TW309616B - - Google Patents

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309616 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（ 1 ) 1 1 | 技 術 範 _ 1 I 本 發 明 係 有 翮 於 半 導 « 電 性 可 抹 除 唯 讀 記 憧 (EEPR0M. 1 I el e c t Γ i C a 1 ly e r as a b 1 e Γ e a d- on ly 臟 e m or y ) 9 特 別 是 有 請 先 1 1 U 於 此 類 裝 置 的 内 部 结 m 〇 閲 讀 1 | η 录 技 轉 A 之 注 1 φ 1 EEPR0M具有霣性程式規劃與抹除的能 力 並 且 在 m 源 供 1 項 再 填 % 1 I 應 已 被 移 除 之 後 仍 能 保 持 其 賁 料 0 不 遇 它 們 受 限 於 每 —^. 1 個 睇 存 胞 可 以 進 行 程 式 規 劃 與 抹 除 的 次 數 限 制 通 常 限 制 本 頁 S·_〆 1 I 在 數 千 次 的 程 式 規 麵 與 抹 除 通 期 〇 整 m m 的 記 憧 單 元 諸 1 1 如 . 個 位 元 姐 或 成 群 的 位 元 組 在 新 賁 訊 能 m 被 寫 入 於 —. 1 1 記 憧 單 元 中 的 一 位 元 或 成 群 的 位 元 之 前 必 須 要 承 受 個 訂 抹 除 m 期 〇 I 全功能的EEPR0M係指記慵糸統的該些部份 其 具 有 對 應 I 1 1 於 記 憧 胞 的 一 位 元 姐 的 —* 個 記 憧 單 元 之 大 小 P 並 因 此 而 可 1 1 Μ 提 供 最 小 一 次 對 記 慵 的 一 個 位 元 組 進 行 的 寫 入 擷 取 〇 埴 乂 可 以 容 許 限 制 其 程 式 規 劃 與 抹 除 埋 期 只 對 需 要 改 變 的 該 些 Ί. I 位 元 組 進 行 並 因 而 可 Μ 增 加 記 憧 元 件 的 射 受 力 〇 全 功 能 | EEPR0M的位元姐可擷取性 躭 使 用 的 觀 點 而 言 亦 可 籣 化 1 1 程 式 規 m 的 操 作 因 為 只 爾 要 將 希 望 進 行 程 式 規 麵 的 資 料 1 1 與資料所要雔存的位址满通予EEPR0M即可 0 不 通 每 — 被 1 1 改 變 的 位 元 姐 之 程 式 規 麵 » 抹 除 K 及 接 蕃 再 程 式 規 劃 的 '1 I 需 要 9 若 整 個 晶 片 痛 要 再 程 式 規 麵 的 話 逋 可 能 霈 要 相 當 1 I 長 的 程 式 規 劃 時 間 〇 此 外 由 於 其 更 形 複 雑 的 理 揮 電 路 的 1 1 m 故 % 躭 密 度 與 成 本 效 益 而 言 全 功能EEPR0M繳纗地落後 1 1 本紙张尺度適用中國®家梯準（CNS ) A4规格（2丨OX297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明说明 2 ) 1 1 在 其 他 的 半 m 鼸 記 憧 技 術 之 後 Ο 髑 全 功 能 的 EEPROM記 憧 1 1 糸 統 包 含 雜 存 胞 的 一 個 核 心 陣 列 > 每 一 胞 各 包 括 有 與 —. 可 /--V 1 I 變 豳 限 值 的 NHOS 霣 晶 Μ 串 m 的 一 個 m 擇 電 晶 髑 〇 此 陣 列 被 請 先 Μ 1 1 | 姐 孅 成 為 列 與 行 $ 一 列 與 行 的 為 父 叉 處 構 成 了 — 個 齡 存 記 讀 背 1 1 僮 胞 的 定 址 位 置 0 之 注 1 • 1 一 種 典 型 的 習 知 技 術 全 功 能 EEPROM核 心 結 構 係 顧 示 於 麵 $ 項 1 I 再 1之中C 由霣性地_接至- -列中所有胞遘擇電晶*21的控 窝 本 裝 制 閛 極 的 —«* 條 特 用 字 元 線 11 所 辨 別 的 列 記 憧 胞 係 等 於 頁 V_X 1 I 可 定 址 空 間 中 的 — 記 憧 頁 〇 每 __. 胞 埋 擇 電 晶 髑 21 與 一 串 1 1 聯 連 接 的 可 變 雎 限 值 電 晶 tt 19共 同 構 成 了 可 睇 存 —_- 偭 位 1 1 元 資 訊 的 一 僩 記 慵 胞 〇 當 . 條 字 元 鑲 11 被 啟 動 時 —> 個 播 訂 揮 霣 晶 fll 21便 將 其 串 m 瀛 接 的 可 變 m 限 值 電 晶 « 19 電 性 I 地 耦 接 至 用 在 該 可 變 臨 限 值 m 晶 鱷 1 9中 纊 取 所 辟 存 資 訊 1 1 I 的 一 條 位 元 線 25 〇 由 於 全 功 能 EEPROM的 位 元 姐 可 定 址 性 之 1 1 故 習 知 技 術 全 功 能 EEPROM的 内 部 資 枓 組 纖 被 限 定 在 由 8 位 元 構 成 一 僩 位 元 姐 〇 可 對 一 m 存 胞 的 一 可 變 m 限 值 霣 晶 1 Η 19的 控 制 閛 極 供 應 纊 取 程 式 規 劃 與 抹 除 電 壓 的 一 條 感 、丨· 1 應 線 15 被 打 斷 成 為 可 將 8緬遽纗的齡存可變豳限值電晶 1 1 1 « 或 一 個 位 元 姐 27的 控 制 閛 極 繡 结 在 起 的 段 播 〇 此 種 1 1 資 料 姐 織 構 埴 使 得 額 外 位 元 組 應 揮 行 媒 1 3 Μ 及 記 懂 胞 的 1 每 一 位 元 姐 之 位 元 組 m 揮 霣 晶 臞 17的 使 用 變 成 必 要 Η 便 1 1 利 用 位 元 姐 邇 揮 行 m 與 位 元 姐 選 揮 電 晶 « 能 夠 只 需 要 ___· 1 I 個 感 應 級 段 m 亦 即 只 有 一 個 位 元 組 便 能 在 程 式 規 劃 的 1 1 1 期 間 僩 別 地 m 定 〇 位 元 組 理 揮 電 晶 黼 17 需 要 相 對 較 大 的 矽 1 1 本紙張尺度適用r國國家梯準（CNS ) A4規格（2】〇X297公釐） 309616 Α7 Β7 經濟部中央標準局只工消费合作社印製 五、發明説明 3 ) 1 1 1 基 觸 面 積 〇 此 外 $ 全 功 能 的 EEPROM通 常 需 要 某 種 的 雄 誤 更 Ί 1 正 作 法 為 了 要 能 夠 偵 m 並 回 復 — 緬 8位元賁料字元中- | 個 失 的 位 元 需 要 有 4個同位位元 埴等於是50X的 核 心 請 先 聞 1 I 記 憶 域 面 積 加 〇 前 述 傳 统 全 功 能 EEPROM的 结 構 特 點 f 讀 背 ιέ 1 1 1 到 百 舫 為 止 » 將 其 密 度 限 m 在 一 百 萬 位 元 的 程 度 〇 之 注 素 1 1 快 閃 EEPR0M的 进 步 » 提 供 了 與 全 功 能 EEPROM有 翡 密 度 問 1 項 1 I 題 的 某 些 答 案 〇 快 閃 EEPROM每 一 紀 憧 胞 使 用 或 二 個 霣 晶 再 填 寫 士 1 丄 Η 但 並 不 包 括 位 元 姐 m 揮 行 嬢 與 位 元 組 雄 揮 霣 晶 H 〇 依 本 JT 1 I 此 種 方 式 快 閃 Em〇H 比 全 功 能 EEPR0M達 到 了 更 為 緊 密 的 1 1 I 設 計 但 它 們 並 無 法 进 行 位 元 組 的 程 式 規 劃 〇 快 閃 EEPR0H 1 1 具 有 由 雠 存 胞 的 BS 塊 或 區 騰 所 構 成 的 最 小 的 寫 入 單 元 〇 通 .1 訂 常 此 些 區 塊 構 成 了 記 憶 陴 列 的 一 或 多 列 〇 快 閃 EEPROM將 1 其 行 依 其 _ 出 9 而 非 依 其 位 元 姐 而 群 集 姐 成 其 行 〇 亦 即 是 1 I 說 所 有 宇 元 的 所 有 位 元 0皆是相鄰的 >快閃EEPROM如此 1 1 I 便 可 K 去 除 全 功 能 EEPR0M的 位 元 姐 選 揮 嬢 與 位 元 姐 選 揮 霣 1 晶 tt 並 可 Μ 因 此 而 m 到 較 高 的 密 度 0 不 遘 > 快 閃 EEPROM 的 大 記 憧 B 塊 限 制 了 螯 僩 晶 片 的 m 命 0 為 了 要 對 — 紀 憧 S 塊 的 個 位 元 姐 m 行 再 程 式 規 劃 整 個 Μ 塊 首 先 必 須 要 被 1 I 讀 出 到 個 暫 時 的 維 持 記 憶 中 通 常 是 — 儸 快 取 記 惕 該 1 1 1 位 元 姐 再 於 維 持 快 取 記 镛 中 被 m 輯 整 涸 的 快 閃 記 憶 區 塊 1 1 再 於 雎 持 快 取 紀 憧 中 的 資 料 得 Μ 被 寫 回 相 同 的 快 閃 記 憶 區 1 塊 中 之 前 » 先 班 歷 一 次 抹 除 m 期 ， 而 埴 使 得 許 多 的 紀 憧 胞 | 承 受 不 必 要 的 抹 除 /寫入埋期 並κ捶差的效益利用可用 1 1 的 糸 肤 快 取 m 憧 空 間 〇 此 外 > 因 為 爾 要 不 必 要 地 抹 除 /寫 1 1 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 經濟部中央橾準局员工消費合作社印^ A7 _ B7_ 五、發明説明（4 ) 入額外的位元姐，若一次僅只有一些位元組需要進行再程 式規劃，便可能會靖加一片快聞晶片的程式規劃時間。 某些先前技藝装置已尋求找出全功掂EEPR0M與快聞 EEPROM之闉的一個折衷。頒予R氕?.6!里里-里-氣里」- 1 1 »- 號案中提出具有全功能與快閃抹除程式規劃兩種横態的一 種晶片。此植設計由傅統EEPR0M紀憧胞中消除了選揮堪晶 艚，但卻Μ較複_的字元嬝解**程序來交換’其仍維持位 元組«揮»與位元姐蠼揮電晶艚’並在每一樹的字元编上 使用了一 «額外的粗大抹除線與粗大抹除霄晶18 °頒予 Radjy的美_専利里憲中擷示了一種方法*其 可以將一快閃記憧®塊鏞減至單一記憶頁，記憧胞的一列 。頒予Talreja的美國専利第5,317 ,535號察中討嫌到—裡 將EEPROM的實料格式由8位元堆加至16位元的一種作法。 頒予Gupta的美_專利第5,353,248«蒹中則描述了在相同 的晶Η上具有相等大小的備份快閃紀憧的一種SRAM °谊可 K籣化程式規劃，但無法對快開記憧進行有效率的利用。 頒予Fujita等人的美圈専利辩5 , 359· 569號案中由使用者 的観點上將快閃記憧的程式規劃加以鼷化，其利用一個快 閃記憧與控制蓽元，在電臞電路板的階蹰管理多個快閃部 件的擷取。 本發明之一目的因此即在於提供一種EEPROM其具有全面 的功簾並得以埋到离密度，而同時能夠減少一俚記憧胞所 須承受的有壓力的程式規劃與抹除蠼期之次數。 本發明之另一目的係在於改進一全功雔EEPROH的賁料之 ^紙张尺度適用中國國家標準^奶丨以規格丨210〆29%^ ) _ 7 - ------γ——，(裝------訂-------C *:Ί· *- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 309616 Λ7 B7 經濟部中央梂华局貝工消費合作社印掣 五、發明説明< 5 ) 1 1 I 寫 适 速 度 0 丨 Z 1 本 發 明 Μ 全 功 能 架 構 提 供 可 匾 段 抹 除 EEPROM的 . 種 新 型 /--S 1 I 内 部 结 構 0 此 種 EEPR0HM 個 記 憧 m 列 被 分 剌 成 為 記 憧 頁 請 k. 1 1 閲 | % 其 每 — 記 憧 頁 再 被 分 剌 為 多 數 個 的 凿 揮 性 可 抹 除 頁 匾 段 讀 背 1 〇 毎 —· 頁 厘 段 各 包 含 多 數 僩 的 個 別 讀 取 可 定 址 的 多 位 元 組 之 注 1 資 料 字 元 〇 頁 段 是 為 最 小 的 程 式 規 劃 可 定 址 資 料 單 元 〇 % 項 1 | 當 相 同 記 憧 頁 中 的 另 一 位 元 姐 需 要 m 行 再 程 式 規 劃 時 頁 再 填 寫 1 區 段 的 使 用 減 低 了 在 記 憧 頁 中 必 須 要 承 受 —· 次 抹 除 與 程 頁 1 I 式 規 豳 通 期 的 未 選 定 的 賁 料 位 元 組 0 此 外 每 -- 多 字 元 頁 1 1 區 段 只 需 要 堪 定 一 條 m 擇 鑲 與 凿 揮 裝 置 相 較 於 全 功 能 1 1 EEPR0M 其 記 憧 胞 的 每 —* 位 元 組 爾 要 一 條 選 揮 媒 與 m 擇 裝 訂 置 0 並 且 一 頁 區 段 中 的 位 元 係 依 _ 出 而 組 孅 在 相 同 頁 1 I 區 段 中 的 所 有 位 元 0之行皆相鄰 而非如同習知技藝全功 1 I 能 EEPR0M的 依 位 元 組 而 組 纖 其 一 位 元 組 的 位 元 0至7必 須 1 1 要 相 鄰 接 在 一 起 0 習 知 技 術 的 記 憧 使 用 —. 棰 錯 誤 更 正 碼 f ECC >單元 •其 —1. 1 通 常 每 一 位 元 組 至 少 更 正 個 位 元 0 本 發 明 使 用 — 種 ECC 1. I 單 元 來 在 每 一 個 多 位 元 組 賁 料 字 元 之 中 更 正 個 位 元 〇 此 1 1 外 t 本 發 明 採 用 了 對 於 使 用 者 而 m 是 透 明 的 9 對 需 要 使 用 1 1 ECC單元來回復任何讀箝的賁料位元的任何記慵字元的自 1 動 更 新 〇 1 I 本 發 明 採 用 —- 排 的 栓 鎖 來 控 制 ~· 條 頁 區 段 慼 應 線 的 放 動 I 0 疽 使 之 能 夠 對 感 應 線 豳 加 高 霣 壓 而 同 時 在 字 元 線 上 維 1 1 I 持 低 電 壓 〇 1 1 本紙张尺度適用中囷圏家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 經濟部中央揉準局貝工消费合作社·！ A7 __B7__ 五、發明説明（6 ) 本發明的架構能夠同時地對實霣上對應於一《記憧核心 列的* 一記憧頁之中的任何或所有的頁區段進行程式規劃 與抹除。埴可以利用一個晶片上低霣壓寫入快取記憶的加 入而達成*該抉取紀憧係作用為使用者與主紀懦核心之間 的一 «級衝器。由於使用者可Μ快逋地將接績的賣料字元 寫入快取記憧之中•因此埴便可以增進寫透的時間。寫入 快取記憶具有與EEPROM記憧核心的多位元組字元組鍇相翡 的一種多位元姐宇元組織。其具有相等於紀憧核心的一記 憧頁之大小*但將串列形式的資料由位元組的程度轉換為 多位元組字元的程度。寫入快取記憧接受來自於使用者的 位元姐形式的資料•並透過位元姐旗禰的使用而追蹤所有 的新資料。當使用者完成輸入新資料時，新_入資料的最 後栓鎖列位址，高效位址位元•決定對應於所_入位址的 核心記憧頁，亦即，列。寫入快取記憶接著以多位元姐字 元的速率，透通一 ECC單元•而由«定的記憧核心列中接 受所有先前的霣料進入快取記憶中，並確保不Κ績自記憶 核心的舊賁料來寫覆新輪入賁料。利用使用頁區段旗禰與 /或ECC錯誤信號· ERR，此裝置接著即僅只將接受新賁料 *或爾要ECC單元將遺失資料予Μ恢復的窝入快取記憶之 中的該些頁區段予以回復。寫入快取記憧如此即具有位元 姐* Μ及多位元姐賁料字元的寫入定址能力與多位元姐賁 料宇元的讀出定址能力。 圖式之籣要說明 圖1為一種習知技術全功能EEPROM核心陣列一部份之電 JL適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公；I ) _ 〇 _ ml I nn nn i nn .^n m· ^^^1 m ，waJ (請先閱讀背面之注意事項再填窩本頁) 309616 A7 B7_ 五、發明説明（7 ) 晶II階靥爾路_。 (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) 圈2為依據本發明姐織的一快閃狀EEPR0M核心一部份之 霣晶黼陏靥電路_。 圓3為本發明採用依據_2中的記镰核心組纖，Μ及對該 核心提供全功能寫入擷取的邇邊邏輯之EE PR0M裝置之霣路 方塊_。 圈4A-4C為依據本發明一寫入狀戆櫬器的操作流程圈。 實施本發明之最佳供式 經濟部中央標準局貝工消費合作社印笨 #考_2，針對本發明之EEPR0M架構的一£憧核心姐孅 將一記憧頁，亦即* 一列中的所有繾存胞，分剌成為2· 4 或更多的頁區段33。每一雠存胞各包含一個胞遘揮電晶體 22以串聯方式連接至可變隳限值齡存電晶«24。較佳的 EEPR0M架構使用一個16位元或32位元的外部位元姐讀取/ 寫入可擷取性。新核心組織將位元線非依位元組或字元· 而依頁區段33而群集起來，其每一頁區段33各包括有多個 資料字元· W便不再爾要使用位元姐«揮線與位元組堪擇 霣晶«。相反地，新架構採用了一條頁匾段邐揮線37，以 及每一頁K段33的使用作為一個灌揮栓鎖的一個頁區段選 揮装置•因此鎺減或消除了空乏横戆埋揮霣晶《的使用痛 求。依另一種方式，前述的頁區段邇揮装置可以製作成為 一個壤揮爾晶«40，如_2中所顧示的。每一頁匾段33中 的資料位元依等级而設置•其相等等鈒的位元群集一起而 形成匾塊。埴是與習知技藝依據位元姐而將位元群集•使 得每一群集的位元皆由等鈒〇的一個位元，等级1的一個位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（8 ) · 元，等鈒2的一涸位元，等等直至等鈒7的一涸位元構成的 悄形不同。在本發明中，若每一頁®段，33，由三十二個 16位元字元構成*則每一頁匾段，33*便會被分剌成為十 六個位元線K塊，31·其每一位元嬢匾塊由相等等级的32 位元構成。例如*在16位元寬的字元結構之慵況下，一個 頁匾段33内等级0的所有位元，在位元鑲匾塊〇* 31中連績 地群集起來•相同頁區段33内等级1的所有位元*在位元 線區塊1中連鑛地群集起來，其未顯示，並繼續下去直至 位元線S塊15，35時為止。 參考圈3，新EEPR0M架構亦採用一 ECC_構，73，Μ漢明 ϋ(Ηβ«·ίηβ code)為基礎，以便偵澜並自動地更正2，4或 更多位元組長度的每一宇元中的任一位元錯誤，其可能會 在記憶核心的一次讀取擷取期間發生。由於較寛字元的緣 故•一種多位元組資料架構的使用大為縮減了矽晶片的面 積，ECC間位位元與資料位元之間的比例亦越小。例如· 要在一個8位元實料字元中更正1個位元便需要使用4涸同 位位元，其為每一賁料字元達到50X的位元寬度埔加* 一 個16位元賣料字元則需要5個_位位元*其埔加為31X，而 一個32位元賁料字元則需要6僩間位位元，其堉加則為19¾。 本發明具有依多麈位元姐字元而設置的一種内部資料架 構，但其可與使用位元姐的糸統溝通。如鼷3中所顧示的 •本發明的電路透遢壩揮將要送出至系統使用者的位元組 之一系列的多工霣路· Μ及多工解訊電路，79，可由糸統 使用者之處接受載入的位元組大小的資料，以及，利用寫 本紙张尺度適用中國圏家梯準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ _ ^^1' n^i m 1 ^^^1 m ^ m m nn ^^^1 TJ - (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 309616 Α7 Α7 Β7 經濟部令央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（9 ) 入快取記憧83的一種多重寫入時鐮的製作，而達成將接鑛 的位元姐大小資料塊群集成為一多重位元姐資料字元。寫 入快取紀值83係具有一核心紀憧頁的大小*並與所有必要 的控制*輯一起被製成一 SRAM*諸如一有限狀軀_器與計 數器，Μ在下面所將銳明的一抹除/寫入遍期的期間，執 行一整個記慵頁的一個讀回通期。 程式規劃係由三僩_期所構成的；一載入邇期* 一讀回 親期•與一載回麵期。程式規劃龌期由一名使用者驅動的 載入麵期闋始•期間系統使用者將新賁料載入寫入快取記 憶83中。與習知的EEPROM的情形相似的•若CEJ；被保持低 狀態 > 使用者通常遒邊UEX接鯽而提供負載時鐮。依另一 種方式*若VEX接嬲保持低狀軀*則負載時鐘亦可Μ进通 CEX接酈而提供。在每一載入《期時•《定位元姐位址的 對應位元組旗檷即被啟動。每一多籯位元組字元有2· 4或 更多的位元姐旗欏•但寫入快取記懂則為位元組寫入可定 址的。WEX外部時鏞糴動一傾指令解礪器•其未被顬現出 來，其作為一種界面，為一寫入狀戆櫬器，WSM 77·而將 指令由糸統使用者轉蹕為控制信號。寫入狀態機器77接著 控制一程式規劃輿抹除蠼期的不同_取與寫人陏段，以及 如後面所將說明的•應當地程式規劃與抹除一僩胞所需要 的«壓與計時》如間習知技術中的紀憶載入*載入遍期W 一個時間完舉協定加Κ終止。 雖然習知技術的EEPROM具有一個指令解碼器，可對糸統 使用者提供對於晶片的内部功能供戆的榇取，但習知技術 -------Γ--{袈-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Λ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明< 10 ) 1 1 EEPR0M限 制 了 糸 統 使 用 者 ，僅 只容許 對 於 —. 些 使 用者 m 戆 1 的 m 取 〇 新 的 EEPR0M架 構 延伸 了此種 指 令 解 碥 器 的使 用 » 1 1 以 授 予 % 統 使 用 者 對 於 所 有的 使用者 播 軀 與 测 轼 撗軀 的 期 請 先 Μ 1 I 取 〇 晶 Η 處 理 一 個 8位元棋戆記錄器 利用使用- -«定的 讀 背 Si 1 1 1 特 定 程、 序 而 透 通 一 欽 驩 寫 入保 嫌協定 % 統 使 用 者可 對 其 之 注 意 1 1 載 入 ____ 儡 «1 要 的 指 令 埋 雒 ID位 元組。 此 m 軀 記 錄 器係 被 指 Ϊ 項 1 | 再 令 解 碣 器 所 讀 取 其 m m 雷的 控制信 號 與 VSH 77 溝通 以 供 % % 本 裝 I 執 行 〇 頁 1 I 接 蓿 載 入 麵 期 之 後 程 式規 副控制 即 被 轉 換 到 USM 77 ， 1 | 而 其 啟 動 讀 回 邇 期 作 為 開始 。在讀 回 通 期 的 期 間· 根 據 1 1 I 載 入 缠 期 終 纗 所 栓 m 的 頁 位址 ，VSM 77開 始 由 字元 m 57 訂 所 界 定 的 對 應 核 心 B 憧 頁 中將 資料讀 入 寫 入 快 取 記憧 83中 '1 〇 快 取 紀 m 位 元 姐 旗 攞 85被利 用来確 保 不 將 由 % 統使 用 者 1 I 所 輸 入 的 任 何 新 賁 料 Μ 由紀 憧核心 讀 出 的 現 存 賁料 加 1 I 寫 覆 0 在 一 核 心 記 憧 頁 的 讀囲 纒期之 中 USH 77監視 來 自 於 ECC單元73的- -僩繒製信虢 ERR 1 11 iik 偵 澜 ECC 73是 1 否 已 更 正 了 至 少 身 — 涵 、 賁 料 字元 。若 ECC 73 真 的 已 經更 正 了 1. I — 個 實 料 字 元 則 甚 至 爭使用 者尚未 任 何 新 資 料載 入 寫 1 I 入 快 取 記 值 83之 中 VSM 77亦 會設立 — 個 對 應 的 程式 規 Μ 1 1 1 頁 段 旗 標 47 -50 並對由頁匾段雄應鑲99- 102所決定 1 的 經 更 正 的 頁 矗 段 繼 鑛 m 行程 式規_ 並 因 而 m 該頁 B 段 1 1 加 以 更 新 0 依 此 種 方 式 晶片 的實料 維 罐 蘸 力 便 得以 績 張 I 0 一 旦 核 心 記 镰 頁 巳 被 寫 至寫 入快取 記 憶 83中 VSH 77即 1 1 | 啟 動 一 抹 除 時 相 其 間 由對 應的頁 匾 段 感 應 嬢 99-102所 1 1 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS > A4規格（2丨OX 297公釐） A7 309616 B7 五、發明説明（11 ) (請先閲讀背面之注^'項再填商本頁) 界定的頁厪段•其頁鼴段旗標47-50已被放動者，將會被 抹除。依此種方式•只有接收到新載入資料•或補要由 ECC 73單元將遣失的資料加W回復的核心記憧頁匾段會被 抹除。因此晶片便會只將滿足至少下列條件之一的頁匾段 加Μ更新：（1)使用者巳將至少一新位元姐載入於寫入快 取記憧83的對*頁®段中；（2)在讀回埋期的期間，一僩 頁區段由記憧核心轉移氇入寫入快取記憧83内，使用ECC 73來更正至少一個錯誤。若沒有任何頁匾段滿足任何先前 敘述的條件•晶片便會整儸放棄程式規Μ通期。但若兩種 條件沒有任一成立*晶片便會只對邇定的頁區段進行再程 式規劃，如此而可凿免在核心記惕頁上的不必要應力，並 因而改進EEPR0M相較於一種習知技術快閃EEPR0M的承受程 度為佳的承受程度。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 WSM 77琨在即可ΜΜ始載回«期*期間它將來自於寫入 快取記憧83的賁料轉送至离霣懕頁矗段43-46·从預備程 式規豳對應的核心紀憶頁匾段。在載回通期的期間· ECC 單元73為毎一 «賁料字元在寫入快取記憧中產生新的同位 位元，並將新的同位位元送至高電壓頁匾段43-46*以備 與來自於寫入快取記憧的資枓一起而寫入記惕核心内。一 旦WSM 77完成載人高霣壓頁匾段43-46 •便只將高程式規 劃霣壓供應給予由先前敘迷的條件所決定的的該些頁區段 。當程式規豳完成時* WS Μ 77將控制轉換回到未顧示的位 址轉換偵澜* ATD*電路*其使用一個位址的轉換來使記 憧元件的内部時鐮與糸統外部時鏟同步· Μ便晶片可以繼 本紙張尺度適用中圃國家梯準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） -14 - 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 A7 B7_._五、發明説明U2 ) 鑛進行正常的讓取撗鑣。 #考_3·記慊核心依據記憧頁分段而被分段。來自於X 埋揮解《器55的一條字元嬢57·界定了一個記憧頁並被糴 接至所有的字元鑲栓賊排* 51-54 · W及記憧區段59-62。 每一記憧厪段59-62係由多僩的頁11段所構成，每一頁B 段個別由一條頁K段感應鑲99-102所界定。一字元嬢栓縝 排5卜54經由其自身的頁匾段感應總99- 1 02而只被_接至 其對應的記憶®段59-6 2。例如*字元_栓鎖排”〇”* 51， 係經由其頁區段想應鎳99而只被鍋接至記憧區段"0”内的 頁區段，59。在正常程式規黼時·宇元鑲栓鑌排51-54的 任何組合皆可Μ被激活•並因而將S定頁區段的頁區段感 應線提升至內部高程式規劃霣壓。習用技術全功能E EPROM 架構的位元組埋揮霣晶觸已由一區段遛擇栓鎖所取代，其 由頁區段旗禰47-50M及堪定字元鎳栓鎖排51-54所驅動。 在記憧核心之上有离電壓頁匾段4 3-46 *可以堪擇性地 將位元繚提升至内部高«壓位準的一列栓鎖。 在記憧核心之下有發展出來控制正常讓取«期，讀回邇 期，載入邇期·與載回邇期中的必要資料通路之新架構。 此架構可K利用时論一正常讀取《期與一個程式規削指令 的賁料通路而得到最佳的解釋。 在由未顧示的ATD霣路所控制的一個讀取«期期間之内 •賁料係利用感應放大器67與69通磡激活的Y邐揮通邊霣 晶»63-6 6而讀取的。賣料位元由想應放大器67讀取•而 間位位元則由鐮應放大器69纊取。當嫌應時間结束時 >主 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ~ _ 1 5 一 -------—；{裝------訂------^. . (請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印掣 S09616 Α7 Β7 五、發明説明（13 ) 時鏟信號，"MCLK" 91，即會降低並將螫個宇元，賁料加 上同位位元，栓鎖進人主栓鎖記錄器71中。最低的情況是 •由MCLK的高至低戆轉換開始，ECC 73矩陣即開始估算由 主栓縝記錄器_出所呈現的新資料。僕時鏟信號，”SCLK” 93，其與MCLK不同時相·即提升至高戆，並令ECC輪出進 入偁栓鎖多工器記錄器75。此借錄器由ECC輸出接受娌更 正的賁料字元•並利用最低效位址位元，95，躭一 16位元 寬的字元而言為A0，魷一 32位元寬的字元而言為A1與A0, 而只由多位元姐資料字元中«擇一個位元組。來自於僕栓 鎖多工器記錄器的轆出直接地騵動晶片_出媛衡器78，其 並額外由OEX接鯽得到其致能信賊。在ATDfS路偵澜到的下 一個位址改變時，SCLK降低，因而提供相等於新資料感應 時間的一緬受控制«資料保持時間。MCU升高以令感應放 大器67與69傅瓛其新_出進人主栓鎖記錄器。 MCLK與SCLK内部時鏟信號係由未顧示的一位址轉換偵測 ，ATD>電路所產生，其使晶片讀取通期與系統時鐘同步 。其亦保鼸晶片免受高鍮出切換霣流所產生的内部電源排 架雜訊所干播。 程式規劃指令以一僩使用者糴動的載入通期開始，在此 埋期期間•來自於系統使用者的_入資料被載人一個低電 JESRAM寫人快取記憶83内，而非如習知技述直接載人一高 電壓頁内。寫入快取記憧83係由字元84加上位元組旗欏85 所組嫌構成·但其可以位元姐為單位寫入* Μ便當使用者 Μ位元姐為單位輸入資料時· 一個輪入多工解訊器79將由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210 X 297公釐） ---------^ ^-- (請先閲讀背面之注ilpm·項再填寫本頁) 訂 A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印家 五、發明説明（U ) 1 1 1 低位址位元95所決定的竈當位元組展現給寫入快取記憶 t Ί I Μ 安 排 成 為 — 多 遍 位 元 組 字 元 〇 寫 入 快 取 記 憶 tIAf 將 使 用 者 所 I _ 入 的 新 實 料 » 與 利 用 將 一 第 九 位 元 » 位 元 組 旗 摞 與 . 宇 請 先 Μ 1 1 I 元 的 每 — 位 元 組 相 U m 起 來 而 由 記 憶 核 心 所 讀 得 的 舊 資 料 讀 背 A 之 注 1 1 相 分 鼸 0 在 一 載 入 m 期 開 始 時 例 如 S 所 有 的 位 元 組 旗 禰 1 I 1 •1 皆 被 設 立 起 來 表 示 此 時 在 寫 入 快 取 記 憧 内 所 有 的 賁 料 係 事 項 1 I 為 顢 賁 料 9 當 _ 回 m 期 開 始 時 1 其 可 VX 來 白 於 核 心 記 憧 的 填 1 •丄 寅 料 加 Μ 取 代 〇 由 % 統 使 用 者 所 m 行 的 每 —* 次 載 入 擷 取 » 頁 ^—/ 1 I 對 應 於 頁 内 埋 定 的 位 元 組 位 址 的 位 元 組 旗 禰 被 重 置 便 1 1 1 此 些 位 址 不 會 被 寫 入 Μ 在 讀 回 週 期 中 形 成 核 心 記 憧 0 如 此 1 1 當 載 回 埋 期 開 始 時 寫入快取記憧83便會包含新載入 的 賁 訂 料 而寫入快取記憧83開始將其内 容 載 入 至 高 電 m 頁 區 段 1 43 -46中 Κ僱寫入至核心紀憧中 ) 1 1 | 每 —· 字 元 m 栓 m 排 51 -54各具有其自己的頁區段旗檷47- 1 1 50 〇 在 一 載 入 m 期 開 始 時 所 有 的 頁 區 Κ8Κ 段 旗 棵 47 -5 〇即被 1 簠 置 以 表 示 沒 有 字 元 栓 鎖 排 5 1 -54 >亦即 •沒有頁區 1' 段 已 被 致 能 〇 若 至 少 有 __. 個 位 元 組 被 載 入 寫 入 快 取 記 憧 83 的 一 個 頁 區 段 中 » 對 應 的 頁 匾 段 旗 禰 47-50即被設立 ，因 1 1 I 而 將 控 制 了 由 一 頁區段感應嬢99 -102所界定的核心記憧頁 1 1 段 的 字 元 鑲 栓 m 排 加 Μ 致 能 〇 載 入 埋 期 强 由 如 同 習 知 技 1 1 術 中 的 一 時 間 结 束 畤 段 協 定 而 结 束 〇 I 由 此 時 闋 始 » 程 式 規 劃 的 控 制 係 圈 於 寫 入 狀 軀 m 器 77 〇 1 此VSM具有驅動内部字元位址位元 > Μ便透縵Y埋揮通通鬣 1 1 I 晶觸63 -6 6而播邊寫入快取記慵83與埋定的核心記憧頁的 1 1 本紙张尺度適用中國國家梂举（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） Λη 一 i f 一 經濟部中央標準局貝工消費合作社印取 A7 B7__ 五、發明説明（15 ) 能力。 4A-4C中騮示WSM的操作潦程圈，其包括在各種指 令棋態下所採取的指令路徑。躭一程式規劃指令棋態而言 •在載入纒期時間结束時段之後，USH會敢動一個釀回通 期。讀回親期中的每一個讀取字元步嫌，如下面所將銳明 的，皆有4儒時相。 時相1 : SRAM行被等化至大約VCC/2。躭是在此等化的 期間》WSM 77可W改變字元位址而無須干擾SRAM的内容。 利用更新通的字元位址，核心可Μ利用賁料感應放大器67 與同位感應放大器69加Κ期取*而舊的原始寶料加上間位 位元即被展現姶ECC電路73。 時相2 :當ECC 73完成.緒誤更正時，它會在其翰出上具 有有效資料以及一姐錯誤信號，ERR 11，若原始資料有需 要迆行更正的話。在此同時，SRAM將位元姐旗檷栓鎖在其 鍮出上，並會維持其栓鎖直至下一緬字元步驟為止。 時相3:讀回，RB，W81將ECC 73輸出埋接至寫入快取 記憧83_人，而WSM 77則査估位元組旗攞。 時相4:字元中的每一位元組皆具有其自己的未顧示的 SRAM寫入時鏟信號*其只在對應的位元姐旗欏已在前一時 相中被解讀為設立時，才會由WSM 77之處來到。若位元組 旗捕被解讀為重置*表示此位置包含了新載入的資料*寫 入快取記憶SRAM便不會為對應的位元姐接受一個寫入時鐘 •使得新載入的實料得以保存在寫入快取記憧中。

在整個讀回邐期的期間，WS Η 77監視ECC錯誤信號· ERR 111，如BI4A中的時相2所顳示的。當一個字元利用ECC 73 本紙張尺;ϊϋ用中國囷家梂率（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 一 1 8 一 ------.—A，衣— (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) 訂 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印装 A7 B7_ 五、發明説明Ue ) 將其更正而被讀回畤* ERR 11信號即被設立·ΜΜ即會設 立對應於字元«栓鎖排5卜54的頁區段旗檷47 - 50，若其 尚未被載入通期所設立的铦。 未顯示於式中的，WSM 77琨在即可開始進行對晶片上 的電壓泵充«的程序*並接著啟動抹除時相。只有其頁匾 段旗檷47-50有被設立的字元嬢栓鎖排51-5 4才會接受抹除 電壓。對應的核心記憧頁區段即被抹除。VSM 77亦由未顬 示的晶片上計時器逸行投粟決定，以结束抹除時相。在抹 除時段结束時· WSM 77執行一次抹除回復的搡作，亦即， 將高爾壓排放於雄定的感應嬢蹑段段落上。 接蕃· WSM 77Μ始載回«期。再一次地，它掃過字元位 址空間•且每一載回字元的步驟亦再次銳明如下具有4個 時相。 時相1: SRAM行被等化至大約VCC/2。躭是在此等化的 期間· VSM 77可改變字元位址而_須干擾SRAM的内容。 時相2:未顯示的SRAM感鱺放大器讀取新資料，直到下 個字元步驟之前•此新實料會被栓鎖停留在SRAM輪出，87 之上。 時相3 : ECC 73被切換進人其同位產生棋鏞中，其ϋ入 适通賁料鼸潦排，107·而被連接至SRA Η輪出87上。此多 工功能係由主栓縝記錄器71所提供的•其具有由讀回信虢 RB 103與載回倍虢LB 104所控制的兩個_人。在時相3結 束時· ECC 73輸出間位位元89已慯妥•並將所要與SRAH資 料位元· 87* —起寫入的有效新同位資料展現在踴潦排 本紙張尺度適用中鬮Β家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐) ~ --------丨丨ί------IT------^ . . (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局爲工消费合作社印袈 309616 A7 _ B7_五、發明説明（w ) 109上 ° 時相4 : SRAH_出纊衡器87糴動匯涑排107，而ECC同位 _出緩衡器89則_動麵滾排109，其透遢竈當的Y瓖揮通IA 霣晶1163-6 6與核心位元媒而將新字元寫入高電懕頁區段 43-46中。 MSM 77啟動寫人時相。再一次地，只有其頁匾段旗標47 -50已被設立的字元線栓鎖排5卜5 4才會送出高程式規W« 壓至其頁區段感應鐮99-102上。在每一個激活的記憶區段 59-62之中*只有設立高霣壓頁栓鎖的位元線會真的得到 高電壓，並因此而在蹯的核心列上寫入至雠存胞中。被埋 定字元媒57亦得到高II壓》WSM 77M晶片上計時器投粟決 定是否结束此寫入時相。在寫入時段的終端時，WSM 77執 行一次位元嬢囲復的搡作•亦即*將高霣壓排放於遘定的 位元鑲上》其後一條字元線即回復。WSM 77現在使晶片上 高電壓泵排放•並再鼸闢時將晶片的控制派送給ATD電路 ，以便晶片能构繼續其讀取的棋態。 本發明的電路•利用為習知技術的方法引入3倾新位元 以投粟決定一 «WSM 77的寫入狀戆，而亦可執行可中*載 入«期。在一谰載入«期開始時，所有的3個新狀戆位元 在下面所贍说明的一 «寫入β期的不同黏上皆被厪置。 位元：L 0 A D Τ I Μ Ε - 0 U T W A R Ν I N G (載人時間结束警告> - 在一載入麵期的鐮時闋结束時段的75«已過去之後被設立 •並保持設立直到雛開VS Η時為止。 位元：ERASE ACTIVE (抹除激活）-在讀回與抹除畤相 I I I ^ 1 裝—— I I I 訂 I II _^ . (請先閲讀背面之注意事項再填窩本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2IOX297公釐） 20 309616 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 五、 發明説明 (18 ) 1 1 I 期 間 被 設 立 〇 丨 | 位 元 • VR ITE ACTIVE ( 寫 入 激 活 ) - 在 讀 回 與 寫 入 時相 I 期 間 被 設 立 0 先 1 1 閱 I 一 涸 典 型 的 可 中 斷 載 入 通 期 會 播 循 下 列 的 流 程 讀 背 I I 部 份 1 使用者糸統利用載入- -個撗戆ID · 其清除寫入 之 注 1 快 取 記 憧 SRAM 並 告 知 晶 片 勿 在 載 入 通 期 完 成 時 進 行 核心 1 項 1 | 更 斬 而 啟 始 --- 個 寫 入 快 取 記 憧 淸 除 加 上 僅 P 載 入 m 期。 再 個 尚 先 的 Mr 要 求 到 達， 寫 若 在 此 載 入 通 期 的 期 間 有 —» 較 優 中 頁 1 I 使 用 者 糸 統 便 可 Μ 安 全 地 同 意 中 騰 要 求 ) 並 暫 時 中 止 此載 1 1 入 週 期 〇 在 其 他 處 理 程 序 離 開 時 使 用 者 % 統 應 依 下 列方 1 1 式 使 用 狀 m 詢 問 能 力 訂 - 利 用 在 相 闻 的 位 址 上 接 纗 地 讀 取 m 期 而 檢 査 變 換 位元 I 是 否 仍 颺 激 活 表 示 WSM亦仍激活t 若變換位元正在變換 1 1 1 ， 則 使 用 者 糸 狭 應 檢 査 LOAD TIME - OUT WARN IHG 位 元 〇若 1 1 其 仍 属 簠 置 狀 態 則 使 用 者 % 統 仍 有 至 少 25%的鑲載入通 期 時 間 结 束 時 段 來 完 成 載 入 資 料 因 而 可 Μ 安 全 地 繼 纗道 1. J 行 載 入 m 期 〇 若 變 換 位 元 正 在 變 換 但 LOAD Τ IME- OUT 41 1 WARN ING位元已屬設立 >則使用者糸統便應令晶片完成時 1 1 間 结 束 時 段 並 在 變 換 位 元 停 止 變 換 表 示 VSM不再屬激 1 1 活 棋 鐮 之 後 9 再 罐 试 m 績 進 行 載 入 〇 1 1 - 若 變 換 位 元 已 不 颺 激 活 則 使 用 者 % 統 即 可 m 行部 I 份 2 I 部 份 2 :- -僅只載入應作為横態I D而被載入Μ利用中斷 1 1 能 力 而 m 鑛 載 入 遍 期 〇 狀 戆 詢 問 所 提 供 的 父 議 應 依 上 述的 1 1 本紙張尺度適用中國S家標率（CNS ) Μ規格（2丨〇X297公釐） 21 A7 B7 五、發明説明（19 ) 方式使用。 部份3:在載入颺期完成時*亦即，當雖然使用者糸統 已«理而將所有的新位元姐載入於«定的頁中*或當使用 者糸統可Μ翮斷所有較离優先權的中斷時，即可Μ給予晶 片一個最终載入加上程式規«横II ID，Μ令其Μ載入於寫 入快取記憧内的新寶料更新核心。 最終載入事實上可Μ為空的。晶Η會瞩察正常的載入埋 期時間结束時段，並道行程式規劃。正是由於最終載入可 Μ為空的•使得最終載入横戆可Μ被中贩。由於晶片使用 晶片上的計時器來計數載入時間结束•一個中斷便不會阻 止晶片堆入程式規劃。事實上，緊接在給予最終載入加上 程式規劃棋軀ID之後》使用者糸統便可以進行另一程序。 ------；--{取------訂------C • · (請先閲讀背面之注意事項再填窩本頁) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印装 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐> 22

Claims (1)

1. 修正•ί 補充 補充 申請專利範圍 Α8 Β8 C8 D8 85.12. -7 修正袁 ί. 一棰利用三届通期將資枓寫入其主記憶核心被區分為 多數«記憶頁與一寫入快取記憶形式的電性可抹除可程式 規劃（EEPROM)唯續記憶陣列中之方法，其特激為： (a) 使用者將位元組大小的資料綸入該寫入快取記憶中； (b) 由一選定的主記憶頁中讀回多位元組的資料並進入 寫入快取記憶中；與 (c) 由寫入快取記憶中載回多位元組的資料並進入主記 憶核心中。 2 .如申請專利範園第1項之方法，其中大到位元組大小 資料單元的一個記憶頁在使用者輸入週期期間被依續載入 寫人快取記憶中，並為進人寫入快取記憶中的每一個新位 元姐大小資料單元啟動一快取記憶旗檷位元。 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注^h項再填窩本頁) 3 .如申謫専利範圍第2項之方法，其中利用阐種載入横 態*該使用者_入遇期可被選揮性地中斷而不影響該讓回 與載回通期，該兩模態包含在可啟動一載入時間完畢埋期 的期間之中由一使用者輪入資料而不需進至讀回週期的第 —僅供載入横態，以及用來在使用者已完成鎗入資料之後 進至讓回遇期，並可選擇性地直接進至講回埋期而不箱使 用者_入資料的第二最終載入與程式規削横態； 該使用者輸入週期係利用啟動下列程序而被選擇性地中 斷 (a )在啟動一僅供載入横態時，若在載入期間肯接收到 中斷，則離開載入遇期並處理該中斷； (b)在由處理該中斷的程序中返回後，査證該僅供載入 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS > A4说格（210X297公釐） 1 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 85.12. -7 修五本 則量 否時 , 定 序指 程一 入的 載期 供通 僅畢 一 完 另間 動時 啟入 即載 否該 若否 ’ 是 效定 有決 8即 仍效 否有 是« 態仍 横若 入等 載便 纗， 堪效 點失 一 經 之已 到期 收週 接畢 被完 斷間 中時 由入 即載 效量 失 '時 未定 尚指 若於 , 多 效若 失則 未否 尚 ， 會 便 料 資 的 入 _ 與 前 ； 先期 有邐 所人 後載 其供 ’ 僅 效一 失另 期動 邇啟 BF CM 毒 0 完 間 時 ， 入除 載去 待被 完 在 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 --------(-裝-- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -13 Jsf -Ty ,τ 』 1 υ 重 U 許專其 i 取圼 並!!容謫，II讀被 後 入 遇園 回範 謓利 許 容 而申 此如 因 4 並 Ϊ 閉丨 Ψ 時 } 段 四(a區 有 憧 為 澂 特 其 , 具 態 期 横 週 _ ' 〇 回 規4°*e f 1 程員每 ―Ϊ <9 a 申 入 其 眩 I , 痛 0 ^ ^Μ ^ « 啟 2 .Jg I 2 期第 記1 内 頁 憶 記 該 由 要 所 出 發 時 同 憶 記 取 快 資 組 元 位 多 其 址 位1 的 元 字 料 資 組 元 位 多 係 元 字 料 路 電 正 更 誤 錯一 給 送 錯 效 有一 出 發 BC 正 更Μ 加 要 需 元 字 料 資 組 元 位 多 若 準週 瞄回 即讓 , 該 正在 更 Μ W 加段. 要區 需憶 元記 字的 料來 資出 組取 元讀 位所 多元 若字 , 料 號資 信組 元元 位位 誤多 的 毀 垮 將 fic 孩Μ 序 程 的 剷 規 式 程 再 與 除 .， 抹新 1 更 行Μ 進加 時段 端區 終憧 期記 輪 憶 記 取 快 入 寫 向 指 出. 幢 的 路 0 正 3 誤 錯 於 白 來 將 定 選 中 憶 記與 取 .. 快料 入資 寫入 定 _ 判者 來用 估使 査有 的納 元容 位否 摞是 旗處 取之 快址 Μ 位 並憶 ’ 記 入的 有 沒 中 址 位 的 定 S 在 示 表 動 啟 被 未 元 位 檷 旗 取 快 若 於快 自若 來則 為否 s» Μ 號 , 信 憶入 記寫 取緬 快一 入收 寫接 能出 致II 便向 在指 存的 料路 資® 入正 _ 更 者誤 用錯 使該 本紙张尺度適用中阁阖家標準（CNS ) Α4说格（2Ι0Χ297公釐） 4T 2 309616 85.12. 修正本 Λ8 B8 C8 D8 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印製 六、 申請專利範圍 1 1 取 旗 禰 位 元 有 被 啟 動 便闞閉 寫 入 快取 記 憧 使之 停止接收 1 1 一 寫 人 信 號 其 時 來 g 於錯誤 更 正 電路 的 該 指向 鎗出便不 1 1 I 會 被 寫 人 於 寫 入 快 取 記 憧之中 〇 請 先 1 I 閲 5 . 如 甲 請 專 利 範 園 第 4項之方法 其中多位元組資 料字 讀 普 1 I 面 I I 元 的 整 個 主 記 憧 頁 在 一續回 遇 期 中被 纊 取 〇 之 1 注 1 6 . 如 甲 謫 専 利 範 園 第 4項之方法 其中來自於錯誤 更正 意 事 1 項 1 罨 路 的 該 指 向 至 寫 入 快 取記憶 輪 人 牽涉 到 將 多位 元組資料 再 填 字 元 分 剌 成 為 個 別 的 位 元組大 小 的 資料 單 元 ，並 依績將一 寫 本 頁 裝 1 多 位 元 姐 資 料 字 元 每 ___. 位元組 大 小 的資 料 單 元指 向至寫入 1 1 快 取 記 憶 輸 TSW 入 〇 1 I 7 . 如 甲 謫 專 利 範 園 第 4項之方法 其中在讓回週期 终端 訂 時 抹 除 程 序 被 啟 動 以 將位址 對 應 於由 快 取 旗標 位元所決 1 定 而 寫 在 寫 入 快 取 記 憶 中的新 資 料 ，以 及 位 址對 應於由該 1 1 有 效 錯 誤 位 元 信 號 所 決 定的經 更 正 多位 元 資 料字 元之記憶 1 1 區 段 予 Μ 抹 除 〇 8 . 如 甲 請 專 利 範 園 第 1項之方法 其中每- -載回週 期具 I 有 四 時 相 其 特 微 為 1 I (a )w閉寫入快取記憶並發出對應於所要寫人於主 記惕 1 1 核 心 中 之 — 快 取 記 憧 位 址； 1 1 (b)致能寫人快取記憶並由其輸出該快取記憧位址 之内 1 容 1 1 I (C)將該寫入快取記憧内容指向- -同位元產生霣路 Μ供 '1 產 生 對 應 於 該 寫 入 快 取 記憶内 容 的 同位 位 元 ;與 Λ 1 1 (<1)將該寫人快取記憶内容與同位位元程式規劃進 人主 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

   六、申請專利範圍 記憶核心的遴定記憧區段中。 9 .如申請專利範園第8項之方法，其中整個選定的主記 憶核心頁在一個讀回週期中被讓出|且該寫入快取記憶内 容與同位元|被寫入該主記憶核心的由該快取記憶位址與 該選定主記憶核心頁的組合所決定的一個記憶位置中。 10. 如申謫専利範園第8項之方法，其中該间位產生電路 在產生該同位位元之前將該寫入快取記憧内容结合成為一 多位元組字元。 11. 如申誦専利範園第8項之方法，其中該堪定的記憧區 段，係利用在該使用者輸入遇期中被寫入於該寫入快取記 Λ 憶的使用者输入資料之位址，與在該讀回資料遇期中的任 何遺失資料的位址的組合所決定的。 1 2 . —種電性可抹除可程式規劃唯纊記憧（E E P R 0 Μ),其包 含： 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 由多數個的設置成列與行的一儷陣列的記憶胞所構成之 主記憶核心•該些記惽胞更被群組成多數涸的記憶單元， 每一記憶單元各包含一多位元組資料字元段落與一同位位 元段落； 可供擷取一記憧單元之資料字元段落的資料睡流排： 可供擷取一記憶單元之同位位元段落的同位睡流排， 該EEPR0M記憶之特激為； 可供堪擇性地在該資料匯流排與同步匯流排中進行栓鎖 的主栓鎖； 可供由該主栓鎖中接收該被栓鎖於資料匯流排與同位睡 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210X2W公釐〉 4 經濟部中央標準局爲工消费合作社印策 309616 cs $· 12.〜γ _^_聲正▲ r 六、申請專利範圍 滾排中的銪誤更正控制（ECC)單元•該ECC單元選擇性地產 生對應於該同位位元段落的一更正過的多位元組資料字元 ，或對ϋ於該多位元組賁料字元段落的一組新同位位元； 與 可供選擇性地依鑛將來自於該ECC單元的該多位元組資 科之每一位元組/鐃送至一組位元組大小的_入與輸出引 線的輪出資料繞送裝置。 13. 如申謫專利範園第12項之電性可抹除可程式規削唯 讀記憶，其中該同位位元之數量相對於多位元組資料字元 之數量的比例係低於5 0 »：。 14. 如申請専利範圈第12項之電性可抹除可程式規劃唯 讀記憶*其中該記憶核心更被分刹成為個別可抹除且可程 式規劃的次頁區段，其包含多數個的該些記憶單元*各由 耦接至所有該痤記憶單元的一區段選擇線所界定的每一次 頁區段再被耦接至一次頁區段中的所有該些記憶單元*每 一次頁區段透過該區段選擇裝置而為個別可定址，每一次 頁區段係為一記憶頁的一個整合的分削部份。 1 5 .如申請專利範圃Μ 1 4項之電性可抹除可程式規副唯 譲記憶，其中所有的次頁區段具有相等的大小。 16.如申請專利範.園第14項之電性可抹除可程式規削唯 讀記憶，更包含一高II壓頁可供傳送程式規_與抹除霣壓 位準至該次頁區段的每一記憶單元，該高電）Ε頁被分剌為 獨立而可選揮性地啟動的高電壓區域，其每一高轚懕頁區 域具有相等的大小，並對應於一個分離的次頁區k。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ~ (裝------訂------产 . - - (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 309616 六、申請專利範圍 經濟部中央標率局貞工消费合作社印製 唯 1IJ 規 式 程 可 除 抹 可 性 霄 之 i 0 項 2Γ元 I位 位 同! 含 包 更 第 圃 範 利 專0 申 如 憧 記 讀 器 動 驅 送 將 地 性 擇 選 供 可 唯0 。 規 0^ 流程 匯可 位除 同抹 該可 至 性 接電 耦之 元項 I 2 ΒΒΓ 1 CC第 rl-1_ aH~ 範 利 專 讁 甲 如 該 由 元 位 位 司 新 姐 該 憶憶中 記記元 讀的單 含 包 更 小 大 的 頁 (請先聞讀背面之注項再填寫本頁) 心料潦 核資匯 憶的料 記小資 主大該 於組至 等元接 相位耦 有一置 具的裝 , 個 出 憶數 _ 記多有 於 置 設 並 取 快 入 寫 具 憶 記 取 快 入 寫 該 收 接 元 單 C C E 該 由 纊 依 〇 地組 性元 擇位 遘一 憧每 記的 取元 快字 入料 寫資 該組 且元 , 位 排多 第 圃 範 利 專 謫 申 如 唯 劃 規 式 程 可 除 抹 可 性 電 之 元 〇 字置 料裝 資4的 姐號 元信 位制 多控 為入 可寫 有的 具離 — 憶分 項 0〇 記個 I取一 快受 人接 寫而 該組 中元 其位 , 個 憶一 記每 讀的 唯0 規 式 程 可 除 抹 可 性 電 之 項 8 11 第 園 範 利 專 讅 甲 如 出設賁 輪人組 與 S 元 入的位 «i小多。 該大該中 由組將之 可元續憶 , 位依記 置些並取 裝該，快 送將中該 繞，元於 料入字存 霣 _ 入儲 入的II元 输小料位 一大資 一 含組組每 包元元的 更位位元 , 收多字 憶接一入 記線於 _ 讀引置料 唯 劃 規 式 程 可 除 沫 可 性 電 之 項 ο 2 第 圈 範 利 專 謫 申 如 快資 該入 ’ _ 元該 位自 檷來 ί ® , 取中 快憶 含記 包取 更快 憧該 記於 取存 快醏 入於 寫應 該反 中係 其元 ， 位 憶檷 記旗 讀取 動 啟 而 元 字 入 輪 料 資 組 元 位 多i 的 置 裝 送 繞 料 唯 劃 規 式 程 可 除 抹 可 性 電 之 項 2 第 範 利 專 請 申 如 於 應 反 器 櫬 態 狀 入 寫 該 中 其 且 憧 ’ 記元 鱭單 含 包 更 E 更 該經 視一 監生 以產 來元 起單 接CC 耦ί 被 其 器 機 態 狀 人 寫 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 309616 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 禰 旗 1 的 中 憶 記 取 快 入 寫 該 動 啟 而 元 字 料 資 組 元 位 多 。 的元 正位 ( 裝 訂 | * ‘ · (請先閏讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局—工消費合作社印袈 本紙張尺度適用中B鬮家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7