JPH0682626B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0682626B2 JPH0682626B2 JP62267793A JP26779387A JPH0682626B2 JP H0682626 B2 JPH0682626 B2 JP H0682626B2 JP 62267793 A JP62267793 A JP 62267793A JP 26779387 A JP26779387 A JP 26779387A JP H0682626 B2 JPH0682626 B2 JP H0682626B2
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- Japan
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- vapor phase
- gas
- wafers
- phase growth
- tube
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、気相成長装置に関し、特に縦型の反応管内に
多数枚のウェーハを任意の間隔でほぼ水平にして、積み
重ねるように設置する気相成長装置に関する。
多数枚のウェーハを任意の間隔でほぼ水平にして、積み
重ねるように設置する気相成長装置に関する。
〔従来の技術〕 従来、この種の気相成長装置は、第２図に示すように、
管壁に多数のガス放出細孔７のあいたノズル管11を設置
して、ガスをウェーハ面にほぼ平行にガス放出細孔７か
ら放出し、ウェーハ表面上に新期の膜を成長させる構造
になっている。この際、ノズル管11は長さ方法には連続
した一本の管になっていた。
管壁に多数のガス放出細孔７のあいたノズル管11を設置
して、ガスをウェーハ面にほぼ平行にガス放出細孔７か
ら放出し、ウェーハ表面上に新期の膜を成長させる構造
になっている。この際、ノズル管11は長さ方法には連続
した一本の管になっていた。
上述した、従来の気相成長装置は、ノズル管11内の圧力
損失のため、ガス放出細孔７から放出されるガス流量は
下流すなわち、ウェーハボートの上方に行くほど少なく
なる。このため、ノズル管11が長くなるとウェーハボー
トに搭載されたウェーハ３上に成長する膜厚は、上方に
行くほど薄くなる。この結果、ウェーハ間の膜厚差を小
さくするために一度に成長できるウェーハの枚数が少な
くなるという欠点がある。
損失のため、ガス放出細孔７から放出されるガス流量は
下流すなわち、ウェーハボートの上方に行くほど少なく
なる。このため、ノズル管11が長くなるとウェーハボー
トに搭載されたウェーハ３上に成長する膜厚は、上方に
行くほど薄くなる。この結果、ウェーハ間の膜厚差を小
さくするために一度に成長できるウェーハの枚数が少な
くなるという欠点がある。
本発明によれば、縦型の反応管内に複数枚のウェーハを
任意の間隔でほぼ水平に積み重ねるように設置し、ウェ
ーハ近傍にほぼ垂直に立てて設置したノズル管を有し、
ガスをノズル管にあけられた多数の細孔から放出して、
ウェーハ上に成膜する気相成長装置において、ノズル管
が長さ方向で複数に分割されていて、分割されたノズル
管には、それぞれ独立してガスが供給されることを特徴
とする気相成長装置が得られる。
任意の間隔でほぼ水平に積み重ねるように設置し、ウェ
ーハ近傍にほぼ垂直に立てて設置したノズル管を有し、
ガスをノズル管にあけられた多数の細孔から放出して、
ウェーハ上に成膜する気相成長装置において、ノズル管
が長さ方向で複数に分割されていて、分割されたノズル
管には、それぞれ独立してガスが供給されることを特徴
とする気相成長装置が得られる。
本発明によれば、ウェーハボートのウェーハ搭載部分の
長さが一定の場合、分割数を多くするほど、各ノズルの
ガス放出細孔からでるガス流量の差は少なくできウェー
ハの間の膜厚差を小さくすることができる。
長さが一定の場合、分割数を多くするほど、各ノズルの
ガス放出細孔からでるガス流量の差は少なくできウェー
ハの間の膜厚差を小さくすることができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の気相成長装置の縦断面図で
あり、この装置を用いてシリコンエピタキシャル成長を
実施した場合について説明する。反応管は外管１と内管
２の２重構造になっている。直径150mmのウェーハ３は
ウェーハボード４にほぼ水平になるように約6mmの間隔
で70枚搭載した。本発明に係るノズル管については、長
さ方向に分割したガス供給ノズル管及び６にそれぞれ独
立して、SiH2Cl2とH2ガスがマスフローコントローラ（M
F）10を通して供給されるようになっている。それぞれ
のノズル管に供給されたガスは、それぞれガス放出細孔
7,8からウェーハ面にほぼ平行に放出される。
あり、この装置を用いてシリコンエピタキシャル成長を
実施した場合について説明する。反応管は外管１と内管
２の２重構造になっている。直径150mmのウェーハ３は
ウェーハボード４にほぼ水平になるように約6mmの間隔
で70枚搭載した。本発明に係るノズル管については、長
さ方向に分割したガス供給ノズル管及び６にそれぞれ独
立して、SiH2Cl2とH2ガスがマスフローコントローラ（M
F）10を通して供給されるようになっている。それぞれ
のノズル管に供給されたガスは、それぞれガス放出細孔
7,8からウェーハ面にほぼ平行に放出される。
シリコンエピタキシャル成長実験の一例を以下に示す。
電気炉加熱によって反応管内の温度を1100℃とした。ノ
ズル管５より反応ガスSiH2Cl2を0.3/min,キャリアガ
スH2を20/min,またノズル管６より同様にSiH2Cl2 0.3
/min,H2 20/minを流した。ウェーハボートは１分間
に10回転の回転速度（10rpm）で回転した。その結果、
ウェーハボート４の下半分と上半分に設置したウェーハ
３は、ほとんど同じ膜厚分布を示し、全ウェーハに対し
てウェーハ間の膜厚差を±５％以内に抑えることができ
た。
電気炉加熱によって反応管内の温度を1100℃とした。ノ
ズル管５より反応ガスSiH2Cl2を0.3/min,キャリアガ
スH2を20/min,またノズル管６より同様にSiH2Cl2 0.3
/min,H2 20/minを流した。ウェーハボートは１分間
に10回転の回転速度（10rpm）で回転した。その結果、
ウェーハボート４の下半分と上半分に設置したウェーハ
３は、ほとんど同じ膜厚分布を示し、全ウェーハに対し
てウェーハ間の膜厚差を±５％以内に抑えることができ
た。
一方、第２図に示した従来方式の一本のノズルによって
成長した場合は、ウェーハ間膜厚差は±12％と大きかっ
た。
成長した場合は、ウェーハ間膜厚差は±12％と大きかっ
た。
次に、ノズルを３分割することによって、同様に搭載ウ
ェーハ数70枚にシリコンエピタキシャル成長を試みた。
各分割ノズル管にそれぞれ、SiH2Cl2を0.3/min,キャ
リアガスH2を20/min流した。その結果、ウェーハ間の
膜厚分布を±３％以下に抑えることがでた。すなわち、
分割数を多くすれば、ガス供給系などの装置は複雑化す
るが、膜厚の均一性は向上する。
ェーハ数70枚にシリコンエピタキシャル成長を試みた。
各分割ノズル管にそれぞれ、SiH2Cl2を0.3/min,キャ
リアガスH2を20/min流した。その結果、ウェーハ間の
膜厚分布を±３％以下に抑えることがでた。すなわち、
分割数を多くすれば、ガス供給系などの装置は複雑化す
るが、膜厚の均一性は向上する。
本発明は、縦型の反応管内に任意の間隔をもたせて、ほ
ぼ水平にウェーハを積み重ねて設置し、ほぼ垂直に立て
たノズル管の管壁にあけられたガス放出細孔からウェー
ハ面にほぼ水平にガスを供給する気相成長装置で、ノズ
ル管を長さ方向に分割し各分割部分に独立にガスを供給
することによって、各ガス放出細孔管のガス流量の差を
小さくすることができる。その結果、各ウェーハ上に成
長する膜のウェーハ間の膜厚差を小さくできて、成膜の
均一性を著しく向上する効果がある。
ぼ水平にウェーハを積み重ねて設置し、ほぼ垂直に立て
たノズル管の管壁にあけられたガス放出細孔からウェー
ハ面にほぼ水平にガスを供給する気相成長装置で、ノズ
ル管を長さ方向に分割し各分割部分に独立にガスを供給
することによって、各ガス放出細孔管のガス流量の差を
小さくすることができる。その結果、各ウェーハ上に成
長する膜のウェーハ間の膜厚差を小さくできて、成膜の
均一性を著しく向上する効果がある。
また、以上はシリコンエピタキシャル成長を例に説明し
てきたが、各種の酸化膜，窒化膜，ポリシリコン膜、ア
モルファスシリコン膜などの成膜にも適用でるものであ
り、その応用価値は、きわめて大きい。
てきたが、各種の酸化膜，窒化膜，ポリシリコン膜、ア
モルファスシリコン膜などの成膜にも適用でるものであ
り、その応用価値は、きわめて大きい。
第１図は本発明の一実施例の気相成長装置の断面図、第
２図は従来の気相成長装置の縦断面図である。 １……反応管（外管）、２……反応管（内管）、３……
ウェーハ、４……ウェーハボート、5,6……ガス供給ノ
ズル管、7,8……ガス放出細孔、９……排気口、10……
マスクローコントローラー、11……ノズル管。
２図は従来の気相成長装置の縦断面図である。 １……反応管（外管）、２……反応管（内管）、３……
ウェーハ、４……ウェーハボート、5,6……ガス供給ノ
ズル管、7,8……ガス放出細孔、９……排気口、10……
マスクローコントローラー、11……ノズル管。
Claims (1)
- 【請求項１】縦型の反応管内に複数枚のウェーハを任意
の間隔でほぼ水平に積み重ねるように設置し、前記ウェ
ーハ近傍にほぼ垂直に立てて設置したノズル管を有し、
ガスを前記ノズル管にあけられた多数の細孔から放出し
て、前記ウェーハ上に成膜する気相成長装置において、
前記ノズル管が長さ方向で複数に分割されていて、該分
割されたノズル管には、それぞれ独立してガスが供給さ
れることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267793A JPH0682626B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267793A JPH0682626B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01109714A JPH01109714A (ja) | 1989-04-26 |
| JPH0682626B2 true JPH0682626B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=17449670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62267793A Expired - Lifetime JPH0682626B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682626B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0732137B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1995-04-10 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 熱処理炉 |
| JP3373990B2 (ja) * | 1995-10-30 | 2003-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びその方法 |
| JP4045689B2 (ja) | 1999-04-14 | 2008-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| KR101025323B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2011-03-29 | 가부시키가이샤 아루박 | 에칭 장치 및 에칭 방법 |
| JP2009200298A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP6710149B2 (ja) * | 2016-11-21 | 2020-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50118671A (ja) * | 1974-03-01 | 1975-09-17 | ||
| JPS6171625A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Fujitsu Ltd | 縦型ｃｖｄ装置 |
| JPH07111958B2 (ja) * | 1985-03-01 | 1995-11-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体のエピタキシャル成長方法 |
| JPS6276529U (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-16 | ||
| JPS6236280Y2 (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-16 |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP62267793A patent/JPH0682626B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01109714A (ja) | 1989-04-26 |
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