CN102768859A - 一种eeprom擦写控制装置 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于存储技术领域，提供了一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，所述装置还包括：作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元；分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接，管理所述EEPROM存储单元与SRAM缓冲单元之间映射关系，分发处理数据的缓存和擦写的存储映射控制器；以及与所述存储映射控制器电连接，监测电源掉电过程，在系统电源跌落到阈值范围以下时，向所述存储映射控制器发送预刷写信号的电源管理单元。本发明实现了对EEPROM存储单元的零延时访问，可以大幅提高EEPROM的擦写和编程次数，拓展EEPROM存储单元的擦写寿命。
Description
技术领域
本发明属于存储领域，尤其涉及一种EEPROM擦写控制装置。
背景技术
作为一种非易失性的存储设备，电可擦写可编程只读存储器（ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）被用来存放掉电后需要保持的数据。EEPROM的数据更新需要使用特殊的电压先擦除后再编程，其擦除和编程的次数，也即EEPROM的寿命是有限的。
图1示出了现有EEPROM操作处理方式，系统接口101提供对EEPROM存储单元的擦除、编程、读等操作接口，EEPROM存储单元102为EEPROM物理存储介质。
常见EEPROM的寿命在100万次左右，而擦除和编程的时间一般长达几毫秒。因此，在一些需要频繁更新EEPROM存储内容的应用场景中，EEPROM的寿命以及擦除和编程的时间都限制了整个系统的设计。
发明内容
本发明实施例提供了一种EEPROM擦写控制装置，旨在解决普通EEPROM中擦除和编程次数较少，以及擦除和编程时间较长的问题。
本发明实施例是这样实现的，一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，所述装置还包括：
作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元；
分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接，管理所述EEPROM存储单元与SRAM缓冲单元之间映射关系，分发处理数据的缓存和擦写的存储映射控制器；以及
与所述存储映射控制器电连接，监测电源掉电过程，在系统电源跌落到阈值范围以下时，向所述存储映射控制器发送预刷写信号的电源管理单元。
本发明实施例实现了对EEPROM存储单元的零延时访问，可以大幅提高EEPROM的擦写和编程次数，拓展EEPROM存储单元的擦写寿命。
附图说明
图1是现有技术中EEPROM擦写操作处理示意图；
图2是本发明实施例提供的EEPROM擦写控制装置的结构图；
图3是本发明实施例提供的存储映射控制器的结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术发明实施例及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例增加SRAM缓冲区，通过对SRAM缓冲区和EEPROM存储单元的存储映射控制，实现对EEPROM存储单元的零延时访问，大幅拓展EEPROM存储单元的擦写寿命。
图1示出了本发明实施例提供的EEPROM擦写控制装置的结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分。
系统接口201与存储映射控制器202电连接，为EEPROM存储单元205的擦除、编程、读写等操作提供接口。
存储映射控制器202负责管理EEPROM存储单元205与SRAM缓冲单元203之间的映射关系，以及分发处理数据的缓存和擦写。
SRAM缓冲单元203与存储映射控制器202电连接，作为EEPROM存储单元205活跃区域的映射缓存区。
如图3所示，当发生SRAM缓冲区数据命中时，命中数据映射单元2021控制将EEPROM存储单元205的数据访问直接映射到对SRAM缓冲单元203的数据访问，从而实现零延迟的数据读/写功能。
当发生SRAM缓冲区数据建立时，失效命中数据刷写单元2022将SRAM缓冲单元203中失效的命中数据刷写到EEPROM存储单元205中，并建立新的数据命中。
电源管理单元204与存储映射控制器202电连接，负责监测电源掉电过程，为存储映射控制器202提供预刷写信号。
当系统电源跌落到阈值范围以下时，电源管理单元204发送预刷写信号至存储映射控制器202，低电数据刷写单元2023根据电源管理单元204的预刷写信号将所有SRAM缓冲单元203中命中区的数据刷写到EEPROM存储单元205中。
EEPROM存储单元205与存储映射控制器202电连接，为整个装置提供EEPROM物理存储介质。
作为本发明的一个优选实施例，增加错误校验（Error Checking andCorrecting，ECC）单元206，与存储映射控制器202电连接，负责对EEPROM存储单元205的数据读写提供ECC校验，确保数据的准确性。
本发明实施例通过存储映射控制器202和SRAM缓冲单元203实现对EEPROM存储单元205的零延时访问并大幅拓展EEPROM存储单元205的擦写寿命。
在本发明实施例中，存储映射控制器202对SRAM缓冲单元203的数据命中率可以达到95%以上，对于一个5ms擦写时间、100万次擦写寿命的EEPROM存储单元205，可以扩展为零延时访问速度，达到100W/(1-95%)=2000万次擦写寿命，可以大幅提高EEPROM的擦写和编程次数，并实现对EEPROM的零延时读写处理。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，其特征在于，所述装置还包括：
作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元；
分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接，管理所述EEPROM存储单元与SRAM缓冲单元之间映射关系，分发处理数据的缓存和擦写的存储映射控制器；以及
与所述存储映射控制器电连接，监测电源掉电过程，在系统电源跌落到阈值范围以下时，向所述存储映射控制器发送预刷写信号的电源管理单元。
2.如权利要求1所述的EEPROM擦写控制装置，其特征在于，所述装置还包括：
与所述存储映射控制器电连接，对所述EEPROM存储单元的数据读写进行校验的错误校验单元。
3.如权利要求1所述的EEPROM擦写控制装置，其特征在于，所述存储映射控制器包括：
当发生SRAM缓冲区数据命中时，将所述EEPROM存储单元的数据访问直接映射到对SRAM缓冲单元的数据访问的命中数据映射单元；
当发生SRAM缓冲区数据建立时，将所述SRAM缓冲单元中失效的命中数据刷写到EEPROM存储单元中，并建立新的数据命中的失效命中数据刷写单元；以及
当系统电源跌落到阈值范围以下时，根据所述电源管理单元发送的预刷写信号，将所有SRAM缓冲单元中命中区的数据刷写到EEPROM存储单元中的低电数据刷写单元。
Priority Applications (1)
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| CN2012102410552A CN102768859A (zh) | 2012-07-12 | 2012-07-12 | 一种eeprom擦写控制装置 |
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| CN2012102410552A Pending CN102768859A (zh) | 2012-07-12 | 2012-07-12 | 一种eeprom擦写控制装置 |
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| CN (1) | CN102768859A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111381535A (zh) * | 2018-12-25 | 2020-07-07 | 佳能株式会社 | 信息处理装置及信息处理装置的控制方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1145684A (zh) * | 1995-03-17 | 1997-03-19 | 爱特梅尔股份有限公司 | 具有快擦写类存储器芯体的电可擦可编程只读存储器阵列 |
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2012
- 2012-07-12 CN CN2012102410552A patent/CN102768859A/zh active Pending
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