において本発明による増幅器回路の出力ステージ(200)は、ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の抵抗器(206)を介して第1の電位に接続され、コレクタが第2の抵抗器(208)とバイアス電流源(210)との直列接続を介して第2の電位に接続され、ベースが第2の抵抗器とバイアス電流源との間に接続された第1のトランジスタ(202)と、ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電位に接続され、コレクタが負荷素子(216)を介して第2の電位に接続され、ベースが第1のトランジスタ(202)のコレクタに接続された第2のトランジスタ(204)、及び増幅すべき信号を供給する信号電流源(214)とを備える。本発明による出力ステージ(200)は、バイアス条件を安定に保ったままで供給利得が指数的であるため有利である。出力ステージは、また静止状態の間の節電効果により電力の観点からも効率的に動作する。

Description

【発明の詳細な説明】 高利得共通エミッタの出力ステージ発明の背景 1.発明の技術分野 本発明は、アナログ回路用の出力ステージに関し、特に増幅器用の出力ステー ジに関する。 2.関連の技術 増幅器は一般に知られており、単独のアナログ回路およびモノリシック集積回 路(IC)に使用される。増幅器の原理に関する詳細は、例えば、1973年マグロー ヒル社刊行のMalvino,Electronic Principlesを参照されたい。多くの場合増幅 器は複数ステージを含んでいる。これらのステージは、例えば、次に出力ステー ジが続く1ステージ以上の増幅ステージを含むものである。出力ステージが果た す機能の一つは、適切な出力インピーダンスを供給することである。出力ステー ジに増幅機能も備わればいっそう望ましい。 図1は、従来の増幅器の出力ステージ100の略図である。出力ステージ100には 、第1のトランジスタ(Q1)102と、第2のトランジスタ(Q2)104が含まれる。第1 と第2のトランジスタ102、104のエミッタは、まとめて接続されており、供給電 圧(VCC)を受け取る。この理由で、出力ステージは共通エミッタ(common-emitte r)構成を有するともいわれる。第1と第2のトランジスタ102と104のベースは 、共通に接続されている。第1のトランジスタ102のコレクタは、信号電流源(iS )106に接続され、また第1と第2のトランジスタ102と104に共通接続されたベー スにも接続されている。信号電流源(iS)106は、アース(GND)に連結されている。 第2のトランジスタ104のコレクタは、貞荷抵抗RLを介してアース(GND)に連結さ れている。出力電圧(VOUT)は、第2のトランジスタ104のコレクタから得られる 。 従来の出力ステージ100は、同出力ステージ100への入力として働く信号電流源 (iS)106によって駆動される。コレクタ電流(IC)を生成すると、出力ステージ 100は信号電流源(iS)106を利得量だけ増幅する。利得量は、エミッタ領域率、す なわち第2のトランジスタ104のエミッタ領域を第1のトランジスタ102のエミッ タ領域で割った比率(領域Q2/領域Q1)によって決められる。出力ステージは、コ レクタ電流(IC)と負荷抵抗(RL)108との積として出力電圧(VOUT)を生成する。結 果として生じる合成出力電圧(VOUT)は、供給電圧(VCC)の一つの飽和電圧(VEC)範 囲内で最大出力まで変動することができる。 従来の出力ステージ100に関する一つの問題点は、同出力ステージが与える利 得が実際面でかなり制限されることである。具体的に言えば、第1のトランジス タ102の領域またはサイズを、ある所定の最小トランジスタのサイズよりも小形 にできないことである。さらに、領域の拡大に伴う速度の遅延を仮定した場合、 第2のトランジスタ104の領域またはサイズも、装置の速度要件によって制限さ れる。従って、大きな利得が望ましいときでも、従来の出力ステージ100に関し ては、制限された不十分な利得だけしか実用にならない。 従って、増幅器の出力ステージに関しては、高速動作を妨げないで大きな利得 を産出する必要がある。発明の概要 本発明は、概して、増幅器用の高利得共通エミッタ出力ステージに関する。本 発明による出力ステージすなわち増幅器は、バイアス条件を安定に保ったままで 、供給利得が指数的に急増するため有利である。 第1の実施形態において、本発明による増幅器回路の出力ステージは、ベース とエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の抵抗器を介して第1の電位に接 続され、コレクタが第2の抵抗器とバイアス電流源との直列接続を介して第2の 電位に接続され、ベースが第2の抵抗器とバイアス電流との間に接続された第1 のトランジスタと、ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電位 に接続され、コレクタが負荷素子を介して第2の電位に接続され、ベースが前記 第1のトランジスタのコレクタに接続された第2のトランジスタと、増幅すべき 電流信号を供給する信号電流源とを備える。本発明による出力ステージは、バイ アス条件を安定に保ったままで、供給利得が指数的に急増するため有利である。 出力ステージは、静止状態の間は節電効果があるため、電力の観点からも効率的 に動作する。 第2の実施形態において、第1と第2の入力電圧間の差電圧を増幅して出力電 圧を生成する増幅器には、第1と第2の入力電圧を受取って相補電流信号を生成 する第1のバッファ回路と、相補電流信号を受信して第1と第2の入力電圧の差 電圧の増幅バージョンである出力電圧を出力する電流増幅回路と、を具備し、前 記電流増幅回路が相補回路を備える。相補回路は、第1のバッファ回路に接続さ れた第1と第2の回路を含む。第1の回路には、ベースとエミッタとコレクタを 有し、エミッタが第1の抵抗器を介して第1の電位に接続され、コレクタが第2 の抵抗器と第1のバイアス電流源との直列接続を介して第2の電位に接続され、 ベースが第2の抵抗器と第1のバイアス電流源との間に接続された第1のトラン ジスタと、ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電位に接続さ れ、コレクタがそこから出力電圧が得られる出力端子に接続され、ベースが第1 のトランジスタのコレクタに接続された第2のトランジスタと、が含まれる。第 2の回路には、ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第3の抵抗器を 介して第2の電位に接続され、コレクタが第4の抵抗器と第2のバイアス電流源 との直列接続を介して第1の電位に接続され、ベースが第4の抵抗器と第2のバ イアス電流源との間に接続され、かつコレクタが第2の相補回路信号を受信する ため接続された第3のトランジスタと、ベースとエミッタとコレクタを有し、エ ミッタが第2の電位に接続され、コレクタが出力端子に接続され、ベースが第3 のトランジスタのコレクタに接続された第4のトランジスタとが含まれる。増幅 器は、出力端子と第2の入力電圧との間に連結されたフィードバックネットワー クをさらに包含できる。 本発明による増幅器または増幅器用出力ステージの利点には、安定したバイア ス条件を維持しながら利得の向上と、限度一杯の電圧スイング、および省電力機 能が含まれる。本発明の他の態様と利点は、本発明の主要部を例示するため添付 の図面と関連した以下の詳細な説明から明らかにされるであろう。図面の簡単の説明 本発明は添付図面と関連した以下の詳細な説明によって容易に理解されるであ ろう。図面において同様な参照符合は同様な構成要素を示す。 図1は、従来増幅器の出力ステージの略図を示す。 図2は、本発明の第1の実施形態による増幅器の出力ステージの略図を示す。 図3は、本発明の第2の実施形態による相補出力ステージの略図を示す。 図4は、本発明の第3の実施形態による出力ステージの略図を示す。 図5は、本発明の第4の実施形態による出力ステージの略図を示す。発明の詳細な説明 本発明は、増幅器用の高利得共通エミッタ出力ステージに関する。本発明によ る出力ステージは、バイアス条件を安定に保ったままで、供給利得が指数的であ るため有利である。 本発明の実施形態を、図2〜5を参照して以下に述べる。 しかし、当業者には、これらの図面に関して以下に詳述される内容が実施形態の 域を超えたものであっても、それは単に例示目的にすぎないことが容易に理解さ れよう。 図2は、本発明の第1の実施形態による増幅器の出力ステージ200の略図を示 す。出力ステージ200には、第1のトランジスタ(Q1)202と第2のトランジスタ(Q2 )204とが含まれる。第1と第2のトランジスタ202、204のエミッタは、まとめ て供給電圧(VCC)に接続されるゆえに、出力ステージ200は共通エミッタ構成を有 するといわれている。しかし、第2のトランジスタ204は、直接に供給電圧(VCC) に接続されるが、第1のトランジスタ202は、供給電圧(VCC)に第1の抵抗器(R1) 206を介して接続される。 第1のトランジスタ202のコレクタは、第2の抵抗器(R2)208とバイアス電流源 (IB)210との直列接続を介してアース(GND)に接続されている。より詳細には、第 1のトランジスタ202のコレクタは、第2の抵抗器208の第1の側に接続され、バ イアス電流源(IB)210は第2の抵抗器208の第2の側とアース(GND)との間に接続 されている。バイアス電流源(IB)210と第2の抵抗器208の第2の側との接続はノ ード212で連結される。第1のトランジスタ202のベースも、ノード212に接続さ れている。第1のトランジスタ202のコレクタも、信号電流源(iS)214に接続され ている。すなわち、信号電流源(iS)214は第1のトランジスタ202の コレクタとアース(GND)との間に接続されている。信号電流源(iS)214は、直流成 分(iS(DC))と交流成分(iS(AC))とを含む。直流成分はバイアス目的のため静止状 態の間でも存在する。交流成分は、増幅かつ出力される入力電流信号である。 第2のトランジスタ204に関して、第2のトランジスタ204のベースは第1のト ランジスタ202のコレクタ(これは信号電流源(iS)214に接続される)に接続され、 第2のトランジスタ204のコレクタは、負荷抵抗(RL)216を介してアース(GND)に 連結されている。出力電圧(VOUT)は、第2のトランジスタ204のコレクタから得 ることができる。特に、出力電圧(VOUT)は、以下の式1に基づいて決定される。 これによる合成出力電圧(VOUT)は、供給電圧(VCC)の一つの飽和電圧(VEC)の範囲 内で最大出力まで変動することができる。 第2のトランジスタ204のコレクタからコレクタ電流(IC)を生成するとき、出 力ステージ200は、信号電流源(iS(AC))214を利得量だけ増幅する。利得量は以下 の式2によって求められる。 式中、VTはVT=kT/qで求められる熱電圧を表し、kはボルツマン定数、Tは温度 (ケルビン絶対温度単位)、qは電子の帯電規模、ISZは第2のトランジスタ(Q2)20 4の逆飽和電流を示す。 上記の式(2)から明らかなように、出力ステージ200は高電流利得を供給する 。すなわち、第1の抵抗器(R1)206は、信号電流源(iS)214に応答して高電流利得 を生じる。一方、第2の抵抗器(R2)208はバイアス条件を安定化する。第1の抵 抗器(R1)206の両端電圧が、第2のトランジスタ204のエミッタ−ベース接合部に 印加された電圧を増大する一方で、第2の抵抗器(R2)208の両端電圧が同電圧を 低減することに注目すべきである。静止状態(すなわち,(iS(AC)=O)の下で第1 と第2の抵抗器206、208の両端電圧を降下させることは、第1と第2の抵抗 器206、208の作用を無効にするのと等しく、したがってバイアス条件を安定化す る。第1と第2の抵抗器206、208を通過する電流が等しくないと仮定すると、第 1と第2の抵抗器206、208の値(例えば、オーム)は、典型的には等価でなくなる 。モノリシックIC抵抗器を使用することにより、この等電圧条件は、抵抗器のマ ッチングを用いて容易に制御される。第1と第2の抵抗器206、208の両端電圧降 下が基本的に等しい場合、第1のトランジスタ(Q1)のエミッタ−ベース電圧のみ が第2のトランジスタ(Q2)のエミッタ−ベース接合部に印加され、モノリシック プロセス固有のトランジスタマッチングが結果として生じるバイアス条件を十分 に予知できるようにする。すなわち、第1と第2の抵抗器206、208両端の電圧降 下が基本的に等しい場合、第2のトランジスタ(Q2)のエミッタ−ベース接合部に 対して第1と第2の抵抗器206、208に起因する電圧効果の重大な影響は全然ない 。 信号駆動条件の下で、信号電流源(iS(AC))214は、第1の抵抗器(R1)206両端の 電圧降下を増大して第2のトランジスタ(Q2)204内に指数的関連の急増電流変化 を生じさせる。式(2)参照。信号電流源(iS)214が第2の抵抗器(R2)208内を流れ ず、バイアス電流源(IB)210によって作られた効果を打ち消すような事態を招来 することに注目されたい。 第1と第2の抵抗器206、208両端の電圧降下を実質的に等しくすることが望ま しいが、等しい電圧条件を意図的に正確に満たさない場合がある。特に、電圧の 一方を他方より小さくまたは大きくすると、第2のトランジスタ(Q2)204によっ て伝導された静止コレクタ電流(IC)の温度係数が、温度依存バイアスに望ましい ように変化される。このような場合は、第2のトランジスタ(Q2)204のエミッタ −ベース電圧と比較して電圧降下の差を少なく保つと、適切に予知できる静止バ イアスを保持できる。 本発明による出力ステージ200の別の利点は、回路の固定バイアス電流源(IB)2 10が一定に保たれているため、信号電流源(iS)214の極端な信号変動状態の下で も第2のトランジスタ(Q2)204か決してオフにされないように確保されることで ある。換言すると、バイアス電流源(IB)210は、信号電流源(iS)214がゼロになっ たときでも、第2のトランジスタ(Q2)204が確実にバイアスをかけられ ているように保持する。これとは対称的に、図1に示した従来の出力ステージ10 0の場合は、信号電流源iSがゼロになるとトランジスタ(Q2)104はオフにされる。 トランジスタのこのようなオフは、帯域幅を劣化させ歪みを生じるために望まし くない。 図3は、本発明の第2の実施形態による相補出力ステージ300の略図である。 この第2の実施形態において、差動入力電圧(V1-V2)が増幅かつ出力される。出 力ステージ300には、入力ダイヤモンドフォロワ回路302と電流増幅器回路304が 含まれる。 入力ダイヤモンドフォロワ302は、相補入力電圧V1とV2を受け取って、相補電 流信号を電流増幅器回路304に供給する。電流増幅器回路304は相補電流信号を受 信しこの相補電流信号を増幅して出力電圧(VOUT)を出力する。 入力ダイヤモンドフォロワ302には、第1のトランジスタ(Q1)306と第2のトラ ンジスタ(Q2)310が含まれる。第1のトランジスタ306のベースは、入力電圧V1を 受取り、第1のトランジスタ306のコレクタは、電流源(IC)308に接続され、この 電流源(IC)308は正の給電源(VCC)に接続されるが、この第1のトランジスタ306 のコレクタは、負の給電源(VEE)にも連結されている。第2のトランジスタ310の ベースは入力電圧V1を受取り、第2のトランジスタ310のコレクタは正の給電源( VCC)に接続され、第2のトランジスタ310のエミッタは、電流源(IC)312に接続さ れ、この電流源(IC)312は負の給電源(VEE)に接続される。この第2の実施形態に おける第1のトランジスタ(Q1)306はPNP型トランジスタで、第2のトランジスタ (Q2)310はNPN型トランジスタである。 入力ダイヤモンドフォロワ302には、第3のトランジスタ(Q3)314と第4のトラ ンジスタ(Q4)316が含まれる。入力電圧V2は、第3のトランジスタ(Q3)314と第4 のトランジスタ(Q4)316の共通に接続されたエミッタに連結されている。第3の トランジスタ314のベースは第1のトランジスタ306のエミッタに接続され、第4 のトランジスタ316のベースは、第2のトランジスタ310のエミッタに接続されて いる。入力ダイヤモンドフォロワ302は2つの出力(相補)を電流増幅回路304に供 給する。第1の出力は第3のトランジスタ314のコレクタからの出力で、第2の 出力は第4のトランジスタ316のコレクタからの出力である。図2に示し た第1の実施形態と比較して、入力ダイヤモンドフォロワ302からの第1と第2 の出力信号は信号電流源(iS)214に代わっている。 電流増幅回路304は入力ダイヤモンドフォロワ302に連結されて、このフォロワ から2つの出力(相補)を受け取る。電流増幅回路304は相補形の設計であるため 、図2に示した非相補形設計の回路はこの実施形態で基本的に2倍に見える。 電流増幅回路304の一つの相補部分には、第5のトランジスタ(Q5)318と第6の トランジスタ(Q6)320が含まれる。この実施形態では、第5と第6のトランジス タ318と320は、PNP型のトランジスタである。第5のトランジスタ318のエミッタ は第1の抵抗器(R1a)322を介して正の給電源(VCC)に連結されている。第5と第 6のトランジスタ318と320のベースは、まとめて接続されている。第5のトラン ジスタ318のコレクタは、入力ダイヤモンドフォロワ302の第3のトランジスタ31 4から第1の出力信号を受信する。第5のトランジスタ318のコレクタは、また第 2の抵抗器(R2a)324とバイアス電流源(IBa)326との直列接続に接続されている。 バイアス電流源(IBa)326は負の給電源(VEE)に接続されている。第2の抵抗器(R2 a )324とバイアス電流源(IBa)326の接続は、ノード328にて行われる。ノード328 は第5と第6のトランジスタ318、320の共通に接続されたベースに接続してある 。第6のトランジスタ320のエミッタは、正の給電源(VCC)に直接に接続され、第 6のトランジスタ320のコレクタは、出力電圧VOUTを出力する出力端子に接続さ れている。 電流増幅回路304の他の相補部分には、第7のトランジスタ(Q7)330と第8のト ランジスタ(Q8)332が含まれる。この実施形態では、第7と第8のトランジスタ3 30と332とはNPN型のトランジスタである。第7のトランジスタ330のエミッタは 第1の抵抗器(R1b)334を介して負の給電源(VEE)に連結されている。第7と第8 のトランジスタ330と332のベースはまとめて接続されている。第7のトランジス タ330のコレクタは、入力ダイヤモンドフォロワ302の第4のトランジスタ316か ら第2の出力信号を受信する。第7のトランジスタ330のコレクタは、また第2 の抵抗器(R2b)336とバイアス電流源(IBb)338との直列接続に接続されている。次 にバイアス電流源(IBb)338は正の給電源(VCC)に接続されている。第2の抵抗器( R2b)336とバイアス電流源(IBb)338との直列接続はノード340にて 行われる。ノード340は、第7と第8のトランジスタ330、332のベースに接続さ れている。第8のトランジスタ332のエミッタは負の給電源(VEE)に直接に接続さ れ、第8のトランジスタ332のコレクタは出力電圧VOUTを出力する出力端子に接 続されている。 出力ステージ200、300の出力インピーダンスは、共通エミッタ出力ステージに 関連する他の制約である。上述した第1と第2の実施形態に関して、出力端子に おけるトランジスタのコレクタの高インピーダンスは、出力ステージを負荷作用 に対し非常に影響され易くする。それ故に、本発明による出力ステージには、フ ィードバックネットワークをさらに組込んで、トランジスタのコレクタにおける 出力インピーダンスを低減する。出力端子からのフィードバックを利用すること によって、出力ステージは負荷作用に対して影響されなくなる。 フィードバックネットワークの一つの例は、出力端子から、入力電圧V2を受け る入力端子にの直接接続である。このような直接接続は直結フィードバックを生 成してVOUTをV1に追従させる。どのような出力の負担誤差も入力電圧V1と、V2と の間の差を生成して電流増幅回路304に補正駆動させることによって負担誤差を 除去する。 しかし、実際問題として、フィードバックネットワークには、出力ステージの 出力スイング機能(すなわち、ダイナミックレンジ)を完全に実現するため1未満 のフィードバックファクタが必要である。一般にトランジスタ320と332(Q6とQ8 )はそれぞれの電源の飽和電圧の範囲内でスイングすることができる。しかしフ ィードバックネットワークの直接接続型を用いれば、電圧スイング(すなわち、 ダイナミックレンジ)は入力ダイヤモンドフォロワ302(大きな電圧変動は与えな い)によって制限される。従って、1以上の)閉じループ利得(すなわち、1以内 のフィードバックファクタ)の設定によって、入力ダイヤモンドフォロワ302への 入力に加えられるより大きな電圧に出力をスイングさせることが可能である。 図4は、本発明の第3の実施形態による出力ステージ400の略図である。出力 ステージ400は、図3に示した第3の実施形態に、入力ダイヤモンドフォロワ302 と電流増幅器回路304とが設けてある点で類似している。しかし、出力ステージ4 00にはフィードバック回路402がさらに加えられている。フィードバック回路 402は、出力電圧(VOUT)用の出力端子にあるノード342とノード404にある第2の 入力電圧V2との間に連結されている。フィードバック回路402は、分圧器を備え る。分圧器には、ノード404とアース(GND)との間に接続された第1のフィードバ ック抵抗器(Rf1)406と、ノード404とノード342との間に接続された第2のフィー ドバック抵抗器(Rf2)408とが備わっている。閉じループ利得が第1と第2のフィ ードバック抵抗器406と408の数値によって数値が1より大きくなるように設定さ れる。 フィードバック抵抗器406と408に対する数値の選択は、出力ステージ400の特 定用途に伴って変化する。さらに、フィードバック抵抗器406と408に対する数値 の選択には、両立し得ない事項間のトレードオフが関与する。トレードオフは、 僅かな抵抗値を用いて多量の電流(従って電力)が利用できる一方で、高抵抗値を 用いてもDCのオフセットエラーに問題が含まれるなどの例を指す。さらに具体的 には、帰還回路402のフィードバック抵抗器406と408が出力端子からフィードバ ック電流を引き出し、電力効率の検討事項でフィードバック抵抗器406と408を僅 少値に設定させないようにする。しかし、これらのフィードバック抵抗器406と4 08は、一方でトランジスタ314と316(Q3、Q4)に対してエミッタの負のフィードバ ック帰還作用を行い、電流増幅器回路304を駆動するために、これらのトランジ スタ314と316に電流を供給しなければならない。従って、これらのトランジスタ 314と316を用いて高利得を実現するは、フィードバック抵抗器406と408(Rf1、Rf 2 )の抵抗値を小さくする必要がある。 このトレードオフが、抵抗値に関し容認される妥協によって解決されない場合 には、付加バッファを設けてフィードバック電流と各ステージの利得を独自に制 御可能にする。図5は、本発明の第4の実施形態による出力ステージ500の略図 である。第4の実施形態は、付加バッファの設置を除いて、図4に示す第3の実 施形態とほぼ同じである。出力ステージ500において、(第1の)入力ダイヤモン ドフォロワ302、出力バッファ304、およびフィードバック回路402が含まれる以 外に、出力ステージ500は第2の入力ダイヤモンドフォロワ502をさらに含む。 第2の入力ダイヤモンドフォロワ502は、第1の入力ダイヤモンドフォロワ302 と帰還回路402の間に接続されている。第2の入力ダイヤモンドフォロワ502に は、トランジスタ(Q1b)504、およびトランジスタ(Q2b)508が含まれる。トランジ スタ504のベースは、入力電圧V1を受取り、トランジスタ504のエミッタは、正の 給電源(VCC)に接続される電流源IC506に接続され、コレクタは負の給電源(VEE) に接続されている。第2のトランジスタ508のベースは入力電圧V2を受取り、ト ランジスタ508のコレクタは正の給電源(VCC)に接続され、トランジスタ508のエ ミッタは、負の給電源(VEE)に接続される電流源(IC)510に接続してある。 第2の入力ダイヤモンドフォロワ502は、トランジスタ(Q3b)512、およびトラ ンジスタ(Q4b)514をさらに備える。第3のトランジスタ512のベースはトランジ スタ504のエミッタに接続され、トランジスタ514のベースは、トランジスタ508 のエミッタに接続されている。トランジスタ(Q3b)512とトランジスタ(Q4b)514の エミッタは、ノード516にてあわせて共通接続されている。抵抗器(RG)518にも第 2の入力ダイヤモンドフォロワ502が備わっている。抵抗器(RG)518は、トランジ スタ314と316のエミッタを接続するノード520にて、第1の入力ダイヤモンドフ ォロワ302に連結されている。第1の入力ダイヤモンドフォロワ302は、依然とし て2つの(相補)出力を電流増幅器回路304に給送する。従って、この実施形態に おいては、フィードバック抵抗器(Rf1とRf2)406と408は、高抵抗が用いられるト ランジスタ504と508(Q1bとQ2b)のベース電流を供給するだけでよい。さらに、抵 抗器(RG)518は、入力エミッタフォロワ302のトランジスタに対しエミッタの負の フィードバック帰還機能をなす。従って、抵抗器(RG)518は、電流増幅器回路304 を駆動するために電流が必要とするものだけを与えればよいので、高利得を達成 するのに小抵抗値を備えるだけで十分である。 本発明の多くの特徴と利点は上記によって明白であり、従って、添付の請求の 範囲によって本発明のすべての特徴と利点がカバーされるように意図されている 。さらに多くの変更と変化が当業者によって容易に行われるように、本発明を図 解かつ記述された正確な構成どおりに限定する意図はない。従って、発明の範囲 内にてすべての適切な変更及び同等手段をとることが可能である。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成10年5月18日(1998.5.18) 【補正内容】 請求の範囲 1. ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の抵抗器を介して第1 の電位に接続され、コレクタが第2の抵抗器とバイアス電流源との直列接続を介 して第2の電位に接続され、ベースが第2の抵抗器とバイアス電流源との間のノ ードに接続された第1のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電位に接続され、コレ クタが負荷素子を介して第2の電位に接続され、ベースが前記第1のトランジス タのコレクタに接続された第2のトランジスタと、 増幅すべき電流信号を供給する信号電流源と、を備える増幅器回路用の出力ス テージ。 2. 前記電流信号源が、前記第2の電位と、前記第1のトランジスタのコレクタ と前記第2のトランジスタのベースとの共通接続との間に接続された請求項1記 載の出力ステージ。 3. 前記信号電流源により与えられる電流信号がバイアス用の直流成分と、増幅 かつ出力される入力信号を含む交流成分とを含む請求項1記載の出力ステージ。 4. 前記出力ステージが入力信号に対して指数的な利得を与える請求項3記載の 出力ステージ。 5. 前記入力信号が入力電流信号(iS(AC))であり、該入力電流信号は増幅されて 前記第2のトランジスタのコレクタから出力電流信号(iC)として出力されて、 前記指数的利得が次の式に基づいて求められ、 上式において、VTは熱電圧、R1は前記第1の抵抗器の抵抗値、ISは前記第2の トランジスタの逆飽和電流を表す請求項4記載の出力ステージ。 6. 前記負荷素子は負荷抵抗器である請求項4記載の出力ステージ。 7. 前記第1と第2のトランジスタがPNP型トランジスタである請求項6記載の 出力ステージ。 8. 静止状態の下で前記第1と第2の抵抗器両端の電圧降下が実質的に等しい請 求項6記載の出力ステージ。 9. 第1の入力電圧と第2の入力電圧との間の差電圧を増幅して出力電圧を生成 するための増幅器であって、 前記第1と第2の入力電圧を受取り、相補電流信号を生成する第1のバッファ 回路と、 前記相補電流信号を受信し、前記第1と第2の入力電圧の差電圧の増幅バージ ョンである出力電圧を出力する電流増幅回路とを備え、 該電流増幅回路が相補回路を具備して、 前記相補回路が、 前記第1のバッファ回路に接続された第1の回路と、 前記第1のバッファ回路に接続された第2の回路とを含み、 前記第1の回路が、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の抵抗器を介して第1 の電位に接続され、コレクタが第2の抵抗器と第1のバイアス電流源との直列接 続を介して第2の電位に接続され、ベースが第2の抵抗器と第1のバイアス電流 源との間に接続され、コレクタが相補電流信号の第一の部分を受信するように接 続された、第1のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電位に接続され、コ レクタが出力電圧が得られる出力端子に接続され、第2のトランジスタのベース が前記第1のトランジスタのコレクタに接続された、第2のトランジスタとを備 え、 前記第2の回路が、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第3の抵抗器を介して第2 の電位に接続され、コレクタが第4の抵抗器と第2のバイアス電流源との直列接 続を介して第1の電位に接続され、ベースが第4の抵抗器と第2のバイアス電流 源との間に接続され、かつコレクタが相補電流信号の第2の部分を受信するよう に接続された、第3のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第2の電位に接続され、コ レクタが出力端子に接続され、ベースが前記第3のトランジスタのベースに接続 された第4のトランジスタと、 を備える増幅器。 10. 前記第1のバッファ回路が入力ダイアモンドフォロワである請求項9記載 の増幅器。 11. 前記第1のバッファ回路が、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電流源を介して第1の 電位に接続され、ベースが第1の入力電圧を受取るように接続され、コレクタが 第2の電位に接続された第5のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第2の電流源を介して第2の 電位に接続され、ベースが第1の入力電圧に接続され、コレクタが第1の電位に 接続された第6のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第2の入力電圧を受取るよう に接続され、ベースが前記第5のトランジスタのエミッタに接続され、コレクタ が前記相補電流信号の第一の部分を出力するために接続された第7のトランジス タと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第2の入力電圧を受取るよう に接続され、ベースが前記第6のトランジスタのエミッタに接続され、コレクタ が前記相補電流信号の第2の部分を出力するように接続された第8のトランジス タと、 を備えた請求項9記載の増幅器。 12. 前記増幅器が、前記出力端子と第2の入力電圧との間に連結されたフィー ドバックネットワークをさらに備える請求項11記載の増幅器。 13. 前記フィードバックネットワークが分圧器を備える請求項12記載の増幅器 。 14. 前記増幅器が、 出力端子に連結されたフィードバックネットワークと、 前記フィードバックネットワークと前記第1のバッファ回路との間に連結され た第2のバッファ回路とをさらに備える請求項11記載の増幅器。 15. 前記フィードバックネットワークが分圧器を備える請求項14記載の増幅器 。 16. 前記第2のバッファ回路が、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第3の電流源を介して第1の 電位に接続され、ベースが第2の入力電圧を受取るように接続され、コレクタが 第2の電位に接続された第9のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第4の電流源を介して第2の 電位に接続され、ベースが第2の入力電圧を受取るように接続され、コレクタが 第1の電位に接続された第1のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが前記第1のバッファ回路の前 記第7と第8のトランジスタの共通に接続されたエミッタに利得抵抗器を介して 接続され、ベースが前記第9のトランジスタのエミッタに接続された第11のト ランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが前記第1のバッファ回路の前 記第7と第8のトランジスタの共通に接続されたエミッタに利得抵抗器を介して 接続され、ベースが前記第10のトランジスタのエミッタに接続された第12の トランジスタと、 を備えた請求項14記載の増幅器。 17. 前記増幅器が、出力端子と第2の入力電圧との間に連結されたフィードバ ックネットワークをさらに備える請求項9記載の増幅器。 18. 前記フィードバックネットワークが分圧器を備える請求項16記載の増幅器 。 19. ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の抵抗器を介して第 1の電位に接続され、コレクタが第2の抵抗器とバイアス電流源との直列接続を 介して第2の電位に接続され、ベースが第2の抵抗器とバイアス電流との間に接 続された第1のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電位に接続され、コレ クタが負荷素子を介して第2の電位に接続され、ベースが前記第1のトランジス タのコレクタに接続された第2のトランジスタと、 増幅すべき入力信号を受信する手段と、を備える増幅器回路。 20. 前記増幅器が入力信号を増幅し、増幅された出力信号を前記第2のトラン ジスタのコレクタから出力する請求項19記載の増幅器回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の抵抗器を介して第1 の電位に接続され、コレクタが第2の抵抗器とバイアス電流源との直列接続を介 して第2の電位に接続され、ベースが第2の抵抗器とバイアス電流との間に接続 された第1のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電位に接続され、コレ クタが負荷素子を介して第2の電位に接続され、ベースが前記第1のトランジス タのコレクタに接続された第2のトランジスタと、 増幅すべき電流信号を供給する信号電流源と、を備える増幅器回路用の出力ス テージ。 2. 前記電流信号源が、前記第2の電位と、前記第1のトランジスタのコレクタ と前記第2のトランジスタのベースとの共通接続との間に接続された請求項1記 載の出力ステージ。 3. 前記信号電流源により与えられる電流信号がバイアス用の直流成分と、増幅 かつ出力される入力信号を含む交流成分とを含む請求項1記載の出力ステージ。 4. 前記出力ステージが入力信号に対し指数的な利得を与える請求項3記載の出 力ステージ。 5. 前記入力信号が入力電流信号(iS(AC))であり、該入力電流信号は増幅されて 前記第2のトランジスタのコレクタから出力電流信号(iC)として増幅かつ出力さ れ、 前記指数的利得が次の式に基づいて求められ、 上式において、VTは熱電圧、R1は第1の抵抗器の抵抗値、ISは前記第2のトラ ンジスタの逆飽和電流を表す請求項4記載の出力ステージ。 6. 前記負荷素子は負荷抵抗器である請求項4記載の出力ステージ。 7. 前記第1と第2のトランジスタがPNP型トランジスタである請求項6記載の 出力ステージ。 8. 静止状態の下で前記第1と第2の抵抗器両端の電圧降下が実質的に等しい請 求項6記載の出力ステージ。 9. 第1の入力電圧と第2の入力電圧間の差電圧を増幅して出力電圧を生成する ための増幅器であって、 第1と第2の入力電圧を受取り、相補電流信号を生成する第1のバッファ回路 と、 前記相補電流信号を受信し、第1と第2の入力電圧の差電圧の増幅バージョン である出力電圧を出力する電流増幅回路と、 を含み、 該電流増幅回路が相補回路を具備し、 前記相補回路が、 前記第1のバッファ回路に接続された第1の回路を含み、該第1の回路が、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の抵抗器を介して第1の 電位に接続され、コレクタが第2の抵抗器と第1のバイアス電流源との直列接続 を介して第2の電位に接続され、ベースが第2の抵抗器と第1のバイアス電流源 との間に接続され、コレクタが相補電流信号の第一の部分を受信するように接続 された、第1のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電位に接続され、コレク タが出力電圧が得られる出力端子に接続され、ベースが前記第1のトランジスタ のコレクタに接続された、第2のトランジスタとを有し、 前記相補回路は更に、前記第1のバッファ回路に接続された第2の回路を含み 、該第2の回路が、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第3の抵抗器を介して第2の 電位に接続され、コレクタが第4の抵抗器と第2のバイアス電流源との直列接続 を介して第1の電位に接続され、ベースが第4の抵抗器と第2のバイアス電流源 との間に接続され、かつコレクタが相補電流信号の第2の部分を受信するように 接続された、第3のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第2の電位に接続され、コレ クタが出力端子に接続され、ベースが前記第3のトランジスタのコレクタに接続 された第4のトランジスタと、 を有する増幅器。 10. 前記第1のバッファ回路が入力ダイヤモンドフォロワである請求項9記載 の増幅器。 11. 前記第1のバッファ回路が、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電流源を介して第1の 電位に接続され、ベースが第1の入力電圧を受け取るように接続され、コレクタ が第2の電位に接続された第5のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第2の電流源を介して第2の 電位に接続され、ベースが第1の入力電圧を受け取るように接続され、コレクタ が第1の電位に接続された第6のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第2の入力電圧を受け取るよ うに接続され、ベースが前記第5のトランジスタのエミッタに接続され、コレク タが前記相補電流信号の第一の部分を出力するために接続された第7のトランジ スタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第2の入力電圧を受け取るよ うに接続され、ベースが前記第6のトランジスタのエミッタに接続され、コレク タが前記相補電流信号の第2の部分を出力するように接続された第8のトランジ スタと、 を備えた請求項9記載の増幅器。 12. 前記増幅器が、前記出力端子と第2の入力電圧との間に連結されたフィー ドバックネットワークをさらに備える請求項11記載の増幅器。 13. 前記フィードバックネットワークが分圧器を備える請求項12記載の増幅器 。 14. 前記増幅器が、 出力端子に連結されたフィードバックネットワークと、 前記フィードバックネットワークと前記第1のバッファ回路との間に連結され た第2のバッファ回路をさらに備える請求項11記載の増幅器。 15. 前記フィードバックネットワークが分圧器を備える請求項14記載の増幅 器。 16. 前記第2のバッファ回路が、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第3の電流源を介して第1の 電位に接続され、ベースが第2の入力電圧を受け取るように接続され、コレクタ が第2の電位に接続された第9のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第4の電流源を介して第2の 電位に接続され、ベースが第2の入力電圧を受け取るように接続され、コレクタ が第1の電位に接続された第10のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが前記第1のバッファ回路の前 記第7と第8のトランジスタの共通に接続されたエミッタに利得抵抗器を介して 接続され、ベースが前記第9のトランジスタのエミッタに接続された第11のト ランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが前記第1のバッファ回路の前 記第7と第8のトランジスタの共通に接続されたエミッタに利得抵抗器を介して 接続され、ベースが前記第10のトランジスタのエミッタに接続された第12の トランジスタと、 を備えた請求項14記載の増幅器。 17. 前記増幅器が、出力端子と第2の入力電圧との間に連結されたフィードバ ックネットワークをさらに備える請求項9記載の増幅器。 18. 前記フィードバックネットワークが分圧器を備える請求項16記載の増幅器 。 19. ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の抵抗器を介して第 1の電位に接続され、コレクタが第2の抵抗器とバイアス電流源との直列接続を 介して第2の電位に接続され、ベースが第2の抵抗器とバイアス電流との間に接 続された第1のトランジスタと、 ベースとエミッタとコレクタを有し、エミッタが第1の電位に接続され、コレ クタが負荷素子を介して第2の電位に接続され、ベースが前記第1のトランジス タのコレクタに接続された第2のトランジスタと、 増幅すべき入力信号を受信する手段と、を備える増幅器回路。 20. 前記増幅器が入力信号を増幅し、増幅された出力信号を前記第2のトラン ジスタのコレクタから出力する請求項19記載の増幅器回路。
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