TW308706B - - Google Patents

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經濟部中央橾準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明係有關於使用在，例如，一半導髏裝置製造方 法中的一種膜形成装置。 過去，在該半導髏装置中，一多晶矽膜已經被使用在 一廣大的範圍中，如一電晶體的一閛極。持別是該装置之 微細度進入一深次微米範圍内，在一接觸通道之一埋入電 極形成的情形下，一高可靠性材料之矽膜是不可或缺的。 基於此需要，目前對於在該多晶矽膜上摻入一雜質之方法 上的研究在未來必須更上一層樓。 再者，用以形成摻入一雜質，例如，一磷（P)的一多 晶矽膜其中多數方法包括藉由離子植入而將磷敲擊入一多 晶矽膜並且再進行一退火製程的一方法，或者用以在該多 晶矽膜之表面上使用一 P0C13氣髏形成一 p2〇s膜並且接箸 進行一擴散製程。此外，做為利用一熱壁式蓮原CVD的一 方法，一在原位的方法（一種用以同時地進行膜生産與摻 入雜質的方法）也是習知的。 但是，藉由離子植入將磷摻入該多晶矽膜中的該方法 的缺點是在該多晶矽中的晶體被該離子植入之襄波打破。 此外·使用一P0C13氣醱的該方法的缺點是晶圖之横寬上 的濃度均勻性很差並且必須有刮削該P2〇s膜的步驟。 另一方面，該在原位的方法並沒有上述的這些缺點並 且其慶點是在該膜中之磷濃度可以藉由諏整摻入氣體之流 量來控制。因此，該在原位的方法藉由*例如，垂直式熱 處理装置而被廣泛地實施。 在使用該垂直式熱處理装置來實施該在原位之方法的 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） — nn^—— H!J I I I I —訂 (請先^讀卑面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 303706 A7 B7_ 五、發明説明（2 ) 情形下|在設計上僳可以使一膜形成氣體與一膝氣由該熱 處理装置之該反應管底部供懕出來而形成沿該反應管向上 的一氣流，當該氣流向上移動時該磷被消耗並且貧化，並 且因此相對於該等晶画之磷濃度的面對面（在該等晶圓 之間）均匀性會被破壞。 基於以上所述，申請人已經研究了具有在第6圖中所 示之结構的垂直式熱處理裝置，在第6圖中所示之垂直式 熱處理装置將在以下簡短地説明。樣號9表示一雙管结構 的一反應管，在該反應管9之下端處偽設置有一主氣髏進 入管90、以及具有副氣髏進入管91、92與長度互不相同之 排氣管93的一技管94。首先，具有多數，例如，100値晶 囫W安装於其上的一晶舟95由其一下端開口被一舟升高機 送入該反應管9而將該等晶圖W載入該反應管9中。當該 等晶圓W被載入時，該反應管9之内部《由一加熱器96被 加熱到一固定溫度，接著，例如，一單矽烷（S i Η *)氣體以 及一瞵（Ph3)氣體以，例如，氮氣加以稀釋並且由該主氣 髏進入管90供應進入該反應管9而將該排氣管93抽真空， 使得該反應管9之内部可以保持一定之真空度。同時，當 該瞵（Ph3)氣體以，例如，氮氣加以稀釋並且由該等副氣 體進入管91與92之末端開口供應到該反應管9中時，一薄 膜藉由欲處理之氣體的氣相反應而形成在該晶國表面。 在在前述熱處理装置中，因為該磷之一短少部份偽由 該等副氣髏進入管9 1與92來浦償，該磷濃度之面對面均勻 性增加*如第7圖中所示，因為流出該等副氣醱進入管9 1 -5 - 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先聞讀^面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央橾準局負工消f合作社印製 A7 _ B7_ 五、發明説明（3 ) 與92之末端開口的鱗氣在其後端部份地擴散|在第7圖中 所示之曲線中之磷濃度的底部偽位在該底側（上游側）而 非該等副氣髏進入管91與92之末端。 此外，以另一種方法而言，在日本專利公開第45529/ 1995號中掲露一種方法，在這種方法中，一反應結氣體進 入管之末端被關閉，並旦具有設置在該反應氣體進入管之 中段之多數氣體注入孔之長度互不相同的一或多値噴嘴（ 摻入氣體供應管）被用來礤濃度之面對面均勻度。 由於最近有半導體装置更高结合度以及其圖案更細小 的趨勢，膜品質之可容許範圍相當地窄。在第6圖中所示 之熱處理装置中，該膝氣擴散出該副氣體進入管91與92之 末端開口，並且該瞵氣可以被補贫到在下游没之一相當遠 的位置，但是有仍有某些視氣髏流量的差異。其優點偽在 於即使該副氣體進入管9 1與92之長度被很粗略地設定，仍 可以得到高均勻性之磷濃度，有肋於該裝置的設定。 但是，如第7圖中可以了解，在這熱處理装置中於該 礤瀑度分佈曲線中，該頂部與底部偽分別形成在該管之末 端附近並且在稍遠離該管之末端的上游處。為達成此目的 ，一種方法是增加副氣體進入管之數目，在這種方法中， 該晶圖可能會與該副氣體進入管接觸以便分離所形成之一 薄膜•因而極可能産生粒子並且使維修工作變得很麻煩* 而這是吾人所不樂見的。 另外•在上述日本專利公開第45529/1995中掲露的方 法是要利甩吹出縱向地設置在該等噴嘴上的多數孔來確保 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先喊讀t面之注意事項再填寫本頁) 丨裝· 、?τ 經濟部中央#率局員工消費合作社印装 A7 _ B7_ 五、發明説明（4 ) 磷濃度的面對面均勻性。但是，該嘖嘴之壓力在靠近該噴 嘴之末端下降，如此産生的問題是設定該孔之直徑以及配 置之間距是很麻煩的。還有另外一痼問題是當該等晶圓之 磷濃度的設定值改變時，該噴嘴之孔的設定值也懕該隨著 改變。 本發明己經在這些條件下完成，本發明之一目的為提 供一種膜形成裝置，其中當在欲被處理之一基質，如一晶 圖上形成包括一摻入成份，例如磷的膜時，在欲被處理之 基質之間摻入成份濃度具有高均勻性。 在本發明中提供一種膜形成裝置，包含：一反應管； 一主氣髏供給管，其具有一末端開口以便由該反應管之一 端側將一膜形成氣髏與一摻入氣體供應到該反應管；以及 具有一末端的一副氣體供給管，該末端偽定位在該反應管 之另一端側而不是該主氣體供給管之末端開口並且其開口 朝向該另一端側以便由該末端開口供應該摻入氣體•其中 至少一氣髏吹出孔傜設置在該副氣腥供給管之該側，並且 該摻入氣體係由該末端開口以及該副氣體供給管之氣體吹 出孔來供應以便補償由該主氣體供給管供應之摻入氣髁的 一短少部份。 第1圖是一縱向截面圖，顯示本發明之一膜形成裝置 的整個結構。 第2圖是一播截面圖，顯示在本發明之該膜形成裝置 中所使用之一主氣髏管與一副氣蘐進入管之間的平面位置 本紙張尺度逋用t國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先陴讀背'面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 308706 A7 B7 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 五、發明説明（5 ) 第3 A圖是該第一與第二副氣雅進入管的一不意圖· 並且第3 B圖是該等副氣體進入管之吹出孔的放大縱向截 面圖。 第4圖是一磷濃度分佈曲線’顯示在一晶舟上之一 0¾ 圓安裝位置以及一磷濃度之間的關係。 第5 A、5B與5 C圖偽礎濃度分佈曲線'顯不在一 晶舟一上之一晶画安装位置與一磷濃度之間的關係，包括 只設置該主氣體進入管之情形；有置該主氣體進入管、該 第一副氣鼸進入管與該第二副氣體進入啻之情形；以及（ 本發明）分別設置該主氣體進入管、該第一副氣醴進入管 (具有一吹出孔）、以及一第二副氣醴進入管（具有一吹 出孔）之情形。 第6圖是一縱向示意鼴，示意地顯示一習知膜形成装 置0 第7圖是在該習知膜形成装置中之一磷濃度分佈曲線 〇 第1圖是一縱向截面圖，顯示本發明之一膜形成裝置 的一例子，一加熱爐1偽安裝在一基板10上，並且一加熱 器12傜設置在一熱绝緣層11之一内周緣表面中以便環繞一 反應管2 。 該加熱爐1之内部設置有一雙管結媾的反應管2以便 在其中形成欲被處理之一蒙氣，該反應管2包含具有由， 例如·石英所形成的一外管21，以及由，例如石英且與該 外管21同軸排列的一内管22。 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閱讀免面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 _B7__ 五、發明説明（6 ) 該外管21與該内管22係在其下端藉由以不鏽钢等製成 的一管狀枝管3而被固定，並且在該枝管3之下端上於一 開孔3A處係緊密地設置有一套蓋部份31以便氣密地密封該 開孔3A。 可轉動地以一密封狀態，例如《由一磁性密封物來密 封的一轉軸32被插入該套蓋部份31之中心，該轉軸32具有 ^ 與一上升床31 A之轉動機構33連接的一下端以及與一用以 檯34固接的一上端。在該轉動檯34上向上地安裝有由石英 製成的一晶舟4 ，其係欲經由一儲熱管35處理之一基質的 固持器。該晶舟4具有，例如，四餹管柱·各管柱具有一 槽，使得，例如，170個半導體晶圖W可以一固定垂直間 隔之方式畳置並且可以被固持在該等管柱之槽中。 在該歧管3之下倒*用以將一膜形成氣髏，如一單矽 (SiH4)烷氣體與一摻入氣體，如一膝（PH 3)氣體混合一載 氣，如一氮氣而将該混合物導入該反應管2的一主氣體進 入管5橫向地被插入，該主氣體進入管5偽_曲成一 L形 並且垂直且向上地伸入該反應管2 ，該主氣髏進入管5經 由一質量流控制器（MFC) 50與一氣體供應源（圖未示）連 接） 此外，在該摩擦構件3之下側，用以混合一摻入氣體 ，如一膦（PH 3)氣體以及一載氣，如一氮氣而將該混合物 導入該反應管2的一第一副氣體進入管6與一第二副氣驩 進入管7横向地波插入，該等副氣髏進入管6與7偽弯曲成 —L形並且沿著該反應管2軸向且向上地延伸，該等副氣 本紙浪尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） f ·裝 訂 ！···^ (請先閱讀^面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 308706 A7 _ B7_ 五、發明説明（7 ) 體進人管6與7經由質量流控制器（MFC) 60與70與一氣體供 應源（圖未示）連接。 該主氣髏進入管5之一末端開口（一氣髏供開口）偽 位於該儲熱管35之底部附近*如果該晶舟4之结構偽可以 容纳，例如，170個晶画於其中，該等第一與第二副氣體 進入管6與7係使得該第一副氣驩進入管6之末端被定位成 ，例如，比一晶圔固持區域之中心稍低，並且以該晶舟4 之槽的層數而言，偽在該由頂部數來第100層的附近，並 且該第二副氣髏進入管7係被定位成，例如，比一晶画固 持區域之頂部稍低|並且在由頂部數來第30層的附近。 該主氣體進入管5 、以及該副氣體進入管6與7偽排列 成互相分開該基本距離，例如，在環繞該晶舟4之周緣方 向上大約有55mm，如第2圖中所示，並且傜由石英管所製 成，該石英管之直徑D係，例如，4.5 ram，如第3A圖中 所示。 該等第一與第二副氣體進入管6與7之末端是開口的， 為了只藉由來自該等末端開孔之流出量無法補償膝氣之一 流動均勻性的一部份（定置），直徑R為，例如0.5到1 mm的氣髏吹出孔61與71被讚設在稍逮離該末端開孔之近側 (下側），即 > 在該近側上，例如，距離在第3圖中之該 末绱的距離S大約數十mn (以該等晶園之層數而言大約為 5到20層）。但是，該等第一與第二副氣醱進入管6與7之 長度以及該等氣體吹出孔61與71之位置偽依據在該等晶圓 上所預期之磷濃度值來決定，並且該值不限於上述的值。 -10 - 本紙張尺度適用中國國家橾準（CMS ) Α4規格（210X297公釐） ---------ί .裝------訂------{外 (請先町讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 該等氣體吹出孔61與71的方向偽以在45度方向上之一 線L1以及在一 90度方向上相對於該晶圖W之轉動方向的一 線L2之間者（一徑向對角區域）為較佳，而不是該氣體吹 出方向朝向該等晶圖W之中心的一線，如第2圖中所示， 以便避免在平面中的均勻性。如第3 B臞中所示，該等氣 髏吹出孔61與71之端部E偽環繞在一 r部份處為較佳，這 樣的優點是即使所反應之産品黏著在該端部份E上，所形 成之膜偽限難被分離。 另一方面，該歧管3之上側與一排氣管13連接，而該 排氣管13與一真空泵（圖未示）以便讓該加工氣髏由在該 外管2 1與該内管22之間的一間隙釋出以便將該反應管2之 内部設定成一固定之蓮原蒙氣，如第1圖中所示。 在本發明之具有上述结構之膜形成装置中，首先，在 該反應管2内之欲被處理的滎氣被該加熱器12預熱，使得 該晶舟4之中心部份（該垂直中央部份）的溫度升高，接 著，具有170痼晶圓W以一間距•例如4.76mm垂直地容纳 在其中的該晶舟3由該下開口 3A被該上升床31A載入該反 應管2中。 接著*當該反應管2之内部被抽真空到一固定之真空 度，例如，1 xlO-3 To「r時，做為一膜形成氣體之一單矽 烷氣體以及做為一摻入氣體的一膦氣以一載氣，例如，氮 (N 2)氣加以稀釋，並且由該主氣鼸進入管5分別以，例如 500 cc/min、450 cc/min 與 100 cc/rain 的流量送人該内管 22中。同時，該瞵氣之流置偽被設定成，如，2.5 cc/m in -11 - 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0'〆297公釐） --------f -裝-- (請先Μ·讀#面之注意事項再填寫本頁) ,1Τ 經濟部中央橾率局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) ，並且以氮氣稀釋到1¾的該氣臞由該第一與第二副氣鼸進 入管6與7被加入該反應管2 ，並且該反應管2被排空以便 具有，例如，0.5 Torr·之壓力而在該晶画上形成一膜，但 是在以，例如1到3r.p.m.之速度轉動該晶舟4時，用以稀 釋一單矽烷氣體與一雔氣的氣體並不限於Na氣體，也可以 使用其他的惰性氣體，如氪氣（He)。 在本發明之上述實施例中，該單矽烷氣髏與該勝氣經 過該主氣體進入管5由該反懕管2之底部附近向上流出， 該單矽烷氣體被熱裂解並且一多晶矽膜形成在該晶國W的 表面上，並且該磷也被熱裂解且磷移入該多晶矽膜中，因 此一含磷的多晶矽膜形成在該晶圖上。因此該磷在它於該 反應管2中向上移動時被消耗，該瞵氣之流量會變小。但 是•這短少的部份藉由經由該第一副氣髖進入管6之末端 開孔由該晶舟4之中心附近供給的磷充份地補僂。 流出該第一副氣髏進入管6之膝氣在它於該反應管中 向上移動時變少•但是，該膦氣經由該第二副氣醱進入管 7之末端孔由頂部供給，因此來自該第一副氣髏進入管之 膝氣之一短少部份可以得到補償。 第4圖之實線頴示該等晶圖之磷濃度的待性曲線，其 中該副氣龌進入管没有設置一氣體吹出孔，並且顯示該礎 濃度分佈相對該晶圖位置的趨勢。該濃度分佈待性曲線之 底部（BTM)傜位在稍逮離該等副氣體進入管6與7之末端的 近端側（下側），因為被吹出該等副氣龌進入管6與7之末 端孔的該膦氣&稍撤向該近端側擴散。如預期地·該磷濃 -12 - 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ---------{丨裝------訂------f·^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂率局員工消费合作社印袈 A7 _ B7_ 五、發明説明（1G ) 度有時是超過2 X l〇2(J原子/cm3的一高濃度並且有時是大 約0.8到2 X 10211原子/cm3的一低濃度。如果持別地提供 該低濃度，該膦氣之流置將小到無法到達一端，因此•在 該濃度分佈曲線之頂部（TOP)與底部（BTM)之間的差變大 0 因此，該等氣髏吹出孔61與71係設置在該副氣體進入 管6與7中以便於補«在該濃度分佈曲線之底部中的該膝氣 ，使得一少量之隣氣由該處流出。接著，在該等氣體吹出 孔61與67附近的瞵氣增加，所以該磷濃度變大。請參閲第 4画之濃度曲線，由實線表示之該底部係如虛線所顯示地 升高，因此在該等晶画之間之磷濃度的均勻性增加。這將 使得來自該主氣體進入管5之瞵氣的短少可藉由供應·從該 等副氣體進入管6與7之末端孔來的瞵氣而得到補償•因此 該無法補償的短少部份將被來自該等氣鼸吹出孔61與71之 少量瞵氣再補償。 該等氣醱吹出孔61與71之縱向位置可以如預期地依據 該磷濃度來適當地設定，如果該膦氣由該等副氣醱進入管 6與7之末端孔向上流出，上述該濃度分佈曲線之趨勢是可 預測的。此外，這是對於來自該等副氣髅進入管6與7之膝 氣之補償之到某種程度的進一步補》，並且因此，該等氣 醱吹出孔61與71之位置的設定，並不痛要更高之精確度。 所以，該熱處理装置之設定是容易的。 其中一單一氣醱進入啻被用來使一單矽烷氣髏與一膝 氣流動的下一步驟是習知的，並且該單矽烷氣體的流量被 -13 - 本紙伕尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4规格（210X297公釐） (請先》讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 308706 經濟部中央標窣局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（η ) 設定成一大流量，例如，1000到2000cc/cm3以便將礤帶到 該末端。但是，在本發明中單矽烷氣醴之流量與上述步驟 中者相較偽足夠小的，並且該單矽烷氣體藉由燃燒來處理 ，且單矽烷氣體之處理廢氣成本將會很低。 如前所述，本發明之該主氣臞進入营不僅被包括在該 單矽烷氣醱與該摻入氣體由一共同氣體進入管供應之情形 中，並且也包括在該單矽烷氣鱧與該摻入氣體分別地由· 例如，兩氣體進入管供應的情形。在這種情形中·該主氣 髏進入管是由兩氣體進入管所構成，該副氣體進入管可以 是一或三値，但是是以在前述實施例中使用的兩副氣體進 入管為較佳，這是因為考廉到粒子污染之可能性較低並且 在確保相對該磷濃度之高平面中之均勻性.時雒修容易的優 點。 此外•纘設在該副氣體進入管中之氣體吹出孔的數目 可以大於兩艏，另外，例如使用兩副氣醱進入管，也可以 使用包含一内管與一外管的一雙管，其中該内管比外管長 ，該外管偽被當做一第一副氣體進入管使用並且該内管傜 被當做一第二副氣體進人管使用。再者，該膜形成氣體， 例如，該單矽烷氣體可以沿著來自該副氣體進入管之該慘 入氣體供應。 在製造一磷摻入矽膜時，一雙矽烷（Si2Hs)氣髏可以 被當做該膜形成氣體使用•在本發明中，在該一膜時被摻 入之一摻入成份並不限於磷·也可以被供應到，例如供應 —B 2 H s氣體以ί更摻入該Β 2 Η B氣髏之情形中以及一 AsH 3氣髏 -14 - 本紙張尺度遴用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先盹讀骨面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央橾隼局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（12 ) 被用來摻入該As之情形中。本發明可以被應用在一横向熱 處理裝置中而不限於一垂直熱處理装置。 在本發明之膜形成裝置以及該習知膜形成装置中之在 該晶圖上之晶圔的安裝位置與該磷濃度之間的關係將被列 入考廉。 如第5 A圖中所示，在一凸出主氣髏進入管設置在一 反應管上的情形中，該磷濃度由該底部（BTM)向該反應管 (⑦·•►④）之中心（CTR)減少，並且在頂部（TOP)(①）處最低， 使得在該等晶晒表面之間之磷濃度均勻性得以保持。 如第5 B圖中所示，其中設置有長度與該主氣髏進入 管不同的一第一副氣髏進入管與一第二副氣醱進入管，並 且一膜形成氣體等由其末端孔被送入該反應管，該磷濃度 之頂部係形成在該副氣體進入管之該末端孔處形成*而其 底部則偽形成在其末端孔附近的上游與下游處，同樣地無 法保持在該等晶圓之間的磷濃度均勻性。 另一方面，如第5C圖中所示·其中除了該主氣醱進 入管之負還設置有一第一副氣體進入管（具有一吹出孔） 以及一第二副氣髏進入管（具有一吹出孔），如同在本發 明之膜形成装置中一般，該頂部係形成在該氣體進入管之 末端孔處，但是可以得到一近乎均勻之磷濃度面對面均勻 性0 緣是，在本發明中可以相對在欲處理基霣之間之一摻 入成份之潑度得到高均勻性•因此增加産量。 -15 - 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 2们公釐） (請先K讀背面之注意ί項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（13) 元件標號對照 1____ .加熱嫌 32… .轉軸 2____ .反應管 33… .轉動機構 3____ .技管 34… .轉動檯 4____ .晶舟 35 · ·. .儲熱管 5____ .主氣體進入管 50... .質量流控制器 6____ .第一副氣體進入管 60 ... .質量流控制器 7____ .第二副氣體進入管 61… .氣體吹出孔 3A... .開孔 70··. .質量流控制器 9____ .反應管 71… .氣體吹出孔 10·.. .基板 91 ... .副氣體進入管 11… .熱絶緣層 92... .副氣體進入管 12… .加熱器 93… .排氣管 13... .排氣管 94··. .技管 21… .外管 95 · ·. .晶舟 22… .内管 96 ·.. .加熱器 31... .套蓋部份 97... .舟升高機 31A.. .上升床 W… .晶圓 -16 - m- n·— n^i mf nn I tm .. m mV ml nn 一 V 夺 、va (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS )八4洗格（210X297公釐）

Claims (1)

1. '申請專利範圍 A8 B8 C8 ι·—種膜形成裝置，包含： 一反應管； 一主氣體供給管，其具有一末端孔以便由該反應 管之一端側將一膜形成氣體與一摻入氣體供應到該反 應管；以及 具有一末端的一副氣體供給管，該末端係定位在 該反應管之另一端側而不是該主氣體供給管之末端孔 並且其開口朝向該另一端倒以便由該末端孔供應該摻 入氣體；其中 至少一氣體吹出孔係設置在該副氣髏供給管之該 側，並且 該摻入氣體係由該末端孔以及該副氣體供給管之 氣髏吹出孔來供應以便補《由該主氣體供給管供應之 摻入氣體的一短少部份，藉此欲被處理之多數基質被 固持且帶入該反應管中而形成相對欲被處理之該等基 質含有一摻入成份的一薄膜。 2.如申請專利範圍第1項之膜形成裝置，其中該副氣體 供給管包含長度不同的多數副氣體供給管。 3 .如申請專利範圍第1項之膜形成裝置，其中一圖緣係 形成在設置於該副氣醱供給管中之該氣體吹出孔的一 邊緣部處。 4.如申請專利範圍第1項之膜形成裝置，其中該主氣醱 供給管是由兩氣護進入筈所構成，以便分別地供應該 膜形成氣體與該摻入氣醴進入該反應管。 -17 - 本纸張尺度適用中國國家棣準（CNS ) Α4洗格（210Χ297公釐） I I I I I I I 裝 訂— ^ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棣準局属工消費合作社印製 A8 B8 C8

   申請專利範圍 5. 如申讅專利範圍第丨項之膜形成裝置，其中該等副氣 醴供給管為多數且具有相同之内徑。 6. 如申請專利範圍第〖項之膜形成装置，其中該等副氣 體供給管為多數且内徑不同。 7. 如申請專利範圍第1項之膜形成装置，其中該等副氣 體供給管為多數，其中具有相同孔徑之多數吹出孔偽 分別設置在其中。 8. 如申請專利範圍第丨項之膜形成裝置，其中該等副氣 體供給管為多數，其中具有不同孔徑之多數吹出孔偽 分別設置在其中。 9·如申請專利範圍第1項之膜形成装置；，其中該等吹出 孔傜沿著與欲處理之該等基質之轉動方向相反之切線 方向徑向地延伸。 MM aw· aaaw Γ *之 m In m—* 赛 i ·. - - v (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉率局負工消费合作社印簟 8 1 本紙張尺度適用中國國家梯率（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）